專利名稱：陣列基板、具有陣列基板的液晶顯示裝置及其驅(qū)動方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及陣列基板、具有該陣列基板的液晶顯示裝置和用于驅(qū)動該液晶顯示裝置的方法，更特別地，涉及一種用于提高光使用效率和生產(chǎn)率的陣列基板、具有該陣列基板的液晶顯示裝置及驅(qū)動該液晶顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置包括反射型液晶顯示裝置及透射型液晶顯示裝置。反射型液晶顯示裝置為了顯示圖像使用外部光(下文稱為第一光)。為了顯示圖像，透射型液晶顯示裝置包括用于產(chǎn)生內(nèi)部光(下文稱為第二光)的光源。近來，開發(fā)了透射反射型液晶顯示裝置。透射反射型液晶顯示裝置具有透射型和反射型兩方面的優(yōu)點，諸如高質(zhì)量圖像、低功耗等。
當外部光充足時，透射反射型液晶顯示裝置使用第一光(或外部光)，并且當外部光不充足時，使用從光源產(chǎn)生的第二光。
透射反射型液晶顯示裝置包括陣列基板、濾色器基板以及液晶層。濾色器基板對著陣列基板。液晶顯示裝置插入在濾色器基板和陣列基板之間。
液晶顯示裝置的陣列基板包括排列成矩陣形式的多個單位像素。各個單位像素包括數(shù)據(jù)線、柵極線及薄膜晶體管。柵極線與數(shù)據(jù)線基本垂直。薄膜晶體管設置在由數(shù)據(jù)線和柵極線限定的區(qū)域內(nèi)。薄膜晶體管電連接到數(shù)據(jù)線和柵極線。透射電極和反射電極電連接到薄膜晶體管。透射電極是透明且導電的。反射電極具有高反射系數(shù)。透射電極上的區(qū)域包括反射區(qū)域和透射區(qū)域。反射電極只形成在反射區(qū)域上。
絕緣層插入在薄膜晶體管和透射電極之間，從而只將透射電極電連接到薄膜晶體管的漏極電極。具體的，絕緣層包括接觸孔。透射電極與漏極電極通過接觸孔相互電連接。
因此，當數(shù)據(jù)電壓和驅(qū)動電壓分別施加于數(shù)據(jù)線和柵極線時，薄膜晶體管響應數(shù)據(jù)電壓和驅(qū)動電壓而工作，從而數(shù)據(jù)電壓和驅(qū)動電壓通過薄膜晶體管應用于透射電極和反射電極。
一般地，在透射反射型液晶顯示裝置中，反射區(qū)域的盒間隙不同于透射區(qū)域的盒間隙。即，反射區(qū)域的盒間隙是透射區(qū)域盒間隙的一半以提高顯示質(zhì)量。
調(diào)整絕緣層的厚度，從而根據(jù)區(qū)域形成不同的盒間隙。
然而，調(diào)整盒間隙是困難的，使得盒間隙的一致性被破壞并且液晶顯示裝置的生產(chǎn)率降低了。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于提高顯示質(zhì)量和生產(chǎn)率的陣列基板。
本發(fā)明還提供了一種具有所述陣列基板的液晶顯示裝置。
本發(fā)明還提供了一種驅(qū)動所述液晶顯示裝置的方法。
根據(jù)所述陣列基板的一個方面，該陣列基板包括柵極線、數(shù)據(jù)線、開關(guān)器件、透射電極、反射電極和補償布線。該數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉從而限定包括第一和第二區(qū)域的像素區(qū)域。該開關(guān)器件電連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線。該透射電極電連接到所述開關(guān)器件。所述透射電極形成在所述第一區(qū)域中。該反射電極與所述透射電極電絕緣。所述反射電極形成在鄰近所述第一區(qū)域的所述第二區(qū)域中。所述補償布線電連接到所述開關(guān)器件。所述補償布線在所述第二區(qū)域中對著所述反射電極，絕緣層插在所述補償布線和所述反射電極之間。
根據(jù)所述陣列基板的另一方面，該陣列基板包括第一柵極線、第二柵極線、數(shù)據(jù)線、第一開關(guān)器件、第二開關(guān)器件、透射電極、反射電極和補償布線。第二柵極線與所述第一柵極線電絕緣。數(shù)據(jù)線與所述第一和第二柵極線交叉從而限定包括第一和第二區(qū)域的像素區(qū)域。第一開關(guān)器件電連接到所述第一柵極線和所述數(shù)據(jù)線。第二開關(guān)器件電連接到所述第二柵極線。形成在所述第一區(qū)域中的透射電極電連接到所述第二開關(guān)器件。反射電極與所述透射電極電絕緣。所述反射電極形成在鄰近所述第一區(qū)域的所述第二區(qū)域中。補償布線電連接到所述第一開關(guān)器件。所述補償布線對著所述反射電極和所述透射電極，絕緣層插在它們之間。
根據(jù)所述液晶顯示裝置的一個方面，液晶顯示裝置包括第一和第二基板以及插在第一和第二基板之間的液晶層。第一基板包括柵極線、數(shù)據(jù)線、開關(guān)器件、透射電極、反射電極和補償布線。該數(shù)據(jù)線與所述柵極線交叉從而限定包括第一和第二區(qū)域的像素區(qū)域。該開關(guān)器件電連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線。形成在所述第一區(qū)域中的透射電極電連接到所述開關(guān)器件。該反射電極與所述透射電極電絕緣。所述反射電極形成在鄰近所述第一區(qū)域的所述第二區(qū)域中。所述補償布線電連接到所述開關(guān)器件。所述補償布線在所述第二區(qū)域中對著所述反射電極，同時絕緣層插在所述補償布線和所述反射電極之間。第二基板包括對著透射電極和反射電極的公共電極。液晶層插在第一和第二基板之間。
根據(jù)所述液晶顯示裝置的另一方面，液晶顯示裝置包括第一和第二基板以及液晶層。第一基板包括第一柵極線、第二柵極線、數(shù)據(jù)線、第一開關(guān)器件、第二開關(guān)器件、透射電極、反射電極和補償布線。第二柵極線與所述第一柵極線電絕緣。數(shù)據(jù)線與所述第一和第二柵極線交叉從而限定包括第一和第二區(qū)域的像素區(qū)域。第一開關(guān)器件電連接到所述第一柵極線和所述數(shù)據(jù)線。第二開關(guān)器件電連接到所述第二柵極線。形成在所述第一區(qū)域中的透射電極電連接到所述第二開關(guān)器件。反射電極與所述透射電極電絕緣。所述反射電極形成在鄰近所述第一區(qū)域的所述第二區(qū)域中。補償布線電連接到所述第一開關(guān)器件。所述補償布線對著所述反射電極和所述透射電極，同時絕緣層插在補償布線與反射電極之間及補償布線與透射電極之間。第二基板包括對著透射電極和反射電極的公共電極。液晶層插在第一和第二基板之間。
根據(jù)所述液晶顯示裝置的另一方面，液晶顯示裝置包括第一和第二基板以及液晶層。第一基板包括第一和第二開關(guān)器件、透射電極和反射電極。所述第一開關(guān)器件電連接到數(shù)據(jù)線和柵極線。所述第二開關(guān)器件電連接到所述第一開關(guān)器件。所述透射電極和所述反射電極分別電連接到所述第一和第二開關(guān)器件或相反。第二基板包括對著所述第一和第二電極的公共電極。液晶層插在所述第一和第二基板之間。
根據(jù)所述液晶顯示裝置的另一方面，液晶顯示裝置包括第一和第二基板以及液晶層。第一基板包括電連接到數(shù)據(jù)線和柵極線的開關(guān)器件、電連接到所述開關(guān)器件的透射電極、電連接到所述開關(guān)器件的反射電極、及對著所述反射電極的金屬布線，絕緣層插在所述金屬布線和所述反射電極之間。第二基板包括對著所述透射電極和所述反射電極的公共電極。液晶層插在所述第一和第二基板之間。
根據(jù)所述液晶顯示裝置的另一方面，液晶顯示裝置包括第一和第二基板以及液晶層。第一基板包括具有開關(guān)器件和電連接到所述開關(guān)器件的多個像素電極的像素區(qū)域。第二基板包括多個公共電極。各個所述公共電極對應各個所述像素電極。液晶層插在所述第一和第二基板之間。
