專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管襯底及其制造方法、具有其的液晶顯示裝置以及制造該液晶顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及薄膜晶體管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)TFT)襯底及制造其的方法、具有該TFT襯底的液晶顯示(以下簡(jiǎn)稱(chēng)LCD)裝置及制造該LCD裝置的方法。更具體地，本發(fā)明涉及能夠提高驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)和電極焊盤(pán)之間的電接觸的TFT襯底、制造其的方法、具有該TFT襯底的LCD裝置以及制造該LCD裝置的方法。
背景技術(shù)：
圖1是圖示了LCD裝置中在LCD面板和驅(qū)動(dòng)IC之間傳統(tǒng)的玻璃基芯片(chip-on-glass，COG)結(jié)合結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。
參考圖1，在LCD面板10的焊盤(pán)區(qū)域中的電極焊盤(pán)12由各向異性的導(dǎo)電層30電連接到驅(qū)動(dòng)IC 20的電極。
多個(gè)電極焊盤(pán)12排布在絕緣襯底11上所確定的焊盤(pán)區(qū)域中，并且各個(gè)電極焊盤(pán)12以預(yù)定的距離彼此間隔開(kāi)。電極焊盤(pán)12電連接到驅(qū)動(dòng)IC，以接收驅(qū)動(dòng)LCD面板10的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
作為示范性實(shí)施方案，各向異性導(dǎo)電膜(ACF)30包括含有多個(gè)導(dǎo)電球31的熱固性樹(shù)脂。導(dǎo)電球31布置在電極焊盤(pán)12和驅(qū)動(dòng)IC 20的電極21之間，從而電極焊盤(pán)12和驅(qū)動(dòng)IC 20可以相互進(jìn)行電接觸。此外，ACF 30使驅(qū)動(dòng)IC 20粘附于電極焊盤(pán)12，使得電極焊盤(pán)12和驅(qū)動(dòng)IC 20之間的電接觸可以得到確?；蚓S持。
下面，將示意性地介紹使用ACF 30以電連接電極焊盤(pán)12和驅(qū)動(dòng)IC 20的傳統(tǒng)COG結(jié)合工藝。
首先，將ACF 30置于每個(gè)電極焊盤(pán)12之上，然后放置驅(qū)動(dòng)IC 20使得它的電極21與每個(gè)電極焊盤(pán)12一一對(duì)應(yīng)。之后，將驅(qū)動(dòng)IC 20向下熱壓到電極焊盤(pán)12上。因此，導(dǎo)電球31被壓縮在電極焊盤(pán)12和驅(qū)動(dòng)IC 20的電極21之間，從而電極焊盤(pán)12與驅(qū)動(dòng)IC 20進(jìn)行電接觸。ACF 30通過(guò)熱壓工藝軟化，并從熱壓工藝完成時(shí)逐漸硬化。由于ACF 30的硬化，驅(qū)動(dòng)IC 20牢固地粘附于電極焊盤(pán)12，使得驅(qū)動(dòng)IC 20通過(guò)中間的導(dǎo)電球31與電極焊盤(pán)12具有好的接觸。

發(fā)明內(nèi)容
因?yàn)锳CF 30昂貴，所以COG結(jié)合結(jié)構(gòu)并不低廉，因此增加了LCD裝置的制造成本。
而且，COG結(jié)合結(jié)構(gòu)還在驅(qū)動(dòng)IC 20和電極焊盤(pán)12之間造成錯(cuò)位以及短路。該錯(cuò)位導(dǎo)致從驅(qū)動(dòng)IC 20到電極焊盤(pán)12的驅(qū)動(dòng)信號(hào)傳輸失敗。
通常，在電極焊盤(pán)之間或在驅(qū)動(dòng)IC 20的電極之間的空間并不完全均勻或一致，所以ACF 30的導(dǎo)電球31在驅(qū)動(dòng)IC 20的熱壓期間未必就位于驅(qū)動(dòng)IC 20的電極和電極焊盤(pán)12之間。因此，驅(qū)動(dòng)IC 20可能由于沒(méi)有導(dǎo)電球31而沒(méi)有電連接到對(duì)應(yīng)的電極焊盤(pán)12上，使得用于驅(qū)動(dòng)LCD面板的驅(qū)動(dòng)信號(hào)沒(méi)有從驅(qū)動(dòng)IC 20傳輸?shù)诫姌O焊盤(pán)12。
同時(shí)，導(dǎo)電球31可能過(guò)度地聚集在驅(qū)動(dòng)IC 20和電極焊盤(pán)12之間，使得過(guò)多的電流可能被施加在驅(qū)動(dòng)IC 20和電極焊盤(pán)12之間。即，由于在電極焊盤(pán)12和驅(qū)動(dòng)IC 20之間導(dǎo)電球過(guò)度的積聚而可能導(dǎo)致短路。
本發(fā)明提供了一種TFT襯底，它能夠提高驅(qū)動(dòng)IC與在其焊盤(pán)區(qū)域中的電極焊盤(pán)之間的電接觸。
本發(fā)明還提供了一種制造該TFT襯底的方法。
本發(fā)明還提供了一種具有該TFT襯底的LCD裝置。
本發(fā)明還提供了一種制造該LCD裝置的方法。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示范性實(shí)施方案的TFT襯底包括多個(gè)電極焊盤(pán)和導(dǎo)電凸點(diǎn)。該電極焊盤(pán)形成在布置于襯底上的柵線(xiàn)路和數(shù)據(jù)線(xiàn)路的端部上。該導(dǎo)電凸點(diǎn)包括凸出元件和導(dǎo)電涂層。導(dǎo)電凸點(diǎn)通過(guò)使用非導(dǎo)電樹(shù)脂電連接到為電極焊盤(pán)施加預(yù)定信號(hào)的驅(qū)動(dòng)IC上。具有預(yù)定厚度的凸出元件設(shè)置在電極焊盤(pán)上。電連接到電極焊盤(pán)的導(dǎo)電涂層設(shè)置在凸出元件上。
凸出元件包括彈性有機(jī)材料。該凸出元件可以包括由預(yù)定距離間隔開(kāi)的多個(gè)凸起，并設(shè)置在電極焊盤(pán)上使得電極焊盤(pán)的一部分通過(guò)凸起之間的空間暴露或使得電極焊盤(pán)的外圍部分被暴露。凸起元件包括在其上表面上的凹凸圖案。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的制造TFT襯底的方法包括形成柵線(xiàn)路、數(shù)據(jù)線(xiàn)路、以及多個(gè)電極焊盤(pán)，和形成導(dǎo)電凸點(diǎn)。多個(gè)電極焊盤(pán)形成在襯底上的柵線(xiàn)路和數(shù)據(jù)線(xiàn)路端部上。導(dǎo)電凸點(diǎn)形成在電極焊盤(pán)上，并通過(guò)使用非導(dǎo)電樹(shù)脂電連接到用于向電極焊盤(pán)施加預(yù)定信號(hào)的驅(qū)動(dòng)IC上。該導(dǎo)電凸點(diǎn)包括凸出元件和導(dǎo)電涂層。非導(dǎo)電樹(shù)脂設(shè)置在導(dǎo)電凸點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)IC之間。凸出元件具有預(yù)定厚度，形成在電極焊盤(pán)上。導(dǎo)電涂層電連接到電極焊盤(pán)，形成在凸出元件上。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)方面的制造TFT襯底的方法包括形成光致抗蝕劑有機(jī)層、對(duì)該光致抗蝕劑有機(jī)層構(gòu)圖、形成導(dǎo)電層以及對(duì)該導(dǎo)電層構(gòu)圖。作為示范性實(shí)施方案，將光致抗蝕劑有機(jī)層涂覆在像素區(qū)域和焊盤(pán)區(qū)域，然后對(duì)其構(gòu)圖，從而在像素區(qū)域上形成絕緣薄膜和在焊盤(pán)區(qū)域上形成凸出元件。絕緣薄膜保護(hù)多個(gè)TFT和導(dǎo)電線(xiàn)路，并且凸出元件形成在電極焊盤(pán)上。將導(dǎo)電層沉積并構(gòu)圖于絕緣層和凸出元件上，使得在絕緣層上形成像素電極，在凸出元件上形成導(dǎo)電涂層。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面的LCD裝置包括具有多個(gè)TFT和電連接到該TFT的導(dǎo)電線(xiàn)路的像素區(qū)域、和具有多個(gè)電極焊盤(pán)的焊盤(pán)區(qū)域，該LCD裝置包括LCD面板、驅(qū)動(dòng)ICD和粘附元件。該LCD面板包括TFT襯底、面向TFT襯底的濾色器襯底以及介于該TFT襯底和濾色器襯底之間的液晶層。TFT襯底包括凸出元件和導(dǎo)電凸點(diǎn)。凸出元件設(shè)置在電極焊盤(pán)上，導(dǎo)電凸點(diǎn)設(shè)置在凸出元件上。導(dǎo)電凸點(diǎn)包括電連接到電極焊盤(pán)的導(dǎo)電涂層。
