專利名稱：低溫多晶硅顯示裝置及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)顯示裝置及其制作方法。
背景技術(shù)：
晶體管驅(qū)動液晶顯示器因為具有輕薄的優(yōu)點(diǎn)，逐漸取代陰極射線管，成為顯示器的主流。但是隨著信息科技的蓬勃發(fā)展，及更高分辨率與信息顯示大容量化的需求，傳統(tǒng)非晶硅薄膜晶體管驅(qū)動液晶顯示器(a-si TFT LCD)的效能已不敷需求，于是業(yè)界開始發(fā)展具有更優(yōu)異性能的低溫多晶硅顯示裝置技術(shù)，其優(yōu)勢在于能將驅(qū)動電路直接制作于玻璃基板上(System On Glass，SOG)，以有效降低集成驅(qū)動電路的成本，因應(yīng)平面顯示器市場的需求。
一般低溫多晶硅顯示裝置技術(shù)是利用薄膜沉積、黃光微影、蝕刻制程制造薄膜晶體管與像素電極。但是在薄膜沉積制作過程中，激光退火制程為其中的關(guān)鍵技術(shù)，該制程步驟的成功與否，影響薄膜晶體管特性極大。
一種現(xiàn)有技術(shù)揭示一種利用準(zhǔn)分子激光退火制程制作一低溫多晶硅薄膜的方法，可參閱2004年1月29日公開的第2004/0018649號美國專利申請。如圖1所示，該方法包含以下幾個步驟提供一玻璃基底110；在該絕緣基板110表面形成一非晶硅薄膜112，該非晶硅薄膜112由第一區(qū)域114與第二區(qū)域116組成；該第一區(qū)域114位于該非晶硅薄膜112的中心處，該第二區(qū)域116位于該非晶硅薄膜112的外緣，116為一傾斜壁構(gòu)造，非晶硅薄膜112具有一厚度，由非晶硅薄膜112厚度設(shè)定該準(zhǔn)分子激光退火制程的制程邊界，使第一區(qū)域114處的非晶硅薄膜112的厚度維持于某一特定厚度，然后在一反應(yīng)室中進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火制程，以使該制程邊界內(nèi)的非晶硅薄膜112再結(jié)晶成一多晶硅薄膜；當(dāng)制程邊界內(nèi)的該非晶硅薄膜的厚度大于一臨界厚度400，該非晶硅薄膜在進(jìn)行該準(zhǔn)分子激光退火制程時產(chǎn)生消熔現(xiàn)象(Ablation)，最后在絕緣基板110上制作驅(qū)動電路區(qū)域與顯示面板區(qū)域。
請參照圖2，是一種現(xiàn)有技術(shù)中在準(zhǔn)分子激光退火制程制作一低溫多晶硅薄膜基礎(chǔ)上制作的低溫多晶硅顯示裝置200的結(jié)構(gòu)示意圖，該低溫多晶硅顯示裝置包括絕緣基板220、驅(qū)動電路區(qū)域210、多個驅(qū)動電路211、顯示面板區(qū)域230及其中的多個像素單元222。其中，驅(qū)動電路區(qū)域210與顯示面板區(qū)域230連接在一起，多個驅(qū)動電路211與多個像素單元222位于其上，且多個驅(qū)動電路211跟隨多個像素單元222設(shè)置。由于絕緣基板220上進(jìn)行準(zhǔn)分子激光退火制程并非一次完成，而是多次掃描逐次完成，所以制成的多晶硅薄膜的薄膜晶體管特性并不均勻，同時，驅(qū)動電路區(qū)域210于薄膜晶體管特性均勻度的要求(±10～100mV)，較顯示面板區(qū)域230內(nèi)部薄膜晶體管開關(guān)組件的要求(±1～2V)高出甚多，而且現(xiàn)階段低溫多晶硅顯示裝置一般排布狀況，驅(qū)動電路211跟隨多個像素單元222分布在整個基板上，這對制程而言均勻性的難度甚高，當(dāng)絕緣基板220上某處準(zhǔn)分子激光退火制程的均勻度不高時，如果僅某個驅(qū)動電路211不良造成廢品，則與的相連的顯示面板區(qū)域230無論良莠也會報廢，造成良率低，增加成本。