根據(jù)所述驅(qū)動液晶顯示裝置的方法的一個方面，柵極電壓施加到柵極線。響應所述柵極電壓，輸出從數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓。施加所述數(shù)據(jù)電壓到透射電極作為透射電壓。施加從所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生的反射電壓到反射電極。所述反射電壓低于所述數(shù)據(jù)電壓。然后，施加基準電壓到對著所述反射電極和所述透射電極的公共電極。
根據(jù)所述驅(qū)動液晶顯示裝置的方法的另一方面，施加第一柵極電壓到第一柵極線。響應所述第一柵極電壓，輸出從數(shù)據(jù)線提供的第一數(shù)據(jù)電壓。施加從所述第一數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生的透射電壓到透射電極。所述透射電壓高于所述第一數(shù)據(jù)電壓。施加從所述第一數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生的反射電壓到反射電極。所述反射電壓低于所述第一數(shù)據(jù)電壓。然后，施加基準電壓到對著所述反射電極和所述透射電極的公共電極。
因此，反射電極的反射率和透射電極的透射率同時提高，同時液晶顯示裝置保持一致的盒間隙。


結(jié)合附圖參照下面的詳細描述，本發(fā)明的上述及其它優(yōu)點將變得非常明顯，附圖中圖1為示出根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的液晶顯示裝置的示意圖；圖2為示出圖1的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖3為示出圖1的液晶顯示裝置的單位像素的布置圖；圖4是圖3的單位像素的等效電路圖；圖5是示出根據(jù)施加于透射電極和反射電極的電壓的透射率和反射系數(shù)的曲線；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的液晶顯示裝置的橫截面圖；圖7為布置圖，示出了圖6的液晶顯示裝置的單位像素；圖8為圖7的單位像素的等效電路圖；圖9為橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的液晶顯示裝置；圖10是示意平面圖，示出了圖9的陣列基板；
圖11是示意平面圖，示出了圖9的濾色器基板；圖12是橫截面圖，示出根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的液晶顯示裝置；圖13是示意平面圖，示出了圖12的陣列基板；圖14是圖12的單位像素的等效電路圖；圖15是平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第五示例性實施例的陣列基板；圖16是橫截面圖，示出根據(jù)本發(fā)明第六示例性實施例的液晶顯示裝置；圖17是布置圖，示出了圖16的陣列基板的一部分；圖18是圖17的單位像素的等效電路圖；圖19是布置圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第七示例性實施例的液晶顯示裝置的陣列基板；圖20是等效電路圖，示出了液晶顯示裝置的單位像素；圖21是布置圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第八示例性實施例的液晶顯示裝置的陣列基板；圖22是等效電路圖，示出了圖21的液晶顯示裝置的單位像素；及圖23是圖22的波形(wave pattern)。
具體實施例方式
下面將參照附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。
<實施例1>
圖1為示意圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的液晶顯示裝置，圖2為示出了圖1的液晶顯示裝置的橫截面圖。
參照圖1和2，根據(jù)本發(fā)明第一示例性實施例的液晶顯示裝置400包括陣列基板100、濾色器基板200及液晶層300。濾色器基板200對著陣列基板100。液晶層300被插入在陣列基板100和濾色器基板200之間。
陣列基板100包括多個像素。像素形成在第一基板110上，使得像素排成矩陣形式。各個像素包括數(shù)據(jù)線DL和柵極線GL。數(shù)據(jù)線DL在第一方向上延伸，柵極線GL在與第一方向基本垂直的第二方向上延伸。陣列基板100還包括第一薄膜晶體管120和第二薄膜晶體管130。第一薄膜晶體管120設置在由數(shù)據(jù)線DL和柵極線GL限定的區(qū)域內(nèi)。第一薄膜晶體管120與數(shù)據(jù)線DL和柵極線GL電連接。第二薄膜晶體管130與第一薄膜晶體管120和柵極線GL電連接。第一薄膜晶體管120電連接到由透明且導電的材料構(gòu)成的透射電極150。第二薄膜晶體管130電連接到具有高反射系數(shù)(reflectance)的反射電極160。
具體地，第一薄膜晶體管120包括第一源極電極123、第一柵極電極121以及第一漏極電極125。第一源極電極123與數(shù)據(jù)線DL電連接。第一柵極電極121與柵極線GL電連接。第一漏極電極與透射電極150電連接。第二薄膜晶體管130包括第二源極電極133、第二柵極電極131以及第二漏極電極135。第二源極電極133與第一漏極電極125電連接。第二柵極電極131與柵極線GL電連接。第二漏極電極135與反射電極160電連接。
絕緣層140插入在第一薄膜晶體管120與透射電極150之間。絕緣層140還插入在第二薄膜晶體管130與反射電極160之間。
由于絕緣層140，透射電極150與第一漏極電極125電連接，且反射電極160與第二漏極電極135電連接。具體地，絕緣層140包括第一和第二接觸孔141和143。第一和第二漏極電極125和135分別通過第一和第二接觸孔141和143暴露。由此，透射電極150通過第一接觸孔141與第一漏極電極125電連接，且反射電極160通過第二接觸孔143與第二漏極電極135電連接。
透射電極150和反射電極160通過第二薄膜晶體管130互相電連接。
形成透射電極150的區(qū)域?qū)谕干鋮^(qū)域，形成反射電極160的區(qū)域?qū)诜瓷鋮^(qū)域。
濾色器基板200包括濾色器層220和公共電極230。濾色器層220包括紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器。濾色器層220形成在第二基板210上。公共電極230形成在濾色器層220上。公共電極230由透明且導電的材料構(gòu)成。液晶層300插入在陣列基板100和濾色器基板200之間。
這樣，第一薄膜晶體管120電連接到由透射電極150、液晶層300和公共電極230限定的第一液晶電容器Clc1。第二薄膜晶體管130電連接到由反射電極160、液晶層300和公共電極230限定的第二液晶電容器Clc2。
圖3為布置圖，示出了圖1的液晶顯示裝置的單位像素，圖4是圖3的單位像素的等效電路圖。
參照圖3和4，單位像素包括在第一方向上延伸的第m條數(shù)據(jù)線DLm，及在與第一方向基本垂直的第二方向上延伸的第n條柵極線GLn。第一薄膜晶體管120形成在由第(m-1)和第m條數(shù)據(jù)線DLm-1和DLm以及第(n-1)和第n條柵極線GLn-1和GLn限定的區(qū)域內(nèi)。
