專利名稱：濾色片的形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用噴墨方式制造濾色片的工序。
背景技術：
在由噴墨方式的濾色片形成中，進行由配設在基板上的凸狀的隔壁構件(以下稱為貯格圍堰)的圖案的微細化。為了將由噴墨方式噴出的濾色片材料(以下稱為墨水)收納在由貯格圍堰和基板形成的凹部(以下稱為溝部)中，使貯格圍堰呈疏液性、基板呈親水性以防止墨水超越貯格圍堰(例如，專利文獻1)。
專利文獻1特開2001-272527號公報但是，賦予貯格圍堰以疏液性時，由噴墨頭噴出的墨水因貯格圍堰的疏液性而收縮成為球狀，在貯格圍堰的中央部附近色深，在貯格圍堰近處因墨水的厚度薄而色淺，這樣，損害了作為濾色片的性能。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于，用更簡便的方法使貯格圍堰溝部滯留充分的墨水以提供貯格圍堰溝部內(nèi)的色的深淺的差別小、反差比大的濾色片的形成方法。
為了解決上述課題，本發(fā)明的要旨在于，包括在基板上形成貯格圍堰的工序；使上述基板和上述貯格圍堰的一部分或者全部親水化的工序；和在上述貯格圍堰的上面的一部分或者全部上涂布疏液劑的工序。
按照這樣，通過使基板和在基板上形成的貯格圍堰的一部分或者全部親水化，可以使貯格圍堰溝部內(nèi)全部具有親水性而充分地滯留墨水。另外，通過在貯格圍堰的上面的一部分或者全部上涂布疏液劑，可以防止墨水超過貯格圍堰，同時從噴墨頭噴出的墨水在貯格圍堰的上方彈落的情況下，可以將貯格圍堰上方的墨水拉到貯格圍堰溝內(nèi)，以防止與鄰接的貯格圍堰的墨水相混。
本發(fā)明的要旨在于，使本發(fā)明的疏液劑附著在上述基板以外的原版構件上，通過上述原版構件和上述基板上的上述貯格圍堰接觸，上述疏液劑被轉(zhuǎn)印到上述貯格圍堰的上面的一部分或者全部上。
按照這樣，由于使疏液劑附著在基板以外的原版構件上，通過原版構件和基板上的貯格圍堰接觸，疏液劑可以轉(zhuǎn)印到貯格圍堰的上面的一部分或者全部上，所以對已親水化的貯格圍堰溝部不賦予影響而可以使貯格圍堰的上面的一部分或者全部上設置疏液劑。
本發(fā)明的要旨在于，本發(fā)明的貯格圍堰的材質(zhì)是無機材料或者有機材料。
按照這樣，與貯格圍堰的材質(zhì)無關而可以適用本發(fā)明。
本發(fā)明的要旨在于，本發(fā)明的貯格圍堰的高度是1μm以上。
按照這樣，在貯格圍堰的上面的一部分或者全部設置疏液劑之際，貯格圍堰的高度是1μm以上時，可以防止疏液劑附著在貯格圍堰溝部中。
本發(fā)明的要旨在于，本發(fā)明的上述貯格圍堰配設在遮光層的上方。
按照這樣，在配設在基板上的遮光層的上方設置貯格圍堰，通過使基板、貯格圍堰和遮光層的一部分或者全部親水化，可以使貯格圍堰溝部內(nèi)全部親水化，同樣使墨水滯留在貯格圍堰溝部內(nèi)。
本發(fā)明的要旨在于，使上述基板和上述貯格圍堰的一部分或者全部親水化的工序，至少包括臭氧氧化處理、等離子體處理、電暈處理、紫外線照射處理、電子束照射處理、酸處理、堿處理中的一種處理。
按照這樣，作為使基板和貯格圍堰的一部分或者全部親水化的工序的處理方法，至少包括臭氧氧化處理、等離子體處理、電暈處理、紫外線照射處理、電子束照射處理、酸處理、堿處理的一種處理，藉此，可以使基板和貯格圍堰的一部分或者全部親水化。
本發(fā)明的要旨在于，本發(fā)明的原版構件是平板狀或者輥狀。
按照這樣，相對于在基板上形成的貯格圍堰上面的一部分或者全部可以容易地轉(zhuǎn)印附著在平板狀或者輥狀的原版構件上的疏液劑，使貯格圍堰上面的一部分或者全部具備疏液性。
本發(fā)明的要旨在于，本發(fā)明的原版構件的材質(zhì)是至少含有硅氧烷結(jié)構的彈性體。
按照這樣，由于原版構件的材質(zhì)是至少含有硅氧烷結(jié)構的彈性體，所以可以得到形成彈性體的原版構件，可以提高與基板和貯格圍堰的一部分或者全部的密接性。另外，還可以確保與疏液劑的耐性。
本發(fā)明的要旨在于，本發(fā)明的疏液劑是有機硅烷偶合劑或者呈疏液性的高分子。
按照這樣，由于疏液劑是有機硅烷偶合劑或者呈疏液性的高分子，所以可以使貯格圍堰的上面的一部分或者全部具備強的疏液性，可以使墨水穩(wěn)定地收容在貯格圍堰溝部。


圖1是基板和在該基板上形成貯格圍堰的工序的流程圖。
圖2(a)～(f)是說明由光刻法蝕刻貯格圍堰膜而形成貯格圍堰的工序的基板剖面圖。
圖3(a)～(e)是說明圖1的流程圖中的由光刻法蝕刻基板而形成貯格圍堰的工序(S120、S121、S122)的基板剖面圖。
圖4(a)是在基板10上形成需要的貯格圍堰膜12a的基板10的剖面圖，(b)是通過使基板和貯格圍堰的一部分或者全部親水化的工序的被親水化的基板10的剖面圖。
圖5(a)～(c)是說明平板狀的原版構件的制作方法的俯視圖、剖面圖和立體圖。
圖6(a)～(c)是說明在基板10上形成的親水化貯格圍堰的上面22的一部分或者全部涂布疏液劑80的工序的基板10及原版構件51的剖面圖。
圖7(a)是液滴噴出頭200的整體的剖面立體圖，(b)是噴出部的詳細的剖面圖。
圖8是說明從液滴噴出頭200噴出的紅(R)、綠(G)、藍(B)的任一種墨水11和基板10的關系的剖面圖。
圖9(a)～(c)是表示輥狀的原版構件61的制作方法的俯視圖、剖面圖和立體圖。
圖10(a)～(d)是說明在基板10上設置遮光層95、含有該遮光層95的濾色片的形成方法的基板10的剖面圖。
圖11是說明從液滴噴出頭200噴出的紅(R)、綠(G)、藍(B)的任一種墨水11和基板10的關系的剖面圖。
