專利名稱：薄膜晶體管陣列基板和液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)、具有大尺寸顯示特征的陣列基板及用于制造該陣列基板和LCD的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)包括下基板、上基板和限定于上基板和下基板之間的液晶(LC)層。像素電極形成在下基板上。上基板可包括公共電極和彩色濾光片層。上基板與下基板組裝在一起來限定LC層以形成LCD面板。LCD通過將電場施加到液晶(LC)層并且通過控制透過該裝置的光強度來顯示圖像。LCD還包括數(shù)據(jù)驅(qū)動電路、柵極驅(qū)動電路和信號控制電路。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器(LCD)，該液晶顯示器具有短的修復(fù)路徑從而修復(fù)區(qū)域不會降低LCD的品質(zhì)。
本發(fā)明還提供了一種運算放大器以防止在修復(fù)LCD時LCD的品質(zhì)下降。
在接下來的描述中將闡述本發(fā)明另外的特點，還有一部分通過描述將是清楚的，或者可以經(jīng)過本發(fā)明的實施而得知。
本發(fā)明公開了一種薄膜晶體管基板，包括像素，包括薄膜晶體管；柵極線，橫向延伸并發(fā)送柵極信號；數(shù)據(jù)線，縱向延伸并發(fā)送數(shù)據(jù)信號；第一存儲電極線，橫向延伸；第二存儲電極線，縱向延伸；第三存儲電極線，將兩個第二存儲電極線連接；和修復(fù)輔助件，在第三存儲電極線與數(shù)據(jù)線交迭的區(qū)域內(nèi)形成；其中，數(shù)據(jù)線位于兩個第二存儲電極線之間。
本發(fā)明還公開了一種液晶顯示器，包括顯示區(qū)域，包括像素柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管；第一存儲電極線，橫向延伸；第二存儲電極線，縱向延伸；第三存儲電極線，將兩個第二存儲電極線連接；修復(fù)輔助件，在數(shù)據(jù)線與第三存儲電極線交迭的區(qū)域內(nèi)形成；修復(fù)線，橫向延伸并與數(shù)據(jù)線交迭。
本發(fā)明還公開了一種用于制造液晶顯示器的方法，包括在顯示區(qū)形成橫向延伸的柵極線；在顯示區(qū)形成橫向延伸的第一存儲電極線；在顯示區(qū)形成縱向延伸的第二存儲電極線；在顯示區(qū)形成將兩個第二存儲電極線連接的第三存儲連接線；在顯示區(qū)形成縱向延伸的數(shù)據(jù)線；在顯示區(qū)形成與柵極線交迭的第一修復(fù)輔助件；在顯示區(qū)外形成修復(fù)線；在顯示區(qū)外形成端線。
本發(fā)明還公開了一種用于制造薄膜晶體管基板的方法，包括形成橫向延伸的柵極線；形成橫向延伸的第一存儲電極線；形成縱向延伸的第二存儲電極線；形成將兩個第二存儲電極線連接的第三存儲電極線；形成縱向延伸的數(shù)據(jù)線；形成與柵極線交迭的第一修復(fù)輔助件。
可以理解前面的總體描述和后面的詳細描述都是示意性的，意在進一步提供如權(quán)利要求所述的對本發(fā)明的解釋。


包含在此的附圖是為了提供對本發(fā)明的進一步解釋，并包含在此組成說明書的一部分，該附圖示出了本發(fā)明的實施例，并與說明書一起解釋本發(fā)明的原理。
圖1示出了本發(fā)明實施例的方框圖。
圖2示出了本發(fā)明實施例的像素區(qū)的等效電路。
圖3示出了本發(fā)明實施例陣列基板的布局圖。
圖4示出了本發(fā)明實施例的公共電極基板的布局圖。
圖5示出了圖3中的陣列基板和圖4中的公共電極基板的組裝布局圖。
圖6示出了圖5中的IV-IV’的剖視圖。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的修復(fù)的例子的平面圖。
圖8示出了本發(fā)明實施例的修復(fù)線結(jié)構(gòu)。
圖9示出了本發(fā)明實施例的修復(fù)的例子。
具體實施例方式
本發(fā)明一個實施例的陣列基板包括像素，包括類似于薄膜晶體管(TFT)的開關(guān)元件；柵極線，橫向延伸；數(shù)據(jù)線，縱向延伸；第一存儲電極線，平行于柵極線延伸；第二存儲電極線，平行于數(shù)據(jù)線延伸；第三存儲電極線，將兩個第二存儲電極線連接；修復(fù)圖案(repairing patter)，形成在數(shù)據(jù)線與第三存儲電極線交叉的區(qū)域內(nèi)，其中，數(shù)據(jù)線位于兩個第二存儲電極線之間。修復(fù)圖案可通過接觸孔與數(shù)據(jù)線連接。第二存儲電極線可與第一存儲電極線連接。
