專利名稱：設(shè)計圖形校正方法、掩模制造方法及半導體器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于修正半導體集成電路設(shè)計圖形的設(shè)計圖形校正方法以及用于制作半導體集成電路的掩模圖形的掩模圖形的制作方法。
背景技術(shù)：
近年來半導體器件的制造技術(shù)的進步異常驚人。最小加工尺寸為0.13μm的半導體器件已開始工業(yè)化生產(chǎn)。這樣的微細化是通過掩模加工技術(shù)，光刻技術(shù)以及蝕刻技術(shù)等微細圖形形成技術(shù)飛躍的進步而實現(xiàn)。
在圖形尺寸充分大的時代，是把擬于晶片上形成的LSI圖形原樣地作為設(shè)計圖形，制成忠實于此設(shè)計圖形的掩模圖形，通過投影光學系統(tǒng)將此掩模圖形復制到晶片上，而能于晶片上形成基本上如設(shè)計圖形的圖形。
但是隨著圖形的微細化的進步，在各個加工過程中已難于忠實地形成圖形，因為產(chǎn)生了最終加工圖形形狀不像設(shè)計圖形的問題。
為了解決上述問題，要想使最終的加工圖形的尺寸等于設(shè)計圖形的尺寸，制成與設(shè)計圖形不同的掩模圖形的所謂掩模數(shù)據(jù)處理至關(guān)重要。
掩模數(shù)據(jù)處理中存在有圖形運算處理與應(yīng)用設(shè)計規(guī)則檢查(D、R、C)等以變更掩模圖形的MDP處理，以及用于校正光鄰近效應(yīng)(OPE)的光鄰近效應(yīng)校正(OPC)的處理等，通過進行這類處理使最終的加工圖形尺寸如所期望的尺寸，能夠恰當?shù)匦Ｕ谀D形。
近年來，伴隨著設(shè)計圖形的微細化，光刻加工中的K1值(K1＝W/(NA/λ)，W設(shè)計圖形尺寸、λ曝光裝置的曝光波長、NA曝光裝置中所用透鏡的數(shù)值孔徑)愈益減小。結(jié)果使OPE趨向于進一步增大，因而OPC處理的負擔非常之大。
為了達到OPC處理的高精度化，采用了可正確預測OPE的光強模擬裝置，能夠?qū)Ω鞣N掩模圖形計算恰當校正值的模型基OPC方法已成為主流。此外，為了驗證進行過復雜的模型基OPC的掩模，使用光刻模擬的模型基OPC驗證技術(shù)已變得非常重要。
但是雖已提出了將模型基OPC驗證技術(shù)應(yīng)用于單層情形檢測光刻余量小的危險圖形的技術(shù)(例如參看美國專利NOS。6470489與6415421)，但這種技術(shù)不能獲得充分的檢測精度。再者，至今尚未開發(fā)出能判定在多層之間是否確保有充分的光刻余量的技術(shù)。
因此，迄今難以保證充分的加工形狀。而要是想保證充分的加工形狀，則會有增大布局面積、加大芯片尺寸的問題。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一種觀點的設(shè)計圖形校正方法，乃是考慮了在半導體集成電路層間加工余量的校正設(shè)計圖形的方法，此方法包括下述步驟基于第一設(shè)計圖形計算對應(yīng)于第一層加工圖形形狀的第一圖形形狀；基于第二設(shè)計圖形計算對應(yīng)于第二層加工圖形形狀的第二圖形形狀；通過對此第一圖形形狀與第二圖形形狀進行布爾運算處理，計算第三圖形形狀；判定根據(jù)上述第三圖形形狀求得的評價值是否滿足預定值，而在判定上述評價值不滿足預定值時校正上述第一與第二設(shè)計圖形中至少一方。


圖1示明單層時加工圖形形狀。