圖中10-基板，10a-表面，10b-圖案，11、11a、11b-墨水，11c-液面，11d、11e-液面，12-貯格圍堰膜，12a-需要的貯格圍堰膜，12b-不需要的貯格圍堰膜，12c、12d-貯格圍堰壁側(cè)面，12e-貯格圍堰上面，14-抗蝕劑，14a-需要的抗蝕劑，14b-不需要的抗蝕劑，16-光掩模，16a-光掩模圖案，20-貯格圍堰溝部，21、21a、21b-親水化貯格圍堰溝部，22-親水化貯格圍堰上面，50-疏液劑，51-基板以外的構件的平板狀的原版構件，52-模框，52a-導向孔，52b-壁面，53-印模體，53a-傾斜面，53b-突出部，53c-面，54-印模劑，54a-原版面，55-平板，55a-面，56-施力構件，61-基板以外的構件的輥狀的原版構件，62-?？?，62a-壁，62b、62c-階式孔，63、64-底板，64a-孔，65-中心軸，65a、65b-突出部，66-蓋，66a-孔，66b、66c-排泄孔，70-表面處理劑，80-疏液劑，81-疏液化膜，90-親水化膜，95-遮光層，200-液滴噴出頭，220-內(nèi)腔，222-隔壁，224-振動器，224a、224b-電極，224c-壓電元件，226-振動板，227-噴出部，228-噴嘴板，229-積液處，230-供給口，232-孔，252-噴嘴具體實施方式
以下詳細地說明本發(fā)明的實施例。
實施例1濾色片在基板上具備矩陣狀排列的多個像素，像素和像素的交界線由凸狀的隔壁構件(以下稱為貯格圍堰)劃分。將用該貯格圍堰劃分的內(nèi)側(cè)區(qū)域稱為貯格圍堰溝部。從噴墨裝置向1個個像素中噴出紅(R)、綠(G)、藍(B)的任一種濾色材料(以下稱為墨水)，形成濾色片。像素的形狀也可以是圓形、橢圓形、方形、條紋的任一種形狀，但是由于墨水的組合物具有表面張力，所以優(yōu)選方形的角部帶圓角。另外，紅、綠、藍的配置有嵌鑲排列、條紋排列、三角形排列等，在本實施例中也可以是其它的配置。
本實施例說明作為濾色片形成方法的基板和在該基板上形成貯格圍堰的工序；使基板和貯格圍堰的一部分或者全部親水化的工序；和在貯格圍堰的上面的一部分或者全部上涂布疏液劑的工序。
<基板和在基板上形成貯格圍堰的工序的流程圖>
圖1是本實施例的基板和在該基板上形成貯格圍堰的工序的流程圖。
在本實施例中，用步驟(以下稱為S)100選擇是否以基板自體作為貯格圍堰使用。不以基板自體作為貯格圍堰使用的情況下進入S101，以基板自體作為貯格圍堰使用的情況下進入S120。
在此，作為基板的材質(zhì)是由玻璃、石英等構成的透明或者半透明的無機質(zhì)基板材料、金剛石、硅系、鍺系等的單晶體或者非單晶體的半導體基板材料、另外由陶瓷等構成的基板材料、或者聚乙烯樹脂系、聚苯乙烯樹脂系、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂系、聚丙烯酸樹脂系、聚甲基丙烯酸樹脂系等的通用塑料或聚碳酸酯樹脂系、聚酯樹脂系、聚酰胺樹脂系、聚縮醛樹脂系、聚酰胺-酰亞胺樹脂系、聚酰亞胺樹脂系、聚醚酰胺樹脂系、環(huán)氧樹脂系(包括加入玻璃)、聚砜樹脂系、聚醚砜樹脂系、聚醚樹脂系、聚醚醚酮樹脂系、聚醚腈樹脂系、聚苯基醚樹脂系、聚苯硫醚樹脂系、聚酚醛樹脂系等的工程塑料的任一種或者使分別的材料組合的材料。
說明不以基板自體作為貯格圍堰的情況。
在S101，選擇是否在基板10的上方使貯格圍堰多層化。不多層化時選擇1層的貯格圍堰的情況下(NO)，使S102～S105只進行一次。另外，選擇“使貯格圍堰多層化”的情況下(YES)，使S102～S105只反復進行多層化的次數(shù)。
在S102，使基板的一部分或者全部涂布或者附著貯格圍堰材料，實施熱和/或光處理等的成膜處理，得到希望的貯格圍堰膜。所謂熱和/或光處理是指通過加熱、紫外線照射、紅外線照射或者可見光照射等使構成貯格圍堰膜的物質(zhì)活性化、發(fā)生反應、用于得到作為貯格圍堰膜的性能的處理。以下，將該處理稱為成膜處理。以下將這樣得到的膜稱為貯格圍堰膜。優(yōu)選作為貯格圍堰的高度的貯格圍堰膜的厚度(高度)是1μm以上。
在此，貯格圍堰的材料是作為無機材料的無機質(zhì)基板材料、半導體基板材料、陶瓷基板材料或者作為有機材料的通用的塑料和工程塑料的任一種或者使分別的材料組合的材料。特別是選擇S101中“使貯格圍堰多層化”的情況下，組合這些材料，構成貯格圍堰。
另外，說明S102中的涂布或者附著貯格圍堰的材料的方法。
作為涂布的方法有旋轉(zhuǎn)涂法，其通過將液狀的上述的貯格圍堰材料供給旋轉(zhuǎn)的基板可以得到具有希望厚度的貯格圍堰膜；噴涂法，其由氣體或者介質(zhì)將液狀的上述的貯格圍堰的材料制成霧狀噴涂到基板上；輥涂法，其將液狀的上述的貯格圍堰的材料供給旋轉(zhuǎn)著的多個輥上，調(diào)整成希望的厚度，使至少1個輥和基板接觸，將貯格圍堰的材料從輥轉(zhuǎn)印到基板上；模涂法，其將液狀的上述的貯格圍堰材料供給涂刷器的內(nèi)部，從涂刷器的前端均勻地涂布到基板上；浸涂法，其將液狀的上述的貯格圍堰材料存儲在容器內(nèi)浸漬基板后，以勻速拉起而涂布。
作為使由該圖的S102得到的貯格圍堰膜成形為希望的圖案的方法有光刻法。
在S103的光刻法中，實施與貯格圍堰形狀對合的掩模，使液狀的抗蝕劑進行涂布·曝光·顯影，在S104中蝕刻而除去貯格圍堰膜的不需要部分，在S105中剝離抗蝕劑層而得到希望的貯格圍堰形狀。詳細情況將在后敘述。
在S101中選擇使貯格圍堰多層化(YES)的情況下，在第1次進入S102得到的貯格圍堰的上方涂布與第1次相同或者不同的貯格圍堰材料，實施成膜處理，只要以希望的多層化的次數(shù)分別反復以后的處理。
說明以基板自體作為貯格圍堰使用的情況。
