專利名稱：芯線彼此偏芯、傾斜的光纖連接體的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于光通信等的彼此連接了光纖的光纖連接體、用于形成該光纖連接體的光連接器、和使用了該光纖連接體的模式調(diào)節(jié)器及光發(fā)送器。
背景技術：
一直以來，作為連接計算機之間的系統(tǒng)，10兆位以太網(wǎng)(注冊商標)、100兆位以太網(wǎng)(注冊商標)正在普及，開始進入到傳送容量更大的千兆位以太網(wǎng)(注冊商標)。為了進一步進行超高速的大容量傳送，也正在開始10千兆以太網(wǎng)(注冊商標)的開發(fā)。
為了進行數(shù)據(jù)傳送的高速化、大容量化，需要使傳送方式從電信號變?yōu)楣庑盘?。進一步，作為光信號，要求將從由發(fā)光二極管(下面，稱作“LED”)發(fā)出的光信號變?yōu)橛杉す舛O管(下面，稱作“LD”)發(fā)光的光信號。另外，通信電纜也從銅線變?yōu)槎嗄９饫w、進一步變?yōu)閱文９饫w，這對傳送的高速化、大容量化是有利的。
另一方面，由于多模光纖的電纜網(wǎng)已經(jīng)存在，所以用其來實現(xiàn)高速大容量的傾向升高。若將LD光入射到多模光纖中，則由于相對于多模光纖的芯線(core)直徑，LD光的光點直徑小，所以芯線中沒有填充光，不能順利激勵。因此，采取將LD光直接入射到單模光纖中，并將其接合到現(xiàn)有的多模光纖上的方法。
但是，現(xiàn)在的多模光纖在制造工藝上，如圖19B所示，有在中央部分出現(xiàn)折射率低的“凹處”部分的情況。因此，若將接受了LD光的單模光纖與多模光纖相連，則有幾個模式分散，各種信號彼此干擾的問題。因此，通過受光器不能接收正確的信號，傳送距離極短。
因此，提出了使單模光纖和多模光纖的中心軸相偏移地連接的技術。例如，在特開2001-13375號公報中公開了偏移連接單模光纖和多模光纖的芯線中心軸的光連接器。
另外，在特開2000-231027號公報中公開了在發(fā)送側使用了偏移連接了單模光纖和多模光纖的芯線中心軸的接插線(patch cord)的模式調(diào)節(jié)器(mode conditioner)。
進一步，在特開2000-147334號公報中提出了帶有模式調(diào)節(jié)器的光發(fā)送器，該模式調(diào)節(jié)器在光纖頭(fiber stub)內(nèi)具有芯線的中心軸偏芯了的單模光纖。使具有多模光纖的插塞套圈(plug ferrule)連接到該光發(fā)送器來進行光發(fā)送。
若使用這些光連接器、模式調(diào)節(jié)器和帶模式調(diào)節(jié)器的光發(fā)送器，則通過了單模光纖的光避開如圖19B所示的多模光纖的中央部分的折射率低的“凹處”部分入射。因此，抑制了模式的異常分散，可以高效地進行數(shù)據(jù)傳送。
但是，在上述現(xiàn)有結構中，若傳送速度更快，傳送距離變長，則不能抑制模式的異常分散。例如，若是具有到一千兆位為止的傳送速度的以太網(wǎng)，上述結構中也幾乎不產(chǎn)生模式的異常分散。但是，在10千兆以太網(wǎng)中，在550m的傳送距離內(nèi)分散了所入射的光的幾個模式。因此，各種信號彼此干擾，仍然產(chǎn)生不能由受光器接收正確的信號的問題。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種即使在更快傳送速度和更長的傳送距離中，抑制模式的異常分散，可進行信號的高效傳送的光纖連接。
本發(fā)明的光纖連接器，其中包括第一光纖，其具有芯線和包層；第二光纖，其具有芯線和包層，其端面與所述第一光纖的端面光學連接，其特征在于，在所述第一光纖和所述第二光纖的界面中，所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心彼此偏移；而且從所述第一光纖向所述第二光纖入射的光束相對所述第二光纖的中心軸傾斜。
在這里，優(yōu)選第一光纖是單模光纖，第二光纖是多模光纖。由于第一光纖的芯線的中心和第二光纖的芯線的中心偏芯，且相對第二光纖的軸方向傾斜入射，所以與現(xiàn)有技術相比，很難產(chǎn)生模式的異常分散。因此，信號彼此不干擾，可以高效傳送信號。
優(yōu)選第一光纖的芯線的中心和第二光纖的芯線的中心的距離為5～30μm，更優(yōu)選為5～25μm。另外，優(yōu)選從第一光纖向第二光纖入射的光束相對第二光纖的中心軸傾斜3～25度。
進一步，優(yōu)選設連接第一光纖的芯線的中心和第二光纖的芯線的中心的方向為X軸，第二光纖的中心軸方向為Z軸，與X軸和Z軸成直角的方向為Y軸；設Y軸沿所述X方向偏移了第一光纖的芯線的中心和第二光纖的芯線的中心間的距離的軸為Y’軸，所述Z軸沿所述X方向偏移了第一光纖的芯線的中心和第二光纖的芯線的中心間的距離為Z’軸，從第一光纖向第二光纖入射的光束位于Y’軸和Z’軸所成的面內(nèi)。
本發(fā)明的光纖連接可以用于光連接器、模式調(diào)節(jié)器、光發(fā)送器等。
本發(fā)明的光連接器，其特征在于，具備固定第一光纖的第一固定部件；固定第二光纖的第二固定部件；連接所述第一固定部件和所述第二固定部件，以便在所述第一光纖和所述第二光纖的界面中，所述第一光纖的芯線的中心和所述第一光纖的芯線的中心彼此偏移，且從所述第一光纖向所述第二光纖入射的光纖相對所述第二光纖的中心軸傾斜。
另外，本發(fā)明的模式調(diào)節(jié)器，其中具備單模光纖和多模光纖的連接體，其特征在于，在所述單模光纖和所述多模光纖的界面中，所述單模光纖的芯線的中心和所述多模光纖的芯線的中心彼此偏移，而且從所述單模光纖向所述多模光纖入射的光束相對所述多模光纖的中心軸傾斜。
本發(fā)明的光發(fā)送器，其中具備激光二極管；在貫通孔內(nèi)保持第一光纖的光纖頭；套管，其是用于從外部插入在貫通孔內(nèi)保持第二光纖的插塞套圈的套管，嵌入到所述光纖頭中，其特征在于，若插入所述插塞套圈，在光連接所述光纖頭內(nèi)的第一光纖和所述插塞套圈內(nèi)的第二光纖，
