專利名稱：直下式背光模組的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于液晶顯示領(lǐng)域的背光模組，尤其涉及一種直下式背光模組。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是一種被動(dòng)式顯示裝置，其不具有發(fā)光特性，需要為其提供背光模組以實(shí)現(xiàn)顯示功能。背光模組可以按結(jié)構(gòu)分為側(cè)光式背光模組和直下式背光模組兩種。
直下式背光模組需要較高亮度，其出光均勻度要達(dá)到預(yù)定需求，從而提升采用該背光模組的液晶顯示器的色彩對比度、全屏區(qū)域亮度效果和整機(jī)的可視效果。
直下式背光模組的光源可采用發(fā)光二極管，由于發(fā)光二極管具有工作電壓低、發(fā)光亮度高、響應(yīng)速度快、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。與冷陰極螢光燈相比，發(fā)光二極管更具有環(huán)保，利于顯示面積大型化的特點(diǎn)。只是，發(fā)光二極管的出光具有較強(qiáng)的指向性，使得背光模組不易獲得較佳的出光均勻度。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)采用發(fā)光二極管光源的直下式背光模組結(jié)構(gòu)示意圖，該直下式背光模組10包括一基板11；一導(dǎo)光板13，其包括一入光面131、一與入光面131相對的出光面132；多個(gè)發(fā)光二極管12，其設(shè)置在上述基板11上并面對導(dǎo)光板13的入光面131；至少一光學(xué)膜片14，其設(shè)置在上述導(dǎo)光板13的出光面132上。
上述發(fā)光二極管12包括一基底121，發(fā)光芯片122固定在基底121上，封裝結(jié)構(gòu)123包覆該發(fā)光芯片122并形成一出射面120。發(fā)光二極管12發(fā)出的光線入射到導(dǎo)光板13的入光面131上，由于發(fā)光二極管12自身發(fā)光角度的限制(發(fā)光二極管發(fā)散角度一般為120度)及發(fā)光二極管12與背光模組的導(dǎo)光板13之間配置關(guān)系，導(dǎo)光板13的入光面131正對發(fā)光二極管12的區(qū)域上光線較強(qiáng)，而與發(fā)光二極管12較遠(yuǎn)的區(qū)域則光線較弱，所以在導(dǎo)光板13的出光面132上就會(huì)產(chǎn)生暗帶15，影響背光模組10的亮度及出光均勻性。
有鑒于此，提供一種出光均勻度較高的直下式背光模組實(shí)為必要。

發(fā)明內(nèi)容以下，將以實(shí)施例說明一種出光均勻度較高的直下式背光模組。
本發(fā)明提供一種直下式背光模組。該直下式背光模組包括一基板；一導(dǎo)光板，其具有一入光面及一與入光面相對的出光面；多個(gè)設(shè)置在該基板上且與導(dǎo)光板的入光面相對的發(fā)光二極管，每一發(fā)光二極管包括一基底，一設(shè)置在該基底上的發(fā)光芯片，及一包覆該發(fā)光芯片并形成一出射面的封裝結(jié)構(gòu)，其中，在導(dǎo)光板的入光面上且正對多個(gè)發(fā)光二極管處分別設(shè)置有多個(gè)網(wǎng)點(diǎn)組，并且所述出射面為一凹面。
進(jìn)一步的，該出射面上具有多個(gè)V型槽結(jié)構(gòu)。當(dāng)出射面距離發(fā)光芯片越近時(shí)，該V型槽結(jié)構(gòu)尖端的夾角越小。
本發(fā)明實(shí)施例所提供的直下式背光模組，其導(dǎo)光板的入光面上且與多個(gè)發(fā)光二極管相對處分別設(shè)置有多個(gè)網(wǎng)點(diǎn)組以及發(fā)光二極管的出射面為一凹面，可以將發(fā)光二極管發(fā)出的光線折射到亮度較弱的區(qū)域上，從而有效的消除采用發(fā)光二極管作光源的直下式背光模組顯示的暗帶現(xiàn)象，提高背光模組的出光均勻度。
本發(fā)明實(shí)施例所提供的直下式背光模組，其發(fā)光二極管的出射面上具有多個(gè)V型槽結(jié)構(gòu)，其可將發(fā)光芯片發(fā)出的光線折射到光線較少的入光面上，從而有效的減弱了發(fā)光芯片中心光強(qiáng)度。