選擇由該圖S100以基板自體作為貯格圍堰使用的情況下，用S120的光刻法實施與貯格圍堰形狀對合的掩模，使液狀的抗蝕劑進行涂布·曝光·顯影，用磷酸、硫酸、硝酸等的酸性溶劑或者堿性溶劑蝕刻在S121中用光刻法在基板的上方制造的由抗蝕劑形成的圖案的無抗蝕劑的部分的基板，在S122中剝離抗蝕劑，在基板上得到希望深度的凹部。以該凹部作為貯格圍堰溝部使用。
<由光刻法在基板上形成貯格圍堰的工序>
圖2(a)～(f)是說明由光刻法蝕刻貯格圍堰膜而形成貯格圍堰的工序的基板剖面圖。
在圖2(a)中，選擇圖1的S101中使貯格圍堰不多層化的情況下(NO)，基板10的一部分或者全部按照由圖1的S102說明那樣形成貯格圍堰膜12。在圖2(b)中，使圖2(a)的貯格圍堰膜12的一部分或者全部的上方形成抗蝕劑14。
在圖2(c)中，以與形成的抗蝕劑14密接的方式實施光掩模16，在該密接的光掩模16的面上實施希望的圖案。在本實施例中，使用了陽性抗蝕劑，由光掩模16的上方照射的平行光只照射無光掩模圖案16a的部分。
在圖2(d)中，被光照射的抗蝕劑14由該光發(fā)生化學反應，相對于顯影液成為可溶。顯影液充分地浸漬抗蝕劑14的表面時，不需要的抗蝕劑的14b溶解于顯影液中。另外，需要的抗蝕劑的14a不溶于顯影液。也可以使需要的抗蝕劑14a加熱，以提高與貯格圍堰膜12的密接性。
在圖2(e)中，將溶解貯格圍堰膜12的溶劑(以下稱為蝕刻液)供給貯格圍堰膜12的表面，溶解而除去沒有需要的抗蝕劑14a部分的不需要的貯格圍堰膜12b。需要的貯格圍堰膜12a，被確保于需要的抗蝕劑14a和基板10之間。
在圖2(f)中，由剝離溶劑除去需要的抗蝕劑14a，使需要的貯格圍堰膜12a在基板10上圖案化而形成。在本實施例中，由與1個需要的貯格圍堰膜12a的貯格圍堰壁側(cè)面12c對向而構成像素的另一個需要的貯格圍堰膜12a的貯格圍堰壁側(cè)面12d和基板10的表面10a形成的凹部稱為貯格圍堰溝部20。另外，需要的貯格圍堰膜12a的上方的面稱為貯格圍堰的上面12e。
在此，將例如黑色、藍色、灰色的顏料或者染料混入貯格圍堰膜12的材料中，在基板10上涂布貯格圍堰膜12，實施成膜處理，經(jīng)過本實施例的工序的情況下，需要的貯格圍堰膜12a呈黑色、藍色、灰色。藉此，可以將需要的貯格圍堰膜12a作為遮蔽通過本發(fā)明的濾色片的光的遮光層使用?；烊氲念伭匣蛘呷玖系纳{(diào)和色彩的深度不限定于上述的色。另外，貯格圍堰膜12的材料既可以是無機材料，也可以是有機材料。
圖3(a)～(e)是說明圖1的流程圖中的由光刻法蝕刻基板而形成貯格圍堰的工序(S120、S121、S122)的基板剖面圖。
圖3(a)是S120中在基板10上形成抗蝕劑14的工序。形成的方法、材質(zhì)與S103相同。S120和S103的不同點在于，在基板10上不配設置貯格圍堰膜12，而在基板10上形成抗蝕劑14。
在圖3(b)中，在S120，實施光掩模16，從無光掩模圖案16a的部分照射平行光，平行光只照射到與無光掩模圖案16a的部分對向的抗蝕劑14上。
在圖3(c)中，在S120，被光照射的抗蝕劑14由該光發(fā)生化學反應，相對于顯影液成為可溶。顯影液充分地浸漬抗蝕劑14的表面時，不需要的抗蝕劑的14b溶解于顯影液中。另外，需要的抗蝕劑的14a不溶于顯影液。也可以加熱需要的抗蝕劑的14a，以提高與貯格圍堰膜12的密接性。
在圖3(d)中，在S121，將溶解基板10的溶劑(以下稱為基板蝕刻液)供給需要的抗蝕劑14a和基板10的表面，溶解沒有需要的抗蝕劑14a的部分的基板10，得到被除去希望深度的凹狀的希望的圖案10b。基板蝕刻液，只要是不溶解需要的抗蝕劑14a而溶解基板10的溶液即可。
在圖3(e)中，在S122，通過剝離溶劑除去需要的抗蝕劑14a，得到被蝕刻的基板10的凹狀的希望的圖案10b，在本實施例中，將該凹狀的希望的圖案10b作為貯格圍堰溝部20使用。另外，沒被蝕刻的基板10的表面10a被稱為貯格圍堰的上面12e。
<使基板和貯格圍堰的一部分或者全部親水化的工序>
圖4(a)是在基板10上形成需要的貯格圍堰膜12a的基板10的剖面圖，圖4(b)是通過使基板和貯格圍堰的一部分或者全部親水化的工序而被親水化的基板10的剖面圖。
圖4(a)表示用圖1的S102～S105的方法制造的基板10上的貯格圍堰溝部20。
在圖4(a)中，在如上述那樣的基板10上形成需要的貯格圍堰膜12a，由基板10的表面10a、需要的貯格圍堰膜12a的貯格圍堰壁側(cè)面12c、和需要的貯格圍堰膜12a的貯格圍堰壁側(cè)面12d構成貯格圍堰溝部20。貯格圍堰溝部20是成為濾色片的像素的位置，由噴墨裝置(未圖示)將紅(R)、綠(G)、藍(B)的任一種墨水噴到各自的貯格圍堰溝部20，以形成濾色片。
圖4(b)說明親水化的工序(親水處理)。
親水化的工序(親水處理)是用于相對于水容易濕潤的處理，是對貯格圍堰溝部20、基板10及貯格圍堰上面12e的一部分或者全部進行的處理，該圖中將被處理的表面的被親水化的膜作為親水化膜90來表示。特別是將被該親水化膜90覆蓋的貯格圍堰溝部20稱為親水化貯格圍堰溝部21。另外，特別是將由親水化膜90覆蓋的貯格圍堰上面12e稱為親水化貯格圍堰上面22。在此，親水化貯格圍堰溝部21稱為不包括親水化貯格圍堰上面22的區(qū)域。
作為親水處理的具體例可以例示出臭氧氧化處理、等離子體處理、電暈處理、紫外線照射處理、電子束照射處理、酸處理、堿處理等。另外，根據(jù)貯格圍堰溝部20、基板10及貯格圍堰上面12e的表面特性適宜進行處理，例如作為有機物的貯格圍堰溝部20和基板10的表面含有羥基、醛基、酮基、氨基、亞氨基、羧基、硅烷醇基等極性基的情況下，也可以省略親水處理工序。
實施親水處理的親水化貯格圍堰溝部21及基板10對水表示20°以下的接觸角。
<使貯格圍堰的上面的一部分或者全部涂布疏液劑的工序>
