專利名稱：金屬絡(luò)合物、光源與背光模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種金屬絡(luò)合物及應(yīng)用該金屬絡(luò)合物的光源與背光模組，尤其是關(guān)于一種用于液晶顯示裝置的金屬絡(luò)合物及應(yīng)用該金屬絡(luò)合物的光源與背光模組。
背景技術(shù)：
由于液晶顯示裝置面板中的液晶本身不發(fā)光，因此，為了達(dá)到顯示的效果，必須給液晶顯示裝置面板提供一面光源裝置，例如背光模組，其功能在于向液晶顯示裝置面板提供亮度充分、分布均勻的平面光，使液晶顯示裝置面板能夠正常顯示圖像，因此面光源裝置成為液晶顯示裝置的關(guān)鍵組件之一。
隨著液晶顯示裝置應(yīng)用領(lǐng)域的不斷拓展，特別是數(shù)碼影像產(chǎn)品的應(yīng)用，比如手機(jī)、手機(jī)用的數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝影機(jī)等，對于液晶顯示裝置中所使用的背光模組的出光亮度的要求進(jìn)一步提升。
通常背光模組的導(dǎo)光板只能將光線均勻化，而不能提高出光的亮度，因此要提高背光模組的出光亮度，需要從提高光源的亮度入手。
請參閱圖1，是一種現(xiàn)有技術(shù)背光模組的示意圖，該背光模組1包括一導(dǎo)光板10和一光源19，該導(dǎo)光板10包括一入光面11、一和該入光面11相鄰的出光面12、一和該出光面12相對的底面13及側(cè)面14，該光源19相對該入光面11設(shè)置，是發(fā)光二極管(LightEmitting Diode，LED)或者冷陰極熒光燈(Cold Cathode FluorescentLamp，CCFL)。光從光源19發(fā)出，經(jīng)過入光面11進(jìn)入導(dǎo)光板10，在導(dǎo)光板10內(nèi)經(jīng)過散亂反射后從出光面12射出。但是，由于發(fā)光二極管和冷陰極熒光燈本身的限制，其發(fā)光亮度在1,000～5,000cd/m2，已經(jīng)不能滿足背光模組的出光亮度越來越高的要求
發(fā)明內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)光源出光亮度不高的缺點(diǎn)，本發(fā)明提供一種可以用于制造出光亮度較高的光源的金屬絡(luò)合物。
本發(fā)明還提供一種應(yīng)用上述金屬絡(luò)合物的光源。
本發(fā)明還提供一種應(yīng)用上述光源的背光模組。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所應(yīng)用的技術(shù)方案是提供一種金屬絡(luò)合物，該金屬金屬絡(luò)合物包括一金屬原子、一以N及O與該金屬原子相連的雙鏈苯環(huán)基及摻雜化合物，其中該摻雜化合物的大小為10-6～10-8米。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所應(yīng)用的技術(shù)方案是提供一種光源，該光源包括按層排列的陰極層、半導(dǎo)體層、絕緣層、金屬絡(luò)合物層、熒光層、陽極層及保護(hù)層，該金屬絡(luò)合物包括一金屬原子、一以N及O與該金屬原子相連的雙鏈苯環(huán)基及摻雜化合物，其中該摻雜化合物的大小為10-6～10-8米。
本發(fā)明解決技術(shù)問題所應(yīng)用的技術(shù)方案是提供一種背光模組，該背光模組包括一導(dǎo)光板和一光源，該導(dǎo)光板包括一入光面、一和該入光面相鄰的出光面、一與該出光面相對的底面和一相對該入光面設(shè)置的側(cè)面，該光源相對該入光面設(shè)置，其包括按層排列的陰極層、半導(dǎo)體層、絕緣層、金屬絡(luò)合物層、熒光層、陽極層及保護(hù)層，該金屬絡(luò)合物包括一金屬原子、一以N及O與該金屬原子相連的雙鏈苯環(huán)基及摻雜化合物，其中該摻雜化合物的大小為10-6～10-8米。
和現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明的光源通過加入金屬絡(luò)合物，利用納米特性，較大幅度提高了出光亮度。
圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)背光模組的示意圖。
圖2是本發(fā)明金屬絡(luò)合物的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是本發(fā)明光源的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是本發(fā)明背光模組的立體示意圖。
圖5是本發(fā)明背光模組的側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
請參閱圖2，是本發(fā)明金屬絡(luò)合物的結(jié)構(gòu)示意圖。該金屬絡(luò)合物2包括一金屬原子M、一以N及O與該金屬原子M相連的雙鏈苯環(huán)基及摻雜化合物X，該金屬原子M可以是Al、Mg、Zn、Be、Ba及Ga中的任意一種，該摻雜化合物X可為ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中一種或者任意兩種的組合，該摻雜化合物X大小是10-6～10-8米。
請參閱圖3，是本發(fā)明光源的結(jié)構(gòu)示意圖。該光源3包括按層排列的陰極層31、半導(dǎo)體層32、絕緣層33、金屬絡(luò)合物層2、熒光層35、陽極層36及保護(hù)層37。其中該陰極層31是金屬，可以是Cu、Ag及Au中一種或者至少兩種的組合；該絕緣層33材料為SiNx，上面印有圖案，可以讓部分電子穿過，該絕緣層33可以通過反應(yīng)濺射、化學(xué)氣相沉積、離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、離子束濺射、雙離子束濺射等方法制得；該熒光層35材料根據(jù)不同需求可以是發(fā)出綠光的乙鋁石榴石摻雜鋱、可以發(fā)出紅光的氧化錫摻雜銪和可以發(fā)出藍(lán)光的硅酸釔摻雜鈰等，該熒光層35受到電子轟擊后發(fā)出光；該陽極層36是氧化銦錫、InOx及ZnO中一種或者至少兩種的組合，其中氧化銦錫層可以通過在Ar與氧混合氣體環(huán)境中直流反應(yīng)濺射、射頻反應(yīng)濺射而得；該保護(hù)層37材料是SiO2、SiOx中的一種或者至少兩種的組合，可以通過在Ar與氧混合氣體環(huán)境中直流反應(yīng)濺射、射頻反應(yīng)濺射等方法而制得。通過在陽極層36與陰極層31之間施加電壓，由半導(dǎo)體層32產(chǎn)生電子，并且穿過絕緣層33，撞擊金屬絡(luò)合物2，激發(fā)電子轟擊熒光層35，發(fā)出光，再穿過透明保護(hù)層37，可以達(dá)到供應(yīng)光的效果。因?yàn)楫?dāng)物質(zhì)尺寸達(dá)到納米級別(1×10-9米)后，許多性質(zhì)，如物理性質(zhì)、化學(xué)性質(zhì)都發(fā)生了較大的變化，本發(fā)明通過摻雜納米化合物，使得金屬絡(luò)合物2的發(fā)光亮度大為提升，可以達(dá)到10,000～20,000cd/m2，相對發(fā)光二極管和冷陰極熒光燈有著顯著的提升。
