專利名稱：水平電場型薄膜晶體管基板及使其中缺陷像素變暗的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于液晶顯示板的薄膜晶體管基板，特別涉及水平電場型薄膜晶體管基板和使該基板中有缺陷像素變暗的方法。
背景技術(shù)：
通常，液晶顯示(LCD)器件通過施加電場控制液晶材料的光透射率，由此顯示圖像。根據(jù)所施加的電場方向，液晶顯示器件主要分為垂直電場型和水平電場型。
垂直電場型液晶顯示器件通過對液晶材料施加垂直電場來驅(qū)動扭曲向列(TN)模式的液晶。在位于上基板和下基板上并彼此相對的像素電極和公共電極之間形成有垂直電場。垂直電場型液晶顯示器提供大孔徑比，但是具有約90°的窄視角。
水平電場型液晶顯示器件通過向液晶材料施加水平電場來以共平面開關(guān)(IPS)模式驅(qū)動液晶。在位于下基板上并彼此平行的像素電極和公共電極之間形成有水平電場。水平電場型液晶顯示器件提供約160°的寬視角。更具體地說，水平電場型液晶顯示器件包括薄膜晶體管基板(即下基板)和濾色片陣列基板(即上基板)。薄膜晶體管基板和濾色片陣列基板彼此相對連接。設(shè)置襯墊料以在兩基板之間保持均勻的盒間隙。盒間隙中充滿液晶材料。
薄膜晶體管基板包括用于為每一像素形成水平電場的多根信號線、多個薄膜晶體管以及涂覆在基板上以排列液晶的定向膜。濾色片陣列基板包括產(chǎn)生顏色的濾色片、防止漏光的黑矩陣以及涂覆在基板上以排列液晶材料的定向膜。
圖1為示出了現(xiàn)有技術(shù)水平電場型薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)的平面圖。參照圖1，水平電場型薄膜晶體管基板包括柵線2和數(shù)據(jù)線4。柵信號施加到柵線2，數(shù)據(jù)信號施加到數(shù)據(jù)線4。柵絕緣膜(未示出)設(shè)置在柵線2和數(shù)據(jù)線4之間。
薄膜晶體管6設(shè)置在柵線2和數(shù)據(jù)線4的交叉處。柵線2和數(shù)據(jù)線4交叉限定像素區(qū)。像素電極18和公共電極20設(shè)置在形成水平電場的像素區(qū)中。公共線16連接到公共電極20。公共線16提供驅(qū)動液晶的參考電壓。公共線16平行于柵線2并且其間為像素區(qū)。公共線16與下一級柵線2相鄰。
薄膜晶體管6響應(yīng)來自柵線2的柵信號使數(shù)據(jù)線4的像素信號充入并保持在像素電極18上。為此，薄膜晶體管6包括柵極8、源極10、漏極12、和有源層14。柵極8連接到柵線2。源極10連接到數(shù)據(jù)線4。漏極12連接到像素電極18并與源極10相對。漏極12還包括平行于柵線2延伸出的延伸部分12A。漏極12的延伸部分12A與公共電極20的水平部分20B相對設(shè)置并且其間設(shè)有柵絕緣膜(未示出)，從而形成第一存儲電容器。
有源層14與包括柵絕緣膜(未示出)的柵極8重疊，以限定源極10和漏極12之間的溝道。有源層14也與數(shù)據(jù)線4相重疊。在有源層14上，設(shè)置有歐姆接觸層(未示出)以與數(shù)據(jù)線4、源極10和漏極12建立歐姆接觸。
設(shè)置在像素區(qū)中的像素電極18通過貫穿保護膜(未示出)的第一接觸孔24連接到薄膜晶體管6的漏極12。像素電極18包括與漏極12的延伸部分12A重疊的第一水平部分18A，以及從第一水平部分18A延伸到像素區(qū)中的指狀部分18B。像素電極18還包括通常連接到指狀部分18B并與公共線16重疊以形成第二存儲電容器的第二水平部分18C。
上存儲電極22還設(shè)置在公共線16和像素電極18的第二水平部分18C之間，以增加第二存儲電容器的電容。上存儲電極2與公共線16重疊并且其間設(shè)有柵絕緣膜(未示出)，以及與像素電極18的第二水平部分18C重疊并在其間設(shè)有保護膜(未示出)。上存儲電極22通過貫穿保護膜的第二接觸孔26連接到像素電極18的第二水平部分18C。
公共電極20連接到公共線16并設(shè)置在像素區(qū)中，以形成沿像素電極18的水平電場。為此，公共電極20包括與像素電極18的指狀部分18B平行設(shè)置的指狀部分20A。公共電極20還包括通常連接到指狀部分20A的水平部分20B以及與漏極12的延伸部分12A重疊并其間具有柵絕緣膜。
在現(xiàn)有技術(shù)水平電場型薄膜晶體管基板中，通過與用于構(gòu)圖源/漏極金屬層相同的掩模工序與數(shù)據(jù)線4和上存儲電極22一起形成源極10和漏極12。在該情況下，當源極10和漏極12之間的距離相對小時，圖案畸形從而引起源極10和漏極12之間如A部分的短路。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供一種水平電場型薄膜晶體管基板以及使該基板中有缺陷像素變暗的方法，其基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的一個目的是提供一種水平電場型薄膜晶體管基板和使該基板中有缺陷像素變暗而不會引入其他缺陷的方法。
