專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)裝置及其制造方法，尤其涉及這樣一種LCD裝置及其制造方法，其中，在形成像素電極時，第一電極彼此隔開3μm或更少，且絕緣層與設置在第一電極下面的金屬互連隔開3μm或更多。
背景技術：
近年來，隨著信息社會的快速進步，正在發(fā)展出處理和顯示大量海量存儲信息的顯示器領域。到現(xiàn)在為止陰極射線管(CRT)一直是顯示器的主要類型。然而，CRT具有重量大、尺寸大和高能量消耗的缺點。
為了消除這些缺點，已經(jīng)對平板顯示器投入了相當大的關注，且由于LCD裝置具有尺寸小、重量輕和低能量消耗的優(yōu)點，因此特別地引起關注。
LCD裝置利用的是液晶的光學各向異性和極化特性。由于液晶具有長的結構，因此分子排列具有方向性，且分子排列的方向可以通過強制地向液晶提供電場來控制。液晶分子的排列方向可以通過電場控制，因此可以控制光學各向異性，從而可以控制由液晶透射或反射的光量，以在屏幕上顯示圖像信息。
為了使LCD裝置具有快響應速度和寬視角，已經(jīng)開發(fā)出光學補償彎曲(Optically Compensated Bend，OCB)技術。
根據(jù)OCB LCD裝置，沿同一方向摩擦的配向?qū)有纬捎谙袼仉姌O和公共電極上，且將液晶注入到像素電極與公共電極之間。然后在早期階段提供高電壓以促使液晶由斜展相(splay phase)相變成彎曲相(bend phase)，控制液晶開啟或關閉以顯示圖像信息。
然而，上述的OCB LCD裝置存在缺點，用于導致相變成彎曲相的起始電壓高，難以將相態(tài)(phase)傳播到鄰近像素，且要發(fā)生相變需要數(shù)秒時間。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明通過提供LCD裝置及制作LCD裝置的方法來解決上述的問題，其中第一電極，即像素電極，彼此隔開3μm或更少，且絕緣層與設置在第一電極下的金屬互連隔開3μm或更多。
根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例，提供了一種液晶顯示(LCD)裝置，該裝置包括第一基板；設置在第一基板的一個表面上的導電層；絕緣層，設置在導電層上且厚度為3μm或更多；第一電極，設置在絕緣層上且彼此隔開3μm或更少的間距；第二基板，包括在一個表面上與第一基板相對設置的第二電極；以及插置在第一與第二基板之間的液晶層。
優(yōu)選地導電層設置在第一電極下。
優(yōu)選地絕緣層包括平面化層。
優(yōu)選地絕緣層包括苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯酸基材料。
優(yōu)選地導電層包括金屬互連。
優(yōu)選地金屬互連包括掃描線、數(shù)據(jù)線和公共線之一。
該LCD裝置進一步包括設置在第一電極上的第一配向?qū)蛹霸O置在第二電極上的第二配向?qū)印?br> 優(yōu)選地第一和第二配向?qū)右呀?jīng)以相同的方向摩擦過。
優(yōu)選地第一和第二配向?qū)泳哂性?°到20°范圍內(nèi)的預傾斜角。
優(yōu)選地第一和第二配向?qū)泳哂性?00到1000的范圍內(nèi)的厚度。
優(yōu)選地LCD裝置進一步包括設置在第一基板的另一表面上的第一偏振器、雙光軸補償膜(biaxial compensation film)以及設置在第二基板的另一表面上的第二偏振器。
優(yōu)選地第一偏振器的偏振軸與第二偏振器的偏振軸交叉。
優(yōu)選地液晶層厚度在1.5μm到2.5μm的范圍內(nèi)。
優(yōu)選地液晶層響應于在第一電極與第二電極之間、范圍在15V到25V之內(nèi)的電位差，從斜展相相變成彎曲相。
優(yōu)選地液晶層的變換時間在0.2秒到1秒的范圍內(nèi)。
優(yōu)選地液晶層包括具有正介電各向異性的液晶。
優(yōu)選地LCD裝置進一步包括在第一基板的另一表面上的光源。
優(yōu)選地光源包括反射器、漫射體和發(fā)光二極管(LED)。
