專利名稱:包含氟化茚滿化合物的液晶介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及基于具有負(fù)介電各向異性的極性化合物的混合物的液晶介質(zhì),該液晶介質(zhì)包含至少一種通式I的化合物 其中R11和R12各自彼此獨(dú)立地是H、含有最多至15個(gè)碳原子的烷基或烯基,該烷基或烯基是未取代的、由CN或CF3單取代或由鹵素至少單取代的,其中這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)還可以由-O-、-S-、 -C≡C-、-OC-O-或-O-CO-以O(shè)原子不彼此直接連接的方式替代,A1和A2各自彼此獨(dú)立地是a)1,4-亞環(huán)己烯基或1,4-亞環(huán)己基,其中一個(gè)或兩個(gè)非相鄰的CH2基團(tuán)可以由-O-或-S-替代,b)1,4-亞苯基,其中一個(gè)或兩個(gè)CH基團(tuán)可以由N替代,c)選自哌啶-1,4-二基、1,4-亞雙環(huán)[2.2.2]辛基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、菲-2,7-二基、芴-2,7-二基的基團(tuán),其中基團(tuán)a),b)和c)可以由鹵素原子單取代或多取代,Z1和Z2各自彼此獨(dú)立地是-CO-O-、-O-CO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-C2F4-、-CH2CF2-、-CF2CH2-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵,和m和n各自彼此獨(dú)立地是0、1或2,其中m+n≥1。
此類型的介質(zhì)特別地可用于基于ECB效應(yīng)采用有源矩陣尋址的電光學(xué)顯示器和用于IPS(平面內(nèi)切換)顯示器。
電控雙折射的原理,ECB(電控雙折射)效應(yīng)或還有DAP(對(duì)準(zhǔn)相變形)效應(yīng)首次描述于1971(M.F.Schieckel和K.Fahrenschon,“在電場中具有垂直定向的向列型液晶的變形”,Appl.Phys.Lett.19(1971),3912)。以后有J.F.Kahn(Appl.Phys.Lett.20(1972),1193)和G.Labrunie和J.Robert(J.Appl.Phys.44(1973),4869)的論文。
J.Robert和F.Clerc(SID 80 Digest Techn.Papers(1980),30),J.Duchene(Displays 7(1986),3)和H.Schad(SID 82 DigestTechn.Papers(1982),244)的論文已表明,液晶相必須具有在彈性常數(shù)之間的比例K3/K1的高數(shù)值,光學(xué)各向異性Δn的高數(shù)值,和-0.5到-5的介電各向異性Δε的數(shù)值,以可用于基于ECB效應(yīng)的高信息性顯示器元件?;贓CB效應(yīng)的電光學(xué)顯示器元件具有垂面(homotrope)邊緣定向。介電負(fù)性液晶介質(zhì)也可用于使用所謂IPS效應(yīng)的顯示器方面。
為在電光學(xué)顯示器元件中這種效應(yīng)的工業(yè)應(yīng)用,需要必須滿足許多要求的LC相。在此特別重要的是對(duì)于濕度,空氣和物理影響,如熱,紅外、可見和紫外區(qū)域中的輻射的耐化學(xué)性,和恒定電場和交變電場。
此外,要求可以工業(yè)使用的LC相具有在合適的溫度范圍中的液晶中間相和低粘度。
迄今為止已知的具有液晶中間相的化合物系列中沒有一種系列存在滿足所有這些要求的單個(gè)化合物。因此通常制備由2-25,優(yōu)選3-18種化合物組成的混合物以獲得可以用作LC相的物質(zhì)。然而,由于迄今為止沒有可供利用的具有顯著負(fù)性介電各向異性和足夠的長期穩(wěn)定性的液晶材料,所以按此方式不能容易地制備最優(yōu)的相。
矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)是已知的。可用于單個(gè)像素的單獨(dú)切換的非線性元件是例如,有源元件(即晶體管)。于是提及“有源矩陣”,其中可區(qū)分為兩種類型1.在作為襯底的硅晶片上的MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)晶體管。
2.在作為襯底的玻璃板上的薄膜晶體管(TFT)。
在類型1中,使用的電光學(xué)效應(yīng)通常是動(dòng)態(tài)散射或客體-主體效應(yīng)。由于甚至各種分顯示器的模塊式組合體也在接合處導(dǎo)致問題,所以單晶硅作為襯底材料的使用限制了顯示器尺寸。
在更有希望的類型2的情況下,該類型是優(yōu)選的,使用的電光學(xué)效應(yīng)通常是TN效應(yīng)。
區(qū)分為兩種技術(shù)由化合物半導(dǎo)體,例如CdSe構(gòu)成的TFT,或基于多晶或無定形硅的TFT。全世界范圍內(nèi)對(duì)后一種技術(shù)進(jìn)行了深入的研究。
將TFT矩陣施用于顯示器的一個(gè)玻璃板的內(nèi)側(cè),而另一個(gè)玻璃板在內(nèi)側(cè)帶有透明對(duì)電極。與像素電極的尺寸相比,TFT非常小和幾乎不干擾圖像。此技術(shù)也可以擴(kuò)展到完全顏色適宜的圖像顯示,其中以一定的方式布置紅色,綠色和藍(lán)色濾色片的拼接件使得每個(gè)濾色片元件與一個(gè)可切換的像素相對(duì)。
迄今為止已知的TFT顯示器通常作為在透射中含有正交偏振器的TN電池操作和是背面照明的。
術(shù)語“MLC”顯示器在此包括含有集成非線性元件的任何矩陣顯示器,即除有源矩陣外,同樣還有含無源元件,如變阻體或二極管的顯示器(MIM=金屬-絕緣體-金屬)。
此類型的MLC顯示器特別適于TV應(yīng)用(例如袖珍電視)或適于汽車或飛機(jī)構(gòu)造中的高信息顯示器。除關(guān)于對(duì)比度和響應(yīng)時(shí)間的角度依賴性方面的問題以外,在MLC顯示器方面還導(dǎo)致由于液晶混合物的不足夠高的比電阻引起的困難[TOGASHI,S.,SEKIGUCHI,K.,TANABE,H.,YAMAMOTO,E.,SORIMACHI,K.,TAJIMA,E.,WATANABE,H.,SHIMIZU,H.,Proc.Eurodisplay 84,1984年9月A210-288,由雙階段二極管環(huán)控制的矩陣LCD,第141頁及后幾頁,巴黎;STROMER,M.,Proc.Eurodisplay 84,1984年9月電視液晶顯示器的矩陣尋址用的薄膜晶體管的設(shè)計(jì),第145頁及后幾頁,巴黎]。隨降低的電阻,MLC顯示器的對(duì)比度劣化。由于與顯示器內(nèi)表面的相互作用,液晶混合物的比電阻通常在MLC顯示器的壽命內(nèi)下降,所以對(duì)于在長操作期間內(nèi)必須具有可接受電阻值的顯示器,高(初始)電阻是非常重要的。
迄今為止已知的MLC-TN顯示器的缺點(diǎn)是,它們的比較低的對(duì)比度,相對(duì)高的視角依賴性和在這些顯示器中產(chǎn)生灰度梯度的難度。
因此持續(xù)存在對(duì)MLC顯示器的極大需求,該顯示器具有非常高的比電阻,同時(shí)具有寬工作溫度范圍,短響應(yīng)時(shí)間和低閾值電壓,借助于其可以產(chǎn)生各種灰度梯度。
本發(fā)明的目的是提供基于ECB或IPS效應(yīng)的MLC顯示器,其不具有以上所示的缺點(diǎn),或僅在更低程度上具有這些缺點(diǎn),和同時(shí)具有非常高的比電阻。
現(xiàn)在已發(fā)現(xiàn),如果包含至少一種通式I的化合物的向列型液晶混合物用于這些顯示器元件中,則可以達(dá)到此目的。
本發(fā)明因此提供基于具有負(fù)介電各向異性的極性化合物的混合物的液晶介質(zhì),該液晶介質(zhì)包含至少一種通式I的化合物。
通式I的化合物例如,從EP0637585A1是已知的。在現(xiàn)有技術(shù)中描述的液晶混合物專門地考慮用于鐵電應(yīng)用。氟化茚滿用于ECB或IPS顯示器的用途不是已知的。
根據(jù)本發(fā)明的混合物顯示非常有利的電容閾值數(shù)值,相對(duì)高的保持比數(shù)值和同時(shí)非常良好的低溫穩(wěn)定性以及非常低的旋轉(zhuǎn)粘度。