圖2示明多層時加工圖形形狀。
圖3示明考慮了多層間對準偏差下的加工圖形形狀。
圖4A與4B說明接觸層、柵層與擴散層。
圖5A、5B與5C例示金屬布線與通路的布置。
圖6例示P與R工具、OPC工具、光刻驗證工具與壓縮工具相組合成的設(shè)計布局系統(tǒng)。
圖7示明相對于多層的驗證處理流程。
圖8具體例示相對于多層驗證處理的流程。
圖9示明對實際布局的應(yīng)用結(jié)果。
圖10說明在考慮了對準偏差的概率分布情形下對設(shè)計圖形的反饋方法。
圖11A與11B示明柵層、擴散層與接觸層的關(guān)系。
圖12示明柵前端部與擴散層加工圖形形狀的關(guān)系。
圖13示明掩模的制造方法與半導體器件制造方法的流程。
具體實施形式下面參考

本發(fā)明的實施形式(第一實施形式)圖1示明相對于單層進行OPC的結(jié)果。在此設(shè)定金屬布線(M1)層。OPC后的圖形與設(shè)計圖形(目標圖形)的偏差則以涂黑表示。
圖2示明考慮到多數(shù)層時進行OPC的結(jié)果。將金屬布線(M1)設(shè)定為基于第一設(shè)計圖形的第一層，而將接觸孔(CS)設(shè)定為基于第二設(shè)計圖形的第二層。曝光量與焦點位置都設(shè)定為最佳條件。此外，在圖2中沒有考慮M1與CS間的覆蓋偏差。
M1的加工圖形形狀與CS的加工圖形形狀的AND(與)區(qū)域需要一定面積以上。例如以M1的設(shè)計圖形與CS的設(shè)計圖形的AND 區(qū)域的面積為A1，以M1的加工圖形形狀與CS的加工圖形形狀的AND區(qū)域的面積為A2，則A2對A1之面積比(A2/A1)需在預定值以上。在后面的說明中，此面積比有時也簡稱為面積。
M1與CS之間實際上在曝光時會發(fā)生覆蓋偏差。因此如圖3所示，M1的加工圖形形狀(第一圖形形狀)與CS的加工圖形形狀(第二圖形形狀)間的位置關(guān)系偏移。即使是在這種情形，AND區(qū)域的面積也需在預定值以上，對于不能確保預定值以上面積的情形，則需進行設(shè)計圖形(設(shè)計規(guī)則)或掩模圖形的修正。也即需進行使AND區(qū)域面積增大的修正。
具體的修正方法有(1)擴大金屬布線的寬度；(2)加大接觸孔的直徑，等等。
但在方法(2)中需要考慮此接觸孔所連接的層。對此用圖4A與圖4B說明。圖4A是設(shè)計布局，圖4B是于晶片上的加工形狀。圖中，11為擴散層、12為柵層、13為與柵層12連接的接觸層、14為與擴散層11連接的接觸層。
例如，在用于將金屬層(金屬布線層)與柵層連接的接觸孔或是將金屬層與擴散層(源漏擴散層)連接的接觸孔情形，能夠形成比所需尺寸為大的接觸孔。因此，接觸孔的圖形有時會從柵層與擴散層的圖形中露出。
這樣，在采用方法(2)時需要考慮接觸孔圖形與柵圖形的間隔(設(shè)計圖形的間隔或是加工圖形形狀的間隔)。再有，考慮覆蓋層偏差的程度，還需估計接觸孔直徑的校正量。
再有，當接觸孔也是用于連接金屬布線M1(第一層金屬布線)與金屬布線M2(第二層金屬布線)的接觸孔時(在以后，有時會將這種金屬孔稱為通路(Via))，有必要作與上述相同的注意。例如為了充分地確保金屬布線M1與通路1的AND區(qū)域。當增大通路V1時，通路V1與金屬布線M2之間的接觸面積也增大。假定金屬布線層M2附近配置有另外的通路V2，通過增大通路V1后，通路V1與通路V2的間隔將變窄，結(jié)果，通路V1與通路V2就可能接觸。
