專利名稱：平面內(nèi)切換型液晶顯示器及其采用的存儲電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有源矩陣型液晶顯示器及其采用的存儲電容，尤其涉及一種平面內(nèi)切換型液晶顯示器及其采用的存儲電容。
背景技術(shù)：
液晶顯示器中的液晶本身不具發(fā)光特性，其通過采用電場控制液晶分子扭轉(zhuǎn)而實現(xiàn)光的通過或不通過，從而達到顯示目的。在傳統(tǒng)扭曲向列型(Twist Nematic，TN)液晶顯示器中，在兩玻璃基底的表面形成電極，以形成垂直于玻璃基底的電場來控制液晶分子的扭轉(zhuǎn)。
眾所周知，傳統(tǒng)扭曲向列型液晶顯示器存在視角缺陷。為改善視角缺陷，業(yè)界發(fā)展出一種平面內(nèi)切換型(In Plane Switching，IPS)液晶顯示器，其采用平行于玻璃基底的電場來控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)。
一種現(xiàn)有技術(shù)平面內(nèi)切換型液晶顯示器請參閱1997年2月4日公告的美國專利第5,600,464號，該平面內(nèi)切換型液晶顯示器將共用電極(Common Electrode)和像素電極(Picture Element Electrode)設(shè)置在同一基底上，加電壓時，該共用電極與像素電極間形成平行于基底的電場，從而控制液晶分子于平行于基底的平面內(nèi)發(fā)生偏轉(zhuǎn)。另外，為能存儲信號電壓，像素電極與掃描信號電極(Scanning SignalElectrode)之間形成一存儲電容，而且為達到一定電容值，像素電極與掃描信號電極必須具備一定面積，從而將影響該平面內(nèi)切換型液晶顯示器的開口率。
為獲得較高開口率，2003年9月30日公告的美國專利第6,628,362號揭示另一種現(xiàn)有技術(shù)平面內(nèi)切換型液晶顯示器。請參閱圖1和圖2，圖1是該平面內(nèi)切換型液晶顯示器一像素單元100的示意圖，圖2是沿圖1所示剖面線II-II的截面圖。該平面內(nèi)切換型液晶顯示器包括多個像素單元100，該像素單元100內(nèi)，兩柵極線101、101′與兩信號線102、102′相互垂直設(shè)置在一透明基底110上，并形成一矩陣區(qū)域，該像素單元100由該矩陣區(qū)域限定。
圖1中有一圓形標(biāo)記區(qū)125，其標(biāo)示出形成一存儲電容的一組電極。如圖2所示，共用電極109與信號電極108形成第一電容，信號電極108與柵極線101形成第二電容，該第一電容與第二電容并聯(lián)形成該存儲電容，則該存儲電容的電容值為該第一電容與第二電容電容值之和，所以維持該存儲電容的電容值一定時，可通過減小該共用電極109、信號電極108與柵極線101的面積來提高該平面內(nèi)切換型液晶顯示器的開口率。
但是，由于該平面內(nèi)切換型液晶顯示器存在不預(yù)期的電容耦合效應(yīng)，其顯示品質(zhì)將受到影響。例如，當(dāng)該平面內(nèi)切換型液晶顯示器處于工作狀態(tài)時，該信號電極108與相鄰像素單元的信號電極間存在一電壓差，而且該信號電極108無屏敝保護，因此，此電壓差加上電容耦合效應(yīng)會使得該存儲電容維持的電壓不穩(wěn)，從而，導(dǎo)致該像素單元100的顯示品質(zhì)受到影響。所以，該平面內(nèi)切換型液晶顯示器采用該存儲電容，雖然具有較高的開口率，但顯示品質(zhì)不夠良好。

發(fā)明內(nèi)容為克服現(xiàn)有技術(shù)存儲電容不能確保平面內(nèi)切換型液晶顯示器具備開口率高和顯示品質(zhì)良好的缺陷，本發(fā)明提供一種可克服該缺陷的存儲電容。
本發(fā)明還提供一種采用該存儲電容的平面內(nèi)切換型液晶顯示器。
本發(fā)明解決技術(shù)問題的技術(shù)方案是提供一種平面內(nèi)切換型液晶顯示器采用的存儲電容，其包括一第一電極、一覆蓋在該第一電極上的第一絕緣層、一設(shè)置在該第一絕緣層上而且位于該第一電極正上方的漏極線、一覆蓋在該第一絕緣層與漏極線上的第二絕緣層、一設(shè)置在該第二絕緣層上而且位于該漏極線正上方的共用電極，其中，該共用電極充分覆蓋該漏極線。