驅(qū)動(dòng)IC電連接到導(dǎo)電凸點(diǎn)并將預(yù)定信號(hào)施加到電極焊盤(pán)。
粘附元件設(shè)置在導(dǎo)電凸點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)IC之間，并將驅(qū)動(dòng)IC粘附到導(dǎo)電凸點(diǎn)以確保導(dǎo)電凸點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)IC之間的電連接。
凸出元件包括彈性有機(jī)材料。凸出元件可以包括由預(yù)定距離隔開(kāi)的多個(gè)凸起，并設(shè)置在電極焊盤(pán)上使得電極焊盤(pán)的一部分通過(guò)凸起之間的空間暴露或使得電極焊盤(pán)的外圍部分被暴露。凸起元件包括在其上表面上的凹凸圖案。
粘附元件是一非導(dǎo)電樹(shù)脂，該非導(dǎo)電樹(shù)脂在對(duì)驅(qū)動(dòng)集成電路的熱壓工藝期間軟化，并從熱壓工藝完成時(shí)逐漸硬化。所以，通過(guò)使用驅(qū)動(dòng)IC在其硬化期間的收縮將驅(qū)動(dòng)IC粘附到導(dǎo)電凸點(diǎn)。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示范性實(shí)施例的制造LCD裝置的方法，其中該LCD裝置包括具有多個(gè)薄膜晶體管和連接到所述薄膜晶體管的導(dǎo)電線(xiàn)路的像素區(qū)域，以及具有多個(gè)電極焊盤(pán)的焊盤(pán)區(qū)域，該方法是通過(guò)執(zhí)行如下步驟進(jìn)行的形成包括凸出元件和導(dǎo)電元件的TFT襯底，形成濾色器襯底，形成液晶層，以及將驅(qū)動(dòng)IC連接到導(dǎo)電凸點(diǎn)。凸出元件形成在電極焊盤(pán)上。導(dǎo)電凸點(diǎn)形成在凸出元件上，并具有電連接到電極焊盤(pán)的導(dǎo)電涂層。濾色器襯底與TFT襯底相對(duì)組合。液晶層介于TFT襯底和濾色器襯底之間。驅(qū)動(dòng)IC用于向電極焊盤(pán)施加預(yù)定信號(hào)，并通過(guò)使用粘附元件電連接到導(dǎo)電凸點(diǎn)。
導(dǎo)電層包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、或金屬。導(dǎo)電層可以包括具有第一層和第二層的疊層。第一層包括ITO或IZO，第二層包括金屬。
絕緣層包括有機(jī)絕緣層或無(wú)機(jī)絕緣層。優(yōu)選地，絕緣層可以包括有機(jī)絕緣層。
通過(guò)上述示范性實(shí)施方案，在驅(qū)動(dòng)IC安裝在TFT襯底的焊盤(pán)區(qū)域上時(shí)，彈性導(dǎo)電凸點(diǎn)設(shè)置在每個(gè)電極焊盤(pán)上，非導(dǎo)電樹(shù)脂介于驅(qū)動(dòng)IC和導(dǎo)電凸點(diǎn)之間用于將驅(qū)動(dòng)IC電連接到導(dǎo)電凸點(diǎn)上。所以，驅(qū)動(dòng)IC和電極焊盤(pán)之間的電接觸特性得到了提高。


當(dāng)結(jié)合附圖考慮時(shí)，參考下面詳細(xì)的描述，本發(fā)明的上述及其他優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚，在附圖中圖1是圖示了LCD裝置中在LCD面板和驅(qū)動(dòng)IC之間傳統(tǒng)的玻璃基芯片(COG)結(jié)合結(jié)構(gòu)的橫截面視圖；圖2是圖示了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示范實(shí)施方案的LCD裝置的平面圖；圖3是沿圖2的線(xiàn)I-I’所截取的橫截面視圖；圖4是圖示圖2的TFT襯底的平面圖；圖5是沿圖4的線(xiàn)II-II’截取的橫截面視圖；圖6是圖示圖5的導(dǎo)電凸點(diǎn)一部分的部分放大圖；圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示范實(shí)施方案的導(dǎo)電凸點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)IC之間的結(jié)合結(jié)構(gòu)的橫截面視圖；圖8A和8B是圖示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示范實(shí)施方案的柵焊盤(pán)區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域的橫截面視圖；
圖9A和9B是圖示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示范實(shí)施方案的柵焊盤(pán)區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域的橫截面視圖；圖10A到10D是圖示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示范實(shí)施方案的制造TFT襯底的方法的橫截面視圖；圖11A和圖11B是圖示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示范實(shí)施方案的制造TFT襯底的方法的橫截面視圖；圖12A和圖12B是圖示根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示范實(shí)施方案的制造TFT襯底的方法的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，下面將通過(guò)參考附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更加全面的說(shuō)明，在附圖中示出了本發(fā)明示范性實(shí)施方案。但是，本發(fā)明可以以許多不同的形式實(shí)現(xiàn)，并不應(yīng)當(dāng)解釋為限于本文所描述的實(shí)施方案。
圖2是圖示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的LCD裝置的平面圖；圖3是沿圖2的線(xiàn)I-I’所截取的橫截面視圖。
參考圖2和圖3，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的LCD裝置100包括具有TFT襯底200、濾色器襯底300和液晶層400的LCD面板，該液晶層400布置在TFT襯底200和濾色器襯底300之間。
LCD面板包括在其中濾色器襯底與TFT襯底相重疊的像素區(qū)域291，以及在其中濾色器襯底與TFT襯底不相重疊的焊盤(pán)區(qū)域292和293。
焊盤(pán)區(qū)域包括向像素區(qū)域291施加?xùn)判盘?hào)的柵焊盤(pán)區(qū)域292，以及向像素區(qū)域291施加數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293。
所以，如圖3所示，像素區(qū)域包括TFT襯底200、對(duì)應(yīng)于該TFT襯底200的濾色器襯底300，以及介于TFT襯底200和濾色器襯底300之間的液晶層400，使得圖像能夠顯示在像素區(qū)域291中。
TFT襯底200包括第一絕緣襯底210、置于第一襯底210之上的多個(gè)TFT220、有機(jī)或無(wú)機(jī)絕緣層230、以及像素電極240。絕緣層230以預(yù)定的厚度設(shè)置在每個(gè)TFT 220之上。像素電極240以均勻的厚度設(shè)置在絕緣層230之上。
