專利名稱：用于提供基于任務(wù)的自動化的光刻掩模缺陷適印性分析的系統(tǒng)和方法
相關(guān)申請本申請是2003年2月20日提交的名為“用于基于網(wǎng)絡(luò)的掩模缺陷適印性分析系統(tǒng)的用戶界面”的美國專利申請10/372066的系列申請，該申請是2000年4月7日提交的名為“用于基于網(wǎng)絡(luò)的掩模缺陷適印性分析系統(tǒng)的方法和裝置”的美國專利申請09/544798的分案申請，而此申請又是1998年8月7日提交的名為“可視檢查和檢定系統(tǒng)”的美國專利申請09/154397的系列申請，該申請又依次涉及1997年9月17日提交的名為“掩模檢定校正和設(shè)計規(guī)則校驗”的美國臨時專利申請60/059306。所有這些申請都在此一并作為參考。
背景技術(shù)：
發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域。本發(fā)明特別涉及一種方法和系統(tǒng)，用于分析基于任務(wù)的自動化的集成電路制造過程中所使用的二進制強度掩模、相移掩模以及下一代光刻(NGL)掩模上的缺陷。
相關(guān)技術(shù)描述在設(shè)計集成電路(IC)的過程中，典型地，工程師依賴計算機模擬工具以輔助生成一個電路示意圖樣，該示意圖樣由多個單獨器件組成，這些器件耦合在一起以完成某一功能。為了在半導體基底上實際制造這個電路，必須將該電路轉(zhuǎn)化為實物表現(xiàn)形式，即電路圖。此外，計算機輔助設(shè)計(CAD)工具輔助電路圖設(shè)計者，將分立的電路元件組合成形，該形狀將各個器件本身包含在完成的IC當中。這些形狀配置了電路的單獨組件，例如柵電極、場效氧化區(qū)域、散射區(qū)域、金屬互聯(lián)等。
一旦生成了電路的電路圖，制造集成電路的下一個步驟是將該電路圖轉(zhuǎn)移到半導體基底上。一種方法就是使用光刻處理，在光刻處理中該電路圖首先被轉(zhuǎn)移到實物模板上，該模板順次被用于將電路圖光學投影到晶片上。
在將電路圖轉(zhuǎn)移到實物模板上的過程中，通常為集成電路圖樣的每一層生成一個掩模(例如鍍有鉻合金的石英片)。這是通過將表示該層電路樣的數(shù)據(jù)輸入到裝置中完成的，該裝置例如電子束機構(gòu)，其將集成電路的電路案記錄到掩模材料中。在復雜程度和密集程度更小的集成電路中，每個掩模所包含的幾何形狀表示其相對應(yīng)層的理想電路圖案。在復雜程度和密集程度更大的集成電路中，其中電路特征的大小接近于光刻處理的光學極限，該掩模也可以包含光學臨近校正(OPC)特征，例如襯線、錘頭、斜線和輔助條。在其他先進的電路設(shè)計中，相移掩模通過加強光刻處理的對比度可以用來防止處理的某個基本光學極限的出現(xiàn)。
這些掩模繼而被用于將電路圖光學投影到鍍有抗蝕劑材料的硅晶片上。對于圖樣的每一層來講，光(可見/非可見的輻射)照射到對應(yīng)于該層的掩模上。該光通過掩模的透明區(qū)域，該區(qū)域的圖像使下面的抗蝕劑層曝光，并且該光被掩模的不透明區(qū)域遮擋，從而保持下面的那部分抗蝕劑層未曝光。(注意前述的例子是以現(xiàn)在這一代DUV光刻為基礎(chǔ)的。在下一代光刻中，例如x射線光刻，該掩模的作用稍有不同。)然后，對已曝光的抗蝕劑層顯影，典型地通過化學移除抗蝕劑層的曝光/非曝光區(qū)域。其結(jié)果是鍍有抗蝕劑層的半導體晶片顯示出了所需要的圖案，該圖案限定了該層的幾何形狀、特征、線和形狀。繼而對該樣本的每一層都重復這個處理過程。
隨著集成電路的設(shè)計變得更為復雜，用于光刻中的掩模要精確地表現(xiàn)原始圖樣電路圖也變得更為重要。不幸的是，用于制造這些掩模的電子束和其他機構(gòu)仍存在誤差。因此，在典型的制造過程中，所控制的過程之外總會出現(xiàn)一些掩模的缺陷。
掩模上的缺陷是與圖樣數(shù)據(jù)庫不同并被檢查工具和檢查工程師認為不可接受的地方。掩?？梢园鄠€不透明區(qū)域(典型地由鉻合金制成)以及多個透明區(qū)域(典型地由石英制成)。在明視場掩模中，背景是透明的，并且由不透明區(qū)域限定電路圖案。在暗視場掩模中，背景是不透明的，并且由透明區(qū)域限定電路圖案。在明視場掩模制造過程中出現(xiàn)的共同的掩模缺陷，包括例如透明區(qū)域中分離不透明點的缺陷、不透明區(qū)域中分離的透明針孔缺陷、不透明區(qū)域中邊緣侵入的缺陷、透明區(qū)域中邊緣突出的缺陷、不透明區(qū)域中幾何突變的缺陷，以及透明區(qū)域中幾何橋式缺陷。相似類型的缺陷頁也會出現(xiàn)在暗視場掩模制造過程中。缺陷也可能出現(xiàn)在集成電路塊上所提供的OPC特征中。
在設(shè)計了集成電路并生成了數(shù)據(jù)文件之后，將該掩模圖樣數(shù)據(jù)被提供到諸如電子束或激光記錄機構(gòu)的裝置中并且制作掩模。繼而檢查掩模是否有缺陷。在這個檢查過程中，可以使用高分辨率顯微鏡(例如光學、掃描電子、聚焦離子束、原子力和近場光學顯微鏡)掃描該掩模的表面，該顯微鏡捕獲掩模的圖像。
繼而可以由工程師離線觀察這些掩模圖像，或者也可以由掩模制造工人在線進行觀察，以確認實物掩模上的缺陷。然后，確定接受檢查的掩模是否具有足夠良好的性能以用于光刻處理中。可以由有經(jīng)驗的檢查工程師離線進行確定，也可以由掩模制造工人在線確定，可以借助于檢查軟件。如果沒有缺陷，或者所發(fā)現(xiàn)的缺陷在制造者或使用者所規(guī)定的公差范圍內(nèi)，那么該掩模通過了檢查并可以用于曝光晶片。如果所發(fā)現(xiàn)的缺陷落到了公差范圍之外，那么該掩模未通過檢查，并確定其能否被清洗和/或修理以校正缺陷，以及缺陷是否嚴重以至于必須制造新的掩模。這個過程持續(xù)到所制造的掩模通過了檢查為止。
在一實施例中，可以進一步檢查該掩模以確保晶片被通過掩模的光曝光之后，該掩模會在抗蝕劑上產(chǎn)生理想的圖像。這個檢查通常包括利用受檢掩模對晶片進行曝光和處理。然后，確定在經(jīng)過處理的晶片上是否有缺陷并且該缺陷是否落在公差之內(nèi)。如果所發(fā)現(xiàn)的缺陷是比較大的，那么，和前面一樣，確定該缺陷能否被修理或者是否必須制作新的掩模。這個過程持續(xù)到制造出可以產(chǎn)生理想晶片圖案和可以通過晶片標準檢查，從而終止檢查的掩模為止。這個掩模繼而將被用于光刻處理中，以在整個制造過程中用于曝光相應(yīng)的層。
缺陷檢查的目的是為了準確地識別缺陷以避免不成功的晶片處理。然而，相對于理想結(jié)果，即精確地表示了抗蝕劑材料上的原始圖樣電路圖或者被蝕刻入硅的原始圖樣電路圖，不是所有的掩模缺陷都是重要的。特別地，不是所有的掩模缺陷都將“印刷”。不準確地說，缺陷的適印性是指缺陷如何對所給的光刻術(shù)和/或晶片處理方法的結(jié)果產(chǎn)生影響，該處理方法包括蝕刻、植入等。由于缺陷的適印性主要與分檔器曝光條件有關(guān)，對于一組特定的分檔器曝光條件來說，缺陷可以是“不可印的”，而在另一組分檔器曝光條件下則是“可印的”。對于光刻術(shù)，這些條件可以包括，例如缺陷大小、波長、數(shù)值孔徑、相干因數(shù)、照明模式、曝光時間、曝光聚焦/散焦、缺陷位置、周圍特征以及缺陷的反射/透射特性。
相應(yīng)地，在任何掩模檢查系統(tǒng)中，所要作出的重要決定就是在特定條件下，給定的缺陷在光刻處理中是否將會“印刷”到下面的抗蝕劑上。如果掩模缺陷不會印刷或者其不會對光刻處理有其他影響(例如不可接受地使處理窗口變窄)，那么具有該缺陷的掩模仍可提供可接受意的結(jié)果。因此，可以避免因?qū)⑷毕莶粫∷⒌难谀＿M行修理和/或替換所付出的時間和金錢花費。所想要得到的是這樣一種方法和系統(tǒng)，其用于快速和精確地分析光刻處理中所使用的掩模上的缺陷。
發(fā)明概述提供從電路圖到晶片的精確圖案轉(zhuǎn)移，是設(shè)計公司、掩模工場和晶片制造工廠的根本目標。檢查掩模的缺陷是確保這個精確圖案轉(zhuǎn)移中必要的步驟。特別地，如果掩模的缺陷嚴重，那么晶片上所形成的集成電路(ICs)的功能性將受到危害。這種情況下，掩模上的缺陷必須得到修理(如果是可修理的)或者必須重新制造該掩模。另一方面，如果該掩模缺陷被認為是不會影響IC功能性的擾亂缺陷，那么該缺陷不需要進行修理，從而為其它任務(wù)節(jié)省了人力和設(shè)備資源。
依照本發(fā)明的一個特征，具有任務(wù)自動化的缺陷分析工具能夠有利地確定缺陷的適印性。特別地，這個缺陷分析工具可以利用所捕獲的掩模圖像，以模擬在給定的分檔器條件下，該掩模所提供的晶片曝光。所捕獲的文件圖像可被提供到具有標準掩模格式文件(MFF)的掩模文件中。在另一實施例中，非MFF掩模數(shù)據(jù)可被轉(zhuǎn)化成MFF文件。
用戶可以利用該掩模文件指定所要運行的任務(wù)。重要的是，該任務(wù)定義了與處理有關(guān)的參數(shù)以提供缺陷分析。這些參數(shù)可以包括與掩模有關(guān)的設(shè)置，例如掩模類型、掩模的相位和/或掩模的透射率。這些參數(shù)還可以包括與提供了掩模文件信息的檢查系統(tǒng)有關(guān)的設(shè)置。這些檢查系統(tǒng)設(shè)置可以包括檢查系統(tǒng)廠商、檢查系統(tǒng)型號和/或用于執(zhí)行檢查的參數(shù)。該參數(shù)還可以包括與可在光刻過程中用于曝光掩模的分檔器有關(guān)的設(shè)置。這些分檔器設(shè)置可以包括波長、數(shù)值孔徑、縮減量、散焦和/或照明。因此，考慮任何與掩模、檢查系統(tǒng)和分檔器有關(guān)的參數(shù)數(shù)量可以計算出晶片模擬情況，從而提高確定適印性的精確性。
