專利名稱：共平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置，更確切地說(shuō)，涉及一種能提高亮度、孔徑和存儲(chǔ)電容以改善圖像質(zhì)量的共平面開(kāi)關(guān)(IPS，In-Plane Switching)型液晶顯示(LCD)裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著信息化社會(huì)的進(jìn)一步發(fā)展，對(duì)顯示裝置的需求已日益增加。為滿足這種需求，已經(jīng)研發(fā)了各種例如液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示板(PDP)、電致發(fā)光顯示器(ELP)和真空熒光顯示器(VFD)的平板顯示裝置，并將它們應(yīng)用于各種各樣的設(shè)備中。
在各種顯示裝置中，LCD正在替代陰極射線管(CRT)，由于其良好的圖像質(zhì)量、尺寸薄、重量輕和低功耗的優(yōu)點(diǎn)而被大多數(shù)用于移動(dòng)顯示裝置。除了用作移動(dòng)顯示裝置例如筆記本計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器之外，LCD已經(jīng)被開(kāi)發(fā)作為用于接收和顯示廣播信號(hào)的電視監(jiān)視器、和臺(tái)式計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器。
LCD包括用于顯示圖像的液晶板和向液晶板施加驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)部分。液晶板具有相對(duì)的第一和第二玻璃基板，且在第一和第二玻璃基板之間有一液晶層。
第一玻璃基板(也稱作TFT陣列基板)設(shè)有在一個(gè)方向上按一定間隔排列的多條柵極線、垂直于柵極線按一定間隔排列的多條數(shù)據(jù)線、由柵極線和數(shù)據(jù)線限定形成矩陣的子象素區(qū)上的多個(gè)象素電極、以及響應(yīng)柵極線上信號(hào)為向象素電極傳輸數(shù)據(jù)線上信號(hào)而被切換的多個(gè)薄膜晶體管。
在第二玻璃基板上(也稱作濾色片基板)上有一黑色矩陣層，其用于遮蔽除象素區(qū)之外其它部分的光；用于顯示顏色的R、B、G濾色片層；和用于顯示圖像的公共電極。在IPS型LCD中，公共電極通常是形成在第一玻璃基板上。
在液晶光學(xué)各向異性和極性的原理基礎(chǔ)上驅(qū)動(dòng)LCD。因?yàn)橐壕Ъ?xì)而長(zhǎng)，因此液晶分子在一個(gè)方向上取向。如果向液晶施加電場(chǎng)，便可控制分子的取向。因此，如果控制液晶分子的取向以改變液晶分子的取向，這樣便調(diào)制了由光學(xué)各向異性極化的光。基于液晶的電特性，有一種介電各向異性為正(+)的正液晶和一種介電各向異性為負(fù)(-)的負(fù)液晶。正液晶具有沿電場(chǎng)施加方向排列的液晶分子的長(zhǎng)軸，而負(fù)液晶具有沿垂直于電場(chǎng)施加方向排列的液晶分子的長(zhǎng)軸。
圖1表示現(xiàn)有技術(shù)TN液晶顯示裝置的分解透視圖，所述的TN液晶顯示裝置包括相對(duì)設(shè)置的下基板1和上基板2、以及下基板1和上基板2之間的液晶層3。
下基板1具有多條在第一方向上按一定間隔排列的柵極線4和多條垂直于柵極線4并按一定間隔排列的數(shù)據(jù)線5，從而限定多個(gè)子象素區(qū)“P”。象素電極6形成在柵極線4和數(shù)據(jù)線交叉處的每個(gè)子象素區(qū)“P”中，薄膜晶體管“T”形成在柵極線4和數(shù)據(jù)線交叉處的每個(gè)部分中。上基板2具有一用于遮蔽除象素區(qū)“P”之外部分的光線的黑色矩陣層7，用于顯示顏色的R、B、G濾色片層8以及用于顯示圖像的公共電極9。
薄膜晶體管“T”具有從柵極線4上延伸出的柵極、下基板1的整個(gè)表面上的柵極絕緣薄膜(未示出)、柵極上方的柵極絕緣薄膜上的有源層、從數(shù)據(jù)線5上延伸出的源極、以及與源極相對(duì)的漏極。象素電極6用透明導(dǎo)電金屬形成，例如透光率相對(duì)較好的銦-錫氧化物(ITO)。
LCD是這樣來(lái)顯示圖像的，即，通過(guò)借助經(jīng)薄膜晶體管“T”提供的信號(hào)使象素電極6上的液晶層3取向，并依靠液晶層3的取向度來(lái)控制液晶層3的透光量。通過(guò)沿上/下方向在上基板2和下基板1之間提供的場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶的LCD具有良好的透光率和孔徑，當(dāng)上基板2的公共電極9接地時(shí)這種LCD還能防止液晶盒受到靜電的損壞。然而，通過(guò)沿上/下方向提供的場(chǎng)來(lái)驅(qū)動(dòng)液晶的缺點(diǎn)在于視野角度特性不好。
因此，為了克服這個(gè)缺點(diǎn)，提出了一種新的技術(shù)，即共平面開(kāi)關(guān)(IPS)型LCD。以下將描述現(xiàn)有技術(shù)中的IPS型LCD。圖2表示現(xiàn)有技術(shù)的IPS型LCD的剖面。
參照?qǐng)D2，現(xiàn)有技術(shù)的IPS型LCD包括形成于下基板11的同一層上的象素電極12和公共電極13，以及下基板11和上基板15之間的液晶層14，其中，用下基板11上的象素電極12和公共電極13之間的橫向電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)該液晶層。因此，IPS型LCD在同一基板上具有象素電極和公共電極13。
圖3A和3B表示IPS模式下電壓導(dǎo)通/關(guān)斷時(shí)液晶的相移。
圖3A表示在象素電極12和公共電極13之間沒(méi)有形成橫向電場(chǎng)的關(guān)斷狀態(tài)，這種情況下表明液晶層14不發(fā)生相移。例如，液晶層14中的分子從象素電極12和公共電極13之間的水平線向上傾斜45°。圖3B表示在象素電極12和公共電極13之間形成橫向電場(chǎng)的導(dǎo)通狀態(tài)，這種情況下表明液晶層14發(fā)生相移，使得液晶相對(duì)于圖3A中的關(guān)斷狀態(tài)在水平方向上旋轉(zhuǎn)45°的范圍。
如圖4所示，在象素電極12和公共電極13之間沒(méi)有形成橫向電場(chǎng)的情況下，液晶分子的取向16與初始定向膜(未示出)的取向相同。如圖4B所示，如果在象素電極12和公共電極13之間施加橫向場(chǎng)電壓，那么液晶分子就對(duì)應(yīng)于施加電場(chǎng)方向17的方向取向。
