專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種具有TFT陣列基板的液晶顯示裝置等平面型顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，CRT平面型顯示裝置的替代產(chǎn)品開發(fā)極為盛行，至目前為止尤以從小尺寸移動型顯示器發(fā)展至大尺寸電視顯示器用途的液晶顯示裝置廣為普及。
液晶顯示裝置是在二片基板間夾持液晶而成的電光學裝置，顯示性能優(yōu)異的主動型液晶顯示裝置廣為使用陣列基板，陣列基板是在玻璃基板等透明絕緣基板的一表面上將多條信號線和掃描線形成格子狀，并于信號線和掃描線的各交叉點設(shè)置有使用非晶硅等的半導體薄膜的薄膜電晶體(以下簡稱為TFT)以作為切換元件。為了制作TFT陣列基板，如半導體集成電路般使用光罩的多次的光刻程序是不可欠缺，減少包含光刻程序的程序數(shù)對于提高液晶顯示裝置的生產(chǎn)力和降低成本有大助益，自不待言。
目前，于主動陣列型非晶硅TFT陣列基板的制作，一般是經(jīng)由五道或四道光刻程序的程序。以下介紹日本公開專利公報所揭示的「特開2002-206571號公報」的及在「SID2000，Digest，1016頁~1009頁A NOVEL FOUR MASK COUNTPROCESS ARCHITECTURE FOR TFT-LCDS」所發(fā)表的使用半色調(diào)(half tone)光程序技術(shù)的四片光罩程序的習用技術(shù)。如下文說明，是借助半色調(diào)曝光技術(shù)利用一片光罩進行包含通道的半導體層的島化程序和源極·漏極配線程序的合理化技術(shù)。特開2002-206571號公報[非專利文獻]SID2000，Digest of Technical Papers在說明專利文獻一時，參照圖1至圖5對應程序的進展狀況，顯示排列有信號線和掃描線交叉的掃描線及信號線交叉部、作為切換元件的TFT部、像素部以及配置于掃描線周邊電路的電極端子部的剖面部分。
首先，如圖1(A)所示，使用濺鍍裝置等制膜裝置，將鉻、鉬、鉭、鋁、銅或其合金或疊層被覆于玻璃基板1的一表面上，作為第一金屬膜2。接著，在第一金屬膜2的一表面上涂布光阻，使用第一道光罩選擇性形成圖1(B)所示的光阻圖案3。然后，將光阻圖案3作為遮罩進行第一金屬膜2的蝕刻，除去光阻，而形成圖1(C)所示的兼作為掃描線的柵極膜2A。柵極膜2A的膜厚一般設(shè)于0.1~0.3μm的范圍。
接著使用電漿CVD裝置或濺鍍裝置等制膜裝置，如圖2(D)所示般，作為柵極絕緣層的第一氮化硅膜4、作為電晶體的通道的幾乎不含雜質(zhì)的第一非晶硅膜(a-Si)5、以及作為電晶體的源極·漏極的摻雜N型雜質(zhì)的第二非晶硅膜(N+a-Si)6的三薄膜，分別以例如0.3-0.2-0.05μm的膜厚披覆。再者，使用濺鍍裝置等被覆例如鉻、鉬、鉭、鋁、銅或其合金或疊層，作為第二金屬膜7。第二金屬膜7的膜厚一般亦約為0.3μm。然后，利用以縫隙圖案、點圖案等調(diào)整透射的曝光能量的第二道光罩或利用以半透射膜調(diào)整透射的曝光能量的第二道光罩，形成未曝光部分、完全曝光部分以及半色調(diào)曝光部分，制作如圖2(E)所示的膜厚因區(qū)域而異的光阻圖案8。在圖2(E)中，以圖示標號8A表示利用半色調(diào)曝光方式圖案化的通道部分，通道部分8A的膜厚比其他對應源極·漏極配線的區(qū)域為薄是其特征。