因此在加大通路V1時要判斷(1)通路V1附近存在有另外的通路V2否？(2)通路V2相對于通路V1存在于哪個方向中？(3)通路V2與通路V1即使接觸有無問題呢？(若為同電位的通路，即便接觸也無問題)。要根據(jù)此判斷結(jié)果來決定通路V1的大小和通路V1的擴大方向。
圖5A、5B與5C示明了有關(guān)的例子，圖5A示明在通路V1附近不存在通路V2的情形，圖5B示明在通路V1一側(cè)存在通路V2的情形，圖5C則示明包括在通路V1附近通路V2存在與不存在這兩種情形的情形。圖中，21為第一金屬布線(M1)、22為第二金屬布線(M2)、31為第一通路(V1)、32為第二通路(V2)。
在圖5A的情形，通路V1(通路31)能簡單地擴大。圖5B的情形中，為避免通路V1(通路31)與通路V2(通路32)的接觸，能沿與通路32的存在方向相反方向擴大通路31。此外，在圖5C的情形，可將能擴大的通路擴大，而對于不能擴大的通路則可加大金屬布線M1與M2的寬度。在圖5C中，中央的兩個通路由于附近另有通路，便將金屬布線22的前端加粗。再有，周邊的10個通路則沿附近沒有其他通路的方向?qū)⑼窋U大。
一般，金屬布線與通路的布置用布置與布線(P與R)工具進行。在本實施形式中，應(yīng)用具有這種P與R工具的系統(tǒng)，計算出通路與金屬布線的晶片上的加工圖形形狀，根據(jù)計算結(jié)果對上述(1)～(3)進行判定，基于判定結(jié)果進行擴大金屬布線或通路的至少一方的處理。由此可以充分地確保金屬布線圖形與通路圖形的AND區(qū)域。
已有的P與R工具根據(jù)標準單元或宏單元的布局信息以及所謂布局的連接信息的布置與布線信息，進行使布線長度盡可能短的處理。在本實施形式的系統(tǒng)中，除上述功能外，為了充分地確保金屬布線與通路的加工圖形形狀的AND區(qū)域，標準單元以及單元的布局等等具有修正配置后的布局形狀的功能。在校正布局形狀時，可采用能根據(jù)預先給定的布局制作規(guī)則進行布局的制作與修正的壓縮工具。
圖6例示上述系統(tǒng)的功能結(jié)構(gòu)。通過采用這種系統(tǒng)，能夠保證已有的布置與布線步驟中保證了的金屬布線和通路的連接，得以自動地制成考慮到了設(shè)計布局與OPC等的掩模圖形。這就是說，能以比過去小的布局尺寸獲得保證了加工圖形形狀的設(shè)計圖形。
利用上述的P與R工具與壓縮工具等的設(shè)計布局制作系統(tǒng)只是一個例子，但即便不利用上述工具，只要有能根據(jù)金屬布線與通路的加工圖形形狀自動地修正設(shè)計布局的系統(tǒng)也可。
當加工圖形形狀為NG(不合格)的情形，要考慮幾個因素。而有時需要根據(jù)要素進行設(shè)計圖形的修正或是進行掩模圖形的校正。下面用圖7的流程圖進行說明。
首先分別評價金屬層(M1)與接觸孔(CS)(S11、S13、S21、S23)。據(jù)此判定在各金屬層與接觸孔之中是否確保了預定的加工余量。在不滿足預定的條件時，變更掩模圖形與設(shè)計圖形(S12、S14、S22、S24)。這方面的具體處理流程已記載于特開2002-26126與2003-303742號公報中。
然后將各M1與CS只移動對準偏差量的一半。隨即進行移動后的M1與CS的AND處理(S31)，再計算出AND處理部分的面積(S32)。當AND處理部分的面積比預定值小時，給M1圖形與CS圖形附加邊緣(S33)，返回到S11與S21的步驟。當AND處理部分的面積比預定值大時，即完成了M1與CS的布局(S34)。