IPS型LCD的優(yōu)點(diǎn)在于，它具有大視角、簡(jiǎn)單的制造工藝，而且色移隨視角的變化小。IPS型LCD的缺點(diǎn)在于，由于公共電極13和象素電極12在同一個(gè)基板上，因此光透過(guò)率和孔徑較差。此外，對(duì)于IPS型LCD，驅(qū)動(dòng)電壓的響應(yīng)時(shí)間需要改善，而且由于盒間隙的未對(duì)準(zhǔn)余量(misalignment margin)小，因此有必要使盒間隙均勻。
以下將參照附圖更詳細(xì)地描述IPS型LCD。圖5表示現(xiàn)有技術(shù)IPS型LCD的平面圖，而圖6表示沿圖5中I-I’和II-II’線剖開(kāi)的剖面。
參照?qǐng)D5和6，在透明下基板60上形成多條柵極線61和數(shù)據(jù)線64_1，64_2，從而限定多個(gè)子象素區(qū)。薄膜晶體管TFT形成在柵極線61和數(shù)據(jù)線64_1，64_2交叉的區(qū)域上。
薄膜晶體管TFT具有柵極線61處的柵極61a、包括柵極61a在內(nèi)的下基板60的整個(gè)表面上的柵極絕緣薄膜62、柵極61a上方柵極絕緣薄膜62上的有源層、從數(shù)據(jù)線64_1上伸出的源極64a和與源極64a相對(duì)的漏極64b。
與柵極線61相同的層上有一公共線61b和公共電極61c，其中公共線61b與柵極線61間隔開(kāi)并彼此平行，而且多個(gè)公共電極61c設(shè)置在與數(shù)據(jù)線64_1平行方向上的子象素區(qū)中。
在包括數(shù)據(jù)線64_1和64_2在內(nèi)的整個(gè)表面上有一保護(hù)薄膜65，該保護(hù)薄膜65具有一暴露漏極64b的一接觸孔66。該保護(hù)薄膜65是一氮化硅薄膜。
在子象素區(qū)中的保護(hù)薄膜65上有一象素電極67，該象素電極67處在公共電極61c之間且與公共電極61c平行，并通過(guò)接觸孔66與薄膜晶體管的漏極64b相連。象素電極67是一透明導(dǎo)電薄膜。
與下基板60相對(duì)的上基板50具有處在與顯示顏色的子象素區(qū)相對(duì)的一部分處的濾色片層52、和用來(lái)隔開(kāi)濾色片層52且遮蔽光的黑色矩陣層51。參考數(shù)字68表示在公共結(jié)構(gòu)上形成存儲(chǔ)(Storage On Common structure)的存儲(chǔ)電極，其中象素電極與公共線的一部分交疊。
黑色矩陣層51形成在與柵極線61、數(shù)據(jù)線64_1和64_2、包括數(shù)據(jù)線64_1和64_2與相鄰的公共電極61c之間區(qū)域的周邊區(qū)域、以及薄膜晶體管相對(duì)的部分上。
公共電極61c和象素電極67之間的液晶由分布在公共電極61c和象素電極67之間的橫向電場(chǎng)而在同一方向上取向，從而形成一個(gè)區(qū)域。
上述的現(xiàn)有技術(shù)IPS型LCD具有如下一些問(wèn)題。
在數(shù)據(jù)線64_1和64_2以及數(shù)據(jù)線64_1和64_2周圍的公共電極61c上形成黑色矩陣層51使得制造工藝復(fù)雜化，其原因是有必要利用在粘結(jié)上基板和下基板時(shí)需要考慮的粘結(jié)余量(bonding margin)來(lái)設(shè)計(jì)上基板和下基板。而且，上基板50和下基板60的粘結(jié)余量逐漸增大使得數(shù)據(jù)線64_1和64_2附近的亮度減小。
即，由于需要不僅要在數(shù)據(jù)線64_1和64_2上形成黑色矩陣層51，還要在數(shù)據(jù)線64_1和64_2與相鄰的公共電極61c之間的區(qū)域上形成黑色矩陣層51，因此粘結(jié)余量易于引起孔徑損失和亮度降低。
氮化硅的保護(hù)薄膜的厚度相對(duì)較薄，在0.3μm范圍內(nèi)，它會(huì)引起數(shù)據(jù)線和象素電極之間的交叉干擾以及由寄生電容導(dǎo)致的圖像質(zhì)量的降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明在于提供一種IPS型LCD及其制造方法，其基本上克服了因已有技術(shù)的局限和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于提供一種IPS型LCD及其制造方法，其能夠解決由上基板和下基板的粘結(jié)余量引起的孔徑和亮度降低的問(wèn)題。
本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)在于提供一種IPS型LCD及其制造方法，其能夠增大為確保圖像質(zhì)量的存儲(chǔ)電容。
本發(fā)明的又一優(yōu)點(diǎn)在于提供一種IPS型LCD及其制造方法，其能夠防止數(shù)據(jù)線和象素電極之間的交叉干擾和由寄生電容導(dǎo)致的圖像質(zhì)量的降低。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目的和特征將在下面的說(shuō)明中給出，對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，其中的一部分優(yōu)點(diǎn)、目的和特征可以通過(guò)以下的分析明顯得出或是通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐而得到。通過(guò)在文字說(shuō)明部分、權(quán)利要求書(shū)以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了得到這些和其它優(yōu)點(diǎn)并根據(jù)本發(fā)明的目的，作為具體的和廣義的描述，本發(fā)明所述的共平面開(kāi)關(guān)(IPS)型液晶顯示裝置(LCD)包括沿第一方向在下基板上的柵極線；在兩個(gè)子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)的側(cè)邊上且分別垂直于柵極線的數(shù)據(jù)線；與柵極線分隔開(kāi)并與柵極線平行的公共線；單元區(qū)域中的多個(gè)公共電極；柵極線和數(shù)據(jù)線交叉點(diǎn)處的薄膜晶體管；在下基板的整個(gè)表面上的保護(hù)薄膜，該保護(hù)薄膜具有暴露每一個(gè)薄膜晶體管漏極的接觸孔；交替設(shè)置在公共電極之間的象素電極，每一個(gè)象素電極通過(guò)接觸孔與漏極相連；以及公共線上方的保護(hù)薄膜上的存儲(chǔ)電極。