重要的是，可以均勻地進行為掩模上的缺陷提供缺陷分析的過程。這種均勻性，無需附加的用戶輸入就可以使缺陷分析工具有效地運行多個任務(wù)。例如，在一實施例中，任務(wù)管理器可以允許多個任務(wù)同時運行。該任務(wù)管理器也可以安排多個計算資源以運行一個或多個任務(wù)。
依照本發(fā)明的另一個特征，利用多個級別可以表現(xiàn)出用戶復查的結(jié)果。例如，第一復查級別可以包括對缺陷所進行的模擬的總概述和/或缺陷評分。第二復查級別可以包括掩模上缺陷的缺陷圖。在一實施例中，該缺陷圖是彩色編碼的，其中每種顏色表示一種預定的缺陷強度。在一實施例中，閃光可以指示高缺陷強度。第三復查級別，其是最詳細的復查級別，可以包括每個缺陷的具有預測晶片輪廓的空間像，以及該缺陷相應(yīng)的基準像。
用戶可以利用圖形用戶界面完成該任務(wù)規(guī)定和任務(wù)結(jié)果的復查。在一實施例中，web瀏覽器可以便于遠程用戶進入該缺陷分析工具。
依照本發(fā)明的又一特征，可以輸入每個缺陷的狀態(tài)。這個狀態(tài)可以基于用戶對任務(wù)結(jié)果的復查。在一實施例中，也可以提供每個缺陷狀態(tài)的歷史記錄。這些狀態(tài)可以基于用戶對任務(wù)結(jié)果的復查。根據(jù)掩模上缺陷的狀態(tài)，用戶可以做出關(guān)于該掩模是否可以照現(xiàn)在的樣子使用、應(yīng)當進行修理或必須重新制造的信息靈通的、及時的決定。
依照本發(fā)明的實施例，可以提供一種系統(tǒng)和一種計算機程序產(chǎn)品用于實現(xiàn)這種缺陷分析的功能。
依照本發(fā)明的另一特征，可以提供圖形用戶界面(GUI)以用于光刻掩模上的缺陷適印性分析。該GUI可以具有一個主菜單條，其包括多個設(shè)置鏈接、一個任務(wù)運行鏈接以及多個復查鏈接。
多個設(shè)置鏈接可以包括一個掩模設(shè)置鏈接、一個分檔器設(shè)置鏈接以及一個檢查系統(tǒng)鏈接。掩模設(shè)置鏈接與掩模參數(shù)屏幕相關(guān)，其允許用戶輸入關(guān)于光刻掩模的參數(shù)。該參數(shù)可以包括掩模名稱、掩模類型、相位值以及掩模上某些半透明區(qū)域的透射率值。分檔器設(shè)置鏈接與分檔器參數(shù)屏幕相關(guān)，其允許用戶輸入關(guān)于可用于曝光光刻掩模的分檔器的參數(shù)。該參數(shù)可以包括分檔器名稱、分檔器波長、分檔器數(shù)值孔徑、分檔器縮減量、分檔器散焦以及散焦范圍和分檔器照明。檢查系統(tǒng)鏈接與檢查系統(tǒng)參數(shù)屏幕相關(guān)，其允許用戶輸入關(guān)于用于檢查光刻掩模的檢查系統(tǒng)的參數(shù)。該參數(shù)可以包括檢查系統(tǒng)名稱、檢查系統(tǒng)廠商以及檢查系統(tǒng)型號。
任務(wù)運行鏈接與任務(wù)參數(shù)屏幕相關(guān)，其允許用戶輸入關(guān)于提供缺陷適印性分析的任務(wù)的參數(shù)。該參數(shù)可以包括任務(wù)類型和重新使用的老方法標示。
多個復查鏈接可以包括三個復查鏈接。第一級復查鏈接可以與第一屏幕相關(guān)，其允許用戶搜尋缺陷適印性分析。第一屏幕可以包括檢查系統(tǒng)的參數(shù)，該檢查系統(tǒng)用于檢查該光刻掩模和該缺陷適印性分析的生成日期。
第二級復查鏈接可以與第二屏幕相關(guān)，其允許用戶觀看對光刻掩模所進行的缺陷適印性分析的結(jié)果。第二屏幕可以包括缺陷強度的綜合表現(xiàn)。
第三級復查鏈接可以與第三屏幕相關(guān)，其允許用戶觀看對光刻掩模上的每個缺陷所進行的缺陷適印性分析的結(jié)果。第三屏幕可以包括每個缺陷的缺陷圖、與該缺陷圖相關(guān)的基準圖像，以及與那些缺陷和基準圖像相關(guān)的模擬結(jié)果。第三屏幕還可以包括每個經(jīng)復查的缺陷的狀態(tài)參數(shù)。
附圖的簡要說明

圖1A表示一種示例性的工作流程100，其可以用于確定掩模是否通過了檢查、是否應(yīng)進行修理或是否需要重新制造。
圖1B表示一種系統(tǒng)配置，其中任務(wù)管理器可以管理并將多個任務(wù)分配給多個計算資源。
圖2表示一種示例性的掩模設(shè)置頁，其可以捕獲和組織關(guān)于用戶想要分析的掩模的信息。
圖3表示一種示例性的分檔器設(shè)置頁，其可以捕獲和組織關(guān)于可用于缺陷分析的潛在分檔器的信息。
圖4表示一種示例性的檢查系統(tǒng)設(shè)置頁，其可以捕獲和組織關(guān)于用于檢查掩模的檢查系統(tǒng)的信息。
圖5表示一種示例性的維護頁，其使用戶可以刪除不想要的模擬數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)庫，并且使用戶可以壓縮掩模文件、分檔器設(shè)置和數(shù)據(jù)結(jié)果以轉(zhuǎn)移到另一個數(shù)據(jù)庫。
圖6A和6B表示一種示例性的運行頁，其允許用戶運行缺陷分析任務(wù)。
圖7表示一種示例性的第一級復查頁，其允許用戶搜尋已完成的缺陷分析任務(wù)。
圖8表示一種示例性的第二級復查頁，其允許用戶為詳細復查過濾缺陷。
圖9表示一種示例性的第三級復查頁，其允許用戶單獨地觀看每個缺陷和基準圖像對以及模擬結(jié)果。
圖10表示一種示例性的文件轉(zhuǎn)換工具頁，其可以有助于將非標準的掩模文件轉(zhuǎn)換為標準的掩模格式文件(MFF)。
附圖的詳細描述光刻術(shù)是一種處理過程，其輸入是掩模，而輸出是在晶片上的印刷圖案。該印刷圖案是設(shè)計公司、掩模廠商以及晶片制造工廠所真正關(guān)心的。檢查這個印刷圖案的一個方法是進行一次實際的晶片曝光。然而，這種方法導致時間和金錢上的巨大花費。
依照本發(fā)明的一個特征，一種具有基于任務(wù)的自動化和web瀏覽器圖形用戶界面的缺陷分析工具可以有效地確定缺陷的適印性，而無需昂貴的實際曝光晶片的步驟。特別地，這個基于任務(wù)的缺陷分析工具可以利用所捕獲的掩模圖像(例如來自高分辨率光學顯微鏡或掃描電子顯微鏡的圖像)來模擬在給定的分檔器條件下，掩模所提供的晶片曝光。因此，當已經(jīng)完成了對缺陷的初始掩模檢查并且已經(jīng)確定了潛在的缺陷時，該基于任務(wù)的缺陷分析工具就可以根據(jù)所捕獲的潛在缺陷周圍的掩模區(qū)域圖像，用于模擬晶片曝光。這樣，就可以直接分析掩模缺陷的適印性，而無需實際晶片曝光的花費。此外，如以下所述的，考慮與掩模、檢查系統(tǒng)和分檔器(其控制著光刻處理)有關(guān)的任何數(shù)量的參數(shù)值可以計算出模擬情況，從而提高確定適印性的精確性。
工作流程概述圖1A表示一種示例性的工作流程100，其可以用于確定掩模是否通過了檢查、是否應(yīng)進行修理或是否需要重新制造。在步驟101中，可以從檢查系統(tǒng)中獲得掩模文件。在步驟101的一個實施例中，可以利用文件轉(zhuǎn)換工具，將該掩模文件轉(zhuǎn)變?yōu)闃藴恃谀８袷轿募?MFF)。MFF格式可以包括檢查記錄(例如檢查系統(tǒng)型號、檢查模式、檢查方位以及時間分辨率)的標準格式、掩模屬性記錄(例如掩模類型、掩模材料以及某種掩模材料的透射和相位)的標準格式、缺陷記錄(例如缺陷ID、坐標、缺陷大小、缺陷分類、缺陷圖像、基準圖像以及差別圖像)的標準格式以及其他記錄的標準格式。將參照圖10對這個文件轉(zhuǎn)換工具進行進一步描述。在步驟102中，該掩模文件可被加載到缺陷分析工具中，從而可以生成晶片模擬和缺陷評分。
在步驟103中，用戶可以指定與掩模文件相關(guān)的任務(wù)。重要的是，用戶可以指定與該掩模自身相關(guān)的參數(shù)，指定用于提供掩模文件中所捕獲的掩模信息的檢查系統(tǒng)，以及指定可被用于曝光掩模的分檔器。這些設(shè)置的參數(shù)確保了精確的缺陷分析結(jié)果，從而允許用戶做出關(guān)于掩模處理的信息來源充分的可能的決定。
同樣重要的是，該設(shè)置參數(shù)可被應(yīng)用到所有對于掩模而進行的模擬和缺陷強度評分計算中。也就是說，缺陷分析工具可以完全相同地處理掩模上的缺陷，從而允許該缺陷分析工具有效地以最有時間效率的方式確定每個任務(wù)的時間。例如參照圖1B，一種缺陷分析工具111，其在應(yīng)用程序服務(wù)器115上運行，它接收來自一個或多個客戶終端112(即用戶所使用的硬件，其可包括計算機、工作站和/或服務(wù)器)的任務(wù)請求。
特別地，缺陷分析工具111可以利用一個任務(wù)管理器110以管理和分配多個任務(wù)120(其中任務(wù)120可以是多個任務(wù)或者是一個或多個任務(wù)的某部分)。任務(wù)120可以在系統(tǒng)的任何服務(wù)器側(cè)節(jié)點(一般為任何類型的計算資源)上運行，例如應(yīng)用程序服務(wù)器115本身以及一個或多個計算機116，從而顯著地提高了缺陷適印性分析的處理速度。值得注意的是，盡管所示的任務(wù)管理器110是在缺陷分析工具111內(nèi)部實現(xiàn)的，然而在其他實施例中，任務(wù)管理器110也可以與缺陷分析工具111分離地實現(xiàn)。
在一實施例中，缺陷分析工具111可以生成圖形用戶界面113以有助于和客戶終端112的通訊。在另一實施例中，客戶終端112可利用web瀏覽器114和圖形用戶界面113以有助于和缺陷分析工具111的遠程通訊。
