專利名稱：薄膜晶體管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種薄膜晶體管的制造方法。
背景技術(shù)：
TFT(Thin Film Transister，薄膜晶體管)是液晶顯示器的基礎(chǔ)組件?，F(xiàn)有薄膜晶體管技術(shù)是在玻璃或塑料基板等非單芯片或單芯片上通過濺射、化學(xué)沉積方法形成電路必需的各種膜，通過對(duì)膜的加工制作集成電路。薄膜晶體管一般采用非晶硅或多晶硅制成，以非晶硅制造工藝為例，一般包括活性層制作、柵極制作、源/漏極制作三個(gè)步驟，其順序可根據(jù)結(jié)構(gòu)不同而改變，并且每一工序都包括沉積(Deposit)、顯影(Develop)及蝕刻(Etch)。
如圖1所示，是現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管的電路制作流程圖，其包括如下步驟提供一基板；將該基板進(jìn)行清洗后在基板上鍍一金屬膜；在該金屬膜上涂布光阻然后對(duì)其進(jìn)行曝光(Exposure)及顯影；將顯影后的基板蝕刻；利用去光阻液去除曝光后殘留的光阻。
但是，現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管制造工藝過于繁瑣，活性層制作、柵極制作、源/漏極制作三個(gè)步驟中均包括沉積、顯影及蝕刻工序，并且每一制作步驟都需要具相應(yīng)功能的沉積設(shè)備、顯影設(shè)備及蝕刻設(shè)備，因此設(shè)備成本較高。同時(shí)由于基板在各工站間轉(zhuǎn)換次數(shù)頻繁，產(chǎn)生廢品的機(jī)率增大，使得成品的良率較低。

發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技薄膜晶體管制造工藝繁瑣、設(shè)備成本較高及成品良率低的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種可有效簡化薄膜晶體管制造工藝，節(jié)省工藝設(shè)備成本，提高生產(chǎn)良率的薄膜晶體管制造方法。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是提供一種薄膜晶體管制作方法，包括如下幾個(gè)步驟，首先提供一基板，對(duì)該基板進(jìn)行清洗后，利用激光化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，CVD)技術(shù)在基板上鍍膜進(jìn)行電路沉積。
本發(fā)明的有益效果是與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明薄膜晶體管制造方法是利用激光CVD的修補(bǔ)方式直接在基板上進(jìn)行電路沉積，形成柵極及源/漏極，從而省去了傳統(tǒng)薄膜晶體管制造工藝中薄膜沉積、曝光、蝕刻等步驟，減少了工藝設(shè)備，使得設(shè)備成本降低。因薄膜晶體管制造工藝簡化，避免了現(xiàn)有技術(shù)中各工站可能產(chǎn)生的問題，提高了產(chǎn)品良率。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)薄膜晶體管的電路制作示意圖。
圖2是本發(fā)明薄膜晶體管制造工藝的流程圖。
圖3至圖7是本發(fā)明薄膜晶體管制造工藝中電路沉積的示意圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖2，是本發(fā)明薄膜晶體管制造工藝的流程圖。本發(fā)明揭示的薄膜晶體管的制造方法是先提供一基板；將基板進(jìn)行清洗；利用激光CVD在基板上進(jìn)行鍍膜形成所需電路。
該基板是一裸板，該清洗步驟是采用基板清洗設(shè)備利用清洗液進(jìn)行清洗。
該電路沉積步驟是利用激光CVD修補(bǔ)方式并利用計(jì)算機(jī)程序控制完成，因此可滿足大面積基板的電路沉積。該激光CVD修補(bǔ)技術(shù)原理是利用激光能量密度高、與材料作用時(shí)升溫迅速等特點(diǎn)，來誘導(dǎo)含有預(yù)成膜元素的氣體源反應(yīng)，進(jìn)而分解出預(yù)成膜元素，并沉積在基板上。因此將激光直接投射于基板上，對(duì)基板進(jìn)行局部加熱或去除基板上原有不利于成膜的薄層，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)基板局部成膜，未被激光照射的區(qū)域因未達(dá)到反應(yīng)溫度而不能沉積薄膜。
