專利名稱：光刻裝置及光刻裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系有關(guān)于一種光刻裝置以及一種制造光刻裝置的方法。
背景技術(shù)：
光光刻技術(shù)是一種印刷上的復(fù)制方法，其中借助曝光將圖案印在材料上。光光刻技術(shù)在印刷技術(shù)及半導(dǎo)體技術(shù)上是很重要的。
在半導(dǎo)體技術(shù)中，借助光光刻技術(shù)，可將一光罩的結(jié)構(gòu)信息轉(zhuǎn)載至一半導(dǎo)體基板(例如一硅晶圓)上的光阻。在隱藏圖像的顯影之后，結(jié)構(gòu)信息可借助蝕刻而轉(zhuǎn)載至設(shè)于光阻下方的半導(dǎo)體基材上，之后，光阻層則被移除。
該制程的重復(fù)，以不同而彼此相連續(xù)的層以及對單一圖案的精密調(diào)整，在制造集成電路(所謂的微芯片)中是關(guān)鍵性的技術(shù)。
在光學(xué)光刻中，一光罩的圖案使用可見光并借助繞射量級(jí)的干涉而形成在一晶圓上，該繞射的量級(jí)系由光罩圖案所產(chǎn)生并借助一透鏡成像。根據(jù)習(xí)知技術(shù)，在光光刻技術(shù)的應(yīng)用中，一般而言是使用未極化的光線。一光學(xué)成像系統(tǒng)的分辨率是由所謂的NA-值(numerical aperture)來決定，其中習(xí)知成像透鏡的NA-值傳統(tǒng)上是在0.8到0.85的范圍內(nèi)。為了達(dá)到更好的分辨率，希望NA值變得較高，這使得達(dá)到晶圓的電磁輻射的角度范圍變大。
在光罩上的對象(該對象會(huì)成像于一半導(dǎo)體晶圓上)的小結(jié)構(gòu)尺寸中，產(chǎn)生了高的繞射量級(jí)的角度，該繞射量級(jí)必須由光刻系統(tǒng)的透鏡形成。此高角度導(dǎo)致輻射進(jìn)入之電磁輻射所具有不同極化方向的各分量(例如以TE極化分量表示「橫向電性」，以TM極化分量表示「橫向磁性」)在晶圓的表面上形成不同的對比(contrast)。在高角度的情況下，TM極化的光形成不良的對比。為了避免TM極化，可只使用TE極化的光做曝光。
當(dāng)然，在微小的結(jié)構(gòu)尺寸的情況下，即在所成像的微小間距的情況下，光罩本身系充當(dāng)極化器，其傾向無傳遞損失(transmission loss)地傳遞TM極化光，而在TE極化光方面則有高的傳遞損失。因此，TE極化光的強(qiáng)度減弱，而TE極化光基本上比不減弱地傳遞的TM極化光在晶圓上可得到較佳的成像。
這些效應(yīng)在習(xí)知的光刻裝置中，特別是小結(jié)構(gòu)尺寸，會(huì)導(dǎo)致以光罩結(jié)構(gòu)在晶圓上的成像出現(xiàn)了品質(zhì)問題，而且可能對集成電路的功能造成負(fù)面的影響。
在DE 10124566A1中揭露了一種具有極化裝置的光學(xué)成像系統(tǒng)，該成像系統(tǒng)具有一極化轉(zhuǎn)向組件，將徑向的極化轉(zhuǎn)向成切線方向的極化，其中該極化轉(zhuǎn)向組件系設(shè)置于一預(yù)設(shè)的位置上，并位于一區(qū)域，該區(qū)域從在該徑向極化產(chǎn)生裝置上成像的光學(xué)組件起。
在US 6,310,679B1中揭露了一種投影曝光裝置，其中在光罩與基材之間設(shè)置一裝置用于旋轉(zhuǎn)極化方向，其中，并在目標(biāo)上產(chǎn)生極化的旋轉(zhuǎn)，以提高景深(depth of field)。
