專利名稱：液晶顯示器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請涉及一種液晶顯示(LCD)器件，尤其涉及一種具有增大的孔徑比以及降低的寄生電容的LCD器件。
背景技術(shù)：
作為許多平板顯示技術(shù)之一的LCD器件，具有包括高對比度、高灰度級、高圖像質(zhì)量和低功耗的改進(jìn)的工作特性。
例如，具有薄外型的LCD器件可制成壁掛型以用作電視監(jiān)視器。同樣，由于LCD器件的輕重量以及低功耗，LCD器件可用作筆記本、個人計算機(jī)、電視和飛行器的監(jiān)視器。
LCD器件通常包括薄膜晶體管陣列基板、濾色片陣列基板和液晶層。特別地，所述薄膜晶體管陣列基板包括薄膜晶體管、像素電極以及由柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素區(qū)域中的存儲電容。同樣，所述濾色片陣列基板包括濾色片層和公共電極。所述液晶層形成在所述薄膜晶體管陣列基板和濾色片陣列基板之間。通過為上述電極施加電壓，排列液晶層的液晶分子，進(jìn)而控制光透射量從而顯示圖像。
下面參照附圖描述現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的平面圖。圖2為沿圖1中現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件中的I-I′線提取的截面圖。
現(xiàn)有技術(shù)的LCD包括薄膜晶體管陣列基板111、濾色片陣列基板121以及液晶層131。所述薄膜晶體管陣列基板111和濾色片陣列基板121以預(yù)定間隔彼此粘接并將所述液晶層131形成在所述兩個粘接的基板111和121之間。此外，該LCD器件不發(fā)光，從而LCD器件需要額外的光源，例如，背光150。背光150設(shè)置在所述薄膜晶體管陣列基板111的下方。
如圖1和圖2所示，薄膜晶體管陣列基板111包括柵線112、數(shù)據(jù)線115、像素電極117、薄膜晶體管TFT和存儲電容。所述柵線112和數(shù)據(jù)線115彼此垂直形成以限定出像素區(qū)域。同樣，所述像素電極117形成在各像素區(qū)域中以根據(jù)數(shù)據(jù)信號為所述液晶層131施加信號電壓。進(jìn)而，在所述柵線112和數(shù)據(jù)線115的交叉位置處形成薄膜晶體管，其中基于施加到柵線112的掃描信號使所述薄膜晶體管TFT導(dǎo)通/截止，以便將施加到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號傳送到像素電極117。形成存儲電容以降低電平移動電壓以及維持非選擇期間的像素信息。
另外，在所述柵線112和數(shù)據(jù)線115之間形成柵絕緣層113，并在所述薄膜晶體管TFT和像素電極117之間形成鈍化層116。
因此，薄膜晶體管TFT由柵極112a、柵絕緣層113、半導(dǎo)體層114、源極115a和漏極115b構(gòu)成。柵極112a從柵線112分叉延伸出，并且所述柵絕緣層113形成在包括柵極112a的薄膜晶體管陣列基板111的整個表面上。進(jìn)而，在柵極112a上方的柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層114。同樣，源極115a從數(shù)據(jù)線115分叉延伸出并覆蓋與半導(dǎo)體層114的一側(cè)重疊。漏極115b與該半導(dǎo)體層114的另一側(cè)重疊，并且透過鈍化層116的漏極與像素電極117電連接，進(jìn)而為該像素電極施加電壓。
存儲電容CST由電容電極126、像素電極117、柵絕緣層113和鈍化層116構(gòu)成。像素電極126與柵線112平行地形成在相同的層上。此外，柵絕緣層113和鈍化層116插入在電容電極126和像素電極117之間。因此，存儲電容保持薄膜晶體管TFT截止期間的液晶層的電荷。
盡管未示出，可使用預(yù)定部分的柵線作為電容電極而在柵線上放形成存儲電容。
存儲電容具有在電容的下電極和上電極之間形成絕緣層的結(jié)構(gòu)。這樣，電容電極126用作電容的下電極，柵絕緣層113和鈍化層116用作絕緣層，而與電容電極126重疊的預(yù)定部分的像素電極用作電容的上電極。