其次，如圖2(F)所示，以光阻圖案8為遮罩，蝕刻第二金屬膜7及第二硅膜6和第一硅膜5而形成源極·漏極配線，露出柵極絕緣層4A。接著，如圖3(G)所示利用氧氣電漿等灰化方式，除去通道部分8A的光阻，露出信號線層7。然后，如圖3(H)所示將膜厚減少的光阻圖案8B作為遮罩，再次蝕刻信號線層7、第二硅膜6以及第一硅膜5后，除去源極·漏極配線間的第二硅膜6，使得第一硅膜5剩下約0.05~0.1μm。亦即，選擇性形成成為TFT的通道的幾乎不含雜質(zhì)的第一硅膜，同時進行源極·漏極配線(SD配線)7A、7B的分離。然后，如圖3(I)所示般，除去光阻圖案8B。
接著，如圖4(J)所示般，利用濺鍍法或CVD法被覆具有例如約0.3μm膜厚的第二氮化硅膜等保護膜或鈍化絕緣層9，更涂布感光性丙烯酸樹脂膜10以作為用以使陣列基板1的表面變成平坦的平坦化膜。一般，平坦化膜是涂布3μm以上的膜厚。然后，如圖4(K)所示，使用第四道光罩制作用以到達第一金屬膜2A、第二金屬膜7B的接觸孔10A、10B。接著，如圖4(L)所示般，蝕刻接觸孔部分10A、10B內(nèi)的絕緣膜亦即第二氮化硅膜9和第一氮化硅膜4，令第一金屬膜2A和第二金屬膜7B局部露出。
接著，如圖5(M)所示般，利用濺鍍法或涂布法等在玻璃基板1的整面被覆形成透明導電膜11。透明導電膜11一般例如是氧化銦(ITO)等金屬氧化膜。然后，使用第5片光罩以圖5(N)所示的光阻圖案12為遮罩選擇性蝕刻透明導電膜11，進行像素電極11A的圖案化，然后，如圖5(O)所示，除去不要的光阻圖案12，玻璃基板1就成為主動陣列型非晶硅TFT陣列基板。
將依此方式得到的TFT陣列基板和彩色濾光片貼合而制作液晶面板，接著組裝背光和驅(qū)動用電路板作為液晶模組以構(gòu)成各種液晶顯示裝置。上述主動陣列型非晶硅TFT陣列基板的制作方法需要四道光罩，但是例如在日本特開2002-250935號公報揭露一種程序縮減技術(shù)，其是使用一道光罩以防水處理技術(shù)構(gòu)成圖4所示的接點形成程序、及圖5所示的像素電極形成程序，總計利用三道光罩形成TFT陣列基板。此外，在日本特開2002-98996號公報中所揭露的另一種程序縮減技術(shù)，同樣是使用一道光罩以化學性機械研磨構(gòu)成上述2種圖案化程序，總計利用三道光罩形成TFT陣列基板。特開2002-250935號公報[專利文獻三]特開2002-98996號公報如上述，為了制作主動陣列型非晶硅TFT陣列基板，目前需要五或四道光罩，成為程序前置時間(lead time)拉長或良品率降低的主要原因。又，在專利文獻二所示的先前技術(shù)將所需的光罩數(shù)減少至三片，但是另外需要進行防水性處理的程序和除去防水性的程序，成為生產(chǎn)力降低的要因。又，因作為像素電極11A的底層的平坦化膜暴露于半色調(diào)程序，使陣列基板1的表面的平坦性受損，造成對比降低等顯示器顯示性能惡化的可能性高。而，在專利文獻三所示的先前技術(shù)，需要新追加化學性機械研磨處理程序，此外，在邊長超過1m的大面積的玻璃基板的研磨程序難以保持玻璃基板的平坦度，和專利文獻二同樣的，半色調(diào)程序?qū)τ陲@示性能有造成不良影響的可能。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供的一種液晶顯示裝置及其制造方法，不僅提供用一道光罩可制作圖4和圖5所示的接觸孔形成程序和像素電極的形成程序技術(shù)，而且因不需要如在上述先前技術(shù)所示的追加程序，程序前置周期更短、生產(chǎn)力更高。又，因在像素電極形成區(qū)域不使用半色調(diào)程序，陣列基板的平坦性不會受損，也不會使對比等顯示性能惡化。