請一并參閱圖4和圖5，分別是本發(fā)明背光模組的立體示意圖與側(cè)視圖。該背光模組4包括一導(dǎo)光板40與一光源3，該導(dǎo)光板40包括一入光面41、一和該入光面41相鄰的出光面42及與該出光面42相對的底面43及一相對該入光面41設(shè)置的側(cè)面44，該光源3相對該入光面41設(shè)置。其中，該導(dǎo)光板40是楔形導(dǎo)光板，其入光面41的寬度大于該側(cè)面44的寬度，該出光面42包括多個(gè)連續(xù)溝槽裝置45，其溝槽密度隨著溝槽與光源3的距離的增大而增大，以此達(dá)到出光均勻的目的；該底面43包括多個(gè)非連續(xù)溝槽裝置46，其溝槽寬度隨著溝槽與光源3的距離的增大而減小。
本發(fā)明的背光模組并不限于本實(shí)施方式所述，如該背光模組還可進(jìn)一步包括增光片、擴(kuò)散片、反射片及偏光片等；該導(dǎo)光板40的底面亦可設(shè)置多個(gè)網(wǎng)點(diǎn)以增強(qiáng)射出光的均勻度。
權(quán)利要求
1.一種金屬絡(luò)合物，包括一金屬原子、一以N及O與該金屬原子相連的雙鏈苯環(huán)基和摻雜化合物，其特征在于該摻雜化合物的大小是10-6～10-8米。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬絡(luò)合物，其特征在于該金屬原子是Al、Mg、Zn、Be、Ba及Ga群組中任意一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬絡(luò)合物，其特征在于該摻雜化合物是ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN中一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬絡(luò)合物，其特征在于該摻雜化合物是ZnS、ZnTe、ZnSe、CdSe、CdTe及GaN至少兩種的組合。
5.一種光源，其包括按層排列的陰極層、半導(dǎo)體層、絕緣層、金屬絡(luò)合物層、熒光層、陽極層和保護(hù)層，該金屬絡(luò)合物包括一金屬原子、一以N及O與該金屬原子相連的雙鏈苯環(huán)基及摻雜化合物，其特征在于該摻雜化合物的大小是10-6～10-8米。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光源，其特征在于該陰極層是金屬。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光源，其特征在于該金屬是Cu、Ag及Au中一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的光源，其特征在于該金屬是Cu、Ag及Au中至少兩種的組合。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光源，其特征在于該絕緣層材料是SiNx。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光源，其特征在于該陽極層是氧化銦錫、InOx及ZnO中一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光源，其特征在于該陽極層是氧化銦錫、InOx及ZnO中至少兩種的組合。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光源，其特征在于該保護(hù)層材料是SiO2、SiOx中一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光源，其特征在于該保護(hù)層材料是SiO2、SiOx中至少兩種的組合。
14.一種背光模組，包括一導(dǎo)光板和一光源，該導(dǎo)光板包括一入光面、一和該入光面相鄰的出光面、一與該出光面相對的底面和一相對該入光面設(shè)置的側(cè)面，該光源相對該入光面設(shè)置，包括按層排列的陰極層、半導(dǎo)體層、絕緣層、金屬絡(luò)合物層、熒光層、陽極層及保護(hù)層，該金屬絡(luò)合物包括一金屬原子、一以N及O與該金屬原子相連的雙鏈苯環(huán)基及摻雜化合物，其特征在于該摻雜化合物的大小是10-6～10-8米。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的背光模組，其特征在于該入光面的寬度大于該側(cè)面的寬度。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的背光模組，其特征在于該底面包括多個(gè)非連續(xù)溝槽裝置。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的背光模組，其特征在于該多個(gè)溝槽裝置的溝槽寬度隨其與光源的距離的增大而減小。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的背光模組，其特征在于該出光面的包括多個(gè)連續(xù)溝槽裝置。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的背光模組，其特征在于該多個(gè)溝槽裝置的溝槽密度隨其與光源的距離的增大而增大。
全文摘要
本發(fā)明公開一種金屬絡(luò)合物及應(yīng)用該金屬絡(luò)合物的光源和背光模組。該金屬絡(luò)合物包括一金屬原子、一以N及O與該金屬原子相連的雙鏈苯環(huán)基和摻雜化合物，其中該摻雜化合物的大小為10
文檔編號G02F1/13GK1797094SQ20041009188
公開日2006年7月5日 申請日期2004年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月25日
發(fā)明者陳杰良 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司