按照另一方面，提供一種共平面開(kāi)關(guān)(IPS)型液晶顯示裝置(LCD)，其包括沿第一方向在下基板上的柵極線；在兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)的邊上且分別垂直于柵極線的數(shù)據(jù)線；與柵極線分隔開(kāi)并與柵極線平行的公共線；柵極線和數(shù)據(jù)線交叉點(diǎn)處的薄膜晶體管；在下基板整個(gè)表面上的有機(jī)絕緣薄膜，該有機(jī)絕緣薄膜具有暴露每一個(gè)薄膜晶體管漏極的接觸孔；數(shù)據(jù)線上和單元區(qū)域內(nèi)的多個(gè)公共電極；交替設(shè)置在多個(gè)公共電極之間的象素電極，每一個(gè)象素電極通過(guò)接觸孔與漏極相連；以及公共線上方的存儲(chǔ)電極。
按照另一方面，提供一種共平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示裝置的制造方法，其包括沿第一方向在下基板上形成柵極線，所述柵極線具有限定在其上的柵極區(qū)；形成與柵極線分隔開(kāi)并與柵極線平行的公共線；形成多個(gè)與公共線相連的公共電極，其中公共電極設(shè)置在子象素區(qū)與兩個(gè)相鄰子象素區(qū)之間；在包括柵極線在內(nèi)的下基板的整個(gè)表面上形成柵極絕緣薄膜；在柵極區(qū)上方的柵極絕緣薄膜上形成有源層；在垂直于柵極線的兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上形成數(shù)據(jù)線；形成從數(shù)據(jù)線上延伸出來(lái)且與有源層一邊交疊的源極，和與源極間隔開(kāi)且與有源層另一邊交疊的漏極；在下基板的整個(gè)表面上形成保護(hù)薄膜，其具有一暴露漏極的接觸孔；在公共電極之間形成交替圖形的象素電極，每個(gè)象素電極通過(guò)接觸孔與漏極相接觸；在公共線上方的保護(hù)薄膜上形成存儲(chǔ)電極，該存儲(chǔ)電極從單元區(qū)域內(nèi)的一個(gè)子象素區(qū)延伸到另一子象素區(qū)。
按照另一方面，提供一種共平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示裝置的制造方法，其包括沿第一方向在下基板上形成柵極線，所述柵極線具有限定在其上的柵極區(qū)；形成與柵極線分隔開(kāi)并與柵極線平行的公共線；在包括柵極線在內(nèi)的下基板的整個(gè)表面上形成柵極絕緣薄膜；在柵極區(qū)上方的柵極絕緣薄膜上形成有源層；在垂直于柵極線的兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上形成數(shù)據(jù)線；形成從數(shù)據(jù)線上延伸出來(lái)且與有源層一邊交疊的源極，和與源極間隔開(kāi)且與有源層另一邊交疊的漏極；在下基板的整個(gè)表面上形成有機(jī)絕緣薄膜，該有機(jī)絕緣薄膜具有一暴露漏極的接觸孔；形成多個(gè)與數(shù)據(jù)線交疊且設(shè)置在子象素區(qū)中的公共電極；在公共電極之間形成交替圖形的象素電極，每個(gè)象素電極通過(guò)接觸孔與漏極相接觸；在公共線上方的有機(jī)絕緣薄膜上形成存儲(chǔ)電極，該存儲(chǔ)電極從單元區(qū)域內(nèi)一個(gè)子象素區(qū)延伸到的另一子象素區(qū)。
按照另一方面，提供一種共平面開(kāi)關(guān)(IPS)型液晶顯示裝置(LCD)，其包括一基板；沿第一方向設(shè)置在該基板上的柵極線；分別在垂直于柵極線的兩個(gè)相鄰子象素區(qū)單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上的數(shù)據(jù)線；與柵極線平行的公共線；與數(shù)據(jù)線平行的公共電極；設(shè)置在公共電極之間且與公共電極平行的交替圖案的象素電極，以及與公共線交疊的存儲(chǔ)電極。
很顯然，上面對(duì)本發(fā)明所作的一般性描述和下面的詳細(xì)說(shuō)明都是示例性和解釋性的，其意在對(duì)本發(fā)明的權(quán)利要求作進(jìn)一步解釋。


本申請(qǐng)所包含的附圖用于進(jìn)一步理解本發(fā)明，其與說(shuō)明書(shū)相結(jié)合并構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，所述附圖表示本發(fā)明的實(shí)施例并與說(shuō)明書(shū)一起解釋本發(fā)明的原理。附圖中圖1表示現(xiàn)有技術(shù)TN液晶顯示裝置的一個(gè)部分的分解透視圖；圖2示意性表示現(xiàn)有技術(shù)IPS型LCD的一剖面；
圖3A和3B表示IPS模式下電壓導(dǎo)通/關(guān)斷時(shí)液晶的相移；圖4A和4B表示IPS型LCD在電壓導(dǎo)通/關(guān)斷時(shí)工作的透視圖；圖5表示現(xiàn)有技術(shù)IPS型LCD的平面圖；圖6表示沿圖5中I-I’和II-II’線剖開(kāi)的剖面；圖7表示按照本發(fā)明第一優(yōu)選實(shí)施例的IPS型LCD的平面圖；圖8表示沿圖7中III-III’和IV-IV’線剖開(kāi)的剖面；圖9表示按照本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的IPS型LCD的平面圖；圖10表示沿圖9中V-V’和VI-VI’線剖開(kāi)的剖面；圖11表示按照本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的IPS型LCD的平面圖；圖12表示沿圖11中VII-VII’和VIII-VIII’線剖開(kāi)的剖面。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，所述實(shí)施例的實(shí)例示于附圖中。
圖7表示按照本發(fā)明第一實(shí)施例的IPS型LCD的平面圖，而圖8表示沿圖7中III-III’和IV-IV’線剖開(kāi)的剖面。
按照本發(fā)明第一實(shí)施例的IPS型LCD將數(shù)據(jù)線位于兩個(gè)子象素的一個(gè)單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊，而在該單元區(qū)域的兩個(gè)子象素之間沒(méi)有設(shè)置數(shù)據(jù)線。
參照?qǐng)D7和圖8，多條柵極線81沿一個(gè)方向設(shè)置在透明下基板上，柵極絕緣薄膜82設(shè)置在包括柵極線81在內(nèi)的下基板80的整個(gè)表面上，公共線81b設(shè)置在與柵極線81相同的層中，該公共線81與柵極線分隔開(kāi)且相互平行。
