專利名稱：一種光刻裝置和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻投影裝置，包括輻射系統(tǒng)，可提供投影光束；支承結(jié)構(gòu)，用來支承圖案形成機構(gòu)，該圖案形成機構(gòu)根據(jù)希望的圖案使投影光束形成所需要的圖案；基片臺，用來固定基片；和投影系統(tǒng)，用來將形成圖案的光束投射到基片的目標部分；液體供應(yīng)系統(tǒng)，可使液體充滿所述投影系統(tǒng)的終端件和所述基片之間的空間，和測量系統(tǒng)，可測量所述基片上各點的位置。
背景技術(shù)：
本文使用的術(shù)語“圖案形成機構(gòu)”應(yīng)廣義地理解為可用來使入射光束的斷面形成圖案的裝置，該圖案對應(yīng)于在基片目標部分產(chǎn)生的圖案；在本文中也可以使用“光閥”這一術(shù)語。一般來說，所述圖案將對應(yīng)于在目標部分制造的器件，如集成電路或其它器件(參見下文)，的特定功能層。這種圖案形成機構(gòu)的示例包括掩模，掩模的概念在光刻法中為大家所熟知，掩模類型包括，如雙體、交變相移和衰減相移，以及各種混合的掩模類型。將這樣的掩模放置在光束中會使照射到掩模上的光束根據(jù)掩模圖案產(chǎn)生選擇性透射(在透射式掩模的情況下)或選擇性反射(在反射式掩模的情況下)。對于掩模來說，支承結(jié)構(gòu)通常是掩模臺，可確保掩模固定在入射光束所要求的位置上，而且還可以按要求相對光束移動。
可編程反射鏡陣列，這種裝置的一個示例是帶有粘彈性控制層和反射面的可編址矩陣表面。這種裝置的基本原理是(舉例來說)反射面的編址區(qū)域反射入射光線成為衍射光，而未編址區(qū)域反射入射光線成為非衍射光。利用適當?shù)臑V光器可以將非衍射光從反射光束中濾出去而只剩下衍射光；通過這種方式，根據(jù)可編址矩陣表面的編址圖案可以使光束形成圖案。可編程反射鏡陣列的另一可選擇的實施例采用小反射鏡矩陣，通過施加適當?shù)木植侩妶龌蛲ㄟ^使用壓電致動裝置可以使每個反射鏡單獨繞軸線傾斜。同樣，反射鏡形成可編址矩陣，使編址反射鏡沿不同于未編址反射鏡的方向反射入射光束；通過這種方式，可以根據(jù)可編址矩陣反射鏡的編址圖案使反射光束形成圖案?？梢杂眠m當?shù)碾娮友b置來進行所需要的矩陣編址。在上述兩種情況中，圖案形成裝置可以包括一個或多個可編程反射鏡陣列。從美國專利US 5,296,891和US 5,523,193以及PCT申請WO 98/38597和WO 98/33096中可以得到更多有關(guān)反射鏡陣列的信息。本發(fā)明引用參考其中的信息。對于可編程反射鏡陣列，所述支承結(jié)構(gòu)可以用框架或平臺來實現(xiàn)，這種支承結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或是可移動的。
可編程液晶顯示(LCD)陣列，這種結(jié)構(gòu)的一個示例在美國專利US 5,229,872中給出，在此引用參考其內(nèi)容。同上，這種情況下的支承結(jié)構(gòu)可以用一個框架或平臺來實現(xiàn)，根據(jù)需要，這種支承結(jié)構(gòu)可以是固定的或是可移動的。
為了簡單起見，本文的其余部分可能在某處具體涉及到掩模和掩模臺的示例；但是，在這些示例中所討論的一般原理可用于前述圖案形成機構(gòu)的更廣泛范圍。