在US 2004/0119954A1中公開了一種浸入式的曝光裝置，其中一重復(fù)且形成于一光罩上的圖案經(jīng)由一光學(xué)曝光裝置成像于一物體上，如此用于成像的光最后在一預(yù)設(shè)的入射角度范圍內(nèi)被s-極化。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種光刻裝置以及一種制造光刻裝置的方法，藉此對于欲成像對象小尺寸，使其在基材上以足夠的強(qiáng)度同時(shí)具有良好對比地實(shí)施曝光。
上述之問題系由一光刻裝置以及一制造光刻裝置的方法而得到解決，該光刻裝置及制造光刻裝置的方法系具有如權(quán)利要求之獨(dú)立項(xiàng)所述的特征。
本發(fā)明之光刻裝置具有一光罩。該光刻裝置更具有一用于容納欲曝光之基材的容納裝置，以及一裝置，用于旋轉(zhuǎn)經(jīng)光罩穿透傳遞之至少部分被極化之電磁輻射的極化方向，該裝置系設(shè)置于該光罩與該容納裝置之間。
在本發(fā)明的制造光刻裝置的方法中，制造一光罩以及一容納裝置，用于容納欲曝光的基材。其更制造一裝置，用于旋轉(zhuǎn)經(jīng)光罩穿透傳遞之至少部分被極化之電磁輻射的極化方向，該裝置系設(shè)置于該光罩與該容納裝置之間。
本發(fā)明的精神可由以下敘述得知在一光刻裝置中，改變電磁輻射(例如光學(xué)光刻裝置的光)的極化方向，之后該光線系穿過一光罩。藉此，具有此極化方向的光被導(dǎo)引至該光罩上，該極化光基本上不減弱地穿透該光罩上的透明區(qū)域。在通過光罩之后，該電磁輻射的極化方向被旋轉(zhuǎn)成使光罩圖案在基材(電磁輻射被導(dǎo)引至該基材)上的成像具有良好的對比。藉此，通過光罩并在基材上產(chǎn)生圖像的電磁輻射的極化輪廓被最佳化。
本發(fā)明之一重要樣態(tài)為在一光刻裝置中，在光罩與容納基材的容納裝置之間提供一光學(xué)組件，將至少部分線性極化的電磁輻射的極化方向旋轉(zhuǎn)一給定的角度。
例如，一光罩以TM極化光照射(其意味著到達(dá)基材的光強(qiáng)度高)，在通過光罩之后，該光線的極化方向被旋轉(zhuǎn)90度，而產(chǎn)生TE極化光(為了得到良好的對比)，其對在一基材上的光阻進(jìn)行曝光。
藉此，根據(jù)本發(fā)明，可以使用例如TM極化的光照射光罩，藉此(特別是在小特征尺寸的情況下)，在TM極化光通過光罩時(shí)的傳遞損失得以避免或減少。這意味著照射至一基材的照射強(qiáng)度也比較強(qiáng)。然后，該光線穿過光罩而傳遞，主要之極化方向系從TE極化方向改變至TM極化方向(例如使用二個(gè)λ/4的平板以及一反射鏡)，使晶圓的表面上達(dá)到最佳的成像對比。如此的光學(xué)組件可設(shè)置在光罩的背面與晶圓之間的任意位置上，在該處此光學(xué)組件的配置在個(gè)別使用的范圍內(nèi)是有利的。
本發(fā)明之基本原理系說明如下。
首先考慮光罩表面上的極化效應(yīng)及其補(bǔ)償。
當(dāng)光罩表面的特征尺寸達(dá)到所使用的電磁輻射(例如光)的波長數(shù)量級(jí)時(shí)，光罩上密集或半密集的線條(或其它構(gòu)造)，對所照射的電磁輻射而言，其成為一極化器。抵達(dá)的TE極化光(即具有與光罩上構(gòu)造平行之極化方向的光分量)會(huì)由于此效應(yīng)而減弱，而TM極化光(即具有與光罩上構(gòu)造垂直之極化方向的光分量)基本上會(huì)完全傳遞進(jìn)來。在光罩上使用TM極化光進(jìn)行照射是有利的，藉此經(jīng)過光罩傳遞的電磁輻射可達(dá)到最大強(qiáng)度。