在所述第一光纖和所述第二光纖的界面中，所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心彼此偏移，而且從所述第一光纖向所述第二光纖入射的光束相對所述光纖的中心軸傾斜。


圖1A是表示實施方式1的光連接器的剖面圖；圖1B是表示圖1A的光連接器的光纖彼此的連接部分的局部放大剖面圖；圖2是表示光束向第二光纖的入射方向的示意圖；圖3是表示光束向第二光纖的入射方向的示意圖；圖4A是表示實施方式2的模式調(diào)節(jié)器的示意圖；圖4B是表示圖4A的模式調(diào)節(jié)器的光纖彼此的連接部分的局部放大剖面圖；圖5A是表示實施方式3的光發(fā)送器的剖面圖；圖5B是表示圖5A的光發(fā)送器的光纖彼此的連接部分的局部放大剖面圖；圖6是表示光纖彼此的連接部分的另一例的局部放大剖面圖；圖7是表示光纖彼此的連接部分的另一例的局部放大剖面圖；圖8是表示光纖彼此的連接部分的另一例的局部放大剖面圖；圖9是表示光纖彼此的連接部分的另一例的局部放大剖面圖；圖10是表示光纖彼此的連接部分的另一例的局部放大剖面圖；圖11是表示具備包層模式光的去除機構的單模光纖的剖面和對應于該剖面的折射率分布的示意圖；圖12是具備另一包層模式光的去除機構的單模光纖的剖面和對應于該剖面的折射率分布的示意圖；圖13是表示具備另一包層模式光的去除機構的單模光纖的剖面和對應于該剖面的折射率分布的示意圖；圖14是表示具備另一包層模式光的去除機構的單模光纖的剖面和對應于該剖面的折射率分布的示意圖；
圖15是表示光纖彼此的連接部分的例子的局部放大剖面圖；圖16是表示光纖彼此的連接部分的另一例的局部放大剖面圖；圖17是表示實施例1的傳送距離的測量系統(tǒng)的示意圖；圖18是表示實施例2的傳送距離的測量系統(tǒng)的示意圖；圖19A是表示理想的多模光纖的折射率分布的示意圖；圖19B是表示現(xiàn)實的多模光纖的折射率分布的示意圖。
具體實施例方式
(實施方式1)在本實施方式中，說明將本發(fā)明用于光連接器的例子。本實施方式的光連接器的特征在于，在使一對光纖的端面彼此連接的光連接器中，連接各個光纖，以便光纖的芯線的中心彼此偏芯，且來自一個光纖的入射光束相對另一個光纖的軸心傾斜入射。
根據(jù)本實施方式的光連接器，在將單模光纖連接到多模光纖時，可以抑制在多模光纖內(nèi)產(chǎn)生的異常分散。因此，即使在快的傳送速度和長的傳送距離中，也可抑制模式的異常分散，可進行信號效率高的傳送。在這里，詳細說明在多模光纖內(nèi)產(chǎn)生的分散。
漸變折射率型的多模光纖(下面僅稱為“多模光纖”)，為了抑制由模式間的延遲差引起的頻帶劣化(模式分散)，如圖19A所示那樣進行設計、制造，以便芯線的折射率分布從中心向外側以準確的2次曲線降低。但是，在多模光纖中，如圖19B所示，有中央部分出現(xiàn)折射率低的“凹處”部分的情況。因此，入射的光的幾個模式分散，各種信號彼此干擾，產(chǎn)生了上述的現(xiàn)象，所以成為這樣。在這里，圖19A和B是在芯線中央部具有特別低的折射率的多模光纖的折射率分布圖，橫軸表示距芯線中心軸的距離，縱軸表示折射率。
這種折射率分布有與傳送性能的劣化有關的問題。通常多模光纖用于幾百Mb/s以下的光傳送，另外，在光傳送時所用的光源多為LED，所以不會有大的問題。但是，最近產(chǎn)生了將已經(jīng)鋪設的多模光纖用于Gb/s等級的非常高速的光傳送的需要。因此，使用具有圖19所示的折射率分布的光纖，有如何抑制傳送劣化的問題。
在圖19B所示的折射率分布的多模光纖中，由于芯線中心部的折射率小，所以在芯線中心部傳送的光比在芯線外周部傳送的光快。因此，若傳送光脈沖，則因在芯線中心部行進的光和在芯線外圍部行進的光的延遲差，脈沖分散了。將引起這種分散的延遲稱作DMD(Differential ModeDelay/異模延遲)。這種現(xiàn)象容易在光纖芯線的中心部集中了平行度高的光的情況下產(chǎn)生。
光收發(fā)器即使在傳送速度相同的情況下，也存在根據(jù)適合的光纖的種類和光源的波長而不同的結構。在用多模光纖進行Gb/s等級的光傳送的情況下，在元件的響應速度方面，LD比LED有利。另外，長波長(1300nm頻帶)LD比短波長(例如波長850nm頻帶)的LD在分散方面有利，容易擴展傳送距離。
但是，若使用特別長波長的LD，則由于輸出光容易在平行度高的狀態(tài)下入射到多模光纖的芯線中心部，所以抑制多模光纖的DMD是重要的。
圖1A是表示本實施方式的光連接器10的剖面圖。
在這里，說明FC型光連接器的例子。其使一對光纖固定器具3、3’彼此對接。該光纖固定器具3、3’由(a)具有插入固定光纖11、11’的軸孔1a、1a，的套圈1、1’、(b)具有嵌合套圈1、1’的凹部2a、2a’和與上述凹部2a、2a’連通且與所述套圈1、1’的軸孔1a、1a’同軸的貫通孔2b、2b，的套圈支撐體2、2’構成。通過將光纖11、11’插入到套圈1、1’的軸孔1a、1a，中，并將粘接劑3填充到套圈支撐體2、2’的貫通孔2b、2b’中，從而固定光纖11、11’。
通過彎曲的套管(sleeve)14來保持一對套圈1、1’。在套管14的外周配置兩端配設有螺絲部的管接頭聯(lián)軸器(adapter coupling)15。將聯(lián)軸器螺母16螺合到管接頭聯(lián)軸器15的兩端的各螺絲部上。在各管接頭聯(lián)軸器16內(nèi)配置有套圈支撐體2，在聯(lián)軸器螺母16的內(nèi)部和套圈支撐體2的凸緣狀突起之間配設有螺絲17。通過配設在各聯(lián)軸器螺母16和套圈支撐體2之間的螺絲17的擠壓力，使光纖固定器具3、3’的套圈1、1’前端彼此對接。由此，光學連接了各個光纖11、11’。