以下說明對于上述的親水化貯格圍堰上面22的一部分或者全部涂布疏液劑50的工序。該工序是使親水化貯格圍堰上面22的一部分或者全部相對于水難以濕潤的處理。
使疏液劑50附著在基板10以外的構件的原版構件51上，通過該原版構件51和基板10上的貯格圍堰上面12e接觸，疏液劑50被轉(zhuǎn)印到親水化貯格圍堰上面22的一部分或者全部上，是使親水化貯格圍堰上面22疏液化的工序。
圖5(a)～(c)是說明平板狀原版構件的制作方法的俯視圖、剖視圖和立體圖。
圖5(a)是制作平板狀的原版構件時的俯視圖，圖5(b)是制作平板狀的原版構件時的圖5(a)的A-A剖面圖，圖5(c)是完成的平板狀的原版構件的立體圖。
在圖5(a)中，為了制作平板狀的原版構件51，首先從?？?2的上方插入印模體53。在?？?2的底面上配設導向孔52a，并配合在從印模體53延長至下方的突出部53b。另外，?？?2與印模體53配合。在印模體53的上方，按照向下方縮進間隔那樣配設了對向的、具備一對傾斜面53a的突出部。
從模框52的上方插入印模體53后，使液狀的印模劑54流入由模框52和印模體53構成的凹狀區(qū)域內(nèi)。流入的液狀的印模劑54流入直至填充包括印模體53的面53c和傾斜面53a及?？?2的內(nèi)壁面52b。
插填液狀的印模劑54后，至少一面具備平滑的面55a，例如，從模框52的上方插入硅片或者玻璃等的平板55，夾住液狀的印模劑54。此時，按照平板55的平滑的面55a和液狀的印模劑54之間不進入空氣那樣，在平板55的平滑的面55a上預先涂布液狀的印模劑后插入。平板55只要具有平坦的面即可，不作特別的限定。
將平板55插入模框52中后，插入施力構件56。在本實施例中，利用施力構件56的重量使平板55和液狀的印模劑54施力，但也可以由儲氣筒、彈簧從上方施力，也可以使模框52和施力構件56擰住。
這樣作，將安裝了各自的構件的整套在室溫下放置24小時。另外，也可以加熱。通過這樣的處理，液狀的印模劑54以具備彈性的狀態(tài)固化。
在此，說明作為原版構件的材質(zhì)的印模劑54的材料。
作為印模劑54的材料使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)(信越化學工業(yè)制KE1310ST)，通過加成型的反應機構混入固化的樹脂材料和固化劑后，通過在室溫下放置24小時或者加熱放置，以具備彈性的狀態(tài)固化。
例如，使液狀的印模劑54反應成型為彈性體時的反應也可以是縮合型或者加成型的任一種，但由于顯示0.5％左右的線收縮率的縮合型的高分子反應的過程中會發(fā)生氣體，所以更優(yōu)選使用由線收縮率0.1％左右的加成型反應機構的彈性體材料。
另外，為了提高與基板10及親水化貯格圍堰上面22的密接性，優(yōu)選作為印模劑54使用含有硅氧烷結(jié)構的彈性體。例如可以舉出作為硅烷類化合物的聚二甲基硅氧烷(PDMS)系的彈性體。其高分子的結(jié)構式可以用Si(CH3)3-O-(Si(CH3)2O)n-Si(CH3)3表示。n是正的整數(shù)。通過用這種材料，成型的原版面54a的表面可以吸收或者附著涂布在后述的親水化貯格圍堰上面22上的表面處理劑。
圖5(c)是在印模劑54具備彈性而固化的狀態(tài)下從?？?2拆下的原版構件51的立體圖。
包括印模體53的多個傾斜面53a和面53c在內(nèi)固接了印模劑54。配設在印模體53上的突出部53b，為了在后述工序中將原版構件51安裝在其它裝置上而使用。另外，印模劑54的原版面54a通過平板55的平滑面55a成為平滑的面。
在原版構件51的原版面54a的上方涂布作為表面處理劑70的疏液性高分子溶液(ダイキン工業(yè)制ユニダインTG-656)，用旋轉(zhuǎn)器以3000rpm通過30秒的旋轉(zhuǎn)在原版面54a上涂布表面處理劑70。通過涂布該表面處理劑70，原版面54a具備疏液性。
<使貯格圍堰的上面的一部分或者全部涂布疏液劑的工序>
圖6(a)～(c)是說明使基板10上形成的親水化貯格圍堰的上面22的一部分或者全部涂布疏液劑80的工序的基板10及原版構件51的剖面圖。
圖6(a)是涂布疏液劑80的原版構件51的剖面圖。
在原版構件51具備的印模劑54的原版面54a的一部分或者全部上涂布疏液劑80。作為疏液劑80，例如可以使用以分子的末端官能基能夠選擇地被基板構成原子所化學吸附作為特征的有機硅烷偶合劑(有機硅化合物)或表面活性劑。
在此，所謂有機硅烷偶合劑是用R1SiX1mX2(3-m)表示的化合物，R1表示有機基，X1及X2表示OR2、-R2、-Cl，R2表示碳數(shù)是1～4的烷基，m是1～3的整數(shù)。
另外，所謂表面活性劑是用R1Y1表示的化合物，Y1是親水性的極性基、-OH、-(CH2CH2O)nH、-COOH、-COOK、-COONa、-CONH2、-SO3H、-SO3Na、-OSO3H、-OSO3Na、-PO3H2、-PO3Na2、-PO3K2、-NO2、-NH2、-NH3Cl(銨鹽)、-NH3Br(銨鹽)、≡NHCl(吡啶鹽)、≡NHBr(吡啶鹽)等。
有機硅烷偶合劑的特征是可以被基板表面的羥基化學地吸附，由于與金屬和絕緣體等廣泛的材料的氧化物表面顯示反應性，所以適宜作為疏液劑80使用。在這些有機硅烷偶合劑和表面活性劑中，特別是由具有全氟烷基結(jié)構CnF2n+1或全氟烷基醚結(jié)構CpF2p+1O(CpF2pO)r那樣的含有氟原子的化合物修飾R，固體表面的表面自由能比25mj/m2低，與具有極性的材料的親和性小，因而適合于使用。