本發(fā)明的另一實施例的LCD包括在上述實施例中描述的陣列基板，其中，該陣列基板還可包括平行于柵極線延伸并與數(shù)據(jù)線交叉的修復(fù)線。該LCD可包括數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路(IC)，其將數(shù)據(jù)信號施加到數(shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)驅(qū)動IC可包括第一運算放大器和第二運算放大器。陣列基板可包括與第一運算放大器或第二運算放大器的輸入端或輸出端連接的端線。端線可形成在與數(shù)據(jù)線相同的層中。修復(fù)線可形成在與柵極線相同的層中。
第一存儲電極線可通過與柵極線交叉的橋圖案(bridge pattern)與第二存儲電極線連接。
如圖1所示，本發(fā)明的實施例的LCD包括LC面板組件300；柵極驅(qū)動器400，與LC面板組件300連接；數(shù)據(jù)驅(qū)動器500，與LC面板組件300連接；信號控制器600，控制柵極驅(qū)動器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500的信號。
如圖2所示，LC面板組件300包括柵極線121、數(shù)據(jù)線171、和由柵極線121和數(shù)據(jù)線171限定的像素。柵極線121橫向延伸。數(shù)據(jù)線171縱向延伸。
每個像素包括類似于薄膜晶體管(TFT)的開關(guān)元件Q和與開關(guān)元件Q連接的LC電容器(CLC)。像素可還包括存儲電容器(CST)。開關(guān)元件Q形成在陣列基板100上。開關(guān)元件Q的一個接線端與柵極線121連接。開關(guān)元件Q的另一接線端與數(shù)據(jù)線171連接。開關(guān)元件的另外的接線端與LC電容器(CLC)和存儲電容器(CST)連接。
LC電容器(CLC)包括兩個接線端和一個介電層。一個接線端是下基板100上的像素電極190。另一接線端是上基板200上的公共電極270。介電層是LC層。像素電極190與開關(guān)元件Q連接。公共電極270形成在大部分上基板200上。公共電壓(Vcom)被施加到公共電極270。公共電極270可形成在下基板100上。在這種情況下，兩個電極190和270中的一個可為線形。
作為LC電容器的輔助電容器的存儲電容器(CST)形成在下基板100上。存儲電容器(CST)包括兩個接線端和一個介電層。一端是像素電極190。另一端是存儲電極。預(yù)定的電壓被施加到存儲電極。預(yù)定的電壓可為公共電壓(Vcom)。存儲電極可為與該像素相鄰的柵極電極線。
像素可顯示紅色、綠色或藍色。像素可依次顯示紅色、綠色和藍色。圖2示出了形成在上基板上并與像素電極190相對的彩色濾光片230。該彩色濾光片230可形成在下基板100上。
偏光器放置在LC面板組件300的一側(cè)?；叶入妷喊l(fā)生器800產(chǎn)生兩組灰度信號。一組灰度信號高于公共電壓，另一組灰度信號低于公共電壓。柵極驅(qū)動器400與LC面板組件的柵極線連接。柵極驅(qū)動器400將柵極信號施加到柵極線。柵極驅(qū)動器400包括多個集成電路(IC)。數(shù)據(jù)驅(qū)動器500與數(shù)據(jù)線連接。數(shù)據(jù)驅(qū)動器500從灰度電壓發(fā)生器800選擇適當(dāng)?shù)男盘?，并將該適當(dāng)?shù)男盘柺┘拥綌?shù)據(jù)線。數(shù)據(jù)驅(qū)動器500包括多個IC。
安裝在帶載封裝(TCP)上的柵極驅(qū)動IC可附在LC面板組件300上。柵極驅(qū)動IC可直接安裝在下基板上。柵極驅(qū)動器400可直接形成在下基板上。
信號控制器600控制柵極驅(qū)動器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500。信號控制器600從圖形控制器接收輸入圖像信號和輸入控制信號。輸入控制信號包括垂直同步信號(Vsync)、水平同步信號(Hsync)、主時鐘信號和數(shù)據(jù)使能信號(DE)。信號控制器600處理圖像信號和控制信號，并產(chǎn)生柵極控制信號和數(shù)據(jù)控制信號。柵極控制信號被發(fā)送到柵極驅(qū)動器400。數(shù)據(jù)控制信號和處理過的圖像信號被發(fā)送到數(shù)據(jù)驅(qū)動器500。