第一薄膜晶體管120包括與第m條數(shù)據(jù)線DLm電連接的第一源極電極123、與第n條柵極線GLn電連接的第一柵極電極121以及與透射電極150電連接的第一漏極電極125。透射電極150對著濾色器基板的公共電極(未示出)，液晶層插入在透射電極150和公共電極之間，從而形成第一液晶電容器Clc1。透射電極150還交迭第(n-1)條柵極線GLn-1，絕緣層(未示出)插入在透射電極150和第(n-1)條柵極線GLn-1之間，從而形成并聯(lián)地電連接到第一液晶電容器Clc1的第一存貯電容器Cst1。
第二薄膜晶體管130也形成在由第(m-1)和第m條數(shù)據(jù)線DLm-1和DLm以及第(n-1)和第n條柵極線GLn-1和GLn限定的區(qū)域內(nèi)。
第二薄膜晶體管130包括與第一漏極電極125電連接的第二源極電極133、與第n條柵極線GLn電連接的第二柵極電極131、以及與反射電極160電連接的第二漏極電極135。反射電極160對著公共電極，同時液晶層插入在反射電極160和公共電極之間，由此形成第二液晶電容器Clc2。反射電極160還與第(n-1)條柵極線GLn-1交迭，絕緣層(未示出)插入在反射電極160和第(n-1)條柵極線GLn-1之間，由此形成并聯(lián)地電連接到第二液晶電容器Clc2的第二存貯電容器Cst2。
圖5是示出根據(jù)作用于透射和反射電極的電壓的透射率和反射率的曲線。曲線的X軸對應于透射率和反射率(％)，且Y軸對應作用于透射電極和反射電極的電壓。實線G1對應于透射率，虛線G2對應于反射率。
參照圖5，在透射區(qū)域內(nèi)，當大約4.2V的電壓作用于透射電極時，透射率飽和至大約40％的最大值。在反射區(qū)域內(nèi)，當大約2.6V的電壓作用于反射電極時，反射率對應大約38％的最大值。
如圖5所示，對應于最大反射率的電壓和對應于最大透射率的電壓彼此不同。因此，不同的電壓施加到透射電極和反射電極以提高透射率和反射率。即，大約4.2V的電壓施加到透射電極，且大約2.6V的電壓施加到反射電極，從而提高光使用效率。
再參照圖3和4，響應施加到第n條柵極線GLn的驅(qū)動信號，施加到第m條數(shù)據(jù)線DLm的數(shù)據(jù)電壓傳送到第一薄膜晶體管120的第一漏極電極125。由于第一薄膜晶體管120的內(nèi)電阻，數(shù)據(jù)電壓降低，并且該降低了的數(shù)據(jù)電壓施加到第一漏極電極125。該降低了的數(shù)據(jù)電壓(下文稱為第一數(shù)據(jù)電壓)施加到透射電極150(其與第一漏極電極電連接)及第二薄膜晶體管130的第二源極電極133。響應驅(qū)動信號，第一數(shù)據(jù)電壓從第二源極電極133傳送到第二漏極電極135。然而，由于第二薄膜晶體管130的內(nèi)電阻，第一數(shù)據(jù)電壓再次降低而成為第二數(shù)據(jù)電壓。于是，第二數(shù)據(jù)電壓施加到與第二漏極電極135電連接的反射電極160。
這樣，即使當一個數(shù)據(jù)電壓施加到第m條數(shù)據(jù)線DLm時，不同的電壓施加到透射電極150和反射電極160。另外，第二薄膜晶體管130的內(nèi)電阻可被調(diào)整，從而優(yōu)化第二數(shù)據(jù)電壓。結(jié)果，透射率和反射率都達到最大，從而提高液晶顯示裝置400的光使用效率。
在本實施例中，透射電極150和反射電極160與第(n-1)條柵極線GLn-1交迭，從而形成第一和第二儲存電容器Cst1和Cst2。
然而，可形成與透射電極150及反射電極160交迭的分離布線，從而形成第一和第二儲存電容器Cst1和Cst2。
<實施例2>
圖6是橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的液晶顯示裝置。
參照圖6，根據(jù)本發(fā)明第二示例性實施例的液晶顯示裝置600包括陣列基板500、濾色器基板200及液晶層300。濾色器基板200對著陣列基板500。液晶層300插入在陣列基板500和濾色器基板200之間。
陣列基板500包括多個像素。像素形成在第一基板510上，使得這些像素排列成矩陣形狀。各個像素包括數(shù)據(jù)線(未示出)和柵極線(未示出)。數(shù)據(jù)線在第一方向上延伸，且柵極線在與第一方向基本垂直的第二方向上延伸。陣列基板500還包含薄膜晶體管520。薄膜晶體管520設置在由數(shù)據(jù)線和柵極線限定的區(qū)域內(nèi)。薄膜晶體管520與數(shù)據(jù)線和柵極線電連接。薄膜晶體管520包括與數(shù)據(jù)線電連接的源極電極523、與柵極線電連接的柵極電極521以及與透射電極540和反射電極550都電連接的漏極電極525。
絕緣層530插入在薄膜晶體管520和透射電極540之間，使得將透射電極540只電連接到薄膜晶體管520的漏極電極525。絕緣層530包含接觸孔531，從而透射電極540通過接觸孔531與漏極電極525電連接。
反射電極550與透射電極540部分交迭。即，反射電極550的一部分形成在透射電極540之上。這樣，反射電極550與透射電極540電連接。
反射電極550對著子布線(sub wiring)527。子布線527從柵極線突出，從而子布線527與柵極電極521形成在同一層上。
濾色器基板200包括濾色器層220和公共電極230。濾色器層220包括紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器。公共電極230形成在濾色器層220上。公共電極230是透明且導電的。液晶層300插入在陣列基板500和濾色器基板200之間。
這樣，透射電極540、液晶層300及公共電極230限定第一液晶電容器Clc1，并且反射電極550、液晶層300和公共電極230限定第二液晶電容器Clc2。第一和第二液晶電容器Clc1和Clc2相互并聯(lián)地電連接。第一和第二液晶電容器Clc1和Clc2與薄膜晶體管520電連接。另外，第二液晶電容器Clc2與由反射電極550、絕緣層530及子布線527形成的子電容器Cs并聯(lián)地電連接。
圖7為布置圖，示出了圖6的液晶顯示裝置的單位像素，并且圖8為圖7的單位像素的等效電路圖。
參照圖7和8，單位像素包括在第一方向上延伸的第m條數(shù)據(jù)線DLm、在與第一方向基本垂直的第二方向上延伸的第n條柵極線GLn。
薄膜晶體管520形成在由第(m-1)和第m條數(shù)據(jù)線DLm-1和DLm以及第(n-1)和第n條柵極線GLn-1和GLn限定的區(qū)域內(nèi)。薄膜晶體管520包括與第m條數(shù)據(jù)線DLm電連接的源極電極523、與第n條柵極線GLn電連接的柵極電極521以及與透射電極540和反射電極550電連接的漏極電極525。
透射電極540對著公共電極，液晶層插入在兩者之間，從而形成第二液晶電容器Clc2。反射電極550交迭第(n-1)條柵極線GLn-1，同時絕緣層插入在兩者之間。因此，形成了并聯(lián)地電連接到第二液晶電容器Clc2的第二存貯電容器Cst2。另外，反射電極550交迭第n條柵極線GLn，同時絕緣層插入在兩者之間。因此，形成了與第二液晶電容器Clc2和第二存儲電容器Cst2并聯(lián)地電連接的子電容器(sub capacitor)Cs。
當薄膜晶體管520響應施加到第n條柵極線GLn的驅(qū)動信號而工作時，施加到第m條數(shù)據(jù)線DLm的數(shù)據(jù)電壓傳送到漏極電極525。接著，數(shù)據(jù)電壓施加到與漏極電極525電連接的透射電極540和反射電極550。具體地，第一數(shù)據(jù)電壓施加到透射電極540，并且第二數(shù)據(jù)電壓施加到反射電極550。第二數(shù)據(jù)電壓低于第一數(shù)據(jù)電壓。即，由于與反射電極550電連接的子電容器Cs，第一數(shù)據(jù)電壓降低，從而形成第二數(shù)據(jù)電壓。接著，第二數(shù)據(jù)電壓施加到反射電極550。