本發(fā)明的一種液晶顯示裝置，在第一透明絕緣基板及和該第一透明絕緣基板相向的第二透明絕緣基板或彩色濾光片之間充填液晶而成，于該第一透明絕緣基板的一表面上設(shè)有排列成二維陣列的單位像素，各單位像素至少具有絕緣柵極型電晶體、兼作為該絕緣柵極型電晶體的柵極的掃描線、兼作為該絕緣柵極型電晶體的源極配線的信號線、及和該絕緣柵極型電晶體的漏極配線連接的像素電極；于該液晶顯示裝置中，至少在第一透明絕緣基板的一表面上形成掃描線、絕緣柵極型電晶體以及信號線；在第一透明絕緣基板上形成鈍化絕緣層，該鈍化絕緣層至少在漏極配線上方具有開口部，而且在像素電極形成區(qū)域外的區(qū)域形成多條未到達底部的細寬度的溝槽，該鈍化絕緣層的上層部為感光性有機絕緣層；且于該感光性有機絕緣層上被覆成為像素電極的導電膜。
依據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，因像素電極形成區(qū)域外的區(qū)域所設(shè)置的未到達感光性有機絕緣層底部的細寬度溝槽，俾使感光性有機絕緣膜上所被覆的導電膜在物理上、電性上絕緣分離，就自動形成各自獨立的透明導電膜。亦即，得到與使用感光性樹脂圖案的微細加工技術(shù)將像素電極圖案化的情況同樣的效果。無論選用何種種類的導電膜，只要導電膜在物理上、電性上的絕緣分離可輕易進行者即可，導電膜選用透明導電膜時可得到透射型的液晶顯示裝置，若選用高反射率的金屬薄膜時可得到反射型的液晶顯示裝置。
本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置是在第一透明絕緣基板及和該第一透明絕緣基板相向的第二透明絕緣基板或彩色濾光片之間充填液晶而成，于該第一透明絕緣基板的一主面上設(shè)有排列成二維陣列的單位像素，各單位像素至少具有至少一絕緣柵極型電晶體、兼作為該絕緣柵極型電晶體的柵極的掃描線、兼作為該絕緣柵極型電晶體的源極配線的信號線、及和該絕緣柵極型電晶體的漏極配線連接的像素電極；于該液晶顯示裝置的制作時，接觸孔形成程序至少包含下列步驟涂布感光性有機絕緣膜以形成平坦化膜；使用相位移轉(zhuǎn)光罩設(shè)定接觸孔形成區(qū)域為白色、設(shè)定像素電極形成區(qū)域為黑色、設(shè)定像素電極的周圍為中間色調(diào)區(qū)域，令光源照射光相位轉(zhuǎn)移而通過的，該感光性有機絕緣膜曝光而后顯像；形成感光性有機絕緣膜，該感光性有機絕緣膜具有開口部，可用以連接在像素電極和下層金屬；像素電極形成部；及像素電極形成區(qū)域外的區(qū)域，由未到達底部的細寬度的多條溝槽所構(gòu)成，該多條溝槽用以將相鄰的像素電極彼此分離；以及形成像素電極。
依據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置，利用在半色調(diào)區(qū)域的相位轉(zhuǎn)移效果，該區(qū)域的感光性有機絕緣膜的剖面部的錐形角度接近90度，又可將曝光機的解析度界限以上的微細的線&空間圖案化，利用像素周邊的有限區(qū)域可形成更多條溝槽。又，在曝光機的解析度界限以上的微細線寬及&空間，照射該區(qū)域的曝光能量衰減，圖案化的空間(溝槽)部分的底面未到達感光性有機絕緣膜的底部。