柵極控制信號包括垂直同步信號、柵極時鐘信號和輸出使能信號(OE)。垂直同步信號表示柵極電壓(Von)的起始時間。柵極時鐘信號控制柵極電壓的輸出時間。輸出使能信號(OE)限定柵極電壓的持續(xù)時間。
數(shù)據(jù)控制信號包括水平同步信號、負載信號、反向信號和數(shù)據(jù)時鐘信號。水平同步信號表示視頻信號的起始時間。負載信號表示將視頻信號發(fā)送到每條數(shù)據(jù)線的時間。反向信號表示相對于公共電壓轉(zhuǎn)換視頻信號的極性的時間。數(shù)據(jù)時鐘信號控制數(shù)據(jù)信號的輸出時間。
數(shù)據(jù)驅(qū)動器500從信號控制器600接收視頻數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)驅(qū)動器500從灰度電壓發(fā)生器800選擇與從信號控制器600接收的視頻數(shù)據(jù)相對應(yīng)的適當(dāng)?shù)幕叶入妷?。?shù)據(jù)驅(qū)動器500將該灰度電壓發(fā)送到適當(dāng)?shù)臄?shù)據(jù)線。
柵極驅(qū)動器400從信號控制器600接收柵極控制信號。柵極驅(qū)動器400將柵極信號施加到柵極線。柵極信號使形成在每個像素區(qū)的TFT導(dǎo)通。當(dāng)TFT導(dǎo)通時，數(shù)據(jù)信號被施加到每個像素。
相對于公共電壓，施加到每個像素電極的數(shù)據(jù)電壓產(chǎn)生像素電壓。LC分子根據(jù)該像素電壓而取向。穿過LC層的光的偏振取決于LC分子的取向。放置在基板100和200的表面上的偏振器根據(jù)光的偏振來改變穿過LC面板組件的光的透過率。
當(dāng)完成一行后，數(shù)據(jù)驅(qū)動器500和柵極驅(qū)動器400對該像素的相鄰行重復(fù)相似的操作。在所有視頻信號被施加到整個幀后，新的視頻信號被施加到該幀。在該幀周期內(nèi)施加到每個像素的視頻信號的極性從前一幀周期的極性轉(zhuǎn)換。為了防止顯示品質(zhì)下降，可使用點倒置、行倒置、列倒置、幀倒置或兩點倒置。
以下將結(jié)合圖3、圖4、圖5、圖6和圖7來描述本發(fā)明的實施例。
LCD包括TFT基板100；上基板200，與TFT基板100相對；和LC層3，限定在TFT基板100和上基板200之間。LC層3包括垂直于基板100和200的表面取向的LC分子310。
TFT陣列基板100包括絕緣板110。多條柵極線121形成在絕緣板110上。柵極線121橫向延伸。每條柵極線的一部分形成柵極電極123。柵極電極123可從柵極線121突出。柵極線121可具有接觸區(qū)并可接觸外面的電路，該接觸區(qū)寬于柵極線的其它部分。柵極線121可與形成在陣列基板100上的柵極驅(qū)動電路連接。
存儲電極線131可形成在與柵極線121相同的層上。存儲電極線131具有存儲電極分支133a、133b、133c、133d、133e和133f。第一存儲電極133a和第二存儲電極133b縱向延伸。第三存儲電極133c與水平線成45度延伸。第四存儲電極133d與水平線成-45度延伸。第五存儲電極133e是133c和133d合并的形狀。第六存儲電極133f水平延伸并將第二存儲電極133b與相鄰像素的第一存儲電極133a連接。第一存儲電極133a的一端與存儲電極線131連接。第一存儲電極133a是斷開(open)的并具有突出。
柵極線121和存儲電極線131由金屬如鋁(Al)、鋁合金(Al alloy)、銀(Ag)、銀合金(Ag alloy)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)等制成。柵極線121和存儲電極線131可采用單層或雙層來形成。雙層中的一層可由具有良好的機械耐久性和耐化學(xué)性的材料如Cr、Mo、Ti、Ta等制成。雙層中的另一層可由良好的導(dǎo)電材料如Al、Al alloy等制成。柵極線121和存儲電極線131的兩側(cè)以與絕緣層110的表面成30°～80°的角形成錐形，這樣使得上層更易于流動(run over)。