如上述，即使當一個數(shù)據(jù)電壓施加到第m條數(shù)據(jù)線DLm時，不同的電壓施加到透射電極540和反射電極550。結(jié)果，透射率和反射率都達到最大，從而提高了液晶顯示裝置600的光使用效率。
在本實施例中，反射電極550與第n條柵極線GLn交迭，從而形成子電容器Cs。然而，分離布線可與反射電極550交迭，從而形成子電容器Cs。
<實施例3>
圖9為橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第三示例性實施例的液晶顯示裝置。圖10是示意平面圖，示出了圖9的陣列基板，且圖11是示出了圖9的濾色器基板的示意平面圖。液晶顯示裝置與實施例1相同，除了濾色器基板700以外。這樣，將使用相同的附圖標記指示與實施例1中描述的元件相同或相似的元件，且任何進一步的解釋將被省略。
參照圖9到11，根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施例的液晶顯示裝置包括陣列基板100、對著陣列基板100的濾色器基板700及插入在陣列基板100和濾色器基板700之間的液晶層300。
濾色器基板700包括形成在第二基板710上的濾色器層720和形成在濾色器層720上的公共電極730。濾色器層720包括紅色濾色器、綠色濾色器和藍色濾色器。公共電極730是透明且導電的。
如圖9和11所示，公共電極730包括第一和第二公共電極區(qū)域Ea1和Ea2。第一和第二公共電極731和732分別形成在第一和第二公共電極區(qū)域Ea1和Ea2內(nèi)。第一公共電極731對應陣列基板的透射電極。第二公共電極732對應陣列基板的反射電極。第一和第二公共電極731和732相互電絕緣。即，絕緣區(qū)域Ia插入在第一和第二公共電極區(qū)域Ea1和Ea2之間。
第一和第二基準電壓(reference voltage)分別施加到第一和第二公共電極731和732。第二基準電壓低于第一基準電壓。
如圖9和11所示，陣列基板100包括第一和第二薄膜晶體管120和130，從而施加不同的電壓到透射電極150和反射電極160。即，第一數(shù)據(jù)電壓施加到透射電極，且低于第一數(shù)據(jù)電壓的第二數(shù)據(jù)電壓施加到反射電極。在這種情形下，由于第一和第二薄膜晶體管120和130之間諸如寄生電容、放電率等不同，所以反射區(qū)域的優(yōu)選基準電壓水平和透射區(qū)域的優(yōu)選基準電壓水平不同。
這樣，當優(yōu)選基準電壓被調(diào)整以適應透射區(qū)域時，泄漏電流流過反射區(qū)域。當優(yōu)選基準電壓被調(diào)整以適應反射區(qū)域時，泄漏電流流過透射區(qū)域。即，施加到透射區(qū)域的液晶層的第一數(shù)據(jù)電壓在正(+)幀和負(-)幀(frame)間不同，而施加到反射區(qū)域的液晶層的第二數(shù)據(jù)電壓在正(+)幀和負(-)幀間不同。
此電壓差異導致反射區(qū)域和透射區(qū)域之間的亮度不同。另外，電壓差異導致正幀和負幀之間的亮度不同。這樣，液晶顯示裝置400顯示的圖像閃爍，因而顯示質(zhì)量變差。
為解決這個問題，第一基準電壓施加到對著透射電極150的第一公共電極731，低于第一基準電壓的第二基準電壓施加到對著反射電極160的第二公共電極732。這樣，防止了分別在透射區(qū)域和反射區(qū)域中第一和第二數(shù)據(jù)電壓在正幀和負幀之間不同。
液晶層300插入在陣列基板100和濾色器基板700之間，從而形成液晶顯示裝置800。
在本實施例中，由于透射電極150和反射電極160，像素區(qū)域中限定了多個電極區(qū)域。然而，只要像素區(qū)域中形成多個電極區(qū)域，就可以在濾色器基板的公共電極上形成對應于電極區(qū)域的多個公共電極區(qū)域。
<實施例4>
圖12是橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的液晶顯示裝置，圖13是示意平面圖，示出了圖12的陣列基板。
參照圖12和13，根據(jù)本發(fā)明第四示例性實施例的液晶顯示裝置1000包括陣列基板900、濾色器基板200及插入在兩者之間的液晶顯示層300。
陣列基板900包括第一基板910、柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管920、透射電極940及反射電極950。
柵極線GL在第一方向D1上延伸，且數(shù)據(jù)線DL在與第一方向D1基本垂直的第二方向D2上延伸。然而，柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL彼此電絕緣。像素區(qū)域PA由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL限定。
像素區(qū)域PA的薄膜晶體管920包括與柵極線GL電連接的柵極電極921、與數(shù)據(jù)線DL電連接的源極電極922及與透射電極940電連接的漏極電極923。
保護層930插入在透射電極940和薄膜晶體管920之間。保護層930包括用于暴露薄膜晶體管920的漏極電極923的第一接觸孔931。
透射電極940形成在保護層930之上，使得透射電極940通過第一接觸孔931與漏極電極923電連接。
像素區(qū)域PA包括第一和第二區(qū)域A1和A2。透射電極940形成在第一區(qū)域A1內(nèi)。反射電極950與透射電極940電絕緣，且反射電極950形成在第二區(qū)域A2內(nèi)。
第一子布線925形成在第一區(qū)域A1中，使得第一子布線925與透射電極940電絕緣且第一子布線925對著透射電極940。第二子布線926形成在第二區(qū)域A2中，使得第二子布線926與反射電極950電絕緣且第二子布線926對著反射電極950。第一和第二子布線925和926與柵極線GL同時構(gòu)圖。即，第一和第二子布線925和926與柵極線GL同時形成。
補償布線928在第一基板910之上形成。補償布線928與薄膜晶體管920的漏極電極923電連接。補償布線928對著反射電極950，同時補償布線928與反射電極950電絕緣。
在圖12和13中，例如，補償布線928與數(shù)據(jù)線DL同時構(gòu)圖。然而，補償布線928可與柵極線GL同時構(gòu)圖。
濾色器基板200包括第二基板210、形成在第二基板210上的濾色器220及形成在濾色器220上的公共電極230。濾色器基板200和陣列基板900被組裝在一起，使得公共電極230對著透射電極940和反射電極950。接著，液晶材料被注入濾色器基板200和陣列基板900之間，從而形成液晶層300。這樣，完成了液晶顯示裝置1000。
公共電極230和第一區(qū)域A1的透射電極940之間的第一距離d1與公共電極230和反射電極950之間的第二距離d2基本相同。即，液晶顯示裝置1000在第一和第二區(qū)域A1和A2中具有一致的盒間隙。
圖14是圖12的單位像素的等效電路圖。
參照圖12到14，單位像素包括柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL。薄膜晶體管920與柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL電連接。薄膜晶體管920包括漏極電極923(其電連接到第一液晶電容器Clct)、第一子電容器Cstt、補償電容器Ccpr及第二子電容器Cstr。補償電容器Ccpr與第二液晶電容器Clcr串聯(lián)地電連接。第一液晶電容器Clct、第一子電容器Cstt、補償電容器Ccpr與第二液晶電容器Clcr的復合電容器(composite capacitor)及第二子電容器Cstr相互并聯(lián)地電連接。
