專利名稱：光模塊及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光波導模塊和光纖模塊等的光模塊及其制造方法。
背景技術(shù)：
在使用光纖的光通信系統(tǒng)中，根據(jù)光纖的使用方法公知有兩種系統(tǒng)。一種是SS(Single Star單星)系統(tǒng)，在用戶側(cè)的光波導模塊上連接介質(zhì)轉(zhuǎn)換器，利用一條光纖連接基站與用戶。另一種是PON(Passive OpticalNetwork無源光學網(wǎng)絡)系統(tǒng)，在從基站朝向用戶的路徑途中，使用光分離器將一條光纖分支，由多個用戶共用光纖。其中，PON系統(tǒng)可以降低光纖的成本及其鋪設(shè)成本，能夠提供低成本的通信服務。因此，當前PON系統(tǒng)成為主流。
但是，在PON系統(tǒng)中，需要將一條光纖分支成多條光纖。因此，在使用發(fā)光元件和受光元件等光學部件的光波導模塊中，需要減小光學部件和光波導的耦合損耗。為了減小該耦合損耗，有縮短光波導和光學部件的距離的方法。以往，光波導和光學部件的距離被設(shè)定為約100～70μm。使該光波導和光學部件的距離接近到約為20μm，對減小耦合損耗非常有效。
并且，在低成本的PON系統(tǒng)中為了進一步實現(xiàn)低成本，需要光波導模塊自身實現(xiàn)低成本。以往，將利用石英和聚合物等制作的光波導安裝在硅基板上之后，通過刻蝕去除光波導的不需要部分，使硅基板的光學部件安裝區(qū)域和光波導的端面露出。但是，在這種方法中，加工工時比較多，所以光波導模塊自身成為高價格產(chǎn)品。
因此，近年來提出一種方法，通過切割切斷光波導，去除光波導的不需要部分以使光學部件安裝區(qū)域露出，并且使光波導的端面平滑地露出以使其不粗糙。根據(jù)這種方法，使用切割刀片切斷光波導，將不需要部分的光波導從硅基板剝離即可。采用這種方法，可以進一步實現(xiàn)光模塊的低成本。另外，安裝光學部件的基板的材料以上述的硅材料比較適合。這是因為硅的導熱性好，能夠使從光學部件產(chǎn)生的熱量高效地散逸。
以下，使用圖1所示剖面圖說明采用切割的加工方法。如圖1所示，在表面形成有絕緣膜12的硅基板11的表面上安裝光波導13。然后，從光波導13朝向硅基板11進行切割，形成切斷槽14。然后，將光學部件15配置在與硅基板11的切斷槽14鄰接的區(qū)域，以使光學部件15盡可能靠近光波導13的端面。并且，使用焊錫和錫等釬焊材料16將光學部件15鍵合在絕緣膜12上的電極焊區(qū)上。
但是，在采用切割的方法中，在切斷光波導13時，硅基板11的表面的絕緣膜12也被切斷，所以在切斷槽14內(nèi)露出硅基板11。在這種狀態(tài)下利用釬焊材料16將光學部件15鍵合在電極焊區(qū)上時，熔融的釬焊材料16有可能溢出并滴落到切斷槽14內(nèi)。在釬焊材料16溢出并滴落到切斷槽14內(nèi)并且接觸硅基板11時，電信號在光學部件15與硅基板11之間泄漏。其結(jié)果是，如果是光收發(fā)機，具有在安裝于硅基板11表面的發(fā)光元件與受光元件之間產(chǎn)生電串擾的問題。并且，如果是光發(fā)送機和光接收機的情況，則有可能通過安裝有光波導模塊的電路基板在發(fā)光元件與受光元件之間產(chǎn)生串擾，在受光元件之間發(fā)生混線。
因此，以往在通過切割切斷光波導的方法中，光學部件需要被安裝成充分地離開切斷槽的上方。其結(jié)果是，減小光學部件與光波導的耦合效率就存在界限。
專利文獻1日本專利特開2003-258364號公報專利文獻2日本專利特開2003-294965號公報專利文獻3日本專利特開2003-258364號公報發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于，提供一種光模塊及其制造方法，即使將安裝于非絕緣性基板的發(fā)光元件和受光元件等光學部件，接近光波導和光纖地進行配置，也不易產(chǎn)生來自發(fā)光元件的電信號泄漏及發(fā)光元件與受光元件之間的電串擾。