圖1B表示光纖11和光纖11’對接的部分的放大圖。在這里，說明光纖11是單模光纖、光纖11’是多模光纖的情況。入射側的套圈1在其外周部的大致中心位置上具有軸孔1a，在軸孔1a上粘接固定著單模光纖11。另一方面，出射側套圈1’在與其外圍部的中心偏芯的位置上設置軸孔1a’，并在該軸孔1a’上粘接固定著多模光纖11’。單模光纖11的芯線的中心11b和多模光纖11’的芯線的中心11b’彼此偏移了δ。另外，也可代替套圈1’的軸孔1a’，而使套圈1的軸孔1a偏芯。進一步，也可使套圈1的軸孔1a和套圈1’的軸孔1a’兩者偏芯不同的量。
另外，如圖1A所示，套管14大致為圓筒狀，套管14的內(nèi)孔14a在大致中央部14b中彎曲。因此，如圖1B所示，通過套管(圖中未示)，套圈1和套圈1’彼此傾斜地對接。因此，光纖11的芯線的中心軸相對光纖11’的芯線的中心軸傾斜。即，從光纖11向光纖11’入射的光束相對光纖11’的光軸傾斜行進。
這樣，在本實施方式中，單模光纖11的芯線的中心和多模光纖11’的芯線的中心彼此偏移，而且，從單模光纖11出射的光束相對多模光纖的光軸傾斜地入射。因此，從多模光纖11射出的光避開多模光纖11’的中央部分的折射率低的“凹處”部分傾斜入射。因此，可以有效抑制多模光纖11’的DMD的產(chǎn)生。即，很難產(chǎn)生模式的異常分散，可以沒有信號干擾地高效傳送。
圖2是表示在光入射到多模光纖11’的情況下的入射方向的示意圖。將連接光束的入射位置18a和芯線的中心位置11b’的方向設為X軸，將光纖11’的軸方向設為Z軸，將與X軸和Z軸成直角的方向設為Y軸。另外，將光束的入射位置18a和芯線的中心位置11b’間的距離設為δ，將使Y軸沿X軸方向偏移了δ的軸設為Y’軸，將Z軸沿X軸方向偏移了δ的軸設為Z’軸。
在本實施方式的光連接器10中，最好使光纖11的芯線的中心位置11b相對光纖11’的芯線的中心11b’的偏芯δ處于10～25μm的范圍內(nèi)。若偏芯量δ未超過10μm，則不能發(fā)揮偏芯效果，光入射到了多模光纖11’的中央部分的折射率低的“凹處”部分，產(chǎn)生了模式的異常分散。另一方面，若偏芯量δ超過25μm，則由于多模光纖11’的芯線直徑為50μm或62.5μm，所以入射的光避開了芯線部分，不能適當傳送光。通過將偏芯量δ調(diào)整為15～20μm而得到了期望的效果。
另外，來自光纖11的入射光束18相對光纖11’的軸心具有的角度φ最好在3～25度的范圍內(nèi)。若角度φ沒有達到3度，則不能發(fā)揮偏移角度的效果，光入射到了多模光纖11’的中央部分的折射率低的“凹處”部分，發(fā)生了模式的異常分散。另一方面，若角度φ超過了25度，則入射角度過大，特意入射到芯線部的光逃到包層部中，不能適當傳送光。若將角度φ調(diào)整為5～15度，可以得到更好的效果。
進一步，如圖2所示，來自光纖11的入射光束18最好在Y’軸和Z’軸所成的面內(nèi)行進。
由此，與使多模光纖11的芯線的中心位置11b僅相對地偏芯δ，且使來自多模光纖11的入射光束18傾斜角度φ來入射的情況相結合，如圖3所示，入射到漸變折射率型多模光纖的芯線11a’中的光可以按螺旋狀傳送。由此，避開了多模光纖11’的中央部分的折射率低的凹處部分來傳送光信號。因此，可以進一步抑制模式的異常分散的產(chǎn)生，可以長距離(例如，550m以上)地傳送高速度信號。
在本實施方式的光連接器中，通過由彎曲的套管來接合一對套圈，使至少一個套圈的軸孔偏芯，從而連接各個光纖。由此，可以不用對光纖進行特殊加工就簡單進行上述各個光纖的連接。另外，在上述的說明中，說明了將單模光纖11固定在套圈1的中心，使多模光纖11’與套圈1’的中心偏移固定的結構。但是，只要單模光纖11、多模光纖11’的芯線的中心位置11b、11b’彼此偏移，就可以為任何結構。
套圈1、1’的材質(zhì)可以是氧化鋯、氧化鋁等陶瓷、玻璃、不銹鋼等金屬、LCP、PPS、PES、PEI等塑料、或者這些的混合材質(zhì)。
另外，套管14的結構可以為在縱長方向上有縫的開口套管、也可為沒有縫的精密套管等。套管14的材質(zhì)可以是氧化鋯、磷青銅、塑料等。套管14的加工方法可以為材料的切削、注塑成型等。其中，若是塑料的注塑成型，則可以以較低價制造復雜的形態(tài)，所以特別好。
(實施方式2)在本實施方式中，說明了將本發(fā)明適用于模式調(diào)節(jié)器(modeconditioner)的例子。本實施方式的模式調(diào)節(jié)器的特征在于，具有熔融接合了單模光纖的一端和多模光纖的一端的接合部，在兩者的另一端使用具有光連接器的接插線。并且，使接合部的芯線的中心位置彼此偏芯，且傾斜芯線的中心軸來進行熔融接合。
圖4A是表示本實施方式的模式調(diào)節(jié)器40的結構圖。本實施方式的模式調(diào)節(jié)器40是用于結合到一體型的光收發(fā)器32的接插線型的模式調(diào)節(jié)器40。所謂接插線是指兩端具有光連接器的光纖線。在圖4A的例子中，以接插線連接從LAN設備等傳送設備31到光纖的終端面(轉接面)34的短距離。圖4A所示的雙聯(lián)的模式調(diào)節(jié)器40具有通過兩條接插線來結合雙聯(lián)光連接器44和45之間的結構。在接插線的中間具有光纖線之間的接合部46。光連接器44可自由裝卸地連接在具有激光光源的光收發(fā)器32上。光連接器45可自由裝卸地連接在轉接面(patch panel)34上。傳送用光纖線35可自由裝卸地連接到轉接面34上。
與光收發(fā)器32的光接收器側連接的接插線由多模光纖43構成。另一方面，與光收發(fā)器32的光發(fā)送器側相連的接插線連接單模光纖41和多模光纖42。在光收發(fā)器32側配置單模光纖41。而且，本發(fā)明的模式調(diào)節(jié)器可以只連接導光發(fā)送器32。
并且，單模光纖41和多模光纖42與實施方式1相同地連接著。即，在接合部46中，使各芯線的中心彼此偏芯，且彼此傾斜各芯線的中心軸來熔融接合。由此，從光收發(fā)器32輸入到單模光纖41的光在入射到多模光纖42上時，與多模光纖42的芯線中心偏移，且相對多模光纖的光軸傾斜入射。即，僅對高階模帶條件地入射。因此，光幾乎不入射到芯線中心的低折射率的“凹處”，抑制了模式的異常分散。因此，防止了信號的干擾，可以高效傳送信號。