本發(fā)明另外的特征和優(yōu)點將在下面的描述中提出，部分從描述中顯而易見，或者可以從本發(fā)明的實施中了解。通過說明書及其權(quán)利要求以及所附附圖中所指出的具體結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點可以實現(xiàn)和得到。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點以及根據(jù)本發(fā)明的目的，一種使位于薄膜晶體管基板中并包括源極和漏極之間短路的有缺陷像素變暗的方法包括在基板上形成柵線和數(shù)據(jù)線以限定像素區(qū)；在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點處形成具有柵極、源極和漏極的薄膜晶體管；在像素區(qū)中形成像素電極和公共電極；形成與柵線平行設(shè)置并連接到公共電極的公共線；形成與柵線平行的漏極的延伸部分；以及沿切割線切割延伸部分。
根據(jù)另一方面，用于液晶顯示板的薄膜晶體管基板包括位于基板上以限定像素區(qū)的柵線和數(shù)據(jù)線；位于柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處并具有柵極、源極和漏極的薄膜晶體管；位于像素區(qū)中的像素電極和公共電極；與柵線平行且連接到公共電極的公共線；位于柵線且沿切割線切割的漏極的延伸部分，其中切割線包括源自起始點的第一傾斜部分，沿與柵線基本上平行的方向通過漏極延伸部分的第二部分，以及終止于終點的第三傾斜部分。
應(yīng)當理解，之前的概括描述和下面的詳細描述都是例證性和解釋性的，意在提供對本發(fā)明的進一步解釋。


所附附圖用于提供本發(fā)明的進一步理解，并結(jié)合在本說明書中，構(gòu)成本說明書的一部分，這些

了本發(fā)明的實施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1為示出了現(xiàn)有技術(shù)水平電場型薄膜晶體管基板結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例的使水平電場型薄膜晶體管基板中有缺陷像素變暗的例證性方法的解釋性平面圖；圖3為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的使水平電場型薄膜晶體管基板中有缺陷像素變暗的例證性方法的解釋性平面圖；以及圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的使水平電場型薄膜晶體管基板中有缺陷像素變暗的例證性方法的解釋性平面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在將對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細描述，這些實施例在所附附圖中說明。在下文中，本發(fā)明的優(yōu)選實施例將參考圖2到4進行詳細描述。
圖2為根據(jù)本發(fā)明實施例的使水平電場型薄膜晶體管基板中有缺陷像素變暗的例證性方法的解釋性平面圖。參照圖2，水平電場型薄膜晶體管基板包括相交但彼此絕緣的柵線102和數(shù)據(jù)線104。柵線102和數(shù)據(jù)線104的相交限定像素區(qū)。薄膜晶體管106設(shè)置在柵線102和數(shù)據(jù)線104的交叉處。像素電極118和公共電極120設(shè)置在由柵線102和數(shù)據(jù)線104交叉而限定的像素區(qū)中，以形成水平電場。柵線102提供柵信號，數(shù)據(jù)線104提供數(shù)據(jù)信號。
公共線116連接到公共電極120。公共線116提供驅(qū)動液晶的參考電壓以及與柵線102平行設(shè)置并在其間具有像素區(qū)。公共線116與下一級柵線102相鄰。
薄膜晶體管106響應(yīng)來自柵線102的柵信號，使數(shù)據(jù)線104的像素信號充入并保持在像素電極118上。為此，薄膜晶體管106包括柵極108、源極110、漏極112和有源層114。柵極108連接到柵線102。源極110連接到數(shù)據(jù)線104。漏極112連接到像素電極118并與源極110相對。