本發(fā)明還提供一種采用上述存儲電容的平面內(nèi)切換型液晶顯示器，其包括一基底和多個像素單元，該多個像素單元由設(shè)置在該基底上的多個信號線與柵極線相交設(shè)置而成，每一像素單元包括一薄膜晶體管、一像素電極和一存儲電容，該薄膜晶體管包括一與該柵極線電連接的柵極、一與該信號線相連的源極、一漏極和一設(shè)置在該柵極、源極和漏極之間的通道，該存儲電容包括一第一電極、一覆蓋在該第一電極上的第一絕緣層、一設(shè)置在該第一絕緣層上而且位于該第一電極正上方的漏極線、一覆蓋在該第一絕緣層與漏極線上的第二絕緣層、一設(shè)置在該第二絕緣層上而且位于該漏極線正上方的共用電極，其中，該漏極線與像素電極電連接，該共用電極充分覆蓋該漏極線。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明平面內(nèi)切換型液晶顯示器采用的存儲電容中，該第一電極與漏極線形成一電容，該漏極線與共用電極形成另一電容，該兩電容相并聯(lián)而成該存儲電容，該存儲電容的電容值為該兩電容的電容值之和，從而，采用該存儲電容的平面內(nèi)切換型液晶顯示器可獲得較高開口率。另外，該共用電極充分覆蓋該漏極線，可充分屏敝不預(yù)期的電容耦合效應(yīng)對該漏極線產(chǎn)生的不良影響，進而確保良好的顯示品質(zhì)。
綜上所述，本發(fā)明的存儲電容可確保平面內(nèi)切換型液晶顯示器開口率高而且顯示品質(zhì)良好；本發(fā)明的平面內(nèi)切換型液晶顯示器開口率高而且顯示品質(zhì)良好。

圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)平面內(nèi)切換型液晶顯示器一像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是沿圖1所示剖面線II-II的截面圖。
圖3是本發(fā)明平面內(nèi)切換型液晶顯示器一像素單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖4是圖3所示剖面線IV-IV的截面圖。
圖5是圖3所示剖面線V-V的截面圖。
具體實施方式請參閱圖3，圖4和圖5，圖3是本發(fā)明平面內(nèi)切換型液晶顯示器一像素單元的示意圖，圖4與圖5是分別沿圖3所示剖面線IV-IV、V-V的截面圖。該平面內(nèi)切換型液晶顯示器包括多個像素單元200，該像素單元200由兩信號線201、兩柵極線202、第一絕緣層222、第二絕緣層223和薄膜晶體管205構(gòu)成。該兩信號線201與兩柵極線202相交設(shè)置在一基底230上，并限定出該像素單元200的范圍。該第一絕緣層222設(shè)置在該柵極線202和信號線201之間，以使該柵極線202與信號線201相互絕緣。該薄膜晶體管205設(shè)置在該柵極線202與信號線201的相交處，而且其包括一與柵極線202電連接的柵極202′，一與信號線201電連接的源極201′，一漏極203’和一設(shè)置在該柵極202′、源極201′和漏極203′之間的通道204，而且該通道204為非晶硅膜。
該像素單元200還包括一第一電極212、一與該漏極203′電連接的漏極線203、一共用電極210和一像素電極211。該第一電極212形成于該基底230上，該第一絕緣層222設(shè)置在該第一電極211與基底230之間，該漏極線203設(shè)置在該第一絕緣層222上，而且該漏極線203一部分位于該第一電極212相應(yīng)部分的正上方。該第二絕緣層223設(shè)置在該漏極線203上，該共用電極210設(shè)置在該第二絕緣層223上，而且該共用電極210一部分設(shè)置在該漏極線203相應(yīng)部分的正上方。該共用電極210通過連接孔221與該第一電極212電連接，該像素電極211通過連接孔220與該漏極線203電連接，而且該像素電極211與共用電極210充分平行，用以產(chǎn)生平行于基底230的電場。
該第一電極212、漏極線203和共用電極210相互配合形成一存儲電容。該第一電極212與漏極線203形成第一電容，該漏極線203與共用電極210形成第二電容，該第一電容與第二電容相并聯(lián)形成該存儲電容。類似于圖1與圖2所示的平面內(nèi)切換型液晶顯示器，本發(fā)明平面內(nèi)切換型液晶顯示器也可達到高開口率。