第一液晶電容器Clct對應濾色器基板200的公共電極230與陣列基板900的透射電極940之間形成的電容。
第一子電容器Clst對應陣列基板900的第一子布線925與透射電極940之間形成的電容。
第二子電容器Cstr對應陣列基板900的第二子布線926與反射電極950之間形成的電容。
第二液晶電容器Clcr對應反射電極950與公共電極230之間形成的電容。
補償電容器Ccpr對應在反射電極950與補償布線928之間形成的電容。補償電容器Ccpr的電容與反射電極950和補償布線928的交迭面積成正比地增加。
當施加到柵極線GL的柵極電壓傳送到薄膜晶體管920的柵極電極921時，薄膜晶體管920導通。這樣，從數(shù)據(jù)線DL施加到源極電極922的數(shù)據(jù)電壓Vd傳送到漏極電極923。接著，數(shù)據(jù)電壓Vd施加到透射電極940和補償布線928。
例如0V的基準電壓施加到濾色器基板200的公共電極230。
當數(shù)據(jù)電壓Vd通過薄膜晶體管920施加到透射電極940時，第一液晶電容器Clct根據(jù)數(shù)據(jù)電壓Vd而充電。然而，第二液晶電容器Clcr根據(jù)低于數(shù)據(jù)電壓Vd的補償電壓Vr而充電。即，數(shù)據(jù)電壓Vd由補償電容器Ccpr和第二液晶電容器Clcr分擔，使得補償電壓按照下面表達式1獲得。
表達式1Vr＝Vd×Ccpr/(Ccpr+Clcr)。
如表達式1所示，補償電容器Ccpr和第二液晶電容器Clcr之和大于補償電容器Ccpr，因而補償電壓Vr低于數(shù)據(jù)電壓Vd。這樣，施加到透射電極940的數(shù)據(jù)電壓Vd(或第一數(shù)據(jù)電壓)高于施加到反射電極950的補償電壓Vr(或第二數(shù)據(jù)電壓)。
<實施例5>
圖15是平面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第五示例性實施例的液晶顯示裝置的陣列基板。
參照圖15，根據(jù)本發(fā)明第五示例性實施例的液晶顯示裝置的陣列基板901包括第一基板910、柵極線GL、數(shù)據(jù)線DL、薄膜晶體管920、透射電極940、反射電極950及補償布線928。
柵極線GL在第一方向D1上延伸，數(shù)據(jù)線DL在與第一方向D1基本垂直的第二方向D2上延伸。柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL相互電絕緣。像素區(qū)域由柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL限定。補償布線928對著像素區(qū)域中的反射電極950。
薄膜晶體管920包括與柵極線GL電連接的柵極電極921、與數(shù)據(jù)線DL電連接的源極電極922及與補償布線928電連接的漏極電極923。
像素區(qū)域包括第一和第二區(qū)域A1和A2。透射電極940形成在第一區(qū)域A1內(nèi)。反射電極950形成在第二區(qū)域A2內(nèi)，使得反射電極950與透射電極940電絕緣。透射電極940通過第二接觸孔935與補償布線928電連接。這樣，透射電極940通過補償布線928與薄膜晶體管923的漏極電極923電連接。
<實施例6>
圖16是橫截面圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第六示例性實施例的液晶顯示裝置，且圖17是示出了圖16的陣列基板的一部分的布置圖。
參照圖16和17，根據(jù)本發(fā)明第六示例性實施例的液晶顯示裝置1100包括陣列基板903、濾色器基板200及插入在陣列基板903和濾色器基板200之間的液晶層300。
陣列基板903包括第一基板910、第一柵極線GLn-1、第二柵極線GLn、數(shù)據(jù)線DL、第一薄膜晶體管T1、第二薄膜晶體管T2、透射電極940、反射電極950及補償布線928，這里“n”是大于2的自然數(shù)。
陣列基板903包括多個柵極線。第一柵極線GLn-1對應第(n-1)條柵極線，第二柵極線GLn對應第n條柵極線。
第一和第二柵極線GLn-1和GLn沿第一方向D1延伸，使得第一和第二柵極線GLn-1和GLn彼此分開。數(shù)據(jù)線DL沿與第一方向D1基本垂直的第二方向D2延伸。數(shù)據(jù)線DL與第一和第二柵極線GLn-1和GLn電絕緣。像素區(qū)域PA由第一和第二柵極線GLn-1和GLn及數(shù)據(jù)線DL限定。
第一薄膜晶體管T1包括與第一柵極線GLn-1電連接的第一柵極電極961、電連接到地電壓的源極電極962及與透射電極940電連接的漏極電極963。像素區(qū)域PA包括第一和第二區(qū)域A1和A2。透射電極940形成在第一區(qū)域A1內(nèi)。補償布線928在第一區(qū)域A1內(nèi)對著透射電極940。
第二薄膜晶體管T2包括與第二柵極線GLn電連接的第二柵極電極921、與數(shù)據(jù)線DL電連接的第二源極電極922及與補償布線928電連接的第二漏極電極923。反射電極950形成在第二區(qū)域A2內(nèi)，使得反射電極與透射電極940電絕緣。補償布線928在第二區(qū)域A2內(nèi)對著反射電極940。
保護層930涂覆在其上形成有第一和第二薄膜晶體管T1和T2的第一基板910上。保護層930相當有機絕緣層。保護層930在第一區(qū)域A1內(nèi)將透射電極940與補償布線928電絕緣，且保護層930還將反射電極950與補償布線928在第二區(qū)域A2內(nèi)電絕緣。
保護層930包括用于暴露第一薄膜晶體管T1的第一漏極電極963的接觸孔931。透射電極940形成在保護層930上，使得透射電極940通過接觸孔931與第一漏極電極963電連接。
第一子布線925形成在第一區(qū)域A1內(nèi)，使得第一子布線925與透射電極940絕緣。第一子布線925對著透射電極940。第二子布線926形成在第二區(qū)域A2內(nèi)，使得第二子布線926與反射電極950絕緣。第二子布線926對著反射電極950。
濾色器基板200包括第二基板210、形成在第二基板210上的濾色器220及形成在濾色器220上的公共電極230。
公共電極230和第一區(qū)域A1中的透射電極940之間的第一距離d1與公共電極230和第二區(qū)域A2內(nèi)的反射電極950之間的第二距離d2基本相同。即，液晶顯示裝置1100在第一和第二區(qū)域A1和A2內(nèi)具有一致的盒間隙。
圖18是圖17的單位像素的等效電路圖。
參照圖17和18，單位像素包括第一和第二柵極線GLn-1和GLn及數(shù)據(jù)線DL。第一和第二柵極線GLn-1和GLn相互分開。第一薄膜晶體管T1包括與第一柵極線GLn-1電連接的第一柵極電極及電連接到地電壓的第一源極電極。第二薄膜晶體管T2包括與第二柵極線GLn電連接的第二柵極電極及與數(shù)據(jù)線DL電連接的第二源極電極。
第一薄膜晶體管T1的第一漏極電極與第一液晶電容器Clct和第一子電容器Cstt電連接。第一液晶電容器Clct和第一子電容器Cstt彼此并聯(lián)地電連接。第二薄膜晶體管T2的第二漏極電極與第二補償電容器Ccpr和第二子電容器Cstr電連接。第二補償電容器Ccpr和第二液晶電容器Clcr串聯(lián)地電連接。第二補償電容器Ccpr和第二液晶電容器Clcr的復合電容器與第二子電容器Cstr并聯(lián)地電連接。
第一補償電容器Ccpt與第一和第二薄膜晶體管T1和T2電連接。即，第一薄膜晶體管T1的第一漏極電極與第一補償電容器Ccpt的第一終端(terminal)電連接，且第二薄膜晶體管T2的第二漏極電極與第一補償電容器Ccpt的第二終端電連接。
第一液晶電容器Clct對應濾色器基板200的公共電極230與陣列基板903的透射電極940之間形成的電容。