有源層114與柵極108重疊并在其間具有柵極絕緣膜(未示出)，以限定源極110和漏極112之間的溝道。有源層114也與數(shù)據(jù)線104重疊。歐姆接觸層(未示出)設(shè)置在有源層114上以建立與數(shù)據(jù)線104、源極110和漏極112的歐姆接觸。
源極110與漏極112相對以圍繞漏極112，由此限定溝道。在本發(fā)明的實施例中，如圖2所示，源極110與漏極112一起形成U形溝道或另一種形狀的溝道。漏極112還包括延伸部分112A，其平行于柵極102延伸。漏極112的延伸部分112A與公共電極120的水平部分120B相對設(shè)置并其間具有柵絕緣膜(未示出)，以形成第一存儲電容器。
像素電極118通過貫穿保護膜(未示出)的第一接觸孔124連接到薄膜晶體管106的漏極112。像素電極118設(shè)置在像素區(qū)中。更具體地說，像素電極118包括與漏極112的延伸部分112A重疊的第一水平部分118A，和以之字形從第一水平部分118A延伸到像素區(qū)中的指狀部分118B。像素電極118還包括通常連接到指狀部分118B并與公共線116重疊的第二水平部分118C以形成第二存儲電容器。
上存儲電極122還設(shè)置在公共線116和像素電極118的第二水平部分118C之間以增加第二存儲電容器的電容。上存儲電極122與w公共線116重疊并在其間具有柵極絕緣膜(未示出)，同時與偈素電極118的第二水平部分118C重疊并在其間具有保護膜(未示出)。上存儲電極122通過貫穿保護膜的第二接觸孔126連接到像素電極118的第二水平部分118C。
公共電極120連接到公共線116并設(shè)置在像素區(qū)中，以形成用于沿像素電極118的多疇的水平電場。為此，公共電極120包括以之字形沿像素電極118的指狀部分118B的指狀部分120A。這里，公共電極120的指狀部分120A包括沿像素電極118的指狀部分118B具有之字形的一側(cè)，和沿數(shù)據(jù)線104具有線性形狀的另一側(cè)。進一步，公共電極120包括水平部分120B，該部分通常連接到指狀部分120A以及與漏極112的延伸部分112A重疊并在其間具有柵絕緣膜，以形成第一存儲電容器。
在該情況下，當源極110和漏極112之間如A部分所表示的區(qū)域由于畸形圖案而發(fā)生短路時，相應(yīng)的像素通過將其變暗來補救。例如，如圖2所示，柵極108和公共電極120的水平部分120B之間的漏極112沿切割線CL1通過激光切割，從而使有缺陷像素變暗。然而，由于柵極108和公共電極120的水平部分120B之間的漏極112缺乏充足的切割余量，因此在柵極108和源極110之間或柵極108和數(shù)據(jù)線104之間、激光起始點或終點處可能產(chǎn)生其他短路。這是由于盡管從起始點到終點的激光發(fā)射強輸出，但是相應(yīng)于切割線CL1的起始點和終點的區(qū)域的切割余量不充足。為了防止這個問題，沿圖2所示的第二切割線CL2切割像素電極118的指狀部分118B，以消除像素電極118和公共電極120之間的電勢差，從而對其補救。然而，當切割像素電極118時，有缺陷像素顯示為亮點而不是暗點。
圖3為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的使水平電場型薄膜晶體管基板中有缺陷像素變暗的例證性方法的解釋性平面圖。參照圖3，通過激光沿切割線CL切割與公共電極120的水平部分120B重疊的漏極112的延伸部分112A，從而使相應(yīng)像素變暗。在該情況下，由于切割線CL的起始點和終點附近的切割余量相對大，因此可以利用從起始點到終點具有強輸出的激光切割漏極112的延伸部分112A而不影響相鄰圖案。
更具體地說，具有強激光輸出光的切割線CL的起始點(或終點)導(dǎo)致第一間隔P1，其位于柵線102的傾斜側(cè)102A和相對的公共電極120的第一角落區(qū)域處的第一傾斜側(cè)120C之間。通過在鄰近于數(shù)據(jù)線104的區(qū)域中縮小柵線102沿其傾斜側(cè)102A的垂直寬度，在第一間隔P1中形成充足的切割余量。柵線102的收縮形成關(guān)于公共電極120的第一傾斜側(cè)120C相對大的間隔。
切割線CL的終點(或起始點)導(dǎo)致第二間隔P2，其位于柵極108的水平側(cè)108A和相對的公共電極120的第二角落區(qū)域處的第二傾斜側(cè)120D之間。這里，柵極108的水平側(cè)108A為傾斜側(cè)108B和從柵線102伸出的垂直側(cè)108C之間的一側(cè)。通過在柵極108的水平側(cè)108A和相對的公共電極120的第二傾斜側(cè)120D之間形成大間隔，在第二間隔P2中形成充足的切割余量。因此，激光沿切割線CL的光路從第一間隔P1處開始，通過漏極112的延伸部分112A，在第二間隔P2處結(jié)束。結(jié)果，在起始點和終點處具有強輸出光的激光可以切割漏極112的延伸部分112A而不影響其他圖案，從而使有缺陷像素變暗。