柵絕緣層113由具有大約7.5介電常數(shù)的無機(jī)絕緣材料，如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)形成并具有1500和5000之間的厚度。同樣，鈍化層116由具有大約3.4低介電常數(shù)的有機(jī)絕緣材料，如BCB(苯并環(huán)丁烯)或丙烯酸樹脂形成并具有3μm和5μm之間的厚度。
當(dāng)鈍化層116由如BCB的有機(jī)絕緣材料形成時，能夠減少數(shù)據(jù)線層和像素電極之間的寄生電容。因此，像素電極117可與數(shù)據(jù)線重疊以獲得高的孔徑比?？墒牵绻鸅CB的有機(jī)絕緣層用于鈍化層，則鈍化層116會變厚。因此，不可能將有機(jī)絕緣層的鈍化層用于小尺寸的LCD器件，如移動電話。
鑒于此，在小尺寸的LCD器件中，鈍化層由無機(jī)絕緣材料，如氮化硅SiNx形成?？墒?，相比于由有機(jī)絕緣材料形成鈍化層的情況，當(dāng)使用無機(jī)絕緣材料制成鈍化層時，寄生電容顯著增加，進(jìn)而不能使數(shù)據(jù)線與像素電極重疊。如果寄生電容在數(shù)據(jù)線和像素電極之間增加，則該寄生電容引起與施加給液晶層的A.C.電壓相關(guān)的D.C.電壓偏移ΔVp，進(jìn)而產(chǎn)生閃爍、圖像暫留(sticking)和圖像的亮度不均勻等現(xiàn)象。
此外，與薄膜晶體管陣列基板111相對形成濾色片陣列基板121。濾色片陣列基板121包括順序設(shè)置的R(紅)/G(綠)/B(藍(lán))色素的濾色片層123、用于分隔開R/G/B單元并防止漏光的黑矩陣層122以及用于向液晶層131施加電壓的公共電極124。
通常，在濾色片層123中，順序設(shè)置具有R/G/B色素的像素，其中各子像素具有一種色素并且所述子像素被單獨(dú)驅(qū)動，進(jìn)而通過子像素的組合顯示一個像素中的顏色。
通常，對應(yīng)于所述子像素的邊緣以及薄膜晶體管陣列基板的薄膜晶體管形成黑矩陣層122，進(jìn)而防止不穩(wěn)定電場部分上的漏光。
如上所述，在使用無機(jī)絕緣材料的鈍化層的情況下，不能使像素電極與數(shù)據(jù)線重疊。因此，黑矩陣層122與像素電極117重疊以防止像素電極和數(shù)據(jù)線之間漏光。此時，因為像素電極117形成在薄膜晶體管陣列基板上，并且黑矩陣層122形成在濾色片陣列基板上，所以必須在黑矩陣層122中設(shè)定粘接余量以防止漏光。該粘接余量可根據(jù)粘接設(shè)備而不同。可是，如圖2所示，黑矩陣層122優(yōu)選地與像素電極117以5μm至6.7μm的最小值重疊。
但是，現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件存在以下缺陷。
首先，鈍化層由無機(jī)絕緣材料形成，像素電極與相鄰的數(shù)據(jù)線不重疊。因此，需要為像素電極與黑矩陣層重疊而提供足夠的粘接余量，進(jìn)而防止像素電極和數(shù)據(jù)線之間漏光。所以，由于粘接余量而使黑矩陣層的尺寸增加，并由此降低了LCD器件的孔徑比。
如果鈍化層由無機(jī)絕緣層形成，像素電極形成為不與鄰近的數(shù)據(jù)線重疊。在此情況中，鈍化層的介電常數(shù)比有機(jī)絕緣材料的介電常數(shù)高，進(jìn)而在像素電極和數(shù)據(jù)線之間產(chǎn)生寄生電容。因為該寄生電容，產(chǎn)生了源信號延遲，進(jìn)而降低了數(shù)據(jù)電壓值。因此，由于源信號的延遲而使亮度改變，產(chǎn)生垂直串?dāng)_，進(jìn)而降低圖像質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種能夠基本消除由于現(xiàn)有技術(shù)的局限和缺陷所引起的一個或多個問題的LCD器件。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于提供一種LCD器件，其通過形成具有高光學(xué)密度的金屬材料的第一黑矩陣層以及形成覆蓋第一黑矩陣層的第二樹脂黑矩陣層，在不漏光的情況下實現(xiàn)高分辨率。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)和特征將在以下的說明中部分予以闡述，并對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，在隨后描述的基礎(chǔ)上部分變得清晰，或可從本發(fā)明的實施中獲知。