第一子電容器Cstt對應第一子布線925與透射電極940之間形成的電容。
第二子電容器Cstr對應第二子布線926與反射電極950之間形成的電容。
第二液晶電容器Clcr對應反射電極950與公共電極230之間形成的電容。
第一補償電容器Ccpt對應透射電極940與補償布線928之間形成的電容。
第二補償電容器Ccpr對應反射電極950與補償布線928之間形成的電容。
當?shù)谝粬艠O電壓施加到第一柵極線GLn-1時，第一柵極電壓傳送到第一薄膜晶體管T1的第一柵極電極，從而第一薄膜晶體管T1導通。接著，施加到第一薄膜晶體管T1的第一源極電極的地電壓通過第一漏極電極輸出。然而，第二薄膜晶體管T2處于關(guān)斷(turn off)狀態(tài)，使得第二薄膜晶體管T2的第二漏極電極的電壓低于第一薄膜晶體管T1的第一漏極電極的電壓。即，第二漏極電極的電壓是負的。
這樣，當?shù)谝槐∧ぞw管T1導通時，應用到透射電極940的透射電壓Vt(或第一數(shù)據(jù)電壓)高于應用到反射電極950的反射電壓(或第二數(shù)據(jù)電壓)。
當?shù)诙艠O電壓應用到第二柵極線GLn時，第二柵極電壓傳送到第二薄膜晶體管T2的第二柵極電極。這樣，第二薄膜晶體管T2被導通。
第一柵極電壓應用到第一柵極線GLn-1，直到第二柵極電壓應用到第二柵極線GLn，使得第一薄膜晶體管T1被關(guān)斷，且同時第二薄膜晶體管T2被導通。當?shù)谝槐∧ぞw管T1被關(guān)斷時，透射電極140變?yōu)楦〗訝顟B(tài)(floatingstate)。
接著，從數(shù)據(jù)線DL應用到第二源極電極的數(shù)據(jù)電壓Vd通過第二薄膜晶體管T2的第二漏極電極輸出，從而反射電壓Vr和透射電壓Vt由于數(shù)據(jù)電壓Vd而被提高。透射電壓Vt高于反射電壓Vr。
第一、第二及第三電容C1、C2及C3如下面表達式2所限定。
表達式2C1＝Cstr+(Ccpr×Clcr)/(Ccpr+Clcr)C2＝CcptC3＝Clct+Cstt。
接著，當?shù)诙∧ぞw管T2被導通時，應用到透射電極940的透射電極Vt如下面表達式3所表示。
表達式3Vt＝1/(C1+2C2)×(2-C3/C2)×(C1+C2)×Vd如表達式3所示，透射電壓Vt高于數(shù)據(jù)電壓Vd。
<實施例7>
圖19是布置圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第七示例性實施例的液晶顯示裝置的陣列基板，且圖20是等效電路圖，示出了該液晶顯示裝置的單位像素。
圖19和20公開的液晶顯示裝置通過點反向驅(qū)動(dot reversion driving)方法來工作。
參照圖19，陣列基板905包括第一和第二柵極線GLn-1和GLn、數(shù)據(jù)線DL、第一、第二和第三薄膜晶體管T1、T2和T3、透射電極940、反射電極950及補償布線928。
第一薄膜晶體管T1包括與第一柵極線GLn-1電連接的第一柵極電極、電連接到地電壓GT的第一源極電極及與透射電極140電連接的第一漏極電極。像素區(qū)域包括第一和第二區(qū)域A1和A2。透射電極940形成在第一區(qū)域A1內(nèi)。補償布線928也形成在第一區(qū)域A1內(nèi)。補償布線928與透射電極940絕緣，且在第一區(qū)域A1內(nèi)補償布線928對著透射電極940。
第二薄膜晶體管T2包括與第二柵極線GLn電連接的第二柵極電極、與數(shù)據(jù)線DL電連接的第二源極電極及與補償布線928電連接的第二漏極電極。反射電極940形成在第二區(qū)域A2內(nèi)，使得反射電極950與透射電極940電絕緣。補償布線928也與反射電極950絕緣，且在第二區(qū)域A2內(nèi)補償布線928對著反射電極950。
第三薄膜晶體管T3包括與第一柵極線GLn-1電連接的第三柵極電極、與數(shù)據(jù)線DL電連接的第三源極電極及與補償布線928電連接的第三漏極電極。
參照圖20，第一薄膜晶體管T1的第一漏極電極與第一液晶電容器Clct及第一子電容器Cstt電連接。第一液晶電容器Clct和第一子電容器Cstt相互并聯(lián)地電連接。
第二薄膜晶體管T2的第二漏極電極與第二子電容器Cstr和第二補償電容器Ccpr電連接。第二補償電容器Ccpr與第二液晶電容器Clcr串聯(lián)地電連接。第二補償電容器Ccpr和第二液晶電容器Clcr的復合電容器與第二子電容器Cstr并聯(lián)地電連接。
第一薄膜晶體管T1通過第一補償液晶電容器Ccpt與第二薄膜晶體管T2電連接。即，第一薄膜晶體管T1的第一漏極電極與第一補償電容器Ccpt的第一終端電連接，且第二薄膜晶體管T2的第二漏極電極與第一補償電容器Ccpt的第二終端電連接。
第一補償電容器Ccpt的第二終端還與第三薄膜晶體管T3的第三漏極電極電連接。
當?shù)谝粬艠O電壓施加到第一柵極線GLn-1時，第一柵極電壓傳送到第一薄膜晶體管T1的第一柵極電極，于是第一和第三薄膜晶體管T1和T3被導通。接著，施加到第一薄膜晶體管T1的第一源極電極的地電壓通過第一薄膜晶體管T1的第一漏極電極輸出，且施加到第三薄膜晶體管T3的第三源極電極的第一數(shù)據(jù)電壓Vd1通過第三薄膜晶體管T3的第三漏極電極輸出，其中第一數(shù)據(jù)電壓Vd1為負。
接著，地電壓傳送到第一補償電容器Ccpt的第一終端，且第一數(shù)據(jù)電壓Vd1傳送到第一補償電容器Ccpt的第二終端，使得第一補償電容器Ccpt充電。
當?shù)诙艠O電壓施加到第二柵極線GLn時，第二柵極電壓傳送到第二薄膜晶體管T2的第二柵極電極，從而第二薄膜晶體管T2導通。第一柵極電壓施加到第一柵極線GLn-1，直到第二柵極電壓施加到第二柵極線GLn。這樣，當?shù)诙∧ぞw管T2被導通時，第一薄膜晶體管T1同時被關(guān)斷。因此，透射電極940保持浮接狀態(tài)。
當?shù)诙∧ぞw管T2被導通時，從數(shù)據(jù)線DL施加到第二源極電極的第二數(shù)據(jù)電壓Vd2傳送到第二漏極電極，其中第二數(shù)據(jù)電壓Vd2為正。
當?shù)诙∧ぞw管T2被導通時，第二數(shù)據(jù)電壓Vd2施加到第一補償電容器Ccpt的第二終端，且高于第二數(shù)據(jù)電壓Vd2的透射電壓Vt施加到第一補償電容器Ccpt的第一終端。
第二薄膜晶體管T2導通時施加到透射電極940的透射電壓Vt如下面表達式4所表示。
表達式4Vt＝Vd2+1/(C2+C3)×(-C3×Vd2+C2×Vd1)，其中C1、C2和C3在表達式2中表示出。
如表達式4所示，透射電壓Vt高于第二數(shù)據(jù)電壓Vd2。
<實施例8>
圖21是布置圖，示出了根據(jù)本發(fā)明第八示例性實施例的液晶顯示裝置的陣列基板。圖22是等效電路圖，示出了圖21的液晶顯示裝置的單位像素，且圖23是圖22的波形。
圖21至23公開的液晶顯示裝置通過列反向驅(qū)動(column reversiondriving)方法來工作。
參照圖21，根據(jù)本發(fā)明第八示例性實施例的液晶顯示裝置的陣列基板907包括第一柵極線GLn-1、第二柵極線GLn、第一和第二薄膜晶體管T1和T2、透射電極940、反射電極950及補償布線(compensating wiring)928。
第一薄膜晶體管T1包括與第一柵極線GLn-1電連接的第一柵極電極、與數(shù)據(jù)線DL電連接的第一源極電極及與透射電極140電連接的第一漏極電極。
像素區(qū)域包括第一和第二區(qū)域A1和A2。透射電極940形成在第一區(qū)域A1內(nèi)。在第一區(qū)域內(nèi)補償布線928對著透射電極940。補償布線928與透射電極940電絕緣。
第二薄膜晶體管T2包括與第二柵極線GLn電連接的第二柵極電極、與數(shù)據(jù)線DL電連接的第二源極電極及與補償布線928電連接的第二漏極電極。