優(yōu)選地LED為紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)組及青色(Cyan，C)、品紅色(Magenta，M)和黃色(Y)組的至少一組。
做為選擇，優(yōu)選地LED為白色(W)。
優(yōu)選地LCD裝置進一步包括設置在第二電極與第二基板之間的濾色器。
優(yōu)選地液晶層包括光學補償彎曲(OCB)液晶。
在根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中，提供了一種制作液晶顯示(LCD)裝置的方法，該方法包括形成第一基板；在第一基板上形成導電層；在已經(jīng)形成導電層的第一基板上形成厚度為3μm或更厚的絕緣層；在已經(jīng)形成絕緣層的第一基板上形成第一電極材料；構圖第一電極材料以形成彼此隔開3μm或更少的第一電極；形成第二基板；在第二基板上形成第二電極；密封第一和第二基板以使第一電極和第二電極彼此相對；以及在第一與第二基板之間填充液晶以形成液晶層。
優(yōu)選地該方法進一步包括在形成第一電極后形成第一配向?qū)?，以及在形成第二電極后形成第二配向?qū)印?br> 優(yōu)選地該方法進一步包括在形成第一和第二配向?qū)雍笠韵嗤姆较蚰Σ恋谝缓偷诙湎驅(qū)印?br> 優(yōu)選地，形成絕緣層包括利用旋涂法用苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯酸基材料形成一層。
優(yōu)選地，密封第一和第二基板包括使第一和第二基板彼此隔開1.5μm到2.5μm的間隙。


通過結合附圖考慮，參考以下詳細描述，隨著本發(fā)明更好地被理解，其更完整的理解及許多附帶優(yōu)勢將更加明了，附圖中同樣的參考符號表示相同或相似的元件，其中圖1到圖4為依照本發(fā)明的實施例制作LCD裝置的方法的橫截面圖；圖5A和5B分別為用于解釋在不依照本發(fā)明及依照本發(fā)明的LCD裝置中的第二電極與第一電極之間能量分布的示意性圖解；以及圖6A和6B分別為用于解釋在不依照本發(fā)明和依照本發(fā)明的LCD裝置中驅(qū)動液晶的原理的示意性圖解。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參考附圖更詳細地在下文中描述本發(fā)明，在附圖中展示了本發(fā)明的示范性實施例。然而，本發(fā)明可以以不同的形式實施，不應被解釋為僅限于此處所述的實施例。相反，提供這些實施例是為了使本發(fā)明透徹和完整，并且充分將本發(fā)明的觀念傳達給本領域的普通技術人員。為了清楚放大了在圖中示出的層或區(qū)的厚度。在整個說明書中同樣的參考數(shù)字用于表示同樣的元件。
圖1到4為依照本發(fā)明實施例制作LCD裝置的方法的橫截面圖。
參考圖1，在第一基板101的一個表面上形成諸如掃描線、數(shù)據(jù)線和公共線的元件，該基板為諸如玻璃或塑料的透明基板。為了將電信號提供給每個像素，掃描線、數(shù)據(jù)線和公共線由導電金屬互連102形成。在第一基板101的所述一個表面上可以進一步形成薄膜晶體管(TFT)和電容器。
隨后，在已經(jīng)形成元件的基板上形成諸如用于去除下部形貌的平面化層的鈍化層，用于保護下部元件或絕緣層103。該絕緣層103由諸如苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯酸基材料的高分子材料形成，通過旋涂法堆疊一層或多層，且其厚度為3μm或更厚。
隨后，利用物理氣相淀積(PVD)或化學氣相淀積(CVD)方法，在具有絕緣層103的基板上設置透明導體的諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的第一電極材料。
然后構圖第一電極材料以形成第一電極104。如圖1所示，第一電極104彼此隔開3μm或更少的間距(即由A表示的長度)。如圖1所示，減少第一電極104之間的間距以具有與下方的金屬互連102交迭的區(qū)域，而當絕緣層的厚度變薄時，在第一電極104與金屬互連102之間的間隔(B)中形成寄生電容，該寄生電容對LCD裝置的性質(zhì)具有不利的影響。然而，在本發(fā)明中形成的絕緣層103充分地厚(3μm或更厚)，因此在第一電極104與金屬互連102之間不會形成寄生電容。
