專利名稱：光刻投影組件、用于處理基底的處理裝置和處理基底的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種包括基底處理器和光刻投影裝置的光刻投影組件，其中，基底處理器包括處理室，光刻投影裝置包括投影室，投影室與處理室相通，用于將要處理的基底從處理室調(diào)換到投影室并且將已處理的基底從處理室調(diào)換到投影室。
光刻投影裝置通常包括-用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；-用于支撐構(gòu)圖裝置的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖裝置用于根據(jù)理想的圖案對投影光束進(jìn)行構(gòu)圖；-用于保持基底的基底臺；-用于將帶圖案的光束投影到基底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
這里使用的術(shù)語“構(gòu)圖裝置”應(yīng)廣義地解釋為能夠給入射的輻射光束賦予帶圖案的截面的裝置，其中所述圖案與要在基底的目標(biāo)部分上形成的圖案一致；本文中也可使用術(shù)語“光閥”。一般地，所述圖案與在目標(biāo)部分中形成的器件如集成電路或者其它器件的特定功能層相對應(yīng)(如下文)。這種構(gòu)圖裝置的示例包括-掩模。掩模的概念在光刻中是公知的。它包括如二進(jìn)制型、交替相移型、和衰減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型。這種掩模在輻射光束中的布置使入射到掩模上的輻射能夠根據(jù)掩模上的圖案而選擇性地被透射(在透射掩模的情況下)或者被反射(在反射掩模的情況下)。在使用掩模的情況下，支撐結(jié)構(gòu)一般是一個掩模臺，它能夠保證掩模被保持在入射光束中的理想位置，并且如果需要該臺會相對光束移動。
-程控反射鏡陣列。這種設(shè)備的一個例子是具有一粘彈性控制層和一反射表面的矩陣可尋址表面。這種裝置的基本原理是(例如)反射表面的已尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇檠苌涔?，而未尋址區(qū)域?qū)⑷肷涔夥瓷錇榉茄苌涔?。用一個適當(dāng)?shù)臑V光器，從反射的光束中濾除所述非衍射光，只保留衍射光；按照這種方式，光束根據(jù)矩陣可尋址表面的定址圖案而產(chǎn)生圖案。程控反射鏡陣列的另一實(shí)施方案利用微小反射鏡的矩陣排列，通過使用適當(dāng)?shù)木植侩妶?，或者通過使用壓電致動器裝置，使得每個反射鏡能夠獨(dú)立地相對一軸傾斜。再者，反射鏡是矩陣可尋址的，由此已尋址反射鏡以不同的方向?qū)⑷肷涞妮椛涔馐瓷涞轿磳ぶ贩瓷溏R上；按照這種方式，根據(jù)矩陣可尋址反射鏡的定址圖案對反射光束進(jìn)行構(gòu)圖。可以用適當(dāng)?shù)碾娮友b置進(jìn)行該所需的矩陣定址。在上述兩種情況中，構(gòu)圖裝置可包括一個或者多個程控反射鏡陣列。反射鏡陣列的更多信息可以從例如美國專利US5,296,891、美國專利US5,523,193、PCT專利申請WO98/38597和WO98/33096中獲得，這些文獻(xiàn)在這里引入作為參照。在程控反射鏡陣列的情況中，所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的。
-可程控LCD陣列，例如由美國專利US5,229,872給出的這種結(jié)構(gòu)，它在這里引入作為參照。如上所述，在這種情況下支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者工作臺，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù)需要可以是固定的或者是可移動的。
為簡單起見，本文的其余部分在一定的情況下具體以掩模和掩模臺為例；可是，在這樣的例子中所討論的一般原理應(yīng)適用于上述更寬范圍的構(gòu)圖裝置。
光刻投影裝置可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖裝置可產(chǎn)生對應(yīng)于IC一個單獨(dú)層的電路圖案，該圖案可以成像在已涂敷輻射敏感材料(抗蝕劑)層的基底(硅片)的目標(biāo)部分上(例如包括一個或者多個管芯(die))。一般的，單一的晶片將包含相鄰目標(biāo)部分的整個網(wǎng)格，該相鄰目標(biāo)部分由投影系統(tǒng)逐個相繼輻射。在目前采用掩模臺上的掩模進(jìn)行構(gòu)圖的裝置中，有兩種不同類型的機(jī)器。一類光刻投影裝置是，通過將全部掩模圖案一次曝光在目標(biāo)部分上而輻射每一目標(biāo)部分；這種裝置通常稱作晶片步進(jìn)器或者步進(jìn)重復(fù)裝置。另一種裝置(通常稱作步進(jìn)掃描裝置)通過在投影光束下沿給定的參考方向(“掃描”方向)依次掃描掩模圖案、并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描基底臺來輻射每一目標(biāo)部分；因?yàn)橐话銇碚f，投影系統(tǒng)有一個放大系數(shù)M(通常＜1)，因此對基底臺的掃描速度V是對掩模臺掃描速度的M倍。關(guān)于如這里描述的光刻設(shè)備的更多信息可以從例如美國專利US6,046,792中獲得，該文獻(xiàn)這里作為參考引入。
在用光刻投影裝置的制造方法中，(例如在掩模中的)圖案成像在至少部分由一層輻射敏感材料(抗蝕劑)覆蓋的基底上。在這種成像步驟之前，可以對基底可進(jìn)行各種處理，如打底，涂敷抗蝕劑和弱烘烤。在曝光后，可以對基底進(jìn)行其它的處理，如曝光后烘烤(PEB)，顯影，強(qiáng)烘烤和測量/檢查成像特征。以這一系列工藝為基礎(chǔ)，對例如IC的器件的單層形成圖案。這種圖案層然后可進(jìn)行任何不同的處理，如蝕刻、離子注入(摻雜)、鍍金屬、氧化、化學(xué)-機(jī)械拋光等完成一單層所需的所有處理。如果需要多層，那么對每一新層重復(fù)全部步驟或者其變化。最終，在基底(晶片)上出現(xiàn)器件陣列。然后采用例如切割或者鋸割等技術(shù)將這些器件彼此分開，單個器件可以安裝在載體上，與管腳等連接。關(guān)于這些步驟的進(jìn)一步信息可從例如Peter van Zant的“微型集成電路片制造半導(dǎo)線加工實(shí)踐入門(Microchip FabricationA Practical Guide toSemiconductor Processing)”一書(第三版，McGraw Hill Publishing Co.，1997，ISBN0-07-067250-4)中獲得，這里作為參考引入。
為了簡單起見，投影系統(tǒng)在下文稱為“鏡頭”；可是，該術(shù)語應(yīng)廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括例如折射光學(xué)裝置，反射光學(xué)裝置，和反折射系統(tǒng)。輻射系統(tǒng)還可以包括根據(jù)這些設(shè)計類型中任一設(shè)計的操作部件，該操作部件用于引導(dǎo)、成形或者控制輻射投影光束，這種部件在下文還可共同地或者單獨(dú)地稱作“鏡頭”。另外，光刻裝置可以具有兩個或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模臺)。在這種“多臺式”器件中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺上進(jìn)行準(zhǔn)備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。例如在美國專利US5,969,441和WO98/40791中描述的二級光刻裝置，這里作為參考引入。
在典型的光刻裝置中，基底通過基底軌道和基底處理器傳輸?shù)焦饪掏队把b置的基底臺。在基底軌道中，進(jìn)行基底表面的預(yù)處理?；椎念A(yù)處理通常包括至少部分地用輻射敏感材料(抗蝕劑)涂覆基底。另外，在成像步驟之前，基底可以經(jīng)過各種其它預(yù)處理程序，例如，打底和弱烘烤。在基底預(yù)處理之后，通過基底處理器將基底從基底軌道傳輸?shù)交着_。
基底處理器通常適于在基底臺上準(zhǔn)確地定位基底并且還可以控制基底的溫度。
對于某種光刻投影裝置，例如，采用極遠(yuǎn)紫外輻射(短EUV輻射)的裝置，必需在真空中進(jìn)行對基底的投影。因此，基底處理器應(yīng)當(dāng)適于將已預(yù)處理的基底傳送到真空中。通常意味著至少在基底軌道中基底的預(yù)處理之后，基底的處理和溫度控制必須在真空中完成。
另一種類型的光刻投影裝置，例如，在N2環(huán)境中采用157nm輻射運(yùn)轉(zhuǎn)的裝置，必需保持特定的氣體環(huán)境，例如N2環(huán)境。因此，基底處理器應(yīng)當(dāng)適于將預(yù)處理的基底傳送到特定氣體環(huán)境中。通常意味著至少在基底軌道中基底的預(yù)處理之后，基底的處理和溫度控制必須在特定氣體環(huán)境中完成。

發(fā)明內(nèi)容
第一方面本發(fā)明的目的是提供一種光刻投影組件，該光刻投影組件具有能夠采用有限數(shù)量的傳輸裝置，以便在第一環(huán)境，如基底軌道，與通常包括基底臺的投影室之間有效傳送基底的設(shè)計。