在垂直于柵極線81的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上分別具有數(shù)據(jù)線84_2和84_3。即，單元區(qū)域的左側(cè)上的子象素區(qū)具有數(shù)據(jù)線84_2，而單元區(qū)域的右側(cè)上的子象素區(qū)具有數(shù)據(jù)線84_3。
在單元區(qū)域中具有與公共線81b相連且與數(shù)據(jù)線84_2和84_3平行的公共線81b。在每一個(gè)子象素區(qū)中具有多個(gè)公共電極81c。
柵極線81、公共線81b和公共電極81c用鋁Al、鉻Cr、鉬Mo和鎢W中的至少一種金屬形成。
在柵極線81與數(shù)據(jù)線84_1、84_2、84_3和84_4交叉處有多個(gè)薄膜晶體管TFT。薄膜晶體管TFT包括從柵極線81上延伸出來(lái)的柵極81a；在包括柵極線81在內(nèi)的下基板80的整個(gè)表面上的柵極絕緣層82；柵極81a上方的柵極絕緣層82上的有源層83；從數(shù)據(jù)線84上伸出且在有源層83的一側(cè)上交疊的源極84a；以及與源極84a間隔開(kāi)且在有源層83的另一側(cè)上交疊的漏極84b。
在包括薄膜晶體管TFT在內(nèi)的下基板80的整個(gè)表面上有一保護(hù)薄膜85，該保護(hù)薄膜具有一暴露漏極84b的接觸孔86。保護(hù)薄膜85是一氮化硅薄膜。
在單元區(qū)域中具有設(shè)置于保護(hù)薄膜85上的象素電極87，該象素電極87在公共電極81c之間，與公共電極81c平行且與公共電極81c交替設(shè)置。象素電極87通過(guò)接觸孔86與薄膜晶體管TFT的漏極84b相連。
單元區(qū)域中兩個(gè)子象素區(qū)界面處的公共電極81c與相鄰子象素區(qū)中的象素電極87相互作用，共同形成一橫向電場(chǎng)。
從單元區(qū)域內(nèi)的一個(gè)子象素區(qū)延伸到另一個(gè)子象素區(qū)的公共線81b上有一個(gè)公共結(jié)構(gòu)上存儲(chǔ)的存儲(chǔ)電極88。兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的存儲(chǔ)電極88彼此相連，從而提供更穩(wěn)定的圖像質(zhì)量，這是因?yàn)橄鄬?duì)于現(xiàn)有技術(shù)而言增大了存儲(chǔ)電容Cst。
象素電極87和存儲(chǔ)電極88用透明導(dǎo)電金屬形成，例如，銦錫氧化物(ITO)、錫氧化物(TO)、銦鋅氧化物(IZO)和銦錫鋅氧化物(ITZO)。
公共電極81c和象素電極87之間的透光區(qū)內(nèi)的液晶由公共電極81c和象素電極87之間的橫向電場(chǎng)而在一個(gè)方向上取向，從而形成一個(gè)區(qū)域。
在相對(duì)于下基板80的上基板70上設(shè)有顯示顏色的濾色片層72和黑色矩陣層71，所述的黑色矩陣層71形成在數(shù)據(jù)線84_1、84_2、84_3和84_4上和與其相鄰的公共電極81c上，用于在濾色片之間隔開(kāi)并遮蔽光。黑色矩陣層71形成在與柵極線81、數(shù)據(jù)線84_1和84_2、包括數(shù)據(jù)線84_1和84_2之間區(qū)域在內(nèi)的周邊區(qū)域、相鄰的公共電極81c以及薄膜晶體管相對(duì)的部分上。
盡管圖中未示出，但是，聚酰亞胺或光對(duì)準(zhǔn)材料的一定向膜形成在包括象素電極87和公共電極81c在內(nèi)的下基板80的整個(gè)表面上。該定向膜具有一個(gè)由機(jī)械拋光確定的對(duì)準(zhǔn)方向，而例如PVCN(聚乙烯肉桂酸酯)基材料的光反應(yīng)性材料的對(duì)準(zhǔn)方向是通過(guò)把光(例如，UV光)引導(dǎo)到其上來(lái)確定的。在這個(gè)例子中是通過(guò)光的引導(dǎo)和被引導(dǎo)的光的特性(即，偏振方向)來(lái)確定對(duì)準(zhǔn)方向的。
如圖8所示，數(shù)據(jù)線84_2和84_3不是位于兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的中間部分。相反，數(shù)據(jù)線是位于兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上。因此，按照本發(fā)明第一實(shí)施例的IPS型LCD能夠減小孔徑損失并改善由上基板和下基板的粘結(jié)余量引起的差亮度，這是因?yàn)樵谂c單元區(qū)域的兩個(gè)子象素區(qū)之間的部分相對(duì)的上基板上不需要黑色矩陣層。
以下將參照?qǐng)D7和8來(lái)描述按照本發(fā)明第一實(shí)施例的具有如上結(jié)構(gòu)的IPS型LCD的制造方法。
在透明下基板80上沉積一導(dǎo)電金屬，例如鋁Al、鉻Cr、鉬Mo和鎢W，并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖以通過(guò)光蝕刻工藝形成柵極線81，從而使柵極限定在一個(gè)區(qū)域中并在一個(gè)方向上設(shè)置。
公共線81b用與柵極線81相同的材料同時(shí)形成。進(jìn)而，公共線81b與柵極線81分隔開(kāi)并相互平行。
多個(gè)公共電極81c與公共線81b相連，并與柵極線在子象素區(qū)中同時(shí)形成。公共電極81c垂直于柵極線81設(shè)置。
接著，在包括柵極線81的下基板80的整個(gè)表面上形成柵極絕緣薄膜82。在柵極絕緣薄膜82上沉積一半導(dǎo)體層，并通過(guò)光蝕刻工藝對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖，以在柵極上方形成島形的有源層83。
然后，在其上形成有源層83的下基板80的整個(gè)表面上沉積一導(dǎo)電金屬，并通過(guò)光蝕刻工藝對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖，以形成垂直于柵極線81且在兩個(gè)子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上設(shè)置的數(shù)據(jù)線84_2和84_3。
形成源極84a使其從數(shù)據(jù)線84_2和84_3上伸出并在有源層83的一側(cè)上交疊，并形成漏極84b使其與源極84a間隔開(kāi)并在有源層83的另一側(cè)上交疊。
在下基板80的整個(gè)表面上形成氮化硅的保護(hù)薄膜85，并形成一接觸孔86以暴露漏極84b。
在保護(hù)薄膜85上沉積例如銦錫氧化物ITO、錫氧化物TO、銦鋅氧化物IZO和銦錫鋅氧化物ITZO的透明導(dǎo)電金屬。