反射電極950形成在第二區(qū)域A2內(nèi)，使得反射電極950與透射電極940電絕緣。在第二區(qū)域A2內(nèi)補償布線還對著反射電極950。
參照圖22，單位像素包括第一和第二柵極線GLn-1和GLn及數(shù)據(jù)線DL。第一薄膜晶體管T1包括與第一柵極線GLn-1電連接的第一柵極電極及與數(shù)據(jù)線DL電連接的第一源極電極。第二薄膜晶體管T2包括與第二柵極線GLn電連接的第二柵極電極及與數(shù)據(jù)線DL電連接的第二源極電極。
第一薄膜晶體管T1還包括與第一液晶電容器Clct電連接的第一漏極電極及第一子電容器Cstt。第一液晶電容器Clct和第一子電容器Cstt相互并聯(lián)地電連接。
第二薄膜晶體管T2還包括與第二子電容器Cstr及第二補償電容器Ccpr電連接的第二漏極電極。第二補償電容器Ccpr與第二液晶電容器Clcr串聯(lián)地電連接。第二補償電容器Ccpr和第二液晶電容器Clcr的復合電容器與第二子電容器Cstr并聯(lián)地電連接。第一液晶電容器Clct和第一子電容器Cstt的復合電容器與第一補償電容器Ccpt的第一終端電連接，且第二薄膜晶體管T2的第二漏極電極與第一補償電容器Ccpt的第二終端電連接。
當?shù)谝粬艠O電壓施加到第一柵極線GLn-1時，第一柵極電壓傳送到第一薄膜晶體管T1的第一柵極電極，從而第一薄膜晶體管T1被導通。這樣，施加到第一薄膜晶體管T1的第一源極電極的第一數(shù)據(jù)電壓Vd1傳送到第一薄膜晶體管T1的第一漏極電極。第一數(shù)據(jù)電壓Vd1相當施加到透射電極940的透射電壓Vt。
第二薄膜晶體管T2處于關(guān)斷狀態(tài)，從而第二薄膜晶體管T2的第二漏極電極保持在低于第一薄膜晶體管T1的第一漏極電極的電壓狀態(tài)。即，第二漏極電極的電壓為負。
這樣，施加到反射電極950的反射電壓Vr(或第二數(shù)據(jù)電壓)低于透射電壓Vt(或第一數(shù)據(jù)電壓)。
當?shù)诙艠O電壓施加到第二柵極線GLn時，第二柵極電壓傳送到第二薄膜晶體管T2的第二柵極電極，從而第二薄膜晶體管T2導通。
第一柵極電壓施加到第一柵極線GLn-1，直到第二柵極電壓施加到第二柵極線GLn，使得第二薄膜晶體管T2被導通，且第一薄膜晶體管T1同時被關(guān)斷。這樣，當?shù)谝槐∧ぞw管T1被關(guān)斷時，透射電極940變?yōu)楦〗訝顟B(tài)。
當?shù)诙∧ぞw管T2被導通時，從數(shù)據(jù)線DL施加到第二源極電極的第二數(shù)據(jù)電壓Vd2傳送到第二漏極電極。
第一和第二數(shù)據(jù)電壓Vd1和Vd2為正，且第一數(shù)據(jù)電壓Vd1低于第二數(shù)據(jù)電壓Vd2。
由于第二數(shù)據(jù)電壓Vd2，反射電壓Vr和透射電壓Vt都被提高到高于第二數(shù)據(jù)電壓Vd2。透射電壓Vt高于反射電壓Vr。
表達式5Vt＝1/(C1+C2)×[(2-C3/C2)×(C1+C2)×Vd2+(C1+C2)×Vd1]，其中C1、C2和C3在表達式2中表示。
如表達式5所示，透射電壓Vt高于第二數(shù)據(jù)電壓Vd2。
工業(yè)實用性根據(jù)本發(fā)明，第一電壓施加到像素區(qū)域的第一區(qū)域內(nèi)形成的透射電極，且低于第一電壓的第二電壓施加到像素區(qū)域的第二區(qū)域內(nèi)形成的反射電極。
這樣，反射電極的反射率和透射電極的透射率同時提高，同時液晶顯示裝置保持一致的盒間隙。
另外，不需要額外的工藝，從而生產(chǎn)率得到提高。
盡管已經(jīng)描述了本發(fā)明的示例性實施例，但可以理解本發(fā)明不應局限于這些示例性實施例，在所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)，本領域的普通技術(shù)人員可以做出各種變化和改動。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括柵極線；數(shù)據(jù)線，其與所述柵極線交叉從而限定包括第一和第二區(qū)域的像素區(qū)域；開關(guān)器件，其電連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；透射電極，其電連接到所述開關(guān)器件，所述透射電極形成在所述第一區(qū)域中；反射電極，其與所述透射電極電絕緣，所述反射電極形成在鄰近所述第一區(qū)域的所述第二區(qū)域中；以及補償布線，其電連接到所述開關(guān)器件，所述補償布線在所述第二區(qū)域中對著所述反射電極，絕緣層插在所述補償布線和所述反射電極之間。
2.如權(quán)利要求1的陣列基板，其中所述開關(guān)器件相當薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括電連接到所述柵極線的柵極電極、電連接到所述數(shù)據(jù)線的源極電極、及電連接到所述透射電極和所述補償布線的漏極電極。
3.如權(quán)利要求1的陣列基板，其中所述補償布線和所述數(shù)據(jù)線由相同層形成。
4.一種陣列基板，包括第一柵極線；第二柵極線，其與所述第一柵極線電絕緣；數(shù)據(jù)線，其與所述第一和第二柵極線交叉從而限定包括第一和第二區(qū)域的像素區(qū)域；第一開關(guān)器件，其電連接到所述第一柵極線和所述數(shù)據(jù)線；第二開關(guān)器件，其電連接到所述第二柵極線；透射電極，其電連接到所述第二開關(guān)器件，所述透射電極形成在所述第一區(qū)域中；反射電極，其與所述透射電極電絕緣，所述反射電極形成在鄰近所述第一區(qū)域的所述第二區(qū)域中；以及補償布線，其電連接到所述第一開關(guān)器件，所述補償布線對著所述反射電極和所述透射電極，絕緣層插在所述補償布線和所述反射電極之間以及所述補償布線與所述透射電極之間。
5.如權(quán)利要求4的陣列基板，其中所述第一開關(guān)器件相當?shù)谝槐∧ぞw管，該第一薄膜晶體管包括電連接到所述第二柵極線的柵極電極、電連接到所述數(shù)據(jù)線的源極電極、及電連接到所述補償布線的漏極電極。
6.如權(quán)利要求4的陣列基板，其中所述第二開關(guān)器件相當?shù)诙∧ぞw管，該第二薄膜晶體管包括電連接到所述第一柵極線的柵極電極、電連接到地電壓的源極電極、及電連接到所述透射電極的漏極電極。
7.如權(quán)利要求6的陣列基板，還包括第三薄膜晶體管，該第三薄膜晶體管包括電連接到所述第一柵極線的柵極電極、電連接到所述數(shù)據(jù)線的源極電極、及電連接到所述補償布線的漏極電極。
8.如權(quán)利要求4的陣列基板，其中所述第二開關(guān)器件相當?shù)诙∧ぞw管，該第二薄膜晶體管包括電連接到所述第一柵極線的柵極電極、電連接到所述數(shù)據(jù)線的源極電極、及電連接到所述透射電極和所述補償布線的漏極電極。
9.如權(quán)利要求4的陣列基板，還包括電路，該電路使得所述第一柵極線保持第一驅(qū)動信號直到所述第二柵極線接收第二驅(qū)動信號。
10.如權(quán)利要求4的陣列基板，其中所述補償布線和所述數(shù)據(jù)線由相同層形成。
11.一種液晶顯示裝置，包括i)第一基板，包括柵極線；數(shù)據(jù)線，其與所述柵極線交叉從而限定包括第一和第二區(qū)域的像素區(qū)域；開關(guān)器件，其電連接到所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；透射電極，其電連接到所述開關(guān)器件，所述透射電極形成在所述第一區(qū)域中；反射電極，其與所述透射電極電絕緣，所述反射電極形成在鄰近所述第一區(qū)域的所述第二區(qū)域中；以及補償布線，其電連接到所述開關(guān)器件，所述補償布線在所述第二區(qū)域中對著所述反射電極，絕緣層插在所述補償布線和所述反射電極之間；ii)第二基板，其包括對著所述透射電極和所述反射電極的公共電極；以及iii)液晶層，其插在所述第一和第二基板之間。