接著說明晶圓表面的極化效應(yīng)與其補(bǔ)償，即結(jié)構(gòu)化的基材表面的極化效應(yīng)與其補(bǔ)償。
在晶圓的表面上，對于產(chǎn)生圖像的波前(wave front)而言，較小的特征尺寸表示較大的入射角(較高的NA值)。對較大的入射角，就TE極化的電磁輻射而言，電場向量是明顯地相對兩個(gè)干涉繞射量級(jí)位在相同的方向上。藉此，不會(huì)導(dǎo)致TE極化光的對比變差。對此，TM極化光看來明顯地使兩繞射量級(jí)之間的電場向量的角度提高。這意味著TM極化光的對比變得比較差，甚至可能是對比逆轉(zhuǎn)。僅使用TE極化光照射至晶圓的表面是有利于達(dá)到好的對比。
本發(fā)明可以同時(shí)滿足對于照射在光罩側(cè)以及照射在晶圓側(cè)的光的極化方向的相反的要求。根據(jù)本發(fā)明，在光罩側(cè)可達(dá)到最佳的穿透，其中最好使用TM極化光照射光罩。為了達(dá)到最佳對比，在晶圓側(cè)則使用TE極化光。為了達(dá)到好的對比，這特別是對小特征尺寸有利。本發(fā)明的解決辦法是使用一照明器以產(chǎn)生例如TM極化光，該TM極化光被導(dǎo)引至光罩。在光罩側(cè)后方、晶圓側(cè)前方的任意位置上設(shè)置有一光學(xué)組件，該光學(xué)組件最好將光的極化方向旋轉(zhuǎn)90度，藉此從TM極化光變成TE極化光。
藉此，電磁輻射在通過光罩時(shí)可達(dá)到少許的弱化，同時(shí)在欲結(jié)構(gòu)化的晶圓上達(dá)到良好的對比。
需注意的是，當(dāng)特征以及形成于光罩上的結(jié)構(gòu)具有一主要方向時(shí)，通過光罩而傳遞的電磁輻射的強(qiáng)度會(huì)高度地視所使用的電磁輻射的極化方向而定，這是因?yàn)槔靡环N「天線效應(yīng)」的緣故。即，當(dāng)光的震蕩方向與行進(jìn)方向垂直時(shí)，該具有一主要延伸方向的結(jié)構(gòu)僅微弱地被吸收，相反地，當(dāng)光的震蕩方向與行進(jìn)方向平行時(shí)，該結(jié)構(gòu)明顯地成為一良好地吸收光線的天線。如此的結(jié)構(gòu)上的較佳方向系存在于許多結(jié)構(gòu)中，該等結(jié)構(gòu)系用于形成集成電路，至少在大分隔區(qū)域中或局部(例如一內(nèi)存單元區(qū)的導(dǎo)槽，例如DRAM內(nèi)存、線路層等)。在所有的這些情況下，本發(fā)明之對所使用的電磁輻射的極化方向所做的調(diào)整是有很大的好處的。應(yīng)該僅對一集成電路的一部分有效，如此也可僅對此區(qū)域以本發(fā)明的方法實(shí)施曝光，而其它的區(qū)域則以習(xí)知的方法實(shí)施曝光。本發(fā)明也可能實(shí)施雙重曝光(double exposure)，其中在一第一次曝光中根據(jù)本發(fā)明之方法形成具有一優(yōu)先方向構(gòu)造，然后接著產(chǎn)生其它構(gòu)造。
本發(fā)明之后續(xù)的內(nèi)容系參照權(quán)利要求的附屬項(xiàng)。
該光刻裝置可具有一裝置，用于產(chǎn)生電磁輻射并將該電磁輻射導(dǎo)引至光罩，其中該電磁輻射至少部分被極化(特別是至少部分被線性地極化)。如此用于產(chǎn)生電磁輻射的裝置可為例如雷射裝置。