更具體地說，作為有機硅烷偶合劑可以舉出CF3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)5-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)5-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3(CF2)11-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3(CF2)3-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)7-CH2CH2-Si(CH3)(OCH3)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H5)2、CF3(CF2)8-CH2CH2-Si(C2H5)(OC2H5)2、CF3O(CF2O)6-CH2CH2-Si(OC2H5)3、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C3F6O)2(CF2O)3-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C3F6O)8-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C4F9O)5-CH2CH2-Si(OCH3)3、CF3O(C4F9O)5-CH2CH2-Si(CH3)(OC2H5)2、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-Si(C2H5)(OCH3)2等。但是，對這些結(jié)構不作限定。
另外，作為表面活性劑可以舉出CF3-CH2CH2-COONa、CF3(CF2)3-CH2CH2-COONa、CF3(CF2)3-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)5-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)7-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)7-CH2CH2-OSO3Na、CF3(CF2)11-CH2CH2-NH3Br、CF3(CF2)8-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(CF2O)6-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)2(CF2O)3-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)4-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C4F9O)5-CH2CH2-OSO3Na、CF3O(C3F6O)8-CH2CH2-OSO3Na等。但是對這些結(jié)構不作限定。
另外，作為疏液劑80也可以使用疏液性的高分子化合物。例如，作為疏液性高分子化合物，可以使用分子內(nèi)含有氟原子的低聚物或者聚合物，如果舉出具體例，有聚四氟乙烯(PTFE)、乙烯-四氟乙烯共聚物、六氟丙稀-四氟乙烯共聚物、聚偏氟乙烯(PVdF)、聚(十五氟庚基甲基丙烯酸乙酯)(PPFMA)、具有聚(全氟辛基丙烯酸乙酯)等長鏈全氟烷基結(jié)構的乙烯、酯、丙烯酸酯、丙烯酸乙酯、乙烯基、氨基甲酸乙酯、硅、亞胺、碳酸酯系聚合物。
按照被轉(zhuǎn)印的疏液劑80的膜(以下稱為疏液化膜81)對親水化貯格圍堰上面22沒有影響地優(yōu)選其厚度在10nm以下，更優(yōu)選是5nm以下的膜厚。
另外，作為向印模劑54的原版面54a涂布疏液劑80的方法，可以采用一般的涂覆法，例如擠壓涂覆法、旋轉(zhuǎn)涂覆法、凹版涂覆法、逆轉(zhuǎn)輥涂覆法、棒涂覆法、狹縫涂覆法、微型凹版涂覆法、浸漬涂覆法、噴墨涂覆法等。
圖6(b)是說明使涂布疏液劑80的原版面54a和基板10的親水化貯格圍堰上面22接觸，將原版面54a的疏液劑80轉(zhuǎn)印到基板10的親水化貯格圍堰上面22上的基板10及原版構件51的剖面圖。
首先，調(diào)整原版面54a和作為基板10的親水化膜90的一部分的親水化貯格圍堰上面22的平行度。然后，在原版面54a和基板10的親水化貯格圍堰22之間，以具備彈性的印模劑54多少變形的程度施力。從而，親水化貯格圍堰溝部21未涂布疏液劑80，親水化貯格圍堰溝部21的親水性確保為原樣。由于通過印模劑54多少變形使疏液劑80附著在親水化貯格圍堰溝部21上，所以優(yōu)選需要的貯格圍堰膜12a的高度(厚度)是1μm以上。
圖6(c)是說明原版構件51從基板10的親水化貯格圍堰上面22脫離、疏液劑80被轉(zhuǎn)印在基板10的親水化貯格圍堰上面22上的狀態(tài)的基板10的剖面圖。
疏液劑80只轉(zhuǎn)印在原版構件54a和基板10的親水化貯格圍堰上面22接觸的部分上，疏液劑80不會轉(zhuǎn)印在未接觸的部分上。這就是可以在親水化貯格圍堰上面22的一部分上轉(zhuǎn)印的方法。也可以在親水化貯格圍堰上面22的全部上轉(zhuǎn)印疏液劑80。
為了提高被轉(zhuǎn)印的親水化貯格圍堰上面22的疏液劑80的疏液性，在轉(zhuǎn)印工序后，優(yōu)選采用用于相對于基板10固定疏液劑80、得到疏液化膜81的工序，具體地說，采用加熱處理和暴露于反應性蒸氣中等的處理。例如，有機硅烷偶合劑的情況下，通過使基板在高溫下加熱或者在室溫下暴露于高濕度環(huán)境下而進行反應。作為具體例，為了將作為疏液劑80的疏液性高分子反應固定在基板10的親水化貯格圍堰上面22上，可以采用在加熱到150℃的爐內(nèi)加熱處理1分鐘的方法。