根據(jù)本發(fā)明的光刻投影組件可以實(shí)現(xiàn)該目的和其它目的，該光刻投影組件包括●至少兩個裝載鎖閉裝置(load locks)，用于在第一環(huán)境與第二環(huán)境之間傳送基底，第二環(huán)境具有比第一環(huán)境更低的氣壓；●基底處理器，包括處于第二環(huán)境的處理室；●光刻投影裝置，包括投影室；處理室和投影室通過裝載位置和卸載位置相通，一方面，裝載位置用于將基底從處理室引入投影室，另一方面，卸載位置用于將基底從投影室移到處理室。在這方面，應(yīng)當(dāng)注意，裝載位置和卸載位置可以是同一位置，也可以是不同位置；處理室設(shè)有●預(yù)處理裝置，例如，用于基底預(yù)處理的預(yù)對準(zhǔn)裝置和/或熱處理裝置；和●傳輸裝置，適于將基底從裝載鎖閉裝置傳送到預(yù)處理裝置并且從預(yù)處理裝置傳送到裝載位置，也可以將基底從卸載位置傳送到裝載鎖閉裝置。
裝載鎖閉裝置使基底能夠從第一環(huán)境，例如大氣壓狀態(tài)，進(jìn)入具有比第一環(huán)境更低的氣壓的第二環(huán)境，第二環(huán)境為例如真空或者近真空。在處理室中主要處于第二環(huán)境。處理室包括傳輸裝置，用于將基底從裝載鎖閉裝置傳送到投影室并且反過來也是一樣。處理室還包括預(yù)處理裝置，例如預(yù)對準(zhǔn)裝置，用于精確定位基底，使得隨后在投影室中可以非常精確地處理基底；和/或熱處理裝置，用于基底的熱處理，以使其達(dá)到預(yù)定的溫度和/或使整個基底的溫度均勻和/或調(diào)節(jié)基底的溫度。預(yù)處理裝置通常包括用于相對某個參考點(diǎn)確定和/或校正基底位置的裝置。通過設(shè)置至少兩個裝載鎖閉裝置，增加了要在投影裝置中處理的基底以及已在投影裝置中處理的基底的產(chǎn)量，反過來，需要增加傳輸裝置的數(shù)量，例如機(jī)械手的數(shù)量，或者提高傳輸裝置的處理速度。
根據(jù)一個實(shí)施例，投影室為真空室，并且光刻投影裝置包括真空裝置，以在真空室中形成或保持真空。這種光刻投影裝置特別適于需要在真空中處理基底的EUV輻射的應(yīng)用。真空理解為絕對氣壓低于0.1bar。
根據(jù)一個實(shí)施例，傳輸裝置包括一個，特別是僅有一個具有夾持器的操縱器，并且，光刻投影組件包括控制裝置，該控制裝置適于控制操縱器進(jìn)行如下動作●從一個裝載鎖閉裝置拾取基底，并將所述基底傳送至預(yù)處理裝置；●從預(yù)處理裝置拾取基底，并將所述基底傳送至裝載位置；和●從卸載位置拾取基底，并將所述基底傳送至一個裝載鎖閉裝置。
該實(shí)施例使采用最少數(shù)量的操縱器成為可能，進(jìn)而節(jié)省了空間和成本。
根據(jù)另一個實(shí)施例，光刻投影組件的特征在于傳輸裝置包括具有第一夾持器的第一操縱器和具有第二夾持器的第二操縱器，并且，光刻投影組件包括控制裝置，該控制裝置適于控制第一和第二操縱器進(jìn)行如下動作●用第一夾持器從一個裝載鎖閉裝置拾取基底，并將所述基底傳送至預(yù)處理裝置；●用第二夾持器從預(yù)處理裝置拾取基底，并將所述基底傳送至裝載位置；和●用第一夾持器從卸載位置拾取基底，并將所述基底傳送至一個裝載鎖閉裝置。
通過提供第一和第二操縱器和相應(yīng)的控制裝置，實(shí)現(xiàn)了第二操縱器僅將要處理的基底傳送至投影室。
也就是說，在預(yù)處理裝置中預(yù)處理之后，基底由第二夾持器非常精確地進(jìn)行處理，同時，使得第一夾持器可以以較低的精確度運(yùn)轉(zhuǎn)，反過來，對第一夾持器和操縱器提出較低的要求?？扇芜x地，預(yù)處理裝置可以包括預(yù)對準(zhǔn)裝置，該預(yù)對準(zhǔn)裝置預(yù)對準(zhǔn)基底以提高基底的位置精度。第一夾持器只是向裝載鎖閉裝置傳送已處理的基底，并且將要處理的基底從裝載鎖閉裝置移開。因此，通過使用一個操縱器將基底向裝載鎖閉裝置傳送和從裝載鎖閉裝置移開，在基底運(yùn)輸繁忙的區(qū)域中實(shí)現(xiàn)了節(jié)省空間配置。此外，通過使用第二操縱器將基底運(yùn)送至投影室并且通過使用第一操縱器將基底從投影室移開，提高了基底在投影室和處理室之間的交換速度。
為了提高產(chǎn)量，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，第一和/或第二夾持器具有熱處理裝置是有利的，該熱處理裝置用于使基底達(dá)到預(yù)定的溫度和/或使整個基底的溫度均勻，和/或調(diào)節(jié)基底的溫度。通過這樣做，用于基底傳送的時間同時用于基底的熱處理?；诇囟鹊恼{(diào)節(jié)將使所述基底的失調(diào)最小化。
為了使所需操縱器的數(shù)量最少，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，當(dāng)至少兩個裝載鎖閉裝置包括第一和第二裝載鎖閉裝置時，設(shè)置單個操縱器或者第一操縱器，使其與所述第一和所述第二裝載鎖閉裝置相配合是有利的。這樣，從基底處理器一側(cè)，兩個裝載鎖閉裝置都提供給一個并且是同一個操縱器。此外，該配置提高了基底的產(chǎn)量。當(dāng)采用用于各裝載鎖閉裝置的操縱器，以將基底放置在第一裝載鎖閉裝置內(nèi)或者將基底從第一裝載鎖閉裝置取回時，第二裝載鎖閉裝置可同時用于在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間傳送基底。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例，至少一個裝載鎖閉裝置，例如第一裝載鎖閉裝置和/或第二裝載鎖閉裝置，具有第一和第二基底支撐位置。這樣，增加了至少一個裝載鎖閉裝置的使用靈活性。例如，當(dāng)一個裝載鎖閉裝置向基底處理器提供要處理的基底時，操縱器可以首先將已處理的基底運(yùn)送至裝載鎖閉裝置的一個空閑支撐位置，然后將提供的要處理的基底取走。減少了由操縱器進(jìn)行的移動次數(shù)。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例，第一和第二裝載鎖閉裝置連接到基底軌道，用于將基底提供給第一和第二裝載鎖閉裝置以及將基底從第一和第二裝載鎖閉裝置移開。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例，光刻投影裝置還包括第三裝載鎖閉裝置，用于將物體例如基底從第三環(huán)境傳送至第二環(huán)境，第三裝載鎖閉裝置在面向第三環(huán)境的一側(cè)可以自由進(jìn)入。這種可以自由進(jìn)入的第三裝載鎖閉裝置在一方面能夠?qū)⑻厥馕矬w插入光刻投影裝置，例如替換的部件、工具等等因?yàn)槟撤N原因需要插入光刻投影裝置的物體。這樣，通過第三裝載鎖閉裝置可以保持處理室和/或投影室內(nèi)的真空或者近真空條件。為了能夠用第三裝載鎖閉裝置作為臨時緩沖器或者存儲位置，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例這樣做是有利的，當(dāng)控制裝置適于用所述傳輸裝置將基底放置在第三裝載鎖閉裝置內(nèi)時，當(dāng)所述放置的基底在第三裝載鎖閉裝置中時保持第三裝載鎖閉裝置外部的門關(guān)閉，并且在用所述傳輸裝置傳送其它基底之后，用同一傳輸裝置夾持器拾取和傳送所述放置的基底。
為了提高光刻投影裝置的靈活性，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，使控制裝置適于彼此獨(dú)立地控制各裝載鎖閉裝置是有利的。也就是說，裝載鎖閉裝置并不彼比相互相位耦合，除非控制裝置在各裝載鎖閉裝置上強(qiáng)加某個相位差。實(shí)際上，裝載鎖閉裝置可以由事件驅(qū)動，并且該事件在控制裝置的控制下。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的一個或者多個包括一個附加門，用于將物體例如基底從第四環(huán)境傳送至第二環(huán)境，附加門面向第四環(huán)境，并且可以自由進(jìn)入。這種可以自由進(jìn)入的附加門能夠?qū)⑻厥馕矬w插入光刻投影裝置，例如替換的部件、工具等等因?yàn)槟撤N原因需要插入光刻投影裝置的物體。這樣，當(dāng)在裝載鎖閉裝置的第一環(huán)境一側(cè)位置保持不變而沒有與裝載鎖閉裝置斷開時，通過附加門可以保持處理室和/或投影室內(nèi)的第二環(huán)境真空。此處，可以自由進(jìn)入意味著無需移動硬件的大部分，可由操作者操作出入，裝載鎖閉裝置或者其附加門還可任選地用蓋子密封。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例，預(yù)處理裝置包括熱處理裝置，用于使基底達(dá)到預(yù)定的溫度和/或使整個基底的溫度均勻。通過提供具有熱處理裝置的預(yù)處理裝置，在裝載鎖閉裝置中可以無須熱處理或者在裝載鎖閉裝置中僅存在適度熱處理。這樣，提高了裝載鎖閉裝置的流通量，該流通量是總體上光刻投影裝置的總產(chǎn)量的決定因素之一。另一個優(yōu)點(diǎn)是，當(dāng)預(yù)處理裝置還包括預(yù)對準(zhǔn)裝置時，由于預(yù)對準(zhǔn)任務(wù)花費(fèi)相當(dāng)長的時間，熱處理裝置與預(yù)對準(zhǔn)裝置的結(jié)合導(dǎo)致熱處理與預(yù)對準(zhǔn)同時有效進(jìn)行。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例，基底為半導(dǎo)體晶片。
根據(jù)本發(fā)明現(xiàn)在第一方面的一個子方面，本發(fā)明還涉及一種用于處理基底的處理裝置，包括根據(jù)本發(fā)明的組件，但是沒有投影裝置。這種處理裝置稱為基底處理裝置，可以更清楚地限定為包括●至少兩個裝載鎖閉裝置，用于將基底從第一環(huán)境傳送至第二環(huán)境，第二環(huán)境具有比第一環(huán)境更低的壓力；●基底處理器，包括主要處于第二環(huán)境的處理室；處理室和投影室通過裝載位置和卸載位置相通，一方面，裝載位置用于將基底從處理室引入下一個位置，另一方面，卸載位置用于將基底從下一個位置移到處理室。