在該光刻裝置中，該光罩可具有一結(jié)構(gòu)，其大體上在該光罩上沿一可預(yù)設(shè)的延伸方向延伸。
在本發(fā)明之光刻裝置中，光罩具有一結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)欲成形于一晶圓上。該結(jié)構(gòu)最好延伸于一預(yù)設(shè)的方向。即該結(jié)構(gòu)包括主要的結(jié)構(gòu)元素(例如欲成形的溝槽)，該結(jié)構(gòu)元素系沿一特定的方向延伸，但無須所有的元素均沿該方向延伸，只要該結(jié)構(gòu)的主要部分沿一特定方向延伸就夠了。當(dāng)該結(jié)構(gòu)完全朝一特定的方向延伸時(shí)，例如平行延伸的導(dǎo)槽，利用本發(fā)明所強(qiáng)調(diào)的效果是最理想的。
該產(chǎn)生電磁輻射并導(dǎo)引至光罩的裝置最好配置成至少部分的電磁輻射在一極化方向上被極化，該極化方向至該延伸方向具有從0度起的不同的角度。
根據(jù)本發(fā)明，電磁輻射最好至少部分在一極化方向上被極化，該極化方向至該光罩結(jié)構(gòu)的延伸方向具有從0度起的不同的角度。對于本發(fā)明所利用的效應(yīng)，該電磁輻射系足以部分被極化，即在電磁輻射的單一波或量子中具有優(yōu)先的極化方向。
該產(chǎn)生電磁輻射并導(dǎo)引至光罩的裝置最好配置成該電磁輻射在一極化方向上完全地被極化，該極化方向至該延伸方向具有從0度起的不同的角度。
當(dāng)入射的電磁輻射完全地(線性地)被極化時(shí)，可達(dá)到改善成像的強(qiáng)大效果。
該產(chǎn)生電磁輻射并導(dǎo)引至光罩的裝置配置成至少部分的電磁輻射在一極化方向上被極化，該極化方向至該延伸方向呈90度角。
當(dāng)延伸方向與極化方向正交配置時(shí)，穿過光罩而傳遞的電磁輻射的強(qiáng)度特別大。
該產(chǎn)生電磁輻射并導(dǎo)引至光罩的裝置配置成至少部分的電磁輻射在一極化平面上被極化，該極化平面系位于該光罩的表面。
另一種說法是該電磁場向量最好是為在光罩側(cè)并垂直于電磁輻射的行進(jìn)方向。光罩系由一二維的構(gòu)造所形成，該構(gòu)造系由該延伸方向及一與延伸方向正交的方向所定義。
該用于旋轉(zhuǎn)通過光罩而傳遞之電磁輻射之極化方向的裝置系配置成將極化方向旋轉(zhuǎn)90度。在此情況下，可達(dá)到特別有效的光強(qiáng)度大及對比佳的組合。
該用于旋轉(zhuǎn)通過光罩而傳遞之電磁輻射之極化方向的裝置系配置成使該極化方向旋轉(zhuǎn)成為旋轉(zhuǎn)后的極化系位于光罩的表面上。
該用于旋轉(zhuǎn)通過光罩而傳遞之電磁輻射之極化方向的裝置可包括一λ/4平板以及一反射鏡。λ系表示電磁輻射的波長。根據(jù)配置，TM極化光可被導(dǎo)引至該λ/4平板，藉此產(chǎn)生圓形的極化光。在圓形的極化光由反射鏡反射后，光線再次通過該λ/4平板，藉此產(chǎn)生TE極化光。
另一種方式，該用于旋轉(zhuǎn)通過光罩而傳遞之電磁輻射之極化方向的裝置可包括一第一λ/4平板以及一第二λ/4平板。一具有此二個(gè)λ/4平板的光學(xué)組件可以將極化方向旋轉(zhuǎn)90度。
另一種旋轉(zhuǎn)極化方向的裝置是使用液晶分子，其具有同樣的性質(zhì)，可旋轉(zhuǎn)電磁輻射的極化方向，特別是光的極化方向。
該光刻裝置可具有一基材，該基材系容納于該容納裝置中，并配置成使來自旋轉(zhuǎn)極化方向之裝置的電磁輻射入射于該基板。該基材可為一半導(dǎo)體晶圓(例如硅晶圓或硅芯片)。