即使在本實施方式中，也最好使單模光纖41的芯線的中心位置相對多模光纖42的芯線的中心的偏芯δ處于10～25μm，更好處于15～20μm的范圍內(nèi)。另外，來自單模光纖41的入射光束相對多模光纖42的軸心具有的角度φ優(yōu)選處于3～25度的范圍，更好處于5～15度的范圍為。進一步，如圖2所示，優(yōu)選使來自單模光纖41的入射光束在Y’軸和Z’軸所成的面內(nèi)行進。
圖4B是表示處于接插線的中間的連接部46的局部放大剖面圖。作為光接收側的接插線的多模光纖43保持原樣地在連接部46內(nèi)貫通。另一方面，構成光發(fā)送側的接插線的單模光纖41和多模光纖42在接合部46內(nèi)彼此熔融接合。該單模光纖41和多模光纖42的熔融接合部的周邊通過加固部件46b來固定。另外，以連接套管46a覆蓋連接部的整體，而將填充劑46c封入到連接套管46a的內(nèi)部。
在這里，在連接套管46a中，可以使用例如氧化鋁和氧化鋯等陶瓷、不銹鋼等金屬或結晶玻璃等玻璃。但是若是剛性的材料，可以是任何材料。另外，連接套管46a的形狀也可以為任何形狀。但是，若連接套管46a為圓筒形狀，則由于加工容易，所以成本降低了。
加固部件46b保護光纖之間的熔融接合部，所以優(yōu)選剛性高到某種程度。但是，若通過剛性高的加固部件46b來機械固定熔融接合部，則有破壞接合部的危險。因此，最好通過涂敷作為光纖的被覆部件的尼龍66或聚酯彈性體等樹脂來形成加固部件46b。該加固部件46b的形成方法可以使用用于熔融器的市售的重涂器(recorter，リコ—タ—)。因此，可以容易地形成低價且可靠性高的加固部件46b。
填充劑46c固定連接套管46a的內(nèi)周面和加固部件46b的外周面。作為填充劑46c，可以使用環(huán)氧粘接劑、紫外線固化型粘接劑、光效應型粘接劑等粘接劑。作為填充劑46c，最好使用硅粘接劑。
另外，即使所使用的傳送用光纖是圖19B那樣的沒有異常的折射率分布的多模光纖，模式調(diào)節(jié)器40也不會產(chǎn)生任何故障。另外，接收側不需要模式調(diào)節(jié)器。因此，也可如通常的光跨接那樣，以一條多模光纖43構成接收側的接插線，在其兩端連接光連接器44、45。另外，作為接收側的接插線，可以使用在接合部46中不使芯線彼此偏移地熔融多模光纖43的接插線。
(實施方式3)在本實施方式中，說明將本發(fā)明適用于帶模式調(diào)節(jié)器的光發(fā)送器的例子。本實施方式的光發(fā)送器在激光二極管的光軸上配置開口套管，在該開口套管的光入射側插入具有單模光纖的光纖頭，在光出射側插入具有光纖的插塞套圈。光纖頭和插塞套圈可在相對的端面上對接。連接光纖頭內(nèi)的單模光纖和插塞套圈內(nèi)的任意光纖，以使其各自的芯線中心位置相對偏移，各個光軸彼此傾斜。
圖5A是表示本發(fā)明的光發(fā)送器的剖面圖。圖5A的光發(fā)送器具有激光二極管51，與具有多模光纖56的插塞套圈55相連并進行光傳送。光發(fā)送器50由收納半導體激光器51的半導體激光單元61和插入插塞套圈55的光插孔(receptacle)64構成。光插孔64備有金屬保持器63、在貫通孔內(nèi)具有單模光纖53的光纖頭52和開口套管54。光纖頭52將其后端側嵌入到金屬保持器63的貫通孔內(nèi)，在此入射半導體激光器51的發(fā)射光。在光纖頭52的前端側嵌入有插入插塞套圈55用的開口套管54。研磨加工光纖頭52的兩個端面。另外，光纖頭52最好由氧化鋯陶瓷構成。另外，開口套管54也優(yōu)選由氧化鋯陶瓷構成。
將開口套管54配置在激光二極管1的光軸61上。插入到開口套管54的入射側的光纖頭52與從開口套管54的出射側插入的插塞套圈55對接。由此，光學連接光纖頭52內(nèi)的單模光纖53和插塞套圈55內(nèi)的多模光纖56，將激光二極管51的發(fā)光入射到多模光纖56中。即，來自激光二極管51的光在輸入到多模光纖56之前，通過氧化鋯陶瓷制的光纖頭52。這時，使單模光纖53的芯線的中心與多模光纖56的芯線的中心彼此偏移。并且，進行連接，以便單模光纖53的光軸相對多模光纖56的光軸傾斜。
圖5B是表示圖5A所示的光發(fā)送器的光纖彼此的結合部的局部放大圖。如圖5B所示，光纖頭52的貫通孔52a在與插塞套圈55的邊界部分擴展。在該貫通孔擴展的部分52ab中，邊彎曲單模光纖53，邊使粘接劑59固化。若將插塞套圈55對接到這種光纖頭52，則單模光纖的芯線53a的中心與多模光纖56a的中心彼此偏移。另外，單模光纖53的光軸相對多模光纖56的光軸傾斜。例如，單模光纖53的芯線的中心距多模光纖56的芯線的中心約偏移20μm，且彎曲單模光纖53的前端，以便從單模光纖53出射的光相對多模光纖56的光軸傾斜大致10度入射。由此，通過單模光纖53的芯線的發(fā)送光與多模光纖56的光軸偏移約20μm，且大致傾斜10度入射。因此，光不進入到多模光纖56的中心部的低折射率的部分，或即便進入也為很少的量，故可以避免由DMD引起的頻帶劣化造成的傳送特性劣化。即，如圖3所示，在漸變折射率型多模光纖的芯線內(nèi)按螺旋狀來傳送光信號，避開多模光纖的中央部分的折射率低的凹處部分來傳送光。因此，可以抑制模式的異常分散，可以防止信號的干擾。由此，可以進行高速度、且長距離(例如550m以上)的光傳送。
另外，可以低成本地實現(xiàn)使用了多模光纖56的高速光數(shù)據(jù)傳送系統(tǒng)。而且，該模式調(diào)節(jié)器也可用于使用了圖19B所示的不具有異常的折射率分布的多模光纖的傳送用光纖。另外，如本實施方式，若是帶模式調(diào)節(jié)器的光發(fā)送器，則與如實施方式2那樣的接插線式的模式調(diào)節(jié)器相比有如下的優(yōu)點。即，若是本實施方式的帶模式調(diào)節(jié)器的光發(fā)送器，則不需要偏移芯線的中心來熔融連接單模光纖和多模光纖的難的操作。另外，在熔融了光纖的原始線之后，也不需要成纜機(cabler)等加固材料，或覆蓋連接部分的操作。進一步，由于也不需要與通常的接插線相區(qū)別地管理特殊的接插線，所以系統(tǒng)構筑進一步變得容易。