請再次參閱圖3，該共用電極210呈一叉狀，其包括三形狀如同“＜”的結(jié)構(gòu)；該像素電極211也相應(yīng)呈一叉狀，其包括兩形狀如“＜”的結(jié)構(gòu)。如此設(shè)計，可產(chǎn)生兩個方向的平行于基底230的電場，從而可很好地控制液晶分子的扭轉(zhuǎn)。
請再次參閱圖4，該共用電極210的面積大于該漏極線203，使得該共用電極210可充分覆蓋該漏極線203，進而可屏敝其它電極的電壓對該漏極線203的干擾，即可屏敝不預(yù)期的耦合效應(yīng)，例如，可屏敝加載在該信號線201而且用以驅(qū)動其它像素單元的信號電壓對該漏極線203的不良影響，從而使得該漏極線203的電壓維持穩(wěn)定。由于該像素電極211與該漏極線203電連接，因此，該像素電極211的電壓也可維持穩(wěn)定，從而，本發(fā)明的平面內(nèi)切換型液晶顯示器可達到良好的顯示品質(zhì)。
如上所述，本發(fā)明平面內(nèi)切換型液晶顯示器既可達到高開口率，也可實現(xiàn)良好的顯示品質(zhì)。
但是，本發(fā)明平面內(nèi)切換型液晶顯示器及其采用的存儲電容并不限于上述實施方式所述，例如該通道204可為多晶硅膜；該第一電極212可與柵極線202電連接，而且不與該共用電極210電連接；該共用電極210與像素電極211可為其它可產(chǎn)生一或多個平行于基底230的電場的適合形狀等。
權(quán)利要求1.一種的存儲電容，其包括一第一電極、一覆蓋在該第一電極上的第一絕緣層、一設(shè)置在該第一絕緣層上而且位于該第一電極正上方的漏極線、一覆蓋在該第一絕緣層與漏極線上的第二絕緣層、一設(shè)置在該第二絕緣層上而且位于該漏極線正上方的共用電極，其特征在于該共用電極充分覆蓋該漏極線。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲電容，其特征在于該共用電極與第一電極電連接。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲電容，其特征在于該共用電極的面積大于該漏極線的面積。
4.一種平面內(nèi)切換型液晶顯示器，其包括一基底和多個像素單元，該多個像素單元由設(shè)置在該基底上的多條信號線與柵極線相交設(shè)置而成，每一像素單元包括一薄膜晶體管、一像素電極和一存儲電容，該薄膜晶體管包括一與該柵極線電連接的柵極、一與該信號線相連的源極、一漏極和一設(shè)置在該柵極、源極和漏極之間的通道，該存儲電容包括一第一電極、一覆蓋在該第一電極上的第一絕緣層、一設(shè)置在該第一絕緣層上而且位于該第一電極正上方的漏極線、一覆蓋在該第一絕緣層與漏極線上的第二絕緣層、一設(shè)置在該第二絕緣層上而且位于該漏極線正上方的共用電極，該漏極線與像素電極電連接，其特征在于該共用電極充分覆蓋該漏極線。
5.如權(quán)利要求4所述的平面內(nèi)切換型液晶顯示器，其特征在于該共用電極與第一電極電連接。
6.如權(quán)利要求4所述的平面內(nèi)切換型液晶顯示器，其特征在于該第一電極與柵極線電連接，而且該第一電極與共用電極電絕緣。
7.如權(quán)利要求4所述的平面內(nèi)切換型液晶顯示器，其特征在于該通道是非晶硅膜。
8.如權(quán)利要求4所述的平面內(nèi)切換型液晶顯示器，其特征在于該通道是多晶硅膜。
9.如權(quán)利要求4所述的平面內(nèi)切換型液晶顯示器，其特征在于該共用電極的面積大于漏極線的面積。
專利摘要一種存儲電容，其包括一第一電極、一覆蓋在該第一電極上的第一絕緣層、一設(shè)置在該第一絕緣層上而且位于該第一電極正上方的漏極線、一覆蓋在該第一絕緣層與漏極線上的第二絕緣層、一設(shè)置在該第二絕緣層上而且位于該漏極線正上方的共用電極，其中，該共用電極充分覆蓋該漏極線。本實用新型還提供一種采用該存儲電容的平面內(nèi)切換型液晶顯示器，其不僅開口率高而且顯示品質(zhì)良好。
文檔編號G02F1/133GK2696002SQ20042004349
公開日2005年4月27日 申請日期2004年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月6日
發(fā)明者賴昭志, 劉妘詩, 謝朝樺, 彭家鵬 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司