專利名稱：電成型金屬化的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及集成電路(IC)和液晶顯示器(LCD)制造，更特別地，涉及電成型(electroform)金屬布線的方法和相關(guān)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
在目前的集成電路和顯示器應(yīng)用中，使用物理氣相淀積(PVD)鋁/銅/硅合金來在不同的電路層上形成互連和導(dǎo)電線(軌跡)。通常，這些線在大小為1至1000微米的區(qū)域形成。這些線通過透過光致抗蝕劑掩膜蝕刻保形沉積的金屬減法地形成圖案。或者，使用鑲銅工藝，其形成構(gòu)圖的溝槽結(jié)構(gòu)，用金屬填溝槽，并拋光覆蓋槽沉積的多余的金屬。但是，這些減法工藝限制了最終的金屬結(jié)構(gòu)可以形成的形狀。例如，很難形成凹入結(jié)構(gòu)或是有意懸垂的結(jié)構(gòu)；以及頂部橫截面積大于底部橫截面積的結(jié)構(gòu)。
在很大不同尺度上，約毫米級，印刷電路板(PCB)工藝形成具有導(dǎo)電金屬線的多層板?；瘜W(xué)相容性、基片材料一致性和雜質(zhì)的嚴(yán)格排除的問題，阻止PCB金屬化技術(shù)對IC、顯示器和高級多芯片模塊(MCMs)的直接按比例縮小。較大尺寸的PCB允許使用諸如直接印刷和圖案轉(zhuǎn)移的宏觀工藝。但是，由于所涉及的嚴(yán)格尺寸容差，這些宏觀處理不能用于IC和LCD。
在大IC基片上的金屬淀積要求使用大處理室，昂貴的/復(fù)雜的氣氛和溫度控制設(shè)備。IC和LCD加工經(jīng)常要求使用真空室。另一方面，PCB工藝要求不太復(fù)雜的設(shè)備，比如鍍槽和電鍍設(shè)備。
有利的，PCB加法淀積工藝的連續(xù)使用允許包括包封的微觀金屬結(jié)構(gòu)的易于形成。這些包封結(jié)構(gòu)可用第二種材料比如絕緣體填入，其可形成同軸的傳輸線或其它這樣的結(jié)構(gòu)。由于為了封閉內(nèi)部空間必須形成凹入結(jié)構(gòu)，使用傳統(tǒng)的減法技術(shù)是不能容易地獲得這些結(jié)構(gòu)的。
如果IC和LCD的金屬結(jié)構(gòu)能使用加法淀積工藝將會有利。
如果傳統(tǒng)的PCB電鍍工藝能適用于IC和LCD工藝，以提供低費用、用于金屬淀積的低熱平衡算方案將會有利。
如果無電沉積的工藝能適用于IC和LCD加工將會有利。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明描述了一種精確加法形成圖案的方法，其僅在IC基片的敞開的構(gòu)圖區(qū)域而不是在場區(qū)(field region)沉積金屬。該加法形成圖案是從使用電鍍和無電沉積技術(shù)的金屬沉積中得出的。
相應(yīng)的，提供一種用于電成型金屬集成電路結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括穿過層間絕緣體形成諸如通孔或線的開口，露出基片表面；形成覆蓋層間絕緣體和基片表面的基層；形成覆蓋基層的觸擊層(strike layer)；形成覆蓋觸擊層的頂層；選擇性地蝕刻以去除覆蓋基片表面的頂層，露出觸擊層表面；以及，電成型覆蓋觸擊層表面的金屬結(jié)構(gòu)。電成型的金屬結(jié)構(gòu)使用電鍍或無電沉積工藝的方法沉積。典型地，該金屬為Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或Ag。
基層、觸擊層和頂層可使用物理氣相淀積(PVD)、蒸發(fā)法、反應(yīng)濺射或金屬有機化學(xué)氣相淀積(MOCVD)的方法沉積。基層可以是諸如W、Ta、Ti、Zr、Mo或者Cr等的材料，以列舉一些例子。觸擊層可以是例如Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Cu、Ni或者Cr。頂層可以是難熔金屬。