通過以上處理，能保證金屬層與接觸層各個的加工圖形形狀，同時能保證考慮了金屬層與接觸層相互關(guān)系的加工圖形形狀。
下面參考圖8說明由圖7流程圖所示的處理的具體例子。
首先給出金屬層與接觸層的設(shè)計圖形(1)。相對于設(shè)計圖形進行包括OPC的重定尺寸處理與布爾運算處理等，制成金屬層與接觸層的掩模圖形(2)。再據(jù)掩模圖形預測金屬層與接觸層的晶片上的加工圖形形狀(3)。設(shè)接觸層與金屬層的對準偏差量為a、所考慮的接觸層加工圖形寸尺為W，則接觸層能形成于只從(3)預測出的位置處偏離a(4，5)。
(5)的環(huán)形圖形示明相對于對準偏差量a的接觸層存在的區(qū)域，這種環(huán)形圖形區(qū)域與金屬層加工圖形形狀重疊的區(qū)域(第三圖形形狀)頗為重要。
重疊區(qū)域小時，難以充分保證接觸層與金屬層的連接，降低了成品率。相反，在有了充分的重疊區(qū)域后，則能確保可靠的連接。重疊區(qū)域可通過環(huán)形圖形區(qū)域與金屬層的加工圖形形狀的AND處理求得(6)。重疊區(qū)域的面積可由一般的設(shè)計規(guī)則檢查(DRC)工具計算(7)。
然后評價由(7)求得的面積。具體地說，將由(7)求得的面積與預定的面積公差比較(8)。當由(7)求得的面積比預定的面積公差小時，需變更設(shè)計圖形。為此生成相對于設(shè)計圖形變更(修正)的修正指針，根據(jù)此修正指針，變更設(shè)計規(guī)則與設(shè)計圖形(S9)。由此制成新設(shè)計布局(10)。反復進行上述處理，直到滿足(8)的條件。若最后由(7)求得的面積在預定的面積公差以上，便完成了布局(11)。
圖9示明相對于實際布局所進行的圖8所示的處理例。圖9的(a1)、(b1)、及(c1)是在最佳聚焦和最佳曝光量的條件下形成接觸孔的例子。圖9的(a2)、(b2)與(c2)則是在與此最佳聚焦和最佳曝光量稍有偏離的條件下形成接觸層圖形時的例子。對于金屬層圖形而言這是最佳聚焦與最佳曝光量的條件。
在圖9所示例子中，為簡單起見只是變動了曝光量與聚焦狀態(tài)，但是能夠變動相對于加工圖形形狀有影響的至少一個以上的加工參數(shù)。作為加工參數(shù)，除聚焦狀態(tài)與曝光量之外例如尚有曝光裝置的曝光波長、曝光裝置透鏡的數(shù)值孔徑、透鏡的像差、透鏡的光透過率、曝光裝置的照明形狀、照明光強的分布、蝕刻的變換差等。
圖9的(a1)、(b1)與(c1)分別對應(yīng)于圖8的(3)、(5)與(7)。由DRC工具求據(jù)圖8的(7)計算的面積，其面積不滿足公差的圖形以黑圓圍住。修正以這種黑圓圍成的圖形的設(shè)計圖形，再次用同樣的流程評價，結(jié)果可不增大芯片尺寸，避開危險圖形。
這樣，根據(jù)本實施形式，基于第一設(shè)計圖形計算出對應(yīng)于第一層的加工圖形形狀的第一圖形形狀，基于第二設(shè)計圖形計算對應(yīng)于第二層的加工圖形形狀的第二圖形，通過此第一與第二圖形形狀的布爾運計算計算第三圖形形狀。然后判定據(jù)第三圖形形狀求得的評價值是否滿足預定值，當判定此評價值不滿足預定值時，校正第一與第二設(shè)計圖形的至少一方。由此與已有情形相比，可獲得減小了芯片尺寸且能保證加工圖形形狀的設(shè)計圖形，這就是說，可基于多層之間加工圖形形狀的關(guān)系，驗證加工余量是否充分，由此能夠解決過去難以使個別圖形每一布局最優(yōu)化的問題，減小芯片的面積，從而也可充分地適應(yīng)今后半導體集成電路的微細加工。