TFT 220包括從在第一絕緣襯底210上沿第一方向延伸的柵線(xiàn)路(未示出)分出的柵電極221，置于柵電極221之上的柵絕緣層222，依次堆疊在柵絕緣層222之上對(duì)應(yīng)于柵電極221的半導(dǎo)體和歐姆接觸層223和224，以及從在第一絕緣襯底210上沿與第一方向垂直的第二方向延伸的數(shù)據(jù)線(xiàn)(未示出)分出的源電極225和漏電極226。
像素區(qū)域240是透明的或反射的導(dǎo)電層，其具有比如ITO和IZO的材料、金屬層、或它們的組合。該導(dǎo)電層也是疊層，在其中透明的導(dǎo)電層和金屬層交替疊加。
接觸孔235形成在絕緣層230之上以暴露漏電極226的部分，從而像素電極240通過(guò)接觸孔235電連接到漏電極226。
濾色器襯底300包括第二絕緣襯底310、置于第二絕緣襯底310之上的濾色器層320，以及置于濾色器層320之上的公共電極330。濾色器層320包括紅、綠和藍(lán)濾色器。公共電極330以均勻的厚度設(shè)置在濾色器層320之上。
柵焊盤(pán)區(qū)域292包括置于第一絕緣襯底210之上的柵電極焊盤(pán)270a和270b，置于柵電極焊盤(pán)270a和270b之上的多個(gè)第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250，電連接到第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250的驅(qū)動(dòng)IC 500，以及用于將驅(qū)動(dòng)IC粘附于第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250從而確保驅(qū)動(dòng)IC和第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250之間的電連接的非導(dǎo)電樹(shù)脂600。每個(gè)第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250包括第一凸出元件251和第一導(dǎo)電涂層252。
數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293包括在第一絕緣襯底210之上的數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a和280b，置于數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a和280b之上的多個(gè)第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250，電連接到第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250的驅(qū)動(dòng)IC 500，以及用于將驅(qū)動(dòng)IC粘附于第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250從而確保驅(qū)動(dòng)IC和第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250之間的電連接的非導(dǎo)電樹(shù)脂600。每個(gè)第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250包括第一凸出元件251和第一導(dǎo)電涂層252。
驅(qū)動(dòng)IC 500包括電連接到第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250的多個(gè)電極510。每個(gè)電極510與第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250一一對(duì)應(yīng)，并且電連接到第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250。
驅(qū)動(dòng)IC 500通過(guò)熱壓工藝或其他適當(dāng)?shù)姆椒ò惭b在柵焊盤(pán)區(qū)域292和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293之上。非導(dǎo)電樹(shù)脂600在熱壓工藝期間在驅(qū)動(dòng)IC上軟化，然后從熱壓工藝完成時(shí)逐漸硬化。所以，驅(qū)動(dòng)IC 500通過(guò)非導(dǎo)電樹(shù)脂600由于其硬化所導(dǎo)致的收縮而在經(jīng)過(guò)預(yù)定時(shí)間之后粘附于第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250。也就是說(shuō)，驅(qū)動(dòng)IC 500的電極牢固地粘附于第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250，使得第一導(dǎo)電凸點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)IC 500之間的電連接可得以確保。
圖4是圖示圖2的TFT襯底的平面圖，圖5是沿圖4的線(xiàn)II-II’截取的橫截面視圖?，F(xiàn)在參考圖4和圖5中的具體細(xì)節(jié)，其中同樣的參考標(biāo)記用于指代圖2和圖3中同樣的元件，并且因此，除LCD裝置100的像素區(qū)域291、柵焊盤(pán)區(qū)域292和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293以外，省略了關(guān)于同樣元件的任何更進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
參考圖4和圖5，TFT襯底200包括多個(gè)柵線(xiàn)路270和數(shù)據(jù)線(xiàn)路280，以及多個(gè)TFT 220。柵線(xiàn)路270沿第一方向延伸，數(shù)據(jù)線(xiàn)路280沿第二方向延伸，使得柵線(xiàn)路270和數(shù)據(jù)線(xiàn)路280彼此相交從而以矩陣形狀布置。每個(gè)TFT 220設(shè)置于柵線(xiàn)路270和數(shù)據(jù)線(xiàn)路280的交叉區(qū)域。每個(gè)TFT 220包括從柵線(xiàn)路270分出的柵電極221，以及從數(shù)據(jù)線(xiàn)路280分出的源電極225和漏電極226。柵電極焊盤(pán)270a形成在每條柵線(xiàn)路270的端部，數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a形成在每條數(shù)據(jù)線(xiàn)路280的端部。所以，TFT襯底200被劃分為顯示圖像的像素區(qū)域291，在其上設(shè)置有柵電極焊盤(pán)270a的柵焊盤(pán)區(qū)域292，以及在其上設(shè)置有數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a的數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293。柵焊盤(pán)區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域形成在像素區(qū)域291的外圍部分中。
柵電極焊盤(pán)270a和多個(gè)第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250形成在柵焊盤(pán)區(qū)域292之上。每個(gè)第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250包括以預(yù)定深度設(shè)置在柵電極焊盤(pán)270a之上的第一凸出元件251，和置于第一凸出元件251之上的第一導(dǎo)電涂層252。第一導(dǎo)電涂層252電連接到柵電極焊盤(pán)270a。