柵極絕緣層140形成在柵極線121和存儲電極線131上。柵極絕緣層由硅氮化物(SiNX)或硅氧化物(SiOX)制成。多條數(shù)據(jù)線171和多個漏電極175形成在柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171縱向延伸。每個數(shù)據(jù)線171具有多個從數(shù)據(jù)線171延伸并具有朝向漏電極175的盆槽(basin)的源電極173。數(shù)據(jù)線171的一端具有接觸區(qū)179，該接觸區(qū)179寬于數(shù)據(jù)線的其它部分并與外面的電路接觸。
數(shù)據(jù)線171和漏電極175可由金屬如鋁(Al)、鋁合金(Al alloy)、銀(Ag)、銀合金(Ag alloy)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鉬合金(Mo alloy)等制成。數(shù)據(jù)線171和漏電極175可采用上述金屬的多層例如，Mo/Al alloyMo的三層或Cr/Al的雙層來形成。
半導(dǎo)體層151形成在數(shù)據(jù)線171和漏電極175的下面。半導(dǎo)體層向柵極電極延伸并形成TFT的溝道區(qū)。半導(dǎo)體層可由非晶硅制成。歐姆接觸層161形成在數(shù)據(jù)線171和半導(dǎo)體層151之間。歐姆接觸層可減小金屬層和半導(dǎo)體層之間的接觸電阻。歐姆接觸層161可由硅化物或n型非本征非晶硅制成。
數(shù)據(jù)線171、漏電極175、金屬片(piece)172形成在歐姆接觸層161上。數(shù)據(jù)線171縱向延伸。在平面視圖中，數(shù)據(jù)線171形成在第一存儲電極133a和第二存儲電極133b之間。數(shù)據(jù)線171的一端比其它部分寬以接觸外部電路。從數(shù)據(jù)線171伸出來的突出形成源電極173。漏電極175的一端比另一端寬以與另一層連接。源電極173被彎曲以環(huán)繞漏電極175的一端。柵極電極123、源電極173、漏電極175和半導(dǎo)體層151形成薄膜晶體管。金屬片172與柵極線121交迭。金屬片172采用與數(shù)據(jù)線171相同的金屬形成。
鈍化層180形成在漏電極175和數(shù)據(jù)線171上。鈍化層180可由有機光阻、低介電材料或硅氮化物(SiNX)制成。低介電材料可通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)來形成。低介電材料可為a-Si:C:O或a-Si:O:F。
接觸孔181和183形成在鈍化層180中以暴露漏電極175的一端和數(shù)據(jù)線171的一端。接觸孔182穿過鈍化層180和柵極絕緣層140形成，以暴露柵極線121的端部125。接觸孔184穿過鈍化層180和柵極絕緣層140形成，以暴露第一存儲電極133a的突出區(qū)。接觸孔185穿過鈍化層180和柵極絕緣層140形成，以暴露一部分存儲電極線131。接觸孔186形成在鈍化層180中，以暴露與第六存儲電極133f交迭的一部分數(shù)據(jù)線171。接觸孔181、182、183、184、185、186的形狀可為多邊形或圓形。接觸孔的壁是傾斜的。
像素電極190、接觸輔助件95和97、橋91和連接輔助件92形成在鈍化層180上，該橋91將存儲電極線131和第一存儲電極133a連接。像素電極190由ITO或IZO制成。
像素電極190和公共電極270與LC層一起形成LC電容器。在TFT截止后，LC電容器保持像素電極和公共電極之間的電壓。形成存儲電容器以支持保持電壓。存儲電容器通過將像素電極與存儲電極線和存儲電極交迭來形成。
像素電極190在其三個角被切成斜面。切成斜面的傾斜的側(cè)與柵極線121成大約45度的角。開口窗(opening window)191、192、193、194形成在像素電極190中。該開口窗將像素電極分成多個區(qū)域。這種開口圖案基本上關(guān)于將像素區(qū)分成兩個相等部分的假想線對稱。
下開口圖案191從像素電極的下側(cè)向左上方向延伸。上開口圖案193從像素電極的上側(cè)向左下方向延伸。V形開口圖案192從像素的中心向右上方向和右下方向延伸。上開口圖案193與下開口圖案191形成直角。V形開口圖案192具有平行于上開口圖案193的部分和平行于下開口圖案191的部分。