(第二實施形式)
現(xiàn)來說明本發(fā)明的第二實施形式。
圖8中假定對準偏差量a為均勻分布，但實際上的對準偏差則服從某種概率分布。對準偏差的概率分布屬正態(tài)分布，圖10所示例子中假定3σ為b。
對準偏差的概率分布卻由于是3σ＝b的正態(tài)分布，故如圖10的(2)所示。此外，在各對準偏差位置的環(huán)形圖形與金屬層圖形的AND區(qū)域的面積能通過圖8與9所示方法計算，在將各對準偏差位置求得的面積設(shè)為縱軸時，即如圖10的(3)所示。對(2)的概率分布與(3)的面積進行卷積積分。據(jù)此可由(2)的概率分布計算對準偏差產(chǎn)生時的環(huán)形圖形與金屬層圖形的AND區(qū)域的有效面積分布(4)。
另一方面，作為有效面積分布的必要值(面積公差)則是根據(jù)器件技術(shù)條件以及試驗等確定的值。計算能確保此面積公差允許的對準偏差量C，判定此允許對準偏差量C是否大于預定的對準偏差量b。若是c＜b，實際上雖然有可能只有偏差b，但仍有必要將對準偏差量抑制到c，因而為了使b＜c，需考慮以下三點(A)提高對準精度，進一步減小3σ＝b的值；(B)重新評價面積公差；(C)加大有效面積。
在上面的(A)中需重新評價作為目標的對準精度的目標值。在上面的(B)中，根據(jù)器件技術(shù)規(guī)格預定的面積公差需要再次評價是否真正地正確。為此，在這些重評中需要時間。最簡單的方法是(C)。即整體地增大環(huán)形圖形與金屬層圖形的AND區(qū)域的有效面積分布，為此可采用增大金屬層邊緣量的方值或是增大接觸層面積的方法。改變接觸層大小時需要考慮對于其他層(例如柵層)的位置關(guān)系。因此，現(xiàn)實的方法是增大金屬層邊緣量的方法。
例如取所需的對準偏差量(b-c的絕對值)為橫軸，取所需的邊緣量(x)為縱軸，預先繪制成表明它們關(guān)系的曲線圖(6)，基于此曲線圖，制成附加有邊緣量的新設(shè)計布局(7)。將新設(shè)計的布局置換(1)的設(shè)計布局，進行上述相同的評價，而且反復評價，直到對準偏差量c與b一致或c大于b，通過將這種處理相對于所有的接觸孔進行，就能夠給各個接觸孔適當?shù)募庸び嗔慷梢允剐酒叽绫冗^去的小。
如上所述，對準偏差的發(fā)生服從某種概率分布，因而在考慮這種概率分布下采用圖8與9所示的方法，就能進行更高精度的布局修正。
(第三實施形式)圖11A、11B、12A與12B是用于說明本發(fā)明第三實施形式的圖。圖11A與12A示明設(shè)計布局，圖11B與12B示明于晶片上的加工圖形形狀。圖中的11指擴散層，12指柵層，13與14指接觸層。此外，在圖12A與12B中，上圖表明距離a短的情形，下圖表明距離a長的情形。
此實施形式的方法也可用于基于柵層、擴散層與接觸層的加工形狀的評價。對于金屬層與接觸層，將AND區(qū)域的面積為指標。以此面積是否為某個常值之上作為布局的修正判定標準。這對柵層與擴散層特別易成為問題的是圖11A的以圓圈圍成的柵線端部。為了保持柵的特性，重要的是在柵線與擴散層的邊界部確保所希望的柵的寬度。