柵絕緣層222、數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a和多個(gè)第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250形成在數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293之上。每個(gè)第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250包括以預(yù)定厚度放置在數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a之上的第一凸出元件251，和置于第一凸出元件251之上的第一導(dǎo)電涂層252。第一導(dǎo)電涂層252電連接到數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a。
柵電極焊盤(pán)270a和數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a分別設(shè)置在柵線(xiàn)路270和數(shù)據(jù)線(xiàn)路280的端部。此外，柵電極焊盤(pán)270a和數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a要分別寬于柵線(xiàn)路270和數(shù)據(jù)線(xiàn)路280。
在柵電極焊盤(pán)270a或數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a之上的第一凸出元件251包括與沉積在TFT 220上像素區(qū)域291中的絕緣層230基本上相同的材料。置于第一凸出元件251之上的第一導(dǎo)電涂層252包括與沉積在對(duì)應(yīng)于像素區(qū)域291的絕緣層230上的像素電極層基本相同的材料。
所以，當(dāng)使用具有ITO或IZO的透明導(dǎo)電層形成像素電極240時(shí)，第一導(dǎo)電涂層252是透明導(dǎo)電層；當(dāng)使用金屬層形成像素電極240時(shí)，第一導(dǎo)電涂層252是金屬層。此外，當(dāng)使用透明導(dǎo)電層和金屬層的疊層形成像素電極240時(shí)，第一導(dǎo)電涂層252可以是透明導(dǎo)電層、金屬層或透明導(dǎo)電層和金屬層的疊層。
將包括導(dǎo)電凸點(diǎn)250的TFT襯底安裝到液晶顯示裝置。圖4和圖5所示的包括導(dǎo)電凸點(diǎn)250的TFT襯底可以安裝到另外的平面顯示裝置，例如有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置，如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將所知的那樣。
圖6是圖示圖5的導(dǎo)電凸點(diǎn)一部分的部分放大圖。
參考圖5和圖6，在柵焊盤(pán)區(qū)域292中的第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250包括第一凸出元件251以及置于第一凸出元件251之上的第一導(dǎo)電涂層252。
第一凸出元件251以預(yù)定厚度置于形成在柵線(xiàn)路270端部的柵電極焊盤(pán)270a之上。第一凸出元件251的寬度要小于柵電極焊盤(pán)270a的寬度，并且第一凸出元件251的底表面積也要小于柵電極焊盤(pán)270a的表面積，使得柵電極焊盤(pán)270a的外圍部分被暴露。導(dǎo)電涂層252形成在第一凸出元件251之上，并且電連接到柵電極焊盤(pán)270a暴露的外圍部分。
以與柵焊盤(pán)區(qū)域292上的第一導(dǎo)電凸點(diǎn)同樣的方式，數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293上的第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250也包括第一凸出元件251以及置于第一凸出元件251之上的第一導(dǎo)電涂層252。第一凸出元件置于數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a之上，表面積小于數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a的表面積，使得數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a的外圍部分被暴露。第一導(dǎo)電涂層252形成在第一凸出元件251之上，并且電連接到數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a的外圍部分。
圖7是圖示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方案的導(dǎo)電凸點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)IC之間的結(jié)合結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。
參考圖7，驅(qū)動(dòng)IC 500通過(guò)介于第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250和驅(qū)動(dòng)IC 500之間的中間非導(dǎo)電樹(shù)脂600電連接到第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250。
第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250以第一厚度(T1)形成在柵電極焊盤(pán)270a之上，然后與驅(qū)動(dòng)IC 500一同熱壓，使得導(dǎo)電凸點(diǎn)250電連接到驅(qū)動(dòng)IC 500。由于第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250的第一凸出元件251包括彈性有機(jī)絕緣材料，在熱壓工藝期間，第一凸出元件251被壓縮至第二厚度(T2)。
作為將驅(qū)動(dòng)IC 500粘附到第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250的粘附元件的示范性實(shí)施方案，非導(dǎo)電樹(shù)脂600介于第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250和驅(qū)動(dòng)IC 500的電極510之間，使得驅(qū)動(dòng)IC 500粘附到第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250，從而充分確保驅(qū)動(dòng)IC 500和第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250之間的電連接。
在進(jìn)行熱壓工藝時(shí)，非導(dǎo)電樹(shù)脂600軟化，介于電極510和第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250之間的一部分非導(dǎo)電樹(shù)脂被向外擠出到鄰近導(dǎo)電凸點(diǎn)250和電極510的空間。非導(dǎo)電樹(shù)脂600從熱壓工藝完成時(shí)逐漸硬化，使得非導(dǎo)電樹(shù)脂600收縮并最終硬化為預(yù)定的形狀。因此，第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250仍保持被壓縮至第二厚度T2，并因此與驅(qū)動(dòng)IC 500的電極510電連接。
當(dāng)非導(dǎo)電樹(shù)脂600硬化時(shí)，非導(dǎo)電樹(shù)脂600沿第一方向D1和第二方向D2收縮，使得驅(qū)動(dòng)IC 500和第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250之間的粘附力通過(guò)非導(dǎo)電樹(shù)脂600的收縮而得到增強(qiáng)。