處理室設(shè)有●預(yù)處理裝置，用于基底的處理；和●傳輸裝置，適于將基底從裝載鎖閉裝置傳送到預(yù)處理裝置并且從預(yù)處理裝置傳送到裝載位置，也可以將基底從卸載位置傳送到裝載鎖閉裝置。
對于作為根據(jù)本發(fā)明的光刻投影組件的處理裝置和基底處理裝置，還包括軌道是有利的，其中，至少兩個裝載鎖閉裝置設(shè)置在軌道和基底處理器之間。
根據(jù)本發(fā)明第一方面的一個子方面，還提供了一種用于處理基底的方法，包括以下步驟a)通過所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的一個的外部門，將基底從第一環(huán)境傳送到所述裝載鎖閉裝置內(nèi)；b)關(guān)閉所述外部門并將所述裝載鎖閉裝置內(nèi)抽空；c)打開所述裝載鎖閉裝置的內(nèi)部門；d)用第一操縱器從所述裝載鎖閉裝置拾取基底，并且用所述第一操縱器將基底傳送至預(yù)處理裝置；e)用預(yù)處理裝置處理基底；f)用所述第一操縱器或第二操縱器從預(yù)處理裝置拾取基底；g)用所述第一操縱器或第二操縱器將從預(yù)處理裝置拾取的基底傳送至裝載位置；h)處理基底并將基底運(yùn)送至卸載位置；i)用所述第一操縱器從卸載位置拾取基底并將基底通過內(nèi)部門傳送至所述裝載鎖閉裝置或者通過內(nèi)部門傳送至另一個裝載鎖閉裝置；j)關(guān)閉相應(yīng)的內(nèi)部門并使相應(yīng)裝載鎖閉裝置通氣；和k)打開相應(yīng)的裝載鎖閉裝置，并將基底從所述相應(yīng)裝載鎖閉裝置移開。
該方法可以用最少的操縱器在時間上有效地進(jìn)行。更多的優(yōu)點(diǎn)在公開的前述部分清楚地描述。
為了使要在投影室中處理的基底達(dá)到某個溫度，在步驟c)之前，在步驟b)的抽空步驟期間和/或之后，熱處理基底是有益的。這時，可以例如利用抽空所需的時間，對基底進(jìn)行至少一部分它所需經(jīng)歷的熱處理。
根據(jù)又一個實(shí)施例，可以在基底在預(yù)處理裝置中時對基底進(jìn)行熱處理。這時，可以有利地利用預(yù)對準(zhǔn)所需的時間，該時間相當(dāng)長，對基底進(jìn)行部分或全部所需的熱處理。
為了提高第一環(huán)境和第二環(huán)境之間的交換速度，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，在對于一個裝載鎖閉裝置進(jìn)行步驟d)時，同時在另一個裝載鎖閉裝置中進(jìn)行步驟a)和/或b)和/或c)和/或j)和/或k)是有益的。
根據(jù)本發(fā)明的又一個實(shí)施例，基底為半導(dǎo)體晶片。
根據(jù)這個方面的又一個子方面，本發(fā)明提供一種根據(jù)本發(fā)明的第一方面的光刻投影裝置的運(yùn)行方法，包括啟動模式、正常運(yùn)行模式和空轉(zhuǎn)模式，所述至少兩個裝載鎖閉裝置每個具有抽氣周期和通氣周期，其中，在抽氣周期各裝載鎖閉裝置內(nèi)的壓力降低，在通氣周期各裝載鎖閉裝置內(nèi)的氣壓升高，其中，在啟動模式中，在沒有基底存在于相應(yīng)的裝載鎖閉裝置內(nèi)時，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個進(jìn)行通氣周期，同時，在基底存在于相應(yīng)的裝載鎖閉裝置時，相應(yīng)的裝載鎖閉裝置進(jìn)行抽氣周期；其中，在正常運(yùn)行模式中，在基底存在于相應(yīng)的裝載鎖閉裝置時，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個進(jìn)行抽氣周期和通氣周期；其中，在空轉(zhuǎn)模式中，在沒有基底存在于相應(yīng)的裝載鎖閉裝置內(nèi)時，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個進(jìn)行抽氣周期，同時，在基底存在于相應(yīng)的裝載鎖閉裝置時，相應(yīng)的裝載鎖閉裝置進(jìn)行通氣周期。
該方法有效利用所述至少兩個裝載鎖閉裝置或者至少一個裝載鎖閉裝置(參見下面一些段落中這方面論述)，以及傳輸裝置，用于例如連續(xù)運(yùn)轉(zhuǎn)幾天，使根據(jù)本發(fā)明的光刻投影組件具有相當(dāng)高的產(chǎn)量。在例如在光刻投影組件中或者在將要處理的基底送入裝載鎖閉裝置的過程中發(fā)生基底停滯的情況下，控制裝置將從正常運(yùn)轉(zhuǎn)模式切換到空轉(zhuǎn)模式。根據(jù)情況，空轉(zhuǎn)模式可以運(yùn)轉(zhuǎn)很長時間或者很短時間，例如僅一個裝載鎖閉裝置的一個通氣周期。當(dāng)停滯解決時，控制裝置可以根據(jù)情況直接切換到正常運(yùn)轉(zhuǎn)模式或者切換到啟動模式，很可能稍后切換到正常運(yùn)轉(zhuǎn)模式，盡管也可能根據(jù)情況退回切換到空轉(zhuǎn)模式。這樣，啟動模式和空轉(zhuǎn)模式不僅僅發(fā)生在基底制作的開始或者基底制作的結(jié)束，也可能在制作過程中發(fā)生。因此，根據(jù)一個優(yōu)選實(shí)施例，可以根據(jù)在光刻投影裝置中基底的處理過程中發(fā)生的情況，以任意順序重復(fù)一個或多個啟動模式、正常運(yùn)轉(zhuǎn)模式和空轉(zhuǎn)模式。
根據(jù)本發(fā)明的該方法，在僅有一個單個的裝載鎖閉裝置并且該裝載鎖閉裝置具有第一和第二基底支撐位置的情況下，可以獲得高效率。當(dāng)然，也可以應(yīng)用于不止一個裝載鎖閉裝置，有利地全部或僅有一些裝載鎖閉裝置具有第一和第二基底支撐位置。但是，在具有兩個或者更多的裝載鎖閉裝置的情況下，所有裝載鎖閉裝置或者某些裝載鎖閉裝置僅具有一個基底支撐位置時效率也很高。
根據(jù)本發(fā)明第一方面的光刻投影組件還可以在僅具有一個裝載鎖閉裝置的情況下運(yùn)轉(zhuǎn)，即可以用“至少一個裝載鎖閉裝置”替換權(quán)利要求中的用語“至少兩個裝載鎖閉裝置”。替換后將失去“至少兩個裝載鎖閉裝置”的某些優(yōu)點(diǎn)，但是，還有許多其它的優(yōu)點(diǎn)適用“一個裝載鎖閉裝置”的情況。
此外，可以理解，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，操縱器，例如單個操縱器和/或第一操縱器和/或第二操縱器，不但可以僅設(shè)有一個夾持器(優(yōu)選的)而且可以設(shè)有兩個或更多的夾持器。
第二方面第二方面是關(guān)于用于光刻投影裝置的裝載鎖閉裝置?！把b載鎖閉裝置”是用于將物體例如基底從第一環(huán)境傳送至第二環(huán)境的裝置，其中一個環(huán)境的壓力低于另一個環(huán)境的壓力。
根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，裝載鎖閉裝置設(shè)有一個支撐位置。該支撐位置用于將來自第一環(huán)境要傳送的物體傳送至第二環(huán)境，也可以將來自第二環(huán)境要傳送的物體傳送至第一環(huán)境。
在物體從第一環(huán)境至第二環(huán)境的傳送過程中，抽空裝載鎖閉裝置的內(nèi)部。抽空將花費(fèi)一定的時間。為了增加要從第一環(huán)境傳送至第二環(huán)境的物體的數(shù)量，可以提高抽空處理的速度。但是，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，裝載鎖閉裝置的抽空仍舊需要少量時間。
本發(fā)明第二方面的目的在于提高光刻投影裝置的產(chǎn)量，其中，容納光刻投影裝置元件所需的空間相當(dāng)小。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面提供一種光刻投影裝置可以實(shí)現(xiàn)該目的和其它目的，該光刻投影裝置包括●至少一個裝載鎖閉裝置，用于在第一環(huán)境與第二環(huán)境之間傳送物體，例如基底，第二環(huán)境具有比第一環(huán)境更低的壓力；●物體處理器，包括主要處于第二環(huán)境的處理室；●光刻投影裝置，包括投影室；處理室和投影室相通，用于交換物體；其中，裝載鎖閉裝置包括●裝載鎖閉裝置室；●抽空裝置，用于抽空裝載鎖閉裝置室；●門裝置，用于在抽空過程中封閉裝載鎖閉裝置室，以及打開裝載鎖閉裝置室以使物體進(jìn)入裝載鎖閉裝置室或者從裝載鎖閉裝置室移出；其中，裝載鎖閉裝置室設(shè)有至少兩個物體支撐位置。
在裝載鎖閉裝置內(nèi)設(shè)置至少兩個物體支撐位置例如第一和第二支撐位置的優(yōu)點(diǎn)在于，在一個裝載鎖閉裝置周期中，可以將第一物體放置在第一物體支撐位置，并且將第二物體從另一個支撐位置移開。例如，當(dāng)打開裝載鎖閉裝置將裝載鎖閉裝置的內(nèi)部與第二環(huán)境相連接時，可以首先將已處理的基底放置在一個物體支撐位置上，然后將已經(jīng)放置在另一個物體支撐位置的要處理的基底移開。隨后，在關(guān)閉裝載鎖閉裝置并將裝載鎖閉裝置與第一環(huán)境通氣之后，裝載鎖閉裝置的內(nèi)部與第一環(huán)境相連接，并且可以將已處理的基底移開，插入一片新的要處理的基底。然后，可以抽空裝載鎖閉裝置，可以重復(fù)前面的過程。該過程能夠時間有效地在第一和第二環(huán)境之間傳送物體，例如基底。另外，可以保持移動裝置例如操縱器如機(jī)械臂所需時間，以及夾持和操縱物體例如基底在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間傳送所需時間最小。
當(dāng)抽空裝載鎖閉裝置內(nèi)部時，壓力差將影響裝載鎖閉裝置室內(nèi)的溫度。此時，在裝載鎖閉裝置室內(nèi)的物體例如基底的溫度也將受到影響。對于要在光刻投影裝置中處理的物體，物體的溫度是需要受到控制的因素之一。特別適用于當(dāng)物體自身在光刻投影裝置中時，但是，這還意味著在向光刻投影裝置的傳送過程中，應(yīng)當(dāng)注意基底的溫度。