上述方法附加的細節(jié)在下文闡述。
圖1是本發(fā)明電成型金屬結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。
圖2至7示出了本發(fā)明電成型金屬結(jié)構(gòu)的制造中的步驟。
圖8是本發(fā)明用于電成型金屬集成電路結(jié)構(gòu)的方法流程圖。
圖9是本發(fā)明用于在集成電路基片上加法金屬沉積的方法流程圖。
具體實施例方式
圖1是本發(fā)明電成型金屬結(jié)構(gòu)的局部剖視圖。結(jié)構(gòu)100包括具有表面104的基片102。基片102可以是諸如硅、玻璃、陶瓷或者塑料的材料。層間絕緣體106覆蓋基片102，具有露出基片表面104的開口108。在圖2中可以更清楚地看到開口108。層間絕緣體106可例如是常規(guī)的氧化物或氮化物?；鶎?10覆蓋基片表面104?；鶎?10可以是難熔金屬，比如W、Ta、Ti、Zr、Mo、Cr、難熔金屬氮化物和碳化物，混合的氮化物-碳化物，或者混合的氮化物硅化物。
觸擊層112覆蓋基層110。觸擊層112可以是諸如Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Au、Cu、Ni、Cr的材料，或者是上述材料的合金。電成型金屬結(jié)構(gòu)114覆蓋觸擊層表面112。金屬結(jié)構(gòu)114是一種金屬比如Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag。金屬結(jié)構(gòu)114可以是線、孔、焊盤、電極、接觸孔或者層間互連。如下文更詳細的所述，作為生產(chǎn)工藝中的步驟，用諸如難熔金屬、難熔金屬氮化物或者混合的氮化物硅化物等制成材料組成的臨時的頂層(圖中未標(biāo)出)覆蓋觸擊層112。
功能說明圖2至7示出了本發(fā)明電成型金屬結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)步驟。過程以開接觸孔或等效的結(jié)構(gòu)開始，準(zhǔn)備金屬化成形。圖2示出了代表性的剖面。將接觸孔制成穿過一些適當(dāng)?shù)慕^緣材料(ILD)，通用的基片可能是硅、玻璃、陶瓷、塑料或一些其它材料或材料的組合。此外，電子的、機電的或其它類型的裝置和/或結(jié)構(gòu)可能已經(jīng)在基片中形成。在這種情況下，金屬化的目的是在這種裝置或結(jié)構(gòu)之間提供電連接。例如，穿過ILD的開口可能暴露電極，沉積本發(fā)明的金屬結(jié)構(gòu)以與電極相接觸。
如圖3所示，這一步接下來是通過PVD、蒸發(fā)法、MOCVD或者其它適合的沉積技術(shù)依次沉積三個金屬層。根據(jù)適宜的情況，這些沉積可以使用同樣的設(shè)備或者不同的設(shè)備來實施?；鶎犹峁ο嗷U散的阻擋以及金屬化和基片間牢固的附著。典型地，基層是難熔金屬比如W、Ta、Ti或者它們的合金，以及相應(yīng)的氮化物或混合的氮化物-硅化物。觸擊層(strike layer)提供用于接下來的電沉積的表面。典型地，觸擊層是稀有金屬或半稀有金屬比如Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Au、Cu、Ni、Cr或者它們的合金。頂層提供用于光致抗蝕劑附著的表面，因為提供用于電鍍的良好表面的金屬通常不提供對抗蝕劑附著良好的表面。這個層的候選材料與用于基層的相同，盡管基層和頂層不需要具有相同的組成。
接下來，使用傳統(tǒng)的光刻法在基片上構(gòu)圖完整金屬結(jié)構(gòu)的光致抗蝕劑(PR)圖像。這在圖4中示出。
參見圖5，使用光致抗蝕劑作為掩膜，在開口區(qū)域中將頂層化學(xué)蝕刻掉以露出觸擊層。盡管蝕刻劑的選擇依賴于頂層的精確組分，用于該目的的典型的蝕刻劑是過氧化氫。作為可選擇的材料，各種無機酸或其它化學(xué)溶液都可使用，只要它們基本上不浸蝕或去除光致抗蝕劑。此外，使用已知的技術(shù)比如在高溫下烘烤或者紫外線硬化，可將光致抗蝕劑制作得更抗化學(xué)腐蝕。