由于像素的每個區(qū)通常被金屬互連102所界定，因此諸如掃描線、數(shù)據(jù)線和公共線的金屬互連102都位于第一電極104下方。即，掃描線、數(shù)據(jù)線和公共線都互相垂直，其中由掃描線、數(shù)據(jù)線和公共線分割的區(qū)域定義為一個像素。
隨后，諸如聚酰亞胺的高分子材料用于在已經(jīng)形成第一電極104的基板上形成厚度為500到1000的第一配向?qū)?05。形成配向?qū)拥姆椒òㄐ糠?、浸?dipping)法和輥涂(roller coating)法。優(yōu)選使用輥涂法。
然后執(zhí)行以特殊的方向摩擦配向?qū)拥墓に?。該配向?qū)泳哂性诤愣ǚ较蛑行纬傻牟?，該槽用于使稍后注入的液晶在恒定的方向中定向?br> 參考圖2，在諸如玻璃或塑料的第二透明基板201的一個表面上形成第二公共電極202。第二電極202由諸如ITO或IZO的透明導體利用PVD或CVD方法形成。
然后在已經(jīng)形成第二電極202的第二基板201上形成厚度為500到1000的第二配向?qū)?03。第二配向?qū)?03由諸如聚酰亞胺的高分子材料形成，且通過利用如用于第一配向?qū)?05的旋涂法、浸涂法和輥涂法之一形成。
然后以與第一配向?qū)?05相同的方向摩擦第二配向?qū)?03。
執(zhí)行摩擦第一和第二配向?qū)?05和203的工藝，使得第一和第二配向?qū)?05和203的預傾斜角在5°到20°的范圍內(nèi)。
參考圖3，密封已經(jīng)形成多種元件的第一和第二基板101和201，使第一電極104面對第二電極202，部分地完成LCD裝置。
當密封第一和第二基板101和201時，在兩個基板之間形成間隙為1.5μm到2.5μm的空的空間。即，形成的在第一和第二配向?qū)?05與203之間的間隙范圍在1.5μm到2.5μm內(nèi)(即由T表示的長度)。
通過在密封過程中在兩個基板之間插入隔板可以形成在第一和第二配向?qū)?05和203之間的間隙。
隨后，執(zhí)行液晶注入工藝，將光學補償彎曲(OCB)模式的液晶300注入到兩個基板之間的空的空間。在液晶注入過程中，將LCD裝置安裝在具有其中包含液晶300的容器的真空裝置中，且真空裝置的內(nèi)部處于真空狀態(tài)中，使得兩個基板之間的空的空間也在真空狀態(tài)中。然后將LCD裝置浸入液晶300中且降低真空裝置的內(nèi)部真空度，由于毛細管現(xiàn)象和壓差使得液晶300注入到LCD裝置內(nèi)部的空的空間。注入的液晶300形成厚度等于第一和第二配向?qū)?05和203之間的間隙的液晶層。
如圖3所示，注入的液晶以第一和第二配向?qū)?05和203之間的中間部分為基礎對稱排列，由于配向?qū)拥念A傾斜角，靠近配向?qū)釉O置的液晶具有預定的傾斜角，而液晶的中間部分具有接近于0°的傾斜角。
優(yōu)選地液晶300具有正介電各向異性。
參考圖4，光源裝置在第一基板101的另一表面上形成，其包括第一偏振器401、反射器402、漫射體403，以及用于發(fā)光的發(fā)光二極管(LED)。當在第一基板101上形成多種元件時可以同時形成第一偏振器401。
LED 404可以使用紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)組及青色(C)、品紅色(M)和黃色(Y)組的至少一組。做為選擇，LED 404也可以使用白色(W)。
還可以在第二基板201的另一表面上形成雙光軸補償膜405和第二偏振器406。第一偏振器401的偏振軸與第二偏振器406的偏振軸正交。
此外，當LED 404對應于距離W時，在第二電極202與第二基板201之間可以在對應于不存在第一電極104的區(qū)域(即第一電極104之間的間隔A)的區(qū)域形成黑底，且可以在對應于第一電極104的區(qū)域形成濾色器。