對(duì)該透明導(dǎo)電金屬進(jìn)行構(gòu)圖，形成通過(guò)接觸孔86分別與漏極84b相接觸的象素電極。象素電極與公共電極81c平行交替設(shè)置。
在形成象素電極87的同時(shí)，在公共線81b上方的保護(hù)薄膜85上形成存儲(chǔ)電極88，使其從單元區(qū)域的一個(gè)子象素區(qū)延伸到另一個(gè)子象素區(qū)。基于這樣一種結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)電極在公共結(jié)構(gòu)上形成存儲(chǔ)。
公共電極81c之一設(shè)置在單元區(qū)域中的兩個(gè)子象素區(qū)之間，與形成在相鄰子象素區(qū)中的象素電極87共同起作用。
圖9表示按照本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的IPS型LCD的平面圖，而圖10表示沿圖9中V-V’和VI-VI’線剖開(kāi)的剖面。
按照本發(fā)明第二優(yōu)選實(shí)施例的IPS型LCD的特征在于，形成一平直的有機(jī)絕緣材料而代替第一實(shí)施例中的氮化硅保護(hù)薄膜。
參照?qǐng)D9和10，IPS型LCD包括沿一個(gè)方向設(shè)置在透明下基板100上的多條柵極線101，設(shè)置在包括柵極線101在內(nèi)的下基板100的整個(gè)表面上的柵極絕緣薄膜102，設(shè)置在與柵極線101同一層中的公共線101b，該公共線101與柵極線101分隔開(kāi)且相互平行。柵極線101和公共線101b用鋁Al、鉻Cr、鉬Mo和鎢W中的至少一種金屬形成。
在垂直于柵極線101的兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上具有數(shù)據(jù)線104_2和104_3。即，左側(cè)子象素區(qū)具有數(shù)據(jù)線104_2，而右側(cè)子象素區(qū)具有數(shù)據(jù)線104_3。
在柵極線101與數(shù)據(jù)線104_1、104_2、104_3和104_4交叉點(diǎn)處有多個(gè)薄膜晶體管TFT。薄膜晶體管TFT包括限定在柵極線101的一部分上的柵極101a，在包括柵極線101在內(nèi)的下基板100的整個(gè)表面上的柵極絕緣薄膜102，柵極101a上方的柵極絕緣薄膜102上的有源層103，從數(shù)據(jù)線104_2上伸出且交疊有源層103的一側(cè)的源極104a，以及與源極104a間隔開(kāi)且交疊有源層103另一側(cè)的漏極104b。盡管圖中未示出，但是，薄膜晶體管TFT的柵極可以從一個(gè)方向上設(shè)置的柵極線的一側(cè)上伸出。
在包括薄膜晶體管TFT在內(nèi)的下基板100的整個(gè)表面上具有用大約3～4的低介電常數(shù)和大約3μm厚度的材料形成的一有機(jī)絕緣薄膜105，該有機(jī)絕緣薄膜105具有暴露漏極104b的接觸孔106。
形成低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣薄膜105來(lái)代替相對(duì)于第一實(shí)施例中討論的氮化硅保護(hù)薄膜，能夠防止液晶的錯(cuò)誤操作和導(dǎo)致的差亮度，這些起因于形成在相鄰數(shù)據(jù)線和數(shù)據(jù)線上方的公共電極107a之間的寄生電容以及數(shù)據(jù)線和象素電極之間的寄生電容。
公共電極107a形成在相鄰數(shù)據(jù)線104_1和104_2、或104_3和104_4上方和有機(jī)絕緣薄膜105上的單元區(qū)域中的兩個(gè)相鄰子象素區(qū)之間。多個(gè)公共電極107a可以與該子象素區(qū)中的數(shù)據(jù)線平行。公共電極107a的寬度大于相鄰兩條數(shù)據(jù)線104_1和104_2、或104_3和104_4的區(qū)域的寬度。
象素電極107b位于公共電極107a之間的有機(jī)絕緣薄膜105上，且與公共電極107a平行。象素電極107b通過(guò)接觸孔106與薄膜晶體管TFT的漏極104b相連。象素電極107b是一透明導(dǎo)電薄膜。
公共線101b上方設(shè)有一公共結(jié)構(gòu)上存儲(chǔ)的存儲(chǔ)電極108。存儲(chǔ)電極從單元區(qū)域內(nèi)的一個(gè)子象素區(qū)延伸到另一個(gè)子象素區(qū)。
公共電極107a、象素電極107b和存儲(chǔ)電極108形成在同一層上，公共電極107a與存儲(chǔ)電極108相連。公共電極107a、象素電極107b和存儲(chǔ)電極108用例如銦錫氧化物(ITO)、錫氧化物(TO)、銦鋅氧化物(IZO)和銦錫鋅氧化物(ITZO)的透明導(dǎo)電金屬形成。
在公共電極107a和象素電極107b之間的透光區(qū)內(nèi)的液晶由分布在公共電極107a和象素電極107b之間的橫向電場(chǎng)而在同一個(gè)方向上取向，從而形成一個(gè)區(qū)域。
而且，盡管圖中未示出，但是，在相對(duì)于下基板100的上基板上設(shè)有用于顯示顏色的濾色片層、和用于遮蔽光的黑色矩陣層，所述的濾色片層形成在子象素區(qū)相對(duì)的部分上，而所述的黑色矩陣層形成在柵極線、公共線和薄膜晶體管相對(duì)的部分上。
由于公共電極107a覆蓋相鄰的數(shù)據(jù)線104_1和104_2、或104_3和104_4，因此，在這個(gè)部分上不需要黑色矩陣，該部分稱作黑色矩陣自由區(qū)。
盡管圖中未示出，但是，在包括象素電極107b和公共電極107a在內(nèi)的下基板100的整個(gè)表面上具有由聚酰亞胺或光對(duì)準(zhǔn)材料形成的一定向膜。該定向膜具有一個(gè)由機(jī)械拋光確定的對(duì)準(zhǔn)方向，而例如PVCN(聚乙烯肉桂酸酯)基材料和聚硅氧烷基材料的光反應(yīng)性材料的對(duì)準(zhǔn)方向是通過(guò)把光(例如，UV光)引導(dǎo)到其上來(lái)確定的。通過(guò)光的引導(dǎo)和被引導(dǎo)的光的特性(即，偏振方向)來(lái)確定對(duì)準(zhǔn)方向。
因此，除第一實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)之外，第二實(shí)施例IPS型LCD的優(yōu)點(diǎn)在于，由于數(shù)據(jù)線上方不需要黑色矩陣層，因此能夠減小孔徑損失。這便不需要在粘結(jié)上基板和下基板時(shí)考慮數(shù)據(jù)線的側(cè)邊。而且，低介電常數(shù)的約3μm厚的有機(jī)薄膜能防止液晶的錯(cuò)誤操作和導(dǎo)致的差亮度。
以下將參照?qǐng)D9和10來(lái)描述按照本發(fā)明第二實(shí)施例的具有如上結(jié)構(gòu)的IPS型LCD的制造方法。