為了改善在傳送物體通過裝載鎖閉裝置的過程中的溫度控制，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，裝載鎖閉裝置包括體積減小裝置，用于減小與放置在所述至少一個物體支撐位置上的物體表面相鄰的氣體體積。由于采取了這種措施，與物體表面相鄰的氣體的體積將最小。也就是說，在物體傳送過程中由壓力差引起的溫度差將保持最小。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的一個實(shí)施例，所述至少一個物體支撐位置包括一個支撐板，其尺寸大約等于或者大于被支撐的物體；一個頂板，設(shè)置在所述至少一個物體支撐位置上方，該頂板的尺寸大約等于或者大于物體；和體積降低裝置，包括升降裝置，用于●在裝載鎖閉裝置室抽空之前和/或過程中，減小所述至少一個物體支撐位置的支撐板和頂板之間的距離；和●在物體從所述至少一個物體支撐位置移開或者運(yùn)送至所述至少一個物體支撐位置之前，增大支撐板和頂板之間的距離。
支撐板的尺寸大約等于或大于被支撐物體的含意為在物體為基底的情況下，防止基底的支撐側(cè)與鄰接基底的氣體體積接觸，或者，如現(xiàn)有技術(shù)所公知的，當(dāng)支撐板為有小突起的板時，支撐側(cè)具有與存在于基底支撐側(cè)、支撐板和支撐板的小突起之間的氣體體積的有限接觸。頂板可以是設(shè)置在裝載鎖閉裝置室中以及裝載鎖閉裝置室壁上的單獨(dú)板元件，或者任何存在于裝載鎖閉裝置室內(nèi)的元件的平坦表面，同樣需要具有大約等于或者大于基底的尺寸，以使與基底上表面相鄰的氣體體積最小。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的又一個實(shí)施例，當(dāng)相應(yīng)的頂板優(yōu)選以固定的方式設(shè)置在裝載鎖閉裝置室內(nèi)時，裝置的位置適于起支撐板的作用。這種設(shè)置的優(yōu)點(diǎn)在于，減少了基底從夾持器到基底支撐位置、或者反過來基底從基底支撐位置到夾持器的全部處理所需的時間。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的又一個實(shí)施例，定位裝置設(shè)置在裝載鎖閉裝置室的側(cè)面和/或裝載鎖閉裝置室的頂部和/或裝載鎖閉裝置室的底部。這種設(shè)置使裝載鎖閉裝置可以從前面以及背面自由進(jìn)入。
為了補(bǔ)償在通過裝載鎖閉裝置室傳送過程中和/或物體在最初階段進(jìn)行溫度處理時作用在物體上的溫度影響，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，優(yōu)選裝載鎖閉裝置的所述至少兩個支撐位置中的一個或多個包括熱處理裝置，用于使物體達(dá)到預(yù)定的溫度和/或使整個物體的溫度均勻。
在第二方面，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，支撐板的所述至少兩個支撐位置中的一個或多個設(shè)有熱處理裝置。這種熱處理裝置可以例如以管路的形式，如管或槽，設(shè)置在相應(yīng)的支撐板的內(nèi)部，通過該管路抽吸流體以控制支撐板的溫度并且通過支撐板控制物體的溫度。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的又一個實(shí)施例，所述至少兩個支撐位置中的兩個被設(shè)置為一個放置在另一個上面。在這種情形下，熱處理裝置放置在所述兩個支撐位置之間是有利的。如前面所描述的，熱處理裝置可以例如是具有內(nèi)部管路的板，通過該管路抽吸液體。這種配置的優(yōu)點(diǎn)在于，通過提供可以用于在所述熱處理裝置上面的支撐位置和在所述熱處理裝置下面的支撐位置的熱處理的熱處理裝置，節(jié)省空間和元件。在使用一個和同一個裝載鎖閉裝置以使在光刻投影裝置中處理的物體和在光刻投影裝置中已處理的物體進(jìn)行傳送的情況下，應(yīng)當(dāng)注意，通常，熱處理對于還要處理的物體特別重要，而對于已經(jīng)處理的物體不太重要，但是根據(jù)后處理過程，仍舊具有一定的重要性。也就是說，設(shè)置在兩個支撐位置之間的熱處理裝置無需對于兩個支撐位置等效，至少假定支撐位置中的一個是用于還要處理的物體并且另一個支撐位置是用于已經(jīng)處理的物體。
如已經(jīng)指出的，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，當(dāng)熱處理裝置包括管路，例如管或槽，和用于通過所述管路抽吸液體的液體抽吸系統(tǒng)是有利的，其中，所述管路設(shè)置在支撐板和/或裝載鎖閉裝置室的一個或多個壁的內(nèi)部。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的又一個優(yōu)選實(shí)施例，裝載鎖閉裝置室包括一個頂壁和一個底壁，其中，抽空裝置包括設(shè)置在負(fù)載室底壁的抽氣孔，并且，其中，裝載鎖閉裝置包括設(shè)置在裝載鎖閉裝置室頂壁的通氣孔。通過從底壁抽氣并且從頂壁通氣，裝置中的氣流將從頂部到底部流動。也就是說，如果存在微粒，將通過氣體從裝載鎖閉裝置的上部到底部傳輸。微粒將沉積在裝載鎖閉裝置室的底部或者從裝載鎖閉裝置室中除去。在這個方面，優(yōu)選通氣孔和抽氣孔相對于支撐位置居中設(shè)置，并且支撐位置一個設(shè)置在另一個上面。這就提供了利用在抽氣和/或通氣過程中在裝載鎖閉裝置室內(nèi)產(chǎn)生的氣流、去除可能置于或可能粘附于放置在裝載鎖閉裝置室內(nèi)的基底上的微粒的可能性。頂壁和/或底壁可以固定，但不必需固定，為了維修的目的，頂壁和/或底壁可以移動是有利的。
根據(jù)第二方面的又一個實(shí)施例，投影室為真空室，并且光刻投影裝置包括用于形成和保持真空室中的真空的真空裝置。真空意為絕對氣壓約0.1bar或更低。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的又一個實(shí)施例，投影裝置包括-用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；-用于支撐構(gòu)圖裝置的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖裝置用于根據(jù)所需的圖案對投影光束進(jìn)行構(gòu)圖；-用于保持基底的基底臺；-用于將帶圖案的光束投影到基底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的又一個實(shí)施例，物體為半導(dǎo)體晶片。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的又一個實(shí)施例，門裝置包括朝向第一環(huán)境的第一門和朝向第二環(huán)境的第二門。具有兩個門，每個門朝向一個環(huán)境，這避免了必須操縱裝載鎖閉裝置室。裝載鎖閉裝置室可以安裝在固定的位置。這增加了裝載鎖閉裝置輸入的速度。
為了提高根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光刻投影組件的產(chǎn)量，光刻投影組件包括兩個或更多個裝載鎖閉裝置是有利的。裝載鎖閉裝置流通量的限制因素為通氣和抽空所需的時間。通過設(shè)置兩個或更多個裝載鎖閉裝置，在一個時間段中可以向第二環(huán)境提供更多的物體。例如，一個裝載鎖閉裝置可以朝向第二環(huán)境打開，同時，另一個裝載鎖閉裝置已經(jīng)裝有其后要傳送到第二環(huán)境中的物體。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明還涉及如上所述的裝載鎖閉裝置。換句話說，本發(fā)明還涉及一種用于將物體，例如基底在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間傳送的裝載鎖閉裝置，第二環(huán)境具有比第一環(huán)境更低的壓力；其中，裝載鎖閉裝置包括●裝載鎖閉裝置室；●抽空裝置，用于抽空裝載鎖閉裝置室；●門裝置，用于在抽空過程中封閉裝載鎖閉裝置室，以及打開裝載鎖閉裝置室以使物體進(jìn)入裝載鎖閉裝置室或者從裝載鎖閉裝置室移出；其中，裝載鎖閉裝置室設(shè)有至少兩個物體支撐位置。
也可以將有關(guān)光刻投影組件的從屬權(quán)利要求看作根據(jù)該裝載鎖閉裝置權(quán)利要求的權(quán)利要求，以形成裝載鎖閉裝置的優(yōu)選實(shí)施例。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明還涉及一種根據(jù)本發(fā)明的裝載鎖閉裝置裝置和一種晶片軌道系統(tǒng)，其中，門裝置面向第一環(huán)境，向晶片軌道系統(tǒng)開口。
根據(jù)第二方面，本發(fā)明還涉及一種用于在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間傳送物體，例如基底的方法，該方法使用一種裝載鎖閉裝置，優(yōu)選上述裝載鎖閉裝置，所述裝載鎖閉裝置具有裝載鎖閉裝置室，該方法包括-將第一物體放置在裝載鎖閉裝置室內(nèi)的第一物體支撐位置上，-關(guān)閉所述裝載鎖閉裝置以封閉物體，-用抽空裝置抽空裝載鎖閉裝置，-打開所述裝載鎖閉裝置，以將裝載鎖閉裝置連接至第二環(huán)境；-將第二物體放置在裝載鎖閉裝置室內(nèi)的第二物體支撐位置上，并且將第一物體從第一物體支撐位置上移開。該方法的優(yōu)點(diǎn)可以從前面關(guān)于光刻投影裝置的描述中清楚地看出。