根據(jù)傳統(tǒng)的結(jié)合結(jié)構(gòu)，在第一導(dǎo)電凸點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)IC之間產(chǎn)生的電阻生熱增加了非導(dǎo)電樹(shù)脂的溫度，該非導(dǎo)電樹(shù)脂并因此而熱膨脹。所以，由于非導(dǎo)電樹(shù)脂的熱膨脹，柵電極焊盤(pán)和驅(qū)動(dòng)IC之間的距離從而變寬，使得柵電極焊盤(pán)和驅(qū)動(dòng)IC之間的電連接斷開(kāi)。本發(fā)明的上述結(jié)合結(jié)構(gòu)即使非導(dǎo)電樹(shù)脂600熱膨脹也可以確保柵電極焊盤(pán)和驅(qū)動(dòng)IC之間的電連接。第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250包括彈性材料，并且驅(qū)動(dòng)IC 500以壓縮厚度T2壓焊到導(dǎo)電凸點(diǎn)250。所以，第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250的回復(fù)可以補(bǔ)償柵電極焊盤(pán)270a和驅(qū)動(dòng)IC 500之間由于非導(dǎo)電樹(shù)脂600的熱膨脹而導(dǎo)致的距離增加，使得柵電極焊盤(pán)270a和驅(qū)動(dòng)IC 500之間的電連接可以充分地得到確保。
除非導(dǎo)電樹(shù)脂600的熱膨脹以外，許多其他的因素，例如，對(duì)第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250和驅(qū)動(dòng)IC之間邊界表面的撞擊，以及非導(dǎo)電樹(shù)脂對(duì)第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250和驅(qū)動(dòng)IC 500粘附力的減弱，也可以增加?xùn)烹姌O焊盤(pán)270a和驅(qū)動(dòng)IC 500之間的距離。第一導(dǎo)電凸點(diǎn)250也可以對(duì)應(yīng)于由于上述其他因素所導(dǎo)致的距離增加而回復(fù)，使得柵電極焊盤(pán)270a和驅(qū)動(dòng)IC 500之間的電連接也可以充分地得到確保。
圖8A和8B是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的柵焊盤(pán)區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域的橫截面視圖?，F(xiàn)在參考圖8A和8B中具體的細(xì)節(jié)，其中，同樣的參考標(biāo)記指代圖2和圖3中同樣的元件，因此省略了關(guān)于這些同樣元件的任何更進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
參考圖8A，根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的柵焊盤(pán)區(qū)域292包括第一襯底210，置于第一襯底210之上的柵電極焊盤(pán)270a，以及多個(gè)第二導(dǎo)電凸點(diǎn)250a。每個(gè)第二導(dǎo)電凸點(diǎn)250a包括置于柵電極焊盤(pán)270a之上的第二凸出元件251a以及置于第二凸出元件251a之上的第二導(dǎo)電涂層252a。
如圖4所示，柵電極焊盤(pán)270a置于第一襯底210上柵線(xiàn)路270的端部上，并具有預(yù)定的表面積。
多個(gè)第二凸出元件251a通過(guò)預(yù)定的距離分隔開(kāi)而設(shè)置在柵電極焊盤(pán)270a之上。所以，當(dāng)在包括第二凸出元件251a的柵電極焊盤(pán)270a的平面圖中查看其時(shí)，第二凸出元件251a被表示為設(shè)置在柵電極焊盤(pán)270a上的多個(gè)點(diǎn)。
柵電極焊盤(pán)270a的部分通過(guò)第二凸出元件251a之間的空間暴露，并且柵電極焊盤(pán)270a被暴露的部分電連接到第二導(dǎo)電涂層252a。
參考圖8B，根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293包括形成在第一襯底210上的柵絕緣層222，置于柵絕緣層222之上的數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a，以及多個(gè)第二導(dǎo)電凸點(diǎn)250a。每個(gè)第二導(dǎo)電凸點(diǎn)250a包括置于數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a之上的第二凸出元件251a以及置于第二凸出元件251a之上的第二導(dǎo)電涂層252a。
數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a以與上述柵電極焊盤(pán)270a同樣的方法置于絕緣層222上數(shù)據(jù)線(xiàn)路280的端部上，并具有預(yù)定的表面積。
由于在數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a上的第二導(dǎo)電凸點(diǎn)250a與在柵電極焊盤(pán)270a上的第二導(dǎo)電凸點(diǎn)250a基本上相同，所以下面就省略了關(guān)于在數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a上的第二導(dǎo)電凸點(diǎn)250a任何更進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
第二導(dǎo)電涂層252a如圖5所示的第一導(dǎo)電涂層252可以是透明導(dǎo)電層、金屬層或透明導(dǎo)電層和金屬層的疊層，并電連接到柵電極焊盤(pán)270a和數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a。
每個(gè)第二導(dǎo)電凸點(diǎn)250a包括從柵電極焊盤(pán)270a和數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a凸出的凸起，并含有彈性材料。每個(gè)凸起可以單獨(dú)地被壓縮從而彼此具有不同的高度。即使驅(qū)動(dòng)IC的電極彼此不均勻，第二導(dǎo)電凸點(diǎn)250a的每個(gè)凸起也根據(jù)驅(qū)動(dòng)IC每個(gè)電極的厚度而被壓縮來(lái)具有不同高度，使得第二導(dǎo)電凸點(diǎn)250a分別被壓縮為不同的厚度。所以，不管驅(qū)動(dòng)IC電極的非均勻性，驅(qū)動(dòng)IC和第二導(dǎo)電凸點(diǎn)之間的電連接都可以穩(wěn)定地得到確保。
圖9A和9B是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的柵焊盤(pán)區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域的橫截面視圖。
現(xiàn)在參考圖9A和9B中具體的細(xì)節(jié)，其中，同樣的參考標(biāo)記指代圖8A和8B中同樣的元件，因此省略了關(guān)于這些同樣元件的任何更詳細(xì)的說(shuō)明。即使在圖9A中示范性地示出了柵電極焊盤(pán)和其上的導(dǎo)電凸點(diǎn)，但是多個(gè)柵電極焊盤(pán)和導(dǎo)電凸點(diǎn)可以設(shè)置在襯底上。同樣，即使在圖9B中示范性地示出了數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)和其上的導(dǎo)電凸點(diǎn)，但是多個(gè)數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)和導(dǎo)電凸點(diǎn)也可以設(shè)置在襯底上。
參考圖9A，柵焊盤(pán)區(qū)域292包括第一襯底210，置于第一襯底210之上的柵電極焊盤(pán)270a，以及第三導(dǎo)電凸點(diǎn)250b。第三導(dǎo)電凸點(diǎn)250b包括置于柵電極焊盤(pán)270a之上的第三凸出元件251b以及置于第三凸出元件251b之上的第三導(dǎo)電涂層252b。