參考圖5A和5B，它們分別為用于說明在不依照本發(fā)明以及依照本發(fā)明的LCD裝置中第二電極與第一電極之間的能量分布的示意性視圖，且該圖5A和5B分別表示當將恒壓提供給LCD裝置時電場503a和503b的強度、彎曲相504a和504b的穩(wěn)定程度，以及斜展相505a和505b的穩(wěn)定程度，LCD裝置中形成有第一電極501a、501b、501c和501d以及對應于第一電極501a、501b、501c和501d的第二電極502a和502b。
由于第一電極501a和501b之間的間隔C為3μm或更多，因此在圖5A中電場的強度503a在間隔C的中部很低，使得彎曲相的穩(wěn)定程度504a比斜展相的穩(wěn)定程度505a低(E區(qū))，導致了當液晶保持斜展相時更加穩(wěn)定的結果。
相反，由于第一電極501c與501d之間的間隔D為3μm或更少，因此在圖5B中電場的強度503b在間隔D的中部較高，使得在這一點上彎曲相的穩(wěn)定度504b比斜展相的穩(wěn)定度505b高，因而允許液晶相變成彎曲相。
因而，當?shù)谝浑姌O之間的間隔為3μm或更少時，存在于第一電極之間的間隔處的液晶也具有較強的電場強度，使得可以容易地在彎曲相與斜展相之間以更穩(wěn)定的能量狀態(tài)實現(xiàn)相變。
圖6A和6B分別為用于說明不依照本發(fā)明以及依照本發(fā)明的LCD裝置的液晶的驅(qū)動原理的示意性圖解。參考圖6A和6B，當將恒定電壓(起始電壓)提供給第一和第二像素(第一像素為包括由501a表示的第一電極者，第二像素為包括由501b表示的第一電極者)的第一電極501a和501b和第二電極502b時，如圖6A所示，由于電壓和成核(nucleation)產(chǎn)生的電場(成核隨機地發(fā)生，因而它可能不在特定區(qū)域中發(fā)生)，使得存在于第一電極501a和501b與第二電極502b之間的液晶506由斜展相相變成彎曲相，從而通過起始電壓將大部分像素(第一像素)的液晶相變成彎曲相的液晶506a。
然而，即使當向像素提供足以導致相變發(fā)生的起始電壓時，由于缺少成核，一些像素(第二像素)并未相變，(可能存在導致成核不發(fā)生的可能性)，因此像素保持為具有斜展相的液晶506b。
由于和參考圖5A所述的相同的原因，設置在第一電極501a和501b之間的間隔上的液晶506c維持斜展相。
通常，液晶具有傳播相態(tài)的特性。然而，即使在預定的時間過去后具有斜展相的液晶506b依然維持斜展相。這是由于在第一電極501a與501b之間的間隔C太大，因而在間隔C上的液晶506c不具有足夠轉(zhuǎn)變到彎曲相的穩(wěn)定能量狀態(tài)，從而導致彎曲相液晶506a的相態(tài)不會傳播到斜展相液晶506c。
因此，即使將起始電壓提供到那里，維持斜展相的液晶506c所在的像素(第二像素)也不能正常工作，從而導致LCD裝置的性能劣化。
相反，根據(jù)圖6B所示的由本發(fā)明形成的LCD裝置，成核不是隨機發(fā)生的，因此，即使當任一特定像素(第三像素)的液晶作為斜展相液晶507a而存在時，通過起始電壓的方法也將相鄰像素(第四像素)的液晶相變成彎曲相液晶507b，且由于與參考圖5B所述的以上原因相同的原因，當存在于第一電極501c與501d之間的間隔上的液晶相變成彎曲相液晶507c時，已經(jīng)相變成彎曲相液晶507b的像素(第四像素)的相態(tài)隨后在預定時間過去之后被傳播(508)，從而斜展相液晶507a也相變成彎曲相液晶507d。第三像素是包括由501d表示的第一電極的那個像素，第四像素是包括由501c表示的第一電極的那個像素。
提供給第一電極501c和501d及第二電極502b的起始電壓可以比在不依照本發(fā)明的LCD裝置中的低，其中根據(jù)本發(fā)明的起始電壓可以在15V到25V的范圍內(nèi)，優(yōu)選20V。以下參考圖6B描述其原因。當提供的電壓為25V或更大時，多數(shù)像素都相變成彎曲相。然而，當電壓低于25V，即20V時，不會必然發(fā)生成核，這使得一些像素(即諸如第三像素的像素)發(fā)生成核，而當鄰近于該像素的任何一個像素(第四像素)相變?yōu)閺澢鄷r，由于相傳播，未改變的像素(第三像素)也相變成彎曲相，從而即使利用低電壓也有可能使所有像素相變。