發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)中低溫多晶硅顯示裝置良率低且成本高的問題，本發(fā)明提供一種良率高且成本低的低溫多晶硅顯示裝置。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種低溫多晶硅顯示裝置，其包括一顯示面板、一絕緣基板及一低溫多晶硅驅(qū)動電路，該絕緣基板表面具有一低溫多晶硅薄膜，該低溫多晶硅驅(qū)動電路是形成于該低溫多晶硅薄膜上，并且與該顯示面板電性連接，該顯示面板是由一顯示基板切割而成。
為了克服現(xiàn)有技術(shù)中低溫多晶硅顯示裝置制作方法良率低且成本高的問題，本發(fā)明又提供一種制程良率高且成本低的低溫多晶硅顯示裝置制作方法。
本發(fā)明低溫多晶硅顯示裝置制作方法包括以下步驟提供兩基板，其中一基板為顯示基板，其包括多個顯示面板，一基板為絕緣基板；在該絕緣基板上形成一多晶硅薄膜；在該低溫多晶硅薄膜上形成多個驅(qū)動電路；切割該顯示基板以形成多個顯示面板；切割該絕緣基板以形成多個驅(qū)動電路；電連接該顯示面板與該驅(qū)動電路。
和現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的有益效果是由于本發(fā)明的低溫多晶硅顯示裝置的驅(qū)動電路與顯示面板分別制作在不同基板上，將驅(qū)動電路集中在某一基板內(nèi)，可降低制程變異因素對均勻性的影響程度，所以可以提升低溫多晶硅顯示裝置面板及驅(qū)動電路整體制作良率，減少生產(chǎn)的成本。

圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)中以準(zhǔn)分子激光退火制程制作低溫多晶硅薄膜的方法示意圖。
圖2是一種現(xiàn)有技術(shù)的低溫多晶硅顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明的低溫多晶硅顯示裝置的后續(xù)連接示意圖。
圖4是本發(fā)明的低溫多晶硅顯示裝置的驅(qū)動電路區(qū)域局部示意圖。
圖5是本發(fā)明的低溫多晶硅顯示裝置的局部示意圖。
圖6是本發(fā)明的低溫多晶硅顯示裝置的制作流程圖。
具體實施方式
請參閱圖3至圖5，是本發(fā)明低溫多晶硅顯示裝置的示意圖。該低溫多晶硅顯示裝置包括驅(qū)動電路311、像素單元322及軟性電路板430，其中，驅(qū)動電路311的接腳與像素單元322的薄膜晶體管矩陣接腳利用軟性電路板430或?qū)щ姴馁|(zhì)相結(jié)合。在本發(fā)明中，驅(qū)動電路311與像素單元322分別制作在不同的中小尺寸低溫多晶硅薄膜基板310與330上，驅(qū)動電路區(qū)域310上包括多個驅(qū)動電路311，顯示面板330上包括多個像素單元322，后續(xù)將驅(qū)動電路區(qū)域310上的驅(qū)動電路311，和顯示面板330上的像素單元322，根據(jù)實際生產(chǎn)的需要切割，然后連接。
請同時參閱圖6，是本發(fā)明低溫多晶硅顯示裝置的制作流程圖。該低溫多晶硅顯示裝置的制作方法包括以下步驟提供兩基板，其中一基板為顯示基板330，一基板為絕緣基板320(步驟10)，在該絕緣基板320的表面進(jìn)行一第一電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制程(步驟20)，其中該絕緣基板可為玻璃基板或石英基板，在該絕緣基板320的表面形成一非晶硅層，再進(jìn)行一準(zhǔn)分子激光退火制程以使該非晶硅層再結(jié)晶形成多晶硅薄膜(步驟30)，該多晶硅薄膜的表面包括多個源極區(qū)域、多個柵極區(qū)域、多個漏極區(qū)域以及多個信道區(qū)域；進(jìn)行一第二電漿增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積制程，在該信道區(qū)域形成一以四乙氧基硅烷為主的氧化硅層(步驟40)，分別在形成的低溫多晶硅薄膜基板上制作驅(qū)動電路區(qū)域310與顯示面板區(qū)域330，然后根據(jù)實際生產(chǎn)的需求，將顯示基板切割成多個顯示面板，將絕緣基板切割成多個驅(qū)動電路(步驟50)，利用軟性電路板430或?qū)щ姴馁|(zhì)將驅(qū)動電路311的接腳與像素單元322的薄膜晶體管矩陣接腳相連接(步驟60)。