在透明下基板100上沉積一導(dǎo)電金屬，例如鋁Al、鉻Cr、鉬Mo和鎢W，并對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖以通過(guò)光蝕刻工藝形成柵極線101，從而使柵極限定在一個(gè)區(qū)域中并在一個(gè)方向上設(shè)置。
在形成柵極線101的同時(shí)，用與柵極線101相同的材料形成公共線101b。進(jìn)而，公共線與柵極線101分隔開(kāi)并相互平行。
接著，在包括柵極線101在內(nèi)的下基板100的整個(gè)表面上形成柵極絕緣薄膜102。在柵極絕緣薄膜102上沉積一半導(dǎo)體層，并通過(guò)光蝕刻工藝對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖，以在柵極上方形成島形的有源層103。
然后，在其上形成有源層103的下基板100的整個(gè)表面上沉積一導(dǎo)電金屬，并通過(guò)光蝕刻工藝對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖，以形成垂直于柵極線101且設(shè)置在兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上的數(shù)據(jù)線104_2和104_3。
形成源極104a使其從數(shù)據(jù)線104_2和104_3上伸出并交疊有源層103的一側(cè)，并形成漏極104b使其與源極104a間隔開(kāi)并交疊有源層103的另一側(cè)。
在下基板100的整個(gè)表面上形成有機(jī)薄膜105。蝕刻該有機(jī)薄膜105以形成一接觸孔106以暴露漏極104b。
在有機(jī)絕緣薄膜105上沉積例如銦錫氧化物(ITO)、錫氧化物(TO)、銦鋅氧化物(IZO)和銦錫鋅氧化物(ITZO)的透明導(dǎo)電金屬。
然后，對(duì)該透明導(dǎo)電金屬進(jìn)行構(gòu)圖，形成交疊相鄰兩條數(shù)據(jù)線104_1和104_2、或104_3和104_4且設(shè)置在單元區(qū)域中的兩個(gè)相鄰子象素區(qū)之間的多個(gè)公共電極107a。
在形成公共電極107a的同時(shí)，象素電極107b通過(guò)接觸孔106與漏極104b接觸，該象素電極107b與公共電極107a平行且位于公共電極107a之間。
在公共線101b上方的有機(jī)絕緣薄膜105上形成存儲(chǔ)電極108，使其從單元區(qū)域內(nèi)的一個(gè)子象素區(qū)延伸到另一個(gè)子象素區(qū)。基于這樣一種結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)電極在公共結(jié)構(gòu)上形成存儲(chǔ)。
公共電極107a之一設(shè)置在單元區(qū)域中的兩個(gè)子象素區(qū)之間，與形成在相鄰子象素區(qū)中的象素電極107b共同起作用。
圖11表示按照本發(fā)明第三優(yōu)選實(shí)施例的IPS型LCD的平面圖，而圖12表示沿圖11中VII-VII’和VIII-VIII’線剖開(kāi)的剖面。
按照本發(fā)明第三實(shí)施例的IPS型LCD補(bǔ)充了子象素區(qū)中透光效率降低的問(wèn)題，該問(wèn)題起因于當(dāng)使用如第二實(shí)施例中公開(kāi)的有機(jī)絕緣薄膜作為保護(hù)薄膜時(shí)有機(jī)絕緣薄膜的厚度。
參照?qǐng)D11和12，在本發(fā)明第三實(shí)施例的IPS型LCD中，在薄膜晶體管和兩條相鄰數(shù)據(jù)線104_1和104_2或104_3和104_4上形成有機(jī)絕緣薄膜105，而在子象素區(qū)上不形成有機(jī)絕緣薄膜105。
如果這樣形成有機(jī)絕緣薄膜105，象素電極107b和相鄰子象素區(qū)之間的公共電極107a和存儲(chǔ)電極108中的一部分就形成在柵極絕緣薄膜102上，而兩條相鄰數(shù)據(jù)線104_1和104_2或104_3和104_4上的公共電極107a的那部分沿著有機(jī)絕緣薄膜105的表面形成。
除上述結(jié)構(gòu)之外，第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)類似于第二實(shí)施例。
這樣，如果公共電極107a僅在有機(jī)絕緣薄膜105上，那么就不會(huì)發(fā)生由錯(cuò)誤取向引起的圖像質(zhì)量降低的問(wèn)題，這是因?yàn)樵搮^(qū)域不是透光區(qū)。
用一個(gè)步驟形成有機(jī)絕緣薄膜105會(huì)在有機(jī)絕緣薄膜105的步驟中引起缺陷的摩擦。如果數(shù)據(jù)線設(shè)置在子象素區(qū)的每個(gè)側(cè)邊上，那么有機(jī)絕緣薄膜105的步驟就會(huì)形成在子象素區(qū)相對(duì)的各側(cè)邊上，從而引起孔徑降低的不良效果。如果數(shù)據(jù)線設(shè)置在兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域相對(duì)的邊上，那么有機(jī)薄膜105的步驟就只形成在子象素區(qū)的一個(gè)側(cè)邊上，從而最大限度地減小了孔徑的降低。
按照本發(fā)明第三實(shí)施例的IPS型LCD的制造方法與第二實(shí)施例相同，除了第三實(shí)施例方法包括一蝕刻有機(jī)絕緣薄膜105的過(guò)程，以除去子象素區(qū)中的有機(jī)絕緣薄膜105而留下薄膜晶體管上和相鄰兩條數(shù)據(jù)線104_1和104_2或104_3和104_4上的有機(jī)絕緣薄膜105。
如上所述，本發(fā)明的IPS型LCD具有如下一些優(yōu)點(diǎn)。
第一，在兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域中相對(duì)的邊上設(shè)置數(shù)據(jù)線不需要在與這兩個(gè)子象素區(qū)之間一部分相對(duì)的上基板的一部分上具有黑色矩陣層，這樣便減少了上基板和下基板的粘結(jié)余量引起的孔徑損失。
第二，如第二或第三實(shí)施例中公開(kāi)的那樣，在兩條相鄰數(shù)據(jù)線上形成公共電極不需要在數(shù)據(jù)線上具有黑色矩陣層，從而不需要在粘結(jié)上基板和下基板過(guò)程中考慮數(shù)據(jù)線的側(cè)邊。這樣還能減少由上基板和下基板的粘結(jié)余量引起的孔徑損失。
第三，如第二或第三實(shí)施例中公開(kāi)的那樣，形成具有低介電常數(shù)和約3μm厚的有機(jī)絕緣薄膜能防止液晶的錯(cuò)誤操作和導(dǎo)致的差亮度。而且，如第三實(shí)施例，在有機(jī)絕緣薄膜中形成開(kāi)口部分還增大了孔徑。