根據(jù)已寫說明書及其權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)，能夠?qū)崿F(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其它優(yōu)點(diǎn)。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，并根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此示例和廣泛描述的，一種LCD器件包括第一基板上的柵線；在包括所述柵線的第一基板的整個表面上的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層上并與所述柵線基本垂直以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；位于所述柵線和數(shù)據(jù)線交叉位置的薄膜晶體管；在包括所述薄膜晶體管的第一基板表面上的鈍化層；位于所述鈍化層上并與薄膜晶體管的漏極相連的像素電極；以及防止數(shù)據(jù)線和像素電極之間寄生電容的遮光金屬。
所述遮光金屬從柵線凸出。
另外，該LCD器件還進(jìn)一步包括與所述柵線平行的公共線。所述遮光金屬從該公共線凸出。
同樣，所述鈍化層由無機(jī)絕緣材料形成，其中該無機(jī)絕緣材料為氮化硅SiNx或氧化硅SiOx。
另外，所述LCD器件包括具有黑矩陣層、濾色片層和公共電極的第二基板，該第二基板與所述第一基板相對。
所述黑矩陣層具有與遮光金屬的一角(corner)位于同一條線上的一角。
而且，所述遮光金屬與所述像素電極和數(shù)據(jù)線重疊。
而且，所述遮光金屬與像素電極重疊，并具有與數(shù)據(jù)線一角相對對準(zhǔn)的一角。
應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的前述概要說明和以下詳細(xì)說明都是示意性和解釋性的，意欲對要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。


用于提供本發(fā)明進(jìn)一步的理解并包含在本申請中而構(gòu)成本申請一部分的附圖，示出了本發(fā)明的(多個)實施例并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1為現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的平面圖；圖2為沿圖1中現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的I-I′線提取的截面圖；圖3為按照本發(fā)明第一實施例的LCD器件的平面圖；圖4為沿圖3中LCD器件的II-II′線提取的截面圖；圖5為按照本發(fā)明第二實施例的LCD器件的平面圖；圖6為按照本發(fā)明第三實施例的LCD器件的平面圖。
具體實施例方式現(xiàn)在詳細(xì)地參照附圖描述本發(fā)明的實施例。只要可能，在所有附圖中使用相同的參考數(shù)字指代相同或相似的部件。
以下參照附圖描述按照本發(fā)明第一實施例的LCD器件。
圖3為按照本發(fā)明第一實施例的LCD器件的平面圖。圖4為沿圖3中LCD器件的II-II′線提取的截面圖。
如圖3和圖4所示，按照本發(fā)明第一實施例的LCD器件包括薄膜晶體管陣列基板511、濾色片陣列基板521和液晶層531。薄膜晶體管陣列基板511和濾色片陣列基板521按預(yù)定間隔彼此粘接在一起，并且液晶層531形成在所述薄膜晶體管陣列基板511和濾色片陣列基板521之間。同樣，形成背光550以為粘接的基板511和521提供均勻的光，其中背光550形成在薄膜晶體管陣列基板511的下方。