而接觸孔形形成區(qū)域因按照和一般的二進位遮罩的透明部分一樣的原理圖案化，可形成接觸孔所需的比較穩(wěn)定的錐形角。像素電極形成區(qū)域和一般的二進位遮罩的遮光部分一樣未圖案化。在像這樣形成既定的開口部和細溝槽后，若被覆成為像素電極的導電膜，在利用移相效果圖案化的像素電極的周邊區(qū)域，因利用用感光性有機絕緣膜所形成的圖案的形狀(溝槽)將導電膜切斷，形成孤立的像素電極形成區(qū)域，作為像素電極。此外，因利用相位轉(zhuǎn)移效果可實現(xiàn)解析度以下的圖案化，可在有限的區(qū)域形成多條溝槽，易于提高該切斷的準確率。因而，因使用相位移轉(zhuǎn)遮罩在一道光刻程序可進行接觸孔的形成和像素電極的圖案化，和以往的制法相異，在像素電極形成程序不需要光刻程序。
依據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，可用習用濺鍍法形成像素電極用的透明導電膜。
依據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，利用不需要真空裝置的涂布法可形成像素電極用的透明導電膜。
依據(jù)本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造方法，可用習用濺鍍法形成反射像素電極用的高反射率金屬薄膜。
本發(fā)明的效果如上述，在包含感光性丙烯酸樹脂膜的接觸孔形成程序，借著使用相位轉(zhuǎn)移遮罩，在一次的光刻程序同時形成具有一般接觸孔形成所需的錐形形狀的開口圖案和具有比較接近垂直的錐形形狀的溝槽形的圖案，在像素電極形成程序，不需要光刻程序，就可將下一程序被覆的導電層分離而圖案化。可提供一種新的液晶顯示裝置用陣列基板，利用像這樣在是平坦化膜的感光性丙烯酸樹脂膜所形成的細且深的溝槽的段差，分離像素電極。
本發(fā)明因在制作液晶顯示用陣列基板時可減少一個程序份量的光刻程序，借著周知的四道遮罩程序的組合，實現(xiàn)三道遮罩程序，對于制造費用的降低也貢獻大。又，在反射型的液晶顯示裝置也可一樣的實施本技術(shù)。
依據(jù)本發(fā)明，可和習知例一樣用濺鍍法形成像素電極用導電膜?；蛴猛坎挤ㄒ部尚纬上袼仉姌O用導電膜，不需要如濺鍍裝置的昂貴的真空裝置或生產(chǎn)設(shè)備，制造費用更能降低。
本發(fā)明的優(yōu)異性在于不僅提供用一道光罩可制作圖4和圖5所示的接觸孔形成程序和像素電極的形成程序技術(shù)，而且因不需要如在上述先前技術(shù)所示的追加程序，程序前置周期更短、生產(chǎn)力更高。又，因在像素電極形成區(qū)域不使用半色調(diào)程序，陣列基板的平坦性不會受損，也不會使對比等顯示性能惡化。

圖1是本發(fā)明及習知例的液晶顯示用陣列基板的剖面圖(柵極形成程序)。
圖2是本發(fā)明及習知例的液晶顯示用陣列基板的剖面圖(SD線形成程序)。
圖3是本發(fā)明及習知例的液晶顯示用陣列基板的剖面圖(半導體層形成程序)。
圖4是習知例的液晶顯示用陣列基板的剖面圖(接點形成程序)。
圖5是習知例的液晶顯示用陣列基板的剖面圖(像素電極形成程序)。
圖6是本發(fā)明的液晶顯示用陣列基板的剖面圖(接點形成程序和像素電極形成程序)。
圖7是在本發(fā)明使用的移相遮罩。
具體實施方式