在現(xiàn)在的情形下，如圖12A的上圖所示，根據(jù)至擴散層端的距離a與從擴散層端的柵突出的距離b，確定柵線端部處的布局形狀。b的大小由擴散層的角部分的加工舍入量以及柵前端部的收縮量決定。由于擴散層的舍入量根據(jù)距離a而變化，故b的值依賴于a的值、通過b的減小可以減小芯片面積，因而希望b取所需的最小限度的值。
為了確定上述這樣的最小的b值，執(zhí)行以下所述流程。
(1)計算柵層的加工圖形形狀。
(2)計算擴散層的加工圖形形狀。
(3)在柵層的加工圖形形狀中進行減去與擴散層重疊部分的處理(對應(yīng)于布爾運算中的NOT(非)處理)。
(4)測定NOT處理的邊界部的長度。
(5)判定于(4)中求得的邊界部長度是否在預定的范圍內(nèi)。
(6)若在預定的范圍內(nèi)時，測定芯片面積。
(7)若于當前的b值下，芯片面積滿足預定值則結(jié)束。
(8)若在當前的b值下，芯片面積不滿足預定值，則進一步減小b值(使芯片面積減小)，根據(jù)步驟(1)再次進行探討。
(9)當于(5)中邊界部的長度未進入預定的范圍內(nèi)時，進行使圖12的a值或b值增大的布局的制作與修正。
(10)根據(jù)步驟(1)再次驗證由(9)求得的布局。
為了滿足芯片的需求面積，通過上述步驟決定b值是重要的。根據(jù)上述步驟決定b值時，能使芯片面積比預定值顯著減小。
以上方法也可應(yīng)用于這里所示例子以外的情形，例如能應(yīng)用于接觸層與擴散層的關(guān)系、接觸層與柵層的關(guān)系、接觸層與離子注入層的關(guān)系。結(jié)果，與由過去的設(shè)計規(guī)則的布局指針制成的設(shè)計布局圖形相比，可以制成較小的布局圖形而減小芯片面積。
此外，通過將基于上述第一～第三實施形式方法求得的設(shè)計圖形的掩模圖形形成于掩模基片上，制成光掩模。而應(yīng)用形成于掩模基片上的掩模圖形則可制造半導體器件(半導體集成電路)，圖13示明有關(guān)這些方法的流程。
首先根據(jù)第一～第三實施形式的方法確定圖形布局(設(shè)計布局)(S161)，然后基于此確定的圖形布局于掩?；闲纬裳谀D形而由此制成光掩模(S102)。將光掩模上的掩模圖形投影到晶片(半導體基片)上的光刻膠上(S103)，再通過使光刻膠顯像而形成光刻膠圖形(S104)。再把所形成的光刻膠圖形作為掩模對基片上的導電膜與絕緣膜等進行蝕刻，形成所希望的圖形(S105)。
這樣，基于上述第一～第三實施形式的方法求得的設(shè)計布局來制造掩模圖形或半導體器件時，與以往相比能制成布局縮小了的掩模與半導體器件。
上述第一～第三實施形式的方法也能應(yīng)用于單元庫等的設(shè)計。
上述第一～第三實施形式中是在考慮到兩層之間加工余量下進行了設(shè)計圖形的校正，但也可以考慮到三層以上之間的加工余量進行設(shè)計圖形的校正。
上述第一～第三實施形式是以光刻加工為例進行說明，但對于X射線曝光或電子束(EB)曝光，可同樣采用上述方法。
此外，上述第一～第三實施例形式方法中的步驟可通過描述相應(yīng)方法步驟的程序，由控制操作的計算機實現(xiàn)。上述程序則可由磁盤等記錄媒體或因特網(wǎng)等通信線路(有線或無線)提供。
再者，上述第一～第三實施形式一般可采用以下方法。
第一圖形形狀可相對于第一設(shè)計圖形通過實施包含光鄰近效應(yīng)校正的重定尺寸處理求得的掩模圖形計算。
第二圖形形狀可相對于第二設(shè)計圖形通過實施包含光鄰近效應(yīng)校正的重定尺寸處理求得的掩模圖形計算。
布爾運算處理是在移動第一與第二圖形形狀的至少一方或進行重定尺寸后進行。