更詳細(xì)地，如圖3和圖4所示，薄膜晶體管陣列基板511包括柵線512、數(shù)據(jù)線515、柵絕緣層513、柵極512a、半導(dǎo)體層514、源極515a、漏極515b、鈍化層516、接觸孔518、像素電極517和遮光金屬532。柵線512與數(shù)據(jù)線515基本垂直形成以限定像素區(qū)域。然后，在柵線512和數(shù)據(jù)線515之間形成柵絕緣層513，并且柵極512a從柵線512和數(shù)據(jù)線515的交叉位置處的柵線512凸出。而且，在柵極512a上方的柵絕緣層513上形成半導(dǎo)體層514。另外，從數(shù)據(jù)線515凸出的源極515a與半導(dǎo)體層514的一邊重疊，而與源極515a分隔開預(yù)定距離形成的漏極515b與半導(dǎo)體層514的另一邊重疊。在包括源極515a和漏極515b的薄膜晶體管陣列基板的整個表面上形成鈍化層516，并在漏極515b上方的鈍化層516中形成接觸孔518。然后，在像素區(qū)域內(nèi)形成像素電極517，以通過鈍化層516的接觸孔518與漏極515b相連接，其中像素電極517由ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料形成。從柵線512凸出的遮光金屬532沿著數(shù)據(jù)線515形成在數(shù)據(jù)線515和像素電極517之間，以防止像素電極517和數(shù)據(jù)線515之間的寄生電容。
鈍化層516由例如SiOx或SiOx的無機(jī)絕緣材料形成，其易于沉積并且很薄，以防止階梯覆層。此外，遮光金屬532和柵線512由具有低電阻率的遮光材料，如銅Cu、鋁Al、鋁釹合金AlNd、鉬Mo、鉻Cr、鈦Ti、鉭Ta或鉬鎢合金MoW的低電阻金屬層形成。
濾色片陣列基板521與所述薄膜晶體管陣列基板511相對形成。濾色片陣列基板521包括黑矩陣層522、濾色片層523和公共電極524。黑矩陣層522與像素區(qū)域的邊緣和薄膜晶體管區(qū)域重疊以防止漏光，其中所述黑矩陣層522由氧化鉻CrOx、鉻Cr或碳型有機(jī)材料形成。在部分黑矩陣層522之間形成濾色片層523以實現(xiàn)R(紅)/G(綠)/B(藍(lán))顏色。同樣，在濾色片層523上形成公共電極524以與像素電極517形成電場，該電場用于控制液晶層。
在此，沿數(shù)據(jù)線515形成遮光金屬532，并且該遮光金屬532由與柵線512相同的材料形成并與其位于相同的層上。此外，所述遮光金屬532形成在數(shù)據(jù)線515和像素電極517之間。另外，該遮光金屬532與所述柵線512一體形成以提供電場，并與數(shù)據(jù)線515和像素電極517重疊?；蛘?，所述遮光金屬532與像素電極517重疊，并且該遮光金屬532的一角與黑矩陣層522的一角位于同一條線上。
通過向與柵線512相連的遮光金屬532施加恒定電壓，產(chǎn)生恒定電場。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于遮光金屬532的電場效應(yīng)，能夠減少數(shù)據(jù)線515和像素電極517之間形成的寄生電容。也就是說，因為遮光金屬532與其間的數(shù)據(jù)線515和像素電極517重疊，當(dāng)向遮光金屬532施加電場時，在遮光金屬532和數(shù)據(jù)線515之間產(chǎn)生寄生電容。同樣，寄生電容也產(chǎn)生在遮光金屬532和像素電極517之間。因此，使用遮光金屬532能夠減少數(shù)據(jù)線515和像素電極517之間的寄生電容，進(jìn)而防止垂直串?dāng)_。所以改善了LCD器件的圖像質(zhì)量。
此外，在所述數(shù)據(jù)線和像素電極之間于相同的基板(薄膜晶體管陣列基板)上形成遮光金屬532，進(jìn)而通過該遮光金屬532防止了數(shù)據(jù)線515和像素電極517之間漏光。因此，能夠減少濾色片陣列基板521的黑矩陣層522和薄膜晶體管陣列基板511的像素電極517之間的粘接余量，進(jìn)而減少了黑矩陣層522的區(qū)域并增加了像素區(qū)域的透射區(qū)域。
也就是說，在現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件中，黑矩陣層522和像素電極517之間的粘接余量為5μm或更多?？墒牵诎凑毡景l(fā)明的LCD器件中，黑矩陣層的一角與遮光金屬相應(yīng)對準(zhǔn)，進(jìn)而最大化了LCD器件的孔徑比。
因為本發(fā)明可用于具有120ppi至150ppi像素密度的移動電話的LCD器件，所以孔徑比增加了18％的最大百分比。而且，本發(fā)明可用于具有大約180ppi像素密度的移動電話模式的LCD器件。
也就是說，遮光金屬532減少了數(shù)據(jù)線和像素電極之間的寄生電容，同時也防止了所述數(shù)據(jù)線和像素電極之間漏光，進(jìn)而通過減少黑矩陣層522的區(qū)域提高了孔徑比。