另外，在本實施方式中，優(yōu)選使單模光纖53的芯線的中心位置相對多模光纖56的芯線的中心的偏芯δ處于5～30μm，更好處于10～25μm的范圍內(nèi)，進一步更好處于15～20μm的范圍內(nèi)。另外，來自單模光纖53的入射光束相對多模光纖56的軸心具有的角度φ優(yōu)選處于3～25度的范圍，更好處于5～15度的范圍為。進一步，如圖2所示，來自單模光纖的入射光束最好在Y’軸和Z’軸所成的面內(nèi)行進。
光纖頭52和插塞套圈55的材質(zhì)可以是氧化鋯、氧化鋁等陶瓷、玻璃、不銹鋼等金屬、LCP、PPS、PES、PEI等塑料、或者這些的混合材質(zhì)。另外，開口套管54的結構不僅是在縱長方向上有縫的套管、也可以是沒有縫的精密套管等。開口套管54的材質(zhì)可以是氧化鋯、磷青銅、塑料等。開口套管54的加工方法可以是材料的切削，也可以是用于塑料的注塑成型等。其中，若是注塑成型，則可以比較低價地制造復雜的形狀，所以特別好。
下面，說明單模光纖53和多模光纖56的連接方法的變化。
圖6表示僅單模光纖53的芯線53a在端面57附近彎曲的例子。這種單模光纖53可通過例如預先在包層53b的外周大的狀態(tài)下制造了光纖后，邊彎曲光纖的前端，邊研磨或蝕刻包層53b的外周來進行制造。另外，圖7表示單模光纖53的芯線53a的整體在包層53b的外周上不怎么傾斜地形成的例子。這種單模光纖53也可在預先制造了包層53b外周大的光纖后，通過研磨或蝕刻來進行制造。
圖8是光纖頭52的端面57附近的內(nèi)孔52a彎曲的情況。若例如如下這樣，可以形成這種彎曲的內(nèi)孔52a。首先，使用YAG激光加工設備從光纖頭52的入射側的端面沿著軸心挖掘內(nèi)孔，在貫通另一個端面之前停止。并且，從光纖頭52的出射側的端面開始，以偏移軸心的位置為始點，向軸心傾斜開孔，而與之前開的內(nèi)孔連通。
圖9通過使光纖頭52本身相對插塞套圈55傾斜，而使單模光纖53的芯線中心和多模光纖56的芯線中心偏移。另外，也可使插塞套圈相對光纖頭52傾斜。
圖10是切斷光纖頭52來進行二分割的例子。并且在入射側的光纖頭52，中沿軸心形成內(nèi)孔，在出射側的光纖頭52”中傾斜于軸心形成內(nèi)孔。另外，在這里，在入射側的光纖頭52’和出射側的光纖頭52”之間的空間部分中使單模光纖53筆直。但是，在有由部件的熱膨脹引起的光纖53的破裂的危險的情況下，可以使該部分的光纖彎曲。
(實施方式4)在本實施方式中，說明在實施方式3中所說明的帶模式調(diào)節(jié)器的光發(fā)送器中、在單模光纖上設置了抑制包層模式光的機構的例子。
通過設置包層模式光的去除機構，可以提高CPR(Coupled PowerRation/結合能量比)。在這里，所謂CPR是指在圖5A所示的光發(fā)送器上插入了具有多模光纖的插塞套圈55時與在同一光發(fā)送器上插入了具有單模光纖的插塞套圈55時的光輸出的差。CPR是判斷光是否充分避開多模光纖56的中心入射的參考值。
為了使用如特開2000-147334號公報中公開的光發(fā)送器來滿足IEEE的千兆位以太網(wǎng)(注冊商標)的CPR標準，通過測量明白必須變長(例如，2cm以上)偏芯單模光纖的長度(＝光纖頭的長度)。若光纖頭的長度短，則入射到偏芯單模光纖的包層的光不會衰減，而結合到多模光纖中，并結合到多模光纖的中心附近。但是，千兆以太網(wǎng)(注冊商標)用光收發(fā)器的基板長度僅為2～3cm左右，在該基板上安裝光纖頭長的光發(fā)送器是困難的。
但是，在實施方式3所示的光發(fā)送器中，通過在單模光纖53的包層53b上具有包層模式光的去除機構，而使入射到包層3b的光信號衰減，可以防止入射到多模光纖56中。因此，即使不變長光纖頭，也可改善CPR。
作為包層模式光去除機構，可以使用下面所說明的各種結構。
圖11所示的單模光纖53，外側包層53d比內(nèi)側包層53c的折射率大。另外，在高折射率包層部分53d的至少一部分上具有含有了使光信號衰減的摻雜物(dopant)的光衰減性摻雜物區(qū)域。
如圖11所示，單模光纖53由傳送光的芯線53a、內(nèi)側包層53c和作為包層模式的吸收部分的外側包層53d構成。具體的，例如可以為如下的結構。在芯線53a中，為了與包層53b取得折射率差，在石英玻璃上例如摻雜GeO2。單模光纖53的芯線直徑為8μm，芯線53a和內(nèi)側包層53c的相對折射率差例如為1.3％。這時，截斷波長約為1.1μm。進一步，在芯線53a中摻雜Co(鈷)，使得光信號的強度進一步衰減。調(diào)節(jié)Co的含有量，以使光纖長度為22.4mm，波長為1.31μm的光衰減量為30dB。內(nèi)側包層53c由純石英玻璃來制作，外徑例如約為40μm。外側包層53d與芯線53a同樣摻雜GeO2，從內(nèi)側向直徑方向使GeO2濃度平穩(wěn)增加，使得外周附近的濃度在相對折射率差為0.15％下大致恒定。外徑與標準的光纖相同，為125μm。雖然外側包層53d與芯線的相對折射率差是內(nèi)側包層53c和芯線的相對折射率差的一半左右，但是由于與芯線53a充分分離，所以不會對在芯線53a中傳送的光信號有影響。
作為包層模式光的去除機構，圖12的單模光纖53在單模光纖53的外側包層53d和內(nèi)側包層53c之間具有與包層53a有相同折射率的中間包層53e。外側包層53d和內(nèi)側包層53c都可以是一般包層的折射率。