光刻投影裝置可以用來制造集成電路(ICs)。在這種情況下圖案形成機構(gòu)可產(chǎn)生對應(yīng)于單層集成電路的電路圖形，且該圖形可以在覆蓋光敏感材料層(抗蝕膜)的基片(硅晶片，LCD，掩模等)的目標部分(可包含一個或多個片)上成像。一般地，單個晶片將包含相鄰目標部分組成的整個電路，這些目標部分依次由投影系統(tǒng)一次一個地照射。在現(xiàn)有的通過掩模臺上掩模來形成圖案的裝置中，可以分為兩種不同類型的設(shè)備。其中一種是光刻投影裝置，通過將整個掩模圖案一次曝光到目標部分的方式照射各目標部分，這種裝置通常稱作晶片步進投影曝光機。在另一種可供選擇的通常稱作步進掃描機的裝置中，每個目標部分是通過在投影光束下沿給定基準方向(掃描方向)逐步掃描掩模圖案來照射的，同時沿與此方向相同或相反的方向同步掃描基片臺；一般來說，由于投影系統(tǒng)會具有放大系數(shù)M(通常＜1)，所以掃描基片臺的速度V應(yīng)等于系數(shù)M乘以掃描掩模臺的速度。有關(guān)光刻裝置的更多信息可以從美國專利US6,046,792中得到，本文引用參考其內(nèi)容。
使用光刻投影裝置進行制作的過程中，圖案(比如掩模中的圖案)在基片上成像，該基片至少局部由光敏感材料層(抗蝕膜)覆蓋。在成像步驟之前，可以對基片進行各種處理，如涂底漆、涂抗蝕膜和軟烘焙。在曝光之后，可以對基片進行其它處理，如曝光后烘焙(PEB)、顯影、高溫烘焙以及對成像特征進行測量/檢查。這一系列步驟是形成單層器件，如集成電路，圖案的基礎(chǔ)。接下來可以對圖案層進行各種加工如蝕刻、離子注入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械拋光等，所有這些工序都是為了完成單層器件。如果需要若干層，那么對于每個新層整個過程或其變化都必須重復(fù)進行。最終，在基片(晶片)上會形成一系列器件。接著利用切割或鋸切這樣的技術(shù)將這些器件相互分開，于是這些單獨的器件可以被安裝在載體上、連接插腳等等。有關(guān)這種工藝的詳細資料可以從“微芯片制造半導(dǎo)體加工實用指南”一書的1997第三版中得到，作者為Peter van Zant，McGraw Hill公司出版，書號為ISBN 0-07-067250-4。在此引用參考其內(nèi)容。
為了簡單起見，投影系統(tǒng)在下面可以稱作“透鏡”；但是，這一術(shù)語應(yīng)當被廣義地理解為包含各種類型的投影系統(tǒng)，比如包括折射光學、反射光學、和反折射光學系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)也可以包括根據(jù)這些設(shè)計類型中的任一種進行操作的部件，以引導(dǎo)、修正或控制投影光束，下面這些部件也可以共同或單獨地稱作“透鏡”。此外，光刻裝置可以是帶有兩個或更多個基片臺(和/或兩個或更多個掩模臺)。在這種“多級”裝置中，增加的平臺可以并行使用，或者當一個或多個其它平臺進行曝光時，可以在一個或多個平臺上進行準備步驟。兩級光刻裝置美國專利US 5,969,441和國際專利申請WO98/40791作了介紹，在此引用參考其內(nèi)容。
光刻工業(yè)領(lǐng)域正在試圖減少硅晶片的特征尺寸，以制造出更復(fù)雜的集成電路。特征尺寸受到衍射作用的限制，因此波長為λ的數(shù)值孔徑NA的特定系統(tǒng)的分辨率是W=kλNA]]>其中k是前置系數(shù)。數(shù)值孔徑NA為n sinθ。n是透射物質(zhì)的折射率。
因此，為了降低分辨率，可減小波長或增大數(shù)值孔徑。建議可將基片浸入具有較高折射率的液體，如水，液體充滿投影系統(tǒng)的終端件和基片之間的空間。這樣作的目的是使成像具有較小的特征，因為曝光光束在液體中具有較短的波長(液體的作用還可認為是增加系統(tǒng)的有效NA)。
但是，將基片或基片連同基片臺浸入液體槽中(可見美國專利4,509,852，本文參考引用其內(nèi)容)意味著在進行掃描曝光時要對很大體積的液體進行加速。這樣就要求另外的電動機或更大功率的電動機，液體中的紊流可導(dǎo)致不希望的和未預(yù)見到的后果。