圖6描繪了電成型的金屬的沉積。將銅或其它適合的導(dǎo)體金屬比如Au或例如Ag電鍍。由于抗蝕劑是絕緣的且沒有電流能流過抗蝕劑層，沉積僅在開口特征中而不是在光致抗蝕劑的頂部發(fā)生。這種金屬沉積的方式即“電成型”。作為替換，也可以使用無電沉積。由于無電沉積要求導(dǎo)電表面，基片結(jié)構(gòu)保持原樣。接著，金屬只在圖案的開口區(qū)域中而不在光致抗蝕劑上沉積。
如這里所使用的，“電鍍”是一種通過有意施加電流從化學(xué)溶液沉積金屬的工藝。電流施加到基片且金屬在基片傳導(dǎo)電流的區(qū)域中沉積。如此處使用的，無電沉積是一種使用由基片上預(yù)先存在的金屬表面催化的氧化-還原化學(xué)反應(yīng)從化學(xué)溶液沉積金屬的工藝。也就是，響應(yīng)于化學(xué)反應(yīng)，金屬在基片的金屬表面上沉積。
此處使用的“電成型”是在由光致抗蝕劑或一些其它材料預(yù)先形成的樣板上直接形成復(fù)雜的形狀的電鍍或無電沉積工藝。電成型不是在基片的整個表面上各向同性地沉積金屬的保形的沉積工藝。
圖7描繪了在光致抗蝕劑的移除之后電成型的金屬結(jié)構(gòu)。將光致抗蝕劑小心去除以免毀壞電成型的金屬。這意味著光致抗蝕劑的任何硬化或其它的化學(xué)改性基本上不妨礙或阻礙抗蝕劑移除。也就是，移除技術(shù)，比如在高溫下等離子體灰化，由于其毀壞金屬化而不應(yīng)該使用。
回到圖1，示出了完成的電成型金屬結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)使用電成型金屬結(jié)構(gòu)作為掩膜借助于去除場區(qū)域中的基層、觸擊層和頂層來完成。為了達到這個目的可使用濕化學(xué)蝕刻或干蝕刻。而且，任何適用的去除化學(xué)方法必須不毀壞電成型金屬化。
在這點上可施行進一步熱處理以穩(wěn)定化或再結(jié)晶該金屬。但是，這一步對本發(fā)明不是必要的。該熱處理可能也具有如同其初始目的的，對裝置性能的改進或并不直接與互連結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的其它特征的改進。
完成時，互連的單個層，如比圖1所示的結(jié)構(gòu)，可能被用作開始的基片，即，作為通用的基片。然后，可通過CVD、旋涂或一些其它適用的工藝涂敷電介質(zhì)材料。接觸孔或通孔可借助傳統(tǒng)的光刻法構(gòu)圖并且在希望的位置借助化學(xué)蝕刻切透電介質(zhì)層以露出電成型互連。完整的電成型工藝如圖1至7所描述的重復(fù)進行，這樣，制造一個兩層的互連。
為制造多層的互連，電成型過程可以被重復(fù)任意次。如同在傳統(tǒng)的蝕刻鋁IC互連方案中，如果需要，可以使用層間電介質(zhì)材料的化學(xué)機械拋光，以降低高度(topography)和增強光刻分辨率。但是，這一步不是本發(fā)明所必需的。
圖8是用于電成型金屬集成電路結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的方法的流程圖。盡管為了清楚將該方法描繪成順序的編號步驟，除了明確地聲明以外，不能從數(shù)字推斷出順序。應(yīng)該理解的是有些步驟可以跳過、平行地執(zhí)行或者不要求保持嚴(yán)格的順序來執(zhí)行。該方法在步驟800開始。步驟802通過第一層間絕緣體形成開口，露出基片表面。在步驟802中露出的基片表面可能是硅、玻璃、陶瓷或者塑料。步驟804形成覆蓋第一層間絕緣體和基片表面的基層。步驟806形成覆蓋基層的觸擊層。步驟808形成覆蓋觸擊層的頂層。步驟810選擇性地蝕刻以去除覆蓋基片表面的頂層，露出觸擊層表面。步驟812電成型覆蓋觸擊層表面的第一金屬結(jié)構(gòu)。