具體的，例如可以為以下的結構。在芯線53a上，為了與包層53b取得折射率差，而向石英玻璃摻雜GeO2。設芯線53a和內(nèi)側包層53c的相對折射率差為0.3％，芯線53a的直徑為8μm。截斷波長為約1.1μm。使內(nèi)側包層53c含有V(釩)，以便衰減光信號的強度。調(diào)節(jié)V的含有量，使得光纖長度22.4mm、波長1.31μm的光衰減量為20dB。內(nèi)側包層53c和外側包層53d由純石英玻璃來制作，內(nèi)側包層53c的外徑約為75μm，外側包層53d的外徑與標準的光纖相同，為125μm。在作為去除包層模式光的機構而作用的中間包層53e上，與芯線53a相同地摻雜GeO2，使得內(nèi)側包層53c或外側包層53d的相對折射率差為0.3％，大致恒定。中間包層3e的外徑為100μm。由此，包層模式光掉到中間包層53e中。
圖13的單模光纖53在外側包層53d和內(nèi)側包層53c之間具有比外側的包層53d和內(nèi)側的包層53c折射率都小的中間包層53f。該中間包層53f為包層模式光的區(qū)域機構。
具體的，例如為下面的結構。在芯線53a上為了取得與內(nèi)側包層53c的折射率差，向石英玻璃摻雜GeO2來作為摻雜物。設芯線直徑為8μm，芯線53a和內(nèi)側包層53c的相對折射率差為0.3％。這時的截斷波長約為1.1μm，內(nèi)側包層53c是包層模式的捕捉部，大致均勻地摻雜Co來作為摻雜物，其外徑約為40μm。外徑包層53d由純石英玻璃來制作，其外徑與標準的光纖相同，為125μm。低折射率部53f是內(nèi)側包層53c的外側，是在外側包層53d的內(nèi)側以寬度15μm一樣地摻雜了F(氟)的層。F的濃度在相對折射率為-0.15％下大致恒定。由于低折射率部53f與芯線53a分離，所以幾乎對在芯線53a中傳送的光信號沒有影響。進入到內(nèi)側包層53c的光信號密封在內(nèi)側包層53c內(nèi)。
圖14的單模光纖53在圖13的單模光纖中具有光衰減性摻雜物區(qū)域53g。光衰減性摻雜物區(qū)域53g是摻雜了例如Co(鈷)的區(qū)域，是內(nèi)側包層53c的與芯線53a相接的區(qū)域。另外，在內(nèi)側包層53c的區(qū)域內(nèi)，摻雜了Co的區(qū)域和沒有摻雜Co的區(qū)域在折射率分布上幾乎沒有差別。如圖14所示，折射率分布中，芯線53a的部分的折射率最大。中間包層53f(低折射率區(qū)域)的折射率比內(nèi)側包層53c小。因此，進入到內(nèi)側包層53c的光信號被封入到包含光衰減性摻雜物區(qū)域53g的內(nèi)側包層53c內(nèi)，同時，通過光衰減性摻雜物區(qū)域53g來衰減。由于可以減小摻雜物的摻雜區(qū)域，所以可以低價制造。
另外，若將設置了這種包層模式光去除機構的單模光纖用作光纖頭，則還可連接光纖頭52內(nèi)的單模光纖53和插塞套圈55內(nèi)的多模光纖56，使其彼此光軸平行。例如，如圖15或圖16所示，光纖頭52的內(nèi)部的單模光纖的芯線53a的中心處于與多模光纖56的芯線56a的中心偏移了5～30μm的位置。但是，光纖頭52內(nèi)的單模光纖53和插塞套圈55內(nèi)的多模光纖56彼此光軸平行。如圖15所示，可以使光纖頭52的貫通孔偏芯，也可如圖16所示，使用芯線偏芯了的單模光纖53。通過使處于光纖頭52的內(nèi)部的單模光纖53的芯線的中心與插塞套圈55的內(nèi)部具有的多模光纖56的芯線的中心偏移，從而通過了光纖頭52內(nèi)的單模光纖53的芯線的發(fā)送光入射到與多模光纖56的中心偏移的位置上。因此，光不進入到多模光纖56的中心部的低折射率的部分，或即便進入也為很少的量，故可以某種程度地抑制由DMD引起的頻帶劣化造成的傳送特性劣化。并且，通過在單模光纖的包層53b上具有包層模式光的去除機構，從而可以衰減入射到包層53b的光信號，幾乎不會入射到多模光纖56，可以改善CPR。
<實施例>
(實施例1)使用圖1所示的光連接器來進行下面的試驗。
使氧化鋯陶瓷制的套圈外徑D＝直徑2.5mm、長度L＝10.5mm、貫通孔d＝直徑0.126mm來制作。在入射側的套圈1上粘接固定單模光纖11，在出射側套圈1’上粘接固定多模光纖11’。并且，在使光纖的中心位置11b、11b’彼此偏移δ，光纖的光軸彼此傾斜了角度φ的狀態(tài)下連接各個光纖的端面。在這里，偏芯量δ在實施例中設為5、9、10、15、20、25、30μm，比較例為0μm。另外，傾斜角度φ作為實施例，設為2、3、10、20、25、26度，作為比較例設為0度。通過各組合，使光纖的長度為50m，同時測量傳送距離。這里使用的多模光纖是Lucent技術公司的型號1960A，芯線直徑為62.5μm，包層直徑為125μm。
如圖17所示，從收發(fā)器71的E/O轉換器72出射光信號，使得波長為1310nm，傳送速度為10Gbit/秒，并與單模光纖11相連，經(jīng)本發(fā)明的光連接器10連接到被測量用的多模光纖11’上。多模光纖11’傳送來的光經(jīng)過普通的光連接器73而由接收器74的O/E轉換器75來接收，轉換為電信號后，確認是否傳送了正確的信號。下表1表示記載了傳送過正確信號的最大長度的結果。
在偏芯量δ為0μm(比較例)中任無論哪個角度φ傳送距離都為0m。另外，在角度φ為0度(比較例)中傳送距離都不能達到100m。與其相比，在本發(fā)明的實施例中，可以得到100m以上的傳送距離。進一步，在偏芯量δ為10～25μm的范圍內(nèi)且角度φ為3～25度的范圍內(nèi)傳送距離為550m以上，為好的值。尤其，在偏芯量δ為15～20μm、角度為5～15度的范圍內(nèi)為750m，可以得到高傳送距離。
從上可以看出通過使光纖的芯線的中心相對偏移，且通過傾斜從一個光纖向另一個光纖入射的光束，高效傳送了信號。
表1單位(m)

注*是比較例；虛線框內(nèi)是本發(fā)明的較好范圍內(nèi)的實施例；雙重框內(nèi)是本發(fā)明的最佳范圍內(nèi)的實施例。
(實施例2)如下這樣制作圖4A和圖4B所示的模式調(diào)節(jié)器40。光連接器41、45為SC型連接器。接合部46的連接套管46a由不銹鋼制成圓筒形。另外，加固部件46b使用了涂敷后的聚酯彈性體。填充劑46c使用硅樹脂。