有利的是，缺陷分析工具111可以確定與每個任務(wù)請求相關(guān)的缺陷適印性分析，并且自動確定與該分析相關(guān)的工作。任務(wù)管理器110可以連續(xù)地匯編和/或分開這些工作，成為任務(wù)120。任務(wù)管理器110也可以連續(xù)地匯編和/或分開來自任務(wù)120的結(jié)果。在一實施例中，當結(jié)束時，計算機116可以自動地將其來自任務(wù)120的結(jié)果提供給任務(wù)管理器110。在另一實施例中，計算機116可以存儲其來自任務(wù)120的結(jié)果，直到任務(wù)管理器220請求該結(jié)果為止。缺陷分析工具111可以處理來自任務(wù)管理器110的結(jié)果，然后可以將該結(jié)果轉(zhuǎn)移到可訪問的存儲裝置117中。要注意存儲裝置117可能與應(yīng)用程序服務(wù)器155集成地構(gòu)成也可能與該服務(wù)器155分離地構(gòu)成。
再次參照圖1A，由于可以同時存在對掩模缺陷的處理，因而該缺陷分析工具可以快速地將精確的模擬結(jié)果提供給用戶。這些結(jié)果可以幫助用戶做出決定，以決定是否需要在將該掩模用于制造集成電路之前，對其進行修理。因此，利用該具有任務(wù)自動化的缺陷分析工具，可以有效地縮短使用經(jīng)過分析的掩模所制造的集成電路投放到市場的時間。
任務(wù)運行之后，在步驟104中，用戶可以復查缺陷分析的結(jié)果。在步驟105中可以提供不同級別的復查。例如，依照圖7-9所描述的一實施例中，1級復查可以包括對模擬和缺陷評分結(jié)果的整體概述，2級復查可以包括掩模的缺陷圖和受每個缺陷影響最大的特征的CD變量，3級復查可以包括對每個缺陷的詳細分析。
基于這些復查，在步驟106中，用戶可以為掩模上的每個缺陷指定一個狀態(tài)。在一實施例中，多個用戶可以對同樣的缺陷指定不同的狀態(tài)，其中由某個用戶指定的狀態(tài)可以不考慮由另一用戶所指定的狀態(tài)。這些狀態(tài)可以將目前是否準備好將該掩模用于光刻處理中、是否需要在使用之前進行修理或者是否必須重新制造的信息提供給用戶。
缺陷分析工具的示例性實施例圖2-9表示缺陷分析工具的示例性實施例的屏幕相片(這里稱作頁面)。這些頁面可以捕獲并組織關(guān)于工具使用(例如管理、維護和安全)、工具所需的用于分析的參數(shù)以及該工具用戶復查的信息。
大體上，每個頁面包括一個主菜單條，其起到導航系統(tǒng)的作用以將用戶引入不同的操作中。在一實施例中，這些操作被分組并冠以下述標題設(shè)置、任務(wù)、復查、管理、維護以及安全。要注意以下所描述的頁僅僅是范例性的。因此，其他的缺陷分析工具可以包括以相似或不同的方法捕獲和組織信息的頁面。例如，在一實施例中，可以利用基于Web的界面構(gòu)成該工具，從而允許多個服務(wù)器響應(yīng)用戶的輸入。
掩模設(shè)置大體上，設(shè)置頁面允許用戶輸入用于進行掩模模擬的參數(shù)。特別地，該缺陷分析工具可以建立基于用戶輸入?yún)?shù)的模擬模型。在一實施例中，這些輸入?yún)?shù)可以涉及掩模設(shè)置、分檔器設(shè)置以及檢查系統(tǒng)設(shè)置。
圖2表示掩模設(shè)置頁面200，其可以捕獲并組織關(guān)于用戶想要分析的掩模的信息。要注意，這個掩模信息對應(yīng)于已制造和測試的真實掩模。
為了建立新的掩模入口，用戶可以在名稱文本框中鍵入掩模的名稱。這個名稱可以是由用戶指定的任意名稱，該用戶可能在設(shè)計公司工作，也可能在掩模商店或晶片制造工廠工作。在一實施例中，可以提供掩模類型的下拉菜單。例如，該下拉菜單可以為用戶在其他選項當中提供二進制掩模和減弱相移掩模(ATT-PSM)之間的選擇。
如果選擇了“ATT-PSM”，會引發(fā)提供附加掩模信息。在一實施例中，這個附加掩模信息可以包括掩模的相位和透射率的信息(可以在適當?shù)奈谋究蛑羞M行輸入)。相位是指在掩模背景上相移的角度。在一實施例中，相移的默認值為180度。透射率是指分檔器波長的光透射過掩模背景的百分比。在一實施例中，透射率的默認值為6.0％。
在區(qū)域201中輸入了新掩模的信息之后，用戶可以點擊添加按鈕以將該信息轉(zhuǎn)移到表202中，其可以把用于模擬的潛在掩模上的信息組織起來。在一實施例中，可以通過點擊表202中適當?shù)木庉嬫溄訉λ斎氲难谀５男畔⑦M行編輯。在編輯模式中，可以修改任何信息(即掩模類型、掩模名稱、相位和透射率)。在編輯之后，用戶可以點擊更新按鈕以在表202中保存經(jīng)過修改的信息。
在掩模設(shè)置頁面200中，用戶可以通過點擊對應(yīng)于適當掩模的復選框(在表202的左邊所示)并且繼而點擊刪除按鈕來刪除掩模。在這個實施例中，用戶可以點擊刪除全部按鈕以從表202中刪除所有掩模。
分檔器設(shè)置圖3表示分檔器設(shè)置頁面300，其可以捕獲并組織關(guān)于可用于缺陷分析的潛在分檔器的信息。要注意，這個對應(yīng)于特定型號分檔器的分檔器信息，可以用于曝光掩模。在分檔器設(shè)置頁面300中，區(qū)域301可以提示用戶輸入分檔器的信息。
為了建立新的分檔器入口，用戶可以利用文本框或下拉菜單輸入信息。例如，名稱文本框允許輸入分檔器型號的名稱。波長文本框允許輸入分檔器光源的波長(nm)(例如157、193、248或365nm)。數(shù)值孔徑(NA)文本框允許輸入如從圖像中測得的透鏡錐形光束之間的夾角的半角正弦值。(示例性的NA值包括0.55、0.65、0.7和0.8。)分檔器縮減量文本框允許輸入該掩模大小與實際晶片大小的比例(例如1、2.5、4或5)。要注意，可以調(diào)整用于不同區(qū)域的特定用戶界面機構(gòu)，例如用于特定設(shè)置的下拉列表與文本入口。
散焦下拉菜單允許輸入相對子空氣/表面界面的焦平面的位置。圖像深度(以納米表示)位于抗蝕劑/薄膜中將對圖像進行計算的位置。焦平面和像平面之間的距離和減去散焦的圖像深度相等。如果沒有指定抗蝕劑/薄膜，那么圖像深度等于零。
在一實施例中，用戶可以在單一和多個散焦之間進行選擇。單一的散焦設(shè)置了單一的散焦模型，而多個散焦使三個參數(shù)能夠生成多個基于所指定的納米級散焦范圍的，具有均勻間隔散焦值的光學系統(tǒng)模型。這些參數(shù)包括最小散焦值(稱作最小值)、最大散焦值(稱作最大值)以及散焦間距大小(稱作增量)。要注意，以上提到的所有散焦值是相對于最佳焦平面的值。
照明下拉菜單允許輸入用于缺陷分析的光源類型。在一實施例中，每個所選擇的照明類型可以提示用戶輸入至少一個附加參數(shù)。例如，圓形照明可以具有相關(guān)的相干因數(shù)參數(shù)，其表示分檔器光學系統(tǒng)的相干級別。相干因數(shù)的值通常在0和1之間。環(huán)形照明可以具有相關(guān)的內(nèi)部半徑和外部半徑參數(shù)。典型地，這些半徑參數(shù)沒有單位并被歸一化，所以最大的可能外部半徑是1。
多極照明可以具有相關(guān)的內(nèi)部半徑、外部半徑以及極的數(shù)量參數(shù)。四極照明是多極照明的一個實例，其具有4個極。要注意，如果選擇了四極照明，那么內(nèi)部半徑(r)和外部半徑(R)就被歸一化，從而使最大的可能R+r為1。類星體照明可以具有相關(guān)的內(nèi)部半徑、外部半徑以及角度參數(shù)。角度參數(shù)是指內(nèi)含物的角度，其是從中心線的任意一側(cè)均勻分布的。落入這個角度中的圖案成為照明的區(qū)域。
直角照明可以具有四個指定的參數(shù)長度(X)、高度(Y)以及它在x方向距離原點的位置(x)和在y方向距離原點的位置(y)。自定義照明允許用戶設(shè)計自定義的照明圖案。這個圖案可以被用戶指定的參數(shù)定義出來。
在一實施例中，點擊高級按鈕打開一個視窗，其允許用戶修改其他參數(shù)。這些參數(shù)可以包括空間像、模型半徑、模型次序、迭代的最小數(shù)量、用于任意照明描述的用戶界面和/或其他設(shè)置。空間像參數(shù)可以允許用戶選擇偏振模式，從而計算模擬中的光學強度分布。例如，標量模式，其假設(shè)標量場可以適當?shù)孛枋鲭姶艌?，該模式足以和簡單照明類型一起使用。因此在一實施例中，標量模式可被用作默認設(shè)置。相反，矢量模式在計算過程中利用垂直和水平的場分量，因此其更適合用于較為復雜的照明類型。
通過確定其附近特征能夠影響某個特征空間像的距離，模型半徑參數(shù)可以確定空間像模擬的范圍。模型次序參數(shù)可以確定分檔器模型的次序(復雜性)。例如，模型次序越高，空間像模擬中所用的模型越復雜、精確。迭代的最小數(shù)量參數(shù)可以指定迭代的最小數(shù)量。
在區(qū)或301中輸入了關(guān)于新分檔器模型的信息之后，用戶可以點擊添加按鈕以將該信息轉(zhuǎn)移到表302中，其組織了可以用于缺陷分析的所有可能的分檔器的信息。在一實施例中，可以通過點擊表302中適當?shù)木庉嬫溄觼砭庉嬯P(guān)于所輸入的分檔器的信息。在編輯模式中，可以修改任何信息(即分檔器名稱、波長、NA等)。在編輯之后，用戶可以點擊更新按鈕以在表302中保存經(jīng)修改的信息。
在分檔器設(shè)置頁面300中，用戶可以通過點擊對應(yīng)于適當分檔器的復選框(表302左側(cè)所示)，并繼而點擊刪除按鈕以刪除分檔器。在這個實施例中，用戶可以點擊刪除全部按鈕以從表302中刪除所有分檔器。
檢查系統(tǒng)設(shè)置圖4表示檢查系統(tǒng)設(shè)置頁面400，其可以捕獲并組織用于檢查掩模的檢查系統(tǒng)的信息。例如，區(qū)域401可以提示用戶輸入用于缺陷分析的新檢查系統(tǒng)的信息。