圖1(A)~圖4(J)為止的程序和在習知例所說明的程序相同。其后的依本發(fā)明實施例的程序的剖面圖則顯示于圖6。又，圖7是用以說明相位差遮罩的相位差遮罩的概略剖面圖。程序的剖面圖是如前述，用以示意顯示排列掃描線和信號線交叉的掃描線一信號線交叉部、作為切換元件的TFT部以及在像素部和掃描線的周邊電路配置的電極端子部的剖面部分。首先，如圖1(A)所示，在玻璃基板1的一表面上使用濺鍍裝置等制膜裝置，將鉻、鉬、鉭、鋁、銅或其合金或疊層形成為第一金屬膜2。接著，在第一金屬膜2的一表面上涂布光光阻，使用第一道光罩形成圖1(B)所示的光阻圖案3。然后，將光阻圖案3作為遮罩進行第一金屬膜2的蝕刻后，除去光阻圖案3，形成圖1(C)所示的柵極膜2A。
接著使用電漿CVD裝置或濺鍍裝置等如圖2(C)所示被覆作為柵極絕緣層的第一氮化硅膜4、作為電晶體的通道的第一硅膜5以及摻雜N型雜質(zhì)的第二硅膜6。此外，利用濺鍍裝置等被覆鉻、鉬、鉭、鋁、銅或其合金或疊層，作為第二金屬膜7。然后，利用以縫隙圖案、點圖案等調(diào)整透射的曝光能量的第二道光罩或利用以半透射膜調(diào)整透射的曝光能量的第二道光罩，形成未曝光部分、完全曝光部分以及半色調(diào)曝光部分，制作圖2(E)所示的光阻圖案8。如圖2(F)所示，以光阻圖案8為遮罩蝕刻第二金屬膜7及第二硅膜6和第一硅膜5后，如圖3(G)所示利用氧氣電漿灰化方式除去通道部分8A的光阻，令信號線層7露出。然后，如圖3(H)所示將膜厚減少的光阻圖案8B作為遮罩再蝕刻信號線層7、第二硅膜6以及第一硅膜5后，第一硅膜剩下約0.05~0.1μm。然后，如圖3(I)所示除去剩下的光阻，完成源極·漏極配線7A、7B的形成。
接著，如圖6(P)(和圖4(J)一樣)所示，利用濺鍍法或CVD法形成例如第二氮化硅膜等保護膜或者鈍化絕緣層9，還在平坦化膜上例如涂布厚度3~6μm的感光性丙烯酸樹脂膜10。
然后，在第三道光罩上，使用如圖7所示的相位轉(zhuǎn)移遮罩12進行感光性丙烯酸樹脂膜10的圖案化。在相位轉(zhuǎn)移遮罩，例如有硅化鉬膜、硅化鋯膜在功能上作為相位移轉(zhuǎn)器的，或借著挖入光罩石英玻璃母材而改變相位的挖入型，或無鉻的相位轉(zhuǎn)移遮罩等。使用這些相位轉(zhuǎn)移遮罩12如圖6(Q)和圖7所示，在屬于接觸孔形成區(qū)域10A、10B的部分和一般的二進位遮罩一樣利用透射部分13的光形成具有接觸孔所需的錐形(taper)圖案。此時，10A、10B的開口部分到達保護膜9的表面。又，因像素電極之間和電極端子之間分離的部分或在電性上不需要導電膜的部分10C的區(qū)域具有相位移轉(zhuǎn)部分14，將形成比接觸孔形成區(qū)域更為接近垂直的圖案化溝槽15。而且也可形成超過曝光機的解析度的微細的圖案。這些溝槽15因線寬細至和曝光機的解析度同等以上，照射感光性丙烯酸樹脂膜10的能量比接觸孔形成區(qū)域的更少，溝槽15的底邊不會到達感光性丙烯酸樹脂膜10的底邊。例如，可設(shè)計使溝槽15的縫隙寬變成1~3μm、深度變成約1~4μm的相位移轉(zhuǎn)部分14的圖案。相位移轉(zhuǎn)(移相效果)部分14借著變換相鄰的圖案的相位，調(diào)整成強調(diào)圖案的邊緣部分。此外，上述說明以正型的感光性丙烯酸樹脂膜為例，但是相位移轉(zhuǎn)曝光當然也可應用于化學放大型的負型的感光性丙烯酸樹脂膜。然后，如圖6(Q)所示，以使用這種相位轉(zhuǎn)移遮罩12所得到的感光性丙烯酸樹脂膜的圖案為遮罩蝕刻，選擇性除去第二氮化硅膜9和第一氮化硅膜4。