本發(fā)明涉及的第1光模塊，在非絕緣性基板的表面上安裝有光波導或光纖，以及發(fā)光元件和受光元件等光學部件，其特征在于，在所述基板表面的至少光學部件安裝區(qū)域形成絕緣膜，在設(shè)置于該絕緣膜上的電極上鍵合所述光學部件，在所述基板的光學部件安裝區(qū)域附近形成槽，在所述槽內(nèi)的至少一部分形成絕緣膜。
本發(fā)明的第1光模塊在形成于所述基板的光學部件安裝區(qū)域附近的槽內(nèi)至少一部分形成絕緣膜。因此，在光學部件安裝區(qū)域，利用釬焊材料等將光學部件鍵合在電極上時，即使熔融的釬焊材料等溢出并滴落到槽內(nèi)，釬焊材料等也不易接觸非絕緣性的基板。因此，可以降低來自光學部件的電泄漏及產(chǎn)生發(fā)光元件與受光元件之間的電串擾的可能性。
本發(fā)明涉及的第1光模塊的實施方式的特征在于，所述光學部件被配置成與所述光波導或光纖在光學上耦合，所述槽形成于在所述光波導或光纖與所述電極之間跟所述光波導或光纖的端面接觸的位置。該實施方式中的槽是在切斷安裝于基板表面的光波導或光纖端部時產(chǎn)生的。例如，如果利用切割刀片或激光切斷光波導或光纖的端部，就可以將其端面修整平滑。因此，即使在光波導或光纖中傳輸?shù)墓庖蛐镜亩嗣娲植诙⑸鋾r，也能夠降低因這種散射產(chǎn)生的光損耗。
本發(fā)明涉及的第1光模塊的另一實施方式的特征在于，形成于所述基板表面的所述絕緣膜與形成于所述槽內(nèi)的絕緣膜是連續(xù)的。在該實施方式中，形成于基板表面的絕緣膜和形成于槽內(nèi)的絕緣膜是連續(xù)的。因此，在光學部件安裝區(qū)域與槽之間，基板不會從絕緣膜露出，從光學部件溢出并滴落到槽內(nèi)的釬焊材料等接觸基板的可能性進一步減小。其結(jié)果是，可以進一步降低來自光學部件的電泄漏及產(chǎn)生發(fā)光元件與受光元件之間的電串擾的可能性。
本發(fā)明涉及的第1光模塊的又一實施方式的特征在于，所述槽在接近所述電極的一側(cè)的邊緣，具有階梯差部分，該階梯差部分位于最深處的底面與所述基板的表面之間，在該階梯差部分的表面形成所述絕緣膜。在該實施方式中，在槽內(nèi)具有階梯差部分，在階梯差部分形成絕緣膜，所以即使用于將光學部件鍵合在電極上的釬焊材料等溢出并滴落到槽內(nèi)時，釬焊材料等也被階梯差部分阻擋?；蛘?，在光學部件被安裝成朝向槽的上方伸出的情況下，熔融的釬焊材料等借助于其表面張力被保持在光學部件與階梯差部分之間的空間中。從而，能夠防止釬焊材料到達槽內(nèi)的基板露出的部分，所以可以進一步降低來自光學部件的電泄漏及產(chǎn)生發(fā)光元件與受光元件之間的電串擾的可能性。
本發(fā)明涉及的第1光模塊的又一實施方式的特征在于，所述階梯差部分是傾斜面。在光學部件被安裝成朝向槽的上方伸出的情況下，熔融的釬焊材料等借助于其表面張力被保持在光學部件與階梯差部分之間的空間中。但是，如果階梯差部分形成傾斜面，則熔融的釬焊材料等在該空間的狹窄一側(cè)被吸收，所以更加不易溢出并滴落到槽內(nèi)。其結(jié)果是，可以進一步降低來自光學部件的電泄漏及產(chǎn)生發(fā)光元件與受光元件之間的電泄漏的可能性。
本發(fā)明涉及的第2光模塊，在非絕緣性基板的表面上安裝有光波導或光纖和發(fā)光元件及受光元件等光學部件，其特征在于，在所述基極表面的至少光學部件安裝區(qū)域形成絕緣膜，在設(shè)置于該絕緣膜上的電極上鍵合所述光學部件，在所述基板的光學部件安裝區(qū)域附近形成槽，在所述槽內(nèi)充填絕緣材料。