以下提及一些優(yōu)選的實(shí)施方案a)另外包含一種或多種通式IIA和/或IIB的化合物的液晶介質(zhì)
其中R2如對(duì)于R11所定義,p是1或2,和v是1-6。
b)另外包含一種或多種通式III的化合物的液晶介質(zhì) 其中R31和R32各自彼此獨(dú)立地是含有最多至12個(gè)C原子的直鏈烷基、烷基烷氧基或烷氧基,和 c)包含一種,兩種,三種,四種或更多種,優(yōu)選一種或兩種通式I的化合物的液晶介質(zhì)。
d)液晶介質(zhì),其中通式I中的R11優(yōu)選具有如下含義直鏈烷基、乙烯基、1E-烯基或3-烯基。
如果R11和/或R12是烯基,則它優(yōu)選是CH2=CH、CH3-CH=CH、C3H7-CH=CH、CH2=CH-C2H5或CH3-CH=CH-C2H5。
R12優(yōu)選是H或含有1-6個(gè)C原子的直鏈烷基,特別是甲基、乙基或丙基。
e)液晶介質(zhì),其中在總混合物中通式I的化合物的比例是至少5wt%,優(yōu)選至少10wt%。
f)液晶介質(zhì),其中在總混合物中通式IIA和/或IIB的化合物的比例是至少20wt%。
g)液晶介質(zhì),其中在總混合物中通式III的化合物的比例是至少5wt%。
h)包含至少一種選自分通式I1-I36的化合物的液晶介質(zhì)
特別優(yōu)選的介質(zhì)包含一種或多種選自如下通式的化合物的化合物
i)另外包含選自通式IIIa-IIIf的化合物的液晶介質(zhì) 其中烷基和烷基*各自彼此獨(dú)立地是含有1-6個(gè)C原子的直鏈烷基,和烯基和烯基*各自彼此獨(dú)立地是含有2-6個(gè)C原子的直鏈烯基。
根據(jù)本發(fā)明的介質(zhì)優(yōu)選包含至少一種通式IIIa,通式IIIb和/或通式IIIe的化合物。
以下提及通式IIIe和IIIf的特別優(yōu)選化合物
j)基本上由如下物質(zhì)組成的液晶介質(zhì)5-30wt%一種或多種通式I的化合物和20-70wt%一種或多種通式IIA和/或IIB的化合物。
k)另外包含一種或多種如下通式的四核化合物的液晶介質(zhì)
其中R7和R8各自彼此獨(dú)立地具有權(quán)利要求1中對(duì)于R1指示的含義,和w和x各自彼此獨(dú)立地是1-6。
1)另外包含一種或多種如下通式的化合物的液晶介質(zhì)
其中R13-R28各自彼此獨(dú)立地具有對(duì)于R11所給的含義,及z和m各自彼此獨(dú)立地是1-6。RE是H、CH3、C2H5或正C3H7。
m)另外包含一種或多種如下通式的化合物的液晶介質(zhì) 其中R是含有1或2至6個(gè)C原子的烷基、烯基、烷氧基、烷基烷氧基或烯氧基,和烯基如以上所定義。
本發(fā)明另外提供一種基于ECB效應(yīng)采用有源矩陣尋址的電光學(xué)顯示器,其特征在于它包含根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)的液晶介質(zhì)作為電介質(zhì)。
液晶混合物優(yōu)選具有至少60K的向列相范圍和在20℃下的流動(dòng)粘度ν20為最大30mm2·s-1。
根據(jù)本發(fā)明的液晶混合物的Δε為約-0.5到-8.0,特別地約-3.0到-6.0,其中Δε表示介電各向異性。旋轉(zhuǎn)粘度γ1優(yōu)選是<150mPa·s,特別地<140mPa·s。
液晶混合物中的雙折射Δn通常為0.07-0.16,優(yōu)選0.08-0.11。
根據(jù)本發(fā)明的混合物適于所有VA-TFT應(yīng)用,例如MVA,PVA,ASV。它們另外適于具有負(fù)Δε的IPS和PALC應(yīng)用。
通式I的化合物例如可以如下制備流程
圖1 根據(jù)本發(fā)明的顯示器中的向列型液晶混合物通常包含兩種組分A和B,它們自身由一種或多種單個(gè)化合物組成。
組分A具有顯著負(fù)性的介電各向異性和對(duì)向列相提供≤-0.3的介電各向異性。它優(yōu)選包含通式I,IIA和/或IIB的化合物。
組分A的比例優(yōu)選為45-100%,特別地60-100%。
對(duì)于組分A,優(yōu)選選擇Δε數(shù)值為≤-0.8的一種(或多種)單個(gè)化合物。在總混合物中比例A越小,此數(shù)值必須是越為負(fù)性的。