請(qǐng)參閱圖3至圖7，是本發(fā)明薄膜晶體管制造工藝中利用激光CVD設(shè)備進(jìn)行電路沉積的示意圖。該電路沉積包括如下步驟如圖3所示，在基板1上沉積一由金屬線構(gòu)成的柵極2；如圖4所示，在沉積有柵極2的基板1上形成一柵極氧化物層3；在該柵極氧化物層3上沉積一金屬線作為數(shù)據(jù)線4，該數(shù)據(jù)線4的排布方向與柵極2的排布方向垂直；如圖5所示，沉積源極5，該源極5是由兩條平行金屬線構(gòu)成，該兩金屬線位于柵極2的上方，并與數(shù)據(jù)線4連通；如圖6及圖7所示，沉積漏極6，該漏極6設(shè)置在源極5之間并與數(shù)據(jù)線4與源極5的兩金屬線間隔一定距離。
該電路沉積也可按照如下步驟進(jìn)行在基板1上沉積一由金屬線構(gòu)成的柵極2；在沉積有柵極2的基板1上形成一柵極氧化物層3；在該柵極氧化物層3的上沉積源極5，該源極5是由兩條平行金屬線構(gòu)成，該兩金屬線位于柵極2的上方；沉積一金屬線作為數(shù)據(jù)線4，該數(shù)據(jù)線4的排布方向是與柵極2的排布方向垂直，且與源極5的兩金屬線一端相連通；沉積漏極6，該漏極6設(shè)于源極5之間并與數(shù)據(jù)線4及源極5的兩金屬線間隔一定距離。
該電路沉積所形成各電路金屬線的寬度、厚度及排布方式均是根據(jù)實(shí)際需要做不同設(shè)計(jì)。因該沉積動(dòng)作是通過激光CVD設(shè)備的預(yù)定計(jì)算機(jī)程序控制，因此可通過向激光CVD設(shè)備輸入不同的程序改變?cè)撾娐烦练e的順序，或改變電路金屬線的排布。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的薄膜晶體管制造方法是利用激光CVD的修補(bǔ)方式在基板上進(jìn)行電路沉積，直接形成柵極及源/漏極從而省去了傳統(tǒng)薄膜晶體管制造工藝中薄膜沉積、顯影、蝕刻等步驟，減少了工藝設(shè)備，使得設(shè)備成本降低。薄膜晶體管制造工藝簡化，避免了現(xiàn)有技術(shù)中工站過多，解決了產(chǎn)品良率較低的問題，提高了產(chǎn)品良率。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管的制造方法，包括如下步驟提供一基板；將該基板進(jìn)行清洗；利用激光化學(xué)氣相沉積修補(bǔ)技術(shù)在基板上進(jìn)行電路沉積。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于該電路沉積步驟包括先在基板上沉積一由金屬線構(gòu)成的柵極；然后在該沉積有柵極的基板上形成一柵極氧化物層；在該柵極氧化物層的上沉積一金屬線作為數(shù)據(jù)線，該數(shù)據(jù)線的排布方向是與柵極的排布方向垂直；再沉積源極，該源極是由兩條平行金屬線構(gòu)成，該兩金屬線位于柵極的上方，且其一端與數(shù)據(jù)線連通；最后沉積漏極，該漏極設(shè)于柵極的間且與數(shù)據(jù)線與源極的兩金屬線間隔一定距離。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于電路沉積的步驟是利用激光化學(xué)氣相沉積設(shè)備進(jìn)行。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于利用該激光化學(xué)氣相沉積設(shè)備在基板上進(jìn)行電路沉積的步驟是通過計(jì)算機(jī)程序控制完成。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于該基板是一裸板。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于該基板的清洗是在基板清洗設(shè)備中利用清洗液進(jìn)行清洗。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可有效簡化薄膜晶體管制造工藝，節(jié)省工藝設(shè)備成本，提高生產(chǎn)良率的薄膜晶體管制造方法，其包括如下步驟提供一基板，對(duì)該基板進(jìn)行清洗后，利用激光化學(xué)氣相沉積的修補(bǔ)技術(shù)在基板上鍍膜進(jìn)行電路沉積。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1790637SQ200410077628
公開日2006年6月21日 申請(qǐng)日期2004年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月17日
發(fā)明者曾江弘, 彭家鵬, 林至成, 吳澤 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司