在第三凸出元件251b的上表面上形成具有多個(gè)凹入部分和多個(gè)凸出部分的凹凸圖案。第三導(dǎo)電涂層252b根據(jù)該凹凸圖案的形狀以均勻的厚度形成在第三凸出元件251b上，以及形成在柵電極焊盤(pán)270a之上，使得第三導(dǎo)電涂層252b連接到鄰近第三凸出元件251b的側(cè)表面的柵電極焊盤(pán)270a暴露的部分。
參考圖9B，數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293包括形成在第一襯底210之上的柵絕緣層222，置于柵絕緣層222之上的數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a，以及第三導(dǎo)電凸點(diǎn)250b。第三導(dǎo)電凸點(diǎn)250b包括置于數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a之上的第三凸出元件251b以及置于第三凸出元件251b之上的第三導(dǎo)電涂層252b。
由于在數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a上的第三導(dǎo)電凸點(diǎn)250b與在柵電極焊盤(pán)270a上的第三導(dǎo)電凸點(diǎn)250b基本上相同，所以下面就省略了關(guān)于在數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a上的第三導(dǎo)電凸點(diǎn)250b任何更加詳細(xì)的說(shuō)明。
第三導(dǎo)電涂層252b如圖5所示的第一導(dǎo)電涂層252可以是透明導(dǎo)電層、金屬層或透明導(dǎo)電層和金屬層的疊層，并電連接到柵電極焊盤(pán)270a和數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a。
當(dāng)驅(qū)動(dòng)IC安裝到上述第三導(dǎo)電凸點(diǎn)時(shí)，凹凸圖案的凸出部分與驅(qū)動(dòng)IC的電極接觸。所以，即使驅(qū)動(dòng)IC的電極厚度不均勻，驅(qū)動(dòng)IC和第二導(dǎo)電凸點(diǎn)之間的電連接也可以穩(wěn)定地得到確保。
圖10A到10D是圖示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的制造TFT襯底的方法的橫截面視圖。
參考圖4和圖10A，第一金屬層包括一種金屬，例如，鋁(Al)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鎢(W)等，其沉積在第一襯底210上，第一襯底210包括比如玻璃、陶瓷等的絕緣材料。
第一襯底210包括用于顯示圖像的像素區(qū)域291、用于接收柵信號(hào)的柵焊盤(pán)區(qū)域292、和用于接收數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293。柵焊盤(pán)區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域設(shè)置在第一襯底210的外圍部分。
對(duì)第一金屬層構(gòu)圖，從而多條柵線(xiàn)路270在第一襯底210上沿第一方向延伸，并彼此由預(yù)定距離分開(kāi)。柵電極221從每條柵線(xiàn)路270分出，柵電極焊盤(pán)270a形成在每條柵線(xiàn)路270的端部。所以，柵電極焊盤(pán)270a形成在被稱(chēng)為柵焊盤(pán)區(qū)域292的像素區(qū)域291的外圍部分。作為示范性實(shí)施方案，柵電極焊盤(pán)270a的表面積被形成得大于柵電極221和柵線(xiàn)路270的表面積。
隨后，通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝在第一襯底210的整個(gè)表面上沉積氮化硅(SiNx)，從而在柵線(xiàn)路270、柵電極221和柵電極焊盤(pán)270a上形成柵絕緣層222。
如圖10B所示，通過(guò)等離子體CVD工藝以此在柵絕緣層222上依次沉積非晶硅和原位摻雜的N+非晶硅，從而形成非晶硅和N+非晶硅的疊層。然后，對(duì)該疊層構(gòu)圖，并且將半導(dǎo)體層223和歐姆接觸層224形成在對(duì)應(yīng)于柵電極221的柵絕緣層222的部分上。
第二金屬層沉積在第一襯底210的整個(gè)表面上，其上形成有半導(dǎo)體層223和歐姆接觸層224。第二金屬層包括鋁(Al)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、銅(Cu)或鎢(W)。對(duì)第二金屬層構(gòu)圖，從而多條數(shù)據(jù)線(xiàn)路280在柵絕緣層222上沿垂直于第一方向的第二方向延伸，并彼此由預(yù)定距離分開(kāi)。然后，如圖4所示，形成從每條數(shù)據(jù)線(xiàn)路280分出的源電極225、在第二方向上面向該源電極的漏電極226。而且，數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a形成在每條數(shù)據(jù)線(xiàn)路280的端部。所以，數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a形成在被稱(chēng)為數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293的像素區(qū)域291的外圍部分。作為示范性實(shí)施方案，數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a的表面積被形成得大于數(shù)據(jù)線(xiàn)路280的表面積。
因此，在第一襯底210的像素區(qū)域291上形成了多個(gè)TFT，并且每個(gè)TFT包括柵電極221、半導(dǎo)體層223、歐姆接觸層224、源電極225和漏電極226。柵電極焊盤(pán)270a和數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a分別形成在柵焊盤(pán)區(qū)域292和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293上。
之后，如圖10C和圖10D所示，以預(yù)定厚度在第一襯底210的整個(gè)表面上沉積光致抗蝕材料，使得在像素區(qū)域291、柵焊盤(pán)區(qū)域292和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293上形成光致抗蝕劑層231。
在光致抗蝕劑層231上設(shè)置具有第一透明區(qū)域710和第一遮蔽區(qū)域720的第一掩模700，并且通過(guò)使用第一掩模700的光刻工藝以選擇性地去除光致抗蝕劑層231。所以，在像素區(qū)域291中形成有機(jī)或無(wú)機(jī)絕緣層230，在柵焊盤(pán)區(qū)域292和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293中形成第一凸出元件251。絕緣層230包括用于暴露部分漏電極226的接觸孔235，并且第一凸出元件251暴露柵焊盤(pán)區(qū)域292中柵電極焊盤(pán)270a的外圍部分和暴露數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293中數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a的外圍部分。
在有機(jī)或無(wú)機(jī)絕緣層230和第一凸出元件251上沉積比如ITO、IZO等的透明導(dǎo)電材料、比如鋁-釹(AlNd)、鉬-鎢(MoW)的金屬、或反射材料，等等，從而形成透明導(dǎo)電層或金屬層。對(duì)該透明導(dǎo)電層或金屬層構(gòu)圖以形成像素電極(未示出)和第一導(dǎo)電涂層(未示出)。否則，通過(guò)對(duì)包括透明導(dǎo)電層和金屬層的疊層構(gòu)圖，可以將該像素電極和第一導(dǎo)電涂層形成為疊層結(jié)構(gòu)。所以，形成了如圖5所示的TFT襯底200。