此外，相變時間可以為0.2秒到1秒，該時間足以完成相變。這是因為當任何一個像素(第四像素)首先相變成彎曲相時，該像素將相態(tài)傳播到鄰近像素(第三像素)，使得如上所述，鄰近像素(第三像素)容易且迅速地相變成彎曲相，因此在不依照本發(fā)明的裝置中用于完成相變的時間為幾秒，而在依照本發(fā)明的裝置中可以為0.2秒到1秒。
因此，不會隨機地發(fā)生成核，因而即使當將足夠的起始電壓提供給任何一個特定像素(第三像素)時，也不會導致到彎曲相的相變發(fā)生。然而，當像素之間的間隔為3μm或更少時，由于電場的集中，使得像素之間的液晶可以容易地相變成彎曲相，因而在發(fā)生相變成彎曲相的像素(第四像素)處發(fā)生相傳播，這使得任何一個具有斜展相的特定像素(第三像素)能相變成彎曲相。
最后，參考圖4和6B，當像素之間的距離為3μm或更少時，即使在提供起始電壓后特定像素不發(fā)生變成彎曲相的相變，鄰近任何一個特定像素的像素的彎曲相也會容易地傳播到該特定像素，使得未發(fā)生相變的像素可以相變成彎曲相。然而，當使像素之間的距離為3μm或更少時，可能會產(chǎn)生這樣的問題在第一電極與導體之間形成寄生電容，該導體例如是在第一電極下形成的互連，因此形成絕緣層，使得在第一電極與在第一電極下方形成的導體之間的間距等于3μm或更大。結果，可以減少用于相變成彎曲相的時間，且可以促進到相鄰像素的相傳播，從而可以解決在金屬互連與第一電極之間形成寄生電容的問題。
根據(jù)如上所述的本發(fā)明，在LCD裝置及制作LCD裝置的方法中，第一像素電極彼此隔開3μm或更少的間距，且絕緣層與第一電極下的金屬互連隔開3μm或更多，因此能夠降低OCB模式的LCD裝置中的液晶的起始驅(qū)動電壓，即，用于導致從斜展相變成彎曲相的相變發(fā)生的起始驅(qū)動電壓。從而，可以克服成核的問題，可以減少用于相變成彎曲相的時間，可以促進相傳播到鄰近像素，并可以克服在金屬互連與第一電極之間形成寄生電容的問題。
盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的某些示范性實施例對本發(fā)明進行了說明，但是應當理解的是，本領域的普通技術人員在不背離權利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明做出多種修改和變化。
本申請參考并在此引入了此前于2004年11月11日向韓國知識產(chǎn)權局提交并正式被授予序列號2004-92127的申請“LIQUID CRYSTAL DISPLAYDEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME”，本申請要求享有其全部權益。
權利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括第一基板；設置在所述第一基板的一個表面上的導電層；絕緣層，設置在所述導電層上且厚度為3μm或更大；第一電極，設置在所述絕緣層上且彼此隔開3μm或更少的間距；第二基板，包括設置在一個表面上，面向所述第一基板的第二電極；以及插置在所述第一和第二基板之間的液晶層。
2.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述導電層設置在所述第一電極下方。
3.權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述絕緣層包括平面化層。
4.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述絕緣層包括苯并環(huán)丁烯或丙烯酸基材料。
5.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述導電層包括金屬互連。
6.如權利要求5所述的液晶顯示裝置，其中所述金屬互連包括掃描線、數(shù)據(jù)線和公共線之一。