一種提出的解決方案是使液體供應(yīng)系統(tǒng)向投影系統(tǒng)的終端件和基片之間的局部區(qū)域提供液體(基片通常具有比投影系統(tǒng)的終端件大的表面區(qū)域)。國際申請WO 99/49504公開了這種方案的一種形式，本文參考引用其內(nèi)容。如圖4和圖5所示，液體最好沿基片相對終端件移動的方向通過至少一個入口IN提供到基片上，并在通過投影系統(tǒng)后經(jīng)至少一個出口OUT排出。即當基片在終端件下沿-X方向進行掃描時，液體在終端件的+X側(cè)提供，在-X側(cè)排出。圖4顯示了示意性的設(shè)置，其中液體通過入口IN供應(yīng)，在終端件的另一側(cè)通過出口OUT排出，出口OUT連接到低壓源。在圖4中，液體沿基片相對終端件的移動方向提供，盡管不一定非要這樣作。出入口位于終端件周圍的各方位和出入口有各種數(shù)量都是可能的，在圖5中顯示的示例有四組入口，入口兩側(cè)分別設(shè)有出口，通過規(guī)則的圖案圍繞終端件，形成液體腔。
然而，浸入光刻是尚未成熟的技術(shù)，在實際應(yīng)用中仍存在許多問題。本專利申請具體涉及基片的對準和水平。常規(guī)的對準和水平校正是在投影系統(tǒng)的視界范圍內(nèi)的基片上進行(即，在曝光位置進行)。但是，在浸液腔范圍內(nèi)或周圍沒有設(shè)置對準或水平測量裝置的足夠空間，所以適配方面可能很復(fù)雜，或者精度可能受到損害。此外，在對準和水平校正裝置附近存在液體可能降低裝置的性能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種浸入光刻裝置的精確對準和/或水平校正基片的方法和機構(gòu)。
本發(fā)明的這一和其它目的通過在開頭部分提到的光刻裝置得以實現(xiàn)，其特征是，設(shè)置測量系統(tǒng)，可不通過所述液體供應(yīng)系統(tǒng)的所述液體測量所述基片上各點的位置。所述基片上各點的位置在沒有液體的浸入系統(tǒng)外測量。還可以在基片上的目標部分浸入液體時進行測量，即測量通過液體進行。但是液體不是液體供應(yīng)系統(tǒng)提供的用于充滿投影系統(tǒng)的終端元件和基片之間空間的液體。因此測量基片上各點位置時液體位于測量系統(tǒng)和基片之間。液體將在移動基片(和基片臺)到投影系統(tǒng)的焦點之前排出，在焦點位置，液體供應(yīng)系統(tǒng)提供液體充滿投影系統(tǒng)的終端元件和基片之間的空間進行曝光。第二液體供應(yīng)系統(tǒng)可設(shè)置在測量系統(tǒng)的附近。
本發(fā)明的優(yōu)點在于，因為測量系統(tǒng)不再位于液體腔范圍內(nèi)和附近，不再干擾投影系統(tǒng)，所以液體腔中有更好的流動，測量系統(tǒng)的性能不再因液體存在而下降。此外，液體腔中平穩(wěn)的流動條件是必要的，使裝置中不會出現(xiàn)導(dǎo)致邊緣粗糙的變化。使用這種方法，測量系統(tǒng)不用專門調(diào)整以適應(yīng)浸入光刻技術(shù)，測量系統(tǒng)無須復(fù)雜的調(diào)適就可以使用。本測量系統(tǒng)的另一優(yōu)點是位于浸入光刻范圍外的測量系統(tǒng)的任何改進可容易和自動地結(jié)合到浸入系統(tǒng)。
測量系統(tǒng)最好包括對準系統(tǒng)，可測量所述基片的多個對準標記的位置(沿x，y和Rz方向)。根據(jù)本發(fā)明的實施例，所述基片臺帶有基準，所述測量系統(tǒng)測量所述基準的位置不通過所述供應(yīng)系統(tǒng)的的液體。對準標記的位置最好相對所述基片臺的基準進行測量，以使相對基準的對準標記的圖案得以形成。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，測量系統(tǒng)包括水平傳感器，可測量所述基片上各點的高度和/或傾斜度(即，沿z，Rx，Ry方向測量)。因此，通常在曝光位置匆忙進行的基片的水平測量，可在液體腔外面實現(xiàn)。