在該硅晶圓上可形成一光阻層，該光阻層借助入射的電磁輻射以及蝕刻方法被結(jié)構(gòu)化。
本發(fā)明之光刻裝置可作為可見光輻射光刻裝置(即，所使用的電磁輻射在可見光范圍內(nèi))、紫外線輻射光刻裝置(即，所使用的電磁輻射在UV范圍內(nèi))或者是X射線輻射光刻裝置(即，以X射線工作的光刻裝置)。
雖然該說明系針對本發(fā)明之光刻裝置，該說明也適用于本發(fā)明之光刻裝置的制造方法。


圖1為本發(fā)明之光刻裝置的一實(shí)施例。
圖2為電磁輻射到達(dá)光罩側(cè)的示意圖。
圖3為電磁輻射到達(dá)晶圓側(cè)的示意圖。
圖4為表示不同的極化的電磁輻射的對比與入射角的相依關(guān)系。
圖5為本發(fā)明之光刻裝置的一實(shí)施例中的極化旋轉(zhuǎn)裝置的示意圖。
在不同圖式中相同或相似的組件系以相同的符號(hào)表示。圖式中的圖像為概略示意而非完全比例。
為了讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征、和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一較佳實(shí)施例，并配合所附圖標(biāo)，作詳細(xì)說明如下。
具體實(shí)施例方式
接著，以圖1并根據(jù)本發(fā)明之一較佳實(shí)施例說明一光刻裝置100。
圖1所示的光刻裝置100包括一電磁輻射源101，例如一ArF輻射源，其放射出波長193nm的電磁輻射。從電磁輻射原101所發(fā)出的光系已線性極化且具有一極化向量104。所產(chǎn)生的電磁輻射系穿過一光圈102以及一透鏡103導(dǎo)引至一光罩105上。
光罩105包括復(fù)數(shù)個(gè)結(jié)構(gòu)106，該結(jié)構(gòu)欲形成于一硅晶圓110上。結(jié)構(gòu)106包括不同的組件，該等組件大體上沿一延伸方向107設(shè)置。電磁輻射被結(jié)構(gòu)106所吸收并穿過結(jié)構(gòu)106間的區(qū)域。該第一極化向量104系大體上與延伸方向107垂直。在通過光罩105后，根據(jù)第一極化向量104，電磁輻射未改變極化方向。在通過光罩105后，電磁輻射被導(dǎo)引通過一相位改變器108，該相位變化器108可由例如二個(gè)λ/4平板所構(gòu)成，并設(shè)置成使通過光罩105的電磁輻射的極化方向旋轉(zhuǎn)90度。因此根據(jù)第二極化向量109，從相位改變器108發(fā)出的光呈現(xiàn)出線性極化，第二極化向量109系垂直于電磁輻射的行進(jìn)方向并垂直于第一極化向量104。被導(dǎo)引通過透鏡111的光被導(dǎo)引至晶圓110上并以極化向量109在該處產(chǎn)生良好的對比。在該光刻裝置100中，特別是在相位改變器108與硅晶圓110之間，可額外地設(shè)置一成像光學(xué)組件(未圖標(biāo))。
借助第一極化向量104的位置，在光罩105上無結(jié)構(gòu)106的區(qū)域，電磁輻射大體上不減弱地穿透，而且由于電磁輻射的由相位改變器108所做的相位改變，可同時(shí)在硅晶圓110上達(dá)到良好的對比，而形成相當(dāng)細(xì)微的結(jié)構(gòu)尺寸。
接著參照圖2說明光罩側(cè)200。