步驟812中電成型覆蓋觸擊層表面的第一金屬結(jié)構(gòu)包括使用電鍍或者無電沉積工藝沉積金屬。步驟812沉積的金屬例如Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag。步驟812中形成的結(jié)構(gòu)可能是線(導(dǎo)電軌跡)、通孔、焊盤、電極、接觸孔或者層間互連。
步驟814去除鄰近第一金屬結(jié)構(gòu)(在場區(qū)域內(nèi))，覆蓋第一層間絕緣體的基層、觸擊層和頂層。步驟814使用步驟812中沉積的金屬結(jié)構(gòu)作為掩膜。步驟816保形地沉積第二層間絕緣體。步驟818穿過第二層間絕緣體形成開口，露出第一金屬結(jié)構(gòu)表面。由于步驟802至812與步驟818至828之間的相似性，步驟816至828未示出。步驟820(見步驟804)形成覆蓋第二層間絕緣體和第一金屬結(jié)構(gòu)表面的基層。步驟822(806)形成覆蓋基層的觸擊層。步驟824(808)形成覆蓋觸擊層的頂層。步驟826(810)選擇性地蝕刻以去除覆蓋第一金屬結(jié)構(gòu)表面的頂層，露出觸擊層表面。步驟828(812)電成型覆蓋觸擊層表面的第二金屬結(jié)構(gòu)。
在該方法的一些方面，進一步的步驟，步驟815使用如上所述的加熱過程再結(jié)晶第一金屬結(jié)構(gòu)。同樣步驟828之后第二金屬結(jié)構(gòu)也被再結(jié)晶。
另一方面，形成基層(步驟804)、形成觸擊層(步驟806)、形成頂層(步驟808)包括使用諸如PVD、蒸發(fā)法、反應(yīng)濺射、或者MOCVD的工藝沉積基層、觸擊層和頂層材料。注意，這三個步驟不必使用相同的工藝。實際上，沉積的每個步驟使用不同類型的沉積方法。
在步驟804形成覆蓋第一層間絕緣體和基片表面的基層，包括由難熔金屬比如W、Ta、Ti、Zr、Mo、Cr，難熔金屬氮化物和碳化物，混合的(難熔金屬)氮化物-碳化物或者混合的氮化物-硅化物形成基層。
在步驟806中形成覆蓋基層的觸擊層，包括由諸如Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Au、Cu、Ni、Cr等材料或上述材料的合金形成觸擊層。在步驟808中形成覆蓋觸擊層的頂層包括由諸如難熔金屬、難熔金屬氮化物或者混合的氮化物-硅化物材料形成頂層。如上述指出的，基層和頂層可能由相同的材料制成，但是不作要求。
在一些情況下，在步驟810中選擇性地蝕刻去除覆蓋基片表面的頂層包括子步驟。步驟810a保形地沉積光致抗蝕劑(PR)層。步驟810b構(gòu)圖PR以露出覆蓋基片表面的頂層。步驟810c蝕刻露出的頂層。
使用蝕刻劑比如過氧化氫、無機酸、醇的和水的碘、溴、氯、堿金屬、氨水或者上述蝕刻劑的混合物對露出的頂層蝕刻(步驟810c)。在步驟810a中PR保形沉積可能進一步包括PR穩(wěn)定化工藝比如烘烤或紫外線硬化。
圖9示出了本發(fā)明用于在集成電路基片上加法金屬沉積的方法的流程圖。該方法從步驟900開始。步驟902穿過層間絕緣體形成開口，露出基片表面。步驟904在開口中附加地形成金屬結(jié)構(gòu)。在一些情況下，在開口中附加地形成金屬結(jié)構(gòu)包括子步驟。步驟904a形成覆蓋層間絕緣體和基片表面的基層。步驟904b形成覆蓋基層的觸擊層。步驟904c形成覆蓋觸擊層的頂層。步驟904d選擇性地蝕刻以去除覆蓋基片表面的頂層，露出觸擊層表面。步驟904e電成型覆蓋觸擊層表面的金屬結(jié)構(gòu)。例如，電成型覆蓋觸擊層表面的金屬結(jié)構(gòu)可能包括使用電鍍或無電沉積方法沉積金屬。
電成型的IC金屬結(jié)構(gòu)和相關(guān)的沉積工藝已經(jīng)提出。為使發(fā)明清楚，給出了材料的例子和特定的方法的步驟。但是，本發(fā)明不僅僅局限于這些例子。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作出其它的改變和實施例。
權(quán)利要求