光刻投影裝置可具有曝光位置，所述基片可在曝光位置進行曝光；和單獨的測量位置，所述測量系統(tǒng)設(shè)置在所述測量位置，所述基片臺可在所述曝光位置和測量位置之間移動。此外，還可設(shè)置多個基片臺，各自在曝光位置和測量位置之間移動。當一個基片臺形成圖案時，第二個基片臺可進行曝光。因此基片的產(chǎn)量可得到提高，使裝置的效率更高，降低其成本。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述基準是投射成像傳感器。
對準系統(tǒng)最好測量兩個線性的正交方向上的移動，和在兩個正交方向形成的平面上的轉(zhuǎn)動。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提出了光刻裝置的制作方法，包括步驟準備基片，基片臺上的所述基片至少局部由光敏感材料層覆蓋，所述基片臺具有基準標記；利用測量系統(tǒng)投射出的測量光束測量所述基片上各點的位置；利用輻射系統(tǒng)提供投影光束；提供液體，充滿基片和所述投影步驟使用的投影系統(tǒng)的終端件之間的空間；利用圖案形成裝置使投影光束的斷面形成圖案；形成圖案的光束投影到光敏感材料層的目標部分；其特征在于，所述測量光束不通過所述液體。
雖然在本文中對根據(jù)本發(fā)明的裝置用于制造集成電路進行了具體介紹，但是應(yīng)當明確地認識到這種裝置可以有許多其它用途。比如，可以用于制造集成光學系統(tǒng)，對磁疇存儲器、液晶顯示屏、薄膜磁頭等的圖案進行導(dǎo)向和檢測。本領(lǐng)域的專業(yè)人員應(yīng)當認識到，對于這些其它用途，本文中使用的術(shù)語“光網(wǎng)”、 “晶片”或“片”可分別用更通用的術(shù)語“掩模”、 “基片”和“目標部分”來代替。
在本文中，使用的術(shù)語“輻射光”和“光束”包括各種類型的電磁輻射，包括紫外光輻射(如波長為365、248、193、157或126納米)。


現(xiàn)在將參考示意性附圖來介紹只作為示例的本發(fā)明實施例，其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的光刻投影裝置；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的光刻投影裝置的細節(jié)；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例的與圖2的光刻投影裝置相同的細節(jié)，但處于曝光過程的不同階段；圖4顯示了根據(jù)本發(fā)明的實施例的另外的液體供應(yīng)系統(tǒng)；和圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施例的圖4的液體供應(yīng)系統(tǒng)另外的視圖。
在這些附圖中，對應(yīng)的參考符號表示對應(yīng)的部件。
具體實施例方式
圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明特定實施例的光刻投影裝置。裝置包括
輻射系統(tǒng)Ex、IL，用來提供投影光束PB(如遠紫外輻射光)，在此具體實例中還包括輻射源LA；第一載物臺(掩模臺)MT，裝有固定掩模MA(如光網(wǎng))的掩模架，并連接到第一定位裝置PM上，可使掩模相對于部件PL精確定位；第二載物臺(基片臺)WT，裝有固定基片W(如涂有抗蝕膜的硅晶片)的基片座，并連接到第二定位裝置PM上，可使基片相對于部件PL精確定位；投影系統(tǒng)(“透鏡”)PL(如折射透鏡系統(tǒng))，用來將掩模MA的照射部分成像到基片W的目標部分C(包含一個或多個片)上。
如圖所示，該裝置是透射型的(即帶有透射式掩模)。但一般來說，也可以是反射型的(即帶有反射式掩模)?；蛘?，該裝置可以采用另一種圖案形成機構(gòu)，如上面提到的可編程反射鏡陣列型。