粘接固定單模光纖41和多模光纖42。這時，單模光纖41和多模光纖的芯線的偏芯量δ、傾斜角度φ與實施例1完全相同。另外，單模光纖41和多模光纖42使用了與實施例1相同的光纖。
如圖18所示，從LAN設備81的光收發(fā)器82出射光信號，以使其波長為1310nm，傳送速度為10Gbit/秒，連接到單模光纖41，并經(jīng)本發(fā)明的模式調(diào)節(jié)器40連接到被測量用的多模光纖42上。多模光纖42傳送來的光經(jīng)光連接器45、83由接收器84的O/E轉換器85接收，轉換為電信號后，確認是否傳送了正確的信號。
傳送了正確的信號的最大長度與實施例1相同。
(實施例3)如下這樣來制作圖5A所示的光發(fā)送器。
光纖頭52的單模光纖53的芯線中心從插塞套圈55的內(nèi)部具有的多模光纖53的芯線的中心開始沿20μm的方向偏移。另外，使從單模光纖53入射的光束的方向相對多模光纖55的光軸傾斜10度。另外，研磨加工氧化鋯陶瓷制的光纖頭52的兩個端面，通過同樣為氧化鋯陶瓷的開口套管4而與插塞套圈55對接。
另外，作為其他實施例，還在單模光纖53上制作形成了圖11所示的包層模式光去除機構的光發(fā)送器。即，單模光纖53的外側的包層53d折射率比內(nèi)側包層53c大，在該高折射率的外側包層53d的至少一部分上含有使光信號衰減的摻雜物。在芯線53a上，為了與包層53b取得折射率差，在石英玻璃中摻雜GeO2。設芯線53a的直徑為8μm，芯線53a和包層53b的相對折射率差為0.3％。截斷波長約為1.1μm。在包層53d中摻雜Co(鈷)，使得光信號的強度進一步衰減。
另外，作為比較例，還制作了如圖15所示，連接單模光纖53和多模光纖56的光連接器，以使得芯線中心彼此偏移20μm，且光軸彼此平行。
任何一種情況下，單模光纖53使用通常市售的CORNING公司的SMF-20T，多模光纖56使用Lucent技術公司的型號1960A(芯線直徑為62.5μm，包層直徑為125μm)。
從激光二極管51出射光信號，以使得波長為1310nm，傳送速度為1Gbit/秒，接收多模光纖56傳送來的光，轉換為電信號后，測量傳送了正確的信號的傳送距離，下表2表示該結果。
相對于比較例中、傳送距離縮短到25m，在使光軸傾斜的實施例中，傳送距離延長到305m。進一步，在使用了包層模式光去除機構的例子中，傳送距離為510m，可以大幅度改善傳送距離。這樣，根據(jù)本發(fā)明，可以提供削減DMD，且改善CPR的光發(fā)送器。
表2


(參考例)作為參考例，準備具有圖11和圖13所示的包層模式去除機構的單模光纖，作為比較例使用現(xiàn)有技術的單模光纖，生成了帶模式調(diào)節(jié)器的發(fā)送器。
如下這樣做成具有圖11所示的包層模式光去除機構的單模光纖。在由芯線53a、內(nèi)側包層53c、作為包層模式的吸收部分的外側包層53d構成的芯線53a上，為了與包層53b取得折射率差，在石英玻璃中摻雜GeO2。設芯線直徑為8μm，芯線53a和包層53b的相對折射率差為0.3％。截斷波長約為1.1μm。在芯線53a中摻雜Co(鈷)，以使得光信號的強度衰減。
如下這樣做成具有圖13所示的包層模式光去除機構的單模光纖。在單模光纖3的外側的包層53d和內(nèi)側的包層53c之間形成折射率比外側的包層53d和內(nèi)側的包層53c都小的中間包層53f。在芯線53a上為了與內(nèi)側包層53c取得折射率差，在石英玻璃中摻雜GeO2來作為摻雜層。設芯線直徑為8μm，芯線53a和內(nèi)側包層53c的相對折射率差為0.3％。這時的截斷波長約為1.1μm。內(nèi)側包層53c為包層模式的捕捉部，大致均勻地摻雜Co來作為摻雜物，設其外徑為40μm。外徑包層53d由純石英玻璃制成，設其外徑與標準的光纖相同為125μm。中間包層(低折射率部)53f在內(nèi)側包層53c的外側且外側包層53d的內(nèi)側以寬度為15μm來生成。中間包層53f同樣是摻雜了F(氟)的層，其濃度在折射率為-0.15％下大致恒定。
另外，比較例的單模光纖使用了通常市售的CORNING公司的SMF-20T。
光發(fā)送器做成了圖5A所示的結構。單模光纖53和多模光纖56的芯線中心彼此偏移20μm。但是，各個光纖彼此平行。這里使用的多模光纖56芯線直徑為62.5μm，包層直徑為125μm。
測量方法是從激光二極管1出射光信號，使得波長為1310nm，傳送速度為1Gbit/秒，接收經(jīng)單模光纖53傳送到多模光纖56的光，并轉換為電信號后，測量了傳送了正確的信號的傳送距離。表3表示其結果。
表3


相對比較例中、傳送距離縮短為25m，在形成了圖11所示的包層模式去除機構的例子中，傳送距離為310m。另外，在形成了圖13所示的包層模式光去除機構的例子中，傳送距離為330m，可以大幅度改善傳送距離。
權利要求
1.一種光纖連接體，其中包括具有芯線和包層的第一光纖；第二光纖，其具有芯線和包層，且其端面與所述第一光纖的端面光學連接，其特征在于，在所述第一光纖和所述第二光纖的界面中，所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心彼此偏移；而且，從所述第一光纖向所述第二光纖入射的光束相對所述第二光纖的中心軸傾斜。
2.一種光連接器，用于形成權利要求1所述的光纖連接體，其特征在于，包括固定所述第一光纖的第一固定部件；固定所述第二光纖的第二固定部件；連接所述第一固定部件和所述第二固定部件，以便在所述第一光纖和所述第二光纖的界面中，所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心彼此偏移，且從所述第一光纖向所述第二光纖入射的光纖相對所述第二光纖的中心軸傾斜。
3.根據(jù)權利要求2所述的光連接器，其特征在于，所述第一光纖是單模光纖，所述第二光纖是多模光纖；連接所述第一固定部件和所述第二固定部件，以便所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心的距離為10～25μm，從所述第一光纖向所述第二光纖入射的光束相對所述第二光纖的中心軸傾斜3～25度。