根據(jù)本發(fā)明第二方面的方法的實(shí)施例，當(dāng)該方法此后包括以下步驟時是有利的關(guān)閉裝載鎖閉裝置以封閉第二物體，使裝載鎖閉裝置通氣，打開裝載鎖閉裝置，以將裝載鎖閉裝置連接至第一環(huán)境，和從裝載鎖閉裝置移去第二物體。
當(dāng)?shù)谝晃矬w移開之前進(jìn)行第二物體的定位時，以及當(dāng)用同一個夾持器進(jìn)行所述定位和移開時，可以提高根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的方法的產(chǎn)量。
因?yàn)榍懊嬲f明的原因，根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的方法有利地包括在抽空裝載鎖閉裝置之前，減小鄰接位于第一物體支撐位置上的第一物體的氣體的體積。
一般性說明在本申請中，本發(fā)明的裝置具體用于制造IC，但是應(yīng)該明確理解這些裝置可能具有其它應(yīng)用。例如，它可用于制造集成光學(xué)系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、液晶顯示板、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，在這種可替換的用途范圍中，在說明書中任何術(shù)語“中間掩模版”，“晶片”或者“管芯(die)”的使用應(yīng)認(rèn)為分別可以由更普通的術(shù)語“掩?！?，“基底”和“目標(biāo)部分”代替。
在本文件中，使用的術(shù)語“輻射”和“光束”包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波長)和極遠(yuǎn)紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm的波長范圍)，和粒子束，如離子束或者電子束。
可以清楚地看出，本發(fā)明包括多個方面。每個方面都獨(dú)立于其它方面，但是，一個或多個方面，或各個方面的各部分可以根據(jù)本發(fā)明有利地彼此組合。


本發(fā)明的實(shí)施例將參照附圖，僅僅通過實(shí)例方式進(jìn)行描述，在附圖中相應(yīng)附圖標(biāo)記和數(shù)字表示相同的部分，其中圖1示意地描述根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光刻投影裝置。
圖2示意地描述根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光刻投影組件的分離模塊的整體布局。
圖3描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的光刻投影組件。
圖4描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的光刻投影組件。
圖5描述根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的裝載鎖閉裝置的橫截面。
圖6描述根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的裝載鎖閉裝置與圖5(沿線VI-VI)正交的橫截面。
在下面的描述中，所有附圖相同的附圖標(biāo)記或數(shù)字表示相同的部件。
具體實(shí)施例方式
圖1示意地描述根據(jù)本發(fā)明的一個具體實(shí)施方案的光刻投影裝置(LP)。該附圖的描述旨在表示光刻投影裝置的各部分。該裝置的包括-輻射系統(tǒng)Ex，IL，用于提供一種輻射投影光束PB(例如EUV輻射)，在這種具體例子中，該輻射系統(tǒng)還包括一輻射源LA；-第一目標(biāo)臺(掩模臺)MT，設(shè)有用于保持掩模MA(例如中間掩模版)的掩模保持器，并與用于將該掩模相對于物體PL精確定位的第一定位裝置PM連接；-第二目標(biāo)臺(基底臺)WT，設(shè)有用于保持基底W(例如涂敷抗蝕劑的硅晶片)的基底保持器，并與用于將基底相對于物體PL精確定位的第二定位裝置PW連接；-投影系統(tǒng)(“鏡頭”)PL(例如反射鏡組)，用于將掩模MA的受輻射部分成像在基底W的目標(biāo)部分C(例如包括一個或多個管芯(die))上。
如這里指出的，該裝置屬于反射型(即具有反射掩模)?？墒牵话銇碚f，它還可以是例如透射型(具有透射掩模)。另外，該裝置可以利用其它種類的構(gòu)圖裝置，如上述涉及的程控反射鏡陣列型。
輻射源LA(例如等離子體輻射源)產(chǎn)生輻射光束。該光束直接或橫穿過如擴(kuò)束器Ex等調(diào)節(jié)裝置后，再饋送到照射系統(tǒng)(照射器)IL中。照射器IL包括調(diào)節(jié)裝置AM，用于設(shè)定光束強(qiáng)度分布的外和/或內(nèi)徑范圍(通常分別稱為σ-外和σ-內(nèi))。另外，它一般包括各種其它組件，如積分器IN和聚光器CO。按照這種方式，照射到掩模MA上的光束PB在其橫截面具有理想的均勻度和強(qiáng)度分布。
應(yīng)該注意，圖1中的輻射源LA可以置于光刻投影裝置的殼體中(例如當(dāng)輻射源LA是汞燈時經(jīng)常是這種情況)，但也可以遠(yuǎn)離光刻投影裝置，其產(chǎn)生的輻射光束被(例如通過合適的定向反射鏡的幫助)引導(dǎo)至該裝置中；當(dāng)光源LA是準(zhǔn)分子激光器時通常是后面的那種情況。本發(fā)明和權(quán)利要求包含這兩種方案。
光束PB然后與保持在掩模臺MT上的掩模MA相交。橫向穿過掩模MA后，光束PB通過鏡頭PL，該鏡頭將光束PB聚焦在基底W的目標(biāo)部分C上。在第二定位裝置PW(和干涉測量裝置IF)的輔助下，基底臺WT可以精確地移動，例如在光束PB的光路中定位不同的目標(biāo)部分C。類似的，例如在從掩模庫中機(jī)械取出掩模MA后或在掃描期間，可以使用第一定位裝置PM將掩模MA相對光束PB的光路進(jìn)行精確定位。一般地，用圖1中未明確顯示的長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精確定位)，可以實(shí)現(xiàn)目標(biāo)臺MT、WT的移動。可是，在晶片步進(jìn)器中(與步進(jìn)掃描裝置相對)，掩模臺MT可與短行程致動裝置連接，或者固定?？梢杂醚谀?zhǔn)標(biāo)記M1、M2和基底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2而使掩模MA和基底W對準(zhǔn)。
所示的裝置可以按照二種不同模式使用1.在步進(jìn)模式中，掩模臺MT基本保持不動，整個掩模圖像被一次投影(即單“閃”)到目標(biāo)部分C上。然后基底臺WT沿x和/或y方向移動，以使不同的目標(biāo)部分C能夠由光束PB照射。
2.在掃描模式中，基本為相同的情況，但是所給的目標(biāo)部分C沒有暴露在單“閃”中。取而代之的是，掩模臺MT沿給定的方向(所謂的“掃描方向，例如y方向”)以速度v移動，以使投影光束PB掃描整個掩模圖像；同時，基底臺WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同時移動，其中M是鏡頭PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在這種方式中，可以曝光相當(dāng)大的目標(biāo)部分C，而沒有犧牲分辨率。
圖2示意性描述根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的光刻投影組件LPA各個分離模塊的整體布局。該附圖旨在表示用于本發(fā)明的模塊。
整體布局包括-兩個裝載鎖閉裝置LL，用于在第一環(huán)境和第二環(huán)境之間傳送基底。在模塊HC和LP中主要處于具有比第一環(huán)境更低的壓力的第二環(huán)境；-處理室HC，該處理室HC設(shè)有預(yù)處理裝置，例如預(yù)調(diào)整裝置和/或熱處理裝置，用于對基底進(jìn)行預(yù)處理；和傳送裝置，用于將基底從裝載鎖閉裝置LL傳送到預(yù)處理裝置，并且又從預(yù)處理裝置傳送到光刻投影裝置LP中的裝載位置，以及以相反方向?qū)⒒讖墓饪掏队把b置LP的卸載位置傳送到裝載鎖閉裝置LL。
-光刻投影裝置，如上面所更詳細(xì)地描述的。
裝載鎖閉裝置和處理室HC通常用基底處理器SH表示或者如果正在處理的是晶片時用晶片處理器表示。
光刻投影裝置包括一個投影室，該投影室包括在其中的基底臺WT以及附圖1中的第二定位裝置PW和用于抽空投影室的抽空裝置。在下面將詳細(xì)地描述裝載鎖閉裝置和控制室的作用。
圖3和圖4分別描述根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施例的光刻投影組件的。在這兩張附圖中都具有下述模塊-兩個裝載鎖閉裝置LL-處理室HC，該處理室與用基底處理器SH或晶片處理器表示的兩個裝載鎖閉裝置LL相結(jié)合。
-光刻投影裝置LP，包括一個投影室。
在后面的模塊LP中，設(shè)置雖然沒有詳細(xì)地示出，但是可以從圖1和圖2的實(shí)例中理解。
在處理室HC對面與裝載鎖閉裝置相鄰的另外一個模塊表示為基底軌道裝置ST(見圖2)，它用于將基底提供給裝載鎖閉裝置LL或從裝載鎖閉裝置LL移開。
每個裝載鎖閉裝置LL都有門10、11，該門用于使基底可以在第一環(huán)境和裝載鎖閉裝置LL之間傳送。在它們的對面，每個裝載鎖閉裝置LL設(shè)有門12、13，用于使基底可以在裝載鎖閉裝置LL和處理室HC之間傳送。在投影處理中，處理室HC和光刻投影裝置LP主要處于第二環(huán)境。每個門10、11、12、13設(shè)置成以氣密方式密封相應(yīng)的裝載鎖閉裝置的內(nèi)部。
每個裝載鎖閉裝置具有一個基底支撐位置14a、15a，用來支撐基底或晶片。圖4中未示出第二個基底支撐位置14b、15b。第一和第二基底支撐位置在圖5和圖6中示出，因此在后面將作出解釋。