圖4為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的使水平電場型薄膜晶體管基板中有缺陷像素變暗的例證性方法的解釋性平面圖。圖4所示的薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)相似于圖3所示的薄膜晶體管基板。從而省略對相似元件的描述。
參考圖4，像素電極218的指狀部分218B與公共電極220的指狀部分220A平行設(shè)置，以形成相同的水平電場。在圖4所示的薄膜晶體管基板中，短路A發(fā)生在源極210和漏極212之間。通過激光沿切割線CL切割與公共電極220的水平部分220B重疊的漏極212的延伸部分212A，從而使相應(yīng)像素變暗。在該情況下，由于切割線CL的起始點和終點附近的切割余量相對大，因此可以利用在起始點和終點處具有強輸出的激光切割漏極212的延伸部分212A而不影響相鄰圖案。
更具體地說，具有強激光輸出光的切割線CL的起始點(或終點)導(dǎo)致第一間隔P1，其定于柵線202的傾斜側(cè)202A和相對的公共電極220的第一角落區(qū)域220C之間。通過在數(shù)據(jù)線204附近縮小柵線202沿其傾斜側(cè)202A的垂直寬度，在第一間隔P1處形成充足的切割余量。柵線202垂直寬度的縮小形成關(guān)于公共電極220的相對大的間隔。
切割線CL的終點(或起始點)導(dǎo)致第二間隔P2，其位于柵極208的水平側(cè)208A和相對的公共電極220的第二角落區(qū)域處的第二傾斜側(cè)220D之間。這里，柵極208的水平側(cè)208A為傾斜側(cè)208B和從柵線202伸出的垂直側(cè)208C之間的一側(cè)。通過在柵極208的水平側(cè)208A和相對的公共電極220的第二傾斜側(cè)220D之間形成大間隔，在第二間隔P2中形成充足的切割余量。因此，激光沿切割線CL的光路從第一間隔P1處開始，通過漏極212的延伸部分212A，在第二間隔P2處結(jié)束。結(jié)果，在起始點和終點處具有強輸出的激光可以切割漏極212的延伸部分212A而不影響相鄰圖案，從而使有缺陷像素變暗。
根據(jù)本發(fā)明的上述實施例，通過提供包括起始點和終點的切割線，提供用于使有缺陷像素變暗的充足的切割余量，其中切割線的起始點位于柵線的傾斜側(cè)和與其相對的公共電極的第二傾斜側(cè)之間的第一間隔中，切割線的終點位于柵極的水平部分和與其相對的公共電極的第二傾斜側(cè)之間的第二間隔中。切割線通過漏極的延伸部分。因此，當利用在起始點和終點處具有強輸出的激光通過切割漏極使缺陷像素變暗時，可以避免避免影響相鄰圖案。
對本領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的是，在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在本發(fā)明的使水平電場型薄膜晶體管基板中有缺陷像素變暗的方法中可以有多種變形和改進。因此，本發(fā)明覆蓋這些變形和改進，只要它們在所附權(quán)利要求和其等同物的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種使薄膜晶體管基板中包括源極和漏極之間短路的有缺陷像素變暗的方法，該方法包括在基板上形成柵線和數(shù)據(jù)線以限定像素區(qū)；在所述柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處形成具有柵極、源極和漏極的薄膜晶體管；在所述像素區(qū)中形成像素電極和公共電極；形成與所述柵線平行設(shè)置并連接到所述公共電極的公共線；形成與所述柵線平行的漏極的延伸部分；以及沿切割線切割所述延伸部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割線包括第一間隔和第二間隔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一間隔位于所述柵線和所述公共電極的第一角落區(qū)域之間，所述第二間隔位于所述柵極和所述公共電極的第二角落區(qū)域之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一間隔在鄰近于數(shù)據(jù)線的柵線的第一傾斜部分和所述公共電