這樣，通過涂布的疏液劑80固定在基板10上、成為作為疏液性高分子的薄膜的疏液化膜，可以只使基板10上的親水化貯格圍堰上面22呈疏液性。通過由被轉(zhuǎn)印的疏液劑80生成的疏液化膜81的疏液性高分子，使表面處理為具有疏液性，疏液化膜81相對于水具有90。以上的高的接觸角。
圖7(a)是液滴噴出頭200的整體的剖面立體圖，(b)是噴出部的詳細的剖面圖。各自的液滴噴出頭200是噴墨的液滴噴出頭。各自的液滴噴出頭200具備振動板226和噴嘴板228。在振動板226和噴嘴板228之間設置借助于管(未圖示)從容器(未圖示)經(jīng)常補充供給孔232的紅(R)、綠(G)、藍(B)的任一種墨水的貯液槽229。
另外，多個隔壁222位于在振動板226和噴嘴板228之間。而且，由振動板226、噴嘴板228和1對隔壁222圍住的部分是內(nèi)腔220。由于內(nèi)腔220與噴嘴252對應而設置著，所以內(nèi)腔220的數(shù)量與噴嘴252的數(shù)量相同。借助于位于1對隔壁222間的供給口230，從貯液槽229將紅(R)、綠(G)、藍(B)的任一種墨水供給內(nèi)腔220。
在圖7(b)中，在振動板226上與各自的內(nèi)腔220對應而設置振動器224。振動器224包括壓電元件224c和夾持壓電元件224c的一對電極224a、224b。將驅(qū)動電壓賦予該1對電極224a、224b之間時，從對應的噴嘴252噴出紅(R)、綠(G)、藍(B)的任一種墨水11。另外，調(diào)整噴嘴252的形狀，以使從噴嘴252沿Z軸方向噴出墨水11。
在此，本實施例中所謂“墨水11”是指具有可從噴嘴噴出的粘度的材料。此時，不管材料是水性還是油性。只要充分具備可從噴嘴噴出的流動性(粘度)，即使混入固體物質(zhì)，只要作為整體是流動體即可。
優(yōu)選墨水11的粘度是1mPa·s以上、50mPa·s以下。粘度比1mPa·s小的情況下，噴出墨水11的液滴時，噴嘴252的周邊容易因墨水11的流出而污染。另一方面，粘度比50mPa·s大的情況下，噴嘴252中的孔堵塞的頻率升高，因此難以噴出圓滑的液滴。
在本實施例中，將包括1個噴嘴252、與噴嘴252對應的內(nèi)腔220和與內(nèi)腔220對應的振動器224的部分表記為“噴出部227”。按照該表記，1個液滴噴出頭200具有與噴嘴252數(shù)量相同數(shù)量的噴出部227。噴出部227也可以具有電熱轉(zhuǎn)換元件來代替壓電元件。也就是說，噴出部227也可以具有利用由電熱轉(zhuǎn)換元件的材料的熱膨脹而噴出材料的構成。
在此，說明墨水11的材質(zhì)。
墨水11例如可以使用下述材質(zhì)將以聚氨酯樹脂低聚物作為顏料的無機顏料或者有機顏料分散后，添加作為低沸點溶劑的環(huán)己酮及醋酸丁酯，作為高沸點溶劑的丁醚乙酸酯，再添加作為分散劑的0.01重量％的非離子系表面活性劑，粘度成為6～8mPa·s。從而，通過將紅(R)、綠(G)、藍(B)的無機顏料分散在分別的各自中，形成紅(R)、綠(G)、藍(B)的墨水11。
圖8是說明從液滴噴出頭200噴出的紅(R)、綠(G)、藍(B)的任一種墨水11和基板10的關系的剖面圖。
從液滴噴出頭200噴出的墨水11以炮彈型的形狀到達基板10。由液滴噴出裝置(未圖示)，相對于親水化貯格圍堰溝部21，控制用于噴出的位置后噴出適量的墨水11。該圖中圖示的墨水11是從液滴噴出裝置具備的液滴噴出頭200中噴出的墨水。
墨水11由液滴噴出頭200(參照圖7)從該圖紙面右側(cè)向左側(cè)例如噴出紅(R)的墨水11a，滯留在親水化貯格圍堰溝部21a中，然后，例如噴出綠(G)的墨水11b，滯留在親水化貯格圍堰溝部21b中。此時，由于親水化貯格圍堰溝部21a、21b內(nèi)被前述的親水化膜90親水化，所以墨水11可以容易地滯留在親水化貯格圍堰溝部21a、21b內(nèi)，相對于親水化貯格圍堰溝部21a、21b的高度可以噴出并滯留墨水11a、11b直至滿杯。
因此，使從液滴噴出頭200噴出的墨水11a的量多，噴出并滯留在親水化貯格圍堰溝部21a中的墨水11的液面11c容易得到大體水平的狀態(tài)。由于只要親水化貯格圍堰溝部21a內(nèi)的墨水11a的厚度大體是均等狀態(tài)，分散在墨水11a中的顏料的濃度就大體是均勻的，所以實施后述的干燥處理、墨水11a的溶劑蒸發(fā)的情況下，作為像素的親水化貯格圍堰溝部21a內(nèi)的色的濃度就會均勻而且深。
另外，從液滴噴出頭200噴出的墨水11a的向基板10的到達位置(以下稱為彈落位置)稍微偏離、墨水11a落到疏液化膜81的上方的情況下，因疏液化膜81的疏液性，墨水11a彈起來，被拉進親水化貯格圍堰溝部21a內(nèi)，可以防止與相鄰的其它色的墨水11b混合。
然后，干燥從液滴噴出頭200噴出、滯留在作為像素的各親水化貯格圍堰溝部21a、21b內(nèi)的墨水11。
首先，在自然氣氛的氣體中放置3小時后，在80℃的加熱板上加熱40分鐘，最后在爐中200℃下加熱30分鐘，實施墨水11的干燥處理，藉此，在基板10上可以形成紅(R)、綠(G)、藍(B)的濾色片。
在親水化貯格圍堰溝部21b中墨水11b的量多的情況下，墨水11b的液面11e突出直至比疏液化膜81高的位置。即使是該情況下，只要按照本實施例，由疏液化膜81的疏液性，就可以防止流出到相鄰像素形成的親水化貯格圍堰溝部21a中。
以下記載本實施例的效果。
(1)不對貯格圍堰溝部20(參照圖4)實施親水化處理的情況下，墨水11和貯格圍堰溝部20的濕潤性差，成為如該圖中用雙點劃線表示的液面11d，成為在貯格圍堰溝部20的中心部厚度大、在貯格圍堰溝部20的周邊部幾乎沒有厚度的狀態(tài)。因此，通過本實施例可以解決紅(R)、綠(G)、藍(B)的各像素中的色的均勻性及色的深度的課題。