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的直下式背光模組結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明實(shí)施例直下式背光模組結(jié)構(gòu)示意圖。
圖3是圖2中III部分所示的發(fā)光二極管的放大圖。
圖4是本發(fā)明實(shí)施例直下式背光模組光路示意圖。
具體實(shí)施方式
請同時(shí)參照圖2、圖3和圖4。該直下式背光模組20包括一基板21；一導(dǎo)光板23，其具有一入光面231及一與入光面231相對的出光面232；多個(gè)設(shè)置在該基板21上的發(fā)光二極管22，其是用以作為光源發(fā)出光線且相對導(dǎo)光板23的入光面231設(shè)置；在導(dǎo)光板23的入光面231上且與多個(gè)發(fā)光二極管22相對處分別設(shè)置有多個(gè)網(wǎng)點(diǎn)組26。
上述基板21可以是印制電路板。
上述導(dǎo)光板23可選用壓克力樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯、透明熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂其中之一。
如圖3所示，上述每一發(fā)光二極管22包括一基底221；一發(fā)光芯片222，其設(shè)置在該基底221上；一封裝結(jié)構(gòu)223，其包覆該發(fā)光芯片222并形成一出射面220。發(fā)光二極管22的出射面220為一向發(fā)光芯片222陷的曲面，在該出射面220上設(shè)置多個(gè)V型槽結(jié)構(gòu)2231，其分布以出射面220與發(fā)光芯片222的距離為依據(jù)，當(dāng)距離越接近該發(fā)光芯片222處該V型槽結(jié)構(gòu)2231尖端的夾角越小。通過改變V型槽結(jié)構(gòu)2231的夾角來控制發(fā)光芯片222所產(chǎn)生的光線進(jìn)入導(dǎo)光板23的入射角度，特別地，導(dǎo)光板23與發(fā)光芯片222距離越小處，也就是造成光線較強(qiáng)處，需要加強(qiáng)光線折射，所以V型槽結(jié)構(gòu)的夾角越小。本實(shí)施例中的V型槽結(jié)構(gòu)的夾角范圍為60度～150度。上述封裝結(jié)構(gòu)223的材料為樹脂，其可選用聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、氟化樹脂或氯乙烯樹脂其中之一。
上述網(wǎng)點(diǎn)組26可以是各種微結(jié)構(gòu)，微結(jié)構(gòu)的橫截面可為任意形狀，例如V型，半圓型，矩型，梯型等，在本實(shí)施例中，所述網(wǎng)點(diǎn)組26中網(wǎng)點(diǎn)的橫截面為半圓型。各網(wǎng)點(diǎn)組26之間有一定間隔，而任意一網(wǎng)點(diǎn)組26中的微結(jié)構(gòu)為連續(xù)分布的。
由于發(fā)光二極管22自身發(fā)光角度受到限制，同時(shí)其發(fā)出的光線大部分集中在發(fā)光芯片222正對的區(qū)域上，所以，導(dǎo)光板23的入光面231正對發(fā)光二極管22的區(qū)域上光線較強(qiáng)，而與發(fā)光二極管12較遠(yuǎn)的區(qū)域則光線較弱。上述多個(gè)網(wǎng)點(diǎn)組26的設(shè)置能有效的將由發(fā)光二極管22射出的光線，在射到導(dǎo)光板23入光面231上時(shí)進(jìn)行有效的散射，使出光面232上的均勻度得到增強(qiáng)。
如圖4所示，發(fā)光芯片222發(fā)出的光線先射到出射面220上，設(shè)置在出射面220上的V型槽結(jié)構(gòu)2231可將光線發(fā)散，即V型槽結(jié)構(gòu)2231對射到出射面220上的光線有較強(qiáng)的發(fā)散作用，光線經(jīng)V型槽結(jié)構(gòu)2231折射后基本上都是沿遠(yuǎn)離發(fā)光芯片222的方向射向?qū)Ч獍?3的入光面231，從而減弱了發(fā)光芯片222中心光強(qiáng)度。光線經(jīng)由出射面220散射后，投射到導(dǎo)光板23的入光面231上，光線經(jīng)由網(wǎng)點(diǎn)組26的進(jìn)一步散射，即光線在網(wǎng)點(diǎn)組26處折射，折射方向?yàn)檫h(yuǎn)離發(fā)光芯片222的方向，從而進(jìn)一步減弱發(fā)光芯片222中心光強(qiáng)度，光線最終由導(dǎo)光板23的出光面232射出。通過上述設(shè)置導(dǎo)光板23的出光面232的出光均勻度得到有效的提高，同時(shí)提高光利用率。