本發(fā)明的第2光模塊在形成于所述基板的光學部件安裝區(qū)域附近的槽內(nèi)充填絕緣材料。因此，在光學部件安裝區(qū)域，利用釬焊材料等將光學部件鍵合在電極上時，即使熔融的釬焊材料等溢出并滴落到槽側(cè)，釬焊材料等也不會接觸非絕緣性的基板。從而，可以防止來自光學部件的電泄漏及發(fā)光元件與受光元件之間的電串擾。
本發(fā)明涉及的第1和第2光模塊的不同實施方式的特征在于，所述光學部件被安裝成朝向所述槽的上方伸出。此處，所謂被安裝成朝向槽的上方伸出，是指光學部件被安裝在基板的表面上，該光學部件的一部分被配置成朝向槽的正上方空間伸出。如該實施方式這樣，將光學部件安裝成使其朝向槽的上方伸出，就可以縮短光學部件與光波導或光纖的端面的距離。因此，能夠減小光學部件與光波導或光纖的耦合損耗。
本發(fā)明涉及的光模塊的第1制造方法用于制造本發(fā)明涉及的第1光模塊，其特征在于，具有在所述基板表面的至少光學部件安裝區(qū)域形成絕緣膜的工序；在所述光學部件安裝區(qū)域與光波導或光纖安裝區(qū)域的中間區(qū)域的至少一部分形成V槽的工序；在所述V槽的內(nèi)表面形成絕緣膜的工序；在所述光學部件安裝區(qū)域的絕緣膜上設(shè)置電極的工序；在包括所述光波導或光纖安裝區(qū)域的區(qū)域安裝光波導或光纖的工序；在安裝了所述光波導或光纖后，切斷所述光波導或光纖的端部，并且在所述V槽的靠近所述光波導或光纖的一部分形成比所述V槽深的切斷槽，設(shè)置由所述V槽和所述切斷槽構(gòu)成的槽的工序；在形成所述槽后，把所述光學部件鍵合在所述電極上的工序。
根據(jù)本發(fā)明涉及的光模塊的第1制造方法，例如，可以通過利用切割刀片或激光切斷光波導或光纖的端部，可以將其該端面修整平滑。因此，能夠降低在光波導或光纖中傳輸?shù)墓庖蛐径嗣娴拇植诙⑸洚a(chǎn)生的光損耗。但是，在切斷時基板的表面也同時被切斷，如果基板的表面從絕緣膜露出，則在安裝光學部件時，熔融的釬焊材料等接觸所露出的基板，有可能形成光學部件與基板電導通的狀態(tài)。在本發(fā)明的光模塊的第1制造方法中，在槽內(nèi)的光學部件安裝區(qū)域側(cè)形成絕緣膜，所以在將光學部件安裝在光學部件安裝區(qū)域的電極上時，即使釬焊材料等從光學部件溢出并滴落到槽側(cè)時，也不易到達槽內(nèi)的基板所露出的部分。從而，可以防止來自光學部件的電泄漏，防止發(fā)光元件與受光元件之間的電串擾或降低其產(chǎn)生的可能性。
本發(fā)明涉及的光模塊的第2制造方法用于制造本發(fā)明涉及的光模塊，其特征在于，具有在所述基板表面的至少光學部件安裝區(qū)域形成絕緣膜的工序；挖掘所述基板表面的光波導或光纖安裝區(qū)域以及所述光學部件安裝區(qū)域與所述光波導或光纖安裝區(qū)域的中間區(qū)域的至少一部分，使其深度比所述光學部件安裝區(qū)域深的工序；在所述中間區(qū)域的至少一部分形成絕緣膜的工序；在所述光學部件安裝區(qū)域的絕緣膜上設(shè)置電極的工序；在包括所述光波導或光纖安裝區(qū)域的區(qū)域安裝光波導或光纖的工序；在安裝了所述光波導或光纖后，切斷所述光波導或光纖的端部，并且在所述中間區(qū)域的至少一部分中靠近所述光波導或所述光纖的位置形成切斷槽，設(shè)置由所述中間區(qū)域的至少一部分和所述切斷槽構(gòu)成的槽的工序；在形成所述槽后，把所述光學部件鍵合在所述電極上的工序。
根據(jù)本發(fā)明涉及的光模塊的第2制造方法，例如，可以通過利用切割刀片或激光切斷光波導或光纖的端部，可以將其該端面修整平滑。因此，能夠降低在光波導或光纖中傳輸?shù)墓庖蛐径嗣娴拇植诙⑸洚a(chǎn)生的光損耗。并且，在本發(fā)明的光模塊的第2制造方法中，形成有位于槽內(nèi)的光學部件安裝區(qū)域側(cè)的絕緣膜，所以在將光學部件安裝在光學部件安裝區(qū)域的電極上時，即使釬焊材料等從光學部件溢出并滴落到槽側(cè)時，也不易到達槽內(nèi)的基板所露出的部分。從而，可以防止來自光學部件的電泄漏，防止發(fā)光元件與受光元件之間的電串擾或降低其產(chǎn)生的可能性。另外，光波導或光纖安裝區(qū)域被挖掘成低于光學部件安裝區(qū)域，所以能夠容易進行安裝于光學部件安裝區(qū)域的發(fā)光元件和光波導或光纖的高度調(diào)整。