(2)由于通過在貯格圍堰膜12中混入顏料或者染料，需要的貯格圍堰膜12a起作為遮光層的作用，所以使用由本實施例的方法形成的濾色片可以提供反差比大的顯示裝置。
實施例2以下用

實施例2。
本實施例敘述與實施例1不同的部分，不敘述的部分與實施例1相同。
圖9(a)～(c)是表示輥狀的原版構件61的制作方法的俯視圖、剖面圖和立體圖。
圖9(a)、(b)？是說明制作原版構件61的工序的俯視圖、剖面圖。?？?2的內(nèi)壁62a，由圓筒研磨加工進行正圓度、圓筒度精度良好的精加工。在?？?2的下方設有確保與內(nèi)壁62a同心度的階式孔62b，在中心具備孔64a的底板64和底板63配合著。在此，流入實施例1所述的液狀的印模劑54。
將中心軸65從?？?2的上方插入，使中心軸65的一端插入到底板64的中心的孔64a中。從?？?2的上方插入與設在模框62的上方的階式孔62c配合的蓋66。使蓋66具備的孔66a和中心軸65的另一端配合的同時插入。從蓋66具備的排泄孔66b、66c，可以使多余的液狀的印模劑54流出到?？?2的外部。通過與實施例1同樣處理這些構件，使液狀的印模劑54固化。從模框62中取出固化的印模劑54和一部分包在印模劑54內(nèi)的中心軸65。
圖9(c)是從?？?2中取出的輥狀的原版構件61的立體圖。
計測從印模劑54突出的中心軸65的突出部65a、65b和印模劑54的原版面54a的同軸度。計測的同軸度不佳的情況下或者印模劑54的原版面54a存在氣泡的情況下，以中心軸65的突出部65a、65b作為基準車削原版面54a。此時，由于印模劑54具有彈性，所以可以用被加熱的銳利的刀具車削。
與實施例1同樣由表面處理劑70處理原版構件61的印模劑54的原版面54a。將這樣制作的原版構件61安裝在進行輥涂覆的裝置等上，在印模劑54的原版面54a上，將實施例1中所述的疏液劑80涂布成均勻的厚度，轉(zhuǎn)印到具備親水化貯格圍堰溝部21的基板10的親水化貯格圍堰上面22上，成膜處理疏液劑80，形成疏液化膜81。
以下敘述本實施例的效果。
(3)通過將原版構件61具備的印模劑54制成輥狀，安裝在進行輥涂覆的裝置等上，可以連續(xù)且效率良好地將疏液劑80轉(zhuǎn)印到基板10的親水化貯格圍堰上面22上。
實施例3以下用

實施例3。
本實施例敘述與實施例1或者實施例2不同的部分，不敘述的部分與實施例1或者實施例2相同。
圖10(a)～(d)是說明在基板10上設遮光層95、含有該遮光層95的濾色片的形成方法的基板10的剖面圖。
在圖10(a)中說明基板10上的遮光層95。
在基板10的表面上，由濺射法或者真空鍍膜法以平均0.2μm的膜厚形成鉻膜，由光刻法使該鉻膜形成像素的基底圖案狀。該遮光層95也稱為黑底，由濾色片的遮光層95可以掩蔽而看不見光控制元件的配線等。形成黑色的遮光層95時，可以使通過濾色片中使用的紅(R)、綠(G)、藍(B)的墨水的光的反差比良好。遮光層95只要是金屬薄膜、不透明或者半透明的有機材料即可。
說明遮光層95是不透明或者半透明的有機材料的情況。在基板10的上方形成貯格圍堰膜12時，可以將顏料或者染料適宜地混合在成為貯格圍堰膜12的液狀的貯格圍堰膜材料中。這樣進行時，被成膜處理的貯格圍堰膜12起作為不通過光的遮光層95的作用。另外，例如將遮光層95配設在1對偏光板之間的情況下，通過使偏光了的光散射，從一方的偏光板出來的光減少，也可以起遮光層95的作用。該情況下的光散射劑只要是與成為貯格圍堰膜12的液狀的貯格圍堰膜的材料具有不同的折射率的材料即可。
在圖10(b)中，使用上述實施例在配設在基板10上的遮光層95的上方形成需要的貯格圍堰膜12a。
在圖10(c)中，對基板10、遮光層95及需要的貯格圍堰膜12a實施親水處理，形成親水化膜90。由于遮光層95的寬度比需要的貯格圍堰膜12a寬，所以不實施親水化膜90時，墨水11和遮光層95會直接接觸。為了由遮光層95的物質(zhì)使墨水11彈起，親水化膜90包括遮光層95在內(nèi)都被親水化。
將由需要的貯格圍堰膜12a的貯格圍堰壁側(cè)面12c、貯格圍堰壁側(cè)面12d、遮光層95的一部分及基板10的表面10a的區(qū)域構成的凹部稱為貯格圍堰溝部20。將使該貯格圍堰溝部20配設親水化膜90的區(qū)域稱為親水化貯格圍堰溝部21。另外，將在貯格圍堰上面12e上形成親水化膜90的部位稱為親水化貯格圍堰上面22。
在圖10(d)中，與上述實施例同樣，使用本發(fā)明的轉(zhuǎn)印方法使親水化的貯格圍堰上面22涂布疏液劑80，得到疏液化膜81。
圖11是說明從液滴噴出頭200噴出的紅(R)、綠(G)、藍(B)的任一種墨水11和基板10的關系的剖面圖。
從液滴噴出頭200噴出的墨水11，以炮彈型的形狀到達基板10。由液滴噴出裝置(未圖示)控制相對于包括遮光層95的親水化貯格圍堰溝部21用于噴出的位置，噴出適量的墨水11。該圖中圖示的墨水11是從液滴噴出裝置具備的液滴噴出頭200中噴出的墨水。
由液滴噴出頭200(參照圖7)，墨水11從該圖紙面右側(cè)向左側(cè)例如噴出紅(R)的墨水11a，滯留在親水化貯格圍堰溝部21a中，然后，例如噴出綠(G)的墨水11b，滯留在親水化貯格圍堰溝部21b中。此時，如前所述，由于親水化貯格圍堰溝部21a、21b內(nèi)包括遮光層95都由親水化膜90親水化，所以墨水11可以容易地滯留在親水化貯格圍堰溝部21a、21b內(nèi)，相對于親水化貯格圍堰溝部21a、21b的高度可以噴出并滯留墨水11a、11b直至滿杯。
因此，使從液滴噴出頭200噴出的墨水11a的量多，噴出并滯留在親水化貯格圍堰溝部21a中的墨水11的液面11c容易得到大體水平的狀態(tài)。由于只要親水化貯格圍堰溝部21a內(nèi)的墨水11a的厚度大體是均等狀態(tài)，分散在墨水11a中的顏料的濃度就大體是均勻的，所以實施后述的干燥處理、墨水11a的溶劑蒸發(fā)的情況下，作為像素的親水化貯格圍堰溝部21a內(nèi)的色的濃度就會均勻而且深。