設(shè)在導(dǎo)光板23的出光面232上的光學(xué)膜片24，可產(chǎn)生所需的擴(kuò)散、增光效果。
另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化。故，這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種直下式背光模組，其包括一基板；一導(dǎo)光板，其具有一入光面及一與入光面相對的出光面；多個(gè)設(shè)置在該基板上且與導(dǎo)光板的入光面相對的發(fā)光二極管，每一發(fā)光二極管包括一基底，一設(shè)置在該基底上的發(fā)光芯片，及一包覆該發(fā)光芯片并形成一出射面的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，在導(dǎo)光板的入光面上且正對多個(gè)發(fā)光二極管處分別設(shè)置有多個(gè)網(wǎng)點(diǎn)組，所述出射面為一凹面。
2.如權(quán)利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于所述網(wǎng)點(diǎn)組中網(wǎng)點(diǎn)的截面形狀為半圓型。
3.如權(quán)利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于所述封裝結(jié)構(gòu)所用材料選自聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、氟化樹脂或氯乙烯樹脂其中之一。
4.如權(quán)利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于所述凹面上具有多個(gè)V型槽結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求4所述的直下式背光模組，其特征在于當(dāng)出射面距離發(fā)光芯片越近時(shí)，所述V型槽結(jié)構(gòu)尖端的夾角越小。
6.如權(quán)利要求4所述的直下式背光模組，其特征在于所述V型槽結(jié)構(gòu)的夾角范圍為60度～150度。
7.如權(quán)利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于所述凹面為一弧面。
8.如權(quán)利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于所述導(dǎo)光板的出光面上設(shè)有至少一光學(xué)膜片。
9.如權(quán)利要求1所述的直下式背光模組，其特征在于所述導(dǎo)光板是選自壓克力樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯、透明熱硬化型樹脂或紫外線硬化型樹脂其中之一。
全文摘要
本發(fā)明提供一種直下式背光模組。該直下式背光模組包括一基板；一導(dǎo)光板，其具有一入光面及一與入光面相對的出光面；多個(gè)設(shè)置在該基板上且與導(dǎo)光板的入光面相對的發(fā)光二極管，每一發(fā)光二極管包括一基底，一設(shè)置在該基底上的發(fā)光芯片，及一包覆該發(fā)光芯片并且形成一出射面的封裝結(jié)構(gòu)，其中，在導(dǎo)光板的入光面上且正對多個(gè)發(fā)光二極管處分別設(shè)置有多個(gè)網(wǎng)點(diǎn)組，所述出射面為一凹面。本發(fā)明可有效提高背光模組的出光均勻度。
文檔編號G02F1/1335GK1928651SQ20051003712
公開日2007年3月14日 申請日期2005年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月7日
發(fā)明者余泰成 申請人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司