布爾運算處理是在考慮了第一層與第二層之間的對準偏差下進行。
布爾運算處理是在考慮了第一層與第二層之間的對準偏差量的概率分布下進行。
布爾運算處理包含AND運算處理與NOT運算處理兩者的至少一方。
評價值包括第三圖形形狀的面積、外周線長度與圖形寬度之三者中的至少一個。對于面積、外周線長度與圖形寬度，其中也可包括它們各自的平均值或偏差量。
第一與第二圖形形狀中至少之一是在考慮了預定的工藝條件下計算出的，所預定的工藝條件則包括曝光裝置的照明光波長、曝光裝置的透鏡的數(shù)值孔徑、曝光裝置的照明形狀、曝光裝置的焦點位置、曝光裝置的透鏡的像差，曝光裝置在晶片上的曝光量、對準偏差量、掩模尺寸以及光刻膠中所含氧的擴散長度中至少之一。
第一層與第二層分別對應(yīng)于柵層、布線層、接觸層、擴散層、離子注入層與阱層等中之一。
反復地進行著從計算第一圖形形狀到校正第一與第二設(shè)計圖形兩者中至少之一，直至評價值滿足預定值。
熟悉本工藝的人將能迅速獲知本發(fā)明的其他優(yōu)點與改進型式。于是，本發(fā)明在其更廣的意義下將不限于這里所述的具體細節(jié)與代表性的實施形式。因此在不脫離后附技術(shù)方案及其等效內(nèi)容所確定的普遍性發(fā)明原理的精神與范圍時，是可以作出種種變更型式的。
權(quán)利要求
1.一種設(shè)計圖形校正方法，其是考慮了半導體集成電路層間加工余量的校正設(shè)計圖形的方法，此方法包括下述步驟基于第一設(shè)計圖形計算對應(yīng)于第一層加工圖形形狀的第一圖形形狀；基于第二設(shè)計圖形計算對應(yīng)于第二層加工圖形形狀的第二圖形形狀；通過對上述第一圖形形狀與第二圖形形狀進行布爾運算處理，計算第三圖形形狀；判定根據(jù)上述第三圖形形狀得到的評價值是否滿足預定值；在判定上述評價值不滿足預定值時，校正上述第一與第二設(shè)計圖形兩者中至少一方。
2.如權(quán)利要求1的方法，其中上述第一圖形形狀是由通過相對于上述第一設(shè)計圖形實施包含光鄰近效應(yīng)校正的重定尺寸處理得到的掩模圖形進行計算的。
3.如權(quán)利要求1的方法，其中上述第二圖形形狀是由通過相對于上述第二設(shè)計圖形實施包含光鄰近效應(yīng)校正的重定尺寸處理得到的掩模圖形進行計算的。
4.如權(quán)利要求1的方法，其中上述布爾運算處理是在上述第一與第二圖形形狀至少一方移動或重定尺寸后進行的。
5.如權(quán)利要求1的方法，其中上述布爾運算處理是在考慮到上述第一層與上述第二層之間的對準偏差進行的。
6.如權(quán)利要求1的方法，其中上述布爾運算處理是在考慮到上述第一層與上述第二層之間的對準偏差量的概率分布進行的。
7.如權(quán)利要求1的方法，其中上述布爾運算處理包含AND運算處理與NOT運算處理中的至少一方。
8.如權(quán)利要求1的方法，其中上述評價值包括上述第三圖形形狀的面積、外周線長度與圖形寬度中至少之一。
9.如權(quán)利要求1的方法，其中上述第一與第二圖形形狀中至少之一是在考慮到預定的加工條件下計算的；這里所預定的加工條件包括曝光裝置的照明光波長、曝光裝置的透鏡數(shù)值孔徑、曝光裝置的照明形狀、曝光裝置的焦點位置、曝光裝置的透鏡的像差、曝光裝置在晶片上的曝光量、對準偏差、掩模尺寸以及光刻膠中所含氧的擴散長度中至少之一。
10.如權(quán)利要1求的方法，其中上述第一層與第二層分別對應(yīng)于柵層、布線層、接觸層、擴散層、離子注入層與阱層中之一。