第二環(huán)境具有比第一環(huán)境的更低的壓力。當(dāng)光刻投影裝置LP例如使用極遠(yuǎn)紫外輻射(EUV)時，第二環(huán)境為真空環(huán)境。在這種情況下，投影室是一個真空室。為形成真空環(huán)境，兩個實(shí)施例的光刻投影裝置都設(shè)有真空裝置，以形成和保持真空(未示出)。
或者，第二環(huán)境也可以是一種特殊氣體環(huán)境，例如氮?dú)猸h(huán)境。
為了在第一環(huán)境和具有更低的壓力的第二環(huán)境之間傳送基底，而不會由于失控的劇烈氣流損壞重要部件，一次只打開裝載鎖閉裝置的一個門。在基底從基底支撐位置14a、15a傳送到第一環(huán)境之后，在各個門10、11打開之前首先使裝載鎖閉裝置LL通氣，而在基底從基底支撐位置14b，15b傳送到第二環(huán)境之后，在各個門12，13打開之前首先從裝載鎖閉裝置抽氣至所需的真空水平。
在處理室HC中有一個預(yù)處理位置16，預(yù)校準(zhǔn)裝置和熱處理裝置設(shè)置在該位置(未示出)。為了達(dá)到基底在晶片臺WT上定位所需的精度水平，在預(yù)處理位置16的預(yù)校準(zhǔn)很重要。在光刻投影裝置中下一個位置是裝載位置17。在這個位置，基底放置到圖1的基底臺WT上。如果正在處理的是晶片時，認(rèn)為該臺是晶片臺。為保持整個基底的控制溫度，在位置16使用熱處理裝置是有利的。
在圖4描述的本發(fā)明的第二個實(shí)施例中，光刻投影裝置LP中設(shè)置了一個附加卸載位置18。這與圖3的第一實(shí)施例中兩個位置17、18相重合形成對比。
當(dāng)基底在處理室PC與光刻投影裝置之間或者反過來傳送時，基底通過入口23或24。與前一段中的差異相對照，在圖3的第一實(shí)施例中，入口在處理室和裝載與卸載位置23、24重合。
圖3的第一實(shí)施例與圖4的第二個實(shí)施例的另一個差異涉及傳送裝置。圖3的第一實(shí)施例包括一個具有夾持器20的操縱器19，但圖4中描述的第二實(shí)施例還包括鄰近第一操縱器的第二操縱器，第二操縱器也具有夾持器22。這兩個操縱器在這些實(shí)施例中是機(jī)械手，SCARA機(jī)械手，但是其它機(jī)械手或其它操縱器也是可以想到的。
機(jī)械手用來完成如下操作1.從裝載鎖閉裝置LL中的一個之中拾取基底，并將所述基底傳送到預(yù)處理裝置16和/或；2.從預(yù)處理裝置16拾取基底，并將所述基底傳送到裝載位置17；和/或3.從卸載位置18拾取基底，并將所述基底傳送到裝載鎖閉裝置LL中的一個的基底傳輸位置14、15。
在裝載鎖閉裝置LL中的一個通氣或抽空之前，通過組合上述的三個操作中的兩個或更多，可以達(dá)到第一實(shí)施例中提高的基底產(chǎn)量。
容易理解，用兩個機(jī)械手代替一個機(jī)械手，上述操作組合的可能性顯著提高，如第二實(shí)施例中的情況。
當(dāng)然其它有利的組合也是可以的。
傳送操作最合理的順序?qū)⑷Q于光刻投影組件LPA運(yùn)行的模式。
-啟動階段，在該階段，不必有基底從卸載位置18到裝載鎖閉裝置LL的傳送，并且一個或更多的基底已經(jīng)傳送到處理室和光刻投影裝置。
-穩(wěn)定狀態(tài)運(yùn)轉(zhuǎn)；分別均勻地傳送至裝載位置17和卸載位置18以及從裝載位置17和卸載位置18傳送走。
-空轉(zhuǎn)階段，在該階段，沒有從裝載鎖閉裝置LL到預(yù)處理位置16或到裝載位置的傳送發(fā)生，并且一個或更多的基底傳送到處理室和光刻投影裝置外。
根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例，每個裝載鎖閉裝置LL都具有第一基底支撐位置14a、15a和第二基底支撐位置14b、15b(在圖3和圖4中未示出，但示于圖5和圖6中)。因?yàn)榈诙恢每梢宰鳛橐环N緩沖器而引入和輸出基底，附加支撐位置提高了所提到的三個傳送操作組合的可能性。
在第一和第二兩個實(shí)施例中，裝載鎖閉裝置和相應(yīng)的機(jī)械手一起形成所謂的雙向裝載鎖閉裝置，意思是通過在處理室的機(jī)械手和來自例如基底軌道的機(jī)械手可以進(jìn)入每個裝載鎖閉裝置，以這種方式，基底可以從兩個方向通過門10、11、12、13而傳送。這在圖3和圖4中用帶箭頭的線D、E、F、G表示。這種結(jié)構(gòu)能夠提高基底的產(chǎn)量。根據(jù)本發(fā)明的光刻投影組件的實(shí)施例，其中一個裝載鎖閉裝置用于引入基底，并且另一個裝載鎖閉裝置用于輸出基底也是可行的。這種實(shí)施例減少了三個傳送操作的組合的靈活性，但同時減少了對于每個機(jī)械手操作的要求。
在這兩個實(shí)施例中，基底處理器SH可選擇地具有第三裝載鎖閉裝置，該裝載鎖閉裝置用于在第三環(huán)境與第二環(huán)境之間傳送基底。在第三裝載鎖閉裝置25的相對的兩個側(cè)面有兩個門27、28。門27連接第三裝載鎖閉裝置內(nèi)部和處理室。外部門28連接第三裝置鎖閉裝置門內(nèi)部和基底處理器外部的環(huán)境。
第三裝載鎖閉裝置設(shè)置在處理室一側(cè)，可以自由進(jìn)入，并且可以提高光刻投影組件LPA的靈活性與應(yīng)用的可能性，例如，在基底要移開或者第一和第二裝載鎖閉裝置的兩個基底支撐位置14a、15a、14b、15b都已經(jīng)使用的情況下，把第三裝載鎖閉裝置作為一個緩沖器使用。此外，通過它可以用于簡化處理室HC和/或光刻投影裝置LP的維修與維護(hù)。應(yīng)當(dāng)注意，第三環(huán)境可以與第一環(huán)境相同，但是也可以與第一環(huán)境不同。
在圖3和圖4中，裝載鎖閉裝置LL中的一個包括一個設(shè)置在自由進(jìn)入側(cè)的可選擇的外部門26。該門26用于將基底或其它物體直接從第三環(huán)境(可以與第一環(huán)境相同)傳送到裝載鎖閉裝置。此外，它可以用于相應(yīng)裝載鎖閉裝置的修理與維護(hù)。還可以為兩個裝載鎖閉裝置都提供一個外部門26或者將外部門26設(shè)置在另一個裝載鎖閉裝置LL。
圖5描述根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的裝載鎖閉裝置的橫截面。
圖5中的幾個部件可以從前面兩個附圖中看出-用于與第一環(huán)境連接的裝載鎖閉裝置的門10、11-用于與第二環(huán)境連接的裝載鎖閉裝置的門12、13-在裝載鎖閉裝置上部的第一基底支撐位置14a、15a-在裝載鎖閉裝置下部的第二基底支撐位置14b、15b-處理室HC中的機(jī)械手的夾持器在左側(cè)，示出用于在裝載鎖閉裝置和例如在基底軌道系統(tǒng)中的第一環(huán)境之間傳送基底的夾持器30。該夾持器30與夾持器20一樣，可以從不同基底支撐位置拾取和運(yùn)送基底。在圖5中，基底31剛好用夾持器放置到第一支撐位置14a，而第二基底32由第二基底支撐位置14b、15b支撐。
兩個基底支撐位置14a、14b、15a、15b都包括支撐板33、35和推頂桿34、36。推頂桿34、36便于基底和支撐板33、35之間的移動，這樣，無論是將基底運(yùn)送到基底支撐位置，還是從基底支撐位置移開基底，夾持器的一部分都可以插入基底與支撐板之間。在夾持器將基底31移開并且它本身移到裝載鎖閉裝置外之后，推頂桿34、36和/或支撐板33、35之間移動，以使支撐板支撐基底，處在如圖5中較低的基底32的位置。類似地，推頂桿34、36和/或支撐板33、35之間可以移動，以使夾持器30、20的一部分插入基底和支撐板之間，這樣，夾持器可以將基底拾取和傳送到裝載鎖閉裝置外。
在圖5中，每個支撐板只描述了一個推頂桿34、36，但是在更多情況下，支撐板將具有三個或更多的推頂桿。
在支撐板33、35之間設(shè)置了一個中間板55，其作用將在后面描述。
通過圖5很容易解釋兩個基底支撐位置的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)?shù)诙字挝恢?4b、15b支撐來自處理室HC并且因而在裝載鎖閉裝置通氣之前已經(jīng)存在的第二基底時，使裝載鎖閉裝置LL通氣到第一環(huán)境，并且第一基底31剛好被運(yùn)送到第一基底支撐位置14a、15a。從這種情形開始進(jìn)行以下的操作-將夾持器30移到裝載鎖閉裝置外；-使支撐板33和/或推頂桿34之間運(yùn)動，以使支撐板完全支撐基底31；-使支撐板35和/或推頂桿36之間運(yùn)動，以從支撐板35抬起第二基底32；-將夾持器30或者可能第二夾持器(未示出)移動至第二基底32，并隨后用夾持器夾持第二基底32；-將帶有第二基底32的夾持器30或者可能第二夾持器(未示出)移至裝載鎖閉裝置外(第一環(huán)境)；-關(guān)閉門10、11并且抽空裝載鎖閉裝置。
其優(yōu)點(diǎn)在于，在兩次連續(xù)的通氣與抽空操作之間，基底都可以傳送至裝載鎖閉裝置或者從裝載鎖閉裝置傳送。
容易理解，為了使用夾持器20在處理室HC和裝載鎖閉裝置LL之間傳送兩個基底，類似的操作順序也是可以的。
此外，在圖5中，一側(cè)設(shè)有包括通氣孔37的頂壁38，另一側(cè)設(shè)有包括一個抽氣孔39的底壁40?？?7、39用于通過通氣和抽空裝置提供和排出氣體。通氣孔和抽氣孔的這種配置的優(yōu)點(diǎn)是裝載鎖閉裝置內(nèi)的氣流永遠(yuǎn)是從頂部到底部，這有助于防止空氣懸浮粒子落在基底的非支撐面上。
未詳細(xì)地示于圖5中，但是，本發(fā)明的另一個方面是可任選地與一個或多個支撐板集成的用以穩(wěn)定基底溫度的溫度控制裝置。以實(shí)例的形式，該裝置包括設(shè)置在支撐板內(nèi)部的管線60、61，例如槽，管道或者管，和用于抽吸通過該管線的溫度控制流體的抽吸系統(tǒng)。支撐板33、35可以經(jīng)歷不同溫度的處理。