中心開口圖案194從像素電極的右側(cè)向左延伸。中心開口圖案194的端部被切成斜面。中心開口圖案194的被切成斜面的一側(cè)與柵極線121成45度角。
連接橋91橫跨柵極線121。連接橋91通過接觸孔184和185與第一存儲電極133a和存儲電極線131連接。連接橋91與金屬片172交迭。連接橋91可與金屬片172電連接。存儲電極線131、存儲電極133a、133b、133c、133d、133e和133f、連接橋91和金屬片172可被用于修復(fù)數(shù)據(jù)線171或柵極線121。連接橋可與柵極線電連接以通過應(yīng)用激光束或其它相似物來修復(fù)柵極線。金屬片172可有助于橋91和柵極線121之間的連接。
修復(fù)輔助件92與數(shù)據(jù)線171和第六存儲電極133f的部分交迭，該修復(fù)輔助件92可被用于修復(fù)數(shù)據(jù)線171。如圖7所示，第六存儲電極133f與數(shù)據(jù)線171連接，標(biāo)有X的點被斷開以修復(fù)斷開的數(shù)據(jù)線171。三角形顯示開口區(qū)。數(shù)據(jù)信號可通過粗體線通路被傳遞。修復(fù)輔助件有助于數(shù)據(jù)線171和第六存儲電極133f之間的連接。
以下參照圖4、圖5和圖6來描述公共電極基板。
黑色矩陣220形成在絕緣板210上。彩色濾光片層230形成在黑色矩陣220上。彩色濾光片230可為紅色、綠色或藍色。保護層250可形成在彩色濾光片層230上。公共電極270形成在公共電極基板270上。公共電極270由透明的導(dǎo)電材料如ITO、IZO或其它相似的材料制成。公共電極270具有一組開口圖案。該組開口圖案包括下開口圖案271、上開口圖案273、第一V形開口圖案272和第二V形開口圖案274。一組開口圖案與像素電極相對。在平面視圖中，每個開口圖案271、272、273和274放置在像素電極的開口圖案之間或像素電極的開口圖案與傾斜的一側(cè)之間。每個開口圖案271、272、273和274的至少部分平行于像素電極的上開口圖案193和下開口圖案191中的至少一個延伸。在平面圖中，兩個相鄰平行的開口圖案之間的距離可相同。
下開口圖案271從像素電極的左側(cè)向像素電極的下側(cè)傾斜地延伸，這樣使得像素電極與傾斜部分成鈍角。下開口圖案還包括平行于像素電極左側(cè)的平行部分。下開口圖案還包括平行于像素電極下側(cè)的平行部分。上開口圖案273從像素電極的左則向像素電極的上側(cè)傾斜地延伸。上開口圖案還包括平行于像素電極左側(cè)的平行部分，該像素電極與傾斜部分成鈍角。上開口圖案還包括平行于像素電極上側(cè)的平行部分，該像素電極與傾斜部分成鈍角。
第一V形開口圖案272和第二V形開口圖案274的每個可包括橫向延伸的部分、從橫向部分的一端向右上方向延伸的部分、向右下方向延伸的部分。第一V形開口圖案272可包括與像素電極的上側(cè)或下側(cè)交迭的部分。第二V形開口圖案274可包括與像素電極的右側(cè)交迭的部分。
開口圖案的數(shù)量可取決于像素尺寸或其它設(shè)計因素。黑色矩陣220可與開口圖案交迭以阻止光泄露。垂直取向?qū)?1和21可被分別涂覆在基板100和200的內(nèi)表面上。偏振器12和22可分別附于基板100和200的外表面。兩個偏振器12和22的透射軸相交并彼此成直角。兩個偏振器12和22的透射軸中的一個可平行于柵極線。在反射LCD中可省略兩個偏振器12和22中的一個。
在本發(fā)明的LCD中可包括至少一個補償膜。該補償膜可補償從LC層3傳出的光的延遲。LC分子的長軸可垂直于基板100和200取向。LC層3可具有負介電各向異性。
開口圖案191、192、193、194、271、272、273和274可限定LC分子的傾斜方向。開口圖案191、192、193、194、271、272、273和274中的一個或多個可由突出替代。
以下描述用于制造本實施例的方法。
鋁(Al)、鋁合金(Al alloy)、銀(Ag)、銀合金(Ag alloy)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鉬合金或類似金屬被沉積在電介質(zhì)板110上。包括柵極電極123和端部125的柵極線121和包括存儲電極133a、133b、133c、133d、133e和133f的存儲電極線131可通過照相平版印數(shù)術(shù)采用金屬層形成。