在圖2中，表示光罩105的放大圖以及形成于光罩105上的結(jié)構(gòu)106。入射的TM-極化輻射201(根據(jù)第一極化向量104)抵達(dá)光罩105，依此不減弱地通過光罩105，而根據(jù)第二極化向量109(垂直于圖2的紙面并在結(jié)構(gòu)106的延伸方向上)的TE極化輻射202抵達(dá)光罩105后，電磁輻射則大大地減弱，使得僅少量的TE輻射204穿過光罩105傳遞。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于將大體上沿第一極化向量104震蕩(TM極化)的電磁輻射在通過光罩105前先予以極化，然后大體上不減弱地通過垂直紙面延伸的結(jié)構(gòu)106。
接著，參照圖3說明晶圓側(cè)300。
在圖3中表示第一次產(chǎn)生的TM輻射301與第一次產(chǎn)生的TE輻射302，以及第二次產(chǎn)生的TM輻射303與第二次產(chǎn)生的TE輻射304。圖3所示的各層的配置包括一硅晶圓305、一配置于其上的多硅層306、一配置于其上的BA RC層307(底部做抗反射鍍膜)以及與其絕緣的光阻層308。當(dāng)TE輻射到達(dá)圖3所示的各層的配置時(shí)，其對比就微細(xì)結(jié)構(gòu)尺寸及高的角度α而言比TM輻射好。此乃基于特別是就大角度α而言，TM部分的向量總是具有一可觀的角度，TE部分的向量總是相互平行。借助本發(fā)明之極化方向的旋轉(zhuǎn)，然后電磁TM輻射穿過光罩305，產(chǎn)生TE輻射，然后在晶圓側(cè)300達(dá)到較佳的對比。
接著，參照圖4說明對比、入射角以及晶圓側(cè)300電磁輻射之極化方向之間的交互作用。
沿圖400的橫軸401，表示一入射角θin。沿圖400的縱軸402則表示對比。曲線403表示對TE極化光的相依度，一第二曲線404表示對TM極化光的相依度，一第三曲線405表示對未極化光的相依度。
如圖4所示，對TE極化光而言(參照第一曲線403)在高入射角θin處達(dá)到一較高的對比，而對于TM極化光404而言，在高入射角θin處微則具有較差的對比。
接著，參照圖5說明本發(fā)明之影裝置的一實(shí)施例的極化旋轉(zhuǎn)裝置500。
在圖5中表示一TM極化光輻射501穿過一光罩。該光輻射501通過一輻射分光器502并通過一λ/4平板503，在該處線性TM極化的極化方向改變成圓形極化。該圓形極化光被一反射鏡504反射并再度地通過λ/4平板503。該圓形極化光第二次通過λ/4平板503之后變成TE極化光，然后被導(dǎo)引至一晶圓(未圖標(biāo))上而達(dá)到良好的對比。
符號(hào)說明100光刻裝置101電磁輻射源102光圈103透鏡104第一極化向量105光罩106結(jié)構(gòu)107延伸方向108相位改變器109第二極化向量110硅晶圓111透鏡200光罩側(cè)201TM極化輻射202TE極化輻射203傳遞的TM輻射204傳遞的TE輻射300晶圓側(cè)301第一次產(chǎn)生的TM輻射302第一次產(chǎn)生的TE輻射303第二次產(chǎn)生的TM輻射304第二次產(chǎn)生的TE輻射305硅晶圓306多硅層307BARC層308光阻層400圖401橫軸402縱軸403第一曲線
404第二曲線405第三曲線500極化方向旋轉(zhuǎn)裝置501光輻射502輻射分光器503λ/4平板504反射鏡
權(quán)利要求