輻射源LA(如放電等離子源或激光等離子源)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或在穿過調(diào)制裝置如光束擴展器Ex后進入照明系統(tǒng)(照明器)IL中。照明器IL可以包括調(diào)整裝置AM，用來設(shè)置光束強度分布的外和/或內(nèi)徑向區(qū)域(通常分別稱作σ-外和σ-內(nèi))。另外，一般還包括其它各種部件，如積分器IN和聚光器CO。通過這種方式，使照射到掩模MA上的光束PB在其斷面上具有所要求的均勻度和強度分布。
應(yīng)當指出，就圖1而言，輻射源LA可位于光刻投影裝置的外殼內(nèi)(比如當輻射源LA為汞燈時通常如此)，但也可以遠離光刻投影裝置，將產(chǎn)生的光束引導(dǎo)到裝置中(比如通過適當?shù)囊龑?dǎo)反射鏡)；當輻射源LA是準分子激光器時通常采用后一種方案。本發(fā)明及權(quán)利要求包括這兩種方案。
光束PB接著與固定在掩模臺MT上的掩模MA相交。越過掩模MA之后，光束PB通過投影系統(tǒng)PL，投影系統(tǒng)PL將光束PB聚焦到基片W的目標部分C上。借助于第二定位裝置(和干涉測量裝置IF)基片臺WT可以精確地移動，比如可以將不同的目標部分C置于光束PB的路徑中。類似地，第一定位裝置可以使掩模MA相對光束PB的路徑精確定位，比如在從掩模庫中機器檢索掩模MA之后，或是在掃描過程中。一般地，載物臺MT、WT的移動可以通過長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)來實現(xiàn)，這在圖1中沒有明確示出。然而，對于晶片步進投影曝光機(不同于步進-掃描機)，掩模臺MT可以只與短行程致動器相連，或者可以固定在XY平面。
所示裝置可以在兩種不同的模式中使用1.步進模式，掩模臺MT基本上保持不動，且整個掩模圖像是一次投影(單次“閃光”)到目標部分C。然后基片臺WT沿x和/或y方向移動，使得不同的目標部分C可以被光束PB照射；2.掃描模式，基本上采用相同的方案，除了給定的目標部分C不是在單次“閃光”中曝光，而代之以，掩模臺MT以速度v沿給定方向(所謂的“掃描方向”，如y方向)移動，因此使得投影光束PB在整個掩模圖像上掃描；同時，基片臺WT以速度V＝Mv沿相同或相反的方向移動，其中M是透鏡PL的放大倍數(shù)(一般，M＝1/4或1/5)。通過這種方式，可以使相對較大的目標部分C曝光而無須犧牲分辨率。
在圖2中，基片臺WT位于測量位置，進行對準和/或水平測量?；_設(shè)有基準F1，有時稱作基準點。其包括一塊蝕刻有對應(yīng)標準對準標記的圖案的板，在對準標記下是輻射傳感器，也可稱作投射圖象傳感器，可對輻射光束反應(yīng)。在測量位置，利用測量系統(tǒng)30的對準系統(tǒng)，通過移動基片臺WT檢測基準F1，然后檢測基片W上的對準標記，從而得到基片對準標記的位置(沿x，y，和Rz方向)。在實施例中，可相對基準測量和確定對準標記的位置。
然后在測量位置進行基片的水平測量。為了測量基片的水平，可使用水平光束(從測量系統(tǒng)30發(fā)出)，水平光束穿過第一光柵，然后被基片W反射。第二光柵設(shè)置在被基片W反射的水平光束的路徑上。第一和第二光柵圖象重合的范圍通過水平測量傳感器進行測量，由基片W的高度和/或傾斜來確定(因此確定了z，Rx，Ry坐標)。對基片基準的水平測量的進一步介紹可參考歐洲專利申請EP 02,257,251。利用基片對準和基片水平測量的數(shù)據(jù)，可形成基片的圖案。