第四，將存儲(chǔ)電極形成作為單元區(qū)域中兩個(gè)子象素區(qū)的一個(gè)單元，即，存儲(chǔ)電極從兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域中的一個(gè)子象素區(qū)延伸到另一個(gè)子象素區(qū)，如第一至第三實(shí)施例中任意一個(gè)實(shí)施例，這樣便增大了相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)電容，從而提供了穩(wěn)定的圖像質(zhì)量。
對(duì)于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，很顯然，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思或范圍的情況下，可以對(duì)本發(fā)明做出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明意在覆蓋那些落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種共平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示裝置包括沿第一方向在下基板上的柵極線；在兩個(gè)子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上且分別垂直于柵極線的數(shù)據(jù)線；與柵極線分隔開(kāi)并與柵極線平行的公共線；單元區(qū)域中的多個(gè)公共電極；柵極線和數(shù)據(jù)線交叉點(diǎn)處的薄膜晶體管；在下基板的整個(gè)表面上的保護(hù)薄膜，該保護(hù)薄膜具有暴露每一個(gè)薄膜晶體管漏極的接觸孔；交替設(shè)置在公共電極之間的象素電極，每一個(gè)象素電極通過(guò)接觸孔與漏極相連；以及在公共線上方的保護(hù)薄膜上的存儲(chǔ)電極。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，公共電極設(shè)置在與數(shù)據(jù)線平行的方向上。
3.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，公共線和公共電極在同一層上。
4.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，象素電極和存儲(chǔ)電極在同一層上。
5.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，存儲(chǔ)電極從單元區(qū)域內(nèi)的一個(gè)子象素區(qū)延伸到另一子象素區(qū)。
6.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，薄膜晶體管包括從柵極線上延伸出來(lái)的柵極；在包括柵極線的下基板的整個(gè)表面上的柵極絕緣薄膜；柵極上方的柵極絕緣薄膜上的有源層；從數(shù)據(jù)線上延伸出來(lái)且交疊有源層第一邊的源極；以及與源極間隔開(kāi)且交疊有源層第二邊的漏極。
7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，柵極線、公共線和公共電極是用選自鋁Al、鉻Cr、鉬Mo和鎢W中至少一種金屬形成的。
8.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，象素電極和存儲(chǔ)電極是用透明導(dǎo)電金屬形成的。
9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其特征在于，透明導(dǎo)電金屬包括銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)和銦錫鋅氧化物(ITZO)。
10.一種共平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示裝置包括沿第一方向在下基板上的柵極線；在兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上且分別垂直于柵極線的數(shù)據(jù)線；與柵極線分隔開(kāi)并與柵極線平行的公共線；柵極線和數(shù)據(jù)線交叉點(diǎn)處的薄膜晶體管；在下基板的整個(gè)表面上的有機(jī)絕緣薄膜，該有機(jī)絕緣薄膜具有暴露每一個(gè)薄膜晶體管漏極的接觸孔；在數(shù)據(jù)線上和單元區(qū)域內(nèi)的多個(gè)公共電極；交替設(shè)置在多個(gè)公共電極之間的象素電極，每一個(gè)象素電極通過(guò)接觸孔與漏極相連；以及在公共線上方的存儲(chǔ)電極。
11.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，數(shù)據(jù)線上的多個(gè)公共電極的寬度大于數(shù)據(jù)線的寬度。
12.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，有機(jī)絕緣薄膜的介電常數(shù)在大約3～4的范圍內(nèi)。
13.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，多個(gè)公共電極、象素電極和存儲(chǔ)電極在同一層上。
14.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，公共電極、象素電極和存儲(chǔ)電極是用透明導(dǎo)電金屬形成的。
15.如權(quán)利要求14所述的裝置，其特征在于，透明導(dǎo)電金屬包括銦錫氧化物(ITO)、錫氧化物(TO)、銦鋅氧化物(IZO)和銦錫鋅氧化物(ITZO)。
16.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，存儲(chǔ)電極從單元區(qū)域內(nèi)的一個(gè)子象素區(qū)延伸到另一子象素區(qū)。
17.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，薄膜晶體管包括從柵極線上延伸出來(lái)的柵極；在包括柵極線的下基板的整個(gè)表面上的柵極絕緣薄膜；柵極上方的柵極絕緣薄膜上的有源層；從數(shù)據(jù)線上延伸出來(lái)且交疊有源層第一邊的源極；以及與源極間隔開(kāi)且交疊有源層第二邊的漏極。