另外，從液滴噴出頭200噴出的墨水11a的向基板10的到達位置(以下稱為彈落位置)稍微偏離、墨水11a落到疏液化膜81的上方的情況下，因疏液化膜81的疏液性，墨水11a彈起來，被拉進親水化貯格圍堰溝部21內(nèi)，可以防止與相鄰的其它色的墨水11b混合。
然后，干燥從液滴噴出頭200噴出、滯留在作為像素的各親水化貯格圍堰溝部21a、21b內(nèi)的墨水11。
首先，在自然氣氛的氣體中放置3小時后，在80℃的加熱板上加熱40分鐘，最后在爐中200℃下加熱30分鐘，實施墨水11的干燥處理，藉此，在基板10上可以形成紅(R)、綠(G)、藍(B)的濾色片。
在親水化貯格圍堰溝部21b中墨水11b的量多的情況下，墨水11b的液面11e突出直至比疏液化膜81高的位置。即使是該情況下，只要按照本實施例，由疏液化膜81的疏液性，就可以防止流出到作為相鄰像素的親水化貯格圍堰溝部21a中。
以下敘述本實施例的效果。
(4)不對貯格圍堰溝部20(參照圖10)實施親水化處理的情況下，墨水11和貯格圍堰溝部20的濕潤性差，成為如該圖中用雙點劃線表示的液面11d，成為在貯格圍堰溝部20的中心部厚度大、在貯格圍堰溝部20的周邊部幾乎沒有厚度的狀態(tài)。因此，通過本實施例可以解決紅(R)、綠(G)、藍(B)的各像素中的色的均勻性及色的深度的課題。
本發(fā)明的各實施例對上述不作限定，可以按照以下那樣變更。
(變形例1)在上述實施例中，原版面54a具備平滑的平面，但是也可以與基板10的親水化貯格圍堰溝部21的形狀對合而成形為凸凹，使親水化貯格圍堰上面22的一部分或者全部涂布疏液劑80，形成疏液化膜81。
(變形例2)在上述實施例中，將原版構件61具備的印模劑54制成輥狀，但是也可以與基板10的親水化貯格圍堰溝部21的形狀對合而成形為凸凹，使親水化貯格圍堰上面22的一部分或者全部涂布疏液劑80，形成疏液化膜81。
(變形例3)在上述實施例中，將需要的貯格圍堰膜12a配設在遮光層95上，但是由濺射法、真空鍍膜法、各種涂覆法在基板10的上方全面地配設成為遮光層95的金屬薄膜或者半透明的有機材料，由光刻法以與貯格圍堰溝部20對應的基底圖案形狀形成抗蝕劑，使基板10進行蝕刻。在基板10未蝕刻的表面10a上殘留遮光層95，被蝕刻的凹部成為貯格圍堰溝部20或者親水化貯格圍堰溝部21，滯留紅(R)、綠(G)、藍(B)的墨水，通過干燥處理，可以作為簡易的濾色片使用。
按照這樣，由于同時完成遮光層95和貯格圍堰溝部20或者親水化貯格圍堰溝部21，所以可以縮短工序，而且遮光層95和貯格圍堰溝部20或者親水化貯格圍堰溝部21的位置的誤差皆無。
(變形例4)在上述實施例中，在基板10的上方涂布貯格圍堰膜12并進行成膜處理，但是也可以將顏料或者染料適宜混合在抗蝕劑中，由光刻法形成希望的圖案，以該抗蝕劑作為需要的貯格圍堰膜12a使用。
(變形例5)在上述實施例中，由疏液劑80得到疏液性，但是也可以將顏料、染料或者光擴散劑加入該疏液劑80中作為遮光層95。
權利要求
1.一種濾色片的形成方法，其特征在于，包括在基板上形成貯格圍堰的工序；使上述基板和上述貯格圍堰的一部分或者全部親水化的工序；和在上述貯格圍堰的上面的一部分或者全部上涂布疏液劑的工序。
2.根據(jù)權利要求1所述的濾色片的形成方法，其特征在于，將上述疏液劑附著在上述基板以外的構件的原版構件上，通過上述原版構件和上述基板上的上述貯格圍堰的上面接觸，使上述疏液劑被轉(zhuǎn)印到上述貯格圍堰的上面的一部分或者全部上。
3.根據(jù)權利要求1或者2所述的濾色片的形成方法，其特征在于，上述貯格圍堰的材料是無機材料或者有機材料。
4.根據(jù)權利要求1～3的任一項所述的濾色片的形成方法，其特征在于，上述貯格圍堰的高度是1μm以上。
5.根據(jù)權利要求1～4的任一項所述的濾色片的形成方法，其特征在于，上述貯格圍堰配設在遮光層的上方。
6.根據(jù)權利要求1所述的濾色片的形成方法，其特征在于，使上述基板和上述貯格圍堰的一部分或者全部親水化的工序，至少包括臭氧氧化處理、等離子體處理、電暈處理、紫外線照射處理、電子束照射處理、酸處理、堿處理中的一種處理。
7.根據(jù)權利要求2所述的濾色片的形成方法，其特征在于，上述原版構件是平板狀或者輥狀。
8.根據(jù)權利要求2或者7所述的濾色片的形成方法，其特征在于，上述原版構件的材質(zhì)至少含有硅氧烷結(jié)構的彈性體。
9.根據(jù)權利要求1或者2所述的濾色片的形成方法，其特征在于，上述疏液劑是有機硅烷偶合劑或者呈疏液性的高分子。
全文摘要
用更簡便的方法使貯格圍堰溝部滯留充分的墨水以提供貯格圍堰溝部內(nèi)的色的深淺的差別小、反差比大的濾色片的形成方法。墨水(11)由液滴噴出頭(200)(參照圖7)從該圖紙面右側(cè)向左側(cè)例如噴出紅(R)的墨水(11a)，滯留在親水化貯格圍堰溝部(21a)中，然后，例如噴出綠(G)的墨水(11b)，滯留在親水化貯格圍堰溝部(21b)中。此時，如前所述，由于親水化貯格圍堰溝部(21a、21b)內(nèi)包括遮光層(95)都被親水化膜(90)親水化，所以墨水(11)可以容易地滯留在親水化貯格圍堰溝部(21a、21b)內(nèi)，相對于親水化貯格圍堰溝部(21a、21b)的高度可以噴出并滯留墨水(11a、11b)直至滿杯。
文檔編號G02B5/20GK1782812SQ20051012670
公開日2006年6月7日 申請日期2005年11月17日 優(yōu)先權日2004年11月30日
發(fā)明者豐田直之 申請人:精工愛普生株式會社