另外，本發(fā)明的以上所述的構(gòu)成要素只要有可能就可以任意組合。


圖1是表示現(xiàn)有的光波導模塊的一部分的剖面圖。
圖2是表示本發(fā)明的實施例1的光收發(fā)機的俯視圖。
圖3是實施例1的光收發(fā)機的發(fā)光元件附近的放大部分剖面圖。
圖4(a)是在實施例1中表示發(fā)光元件附近的放大俯視圖，(b)是表示除發(fā)光元件以外的電極焊區(qū)附近的放大俯視圖。
圖5(a)(b)和(c)是說明實施例1的光收發(fā)機的制造工序的圖。
圖6(a)(b)和(c)是說明圖5所示工序的后續(xù)制造工序的圖。
圖7(a)(b)和(c)是說明圖6所示工序的后續(xù)制造工序的圖。
圖8是表示發(fā)光元件的安裝位置的不同示例的放大部分剖面圖。
圖9是表示實施例1的變例的放大部分剖面圖。
圖10是表示本發(fā)明的實施例2的光收發(fā)機的一部分的放大部分剖面圖。
圖11是表示本發(fā)明的實施例3的光發(fā)送機的俯視圖。
圖12是實施例3的光發(fā)送機的發(fā)光元件附近的放大部分剖面圖。
圖13(a)是在實施例3中表示發(fā)光元件附近的放大俯視圖，(b)是表示除發(fā)光元件以外的電極焊區(qū)附近的放大俯視圖。
圖14(a)(b)和(c)是說明實施例3的光發(fā)送機的制造工序的圖。
圖15(a)(b)和(c)是說明圖14所示工序的后續(xù)制造工序的圖。
圖16(a)(b)和(c)是說明圖15所示工序的后續(xù)制造工序的圖。
圖17是表示實施例3的變例的放大部分剖面圖。
圖18是表示本發(fā)明的實施例4的光波導模塊的放大部分剖面圖。
圖19是表示本發(fā)明的實施例4的變例的放大部分剖面圖。
圖20是表示本發(fā)明的實施例5的光波導模塊的放大部分剖面圖。
圖21(a)(b)和(c)是說明本發(fā)明的實施例6的光纖模塊的制造工序的概略剖面圖。
其中21光收發(fā)機；22硅基板；23絕緣膜；24光波導；25發(fā)光元件；26受光元件；29、30、31、32、33芯；34濾波元件、36濾波元件；38、39切斷槽；40光纖保持部；41電極焊區(qū)；42電極焊區(qū)；43釬焊材料；44傾斜面；51光發(fā)送機；52芯；53階梯差部分具體實施方式
以下，參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施例。但是，本發(fā)明不限于以下說明的實施例。并且，可以根據(jù)用途等適當進行設(shè)計變更。
實施例1圖2是表示本發(fā)明的實施例1的光收發(fā)機(光波導模塊)的俯視圖。圖3是該光收發(fā)機的發(fā)光元件附近的放大部分剖面圖。該光收發(fā)機21在形成SiO2或SiN等絕緣膜23的硅基板22的表面，安裝光波導24、發(fā)光元件25和受光元件26。發(fā)光元件25有LD(激光二極管)等。受光元件26有光電二極管等。并且，在硅基板22的表面設(shè)置一對呈V槽狀的光纖保持部40。
光波導24疊合由透明樹脂材料構(gòu)成的上包層27和下包層28而層疊形成。在設(shè)置于上包層27或下包層28的芯槽內(nèi)埋入其折射率大于上下包層27、28的芯29～33。并且，在光波導24中形成沿寬度方向橫截的濾波器插入槽35和濾波器插入槽37。濾波器插入槽35是插入濾波元件34用的槽，濾波器插入槽37是插入濾波元件36用的槽。在由濾波器插入槽35、37劃分的光波導24的區(qū)域中，在與以濾波器插入槽35為邊界的濾波器插入槽37相反側(cè)的區(qū)域配置芯29和芯30。在濾波器插入槽35與濾波器插入槽37的中間區(qū)域配置芯31和芯32。在光波導24的區(qū)域中與以濾波器插入槽37為邊界的濾波器插入槽35相反側(cè)的區(qū)域配置芯33。