極的第一角落區(qū)域的第二傾斜部分之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述第二間隔位于所述柵極的水平側(cè)和相對的公共電極的第二角落區(qū)域的第二傾斜側(cè)之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極具有垂直側(cè)和從所述柵線伸出的傾斜側(cè)和將垂直側(cè)連接到傾斜側(cè)的水平側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述漏極的延伸部分與所述公共電極重疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素電極和公共電極為之字形。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述像素電極具有第一水平部分、指狀部分和第二水平部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一水平部分與所述漏極的延伸部分重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述第二水平部分與公共線重疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述公共電極具有指狀部分和水平部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述水平部分與漏極的延伸部分重疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述指狀部分包括呈之字形的第一部分和沿數(shù)據(jù)線呈線性形狀的第二部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割延伸部分的步驟包括使用激光。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割線包括源自起始點的第一傾斜部分、沿與柵線基本平行的方向通過所述漏極延伸部分的第二部分以及終止于終點的第三傾斜部分。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括縮小數(shù)據(jù)線附近柵線沿其傾斜側(cè)的垂直寬度的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述方法進一步包括在柵極水平側(cè)和與其相對的公共電極傾斜側(cè)之間形成間隔的步驟。
19.一種用于液晶顯示板的包括源極和漏極之間短路的有缺陷像素的薄膜晶體管基板，包括位于基板上以限定像素區(qū)的柵線和數(shù)據(jù)線；位于所述柵線和數(shù)據(jù)線的交叉處并具有柵極、源極和漏極的薄膜晶體管；位于所述像素區(qū)中的像素電極和公共電極；與所述柵線平行且連接到所述公共電極的公共線；以及與所述柵線平行且沿切割線切割的漏極的延伸部分，其中所述切割線包括源自起始點的第一傾斜部分、沿與所述柵線基本平行的方向通過所述漏極延伸部分的第二部分以及終止于終點的第三傾斜部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述起始點位于柵極傾斜側(cè)和與其相對的公共電極的第一角落區(qū)域之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述終點位于柵極水平側(cè)和與其相對的公共電極的第二角落區(qū)域處第二傾斜側(cè)之間，所述柵極水平側(cè)位于第二傾斜側(cè)和從柵線伸出的柵極垂直側(cè)。
22.根據(jù)權(quán)利要求20所述的薄膜晶體管基板，其特征在于，所述柵線在沿其傾斜側(cè)的數(shù)據(jù)線附近具有縮小的垂直寬度部分。
全文摘要
一種使薄膜晶體管基板中包括源極和漏極之間短路的有缺陷像素變暗的方法包括在基板上形成柵線和數(shù)據(jù)線以限定像素區(qū)；在柵線和數(shù)據(jù)線的交叉點處形成具有柵極、源極和漏極的薄膜晶體管；在像素區(qū)中形成像素電極和公共電極；形成與柵線平行設(shè)置并連接到公共電極的公共線；形成與柵線平行的漏極的延伸部分；以及沿切割線切割延伸部分。
文檔編號G02F1/136GK1637552SQ20041010098
公開日2005年7月13日 申請日期2004年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月30日
發(fā)明者李在鳳 申請人:Lg. 菲利浦 Lcd 株式會社