為了建立新的檢查系統(tǒng)入口，用戶可以利用文本框和下拉菜單輸入信息。例如，名稱文本框可以允許輸入該檢查系統(tǒng)的名稱(例如用戶所使用的名稱)。廠商下拉菜單可以允許輸入該檢查系統(tǒng)的供應(yīng)商，例如AMAT、KLA-Tencor、Lasertec、Leica以及Zygo。
廠商的選擇可以改變型號下拉菜單。例如，如果用戶選擇AMAT作為廠商，那么型號下拉菜單會列出ARIS-21i和ARIS-100i。與之相反，如果用戶選擇了Zygo作為廠商，那么型號下拉菜單會列出KMS100、KMS450i、KMS450g以及KMS400。
在區(qū)域401中輸入了新檢查系統(tǒng)的信息之后，用戶可以點擊添加按鈕以將該信息轉(zhuǎn)移到表402中，其組織用于提供掩模數(shù)據(jù)的檢查系統(tǒng)的信息。在一實施例中，通過點擊表402中適當?shù)木庉嬫溄?，可以編輯關(guān)于所輸入的檢查系統(tǒng)的信息。在編輯模式中，可以修改任何信息(即名稱、廠商和型號)。在編輯之后，用戶可以點擊更新按鈕以在表402中保存經(jīng)修改的信息。
在檢查系統(tǒng)設(shè)置頁面400中，用戶可以通過點擊對應(yīng)于適當檢查系統(tǒng)的復選框(表402左側(cè)所示)，并繼而點擊刪除按鈕以刪除檢查系統(tǒng)。在這個實施例中，用戶可以點擊刪除全部按鈕以從表402中刪除所有檢查系統(tǒng)。
管理管理頁面可以允許用戶訪問具有群組設(shè)置、用戶帳戶、數(shù)據(jù)備份、數(shù)據(jù)恢復、任務(wù)服務(wù)器以及狀態(tài)檢查的信息的頁面。例如，群組設(shè)置頁面可以包括域帳戶列表，其允許系統(tǒng)管理員將人員組織成邏輯群組，該邏輯群組反映了他們在系統(tǒng)內(nèi)的權(quán)力、特權(quán)以及職責。用戶帳戶頁面可用于觀看、添加和刪除用戶帳戶信息。在一實施例中，用戶帳戶頁面可以包括以各自標題分類的用戶列表。任務(wù)服務(wù)器頁面可以顯示用于運行任務(wù)的主機、端口和機器。也可以利用這個頁面添加附加的機器以及電子郵件信息。狀態(tài)檢查頁面可以顯示任務(wù)服務(wù)器的狀態(tài)，例如，隊列中任務(wù)的數(shù)量、服務(wù)器名稱以及該服務(wù)器處于停頓狀態(tài)還是在運行任務(wù)。
維護工具圖5表示示例性的維護頁面500，其可以達到兩個目的。首先，維護頁面500可以使用戶刪除不需要的模擬數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)庫，從而減少數(shù)據(jù)庫大小。其次，維護頁面500可以允許用戶壓縮掩模文件、分檔器設(shè)置以及數(shù)據(jù)結(jié)果以轉(zhuǎn)移到另一數(shù)據(jù)庫中。
為了刪除數(shù)據(jù)庫，用戶可以利用日歷下拉菜單501選擇數(shù)據(jù)的起始和終止生成日期。在用戶點擊了運行按鈕之后，系統(tǒng)可以回到維護歷史記錄的表502。在一實施例中，表502可以分類為記錄ID、掩模ID、生成時間序列號。
為了刪除表502中所示的全部記錄，用戶可以首先點擊選擇全部按鈕，然后點擊刪除按鈕。為了刪除表502中所示的某個記錄，用戶可以復選對應(yīng)于所要刪除的記錄ID的選框(表502的左側(cè))，然后點擊刪除按鈕。為了刪除表502所示的部分記錄，用戶可以從下拉列表503中選擇適當?shù)乃鶆h除的部分。在一實施例中，用戶可以從下拉列表503中選擇全部或僅選圖像。要注意，全部刪除會清除該掩模記錄的數(shù)據(jù)庫。與之相反，僅選圖像刪除則將圖像刪除掉，但在數(shù)據(jù)庫中保留了其他模擬和缺陷評分結(jié)果。
在一實施例中，缺陷分析工具允許用戶壓縮所有指定的數(shù)據(jù)，例如模擬數(shù)據(jù)、缺陷評分數(shù)據(jù)和設(shè)置參數(shù)，并且將該壓縮文件發(fā)送到由用戶指定的地址中。為了準備壓縮文件的轉(zhuǎn)移，用戶可以點擊表502中所要轉(zhuǎn)移的結(jié)果的記錄ID按鈕，從而打開轉(zhuǎn)移頁面。這時，缺陷分析工具可以提供默認的文件名和路徑名。然后，用戶可以點擊生成按鈕以生成并發(fā)送壓縮文件。
在一實施例中，利用維護頁面500也可以輸入來自外部源的模擬結(jié)果。這些模擬結(jié)果可以作為zip文件被置于缺陷分析工具的服務(wù)器能夠訪問的目錄中。為了輸入外部生成的模擬結(jié)果，用戶可以點擊輸入結(jié)果按鈕504，從而打開輸入結(jié)果頁面。這個輸入結(jié)果頁面可以提示用戶在文本框中輸入路徑名以及文件名?；蛘?，用戶可以點擊瀏覽按鈕并利用選擇文件對話框以找出該文件。在一實施例中，用戶可以有復制或改寫該輸入文件的選擇。
安全安全頁面(參見主菜單)保證了訪問和觀看該輸入掩模的權(quán)力。典型地，系統(tǒng)管理員可以決定用戶對任何特殊掩模數(shù)據(jù)的訪問。在一實施例中，系統(tǒng)管理員可以授權(quán)給群組。在另一實施例中，當建立了一個群組，可以授予其“訪問所有數(shù)據(jù)”的權(quán)力。這樣，這個群組的所有成員都能夠訪問在服務(wù)器中存儲的所有掩模數(shù)據(jù)，而無需在安全頁面明確地授權(quán)訪問。
任務(wù)圖6A和6B表示示例性的運行頁面600，其允許用戶運行缺陷分析任務(wù)。運行頁面600中，名為選擇掩模、分檔器設(shè)置以及任務(wù)類型的區(qū)域601包括三個下拉菜單。隊列中的掩模下拉菜單可以指示隊列中的所有掩模文件開始一個任務(wù)。在一實施例中，可以按掩模文件被接收到隊列中的次序?qū)⑵淞杏诒碇?。分檔器設(shè)置下拉菜單可以指示所有預先定義的分檔器設(shè)置。要注意，分檔器設(shè)置下拉菜單右側(cè)的文本框包含關(guān)于分檔器設(shè)置的詳細信息。任務(wù)類型下拉菜單指定了為檢查缺陷所運行的測試的類型。在一實施例中，該測試是指ADSS(自動缺陷強度評分)或模擬。計算ADSS在2002年2月28日提交的美國專利申請第09/814023號中進行了描述，該專利名為“提供掩模缺陷適印性分析的系統(tǒng)和方法”，在此一并作為參考。
運行頁面600的另一名為鏈接到先前檢查運行的區(qū)域602包括復選框。如果用戶復選了這個框，缺陷分析工具重新利用先前用于特定掩模的老方法(如果可利用)，即完成一個功能的一系列步驟，例如模擬或ADSS。
運行頁面600的又一名為模擬設(shè)置的區(qū)域603，其包括可以設(shè)定的不同參數(shù)。例如，最小暗背景可以指定掩模圖像的最小暗背景值，而最大亮背景可以指定掩模圖像的最大亮背景值。
點擊高級按鈕可以打開請求輸入附加參數(shù)值的頁面。在一實施例中，柵格(grid)大小參數(shù)可以指定模擬柵格的大小，其取決于在分檔器設(shè)置中指定的檢查系統(tǒng)和縮減因數(shù)。輸出像素大小參數(shù)可以指定輸出像素的大小，其取決于原始掩模像素的大小。在一實施例中，默認輸出像素大小可以和柵格大小相等。插值比例參數(shù)可以指定用于分析的像素比檢查系統(tǒng)像素小的程度(其中小得越多，結(jié)果越精確)。
運行頁面600的另一名為ADSS設(shè)置的區(qū)域604，其包括可以指定應(yīng)使用線間隔模式還是接觸孔的ADSS模式參數(shù)。這個參數(shù)可以指定特定掩模數(shù)據(jù)的主要模式，例如接觸孔(用于接觸和轉(zhuǎn)接模式)，或線/間隔(用于所有非接觸模式)。要注意，ADSS可以有效地利用不同的算法計算基于適當模式的強度評分。ADSS設(shè)置評分設(shè)置參數(shù)可以為每個可利用的顏色賦予一個評分，例如紅、綠、黃。在一實施例中，默認的顏色設(shè)置可以是綠(0-3.5)、黃(3.5-5)、紅(5-10)。
運行頁面600的名為閾值設(shè)定的又一區(qū)域605，其定義了一個用戶可接受的CD變量(即公差)(例如正、負百分比)。在一實施例中，不同的顏色可以指示設(shè)定公差的CD接近值。例如，當缺陷圖像上的晶片CD接近公差(例如-5.0％或+10％)時，ADSS的結(jié)果可能從綠變?yōu)辄S。
運行頁面600的名稱分別為使用自動閾值處理和使用手動閾值處理的區(qū)域606和607，其允許用戶自動地或手動地(在一實施例中，必須檢查這兩個循環(huán)中的一個)設(shè)定閾值(用于確定缺陷分析工具所模擬的空間像中晶片上的邊緣位置)。如果選擇了自動閾值處理，那么用戶可以輸入掩模和晶片的CD值以及公差(如果必要的話)，或者檢查自動算得的晶片CD，即晶片CD＝掩模CD/縮減量+n％偏移，其中用戶輸入偏移值和從掩模圖像中測得的掩模CD。在一實施例中，可以通過將每個值分開一定間隔以指定多個CD值。
如果選擇了手動閾值處理，那么用戶可以手動地輸入閾值(例如額定值)和處理窗口范圍(參見區(qū)域608)。該處理窗口范圍定義了一組允許的曝光和散焦值，在該值內(nèi)，所印刷的晶片圖案可以達到制造規(guī)格要求。在一實施例中，可以將曝光參數(shù)定義為正、負百分比。通過下拉菜單，散焦參數(shù)可以規(guī)定散焦值。散焦參數(shù)是指焦平面相對于空氣/抗蝕劑界面的位置。在一實施例中，正的散焦方向是向抗蝕劑內(nèi)。要注意，焦平面和像平面之間的距離是像深度和散焦之間的絕對差額。
用戶可以通過點擊“運行”按鈕開始一個任務(wù)。在一實施例中，用戶可以為一組掩模數(shù)據(jù)提交多個任務(wù)。為此，用戶在為每個任務(wù)指定了參數(shù)之后可以點擊“提交”按鈕。提交了參數(shù)之后，對于該任務(wù)的“方法”將作為符號出現(xiàn)在運行頁面600的底部。在一個實施例中，多個方法可顯示在運行頁面600的底部。用戶繼而可以通過點擊“運行”按鈕開始這些任務(wù)。
