專利名稱：利用發(fā)光二極體為光源的直下式背光模組的結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種背光模組，其尤指一種應(yīng)用發(fā)光二級(jí)體晶片于背光模組的結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
眼睛之所以能看到繽紛五彩的世界，是因?yàn)楣庠丛谄鹱饔?。同樣，筆記本電腦借助LCD來(lái)顯示彩色，無(wú)論是采用超扭曲向列(STN)還是薄膜電晶體(TFT)，都需要白光背光來(lái)照明。因?yàn)榘坠夤庾V包含了所有的顏色，而顯示器的濾色鏡會(huì)從白光光譜中挑選所需的顏色，才最終形成我們眼睛看到的絢麗多彩的逼真畫(huà)面。
目前能夠產(chǎn)生白光光譜的主要有電致發(fā)光(EL)與冷陰極螢光管(CCFT)，而白色LED作為后起之秀，被認(rèn)為是21世紀(jì)最有價(jià)值的新光源。在我們?nèi)粘２捎玫囊苿?dòng)電話中，LED被普遍用來(lái)做光源。而普通筆記本電腦的液晶屏，大都采用CCFT作為背光光源。CCFT亮度很高，但缺點(diǎn)是需要高壓交流電驅(qū)動(dòng)，同時(shí)含有對(duì)環(huán)境健康有害的汞，而且對(duì)電源變壓整流組的要求相對(duì)復(fù)雜，在大尺寸液晶顯示器及液晶電視產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)，更會(huì)面臨大面積背光源的制造困難、外加光學(xué)膜價(jià)格成本昂貴等瓶頸，雖然CCFL具有線型發(fā)光、光源均勻等特點(diǎn)，不過(guò)耗電量高、不環(huán)保為其缺點(diǎn)，相較之下，LED因采單點(diǎn)發(fā)光、耗電量低，再加上壽命長(zhǎng)、短小輕薄、具環(huán)保等優(yōu)勢(shì)，使得目前LED已逐漸取代CCFL大量用于手機(jī)、PDA、數(shù)位相機(jī)、車用面板以及掌上型DVD播放機(jī)等產(chǎn)品，未來(lái)更將逐步朝向LCD監(jiān)視器、NB、液晶電視等領(lǐng)域邁進(jìn)。
節(jié)能是LED技術(shù)最顯著的優(yōu)點(diǎn)，它可比普通白熾燈節(jié)省60％-80％的電能，比日光燈也會(huì)節(jié)約50％。它采用低壓供電方式，因此更安全可靠。
東芝U100在7.2英寸液晶屏上，采用了32個(gè)LED的獨(dú)立控制機(jī)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)背照光系統(tǒng)，可以鮮明而清晰地顯示影像和文字，功率卻僅有1.3W，并可以隨意調(diào)節(jié)。而同等尺寸液晶屏需要的CCFT(Cold Cathode Fluorescent Tube)冷陰極螢光管，耗電要達(dá)2.5W以上。耗電減少也直接延長(zhǎng)了U100的電池續(xù)航時(shí)間，讓移動(dòng)更方便自由。
其次，環(huán)保是LED技術(shù)的獨(dú)特魅力之一。因?yàn)長(zhǎng)ED沒(méi)有采用對(duì)環(huán)境有害的元素汞，而CCFT中是含汞的。眾所周知，汞污染已經(jīng)成為全球性環(huán)境難題。歐盟委員會(huì)發(fā)布公告，提出全面控制汞污染的長(zhǎng)期計(jì)劃，其中包括禁止汞產(chǎn)品的對(duì)外出口。該計(jì)劃指出，汞及其化合物可對(duì)人體健康造成致命損害；即使是較低劑量汞的攝入，也會(huì)給人的神經(jīng)系統(tǒng)帶來(lái)?yè)p害。即使汞從陸地流入到海洋中，也會(huì)逐步沉積到魚(yú)類身上。當(dāng)人食用后汞含量超標(biāo)的魚(yú)類后，也會(huì)對(duì)健康造成永久性傷害。
故，未來(lái)LED將大量使用于背光模組上，由于其省電以及環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)驅(qū)使下，然目前LED應(yīng)用于背光模組時(shí)其數(shù)量較多，由于LED為點(diǎn)光源，為使其成為線或面光源，所以LED于應(yīng)用上數(shù)量上都比較多，本發(fā)明是提供一種背光模組的結(jié)構(gòu)以減少LED使用數(shù)量。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的，在于提供一種利用發(fā)光二極體為光源的直下式背光模組的結(jié)構(gòu)，其是利用至少一發(fā)光二極體晶片為其發(fā)光源(Light Source)，以節(jié)省電源。
本發(fā)明的次要目的，在于提供一種利用發(fā)光二極體為光源的直下式背光模組的結(jié)構(gòu)，于該發(fā)光二極體的一出射面的上方設(shè)置一遮蔽層，以使該發(fā)光二極體的光源的正面發(fā)光光線由于該遮蔽層而產(chǎn)生光繞射，而使該發(fā)光二極體的點(diǎn)光源成為面光源，以減少使用于背光模組的發(fā)光二極體的數(shù)量。
圖1其為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖號(hào)說(shuō)明1背光模組10發(fā)光二極體12遮蔽層