光波導24具有在長邊方向?qū)χ玫囊粚Χ嗣婧驮诙踢叿较驅(qū)χ玫囊粚?cè)面。在與光波導24的一個端面對置的位置，在硅基板22的表面上設(shè)置光纖保持部40。從而，將光波導24和芯中的這一側(cè)的端面和端部分別稱為光纖連接側(cè)端面、光纖連接側(cè)端部。并且，在與光波導24的另一端面對置的位置，在硅基板22的表面上安裝發(fā)光元件25。從而，將光波導24和各個芯中的這一側(cè)的端面和端部分別稱為發(fā)光元件側(cè)端面、發(fā)光元件側(cè)端部。另外，在與光波導24的一個側(cè)面對置的位置，在硅基板22的表面上安裝受光元件26。從而，將光波導24和各個芯中的這一側(cè)的側(cè)面和側(cè)端部分別稱為受光元件側(cè)側(cè)面、受光元件側(cè)側(cè)端部。(這些定義也適用于實施例2以后的實施例。)在光波導24的光纖連接側(cè)端部附近，芯29、30的光纖連接側(cè)端部被形成為直線狀，而且相互平行配置。另外，芯29、30的光纖連接側(cè)端面在光波導24的光纖連接側(cè)端面露出。在濾波器插入槽35附近，芯29、30的與光纖連接側(cè)端面相反側(cè)的端面在濾波器插入槽35內(nèi)露出，并與插入濾波器插入槽35的濾波元件34對置。并且，芯29、30的與光纖連接側(cè)端部相反側(cè)的端部的芯長邊方向，在俯視時，相對于插入濾波器插入槽35的濾波元件34的與芯29、30對置的面的法線方向，在不同的方向形成互相相等的角度。
在濾波器插入槽35的附近，芯31的端面在濾波器插入槽35內(nèi)露出，并與濾波元件34對置。并且，芯31的與濾波器插入槽35對置的一側(cè)端部被設(shè)定為以下角度，即，隔著濾波器插入槽35與芯29的光纖連接側(cè)端部相反側(cè)的端部平滑地連續(xù)。在濾波器插入槽37的附近，芯31的端面和芯32的端面分別在濾波器插入槽37內(nèi)露出，并與插入濾波器插入槽37的濾波元件36對置。并且，芯31的與濾波器插入槽37對置的一側(cè)端部的芯長邊方向以及芯32的與濾波器插入槽37對置一側(cè)端部的芯長邊方向，在俯視時，相對于插入濾波器插入槽37的濾波元件36的與芯31、32對置的面的法線方向，在不同的方向形成相互大致相等的角度。芯32的受光元件側(cè)側(cè)端部到達光波導24的受光元件側(cè)側(cè)端部，芯32的受光元件側(cè)側(cè)端面在光波導24的受光元件側(cè)側(cè)端面露出。
在濾波器插入槽37的附近，芯33的與發(fā)光元件側(cè)端面相反側(cè)的端面在濾波器插入槽37內(nèi)露出，并與插入濾波器插入槽37的濾波元件36對置。并且，芯33的與濾波器插入槽37對置一側(cè)端部被設(shè)定為以下角度，即，隔著濾波器插入槽37與芯31的跟濾波器插入槽37對置一側(cè)端部平滑地連續(xù)。在光波導24的發(fā)光元件側(cè)端部附近，芯33的發(fā)光元件側(cè)端部被形成為直線狀。芯33的發(fā)光元件側(cè)端面在光波導24的發(fā)光元件側(cè)端面露出。
濾波元件34具有使波長λ1和波長λ2的光透射、使波長λ3的光反射的短波長帶通型特性。濾波元件36具有使波長λ1的光透射、使波長λ2的光反射的特性。此處，λ1＜λ2＜λ3，例如，λ1＝1.31μm，λ2＝1.49μm，λ3＝1.55μm。