柵極絕緣層140、本征非晶硅層、非本征非晶硅層被順序地沉積。本征非晶硅圖案和非本征非晶硅圖案通過照相平版印數(shù)術(shù)被形成在柵極絕緣層140上。
鋁(Al)、鋁合金(Al alloy)、銀(Ag)、銀合金(Ag alloy)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鉬合金或類似金屬被沉積在柵極絕緣層和非本征非晶硅圖案上。數(shù)據(jù)線171、數(shù)據(jù)線的端部179、漏電極175、源電極173和金屬片172通過照相平版印數(shù)術(shù)采用金屬層形成。去除非本征非晶硅圖案的暴露部分，從而露出本征非晶硅圖案151。暴露的本征非晶硅圖案可被等離子體氧化以穩(wěn)定本征非晶硅圖案151的表面。
鈍化層180形成在暴露的本征非晶硅圖案151、數(shù)據(jù)線171、柵極絕緣層140和其它區(qū)上。鈍化層180可由a-Si:C:O、a-Si:O:F、SiNX或有機材料制成。a-Si:C:O可采用SiH(CH3)3、SiO2(CH3)4、(SiH)4O4(CH3)4或Si(C2H5O)4作為源，通過化學(xué)氣相沉積形成。N2O、O2、Ar和He中的至少一種可被添加到該源。a-Si:O:F可采用SiH4、SiF4作為源，通過化學(xué)氣相沉積形成。O2和CF4中的至少一種可被添加到該源中。
一部分鈍化層180和一部分柵極絕緣層140通過照相平版印數(shù)術(shù)被去除，以暴露柵極線121的端部125、數(shù)據(jù)線171的端部179、存儲電極133a的部分、存儲電極線131的部分、和其它接觸孔181、182、183、184、185、186。
透明導(dǎo)電層如IZO、ITO或其它類似材料被沉積并通過照相平版印數(shù)術(shù)形成圖案，以形成像素電極190、接觸輔助件95和97、存儲電極連接橋91、和修復(fù)輔助件92?？刹捎玫獨饣蚱渌愃茪怏w將TFT基板預(yù)熱以防止在沉積ITO或IZO前金屬層被氧化。
圖8和圖9示出了本發(fā)明的另一實施例。數(shù)據(jù)驅(qū)動IC 510具有運算放大器OP1和OP2。端線720a和720b被連接到運算放大器OP1和OP2的輸入端和輸出端。端線720a和720b橫跨修復(fù)線710。修復(fù)線710可與柵極線金屬層一起形成。端線720a和720b可與數(shù)據(jù)線金屬層一起形成。修復(fù)線710與端線720a和720b可形成在像素區(qū)的外圍區(qū)域上。如圖9所示，如果數(shù)據(jù)線Dj是斷開的，則數(shù)據(jù)線可在兩個位置上連接到修復(fù)線710。數(shù)據(jù)線在這兩個位置之間斷開。端線720b和修復(fù)線710也被縮短，如黑點所標(biāo)的。如果數(shù)據(jù)線被斷開并被修復(fù)，則發(fā)送數(shù)據(jù)信號的通路比其它數(shù)據(jù)線長，修復(fù)點的電接觸電阻可能太大以致不能顯示正確的圖像。在這種情況下，運算放大器可補償信號延遲，并可顯示高品質(zhì)的圖像。修復(fù)線710的另一側(cè)和剩余處可斷開以減小修復(fù)的數(shù)據(jù)線的負載。
本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可以做出各種修改和變形。因此，目的在于本發(fā)明覆蓋在權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)提供的本發(fā)明的修改和變形。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管基板，包括薄膜晶體管；柵極線，在第一方向延伸并發(fā)送柵極信號；數(shù)據(jù)線，在第二方向延伸并發(fā)送數(shù)據(jù)信號；第一存儲電極線，在所述第一方向延伸；第二存儲電極線，在所述第二方向延伸；第三存儲電極線，將相鄰的第二存儲電極線連接；修復(fù)輔助件，在所述第三存儲電極線與所述數(shù)據(jù)線交迭處形成；其中，所述數(shù)據(jù)線位于相鄰的第二存儲電極線之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管基板，其中，所述修復(fù)輔助件通過接觸孔與所述數(shù)據(jù)線連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管基板，還包括橋，橫跨所述柵極線；其中，所述橋?qū)⑺龅谝淮鎯﹄姌O線與所述第二存儲電極線連接。