或者，將溫度控制裝置設(shè)置在一個或更多的壁中，例如裝載鎖閉裝置室內(nèi)的壁38、40、50、51和/或門10、11、12、13，雖然在穩(wěn)定基底溫度方面不是很有效，但它提供一種相對較簡單的結(jié)構(gòu)。
圖6描述了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的裝載鎖閉裝置按照圖5中的線VI-VI的橫截面圖。在這個橫截面圖中描述的是側(cè)壁50、51，而不是裝載鎖閉裝置的門。這兩個側(cè)壁與底壁40和頂壁38共同限定了裝載鎖閉裝置室52。除了推頂桿34、36，支撐板33、35和通氣與排氣孔37、39之外，該實(shí)施例還包括提升裝置53和/或54。波紋管56、57用作密封件。
該提升裝置首先用于在裝載鎖閉裝置室抽空之前，減少距離A和距離B，其中，距離A為基底31與頂壁38之間的距離，距離B為基底32與中間板55之間的距離。其次，該提升裝置用于在運(yùn)送或拾取基底之前，增加支撐板33與頂壁38之間的距離以及支撐板35與中間板55之間的距離。
如前面所論述的，減少距離A和B的有利效果在于減小基底周圍存在氣體的體積。隨著氣體體積的減小，在裝載鎖閉裝置室52抽空過程中的絕熱效應(yīng)和基底的溫度效應(yīng)減小。
為避免基底與頂壁或中間板之間的任何接觸，距離A和距離B大于100μm。另外一個原因是避免抽空時間的增加，當(dāng)裝載鎖閉裝置室內(nèi)存在太小的間隙時，抽空時間可能增加。
在抽空裝載鎖閉裝置室52并且打開門12、13之后，增加距離A和B以為夾持器20拾取或運(yùn)送基底提供足夠的空間。
代替向固定的頂壁38/中間板55移動支撐板33、35/基底31、32，可以選擇使用向固定的或可移動的支撐板移動的可移動(頂板)板(未示出)。對于帶有基底31的第一支撐板33，這種頂板設(shè)置在頂壁38，其中，可以設(shè)置合適的移動裝置，而對于帶有基底32的第二支撐板35，中間板55起到頂板的作用。對于后者，合適的移動裝置可以設(shè)置在例如側(cè)壁50。
圖6中，基底支撐位置14a、14b、15a、15b都是可移動的。
兩個基底支撐位置中僅有一個可以移動的實(shí)施例也是可行的。當(dāng)一個基底支撐位置(對于較大的部分)為輸出的晶片保留時，這樣的實(shí)施例是特別有利的，對于該實(shí)施例，精密的溫度控制不是很嚴(yán)格。根據(jù)在這一方面的一個優(yōu)選實(shí)施例，上面的基底支撐位置14a、15a是可移動的，而下面的基底支撐位置14b、15b是固定的(即，例如，波紋管56是多余的并且升降裝置54可以用一個固定桿代替)。當(dāng)然，上面的基底支撐位置14a、15a是固定的，而下面的基底支撐位置14b、15b是移動的也是可行的。
在又一個實(shí)施例中，將升降裝置53、54集成在壁50、51內(nèi)也是可行的。
在圖6的實(shí)施例中，抽氣孔39集成在升降裝置54的結(jié)構(gòu)中。
由于污染粒子將阻礙投影光到達(dá)基底W的輻射敏感面上，在光刻投影裝置LP中污染應(yīng)當(dāng)最小化，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的。同樣，在基底W的后側(cè)表面或基底臺WT的基底支撐面上的污染粒子也可能導(dǎo)致投影到基底W上的圖案的未對準(zhǔn)。因此，采用對污染粒子具有吸引力的材料，例如有機(jī)材料，來制造裝載鎖閉裝置LL中的一個或多個表面，特別是裝載鎖閉裝置LL中與基底W接觸的表面是有利的。這將導(dǎo)致污染粒子附著在裝載鎖閉裝置LL的表面上，而不是附著在基底W上。采用靜電力也可以完成對污染粒子的收集。例如，裝載鎖閉裝置LL的一個或多個表面具有電荷，而污染粒子具有相反的電荷，這樣，污染粒子被吸引到一個或多個表面上。
裝載鎖閉裝置LL可以設(shè)有蓋子，以能清潔地到達(dá)吸引粒子的表面，并且該表面，特別是接觸表面可以以這種方式設(shè)置，使得它們可以容易地從裝載鎖閉裝置移開，以易于清洗。
在裝載鎖閉裝置LL中污染粒子的收集使得從第一環(huán)境到第二環(huán)境或者反過來，從第二環(huán)境到第一環(huán)境的污染粒子的傳送最小化，例如，使處理室HC中的污染物最小化。此外，通過收集裝載鎖閉裝置LL中的大量粒子，可以減少到達(dá)光刻投影裝置LP中的基底臺WT的有害污染粒子。
此外，裝載鎖閉裝置LL的清洗比基底臺WT或處理室HC的清洗更容易并且更節(jié)省時間。通過收集裝載鎖閉裝置LL中粒子，可以減少對打開處理室HC或光刻投影裝置的需要以及因此對真空的擾亂。因此，由于該清洗過程，花費(fèi)更少的時間，因?yàn)橹匦滦纬烧婵帐呛臅r的。還降低了由清洗過程導(dǎo)致污染的危險(比如手印)，因?yàn)樘幚硎液?或光刻投影裝置為清洗打開的次數(shù)減少。
裝載鎖閉裝置LL還可以將所謂的粘性晶片傳輸?shù)教幚硎襀C和/或光刻投影裝置LP中。這些粘性晶片是具有收集污染粒子特性的晶片狀的物體(例如抗蝕劑的殘留)。一個或多個粘性晶片通過光刻投影裝置LP、處理室HC和/或裝載鎖閉裝置LL循環(huán)以收集污染粒子。這種粘性晶片的表面比光刻投影裝置LP、處理室HC和/或裝載鎖閉裝置LL中的接觸表面對污染粒子吸引具有更大的吸引力。收集了粒子的粘性晶片可以傳輸?shù)皆O(shè)備外，清洗后重新插入到設(shè)備內(nèi)進(jìn)行又一個循環(huán)。
粘性晶片的收集特性可以基于多種機(jī)理。例如，一種機(jī)理是靜電力。粘性晶片可以靜電充電以吸引污染粒子。在循環(huán)傳送晶片時，松散的電荷粒子(包括偶極子)被吸引到粘性晶片上，并且被移出到設(shè)備外，例如，通過粘性晶片傳輸?shù)皆O(shè)備外。磁力也可用于粘性晶片，成為收集污染粒子合適的方法。
另一個收集機(jī)理的實(shí)例是粘附力和/或內(nèi)聚力。粘附力晶片對污染粒子(比如抗蝕劑粒子)具有巨大的吸引力。污染粒子將具有粘附到粘性晶片的趨勢。如果是內(nèi)聚力粘性晶片，粘結(jié)到粘性晶片上的粒子往往保留在粘性晶片上，而不是其它表面，例如夾緊表面。有利地，粘性晶片將提供強(qiáng)的粘附力和內(nèi)聚力。應(yīng)用不同水平的粘附力和/或內(nèi)聚力以適于應(yīng)用。這種粘附力和/或內(nèi)聚力可以通過，例如晶片上具有特殊粘附力和/或內(nèi)聚力的涂層或用具有粘附力和/或內(nèi)聚力的材料制成晶片本身來提供。
作為清洗設(shè)備使用的粘性晶片至少有幾個優(yōu)點(diǎn)。例如，粘性晶片比普通晶片更有效。此外，當(dāng)粘性晶片通過設(shè)備循環(huán)時，處理室HC和/或光刻投影裝置LP內(nèi)的真空可以保持不被擾亂。重新形成真空需要耗時。另外，可以減少由于手工清洗本身的污染的危險，因?yàn)橹恍枰^少的處理室HC和/或光刻投影裝置LP的手工清洗。
以上已描述本發(fā)明的具體實(shí)施例，可以理解本發(fā)明除上述之外，可以采用其他方式進(jìn)行實(shí)施，本說明不作為本發(fā)明的限定。
權(quán)利要求
1.一種光刻投影組件，包括●至少兩個裝載鎖閉裝置，用于在第一環(huán)境與第二環(huán)境之間傳送基底，第二環(huán)境具有比第一環(huán)境更低的壓力；●基底處理器，包括主要處于第二環(huán)境的處理室；●光刻投影裝置，包括投影室；處理室和投影室通過裝載位置和卸載位置相通，一方面，裝載位置用于將基底從處理室引入投影室，另一方面，卸載位置用于將基底從投影室移除到處理室；處理室設(shè)有●預(yù)處理裝置，用于預(yù)處理基底；和●傳輸裝置，適于將基底從裝載鎖閉裝置傳送到預(yù)處理裝置并且從預(yù)處理裝置傳送到裝載位置，也可以將基底從卸載位置傳送到裝載鎖閉裝置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的光刻投影組件，其中，投影室為真空室，并且光刻投影裝置包括真空裝置以在真空室中形成或保持真空。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的光刻投影組件，其中，預(yù)處理裝置包括預(yù)對準(zhǔn)裝置用于基底的預(yù)對準(zhǔn)。
4.根據(jù)前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光刻投影組件，其中，傳輸裝置包括一個設(shè)有第一夾持器的操縱器，并且，光刻投影組件包括控制裝置，該控制裝置適于控制夾持器進(jìn)行如下操作●從一個裝載鎖閉裝置拾取基底，并將所述基底傳送至預(yù)處理裝置；●從預(yù)處理裝置拾取基底，并將所述基底傳送至裝載位置；和●從卸載位置拾取基底，并將所述基底傳送至一個裝載鎖閉裝置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任何一項(xiàng)的光刻投影組件，傳輸裝置包括具有第一夾持器的第一操縱器和具有第二夾持器的第二操縱器，并且，光刻投影組件包括控制裝置，該控制裝置適于控制第一和第二操縱器進(jìn)行如下操作●用第一夾持器從一個裝載鎖閉裝置拾取基底，并將所述基底傳送至預(yù)處理裝置；●用第二夾持器從預(yù)處理裝置拾取基底，并將所述基底傳送至裝載位置；和●用第一夾持器從卸載位置拾取基底，并將所述基底傳送至一個裝載鎖閉裝置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5的光刻投影組件，其中，第一和/或第二夾持器設(shè)有熱處理裝置，該熱處理裝置用于使基底達(dá)到預(yù)定的溫度和/或使整個基底上的溫度均勻，和/或調(diào)節(jié)基底的溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4～6中任何一項(xiàng)的光刻投影組件，其中，所述至少兩個裝載鎖閉裝置包括第一和第二裝載鎖閉裝置，設(shè)置單個操縱器或者第一操縱器，使其與所述第一和所述第二裝載鎖閉裝置相配合。