復查復查頁面可以有效地顯示所有存儲在缺陷分析工具數(shù)據(jù)庫中的運行和結(jié)果。用戶可以評價這個信息并運行附加模擬以進行一維分析以及計算已完成的任務(wù)的附加ADSS。
圖7表示示例性的1級復查頁面700，其允許用戶搜尋已完成的缺陷分析任務(wù)。為了搜尋已完成的任務(wù)，用戶可以輸入所使用的檢查系統(tǒng)、生成日期(在......之間生成以及到......)以及由檢查系統(tǒng)或用戶提供的文件名稱(分批名稱)。在點擊了搜尋按鈕之后，缺陷分析工具可以為對掩模運行的每個任務(wù)生成表格。每個表格可以包括以下標題由系統(tǒng)設(shè)定并被數(shù)據(jù)庫使用的內(nèi)部ID(ID)、由系統(tǒng)設(shè)定并被數(shù)據(jù)庫使用的掩模ID(掩模ID)、由制造工廠為掩模轉(zhuǎn)移所指定的掩模質(zhì)量(級別)、任務(wù)開始的日期和時間(日期入口)、該任務(wù)是否進行了復查的指示(復查)、目前的檢查階段(QC類型)、給出掩模定單的客戶名稱(Fab用戶)、任務(wù)的狀態(tài)(任務(wù)狀態(tài))(例如已經(jīng)完成、運行中、尚未開始)、用于該任務(wù)的檢查系統(tǒng)(檢查系統(tǒng))、檢查系統(tǒng)的模式(檢查模式)以及任務(wù)類型(方法)(例如模擬或ADSS)。
在一實施例中，點擊ID標題或復查標題會顯示2級頁面。在一實施例中，點擊方法標題會顯示用于運行該任務(wù)的設(shè)置。
圖8表示示例性的2級復查頁面800，其允許用戶為進一步復查過濾缺陷(即，為了3級復查)。在一實施例中，掩模的缺陷圖801可以被在文件轉(zhuǎn)換工具中輸入的X-Y坐標系統(tǒng)所確定的位置描繪出來。每個缺陷都可以用基于其強度評分的色碼表示。
在一實施例中，紅色缺陷(如頁面800中的圓圈所示)對晶片有影響，需要修理。黃色缺陷(如頁面800中的X表示)，至于其是否對晶片有影響是有疑問的。因此，黃色缺陷可能需要附加的分析，其可以由操作員或處理工程師完成。綠色缺陷(如頁面800中的三角所示)通過了測試并被認為是擾亂性缺陷。換句話說，綠色缺陷將不會印刷到晶片上并且不會影響任何特征，因此不需要修理。要注意，高于預定值的缺陷評分可以用不同顏色或不同方式顯示出來，以便于容易的識別。例如，在一實施例中，極嚴重的缺陷(即那些非常難以修理的缺陷)可以用閃爍的紅燈表示。
缺陷圖801可以為用戶提供易懂格式的有價值的信息。特別地，用戶可以輕易地識別出掩模的哪些區(qū)域(例如，用于形成記憶、邏輯、測試特征等的區(qū)域)有嚴重的缺陷。這個信息可能會影響用戶為掩模所指定的狀態(tài)。例如，如果嚴重的缺陷僅僅出現(xiàn)在測試特征區(qū)域中，那么用戶可以不考慮嚴重缺陷的數(shù)量，將該掩模指定為通過狀態(tài)(即，該掩?？梢园船F(xiàn)狀使用)。
可以在頁面800中提供掩模當前的狀態(tài)，包括缺陷的全部數(shù)量(這種情況下為36)以及紅色、黃色、綠色的比例。也可以在頁面800中提供通過、保持和拒絕的歷史以及對缺陷所采取行動的總數(shù)。
在一實施例中，2級復查頁面800還可以包括缺陷表格，其可以包括以下標題來自KLA RF文件的缺陷ID或者如果來自非KLA RF文件，則是系統(tǒng)所生成的ID(缺陷ID)、自動缺陷強度評分(ADSS)、基準臨界尺寸測量(RefCD)、缺陷類型(類型)、KLA RF缺陷種類(種類)、最佳曝光并且最佳聚焦時臨界尺寸的百分比(CD@BEBF)、最佳曝光并且最差聚焦時臨界尺寸的百分比(CD@BEWF)、最佳聚焦時為負曝光范圍設(shè)置的臨界尺寸的百分比(CD@-EBF)、最佳聚焦時為正曝光范圍設(shè)置的臨界尺寸的百分比(CD@+EBF)、AIMS結(jié)果是否可以利用的指示(AIMS)，以及缺陷的當前狀態(tài)(狀態(tài))(例如放棄或通過)。
在一實施例中，可以整個地復查缺陷或者過濾缺陷以達到特定的標準。例如，用戶可能僅僅想觀看缺陷圖801中紅色編碼的缺陷。在這種情況下，用戶可以將下拉菜單設(shè)置為紅色。用戶也可以顯示具有顏色組合的缺陷圖。例如，用戶可以通過適當?shù)卦O(shè)置兩個下拉菜單以觀看黃色和綠色編碼的缺陷。因此，兩個下拉菜單可以提供過濾功能。在其他實施例中，可以提供附加的過濾器。這些過濾器可以包括缺陷類型、保持、修理、拒絕、通過、放棄和ADSS失敗。
用戶點擊刷新按鈕之后，經(jīng)過濾的信息可以顯示在缺陷圖801上以及缺陷表格中(未示出)。這時，用戶可以選擇在3級復查頁面上所要復查的內(nèi)容。在一實施例中，可利用的選項有全部檢查運行、當前運行以及利用AIMS的當前運行。當用戶選擇了這些選項中的一個或多個項目時，缺陷分析工具可以尋找存儲在該掩模的數(shù)據(jù)庫中的特定數(shù)據(jù)(其中的數(shù)據(jù)具有相同的掩模ID和序列號)。為了進入到3級復查，用戶可以點擊復查按鈕。
要注意，在3級復查頁面上完成了復查之后(參見圖9)，用戶可以返回到2級復查頁面800以完成處理。在一實施例中，所有復查完成之后，用戶可以點擊復查完成按鈕。這時，可以提示用戶為菜單選擇名稱、發(fā)送關(guān)于復查已完成的電子郵件通知、在文本框中寫復查概述、以及發(fā)送通知和相關(guān)的復查概述。
圖9表示示例性的3級復查頁面900。3級復查允許用戶單獨地觀看每個缺陷和基準圖像對以及模擬結(jié)果?？梢栽谌毕輬D像以及缺陷的模擬圖像上標出缺陷(此處使用虛線圓)。在一實施例中，如果掩模鏈接到先前的掩模圖像上(例如預先修理)(即制作掩模之后，并在將該掩模送去修理之前所收集的檢查數(shù)據(jù))，那么通過點擊旁邊的標簽就可以看到先前掩模的結(jié)果。
在一實施例中，用戶可以利用缺陷下拉菜單訪問任何缺陷圖像。在頁面900中，表示出了#1缺陷的結(jié)果。用戶可以利用狀態(tài)下拉菜單為復查的缺陷指定一個標識。典型的標識可以包括保持(即，用戶希望后來的用戶作出關(guān)于缺陷的決定)、通過(即，用戶認為不需要修理該缺陷)、修理、放棄(即對于先前的用戶作了保持標記的缺陷，后來的用戶表示該缺陷不會影響適印性)或者拒絕。用戶可以通過點擊更新按鈕保存每個缺陷的狀態(tài)名稱。
歷史記錄項表示缺陷先前的歷史記錄，例如，顯示先前的復查者以及所指定的缺陷狀態(tài)標識。注釋項允許用戶添加注釋，其不能被編輯或刪除。
點擊ADSS標簽可以顯示缺陷評分、缺陷坐標、分檔器參數(shù)以及對于每個任務(wù)參數(shù)，不同散焦級的CD值。在一實施例中，如果具有與新任務(wù)相關(guān)的在前的檢查階段(即預修理)，那么用戶可以通過將旁邊的標簽移動到每個圖像旁，以從在前的任務(wù)中觀看缺陷。
用戶可以在圖像上畫出水平/垂直的割線以生成圖像缺陷的一維分析結(jié)果。在一實施例中，用戶可以通過點擊選擇(菜單條上所提供的)并且繼而利用鼠標點擊并拖拽通過理想特征的線以獲得割線功能性。這時，用戶可以點擊菜單條上的分析并繼而選擇進行1-D分析以生成模擬結(jié)果。
在一實施例中，可以提示用戶在進行一維分析之前輸入六組參數(shù)繪圖、測量、型號、曝光、掩模、抗蝕劑?，F(xiàn)在將對這些參數(shù)組進行更加詳細的說明。
繪圖參數(shù)可用于選擇以下示例性的輸出空間像強度--位置、特征大小--曝光級別、特征大小--散焦相對、處理窗口以及緯度折中曲線。
可以選擇空間像強度-位置輸出以生成強度分布圖。特別地，這個輸出提供了沿著割線的坐標算得的強度圖。
可以選擇特征大小--曝光級別輸出以生成對于第一用戶所定義的割線，具有曝光能量的特征大小變量圖。要注意，額定曝光劑量即為將會得到目標特征大小的每個區(qū)域的曝光能量(因此，劑量到大小)。在一實施例中，可以為所選的散焦計算名義曝光劑量并且繼而在圖的底部將其打印出來。
可以選擇特征大小--散焦輸出以產(chǎn)生對于不同分檔器型號的CD--散焦圖。如果選擇了這個選項，那么必須選擇多個散焦的設(shè)置。
可以選擇處理窗口輸出以生成多個割線的抽樣并且定義了普通處理窗口(曝光偏差-散焦)。根據(jù)定義，對于單個割線的處理窗口即為曝光級別和散焦值的范圍，對于該范圍來講，線寬度保持在用戶指定的公差內(nèi)?？梢栽谔幚泶翱谳敵鲋薪o出這個范圍的邊界。曝光偏差只是曝光量與所限定的額定值相比的百分比變化。類似地，普通處理窗口可以定義為全部單獨的處理窗口的普通區(qū)域。普通處理窗口即為曝光級別和散焦值的范圍，對于該范圍來講，所有線寬度保持在公差之內(nèi)。
可以選擇緯度折中曲線輸出以計算曝光緯度/焦點深度折中曲線。可以通過處理窗口圖獲得該圖。特別地，對于每個所畫的割線，缺陷分析工具可以繪制表示可記錄在處理窗口內(nèi)的直角組的曲線。普通處理窗口可以用于生成普通緯度折中曲線。在一實施例中，也可以表示出最大可工作曝光-散焦范圍。要注意，由于每個割線的單獨的處理窗口重疊，普通緯度折中曲線不可能匹配任何的單獨的折中曲線。
測量參數(shù)允許用戶指定目標CD、公差和測量模式。目標CD指定了想要的納米級的CD大小。公差限定了用于獲得處理窗口的可接受的CD變量。測量模式選擇了基于抗蝕劑線的測量模式(即特征的測量)或基于抗蝕劑溝的測量模式(即相鄰特征之間的間隔距離、例如多個或接觸孔)。
模型參數(shù)可以用于為單個散焦或多個散焦指定模型并模擬圖像。為了運行多個散焦值的模擬，用戶可以從利用缺陷分析工具所提供的數(shù)值中選擇散焦范圍。