如圖3所示，基片臺WT然后移動到單獨的曝光位置，在曝光位置設(shè)置了液體供應(yīng)裝置18，可提供液體(如水)到投影系統(tǒng)PL和基片臺WT之間的空間，形成液體腔10。在這個示例中，腔10對圍繞投影系統(tǒng)PL的成像區(qū)的基片形成無接觸密封，使液體只充滿基片表面和投影系統(tǒng)PL的終端元件之間的空間。位于投影系統(tǒng)PL的終端元件下面和周圍的密封件12界定了腔10并包括液體供應(yīng)裝置18。密封件12延伸到投影系統(tǒng)的終端元件上面一點，上端的內(nèi)周面嚴密適合投影系統(tǒng)的臺階或終端元件，也可以是圓的。在下端，內(nèi)周面嚴密符合成像區(qū)的形狀，如矩形，盡管不一定非是矩形。液體進入投影系統(tǒng)下面的空間并位于密封件12內(nèi)。液體水平面上升超過投影系統(tǒng)PL的終端元件，故提供了液體緩沖。
密封件12底部和基片W的表面之間形成的氣體密封16限制了腔中的液體。氣體密封由氣體如空氣或合成氣形成，最好是氮氣或其他惰性氣體，氣體在壓力下通過入口15提供到密封件12和基片之間間隙并通過第一出口14抽出。氣體入口15的過壓、第一出口14的真空度和間隙的幾何形狀使得高速空氣向內(nèi)流以限制液體。
在一實施例中，類似地，由圖4和5所示的入口IN和出口OUT形成的液體腔也可應(yīng)用。在這種情況下，測量位置可同時設(shè)置為曝光位置，包括入口IN和出口OUT。
為了確認基片臺WT在曝光位置的準確位置，通過掩模MA上的對準標記的空間象對基準F1進行三維掃描。當基準與位于最佳聚焦平面上的掩模的標記的圖象對準時，有最大信號返回。利用在測量位置產(chǎn)生的基片W的圖案，基片W上各點的位置，高度和/或傾斜可以知道。為了跟蹤基片臺WT的移動，可以使用適當?shù)亩ㄎ粶y量裝置，如干涉計，可朝基片臺WT的一個或多個側(cè)面投射光束?；_上的特定點可位于投影系統(tǒng)PL的焦點，對基片W的目標部分C進行曝光。
對基片臺W的曝光一旦完成，就可移開進行下一步處理，新的基片放置到基片臺WT。帶有新基片的基片臺回到測量位置。重復(fù)這個過程。
基片臺WT離開曝光位置之前，可以清空液體腔，如在圖2和3所示的情況下，通過減少氣體入口壓力和允許液體被真空系統(tǒng)吸出來清空；或在圖4和5所示的情況下，使通過入口IN在基片上流動的液體停止和使液體通過出口OUT吸出。
為了保證基片臺WT有準確的位置，上面提到的投射圖象傳感器的位置可通過液體，或不通過液體，檢測到并可以進行校正。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，至少有兩個基片臺，各基片臺設(shè)有基準，一個基片臺位于測量位置時，另一個位于曝光位置?；_可在曝光位置和測量位置之間移動。
還可使用軸外測量來代替基準標記F1和投影系統(tǒng)進行基片對準?；鶞蕵擞汧1可通過使用靠近投影系統(tǒng)PL的另一系統(tǒng)來對準。還可以使用不同的基準和不同的系統(tǒng)，例如使用帶有與投影系統(tǒng)的投影軸正交的軸線的系統(tǒng)。對這種軸外測量的進一步介紹可參見歐洲專利EP-A-0,906,590。
另外，如果基片臺位于投影系統(tǒng)之上(即與圖1比較，投影系統(tǒng)是倒置的)，液體腔10中的液體不必完全清空，只是在需要時重新充滿。
在另一個實施例中，沒有單獨的測量位置進行檢測。標記對準的檢測和測量在曝光位置進行，但腔10中沒有液體。液體腔10然后再充滿和進行曝光。類似地，水平測量也可在液體腔10中沒有液體的情況下在曝光位置進行。這些測量既可以軸外進行也可以同軸進行。