1.一種用于電成型金屬集成電路結(jié)構(gòu)的方法，該方法包括穿過第一層間絕緣體形成開口，露出基片表面；形成覆蓋第一層間絕緣體和基片表面的基層；形成覆蓋基層的觸擊層；形成覆蓋觸擊層的頂層；選擇性地蝕刻以去除覆蓋基片表面的頂層，露出觸擊層表面；以及電成型覆蓋觸擊層表面的第一金屬結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步還包括使用第一金屬結(jié)構(gòu)作為掩膜，去除覆蓋第一層間絕緣體的基層、觸擊層和頂層。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，進一步還包括保形地沉積第二層間絕緣體；穿過第二層間絕緣體形成開口，露出第一金屬結(jié)構(gòu)表面；形成覆蓋第二層間絕緣體和第一金屬結(jié)構(gòu)表面的基層；形成覆蓋基層的觸擊層；形成覆蓋觸擊層的頂層；選擇性地蝕刻以去除覆蓋第一金屬結(jié)構(gòu)表面的頂層，露出觸擊層表面；電成型覆蓋觸擊層表面的第二金屬結(jié)構(gòu)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，進一步包括再結(jié)晶第一金屬結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電成型覆蓋觸擊層表面的第一金屬結(jié)構(gòu)包括使用從包括電鍍和無電沉積的組中選擇的工藝來沉積金屬。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電成型覆蓋觸擊層表面的第一金屬結(jié)構(gòu)包括沉積從包含Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt和Ag的組中選擇的金屬。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中電成型覆蓋觸擊層表面的第一金屬結(jié)構(gòu)包括形成從包括線、通孔、焊盤、電極、接觸孔和層間互連的組中選擇的結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成基層、形成觸擊層、和形成頂層包括使用從包括物理氣相淀積(PVD)、蒸發(fā)法、反應(yīng)濺射和金屬有機化學(xué)氣相淀積(MOCVD)的組中選擇的工藝沉積基層、觸擊層和頂層材料。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成覆蓋第一層間絕緣體和基片表面的基層包括由包括例如W、Ta、Ti、Zr、Mo、Cr的難熔金屬、難熔金屬氮化物和碳化物、混合的氮化物-碳化物和混合的氮化物-硅化物的組中選擇的材料形成基層。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成覆蓋基層的觸擊層包括由包括Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Au、Cu、Ni、Cr以及上述材料的合金的組中選擇的材料形成觸擊層。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成覆蓋觸擊層的頂層包括由包括難熔金屬、難熔金屬氮化物和混合的氮化物-硅化物的組中選擇的材料形成頂層。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中選擇性地蝕刻以去除覆蓋基片表面的頂層，露出觸擊層表面，包括保形地沉積光致抗蝕劑(PR)層；構(gòu)圖PR以露出覆蓋基片表面的頂層；以及蝕刻露出的頂層。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其中蝕刻露出的頂層包括使用從包括過氧化氫、無機酸、醇的和水的碘、溴、氯、堿金屬、氨水以及上述蝕刻劑的混合物的組中選擇的蝕刻劑。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中保形地沉積PR層包括使用從包括烘烤和紫外線硬化的組中選擇的工藝穩(wěn)定該RP。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中穿過第一層間絕緣體形成開口，露出基片表面，包括露出從包括硅、玻璃、陶瓷和塑料的組中選擇的基片表面材料。