組分B具有明顯的向列性(Nematogenitt)和在20℃下的流動(dòng)粘度不大于30mm2·s-1,優(yōu)選不大于25mm2·s-1。
組分B的特別優(yōu)選的單個(gè)化合物是在20℃下的流動(dòng)粘度不大于18mm2·s-1,優(yōu)選不大于12mm2·s-1的極低粘性的向列型液晶。
組分B是單向轉(zhuǎn)變或互變型向列型的,不具有近晶相和能夠防止液晶混合物中近晶相的發(fā)生直至非常低的溫度。例如,如果每種情況下將具有高向列性的各種材料摻入近晶型液晶混合物中,則可以通過達(dá)到的近晶相的抑制程度比較這些材料的向列性。
許多合適的材料對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言從文獻(xiàn)中是已知的。特別優(yōu)選是通式III的化合物。
此外,這些液晶相也可包含多于18種組分,優(yōu)選18-25種組分。
這些相優(yōu)選包含4-15種,特別地5-12種通式I,IIA和/或IIB和非必要的III的化合物。
除通式I,IIA和/或IIB和III的化合物以外,其它組分也可以加入,例如采用最多至45%,但優(yōu)選最多至35%,特別地最多至10%的數(shù)量存在,基于總混合物計(jì)。
其它組分優(yōu)選選自選自如下類別的向列型或向列態(tài)(nematogen)物質(zhì),特別是已知物質(zhì)氧化偶氮苯、芐叉基苯胺、聯(lián)苯、三聯(lián)苯、苯甲酸苯酯或環(huán)己酯、環(huán)己烷羧酸苯酯或環(huán)己酯、苯基環(huán)己烷、環(huán)己基聯(lián)苯、環(huán)己基環(huán)己烷、環(huán)己基萘、1,4-雙環(huán)己基聯(lián)苯或環(huán)己基嘧啶、苯基或環(huán)己基二烷、非必要鹵代的茋、芐基苯基醚、二苯乙炔和取代肉桂酸。
適于作為此類型液晶相的組分的最重要化合物可以由通式IV表征R9-L-G-E-R10IV其中L和E每個(gè)是選自如下的碳環(huán)或雜環(huán)環(huán)體系1,4-二取代苯環(huán)和環(huán)己烷環(huán)、4,4’-二取代聯(lián)苯、苯基環(huán)己烷和環(huán)己基環(huán)己烷體系、2,5-二取代嘧啶環(huán)和1,3-二烷環(huán)、2,6-二取代萘、二和四氫萘、喹唑啉和四氫喹唑啉。
G是 -CH=CH--N(O)=N--CH-CQ- -CH=N(O)--C≡C- -CH2-CH2--CO-O- -CH2-O--CO-S- -CH2-S--CH=N- -COO-Phe-COO--CF2O--CF=CF--OCF2--OCH2--(CH2)4- -(CH2)3O-或C-C單鍵,Q是鹵素,優(yōu)選氯,或-CN,和R9和R10各自是含有最多至18個(gè),優(yōu)選最多至8個(gè)碳原子的烷基、烯基、烷氧基、烷酰氧基或烷氧基羰氧基,或這些基團(tuán)之一還表示CN、NC、NO2、NCS、CF3、OCF3、F、Cl或Br。
在大多數(shù)這些化合物中,R9和R10彼此不同,在此這些基團(tuán)之一通常是烷基或烷氧基。預(yù)定的取代基的其它變體也是常見的。許多這樣的物質(zhì)或還有其混合物都是可市購的。所有這些物質(zhì)可以由從文獻(xiàn)已知的方法制備。
對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員不言而喻的是根據(jù)本發(fā)明的VA,IPS或PALC混合物也可包含化合物,其中例如H,N,O,Cl,F(xiàn)由對(duì)應(yīng)的同位素替代。
根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的構(gòu)造對(duì)應(yīng)于例如,在EP-OS 0240379中描述的通常幾何形狀。
如下實(shí)施例希望解釋本發(fā)明而不限制本發(fā)明。以上和以下指出的百分比數(shù)據(jù)是重量百分比;所有的溫度以攝氏度計(jì)說明。
除通式I的化合物以外,根據(jù)本發(fā)明的混合物優(yōu)選還包含以下顯示的化合物中的一種或多種化合物。