由于驅(qū)動電路在薄膜晶體管特性均勻度的要求上，較顯示區(qū)域內(nèi)部薄膜晶體管開關(guān)組件高出甚多，因此本發(fā)明的低溫多晶硅顯示裝置的驅(qū)動電路與顯示面板在不同基板上制作，將驅(qū)動電路集中在某一基板內(nèi)，可降低制程變異因素對均勻性的影響程度，提升低溫多晶硅顯示裝置及驅(qū)動電路整體制作良率，減少生產(chǎn)的成本。
本發(fā)明低溫多晶硅顯示裝置并不限于上述實施方式所述，例如該顯示面板還可以是非晶硅顯示面板。
權(quán)利要求
1.一種低溫多晶硅顯示裝置，其包括一顯示面板和一低溫多晶硅驅(qū)動電路，其特征在于進(jìn)一步包括一絕緣基板，該絕緣基板表面具有一低溫多晶硅薄膜，該低溫多晶硅驅(qū)動電路是形成于該低溫多晶硅薄膜上，并且與該顯示面板電性連接，該顯示面板是由一顯示基板切割而成。
2.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于該絕緣基板是玻璃基板或石英基板。
3.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于該低溫多晶硅薄膜的表面包含有多個源極區(qū)域、多個柵極區(qū)域、多個漏極區(qū)域以及多個信道區(qū)域。
4.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于該顯示面板包含多個像素單元。
5.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于該顯示面板是低溫多晶硅顯示面板或非晶硅顯示面板。
6.如權(quán)利要求1所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于該低溫多晶硅驅(qū)動電路與該顯示面板是通過軟性電路板電性連接。
7.一種低溫多晶硅顯示裝置的制作方法，其包括以下步驟提供兩基板，其中一基板為顯示基板，其包括多個顯示面板，一基板為絕緣基板，在該絕緣基板上形成一多晶硅薄膜；在該多晶硅薄膜上形成多個驅(qū)動電路，切割該顯示基板以形成多個顯示面板，切割該絕緣基板以形成多個驅(qū)動電路；電連接該顯示面板與該驅(qū)動電路。
8.如權(quán)利要7所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于該顯示面板包含多個像素單元。
9.如權(quán)利要求7所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于該顯示面板是低溫多晶硅顯示面板或非晶硅顯示面板。
10.如權(quán)利要求7所述的低溫多晶硅顯示裝置，其特征在于連接該顯示面板與該驅(qū)動電路的材料為性電路板。
全文摘要
本發(fā)明公開一種低溫多晶硅顯示裝置及其制作方法。該低溫多晶硅顯示裝置包括一顯示面板、一絕緣基板及一低溫多晶硅驅(qū)動電路，該絕緣基板表面具有一低溫多晶硅薄膜，該低溫多晶硅驅(qū)動電路是形成于該低溫多晶硅薄膜上，并且與該顯示面板電性連接，該顯示面板是由一顯示基板切割而成。同時提供該低溫多晶硅顯示裝置的制作方法。
文檔編號G02F1/13GK1690774SQ20041002710
公開日2005年11月2日 申請日期2004年4月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月28日
發(fā)明者謝朝樺, 彭家鵬 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司