此外，所述遮光金屬可與前柵線相連以接收電壓，或者該遮光金屬層可與附加的公共線相連以接收電壓。
另一方面，以下將按照本發(fā)明第二和第三實施例描述遮光金屬與存儲線相連的結(jié)構(gòu)。
圖5為按照本發(fā)明第二實施例的LCD器件的平面圖。圖6為按照本發(fā)明第三實施例的LCD器件的平面圖。
不同于本發(fā)明第一實施例的LCD器件，在本發(fā)明第二實施例的LCD器件中，遮光金屬532未沿數(shù)據(jù)線515形成在前柵線512中。如圖5所示，附加的公共線526與像素區(qū)域的柵線512基本平行地形成，并隨后沿數(shù)據(jù)線515形成從該公共線526凸出的遮光金屬532。
除此之外，根據(jù)本發(fā)明第二實施例的LCD器件具有與本發(fā)明第一實施例的LCD相同的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明第二實施例的LCD器件中，從公共線526凸出的遮光金屬532沿數(shù)據(jù)線形成，其中所述公共線526形成在所述數(shù)據(jù)線515和像素電極517之間。所述遮光金屬532與公共線526一體形成以便提高電場，并且遮光金屬532與數(shù)據(jù)線515和像素電極517重疊?；蛘撸稣诠饨饘?32與像素電極517重疊，而該遮光金屬532的一角與黑矩陣層522的一角位于同一條線上。
直到在像素區(qū)域中形成公共線之前，本發(fā)明第三實施例的LCD器件具有與本發(fā)明第二實施例的LCD器件相同的結(jié)構(gòu)。可是，在按照本發(fā)明第三實施例的LCD器件中，如圖6所示，基本平行于柵線512并與其鄰近地另外形成公共線526。然后，沿數(shù)據(jù)線515形成從公共線526凸出的遮光金屬532。在此情況中，向遮光金屬532施加電壓。同樣，所述遮光金屬532形成在數(shù)據(jù)線515和像素電極517之間，并與數(shù)據(jù)線515和像素電極517重疊?；蛘撸稣诠饨饘?32與像素電極517重疊，并具有與黑矩陣層522的一角位于同一條線上的一角。
在前述按照本發(fā)明第一實施例的LCD器件中，所述薄膜晶體管陣列基板具有柵線上存儲(storage-on-gate)的結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明第二和第三實施例的LCD器件中，薄膜晶體管陣列基板具有公共線上存儲(storage-on-common)的結(jié)構(gòu)。
如上所述，按照本發(fā)明的LCD器件具有以下優(yōu)點(diǎn)。
在按照本發(fā)明的LCD器件中，所述遮光金屬形成在數(shù)據(jù)線和像素電極之間以與其重疊，并且該遮光金屬與柵線或公共線相連。由于向遮光金屬施加電壓，所以數(shù)據(jù)線和像素電極之間的寄生電容減少至大約9.760E-18[F/μm]。例如，在使用無機(jī)絕材料的鈍化層的四輪掩模LCD器件中，數(shù)據(jù)線和像素電極之間的寄生電容大約是2.876E-17[F/μm]。因此，能夠解決串?dāng)_問題以及防止由于寄生電容產(chǎn)生的閃爍和圖像暫留問題，進(jìn)而改善圖像質(zhì)量。
另外，因為遮光金屬在其間與數(shù)據(jù)線和像素電極重疊，所以能夠防止數(shù)據(jù)線和像素電極之間漏光，進(jìn)而減少黑矩陣層的粘接余量。因此，減少了黑矩陣層的區(qū)域，進(jìn)而能夠提高LCD器件的孔徑比。
此外，因為寄生電容的減少，能夠使用無機(jī)絕緣材料的鈍化層，進(jìn)而簡化用于鈍化層形成的制造工藝并減少了階梯覆層。
另外，因為不需要設(shè)置昂貴的有機(jī)絕緣材料，如BCB的鈍化層，所以能夠減少制造成本。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明中可進(jìn)行各種修改和變化。因此，本發(fā)明意欲覆蓋所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)得出的本發(fā)明的修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括第一基板上的柵線；在包括所述柵線的第一基板的整個表面上的柵絕緣層；在所述柵絕緣層上并與所述柵線基本垂直以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；位于所述柵線和數(shù)據(jù)線交叉處的薄膜晶體管；在包括所述薄膜晶體管的第一基板表面上的鈍化層；位于所述鈍化層上并與所述薄膜晶體管的漏極相連的像素電極；以及防止所述數(shù)據(jù)線和像素電極之間的寄生電容的遮光金屬。