使用如下縮寫(n,m=1-6;z=1-6)
CY-n-Om CCY-n-Om CCY-n-m D-nOmFF CBC-nmF CBC-nm CCP-V-m CCP-Vn-m
CPYC-n-m CYYC-n-m CCYY-n-(O)m CCH-nOm CY-n-m CCH-nm CC-n-V CC-n-V1 CP-nOmFF
CH-nm CEY-V-n CVY-V-n CY-V-On CY-n-O1V CY-n-OC(CH3)=CH2 BCN-nm CCN-nm CY-n-OV
PCH-nm PCH-nOm PGIGI-n-F BCH-nm CCPC-nm CCY-n-zOm CPY-n-(O)m CPY-V-Om CQY-n-(O)m
CQIY-n-(O)m CCQY-n-(O)m CCQIY-n-(O)m PYP-n-(O)m CPQY-n-(O)m CPQIY-n-(O)m CCY-V-(O)m
可以根據(jù)本發(fā)明使用的液晶混合物采用自身常規(guī)的方式制備。通常,有利地在升高溫度下,將所需數(shù)量的以較小數(shù)量使用的組分溶于構(gòu)成主要成分的組分中。也可以混合各組分在有機(jī)溶劑中,例如在丙酮、氯仿或甲醇中的溶液,和在充分混合之后例如由蒸餾再次除去溶劑。
電介質(zhì)也可包含本領(lǐng)域技術(shù)人員已知和文獻(xiàn)中描述的其它添加劑,例如UV吸收劑,抗氧化劑和自由基清除劑。例如,可以加入0-15%多色染料,穩(wěn)定劑或手性摻雜劑。
例如,可以加入0-15%多色染料,此外導(dǎo)電鹽,優(yōu)選4-己氧基苯甲酸乙基二甲基十二烷基銨、四苯基硼酸四丁基銨或冠醚的配合物鹽(參照例如,Haller等人,Mol.Cryst.Liq.Cryst.第24卷,第249-258頁(1973))以改進(jìn)電導(dǎo)率,或可以加入物質(zhì)以改進(jìn)向列相的介電各向異性、粘度和/或定向。此類型的物質(zhì)例如,描述于DE-OS2209127,2240864,2321632,2338281,2450088,2637430和2853728。
表A顯示可以加入根據(jù)本發(fā)明的混合物中的可能的摻雜劑。如果混合物包含摻雜劑,則它的使用數(shù)量為0.01-4wt%,優(yōu)選0.1-1.0wt%。
表A
下面在表B中提及可以例如加入根據(jù)本發(fā)明的混合物中的穩(wěn)定劑。
表B
如下實(shí)施例希望解釋本發(fā)明而不限制本發(fā)明。上下文中,Vo表示在20℃下的閾值電壓,電容的[V]Δn表示在20℃和589nm下測量的光學(xué)各向異性Δε表示在20℃和1kHz下的介電各向異性cp.表示澄清點(diǎn)[℃]γ1表示在20℃下測量的旋轉(zhuǎn)粘度[mPa·s]LTS表示在試驗(yàn)電池中測定的低溫穩(wěn)定性。
用于閾值電壓測量的顯示器具有兩個(gè)間隔為20μm的平面平行的基板和在基板內(nèi)側(cè)上的電極層,該電極層具有位于其上方的由SE-1211(Nissan Chemicals)構(gòu)成的定向?qū)?,所述定向?qū)右鹨壕У拇姑娑ㄏ颉?br>
混合物實(shí)施例對(duì)比例1CY-3-O2 19,0% 澄清點(diǎn)[℃] 74,5CY-5-O2 12,0% Δn[589nm,20℃]+0,0815CCY-3-O3 7,0%εII[1kHz,20℃] 3,6CCY-4-O2 7,0%Δε[1kHz,20℃]-3,6CPY-2-O2 7,0%γ1[mPa·s,20℃] 102CC-5- V 20,0% V0[V]2,12CC-3-V1 12,0% -30℃下的LTS向列型>1000hCCP-V-1 5,0%CCH-355,0% 6,0%實(shí)施例M1CY-3-02 10,00% 澄清點(diǎn)[℃]74,0CY-5-02 11,00% Δε[589nm,20℃] -3,6CCY-3-028,00%γ1[mPa·s,20℃]98CCY-4-027,00%V0[V] 2,11CPY-2-027,00%CC-5-V 19,00%CC-3-V1 12,00%CCP-V-1 6,00%CCH-35 6,00% 7,00% 7,00%