盡管上面已經(jīng)介紹了本發(fā)明的特定實施例，應(yīng)當理解，本發(fā)明可通過不同于上面介紹的方式實施。所作介紹和說明不能用于限制本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種光刻投影裝置，包括輻射系統(tǒng)，可提供投影光束；支承結(jié)構(gòu)，可支承形成圖案機構(gòu)，所述形成圖案機構(gòu)可根據(jù)希望的圖案使所述投影光束形成圖案；基片臺，可固定保持基片；投影系統(tǒng)，可將形成圖案的光束投影到所述基片的目標部分；液體供應(yīng)系統(tǒng)，可使所述投影系統(tǒng)的終端件和所述基片之間充滿液體；和測量系統(tǒng)，可測量所述基片上各點的位置；其特征在于，所述測量系統(tǒng)不通過所述液體供應(yīng)系統(tǒng)的所述液體測量所述基片上各點的位置。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述測量系統(tǒng)包括對準系統(tǒng)，用于測量所述基片上多個對準標記的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述基片臺設(shè)有基準，所述測量系統(tǒng)不通過所述液體供應(yīng)系統(tǒng)的所述液體測量所述基準的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述測量系統(tǒng)測量和確定所述基片上多個所述對準標記相對所述基片臺的所述基準的位置。
5.根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述測量系統(tǒng)包括水平傳感器，用于測量所述基片上各點的高度和/或傾斜度。
6.根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述裝置設(shè)有所述基片進行曝光的曝光位置和獨立的測量位置，所述測量系統(tǒng)設(shè)置在所述測量位置，所述基片臺可在所述曝光位置和測量位置之間移動。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻投影裝置，其特征在于，設(shè)有多個基片臺，所述基片臺可在曝光位置和測量位置之間移動。
8.根據(jù)前面權(quán)利要求中任一項所述的光刻投影裝置，其特征在于，所述基準是投射圖象傳感器。
9.一種光刻投影裝置的制作方法，包括步驟在基片臺上放置基片，所述基片至少部分被光敏感材料層覆蓋，所述基片臺帶有基準標記；利用測量系統(tǒng)的測量光束對所述基片上各點的位置進行測量；利用輻射系統(tǒng)提供投影光束；提供液體，以充滿所述基片和所述投影步驟使用的投影系統(tǒng)的終端件之間的空間；使用形成圖案機構(gòu)使所述投影光束的截面帶有圖案；將帶有圖案的投影光束投射到光敏感材料層的目標部分；其特征在于，所述測量光束不通過所述液體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光刻投影裝置的制作方法，其特征在于，測量位置包括測量所述基片上對準標記的位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的光刻投影裝置的制作方法，其特征在于，測量位置包括測量所述基片上各點的高度和/或傾斜度。
全文摘要
基片表面的圖案在測量位置產(chǎn)生。然后基片移動到投影透鏡和基片之間的空間，該空間充有液體。基片然后利用如投射圖象傳感器和前面的圖象進行對準，然后對基片進行精確曝光。這樣形成的圖象不會在液體環(huán)境下出現(xiàn)。
文檔編號G03F7/20GK1499298SQ20031011439
公開日2004年5月26日 申請日期2003年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2002年11月12日
發(fā)明者J·洛夫, J 洛夫, J·T·德斯米特, 德斯米特, R·A·S·里特塞馬, S 里特塞馬, K·西蒙, 莫德曼, H 穆肯斯, T·M·莫德曼, J·C·H·穆肯斯, M 梅杰, H·J·M·梅杰, 盧普斯特拉, E·R·盧普斯特拉 申請人:Asml荷蘭有限公司