12.一種液晶顯示裝置，包括i)第一基板，包括第一柵極線；第二柵極線，其與所述第一柵極線電絕緣；數(shù)據(jù)線，其與所述第一和第二柵極線交叉從而限定包括第一和第二區(qū)域的像素區(qū)域；第一開關(guān)器件，其電連接到所述第一柵極線和所述數(shù)據(jù)線；第二開關(guān)器件，其電連接到所述第二柵極線；透射電極，其電連接到所述第二開關(guān)器件，所述透射電極形成在所述第一區(qū)域中；反射電極，其與所述透射電極電絕緣，所述反射電極形成在鄰近所述第一區(qū)域的所述第二區(qū)域中；以及補償布線，其電連接到所述第一開關(guān)器件，所述補償布線對著所述反射電極和所述透射電極，絕緣層插在所述補償布線和所述反射電極之間以及所述補償布線與所述透射電極之間；ii)第二基板，其包括對著所述透射電極和所述反射電極的公共電極；以及iii)液晶層，其插在所述第一和第二基板之間。
13.一種液晶顯示裝置，包括第一基板，其包括第一和第二開關(guān)器件、透射電極和反射電極，所述第一開關(guān)器件電連接到數(shù)據(jù)線和柵極線，所述第二開關(guān)器件電連接到所述第一開關(guān)器件，所述透射電極和所述反射電極分別電連接到所述第一和第二開關(guān)器件或相反；第二基板，其包括對著所述第一和第二電極的公共電極；以及液晶層，其插在所述第一和第二基板之間。
14.如權(quán)利要求13的液晶顯示裝置，其中所述第一開關(guān)器件相當?shù)谝籒MOS晶體管，該晶體管包括電連接到所述數(shù)據(jù)線的第一電極、電連接到所述柵極線的第二電極、及電連接到所述透射電極的第三電極，并且所述第二開關(guān)器件相當?shù)诙﨨MOS晶體管，該晶體管包括電連接到所述第三電極的第四電極、電連接到所述柵極線的第五電極、及電連接到所述反射電極的第六電極。
15.如權(quán)利要求13的液晶顯示裝置，其中施加到所述反射電極的第一電壓低于施加到所述透射電極的第二電壓。
16.一種液晶顯示裝置，包括第一基板，其包括電連接到數(shù)據(jù)線和柵極線的開關(guān)器件、電連接到所述開關(guān)器件的透射電極、電連接到所述開關(guān)器件的反射電極、及對著所述反射電極的金屬布線，絕緣層插在所述金屬布線和所述反射電極之間；第二基板，其包括對著所述透射電極和所述反射電極的公共電極；以及液晶層，其插在所述第一和第二基板之間。
17.如權(quán)利要求16的液晶顯示裝置，其中所述柵極線突出從而形成對著所述反射電極的所述金屬布線。
18.一種液晶顯示裝置，包括第一基板，其包括具有開關(guān)器件和電連接到所述開關(guān)器件的多個像素電極的像素區(qū)域；第二基板，其包括多個公共電極，各個所述公共電極對應各個所述像素電極；以及液晶層，其插在所述第一和第二基板之間。
19.如權(quán)利要求18的液晶顯示裝置，其中所述像素電極包括透射電極，其使得從所述第一基板的后側(cè)提供的第一光透過該透射電極；以及反射電極，其反射從所述第二基板的前側(cè)提供的第二光。
20.如權(quán)利要求19的液晶顯示裝置，其中所述公共電極包括第一公共電極，其對著所述透射電極；以及第二公共電極，其與所述第一公共電極電絕緣，所述第二公共電極對著所述反射電極。
21.如權(quán)利要求20的液晶顯示裝置，其中第一電壓施加到所述第一公共電極，并且低于所述第一電壓的第二電壓施加到所述第二公共電極。
22.一種驅(qū)動液晶顯示裝置的方法，包括施加柵極電壓到柵極線；響應所述柵極電壓，輸出從數(shù)據(jù)線提供的數(shù)據(jù)電壓；施加所述數(shù)據(jù)電壓到透射電極作為透射電壓；施加從所述數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生的反射電壓到反射電極，所述反射電壓低于所述數(shù)據(jù)電壓；以及施加基準電壓到對著所述反射電極和所述透射電極的公共電極。
23.一種驅(qū)動液晶顯示裝置的方法，包括施加第一柵極電壓到第一柵極線；響應所述第一柵極電壓，輸出從數(shù)據(jù)線提供的第一數(shù)據(jù)電壓；施加從所述第一數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生的透射電壓到透射電極，所述透射電壓高于所述第一數(shù)據(jù)電壓；施加從所述第一數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生的反射電壓到反射電極，所述反射電壓低于所述第一數(shù)據(jù)電壓；以及施加基準電壓到對著所述反射電極和所述透射電極的公共電極。
24.如權(quán)利要求23的方法，在施加所述第一電壓到所述第一柵極線之前，還包括施加第二柵極電壓到第二柵極線；響應所述第二柵極電壓輸出地電壓；施加所述地電壓到所述透射電極；以及施加低于所述地電壓的電壓到所述反射電極。
25.如權(quán)利要求24的方法，其中所述第二柵極線保持第二驅(qū)動電壓，直到所述第一驅(qū)動電壓施加到所述第二柵極線。
26.如權(quán)利要求23的方法，在施加所述第一電壓到所述第一柵極線之前，還包括施加第二柵極電壓到第二柵極線；響應所述第二柵極電壓而輸出地電壓；響應所述第二柵極電壓而輸出從所述數(shù)據(jù)線提供的第二數(shù)據(jù)電壓；施加所述地電壓到所述透射電極；以及施加所述第二數(shù)據(jù)電壓到所述反射電極。
27.如權(quán)利要求26的方法，其中所述第二數(shù)據(jù)電壓的相位與所述第一數(shù)據(jù)電壓的相位相反。
28.如權(quán)利要求23的方法，還包括施加第二柵極電壓到所述第二柵極線；響應所述第二柵極電壓而輸出從所述數(shù)據(jù)線提供的第二數(shù)據(jù)電壓；施加所述第二數(shù)據(jù)電壓到所述透射電極；以及在施加第一柵極電壓到第一柵極線之前，施加從所述第二數(shù)據(jù)電壓降低的降低了的數(shù)據(jù)電壓到所述反射電極。
29.如權(quán)利要求28的方法，其中所述第二數(shù)據(jù)電壓與所述第一數(shù)據(jù)電壓具有相同的相位。
全文摘要
一種陣列基板，包括柵極線(GL)、數(shù)據(jù)線(DL)、開關(guān)器件(920)、透射電極(940)、反射電極(950)和補償布線(928)。像素區(qū)域(PA)包括第一和第二區(qū)域(A1，A2)。開關(guān)器件(920)連接到柵極線(GL)和數(shù)據(jù)線(DL)。透射電極(940)連接到開關(guān)器件(920)。透射電極(940)形成在第一區(qū)域(A1)中。反射電極(950)與透射電極(940)絕緣。反射電極(950)形成在鄰近第一區(qū)域(A1)的第二區(qū)域(A2)中。補償布線(928)連接到開關(guān)器件(920)。補償布線(928)在第二區(qū)域(A2)中對著反射電極(950)，絕緣層插在它們之間。因此，反射電極(950)的反射率和透射電極(940)的透射率同時提高，同時液晶顯示裝置保持一致的盒間隙。
文檔編號G02F1/1335GK1720480SQ200380104610
公開日2006年1月11日 申請日期2003年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2002年12月21日
發(fā)明者金熙燮, 樸源祥, 金相日, 司空同軾, 梁英喆, 洪性奎, 金鐘來 申請人:三星電子株式會社