7.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，進一步包括設置在所述第一電極上的第一配向?qū)雍驮O置在所述第二電極上的第二配向?qū)印?br> 8.如權利要求7所述的液晶顯示裝置，其中所述第一和第二配向?qū)右呀?jīng)在相同方向中摩擦。
9.如權利要求7所述的液晶顯示裝置，其中所述第一和第二配向?qū)泳哂蟹秶?°到20°之內(nèi)的預傾斜角。
10.如權利要求7所述的液晶顯示裝置，其中所述第一和第二配向?qū)泳哂蟹秶?00到1000之內(nèi)的厚度。
11.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，進一步包括設置在所述第一基板的另一表面上的第一偏振器及設置在所述第二基板的另一表面上的雙光軸補償膜和第二偏振器。
12.如權利要求11所述的液晶顯示裝置，其中所述第一偏振器的偏振軸與所述第二偏振器的偏振軸交叉。
13.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述液晶層厚度在1.5μm到2.5μm的范圍內(nèi)。
14.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述液晶層響應于所述第一電極與所述第二電極之間的、范圍在15V到20V內(nèi)的電勢差，從斜展相相變成彎曲相。
15.如權利要求14所述的液晶顯示裝置，其中所述液晶層的轉(zhuǎn)變時間在0.2秒到1秒的范圍內(nèi)。
16.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述液晶層包括具有正介電各向異性的液晶。
17.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，進一步包括在所述第一基板的另一表面上的光源。
18.如權利要求17所述的液晶顯示裝置，其中所述光源包括反射器、漫射體和發(fā)光二極管。
19.如權利要求18所述的液晶顯示裝置，其中所述發(fā)光二極管為紅色、綠色、和藍色組以及青色、品紅色和黃色組的至少一組。
20.如權利要求18所述的液晶顯示裝置，其中所述發(fā)光二極管為白色。
21.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，進一步包括設置在所述第二電極與所述第二基板之間的濾色器。
22.如權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中所述液晶層包括光學補償彎曲液晶。
23.一種制造液晶顯示裝置的方法，包括形成第一基板；在所述第一基板上形成導電層；在已經(jīng)形成所述導電層的所述第一基板上形成厚度為3μm或更大的絕緣層；在已經(jīng)形成所述絕緣層的所述第一基板上形成第一電極材料；構圖所述第一電極材料，以形成彼此隔開3μm或更少的第一電極；形成第二基板；在所述第二基板上形成第二電極；密封所述第一和第二基板，使所述第一電極與所述第二電極彼此相對；以及在所述第一和第二基板之間填充液晶以形成液晶層。
24.如權利要求23所述的方法，進一步包括在形成所述第一電極后形成第一配向?qū)右约霸谛纬伤龅诙姌O后形成第二配向?qū)印?br> 25.如權利要求23所述的方法，進一步包括在形成所述第一和第二配向?qū)雍笱叵嗤姆较蚰Σ了龅谝缓偷诙湎驅(qū)印?br> 26.如權利要求23所述的方法，其中形成所述絕緣層包括利用旋涂法用苯并環(huán)丁烯或丙烯酸基材料形成一層。
27.如權利要求23所述的方法，其中密封所述第一和第二基板包括通過1.5μm到2.5μm的間隙使所述第一和第二基板彼此隔開。
全文摘要
一種液晶顯示(LCD)裝置包括第一基板；設置在第一基板的一個表面上的導電層；設置在導電層上且厚度為3μm或更厚的絕緣層；設置在絕緣層上的第一電極，彼此隔開3μm或更少的間距；第二基板，包括在一個表面上與第一基板相對設置的第二電極；以及插置在第一與第二基板之間的液晶層。
文檔編號G02F1/1333GK1773352SQ20051012036
公開日2006年5月17日 申請日期2005年11月11日 優(yōu)先權日2004年11月11日
發(fā)明者金相旭 申請人:三星Sdi株式會社