18.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，有機(jī)絕緣薄膜僅形成在薄膜晶體管和數(shù)據(jù)線的上方。
19.如權(quán)利要求10所述的裝置，其特征在于，子象素區(qū)內(nèi)的公共電極、象素電極和存儲(chǔ)電極是在柵極絕緣薄膜上，而數(shù)據(jù)線上的公共電極是在有機(jī)絕緣薄膜上。
20.一種共平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示裝置的制造方法，包括沿第一方向在下基板上形成柵極線，所述基板具有限定在其上的柵極區(qū)；形成與柵極線分隔開(kāi)并與柵極線平行的公共線；形成多個(gè)與公共線相連的公共電極，其中公共電極設(shè)置在子象素區(qū)與兩個(gè)相鄰子象素區(qū)之間；在包括柵極線在內(nèi)的下基板的整個(gè)表面上形成柵極絕緣薄膜；在柵極區(qū)上方的柵極絕緣薄膜上形成有源層；在垂直于柵極線的兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上形成數(shù)據(jù)線；形成從數(shù)據(jù)線上延伸出來(lái)且交疊有源層一個(gè)側(cè)邊的源極，和與源極間隔開(kāi)且交疊有源層另一側(cè)邊的漏極；在下基板的整個(gè)表面上形成保護(hù)薄膜，其具有一暴露漏極的接觸孔；在公共電極之間形成交替圖形的象素電極，每個(gè)象素電極通過(guò)接觸孔與漏極相接觸；在公共線上方的保護(hù)薄膜上形成存儲(chǔ)電極，該存儲(chǔ)電極從單元區(qū)域內(nèi)的一個(gè)子象素區(qū)延伸到另一子象素區(qū)。
21.一種共平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示裝置的制造方法，包括沿第一方向在下基板上形成柵極線，所述基板具有限定在其上的柵極區(qū)；形成與柵極線分隔開(kāi)并與柵極線平行的公共線；在包括柵極線在內(nèi)的下基板的整個(gè)表面上形成柵極絕緣薄膜；在柵極區(qū)上方的柵極絕緣薄膜上形成有源層；在垂直于柵極線的兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上形成數(shù)據(jù)線；形成從數(shù)據(jù)線上延伸出來(lái)且在有源層一個(gè)側(cè)邊上交疊的源極，和與源極間隔開(kāi)且在有源層另一側(cè)邊上交疊的漏極；在下基板的整個(gè)表面上形成有機(jī)絕緣薄膜，該有機(jī)絕緣薄膜具有一暴露漏極的接觸孔；形成多個(gè)與數(shù)據(jù)線交疊且設(shè)置在子象素區(qū)中的公共電極；公共電極之間形成交替圖形的象素電極，每個(gè)象素電極通過(guò)接觸孔與漏極相接觸；在公共線上方的有機(jī)絕緣薄膜上形成存儲(chǔ)電極，該存儲(chǔ)電極從單元區(qū)域內(nèi)的一個(gè)子象素區(qū)延伸到另一子象素區(qū)。
22.一種共平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示裝置包括一基板；沿第一方向設(shè)置在該基板上的柵極線；分別在垂直于柵極線的兩個(gè)相鄰子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上的數(shù)據(jù)線；與柵極線平行的公共線；與數(shù)據(jù)線平行的公共電極；設(shè)置在公共電極之間且與公共電極平行的交替圖案的象素電極；以及與公共線交疊的存儲(chǔ)電極。
23.如權(quán)利要求22所述的裝置，其特征在于，還包括柵極線和數(shù)據(jù)線交叉點(diǎn)處的薄膜晶體管。
24.如權(quán)利要求22所述的裝置，其特征在于，還包括一保護(hù)薄膜，其位于包括至少柵極線和數(shù)據(jù)線在內(nèi)的基板上。
25.如權(quán)利要求24所述的裝置，其特征在于，保護(hù)薄膜是有機(jī)絕緣薄膜。
26.如權(quán)利要求25所述的裝置，其特征在于，有機(jī)絕緣薄膜的介電常數(shù)在大約3～4的范圍內(nèi)。
27.如權(quán)利要求25所述的裝置，其特征在于，公共電極和象素電極在有機(jī)絕緣薄膜上。
28.如權(quán)利要求25所述的裝置，其特征在于，至少一個(gè)公共電極與有機(jī)絕緣薄膜上的數(shù)據(jù)線交疊。
29.如權(quán)利要求25所述的裝置，其特征在于，有機(jī)絕緣薄膜具有至少一個(gè)開(kāi)放區(qū)域。
30.如權(quán)利要求22所述的裝置，其特征在于，公共線和公共電極彼此相連，并形成在同一層中。
31.如權(quán)利要求22所述的裝置，其特征在于，存儲(chǔ)電極和象素電極彼此相連，并形成在同一層中。
32.如權(quán)利要求22所述的裝置，其特征在于，存儲(chǔ)電極和公共電極彼此相連，并形成在同一層中。
33.如權(quán)利要求22所述的裝置，其特征在于，第n條數(shù)據(jù)線和第n+1條數(shù)據(jù)線彼此相鄰設(shè)置在單元區(qū)域之間。
全文摘要
一種共平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示裝置及其制造方法解決了由下基板和上基板粘結(jié)余量導(dǎo)致的孔徑損失和亮度降低的問(wèn)題，并通過(guò)相對(duì)增大了存儲(chǔ)電容Cst而保證了圖像質(zhì)量。一種共平面開(kāi)關(guān)型液晶顯示裝置包括沿第一方向在下基板上的柵極線；在兩個(gè)子象素區(qū)的單元區(qū)域的相對(duì)側(cè)邊上且分別垂直于柵極線的數(shù)據(jù)線；與柵極線分隔開(kāi)并與柵極線平行的公共線；在單元區(qū)域中的多個(gè)公共電極；柵極線和數(shù)據(jù)線交叉點(diǎn)處的薄膜晶體管；在下基板的整個(gè)表面上的保護(hù)薄膜，該保護(hù)薄膜具有暴露每一個(gè)薄膜晶體管漏極的接觸孔；交替設(shè)置在公共電極之間的象素電極，每一個(gè)象素電極通過(guò)接觸孔與漏極相連；以及公共線上方的保護(hù)薄膜上的存儲(chǔ)電極。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1577015SQ200410049979
公開(kāi)日2005年2月9日 申請(qǐng)日期2004年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2003年6月26日
發(fā)明者蔡基成 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社