實(shí)施例M2CY-3-02 11,00% 澄清點(diǎn)[℃] +84,5CY-5-02 12,00% Δn[589nm,20℃] +0,0817CCY-3-028,00% εII[1kHz,20℃] 3,5CCY-3-0312,00% Δε[1kHz,20℃] -3,9CCY-4-0212,00% γ1[mPa·s,20℃] 129CPY-2-023,00% V0[V] 2,17CC-5-V 20,00%CC-3-V1 12,00%CCH-35 4,00% 6,00%實(shí)施例M3CY-3-04 12,00% 澄清點(diǎn)[℃] 75,0CY-5-02 12,00% Δn[589nm,20℃] 0,0948CY-5-04 12,00% Δε[1kHz,20℃] -4,8CCY-3-0212,00% γ1[mPa·s,20℃] 178CCY-4-028,00% V0[V] 1,84CPY-2-025,00%CPY-3-026,00%CC-5-V 10,00%CC-3-V1 6,00%BCH-32 8,00% 9,00%
實(shí)施例M4CY-3-04 16,00% 澄清點(diǎn)[℃]74,0CY-5-02 6,00% Δn[589nm,20℃] 0,0960CY-5-04 10,00% Δε[1kHz,20℃] -4,8 8,00% γ1[mPa·s,20℃] 171V0[V]1,85 8,00%CCY-3-029,00%CPY-3-027,00%CCY-2-1 8,00%CCY-3-1 7,00%CC-3-V1 13,00%BCH-32 8,00%實(shí)施例M5CY-5-O2 6,00% 澄清點(diǎn)[℃]84,5CCY-3-O312,00% Δn[589nm,20℃] 0,0852CCY4-O2 11,00% εII[1kHz,20℃] 3,4CPY-2-O210,00% Δε[1kHz,20℃] -3,1CPY-3-O25,00% γ1[mPa·s,20℃]110CC-4-V 20,00% V0[V]2,28CC-3-V1 9,00%CCH-34 3,00%PCH-301 4,00%CCH-301 8,00% 12,00%
實(shí)施例M6CY-3-O2 14,00% 澄清點(diǎn)[℃] 85,0CY-5-O2 6,00%Δn[589nm,20℃] 0,0850CCY-3-O27,00%εII[1kHz,20℃] 3,6CCY-3-O312,00% Δε[1kHz,20℃] -4,2CCY-4-O212,00% γ1[mPa·s,20℃] 142CPY-2-O25,00%V0[V] 2,08CC-5-V 20,00%CC-3-V1 8,00%CCH-35 6,00% 10,00%實(shí)施例M7CY-3-O25,00%澄清點(diǎn)[℃] 83,0CCY-3-O2 3,00%Δn[589nm,20℃] 0,0837CCY-3-O3 12,00% εII[1kHz,20℃] 3,5CCY-4-O2 10,00% Δε[1kHz,20℃] -3,8CPY-2-O2 11,00% γ1[mPa·s,20℃] 140CC-5-V 20,00% V0[V] 2,03CC-3-V112,00%CCH-35 5,00% 5,00% 12,00% 5,00%
權(quán)利要求
1.基于具有負(fù)介電各向異性的極性化合物的混合物的液晶介質(zhì),其特征在于它包含至少一種通式I的化合物 其中R11和R12各自彼此獨(dú)立地是H、含有最多至15個(gè)碳原子的烷基或烯基,該烷基或烯基是未取代的、由CN或CF3單取代或由鹵素至少單取代的,其中這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)還可以由-O-、-S-、 -C≡C-、-OC-O-或-O-CO-以O(shè)原子不彼此直接連接的方式替代,A1和A2各自彼此獨(dú)立地是a)1,4-亞環(huán)己烯基或1,4-亞環(huán)己基,其中一個(gè)或兩個(gè)非相鄰的CH2基團(tuán)可以由-O-或-S-替代,b)1,4-亞苯基,其中一個(gè)或兩個(gè)CH基團(tuán)可以由N替代,c)選自哌啶-1,4-二基、1,4-亞雙環(huán)[2.2.2]辛基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、菲-2,7-二基、芴-2,7-二基的基團(tuán),其中基團(tuán)a),b)和c)可以由鹵素原子單取代或多取代,Z1和Z2各自彼此獨(dú)立地是-CO-O-、-O-CO-、-CF2O-、-OCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-(CH2)4-、-C2F4-、-CH2CF2-、-CF2CH2-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵,和m和n各自彼此獨(dú)立地是0、1或2,其中m+n≥1。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶介質(zhì),其特征在于它另外包含一種或多種通式IIA和/或IIB的化合物 其中R2是含有最多至15個(gè)碳原子的烷基或烯基,該烷基或烯基是未取代的、由CN或CF3單取代或由鹵素至少單取代的,其中這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)CH2基團(tuán)還可以各自彼此獨(dú)立地由-O-、-S-、 -C≡C-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以O(shè)原子不彼此直接連接的方式替代,p是1或2,和v是1-6。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的液晶介質(zhì),其特征在于它另外包含一種或多種通式III的化合物 其中R31和R32各自彼此獨(dú)立地是含有最多至12個(gè)碳原子的直鏈烷基、烯基、烷基烷氧基或烷氧基,和 是 或
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的液晶介質(zhì),其特征在于它包含一種、兩種、三種、四種或更多種通式I的化合物。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)的液晶介質(zhì),其特征在于在總混合物中通式I的化合物的比例為至少5wt%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的液晶介質(zhì),其特征在于在總混合物中通式IIA和/或IIB的化合物的比例為至少20wt%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的液晶介質(zhì),其特征在于在總混合物中通式III的化合物的比例為至少5wt%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的液晶介質(zhì),其特征在于它包含至少一種選自通式I1-I36的化合物 其中R11如權(quán)利要求1中所定義,和烷基是含有1-6個(gè)碳原子的直鏈烷基。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)的液晶介質(zhì),其特征在于它基本上由如下物質(zhì)組成5-30wt%一種或多種通式I的化合物和20-70wt%一種或多種通式IIA和/或IIB的化合物。
10.一種基于ECB、PALC或IPS效應(yīng)采用有源矩陣尋址的電光學(xué)顯示器,其特征在于它包含根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)的液晶介質(zhì)作為電介質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明涉及基于具有負(fù)介電各向異性的極性化合物的混合物的液晶介質(zhì),該液晶介質(zhì)包含至少一種通式I的化合物,其中R
文檔編號(hào)G02F1/13GK1867647SQ200480030235
公開日2006年11月22日 申請(qǐng)日期2004年9月22日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月17日
發(fā)明者M·克拉森-梅默, L·利曹, M·布雷默 申請(qǐng)人:默克專利股份有限公司