然后，如圖6(R)所示，令例如厚度約0.04~0.2μm的透明導電膜11被覆于利用濺鍍法或涂布法圖案化的感光性丙烯酸樹脂膜10上。在涂布法的情況，涂布含有導電材料的溶液后，加熱而令透明導電膜在物理上、化學上安定即可。透明導電膜一般如上述所示膜厚(約0.1μm)，利用在前程序所形成的在電性上不需要導電膜的區(qū)域10C的深(1μm以上)且細的溝槽15易于在物理上、電性上分開，在像素電極形成區(qū)域自動形成透明導電性的像素電極11A，但是像素電極11A在接點部分10B和TFT的漏極7B作物理上、電性上的連接。如自實施例一得知，在本發(fā)明，像素電極不必圖案化，利用在感光性丙烯酸樹脂膜10所形成的深的溝槽15將像素電極用的導電性薄膜在物理上、電性上分開即可。因此，在像素電極用的導電性薄膜使用鋁及鋁合金或銀及銀合金等高反射率金屬時可得到反射型液晶顯示裝置的像素電極(反射電極)。一般用濺鍍被覆形成這些金屬，其膜厚和透射型的透明電極相等，一般約0.1μm。這也包含避免反射率因伴隨膜厚增大的結(jié)晶成長現(xiàn)象而降低的意義。
但，雖未圖示，反射型液晶顯示裝置的像素電極為了避免鏡面反射，其基體不是平坦，需要深度約0.5~1μm的凹凸面。在大部分的情況，在這種具有凹凸面的基體的形成也使用感光性丙烯酸樹脂膜，此法也有成本考量問題課題。若用第一層的感光性丙烯酸樹脂膜形成凹凸，再以所謂的最后的鈍化絕緣層被覆形成第二層的感光性丙烯酸樹脂膜，形成用以連接像素電極和漏極之間的開口部后，形成像素電極，得到反射型液晶顯示裝置。在此情況，若將本發(fā)明應用于第二層的感光性丙烯酸樹脂膜，可達到減少程序的目的。
為了只使用一層感光性丙烯酸樹脂膜實現(xiàn)在本發(fā)明提議的深溝槽和令其表面具有凹凸，推測需要開發(fā)例如只局部性供給凹凸形成區(qū)域熱能、光能的技術(shù)，但是和使用二層感光性丙烯酸樹脂膜形成凹凸面的情況的長程序處理相比，依然費用優(yōu)勢大，而且一定和本發(fā)明的深溝槽一起有助于反射型液晶顯示裝置的低成本化。
自如以上的說明得知，在本發(fā)明因在像素電極形成程序不使用光罩，用三道光罩可制造透射型的液晶顯示裝置用TFT陣列基板。
最后在本發(fā)明感光性有機絕緣層(丙烯酸樹脂膜)10是必需的構(gòu)成部位，但是在使用在通道上具有保護絕緣層的蝕刻停止型的絕緣柵極型電晶體的液晶顯示裝置未必需要鈍化絕緣膜或保護膜9，這是補充說明。
元件符號說明1 玻璃基板2 第一金屬膜2A 柵極膜3 光阻圖案4 第一氮化硅膜5 第一硅膜6 第二硅膜7 第二金屬膜7A、7B源極·漏極配線8 光阻圖案
8A 通道部分9 第二氮化硅膜10 感光性丙烯酸樹脂膜10A、10B接點部分(開口部)10C 電性上不需要導電膜的部分(溝槽形成區(qū)域)11 透明導電膜11A 像素電極12 相位轉(zhuǎn)移遮罩13 透射部分14 相位轉(zhuǎn)移部分15 在感光性有機絕緣層所形成的(微小的)溝槽
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其特征在于在第一透明絕緣基板及和該第一透明絕緣基板相向的第二透明絕緣基板或彩色濾光片之間充填液晶而成，于該第一透明絕緣基板的一表面上設(shè)有排列成二維陣列的單位像素，各單位像素至少具有絕緣柵極型電晶體、兼作為該絕緣柵極型電晶體的柵極的掃描線、兼作為該絕緣柵極型電晶體的源極配線的信號線、及和該絕緣柵極型電晶體的漏極配線連接的像素電極；于該液晶顯示裝置中，至少在第一透明絕緣基板的一表面上形成掃描線、絕緣柵極型電晶體以及信號線；在第一透明絕緣基板上形成鈍化絕緣層，該鈍化絕緣層至少在漏極配線上方具有開口部，而且在像素電極形成區(qū)域外的區(qū)域形成多條未到達底部的細寬度的溝槽，該鈍化絕緣層的上層部為感光性有機絕緣層；且于該感光性有機絕緣層上被覆成為像素電極的導電膜。