然后，TFT襯底200相對(duì)地與濾色器襯底300組合，并由預(yù)定距離隔開(kāi)以在它們之間注入液晶。即，TFT襯底200、面向該TFT襯底200的濾色器襯底300、和介于該TFT襯底和濾色器襯底之間的液晶層構(gòu)成了如圖3所示的液晶顯示裝置100。
圖11A和圖llB是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的制造TFT襯底的方法的橫截面視圖。
參考圖11A和圖11B，光致抗蝕劑層231以對(duì)圖10C中示出的光致抗蝕劑層所述同樣的方法涂覆在第一襯底210上。在光致抗蝕劑層231上放置具有第二透明區(qū)域810和第二遮蔽區(qū)域820的第二掩模800，并且通過(guò)使用第二掩模800的光刻工藝以選擇性地去除光致抗蝕劑層231。所以，在像素區(qū)域291中形成絕緣層230，在柵焊盤(pán)區(qū)域292和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293中以均勻的高度形成多個(gè)第二凸出元件251a。有機(jī)或無(wú)機(jī)絕緣層230包括用于暴露部分漏電極226的接觸孔235，并且第二凸出元件251a暴露柵焊盤(pán)區(qū)域282中柵電極焊盤(pán)270a的外圍部分和暴露數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域283中數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a的外圍部分。
多個(gè)第二遮蔽區(qū)域820以預(yù)定表面積設(shè)置在柵電極焊盤(pán)270a或數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a之上。第二透明區(qū)域810將各個(gè)第二遮蔽區(qū)域820彼此隔開(kāi)。所以，第二凸出元件251a對(duì)應(yīng)于第二遮蔽區(qū)域820形成為由預(yù)定距離隔開(kāi)的凸起。
由于第二透明區(qū)域810下面的光致抗蝕劑層231在光刻工藝期間被去除，所以使在第二凸出元件251a之間的柵電極焊盤(pán)270a和數(shù)據(jù)電極焊盤(pán)280a部分暴露出來(lái)。
在有機(jī)或無(wú)機(jī)絕緣層230和第二凸出元件251a上沉積比如ITO、IZO等的透明導(dǎo)電材料、比如鋁-釹(AlNd)、鉬-鎢(MoW)的金屬、或反射材料，等等，從而形成透明導(dǎo)電層或金屬層。對(duì)該透明導(dǎo)電層或金屬層構(gòu)圖以形成像素電極(未示出)和第一導(dǎo)電涂層(未示出)?？梢詫?duì)包括透明導(dǎo)電層或金屬層的疊層構(gòu)圖，以形成具有該像素電極和第一導(dǎo)電涂層的疊層結(jié)構(gòu)。
圖12A和圖12B是圖示根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的制造TFT襯底的方法的橫截面視圖。
參考圖12A和圖12B，有機(jī)或無(wú)機(jī)絕緣層230和第一凸出元件251形成在第一襯底210上，如圖10D所示。即，絕緣層230在像素區(qū)域291中包括接觸孔235，第一凸出元件251設(shè)置在第一襯底210的柵焊盤(pán)區(qū)域292和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293。然后，在第一襯底210上設(shè)置具有第三透明區(qū)域910和第三遮蔽區(qū)域920的第三掩模900，并且通過(guò)使用第三掩模900對(duì)絕緣層230和第一凸出元件251構(gòu)圖，使得在絕緣層230和第一凸出元件251的上表面上形成凹凸圖案。即，在第一襯底210上的柵焊盤(pán)區(qū)域292和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域293中形成多個(gè)第三凸出元件251b。如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知的那樣，該凹凸圖案可以?xún)H設(shè)置在除絕緣層230的上表面以外的第一凸出元件251的上表面上。
透明導(dǎo)電層或金屬層沉積在絕緣層230和第三凸出元件251b上。透明導(dǎo)電層包括ITO或IZO，金屬層包括鋁-釹(AlNd)或鉬-鎢(MoW)。然后，對(duì)透明導(dǎo)電層或金屬層構(gòu)圖以在像素區(qū)域291中形成像素電極(未示出)和在第三凸出元件251b上形成第三導(dǎo)電涂層(未示出)。通過(guò)對(duì)包括透明導(dǎo)電層和金屬層的疊層構(gòu)圖，形成包括該像素電極和第三導(dǎo)電涂層的疊層結(jié)構(gòu)。
盡管本發(fā)明公開(kāi)的是接觸孔和第三凸出元件在先形成，之后形成凹凸圖案，但是凹凸圖案可以在先形成在光致抗蝕劑層上，之后形成接觸孔和第三凸出元件，就如本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知的那樣。
工業(yè)實(shí)用性如上所述，在LCD裝置或其他比如電致發(fā)光顯示、PDP等的顯示應(yīng)用中的TFT襯底的柵焊盤(pán)區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤(pán)區(qū)域中形成了彈性導(dǎo)電凸點(diǎn)，并且驅(qū)動(dòng)IC通過(guò)介于該導(dǎo)電凸點(diǎn)和驅(qū)動(dòng)IC之間的中間非導(dǎo)電樹(shù)脂安裝在彈性導(dǎo)電凸點(diǎn)之上。
非導(dǎo)電樹(shù)脂將驅(qū)動(dòng)IC粘附到導(dǎo)電凸點(diǎn)上以確保驅(qū)動(dòng)IC和導(dǎo)電凸點(diǎn)之間的電連接。
非導(dǎo)電樹(shù)脂由于其在熱壓工藝之后硬化的收縮力可以提高驅(qū)動(dòng)IC和導(dǎo)電凸點(diǎn)之間的粘附力。
此外，導(dǎo)電凸點(diǎn)由彈性材料構(gòu)成，并且壓焊到驅(qū)動(dòng)IC，于是，第一導(dǎo)電凸點(diǎn)的回復(fù)可以補(bǔ)償柵電極焊盤(pán)和驅(qū)動(dòng)IC之間由于非導(dǎo)電樹(shù)脂的熱膨脹或其他因素導(dǎo)致的距離增加。所以，柵電極焊盤(pán)和驅(qū)動(dòng)IC之間的電連接可以得到充分地確保。
雖然已經(jīng)對(duì)本發(fā)明的示范性實(shí)施方案進(jìn)行了描述，但是應(yīng)該理解，本發(fā)明并不限于這些示范性實(shí)施方案，相反本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍內(nèi)可以進(jìn)行各種變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管襯底，包括多個(gè)電極焊盤(pán)，設(shè)置在布置于襯底上的柵線(xiàn)路和數(shù)據(jù)線(xiàn)路的端部上；以及導(dǎo)電凸點(diǎn)，包括以預(yù)定厚度設(shè)置在所述電極焊盤(pán)上的凸出元件和設(shè)置在所述凸出元件上以電連接到所述電極焊盤(pán)的導(dǎo)電涂層，所述導(dǎo)電凸點(diǎn)通過(guò)使用非導(dǎo)電樹(shù)脂電連接到為所述電極焊盤(pán)施加預(yù)定信號(hào)的驅(qū)動(dòng)集成電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管襯底，其中，所述凸出元件設(shè)置在所述電極焊盤(pán)上，使得所述電極焊盤(pán)的外圍部分被暴露。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管襯底，其中，所述凸出元件包括在它上表面上的凹凸圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管襯底，其中，所述凸出元件包括由預(yù)定距離隔開(kāi)的多個(gè)凸起，所述電極焊盤(pán)的部分通過(guò)所述凸起之間的空間被暴露。