用戶可以為這樣的模擬設(shè)定以下附加參數(shù)模型、輸出像素大小、邊界條件和散焦設(shè)置。模型參數(shù)可以選擇用于模擬的模型。輸出像素大小參數(shù)可以指定輸出像素的大小，其取決于原始掩模像素的大小。在一實施例中，可以將默認值設(shè)定為與模型柵格大小相等。邊界條件參數(shù)可以指定掩模的邊界格式。示例性的邊界格式包括重復該邊界(其通過重復該邊界來延伸圖像)或者雙重周期(其復制了圖像)?？梢詫⑸⒔乖O(shè)置設(shè)定為單一散焦或多個散焦。
如果選擇了多個散焦，則需要最小值、最大值和分檔值。最小值為所選模型中的最小散焦值。最大值為所選模型中的最大散焦值。分檔值為相鄰散焦模型的分檔。
曝光參數(shù)可以用于計算和/或使用最優(yōu)化曝光。在一實施例中，缺陷分析工具可以自動地計算和應(yīng)用適當?shù)钠毓?，從而第一割線將產(chǎn)生與指定的目標相等的CD(劑量到大小)。曝光參數(shù)也可以依照用戶指定的固定曝光值，設(shè)置額定曝光。曝光參數(shù)也可以優(yōu)化曝光級別以將散焦窗口在用戶指定的曝光范圍內(nèi)最大化。要注意，歸一化的曝光級別是以歸一化流量強度與獲得CD時的強度閾值的比率形式出現(xiàn)的。
掩模參數(shù)可以用于指定用于進行一維分析的掩模信息。例如，用戶可以指定最小暗度(其限定了最小可接受值為零的特征灰度)，以及最大亮度(其限定了最大可接受值為255的開闊區(qū)域灰度)。在一實施例中，缺陷分析工具可以利用默認值以運行任務(wù)。
抗蝕劑參數(shù)可以用于指定用于記錄圖案成像的抗蝕劑信息。這樣的抗蝕劑信息可以包括抗蝕劑類型(例如正的或負的)、處理的非線性(其指定了nm級的抗蝕劑對比度)以及抗蝕劑模型。在一實施例中，抗蝕劑模型可以表示為簡單閾值或第一級。簡單閾值指定了空間像強度閾值模型。這個值可以設(shè)置為與零抗蝕劑厚度或無限灰度相等。相反，第一級指定了第一級的抗蝕劑模式。如果選擇了這個模型，必須指定深度、處理非線性和吸收因數(shù)。
模擬空間像空間像可以有效地提供關(guān)于所給的缺陷是否會印刷的起始指示。如果缺陷比分檔器的波長小很多，并且離開電路的關(guān)鍵部分，那么該缺陷將不會在空間像中表示出來。一些接近關(guān)鍵電路特征的缺陷將需要進一步分析以確定適印性。
在一實施例中，為了交互地生成特定缺陷的空間像，用戶可以點擊菜單中的選擇以及相關(guān)下拉菜單中的選擇高亮。這時，用戶可以點擊菜單中的空間像以及相關(guān)下拉菜單中的計算。這組步驟打開了具有缺陷設(shè)置的設(shè)置模擬參數(shù)的對話框。用戶可以參照模擬設(shè)置來設(shè)置上述的參數(shù)。
一旦設(shè)置了參數(shù)，缺陷分析工具可以計算該模擬并在鄰接原始掩模圖像窗口的新窗口中(頁面900中，直接在下部)顯示假彩色空間像結(jié)果。假彩色可以表示空間像的強度(例如紅色表示高強度、藍色表示低強度)。例如，頁面900表示了四個窗口。兩個窗口901和902分別利用假彩色(未示出顏色)表示了包括缺陷和相應(yīng)模擬掩模圖像的原始掩模圖像。兩個窗口903和904分別利用假彩色(同樣未示出顏色)表示了基準掩模圖像(其對應(yīng)于包括缺陷的原始掩模圖像)和相應(yīng)的模擬基準掩模圖像。
在一實施例中，晶片圖像圖可以被覆蓋到假彩色圖像的上面。用戶可以通過點擊菜單條上的選擇并繼而點擊相關(guān)下拉菜單中的晶片圖像圖以生成這個圖像圖。
在一實施例中，只有最近所分析的掩模模以才表示為頁面900上的圖像。在一實施例中，頁面900上的存儲庫條可以臨時存儲其他模擬結(jié)果。為了訪問其他的模擬結(jié)果，用戶可以點擊存儲庫條以顯示一個下拉菜單。在選擇了想要的模擬任務(wù)之后，適當?shù)哪M圖像可以取代那些最近顯示于頁面900上的圖像。
ADSS分析缺陷分析工具也可以提供自動缺陷強度評分(ADSS)分析。在這個分析中，用戶可以手動選擇不同的參數(shù)，或者工具可以自動設(shè)置這些參數(shù)。這些參數(shù)涉及晶片的閾值和掩模CD、對準區(qū)域以及缺陷區(qū)域。
為了開始對特定缺陷的交互式ADSS分析，用戶可以點擊菜單條中的分析并且繼而選擇ADSS。這時，用戶可以指示某些參數(shù)是手動設(shè)置還是自動設(shè)置。閾值參數(shù)可以確定強度輪廓級別，其被預期落在以與有向邊緣的每一側(cè)相關(guān)的公差為邊界的區(qū)域中。如果自動設(shè)置，那么該工具涉及測量參數(shù)。
如果要手動設(shè)置參數(shù)，那么用戶必須利用測量標簽指定掩模和晶片CD測量。缺陷分析工具自動地利用基于CD信息的閾值以計算ADSS。如果要自動設(shè)置參數(shù)，那么缺陷分析工具利用用戶指定的閾值和額定(例如平均閾值)閾值參數(shù)計算ADSS。
測量參數(shù)可以為ADSS計算指定掩模和晶片上的CD。在一實施例中，用戶可以通過將每個值分開一定間隔來指定多個CD值。如果用戶想要手動設(shè)置CD大小，那么用戶可以限定所需要的晶片CD大小(即目標晶片CD)。如果用戶檢查自動選擇割線，缺陷分析工具將自動地確定最佳的割線位置以用于ADSS計算。如果沒有檢查，則必須在掩模圖像上畫出至少一條割線，并且必須為目標晶片CD參數(shù)指定值，以將這些割線和設(shè)置用于ADSS計算。如果用戶沒有提供割線(即用戶檢查自動選擇割線)，那么用戶可以指定掩模CD值的百分比以提供公差(其用于掩模CD)(稱作掩模寬度變化極限)。這種情況下，程序?qū)ふ覞M足掩模CD值加上/減去公差的割線。在一實施例中，默認值為0.2，其表示掩模CD值有20％的公差。
ADSS模式參數(shù)選擇了所測特征的ADSS模式。在一實施例中，這些模式可以包括線/間隔(即所測特征是線和間隔)、接觸(即所測特征是接觸點)、測量(其選擇了測量模式)、線(其測量了特征區(qū)域)、溝(其測量了相鄰特征之間的間隔距離，例如多圓和接觸孔)。
模型和掩模參數(shù)基本上和對于一維分析所描述的模型和掩模參數(shù)相同，因此不再重復。
分析具有不同相位或透射率的缺陷在缺陷分析工具的一實施例中，用戶可以通過對缺陷圖像的區(qū)域指定不同的相位和透射率值來分析缺陷如何變化。為了進入這個功能，用戶可以點擊菜單條中的選擇并繼而點擊相關(guān)下拉菜單中的相位。這時，用戶可以手動輸入相位(例如，從00到3590)。
ADSS輸出信息缺陷分析工具完成ADSS計算之后，頁面900可以顯示ADSS設(shè)置(即CD、閾值和公差設(shè)置)以及任務(wù)結(jié)果。示例性的任務(wù)結(jié)果可以包括以下值。所測缺陷數(shù)量可以指定所發(fā)現(xiàn)的缺陷的數(shù)量。DSS可以為ADSS任務(wù)指定缺陷強度評分(DSS)。要注意，可以在不同散焦值和曝光級別時計算這個值。0到10范圍的DSS可以是彩色編碼的。例如，在模擬圖像中的綠色缺陷可以表示0到3范圍內(nèi)的缺陷、黃色缺陷可以表示3到6范圍內(nèi)的缺陷，紅色缺陷可以表示6到10范圍內(nèi)的缺陷。
最大DSS值可以指定最大的DSS可能值或者由ADSS任務(wù)中的所有缺陷所引起的最大DSS值。平均DSS可以指定為這個缺陷所計算的所有ADSS任務(wù)的平均DSS值。缺陷上的對準點可以指定用于ADSS任務(wù)的缺陷圖像上的(X，Y)對準區(qū)域?；鶞噬系膶庶c可以指定用于ADSS任務(wù)中的基準圖像上的(X，Y)對準區(qū)域。
用于基準上的X對準的特征值可以指定用于ADSS任務(wù)中的基準圖像上的對準區(qū)域(X方向的)。用于基準上的Y對準的特征可以指定用于ADSS任務(wù)中的基準圖像上的對準區(qū)域(Y方向的)。用于缺陷上的X對準的特征指定了用于ADSS任務(wù)中的缺陷圖像上的對準區(qū)域(X方向的)。用于缺陷上的Y對準的特征可以指定用于ADSS任務(wù)中的缺陷圖像上的對準區(qū)域(Y方向的)。
圖像閾值可以表示用于ADSS任務(wù)中的閾值。額定閾值可以表示用于ADSS任務(wù)中的平均閾值。這些值只有當用戶已經(jīng)手動設(shè)置了一個或多個閾值時才顯現(xiàn)出來。寬度變化極限可以表示用于ADSS任務(wù)中的公差值。在一實施例中，公差只有當用戶已經(jīng)要求了自動閾值處理時才顯現(xiàn)出來。
生成報告用戶可以生成包括任務(wù)結(jié)果的報告。在頁面900中，用戶可以點擊報告按鈕。所保存的報告繼而可以被發(fā)送到適當?shù)膫€體中用于附加分析。當所有所選擇的缺陷都已經(jīng)被復查并且已經(jīng)生成了所需的那些缺陷的報告，那么用戶可以通過點擊完成按鈕返回到2級復查頁面。在2級復查頁面，如果需要，用戶還可以選擇另一組缺陷。當所有的掩模缺陷都已經(jīng)被復查，用戶可以點擊復查完成按鈕文件轉(zhuǎn)換工具掩模制造商可以使用不同格式的掩模圖像。因此，依照本發(fā)明的一個特征，在掩模圖像加載到缺陷分析工具數(shù)據(jù)庫之前，必須利用文件轉(zhuǎn)換工具將掩模圖像轉(zhuǎn)變?yōu)闃藴恃谀Ｎ募袷健Ｎ募D(zhuǎn)換工具保存了檢查系統(tǒng)的設(shè)置和掩模的設(shè)置之后，其可以輸出包含標準掩模文件格式文件(*.mff格式)的ZIP文件，該文件包含所有所需的掩模圖像的信息。
圖10表示示例性的文件轉(zhuǎn)換工具頁面1000。在頁面1000上，設(shè)置區(qū)域1001為檢查系統(tǒng)、掩模類型以及其他信息指定了工藝設(shè)置，而缺陷表格1002以用戶確定的次序列出了輸出的掩模的缺陷。在這個實施例中，設(shè)置區(qū)域1001可以包括下拉菜單，其允許用戶指定掩模類型(例如衰減PSM(A-PSM)的和二進制的)、檢查系統(tǒng)(即可用于缺陷分析工具數(shù)據(jù)庫中的檢查系統(tǒng)的名稱)、像素大小以及檢查模式(即基于檢查系統(tǒng)模型的檢查模式)。