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光金屬從所述柵線凸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光金屬沿所述數(shù)據(jù)線的方向從所述柵線凸出。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，還進(jìn)一步包括與所述柵線基本平行的公共線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光金屬從所述公共線凸出。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光金屬沿所述數(shù)據(jù)線的方向從所述公共線凸出。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述鈍化層為無機(jī)絕緣材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述無機(jī)絕緣材料為氮化硅SiNx或氧化硅SiOx。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，還進(jìn)一步包括具有黑矩陣層、濾色片層和公共電極的第二基板，該第二基板與所述第一基板相對。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述黑矩陣層具有與所述遮光金屬的一角位于同一條線上的一角。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光金屬與所述像素電極和數(shù)據(jù)線重疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光金屬與所述像素電極重疊并具有與所述數(shù)據(jù)線的一角對準(zhǔn)的一角。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，向所述遮光金屬施加電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述電壓通過所述柵線施加到所述遮光金屬。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述電壓通過所述公共線施加到所述遮光金屬。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光金屬與所述柵線形成在同一層上，并且形成在所述數(shù)據(jù)線和像素電極之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述遮光金屬由與所述柵線相同的材料形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有提高的孔徑比和降低的寄生電容的LCD器件，該器件包括無機(jī)絕緣材料的鈍化層，還包括第一基板上的柵線；在包括所述柵線的第一基板的整個表面上的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層上并與所述柵線基本垂直以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線；位于所述柵線和數(shù)據(jù)線交叉處的薄膜晶體管；在包括所述薄膜晶體管的第一基板上的鈍化層；位于所述鈍化層上并與薄膜晶體管的漏極相連的像素電極；以及用于接收電壓、形成在所述數(shù)據(jù)線和像素電極之間以防止數(shù)據(jù)線和像素電極之間寄生電容的遮光金屬。
文檔編號G02F1/13GK1677206SQ200410100988
公開日2005年10月5日 申請日期2004年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月30日
發(fā)明者權(quán)克相, 樸大林, 黃圣洙, 姜成求, 李種會, 金炳究, 崔鐘莪 申請人:Lg. 菲利浦 Lcd 株式會社