5.一種制造薄膜晶體管襯底的方法，所述方法包括形成柵線(xiàn)路、數(shù)據(jù)線(xiàn)路、以及設(shè)置在所述柵線(xiàn)路和數(shù)據(jù)線(xiàn)路的端部上的多個(gè)電極焊盤(pán)；以及形成導(dǎo)電凸點(diǎn)，所述導(dǎo)電凸點(diǎn)包括設(shè)置在電極焊盤(pán)上以具有預(yù)定厚度的凸出元件和設(shè)置在所述凸出元件上以電連接到所述電極焊盤(pán)的導(dǎo)電涂層，并且所述導(dǎo)電凸點(diǎn)通過(guò)使用非導(dǎo)電樹(shù)脂電連接到為所述電極焊盤(pán)施加預(yù)定信號(hào)的驅(qū)動(dòng)集成電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中所述導(dǎo)電凸點(diǎn)如下形成在所述電極焊盤(pán)上形成光致抗蝕劑有機(jī)層；對(duì)所述光致抗蝕劑有機(jī)層構(gòu)圖以在所述電極焊盤(pán)上形成凸出元件；形成覆蓋所述凸出元件的導(dǎo)電層；以及對(duì)所述導(dǎo)電層構(gòu)圖以形成所述凸出元件上的導(dǎo)電涂層，將所述導(dǎo)電涂層電連接到所述電極焊盤(pán)。
7.一種液晶顯示裝置，包括具有多個(gè)薄膜晶體管和連接到所述薄膜晶體管的導(dǎo)電線(xiàn)路的像素區(qū)域，以及包括具有多個(gè)電極焊盤(pán)的焊盤(pán)區(qū)域，所述液晶顯示裝置包括液晶顯示面板，所述液晶顯示面板包括薄膜晶體管襯底、對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管襯底的濾色器襯底、以及介于所述薄膜晶體管襯底和所述濾色器襯底之間的液晶層，所述薄膜晶體管襯底包括設(shè)置在所述電極焊盤(pán)上的凸出元件和設(shè)置在所述凸出元件上的導(dǎo)電凸點(diǎn)，所述導(dǎo)電凸點(diǎn)具有電連接到所述電極焊盤(pán)的導(dǎo)電涂層；驅(qū)動(dòng)集成電路，電連接到所述導(dǎo)電凸點(diǎn)以向所述電極焊盤(pán)施加預(yù)定信號(hào)；以及粘附元件，置于所述導(dǎo)電凸點(diǎn)和所述驅(qū)動(dòng)集成電路之間，所述粘附元件將所述驅(qū)動(dòng)集成電路粘附到所述導(dǎo)電凸點(diǎn)以確保所述導(dǎo)電凸點(diǎn)和所述驅(qū)動(dòng)集成電路之間的電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的液晶顯示裝置，其中，所述凸出元件包括彈性有機(jī)材料，使得在所述驅(qū)動(dòng)集成電路被下壓時(shí)使所述導(dǎo)電凸點(diǎn)被壓縮一距離，在所述驅(qū)動(dòng)集成電路被釋放時(shí)使所述導(dǎo)電凸點(diǎn)對(duì)應(yīng)于所述距離被回復(fù)，從而保持所述導(dǎo)電凸點(diǎn)和所述驅(qū)動(dòng)集成電路之間的電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的液晶顯示裝置，其中，所述凸出元件設(shè)置在所述電極焊盤(pán)上，使得所述電極焊盤(pán)的外圍部分被暴露。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的液晶顯示裝置，其中，所述凸出元件包括在它上表面上的凹凸圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的液晶顯示裝置，其中，所述凸出元件包括由預(yù)定距離隔開(kāi)的多個(gè)凸起，所述電極焊盤(pán)的部分通過(guò)所述凸起之間的空間被暴露。
12.根據(jù)權(quán)利要求7的液晶顯示裝置，其中，所述粘附元件包括一非導(dǎo)電樹(shù)脂，所述非導(dǎo)電樹(shù)脂在對(duì)所述驅(qū)動(dòng)集成電路的熱壓工藝期間軟化并從所述熱壓工藝完成時(shí)逐漸硬化，使得所述驅(qū)動(dòng)集成電路通過(guò)所述非導(dǎo)電樹(shù)脂由于它的硬化所導(dǎo)致的收縮被粘附到所述導(dǎo)電凸點(diǎn)。
13.一種制造液晶顯示裝置的方法，所述液晶顯示裝置包括具有多個(gè)薄膜晶體管和連接到所述薄膜晶體管的導(dǎo)電線(xiàn)路的像素區(qū)域，以及包括具有多個(gè)電極焊盤(pán)的焊盤(pán)區(qū)域，所述液晶顯示裝置制造方法包括形成薄膜晶體管襯底，所述薄膜晶體管襯底包括形成在所述電極焊盤(pán)上的凸出元件和形成在所述凸出元件上的導(dǎo)電凸點(diǎn)，所述導(dǎo)電凸點(diǎn)具有電連接到所述電極焊盤(pán)的導(dǎo)電涂層；形成與所述薄膜晶體管襯底相對(duì)組合的濾色器襯底；形成在所述薄膜晶體管襯底和所述濾色器襯底之間的液晶層；以及通過(guò)使用粘附元件將驅(qū)動(dòng)集成電路電連接到所述導(dǎo)電凸點(diǎn)，所述驅(qū)動(dòng)集成電路向所述電極焊盤(pán)施加預(yù)定信號(hào)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，所述薄膜晶體管襯底如下形成在所述像素區(qū)域和焊盤(pán)區(qū)域中形成光致抗蝕劑有機(jī)層；對(duì)所述光致抗蝕劑有機(jī)層構(gòu)圖以形成在所述像素區(qū)域中的絕緣層以及在所述焊盤(pán)區(qū)域中的凸出元件，所述絕緣層保護(hù)所述多個(gè)薄膜晶體管和所述導(dǎo)電線(xiàn)路，所述凸出元件形成在所述電極焊盤(pán)上；在所述絕緣層和所述凸出元件之上形成導(dǎo)電層；以及對(duì)所述導(dǎo)電層構(gòu)圖以在所述絕緣層上形成像素電極以及在所述凸出元件上形成電連接到所述電極焊盤(pán)的導(dǎo)電涂層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，所述導(dǎo)電層包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物。
16.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，所述導(dǎo)電層包括金屬。
17.根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其中，所述導(dǎo)電層包括具有第一層和第二層的疊層，所述第一層包括銦錫氧化物或銦鋅氧化物，所述第二層包括金屬。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的方法，其中，所述粘附元件包括一非導(dǎo)電樹(shù)脂，所述非導(dǎo)電樹(shù)脂在對(duì)所述驅(qū)動(dòng)集成電路的熱壓工藝期間軟化并從所述熱壓工藝完成時(shí)逐漸硬化，使得所述驅(qū)動(dòng)集成電路通過(guò)所述非導(dǎo)電樹(shù)脂由于它的硬化所導(dǎo)致的收縮被粘附到所述導(dǎo)電凸點(diǎn)。
全文摘要
導(dǎo)電凸點(diǎn)包括多個(gè)凸出元件(251)和形成在該凸出元件上的導(dǎo)電層(252)，并設(shè)置在TFT襯底(200)上。每個(gè)凸出元件設(shè)置在TFT襯底的焊盤(pán)區(qū)域(292，293)中的電極焊盤(pán)(270a、b，280a、b)上，并且導(dǎo)電層電連接到電極焊盤(pán)。非導(dǎo)電樹(shù)脂(600)設(shè)置在導(dǎo)電凸點(diǎn)上，驅(qū)動(dòng)IC(500)熱壓在導(dǎo)電凸點(diǎn)上。所以，驅(qū)動(dòng)IC和電極焊盤(pán)之間的電接觸特性得到了提高。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1717617SQ200380104595
公開(kāi)日2006年1月4日 申請(qǐng)日期2003年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月9日
發(fā)明者黃星龍, 吳元植, 尹胄永, 姜圣哲 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社