設(shè)置區(qū)域1001還可以包括文本框，其使用戶輸入掩模ID(用戶給定的掩模標識)、序列號(用戶確定的掩模序列號)、檢查階段(例如再修理、預修理等)、檢查基準(即由旋轉(zhuǎn)、x坐標軸、y坐標軸確定的檢查掃描偏移值)。
菜單條中的文件菜單允許用戶根據(jù)廠商的特定的掩模文件格式(*bmp、*ubc、*.ras等)生成新的MFF文件，加載現(xiàn)有的掩模(*.mff文件)，利用缺陷分析工具將掩模圖像保存為用于輸入的*.mff，將掩模圖像保存為另一文件，打開文件瀏覽器以選擇KLA RF格式化的掩模圖像(*.rff文件)，或者關(guān)閉文件轉(zhuǎn)換工具。
編輯菜單(經(jīng)由基準標題)允許用戶輸入用戶MIF文件位置的路徑和文件名稱，到包含MFF文件的ZIP文件將要保存的目錄的路徑、到目錄的路徑，自該路徑KLARF文件將被輸入，以及到目錄的路徑，自該路徑其他圖像文件將被輸入。在一實施例中，用戶可以指示上述設(shè)置應(yīng)在文件轉(zhuǎn)換工具開始的下一次保存。在一實施例中，用戶可以生成默認設(shè)置和/或還原默認設(shè)置。
當一次加載了許多圖像時，編輯菜單(經(jīng)由過濾器標題)允許文件轉(zhuǎn)換工具識別不同于KLA RF的文件類型并且自動地將圖像文件指定為它們相應(yīng)的類型和缺陷ID。在一實施例中，每種圖像類型可以具有相關(guān)的過濾器或文件模式。例如，AIMS文件過濾器可以表達為${id}aims.*，其中id號為(${id})、底線()、aims以及通配符的擴展名(*)，以匹配任何特征。用戶可以通過選擇表格中的過濾器并且編輯文本框中的文件模式來編輯過濾器。
圖像菜單允許用戶打開掩模信息對話框。這個對話框顯示了掩模缺陷圖像。在一實施例中，圖像可以包括基于圖像上光標位置的缺陷數(shù)量、X和Y坐標軸以及照明值(例如0和255)。在一實施例中，用戶可以移動所選圖像上的光標以檢查最小暗背景和最大亮背景。用戶可以利用用于設(shè)置最小暗背景和最大亮背景的文本框來設(shè)置照明值。如果用戶沒有設(shè)置這些照明值，那么缺陷分析工具可以自動地計算該值。在另一實施例中，圖像菜單也可以允許用戶輸入不同于KLA RF的圖像文件。
幫助菜單提供缺陷分析工具以及文件轉(zhuǎn)換工具上的信息。要注意，關(guān)于文件轉(zhuǎn)換工具菜單所描述的不同功能可以利用圖標實現(xiàn)。
缺陷表格1002可以包括掩模上的缺陷。在一實施例中，這些缺陷可以按照所選標題的次序列于表上。默認的是，該列表可以通過缺陷ID進行分類。在一實施例中，用戶可以手動地將缺陷添加到缺陷表格1002中，或者手動地改變表格1002中的缺陷信息。
示例性的表格標題可以包括來自KLA RF文件的缺陷ID(如果沒有KLA RF，則是系統(tǒng)生成的ID)、所列缺陷的X坐標軸、所列缺陷的Y坐標軸、KLA RF缺陷種類、缺陷類型(例如缺陷、軟缺陷或經(jīng)修理的)、X大小(nm)、Y大小(nm)、默認缺陷圖像類型以及KLA RF文件的索引數(shù)或到另一個圖像文件的路徑。
為了接收KLA RF掩模，用戶可以從文件菜單中選擇輸入KLA RF。這時，用戶可以輸入關(guān)于掩模類型、檢查系統(tǒng)、像素大小，檢查模式、掩模ID、序列號、檢查狀態(tài)和檢查基準的信息。在選擇了想要輸入的文件之后，用戶可以復查缺陷表格的內(nèi)容并且適當?shù)鼐庉嬈渲械男畔?，從而允許用戶補充在KLA RF文件中缺少的信息。為了保存這個MFF文件，用戶可以從文件菜單中選擇保存，瀏覽保存該文件的目錄，輸入文件名并點擊保存按鈕。這時，所保存的文件可以被缺陷分析工具使用。
為了接收(即輸入)非KLA RF掩模，用戶可以輸入關(guān)于掩模類型、檢查系統(tǒng)、像素大小，檢查模式、掩模ID、序列號、檢查狀態(tài)和檢查基準的信息。這時，用戶可以從圖像菜單中選擇輸入，從而打開圖像文件瀏覽器。在選擇了想要輸入的文件之后，用戶可以復查缺陷表格的內(nèi)容并且適當?shù)鼐庉嬈渲械男畔?。為了將這個非MFF文件轉(zhuǎn)換為MFF文件并保存所得到的MFF文件，用戶可以從文件菜單中選擇保存，瀏覽保存該文件的目錄，輸入文件名并點擊保存按鈕。這時，所保存的文件可以被缺陷分析工具使用。
依照本發(fā)明的一實施例，利用Numerical Technologies公司許可的VirtualStepperR系統(tǒng)可以實現(xiàn)具有基于任務(wù)的自動化的缺陷分析工具，以提供缺陷復查、適印性分析以及掩模狀態(tài)。在另一實施例中，利用也是由Numerical Technologies公司許可的Data Exporter工具可以實現(xiàn)文件轉(zhuǎn)換工具，以將掩模圖像文件轉(zhuǎn)換為缺陷分析工具可讀的格式。這些工具可以有效地集成在一起以形成完備的工作流程。在一實施例中，缺陷分析工具和文件轉(zhuǎn)換工具可以在Windows2000R和Unix平臺上運行。
依照本發(fā)明的一個特征，在掩模設(shè)置屏幕或分檔器設(shè)置屏幕中設(shè)置的參數(shù)在被輸出時可以具有安全特征。例如，在一實施例中，制造工廠中的用戶可能想要關(guān)于作為商業(yè)秘密而保留的其分檔器的信息。這種情況下，用戶可以點擊主菜單條中的安全以拉起一個窗口。這個窗口可以包括輸出按鈕，因此當點擊該按鈕時，允許用戶給關(guān)于參數(shù)的信息加密。在一實施例中，除了名稱之外的所有信息都可以進行加密。因此，制造工廠中的用戶將該加密分檔器文件發(fā)送到掩模車間用戶，其中該掩模車間用戶可以將那些文件輸入到缺陷分析工具中。這時，掩模車間用戶可以利用加密分檔器設(shè)置運行ADSS或模擬任務(wù)，設(shè)置沒有直接訪問制造工廠中所用的實際分檔器參數(shù)。
盡管在這里已經(jīng)參照附圖，對本發(fā)明的說明性的實施例進行了詳細描述，但應(yīng)理解本發(fā)明不限于那些精確的實施例。它們無意是詳盡的或?qū)⒈景l(fā)明限制為所公開的精確的形式。同樣也會出現(xiàn)許多修改或變型。例如，依照本發(fā)明的其他實施例，系統(tǒng)和計算機程序產(chǎn)品都可提供用于實現(xiàn)上述缺陷分析功能。
要注意，這里所描述的系統(tǒng)和方法可以用于任何光刻處理技術(shù)，包括紫外、遠紫外(DUV)、極遠紫外(EUV)、x射線以及電子束。相應(yīng)地，要將本發(fā)明的范圍通過以下權(quán)利要求書和其等同物進行限定。
權(quán)利要求
1.一種用于分析光刻中所使用的掩模的方法，該方法包含將掩模文件加載到缺陷分析工具中；利用該掩模文件指定所要運行的任務(wù)，其中該任務(wù)定義了對掩模缺陷所均勻進行的處理中所使用的參數(shù)；管理任務(wù)并將該任務(wù)分配給計算資源；利用該掩模文件和所定義的參數(shù)，在計算資源上運行該任務(wù)；從計算資源中輸出該任務(wù)的結(jié)果，其中該結(jié)果包括掩模缺陷的適印性結(jié)果。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中該掩模文件包括標準掩模格式文件(MFF)。
3.如權(quán)利要求2的方法，還包括將掩模數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為標準MFF。
4.如權(quán)利要求1的方法，其中該參數(shù)包括與掩模有關(guān)的設(shè)置。
5.如權(quán)利要求4的方法，其中該設(shè)置包括掩模類型，掩模的相位以及掩模的透射率中的至少一個。
6.如權(quán)利要求1的方法，其中該參數(shù)包括與提供掩模文件信息的檢查系統(tǒng)有關(guān)的設(shè)置。
7.如權(quán)利要求6的方法，其中該設(shè)置包括檢查系統(tǒng)廠商和檢查系統(tǒng)型號中的至少一個。
8.如權(quán)利要求1的方法，其中該參數(shù)包括與可在光刻過程中用于曝光掩模的分檔器有關(guān)的設(shè)置。
9.如權(quán)利要求8的方法，其中該設(shè)置包括波長、數(shù)值孔徑、縮減量、散焦和照明中的至少一個。
10.如權(quán)利要求1的方法，其中對任務(wù)的管理和分配由任務(wù)管理器完成。
11.如權(quán)利要求10的方法，其中該任務(wù)管理器允許多個任務(wù)同時運行。
12.如權(quán)利要求10的方法，其中該任務(wù)管理器安排多個計算資源運行一個或多個任務(wù)。
13.如權(quán)利要求1的方法，其中該結(jié)果包括用于用戶復查的多個級別。
14.如權(quán)利要求13的方法，其中一級包括對缺陷所進行的模擬的總概述。
15.如權(quán)利要求14的方法，其中該總概述包括缺陷的缺陷評分。
16.如權(quán)利要求13的方法，其中一級包括掩模缺陷的缺陷圖。
17.如權(quán)利要求16的方法，其中該缺陷圖是彩色編碼的，彩色編碼是基于和每個缺陷有關(guān)的缺陷強度。
18.如權(quán)利要求17的方法，其中由閃光指示高缺陷強度。
19.如權(quán)利要求13的方法，其中一級可以提供每個缺陷的空間像以及與該缺陷的空間像相對應(yīng)的區(qū)域的基準像。
20.如權(quán)利要求1的方法，還包含基于用戶對任務(wù)結(jié)果的復查，輸入每個缺陷的狀態(tài)。