4.根據(jù)權利要求2所述的光連接器，其特征在于，設連接所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心的方向為X軸，所述第二光纖的中心軸方向為Z軸，與所述X軸和Z軸成直角的方向為Y軸；設所述Y軸沿所述X方向偏移了所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心間的距離δ的軸為Y’軸，所述Z軸沿所述X方向偏移了所述距離δ的軸為Z’軸，所述光束位于Y’軸和Z’軸所成的面內(nèi)。
5.根據(jù)權利要求2所述的光連接器，其特征在于，所述第一固定部件具有保持所述第一光纖的第一套圈，所述第二固定部件具有保持所述第二光纖的第二套圈；所述第一套圈或第二套圈的至少一個在與其中心軸偏移的位置上保持光纖；將所述第一套圈和所述第二套圈插入到彎曲的圓筒狀套管上。
6.一種模式調(diào)節(jié)器，其中具有權利要求1所述的光纖連接體，其特征在于，所述第一光纖是單模光纖；所述第二光纖是多模光纖。
7.根據(jù)權利要求6所述的模式調(diào)節(jié)器，其特征在于，具有與所述光纖連接體并行的多模光纖。
8.根據(jù)權利要求6所述的模式調(diào)節(jié)器，其特征在于，連接所述第一光纖和所述第二光纖，以便所述第一光纖的芯線部的中心和所述第二光纖的芯線部的中心的距離為10～25μm，從所述第一光纖向所述第二光纖入射的光束相對所述第二光纖的中心軸傾斜3～25度。
9.根據(jù)權利要求6所述的模式調(diào)節(jié)器，其特征在于，設連接所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心的方向為X軸，所述第二光纖的中心軸方向為Z軸，與所述X軸和Z軸成直角的方向為Y軸；設所述Y軸沿所述X方向偏移了所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心間的距離δ的軸為Y’軸，所述Z軸沿所述X方向偏移了所述距離δ的軸為Z’軸，所述光束位于Y’軸和Z’軸所成的面內(nèi)。
10.根據(jù)權利要求6所述的模式調(diào)節(jié)器，其特征在于，進一步具備加固部件，其配置在所述第一光纖和所述第二光纖的連接部的外周；連接套管，其覆蓋所述加固部件；和粘接劑，其填充在所述連接套管和所述加固部件的間隙內(nèi)。
11.一種光發(fā)送器，其中具有激光二極管；光纖頭，其在貫通孔內(nèi)保持第一光纖；和套管，其用于從外部插入在貫通孔內(nèi)保持第二光纖的插塞套圈，并嵌入到所述光纖頭中，其特征在于，若插入所述插塞套圈，則光學連接所述光纖頭內(nèi)的第一光纖和所述插塞套圈內(nèi)的第二光纖。
12.根據(jù)權利要求11所述的光發(fā)送器，其特征在于，至少在所述光纖頭的所述插塞套圈側的端面附近，所述第一光纖的芯線部相對包層部傾斜。
13.根據(jù)權利要求11所述的光發(fā)送器，其特征在于，至少在所述光纖頭的所述插塞套圈側的端面附近，使所述光纖頭的貫通孔相對所述光纖頭的中心軸傾斜。
14.根據(jù)權利要求11所述的光發(fā)送器，其特征在于，所述光纖頭的貫通孔的直徑在所述插塞套圈側比所述激光二極管側還大；在所述光纖頭的所述插塞套圈側的貫通孔內(nèi)所述第一光纖彎曲。
15.根據(jù)權利要求11所述的光發(fā)送器，其特征在于，形成為所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心的距離為5～30m，從所述第一光纖向所述第二光纖入射的光束相對所述第二光纖的中心軸傾斜3～25度。
16.根據(jù)權利要求11所述的光發(fā)送器，其特征在于，設連接所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心的方向為X軸，所述第二光纖的中心軸方向為Z軸，與所述X軸和Z軸成直角的方向為Y軸；設所述Y軸沿所述X方向偏移了所述第一光纖的芯線的中心和所述第二光纖的芯線的中心間的距離δ的軸為Y’軸，所述Z軸沿所述X方向偏移了所述距離δ的軸為Z’軸，所述光束位于Y’軸和Z’軸所成的面內(nèi)。
17.根據(jù)權利要求11所述的光發(fā)送器，其特征在于，在所述第一光纖的所述包層上具有包層模式光的去除機構。
18.根據(jù)權利要求17所述的光發(fā)送器，其特征在于，所述第一光纖的包層具有折射率比芯線小的內(nèi)側包層；和位于所述內(nèi)側包層的外側、折射率比所述內(nèi)側包層大的外側包層。
19.根據(jù)權利要求18所述的光發(fā)送器，其特征在于，在所述外側包層的至少一部分上含有衰減光信號的摻雜物。
20.根據(jù)權利要求18所述的光發(fā)送器，其特征在于，所述第一光纖的包層在外側包層和內(nèi)側包層之間具有與所述第一光纖的芯線有相同折射率的中間包層。
21.根據(jù)權利要求18所述的光發(fā)送器，其特征在于，所述第一光纖的包層在外側包層和內(nèi)側包層之間具有折射率比所述內(nèi)側包層小的中間包層。
22.根據(jù)權利要求18所述的光發(fā)送器，其特征在于，在所述內(nèi)側包層的至少與所述芯線接近側的一部分上含有光衰減性摻雜物。
23.根據(jù)權利要求11所述的光發(fā)送器，其特征在于，所述第一光纖是單模光纖，所述第二光纖是多模光纖。
全文摘要
一種光纖連接體，其中包括具有芯線和包層的第一光纖以及具有芯線和包層的第二光纖，其端面光學連接到所述第一光纖的端面。在第一光纖和第二光纖的界面中，第一光纖的芯線的中心和第二光纖的芯線的中心彼此偏移，且使從第一光纖入射到第二光纖的光束相對兩個光軸的中心軸傾斜。
文檔編號G02B6/42GK1727931SQ200510088429
公開日2006年2月1日 申請日期2005年7月28日 優(yōu)先權日2004年7月28日
發(fā)明者小林善宏 申請人:京瓷株式會社