8.根據(jù)前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光刻投影組件，其中，第一和第二裝載鎖閉裝置中的每一個都以雙向式裝載鎖閉裝置的形式形成。
9.根據(jù)前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光刻投影組件，其中，第一和第二裝載鎖閉裝置中的每一個都具有第一和第二基底支撐位置。
10.根據(jù)前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光刻投影組件，其中，第一和第二裝載鎖閉裝置連接到基底軌道，用于將基底提供給第一和第二裝載鎖閉裝置以及將基底從第一和第二裝載鎖閉裝置移開。
11.根據(jù)前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光刻投影組件，其中，光刻投影裝置還包括第三裝載鎖閉裝置，用于將物體例如基底從第三環(huán)境傳送至第二環(huán)境，第三裝載鎖閉裝置在面向第三環(huán)境的一側(cè)可以自由進(jìn)入。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的光刻投影組件，其中，控制裝置適于用所述傳輸裝置將基底放置在第三裝載鎖閉裝置內(nèi)，當(dāng)所述放置的基底在第三裝載鎖閉裝置中時保持第三裝載鎖閉裝置的外部門關(guān)閉，并且在用所述傳輸裝置傳送其它基底之后，用該傳輸裝置夾持器拾取和傳送所述放置的基底。
13.根據(jù)前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光刻投影組件，其中，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的一個或者多個包括一側(cè)門，用于將物體例如基底從第四環(huán)境傳送至第二環(huán)境，側(cè)門面向第四環(huán)境并且可以自由進(jìn)入。
14.根據(jù)前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光刻投影組件，其中，控制裝置適于彼此獨(dú)立地控制各裝載鎖閉裝置。
15.根據(jù)前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光刻投影組件，其中，預(yù)處理裝置設(shè)有熱處理裝置，用于使基底達(dá)到預(yù)定的溫度和/或使整個基底上的溫度均勻。
16.根據(jù)前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光刻投影組件，其中，光刻投影裝置包括●用于提供輻射投影光束的輻射系統(tǒng)；●用于支撐構(gòu)圖裝置的支撐結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)圖裝置用于根據(jù)理想的圖案對投影光束進(jìn)行構(gòu)圖；●用于保持基底的基底臺；●用于將帶圖案的光束投影到基底的目標(biāo)部分上的投影系統(tǒng)。
17.根據(jù)前面任何一項(xiàng)權(quán)利要求的光刻投影組件，其中，基底為半導(dǎo)體晶片。
18.用于處理基底的處理裝置，包括根據(jù)前面的一項(xiàng)權(quán)利要求的組件，不包括投影裝置。
19.基底處理器組件，包括●至少兩個裝載鎖閉裝置，用于將基底從第一環(huán)境傳送至第二環(huán)境，第二環(huán)境具有比第一環(huán)境更低的壓力；●基底處理器，包括主要處于第二環(huán)境的處理室；處理室和投影室通過裝載位置和卸載位置相通，一方面，裝載位置用于將基底從處理室引入下一個位置，另一方面，卸載位置用于將基底從下一個位置移到處理室；處理室設(shè)有●預(yù)處理裝置，用于基底的處理；和●傳輸裝置，適于將基底從裝載鎖閉裝置傳送到預(yù)處理裝置并且從預(yù)處理裝置傳送到裝載位置，也可以將基底從卸載位置傳送到裝載鎖閉裝置。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的基底處理器組件，包括軌道，其中，至少兩個裝載鎖閉裝置設(shè)置在軌道和基底處理器之間。
21.用于處理基底的方法，包括以下步驟a)通過至少兩個裝載鎖閉裝置中的一個的外部門，將基底從第一環(huán)境傳送到所述裝載鎖閉裝置內(nèi)；b)關(guān)閉所述外部門并抽空所述裝載鎖閉裝置；c)打開所述裝載鎖閉裝置的內(nèi)部門；d)用第一操縱器從所述裝載鎖閉裝置拾取基底，并且用所述第一操縱器將基底傳送至預(yù)處理裝置；e)用預(yù)處理裝置處理基底；f)用所述第一操縱器或第二操縱器從預(yù)處理裝置拾取基底；g)用所述第一操縱器或第二操縱器將從預(yù)處理裝置拾取的基底傳送至裝載位置；h)處理基底并將基底送至卸載位置；i)用所述第一操縱器從卸載位置拾取基底并將基底通過內(nèi)部門傳送至所述裝載鎖閉裝置或者通過內(nèi)部門傳送至另一個裝載鎖閉裝置；j)關(guān)閉相應(yīng)的內(nèi)部門并使相應(yīng)裝載鎖閉裝置通氣；和k)打開相應(yīng)的裝載鎖閉裝置，并將基底從所述相應(yīng)裝載鎖閉裝置移開。
22.根據(jù)權(quán)利要求21的方法，包括在步驟c)之前、在步驟b)的抽空步驟期間和/或之后的熱處理基底。
23.根據(jù)權(quán)利要求21或22的方法，其中，步驟e)包括熱處理基底和預(yù)對準(zhǔn)基底中的至少一個步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求21～23中任何一項(xiàng)的方法，其中，在對于一個裝載鎖閉裝置進(jìn)行步驟d)時，同時在另一個裝載鎖閉裝置中進(jìn)行步驟a)和/或b)和/或c)和/或j)和/或k)。
25.根據(jù)權(quán)利要求21～24中任何一項(xiàng)的方法，其中，基底為半導(dǎo)體晶片。
26.一種操作包括具有一個或多個裝載鎖閉裝置的基底處理器的光刻投影組件的方法，該方法包括 啟動模式、正常運(yùn)行模式和空轉(zhuǎn)模式，所述至少兩個裝載鎖閉裝置每個具有抽氣周期和通氣周期，其中，在抽氣周期各轉(zhuǎn)載鎖閉裝置內(nèi)的壓力降低，在通氣周期各裝載鎖閉裝置內(nèi)的氣壓升高，其中，在啟動模式中，在沒有基底存在于相應(yīng)的裝載鎖閉裝置內(nèi)時，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個進(jìn)行通氣周期，同時，在基底存在于相應(yīng)的裝載鎖閉裝置時，相應(yīng)的裝載鎖閉裝置進(jìn)行抽氣周期；其中，在正常運(yùn)行模式中，在基底存在于相應(yīng)的裝載鎖閉裝置時，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個進(jìn)行抽氣周期和通氣周期；其中，在空轉(zhuǎn)模式中，在沒有基底存在于相應(yīng)的裝載鎖閉裝置內(nèi)時，所述至少兩個裝載鎖閉裝置中的至少一個進(jìn)行抽氣周期，同時，在基底存在于相應(yīng)的裝載鎖閉裝置時，相應(yīng)的裝載鎖閉裝置進(jìn)行通氣周期。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的方法，其中，可以根據(jù)在光刻投影組件中基底的處理過程中發(fā)生的情況，以任意順序重復(fù)啟動模式、正常運(yùn)轉(zhuǎn)模式和空轉(zhuǎn)模式中的一個或多個。
28.根據(jù)權(quán)利要求26或27的方法，其中，單個裝載鎖閉裝置具有第一和第二基底支撐位置。
29.根據(jù)權(quán)利要求26或27的方法，其中，一個或多個裝載鎖閉裝置包含兩個裝載鎖閉裝置，每個裝載鎖閉裝置具有一個或兩個或多個基底支撐位置。
30.光刻投影組件，包括●至少一個裝載鎖閉裝置，用于在第一環(huán)境與第二環(huán)境之間傳送基底，第二環(huán)境具有比第一環(huán)境更低的壓力，其中，所述至少一個裝載鎖閉裝置中的一個或多個各設(shè)有第一和第二基底支撐位置；●基底處理器，包括主要處于第二環(huán)境的處理室；●光刻投影裝置，包括投影室；處理室和投影室通過裝載位置和卸載位置相通，一方面，裝載位置用于將基底從處理室引入投影室，另一方面，卸載位置用于將基底從投影室移到處理室；處理室設(shè)有●預(yù)處理裝置，用于預(yù)處理基底；和●傳輸裝置，適于將基底從裝載鎖閉裝置傳送到預(yù)處理裝置并且從預(yù)處理裝置傳送到裝載位置，也可以將基底從卸載位置傳送到裝載鎖閉裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光刻投影組件，包括至少兩個裝載鎖閉裝置，用于在第一環(huán)境與第二環(huán)境之間傳送基底，第二環(huán)境具有比第一環(huán)境更低的壓力；基底處理器包括主要處于第二環(huán)境的處理室；光刻投影裝置，包括投影室。處理室和投影室通過裝載位置和卸載位置相通，一方面，裝載位置用于將基底從處理室引入投影室，另一方面，卸載位置用于將基底從投影室移到處理室。處理室設(shè)有預(yù)處理裝置，用于預(yù)處理基底；和傳輸裝置，適于將基底從裝載鎖閉裝置傳送到預(yù)處理裝置并且從預(yù)處理裝置傳送到裝載位置，也可以將基底從卸載位置傳送到裝載鎖閉裝置。
文檔編號G03F7/20GK1540443SQ200410035209
公開日2004年10月27日 申請日期2004年3月10日 優(yōu)先權(quán)日2003年3月11日
發(fā)明者P·J·M·范格魯斯, P·R·M·肯努斯, J·F·胡格坎姆, A·J·H·科洛普, J·安里, R·維斯塞, H 科洛普, M 肯努斯, P J M 范格魯斯, 胡格坎姆, 谷 申請人:Asml荷蘭有限公司