16.一種用于在集成電路基片上加法金屬沉積的方法，該方法包括穿過層間絕緣體形成開口，露出基片表面；在開口中附加地形成金屬結(jié)構(gòu)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中在開口中附加地形成金屬結(jié)構(gòu)包括形成覆蓋層間絕緣體和基片表面的基層；形成覆蓋基層的觸擊層；形成覆蓋觸擊層的頂層；選擇性地蝕刻以去除覆蓋基片表面的頂層，露出觸擊層表面；以及電成型覆蓋觸擊層表面的金屬結(jié)構(gòu)。
18.如權(quán)利要求16所述的方法，其中在開口附加地形成金屬結(jié)構(gòu)包括使用從包括電鍍和無電沉積的組中選擇的工藝沉積金屬。
19.一種電成型的金屬結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括具有表面的基片；覆蓋基片的層間絕緣體，具有露出基片表面的開口；覆蓋基片表面的基層；覆蓋基層的觸擊層；以及覆蓋觸擊層表面的電成型的金屬結(jié)構(gòu)。
20.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其中金屬結(jié)構(gòu)從包括Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt和Ag的組中選擇的金屬。
21.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其中金屬結(jié)構(gòu)是從包括線、通孔、焊盤、電極、接觸孔和層間互連的組中選擇的結(jié)構(gòu)。
22.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其中基層是從包括難熔金屬比如W、Ta、Ti、Zr、Mo、Cr、難熔金屬氮化物和碳化物、混合的氮化物-碳化物和混合的氮化物-硅化物的組中選擇的材料。
23.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其中觸擊層是從包括Pd、Pt、Ir、Rh、Ru、Os、Ag、Au、Cu、Ni、Cr和上述材料的合金的組中選擇的材料。
24.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，其中基片是從包括硅、玻璃、陶瓷和塑料的組中選擇的材料。
25.如權(quán)利要求19所述的結(jié)構(gòu)，進一步包括由包括難熔金屬、難熔金屬氮化物和混合的氮化物-硅化物的組中的材料制成的覆蓋觸擊層的臨時的頂層。
全文摘要
提供一種用于電成型金屬集成電路結(jié)構(gòu)的方法。該方法包括穿過層間絕緣體形成諸如通孔或線的開口，露出基片表面；形成覆蓋層間絕緣體和基片表面的基層；形成覆蓋基層的觸擊層；形成覆蓋觸擊層的頂層；選擇性地蝕刻以去除覆蓋基片表面的頂層，露出觸擊層表面；以及，電成型覆蓋觸擊層表面的金屬結(jié)構(gòu)。電成型的金屬結(jié)構(gòu)使用電鍍或者無電沉積方法沉積。典型地，該金屬是Cu、Au、Ir、Ru、Rh、Pd、Os、Pt或者Ag?；鶎?、觸擊層和頂層可使用物理氣相淀積(PVD)、蒸發(fā)法、反應(yīng)濺射或者金屬有機化學(xué)氣相淀積(MOCVD)方法沉積。
文檔編號G02F1/1345GK1764349SQ20051010980
公開日2006年4月26日 申請日期2005年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月17日
發(fā)明者D·R·埃文斯, J·W·哈特澤爾 申請人:夏普株式會社