21.如權(quán)利要求20的方法，還包含基于用戶對任務(wù)結(jié)果的復查，提供每個缺陷狀態(tài)的歷史記錄。
22.如權(quán)利要求1的方法，還包含利用web瀏覽器訪問任務(wù)的結(jié)果。
23.一種用于分析光刻中所使用的掩模的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包含用于運行缺陷分析工具的應(yīng)用程序服務(wù)器；用于將掩模文件加載到缺陷分析工具中的裝置；用于利用掩模文件指定所要運行的任務(wù)的裝置，其中該任務(wù)定義了對掩模缺陷所均勻進行的處理中所使用的參數(shù)；用于運行該任務(wù)的計算資源；用于將該任務(wù)分配給計算資源并接收來自計算資源的任務(wù)結(jié)果的任務(wù)管理器；用于輸出任務(wù)結(jié)果的裝置，其中該結(jié)果包括對于掩模缺陷的適印性結(jié)果。
24.如權(quán)利要求23的系統(tǒng)，還包括用于將掩模數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為標準掩模格式文件(MFF)的裝置。
25.如權(quán)利要求23的系統(tǒng)，其中用于指定任務(wù)的裝置包括用于定義參數(shù)的裝置，該參數(shù)用于與掩模有關(guān)的設(shè)置。
26.如權(quán)利要求25的系統(tǒng)，其中該設(shè)置包括掩模類型、掩模的相位以及掩模的透射率中的至少一個。
27.如權(quán)利要求23的系統(tǒng)，其中用于指定任務(wù)的裝置包括用于定義參數(shù)的裝置，該參數(shù)用于與提供掩模文件信息的檢查系統(tǒng)有關(guān)的設(shè)置。
28.如權(quán)利要求27的系統(tǒng)，其中該設(shè)置包括檢查系統(tǒng)廠商和檢查系統(tǒng)型號中的至少一個。
29.如權(quán)利要求23的系統(tǒng)，其中用于指定任務(wù)的裝置包括用于定義參數(shù)的裝置，該參數(shù)用于與可在光刻過程中用于曝光掩模的分檔器有關(guān)的設(shè)置。
30.如權(quán)利要求29的系統(tǒng)，其中該設(shè)置包括波長、數(shù)值孔徑、縮減量、散焦和照明中的至少一個。
31.如權(quán)利要求23的系統(tǒng)，還包括用于存儲參數(shù)和任務(wù)結(jié)果中至少一個的存儲器。
32.如權(quán)利要求23的系統(tǒng)，其中該任務(wù)管理器包括用于使多個任務(wù)同時運行的裝置。
33.如權(quán)利要求32的系統(tǒng)，其中該任務(wù)管理器包括用于安排多個計算資源運行一個或多個任務(wù)的裝置。
34.如權(quán)利要求23的系統(tǒng)，其中用于輸出結(jié)果的裝置包括用于經(jīng)由多個復查級別訪問該結(jié)果的裝置。
35.如權(quán)利要求34的系統(tǒng)，其中至少一個重復級別包括對缺陷所進行的模擬的總概述。
36.如權(quán)利要求35的系統(tǒng)，其中至少一個重復級別包括掩模缺陷的缺陷圖。
37.如權(quán)利要求36的系統(tǒng)，其中用于輸出的裝置包括基于和每個缺陷有關(guān)的缺陷強度，對缺陷圖進行彩色編碼的裝置。
38.如權(quán)利要求37的系統(tǒng)，其中用于對缺陷圖彩色編碼的裝置包括用于為具有高缺陷強度的任何缺陷提供閃爍彩色光的裝置。
39.如權(quán)利要求38的系統(tǒng)，其中至少一個重復級別可以提供每個缺陷的空間像和該缺陷相應(yīng)的基準像。
40.如權(quán)利要求23的系統(tǒng)，還包含以下裝置中的至少一個用于基于用戶對任務(wù)結(jié)果的復查，輸入每個缺陷狀態(tài)的裝置；用于基于用戶對任務(wù)結(jié)果的復查，提供每個缺陷狀態(tài)的歷史記錄的裝置。
41.如權(quán)利要求23的系統(tǒng)，其中用于輸出的裝置提供圖形用戶界面。
42.如權(quán)利要求41的系統(tǒng)，其中用于輸出的裝置與web瀏覽器相接合以提供圖形用戶界面。
43.一種計算機程序產(chǎn)品，包含計算機可用的介質(zhì)，其具有嵌入其中的計算機可讀程序編碼，用于促使計算機分析光刻中所使用的掩模的缺陷，該計算機可讀程序編碼包含將掩模文件加載到缺陷分析工具中的編碼；利用掩模文件指定所要運行的任務(wù)的編碼，其中該任務(wù)定義了對掩模缺陷所均勻進行的處理中所使用的參數(shù)；管理任務(wù)并將該任務(wù)分配給計算資源的編碼；利用掩模文件和所定義的參數(shù)在計算資源上運行該任務(wù)的編碼；輸出任務(wù)結(jié)果的編碼，其中該結(jié)果包括對于掩模缺陷的適印性結(jié)果。
44.如權(quán)利要求43的計算機程序產(chǎn)品，還包括將掩模數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為標準掩模格式文件(MFF)的編碼。
45.如權(quán)利要求43的計算機程序產(chǎn)品，其中該參數(shù)包括與以下至少其中之一有關(guān)的設(shè)置掩模、提供掩模文件信息的檢查系統(tǒng)和可在光刻過程中用于曝光掩模的分檔器。
46.如權(quán)利要求43的計算機程序產(chǎn)品，其中管理和分配任務(wù)的編碼包括任務(wù)管理器。
47.如權(quán)利要求46的計算機程序產(chǎn)品，其中任務(wù)管理器允許多個任務(wù)同時運行。
48.如權(quán)利要求43的計算機程序產(chǎn)品，其中輸出結(jié)果的編碼包括用于為用戶提供多個復查級別的編碼。
49.如權(quán)利要求43的計算機程序產(chǎn)品，還包含以下編碼中的至少一個基于用戶對任務(wù)結(jié)果的復查，輸入每個缺陷狀態(tài)的編碼；基于用戶對任務(wù)結(jié)果的復查，提供每個缺陷狀態(tài)的歷史記錄的編碼。
50.一種用于光刻掩模缺陷的適印性分析的圖形用戶界面(GUI)，該GUI包含主菜單條包括多個設(shè)置鏈接；任務(wù)運行鏈接；和多個復查鏈接。
51.如權(quán)利要求50的GUI，其中多個設(shè)置鏈接包括掩模設(shè)置鏈接；分檔器設(shè)置鏈接；檢查系統(tǒng)鏈接。
52.如權(quán)利要求51的GUI，其中該掩模設(shè)置鏈接與掩模參數(shù)屏幕相結(jié)合，從而允許用戶輸入光刻掩模的參數(shù)，該參數(shù)包括名稱、類型、相位和透射率。
53.如權(quán)利要求51的GUI，其中該分檔器設(shè)置鏈接與分檔器參數(shù)屏幕相結(jié)合，其允許用戶輸入可用于曝光光刻掩模的分檔器的參數(shù)，該參數(shù)包括名稱、波長、數(shù)值孔徑、縮減量、散焦和照明。
54.如權(quán)利要求51的GUI，其中該檢查系統(tǒng)鏈接與檢查系統(tǒng)參數(shù)屏幕相結(jié)合，其允許用戶輸入用于檢查光刻掩模的檢查系統(tǒng)的參數(shù)，該參數(shù)包括名稱、廠商和型號。
55.如權(quán)利要求50的GUI，其中該任務(wù)運行鏈接與任務(wù)參數(shù)屏幕相結(jié)合，其允許用戶輸入提供缺陷適印性分析的任務(wù)的參數(shù)，該參數(shù)包括任務(wù)類型和重新使用的老方法。
56.如權(quán)利要求50的GUI，其中多個復查鏈接包括第一級復查鏈接，該第一級復查鏈接與第一屏幕相結(jié)合，其允許用戶搜尋缺陷適印性分析；第二級復查鏈接，該第二極復查鏈接與第二屏幕相結(jié)合，其允許用戶觀看用于光刻掩模的缺陷適印性分析的結(jié)果；第三級復查鏈接，該第三極復查鏈接與第三屏幕相結(jié)合，其允許用戶觀看用于光刻掩模每個缺陷的缺陷適印性分析的結(jié)果。
57.如權(quán)利要求56的GUI，其中第一屏幕包括過濾器，以發(fā)現(xiàn)特定的掩模數(shù)據(jù)或者要復查的任務(wù)。
58.如權(quán)利要求56的GUI，其中第二屏幕包括缺陷強度的表示。
59.如權(quán)利要求56的GUI，其中第三屏幕包括每個缺陷的缺陷圖；與該缺陷圖相關(guān)的基準圖；和與那些缺陷圖和基準圖相關(guān)的模擬結(jié)果。
60.如權(quán)利要求56的GUI，其中第三屏幕還包括每個經(jīng)復查的缺陷的狀態(tài)參數(shù)。
全文摘要
掩模的嚴重缺陷會危害在該晶片上形成的集成電路的功能性。不會影響功能性的損害性缺陷耗費昂貴的資源。一種具有基于任務(wù)的自動化的缺陷分析工具可以精確有效地確定缺陷適印性。這個工具可以利用掩模文件運行任務(wù)，以模擬在給定的參數(shù)組條件下，掩模所提供的晶片曝光。這些參數(shù)可以涉及該掩模自身、用于生成掩模文件的檢查系統(tǒng)、可用于曝光掩模的分檔器。任務(wù)過程中所進行的對掩模缺陷的處理可以均勻地完成。這種均勻性允許工具有效地運行多個任務(wù)。任務(wù)結(jié)果可以利用不同級別的細節(jié)表現(xiàn)從而幫助用戶復查。
文檔編號G03F7/20GK1530752SQ20041002845
公開日2004年9月22日 申請日期2004年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年2月20日
發(fā)明者L·龐, F·-C·常, L 龐, こ 申請人:數(shù)字技術(shù)股份有限公司