2.一種液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于該液晶顯示裝置是在第一透明絕緣基板及和該第一透明絕緣基板相向的第二透明絕緣基板或彩色濾光片之間充填液晶而成，于該第一透明絕緣基板的一表面上設(shè)有排列成二維陣列的單位像素，各單位像素至少具有絕緣柵極型電晶體、兼作為該絕緣柵極型電晶體的柵極的掃描線、兼作為該絕緣柵極型電晶體的源極配線的信號線、及和該絕緣柵極型電晶體的漏極配線連接的像素電極；于該液晶顯示裝置的制作時，在接觸孔形成程序至少包含下列步驟涂布感光性有機絕緣膜，形成表面平坦的電性絕緣膜；利用設(shè)定接觸孔形成區(qū)域為白色、設(shè)定像素電極形成區(qū)域為黑色、設(shè)定畫素電極周圍為中間色調(diào)區(qū)域的相位轉(zhuǎn)移光罩，光源的照射光通過該相位轉(zhuǎn)移光罩，該感光性有機絕緣膜曝光而后顯像；形成感光性有機絕緣膜，該感光性有機絕緣膜具有開口部，可用以連接在像素電極和下層金屬；像素電極形成部；及像素電極形成區(qū)域外的區(qū)域，由未到達底部的細寬度的多條溝槽所構(gòu)成，該多條溝槽用以將相鄰的像素電極彼此分離；以及形成像素電極。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于借助濺鍍方式形成ITO或IZO或這些的混和物，以作為像素電極用導電膜。
4.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于使用令I(lǐng)TO、IZO、IN2O3、ZnO等的透明導電性粉體至少一種以上分散而成的涂布膜，以作為像素電極用導電膜，借助加熱處理令其安定化。
5.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于借助濺鍍方式形成鋁及鋁合金、或銀及銀合金等高反射率金屬，以作為像素電極用導電膜。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置及其制造方法，該液晶顯示裝置的TFT陣列基板使用較現(xiàn)況為少的光刻程序數(shù)或光罩數(shù)，以降低制造成本。本發(fā)明提供一種利用三道光罩即可形成顯示裝置用TFT陣列基板的新技術(shù)，此是借助一種新穎技術(shù)和周知的四道遮罩程序的組合而達成者。該新穎技術(shù)是于使用感光性丙烯酸樹脂膜形成接點的光刻程序中，借著具有相位移轉(zhuǎn)效果的光罩，僅憑一次光刻程序同時形成具有在一般的接觸孔部分所需的錐形圖案及具有比較接近垂直的錐形狀的微細圖案，后續(xù)程序不必使用光刻程序就可分離像素電極圖案。
文檔編號G02F1/1335GK1773356SQ200510128598
公開日2006年5月17日 申請日期2005年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月24日
發(fā)明者堀野滋和, 董畯豪, 曾賢楷 申請人:廣輝電子股份有限公司