20光擴(kuò)散板30反射片實(shí)施方式茲為使貴審查員對(duì)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí)，謹(jǐn)佐以較佳的實(shí)施例及配合詳細(xì)的說(shuō)明，說(shuō)明如后本發(fā)明是應(yīng)用發(fā)光二極體的點(diǎn)亮的速度非?？?，不像冷陰極管啟動(dòng)時(shí)須要一段暖燈時(shí)間，且無(wú)環(huán)保的問(wèn)題，而使用于背光模組，再透過(guò)一種新穎的發(fā)光二極體結(jié)構(gòu)以使其成為面光源，以減少發(fā)光二極體的使用數(shù)量，以節(jié)省成本及電源。
本發(fā)明可用于以下的表面粘著型(SMD)發(fā)光二極體、燈泡型(Lamp)發(fā)光二極體以及印刷電路板型(PCB)發(fā)光二極體，本發(fā)明并不拘限于前述提及的封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體，是可適用于各類型封裝結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極體，底下是以一表面粘著型(SMD)發(fā)光二極體為例作一說(shuō)明。
請(qǐng)參閱圖1，其為本發(fā)明的一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；如圖所示，本發(fā)明是提供一種利用發(fā)光二極體為光源的直下式背光模組的結(jié)構(gòu)，背光模組1其主要結(jié)構(gòu)包括一發(fā)光二極體10以及一光擴(kuò)散版20，其中該發(fā)光二極體10的一出射面的上方設(shè)置一遮蔽層12，透過(guò)該遮蔽層12使該發(fā)光二極體10的光線受到遮蔽而于側(cè)邊產(chǎn)生光繞射，造成該發(fā)光二極體10的側(cè)邊每一點(diǎn)都為發(fā)光光源，由于產(chǎn)生光繞射使得習(xí)知技術(shù)的發(fā)光二極體的點(diǎn)光源變成面光源。
再者，本發(fā)明的背光模組可進(jìn)一步包含一反射片，以增加光的利用率，由于該遮蔽層12位于該發(fā)二極體的主要光線的出射面，所以該遮蔽層12的材質(zhì)必須使用低光吸收率的材質(zhì)，如此才不致于損耗光能量，亦即可產(chǎn)生全反射的材質(zhì)，本發(fā)明是使用導(dǎo)電材料，例如金、銀、銅、鋁或其合金或其上述的任意組合的復(fù)合物。
又，本發(fā)明的該遮蔽層12的長(zhǎng)度是可為等于或大于或小于該發(fā)光二極體的出射面的長(zhǎng)度，以成為提供較均勻的光源。
以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用來(lái)限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所述的形狀、構(gòu)造、特征及原理的等變化與修飾，均應(yīng)包含于本發(fā)明的申請(qǐng)專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種利用發(fā)光二極體為光源的直下式背光模組的結(jié)構(gòu)，其主要結(jié)構(gòu)包括至少一發(fā)光二極體，于該發(fā)光二極體的光出射面的上方設(shè)置一遮蔽層；一光擴(kuò)散板，其設(shè)置于該發(fā)光二極體晶片的上方。
2.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其中該遮蔽層的長(zhǎng)度可大于該光出射面。
3.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其中該遮蔽層的長(zhǎng)度可等于該光出射面。
4.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其中該遮蔽層的長(zhǎng)度系小于該光出射面。
5.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光二極體是可采用燈泡型(Lamp)、印刷電路板型(PCB)、正面發(fā)光型、側(cè)面發(fā)光型或表面粘著型(SMD)等封裝結(jié)構(gòu)。
6.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其中該遮蔽層可為一導(dǎo)電材質(zhì)。
7.如申請(qǐng)專利范圍第6項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其中該導(dǎo)電材質(zhì)是選自金、銀、銅、鋁或其合金或其上述的任意組合的復(fù)合物。
8.如申請(qǐng)專利范圍第1項(xiàng)所述的結(jié)構(gòu)，其中該發(fā)光二極體晶片的下方更進(jìn)一步設(shè)置一反射片。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種利用發(fā)光二極體為光源的直下式背光模組的結(jié)構(gòu)，于該發(fā)光二極體的一出射面的上方設(shè)置一遮蔽層，以使該發(fā)光二極體的光源的正面發(fā)光光線由于該遮蔽層而產(chǎn)生光繞射，而使該發(fā)光二極體的點(diǎn)光源成為面光源，以減少使用于背光模組的發(fā)光二極體的數(shù)量。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1912705SQ200510089840
公開(kāi)日2007年2月14日 申請(qǐng)日期2005年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月8日
發(fā)明者黃福國(guó) 申請(qǐng)人:黃福國(guó)