4.一種液晶顯示器，包括顯示區(qū)，包括柵極線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管；第一存儲電極線，在第一方向延伸；第二存儲電極線，在第二方向延伸；第三存儲電極線，將相鄰的第二存儲電極線連接；修復(fù)輔助件，在所述數(shù)據(jù)線與所述第三存儲電極線交迭處形成；修復(fù)線，在所述第二方向延伸并與所述數(shù)據(jù)線交迭。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，還包括數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，其中，所述數(shù)據(jù)驅(qū)動集成電路包括具有輸出端和輸入端的運算放大器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，還包括第一端線，與所述運算放大器的所述輸出端連接；第二端線，與所述運算放大器的所述輸入端連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其中，所述第一端線和所述第二端線形成在與所述數(shù)據(jù)線相同的層上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中，所述修復(fù)線形成在與所述柵極線相同的層上。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其中，所述修復(fù)輔助件通過接觸孔與所述數(shù)據(jù)線連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，還包括橋，橫跨所述柵極線；其中，所述橋?qū)⑺龅谝淮鎯﹄姌O線與所述第二存儲電極線連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，其中，所述第三存儲電極線與所述數(shù)據(jù)線電連接，在相鄰像素中，所述第一存儲電極線和所述第二存儲電極線中的至少一個位置被斷開。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，其中，所述端線的至少兩個位置與所述修復(fù)線連接，所述數(shù)據(jù)線的至少一個位置與所述修復(fù)線連接。
14.一種用于制造薄膜晶體管基板的方法，包括形成在第一方向延伸的柵極線；形成在所述第一方向延伸的第一存儲電極線；形成在第二方向延伸的第二存儲電極線；形成將相鄰的第二存儲電極線連接的第三存儲電極線；形成在所述第二方向延伸的數(shù)據(jù)線；形成與所述柵極線交迭的第一修復(fù)輔助件。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括在鈍化層上形成像素電極；形成與所述數(shù)據(jù)線交迭的第二修復(fù)輔助件。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括形成橫跨所述數(shù)據(jù)線并與所述第一修復(fù)輔助件交迭的橋，其中，所述第一修復(fù)輔助件形成在與所述數(shù)據(jù)線相同的層上，所述第二修復(fù)輔助件和所述橋形成在與所述像素電極相同的層上。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器，該液晶顯示器具有包括開關(guān)元件的多個像素、橫向延伸的多條柵極線、縱向延伸的多條數(shù)據(jù)線、橫向延伸的第一存儲電極線、縱向延伸的第二存儲電極線、將兩個相鄰的第二存儲電極線連接的第三存儲電極線和修復(fù)輔助件，該修復(fù)輔助件形成在數(shù)據(jù)線橫跨第三存儲電極線的區(qū)域中。該液晶顯示器可通過縮短修復(fù)路徑被修復(fù)而具有高品質(zhì)。
文檔編號G02F1/1362GK1758125SQ20051010822
公開日2006年4月12日 申請日期2005年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月6日
發(fā)明者宋根圭, 梁英喆 申請人:三星電子株式會社