1.一種光刻裝置，包括一光罩，具有多種結(jié)構(gòu)，該等結(jié)構(gòu)系大體上在該光罩上沿一可預(yù)設(shè)的延伸方向延伸；一裝置，用于產(chǎn)生電磁輻射以及導(dǎo)引該電磁輻射至該光罩，其中該電磁輻射至少部分在該延伸方向被TM極化，使該被TM極化的電磁輻射具有一極化方向，該極化方向與該延伸方向呈90度角；一容納裝置，用于容納一曝光的基材；以及一裝置，用于旋轉(zhuǎn)極化方向，將該極化方向從經(jīng)由光罩穿透傳遞的至少部分TM極化的電磁輻射旋轉(zhuǎn)至TE極化的電磁輻射，其中該用于旋轉(zhuǎn)極化方向的裝置系設(shè)置于該光罩與該容納裝置之間。
2.如權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中該用于產(chǎn)生電磁輻射以及導(dǎo)引該電磁輻射至該光罩之裝置系配置成該電磁輻射至少一部份在一極化方向上被極化，該方向系位于該光罩的表面上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光刻裝置，其中該用于旋轉(zhuǎn)穿透光罩而傳遞之電磁輻射的極化方向的裝置系配置成，將該極化方向旋轉(zhuǎn)成旋轉(zhuǎn)后的極化方向系位于該光罩的表面上。
4.如權(quán)利要求1或2所述的光刻裝置，其中該用于旋轉(zhuǎn)穿透光罩而傳遞之電磁輻射的極化方向的裝置包括一λ/4的平板以及一反射鏡。
5.如權(quán)利要求1或2所述的光刻裝置，其中該用于旋轉(zhuǎn)穿透光罩而傳遞之電磁輻射的極化方向的裝置包括一λ/4的第一平板以及一λ/4的第二平板。
6.如權(quán)利要求1或2所述的光刻裝置，其更包括一基材，該基材系容納于該容納裝置中，并配置成使來自該旋轉(zhuǎn)極化方向的裝置的電磁輻射入射至該基材上。
7.如權(quán)利要求6所述的光刻裝置，其中該基材為一半導(dǎo)體晶圓。
8.如權(quán)利要求7所述的光刻裝置，其中在該半導(dǎo)體晶圓上形成一光阻層。
9.如權(quán)利要求1或2所述的光刻裝置，其中該光刻裝置系作為可見光輻射光刻裝置、紫外線輻射光刻裝置或X射線輻射光刻裝置。
10.一種光刻裝置的制造方法，包括下列步驟制造一光罩，其中該光罩的結(jié)構(gòu)為大體上沿一可預(yù)設(shè)而朝該光罩的延伸方向延伸；提供一裝置，用于產(chǎn)生電磁輻射以及導(dǎo)引該電磁輻射至該光罩，其中該電磁輻射至少部分在該延伸方向被TM極化，使該被TM極化的電磁輻射具有一極化方向，該極化方向與該延伸方向呈90度角；制造一容納裝置，用于容納一曝光的基材；制造一裝置，用于旋轉(zhuǎn)極化方向，將該極化方向從經(jīng)由光罩穿透傳遞的至少部分TM極化的電磁輻射旋轉(zhuǎn)至TE極化的電磁輻射，其中該用于旋轉(zhuǎn)極化方向的裝置系設(shè)置于該光罩與該容納裝置之間。
全文摘要
一種光刻裝置，包括一光罩，具有多種結(jié)構(gòu)，該等結(jié)構(gòu)系大體上沿一可預(yù)設(shè)而朝該光罩的延伸方向延伸；一裝置，用于產(chǎn)生電磁輻射以及導(dǎo)引該電磁輻射至該光罩，其中該電磁輻射至少部分在該延伸方向被TM極化，使該被TM極化的電磁輻射具有一極化方向，該極化方向與該延伸方向呈90度角；以及一容納裝置，用于容納一曝光的基材。
文檔編號(hào)G03F7/00GK1734353SQ200510088258
公開日2006年2月15日 申請日期2005年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2004年8月2日
發(fā)明者M·尼伊霍夫 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司