11.如權(quán)利要求1的方法，其中反復地進行從計算上述第一圖形形狀到校正上述第一與第二設(shè)計圖形中至少之一，直至上述評價值滿足預定值。
12.一種掩模制造方法，包括將基于由權(quán)利要求1的方法校正的設(shè)計圖形的掩模圖形形成于掩?；稀?br> 13.一種半導體器件的制造方法，包括將由權(quán)利要求12的方法得到的上述掩模圖形投影到晶片上的光刻膠上的步驟。
14.一種掩模圖形制作方法，它是考慮到半導體集成電路層間加工余量的制作掩模圖形的方法，此方法包括下述步驟相對于第一層的第一設(shè)計圖形進行至少一次重定尺寸處理制成第一掩模圖形；相對于第二層的第二設(shè)計圖形進行至少一次重定尺寸處理制成第二掩模圖形；基于上述第一掩模圖形計算對應(yīng)于上述第一層的加工圖形形狀的第一圖形形狀；基于上述第二掩模圖形計算對應(yīng)于上述第二層的加工圖形形狀的第二圖形形狀；通過對上述第一圖形形狀與第二圖形形狀進行布爾運算處理計算第三圖形形狀；判定根據(jù)此第三圖形形狀得到的評價值是否滿足預定值；在判定上述評價值不滿足預定值時，修正上述第一與第二掩模圖形中至少一方。
15.一種設(shè)計圖形的校正系統(tǒng)，它是考慮到了半導體集成電路層間加工余量校正設(shè)計圖形的系統(tǒng)，此系統(tǒng)包括基于第一設(shè)計圖形計算對應(yīng)于第一層的加工圖形形狀的第一圖形形狀的裝置；基于第二設(shè)計圖形計算對應(yīng)于第二層的加工圖形形狀的第二圖形形狀的裝置；通過對上述第一與第二圖形形狀的布爾運算處理計算第三圖形形狀的裝置；判定根據(jù)上述第三圖形形狀得到的評價值是否滿足預定值的裝置；在判定上述評價值不滿足預定值時校正上述第一與第二設(shè)計圖形中至少一方的裝置。
16.一種存儲有用于考慮到半導體集成電路層間加工余量校正設(shè)計圖形方法中的程序指令的計算機可讀記錄媒體，上述程序指令使計算機執(zhí)行下列步驟基于第一設(shè)計圖形計算對應(yīng)于第一層的加工圖形形狀的第一圖形形狀；基于第二設(shè)計圖形計算對應(yīng)于第二層的加工圖形形狀的第二圖形形狀；通過對上述第一與第二圖形形狀的布爾運算處理計算第三圖形形狀；判定根據(jù)上述第三圖形形狀得到的評價值是否滿足預定值；在判定上述評價值不滿足預定值時校正上述第一與第二設(shè)計圖形中至少一方。
全文摘要
一種設(shè)計圖形的校正方法，它是考慮了在半導體集成電路各層之間加工余量的校正設(shè)計圖形的方法，此方法包括下述步驟基于第一層設(shè)計圖形計算對應(yīng)于第一層加工圖形形狀的第一圖形形狀；基于第二層設(shè)計圖形計算對應(yīng)于第二層加工圖形形狀的第二圖形形狀；通過對上述第一圖形形狀與第二圖形形狀進行布爾運算處理，計算第三圖形形狀；判定根據(jù)上述第三圖形形狀求得的評價值是否滿足預定值；在判定上述評價值不滿足預定值時，校正上述第一與第二設(shè)計圖形兩者中至少一方。
文檔編號G03F1/68GK1630032SQ20041010135
公開日2005年6月22日 申請日期2004年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月17日
發(fā)明者小谷敏也, 姜帥現(xiàn), 市川裕隆 申請人:株式會社東芝