在硅基板22的表面形成有絕緣膜23。光波導24如圖3所示，隔著絕緣膜23被安裝在硅基板22上。但是，也可以在光波導安裝區(qū)域，在硅基板22的表面不設(shè)置絕緣膜23，而在硅基板22上直接安裝光波導24。并且，在該實施例中，硅基板22的表面中從光波導24露出的區(qū)域整個被絕緣膜23覆蓋著。但是，在硅基板22的表面，也可以只在光學部件安裝區(qū)域形成絕緣膜23。此處，所謂光學部件安裝區(qū)域，是指形成有電極焊區(qū)41、42的區(qū)域及其周圍的區(qū)域(比釬焊材料有可能溢出的區(qū)域?qū)挼枚嗟膮^(qū)域)。
安裝在硅基板22的表面上的光波導24如后面所述，通過切割等將其端部切斷，由此將端面修整平滑。此時，為了可靠地切斷端面，與光波導24的端面接觸的位置的切斷槽38、39到達硅基板22。
在硅基板22的表面上，在與芯29和33的光纖連接側(cè)端部對置的位置，分別凹陷設(shè)置V槽狀的光纖保持部40。在該光纖保持部40分別設(shè)置光纖(未圖示)，并與芯29、30在光學上耦合。并且，在硅基板22的表面上，在與芯32的受光元件側(cè)側(cè)端面對置的位置設(shè)置電極焊區(qū)41。鍵合在電極焊區(qū)41上的受光元件26與芯32在光學上耦合。在硅基板22的表面的與芯33的發(fā)光元件側(cè)端面對置的位置設(shè)置電極焊區(qū)42。在其上通過釬焊材料43鍵合的發(fā)光元件25與芯33在光學上耦合。此處，發(fā)光元件25與芯33的距離及受光元件26與芯32的距離優(yōu)選盡可能短，例如優(yōu)選約為20μm。
在發(fā)光元件25的安裝區(qū)域與切斷槽39的中間，如圖3所示，在設(shè)置有電極焊區(qū)42的一側(cè)設(shè)置從基板表面朝向切斷槽39內(nèi)斜著向下傾斜的傾斜面44。在該傾斜面44的整個面上還與硅基板22表面的絕緣膜23連續(xù)地形成絕緣膜23。并且，利用切斷槽39和傾斜面44構(gòu)成槽。圖4(a)是表示發(fā)光元件25附近的放大俯視圖，圖4(b)是表示除發(fā)光元件25以外的電極焊區(qū)42附近的放大俯視圖。從圖2和圖4(a)(b)可知，在該實施例中，傾斜面44遍及硅基板22的整個寬度形成。但是，也可以以比發(fā)光元件25的安裝區(qū)域?qū)挾葘挼膶挾?，部分地形成于切斷?9的邊緣(參照實施例2)。并且，也可以只在傾斜面44上形成絕緣膜23。
這樣，在該光收發(fā)機21中，對各個波長的光進行以下控制。在從一方光纖向芯29入射波長λ2和λ3的光時，該光在芯29中傳輸。并且，從芯29的端面射出的光中，波長λ3的光用濾波元件34反射并在芯30中傳輸，然后與另一方光纖在光學上耦合。其狀態(tài)在圖2中用實線箭頭表示。另外，波長λ2的光透射濾波元件34。透射濾波元件34后的波長λ2的光入射到芯31內(nèi)并在其中傳輸，然后從芯31的端面射出。并且，波長λ2的光用濾波元件36反射并在芯32中傳輸，然后從芯32的端面射出。從芯32的端面射出的波長λ2的光被受光元件26受光。
并且，如圖2中的虛線箭頭所示，從發(fā)光元件25射出波長λ1的光時，從發(fā)光元件25射出的光在芯33中傳輸。從芯33射出的波長λ1的光透過濾波元件36入射到芯31內(nèi)，并在芯31中傳輸。從芯31的端面射出的波長λ1的光透過濾波元件34入射到芯29內(nèi)，并在芯29中傳輸。并且，從芯29的端面射出的光與一方光纖在光學上耦合。
下面，說明實施例1的光收發(fā)機21的制造方法的一例。圖5(a)(b)(c)、圖6(a)(b)(c)和圖7(a)(b)(c)是說明光收發(fā)機21的制造工序的圖。不管在哪一附圖中，左側(cè)的附圖表示俯視圖，右側(cè)的附圖表示相當于圖7(c)的X-X線剖面的部位的剖面圖。在制造光收發(fā)機21時，準備圖5(a)所示的硅基板22(硅晶片)。如圖5(b)所示，使硅基板22的正背兩面熱氧化，形成由SiO2構(gòu)成的絕緣膜23(熱氧化膜)。另外，在成為切斷槽39、傾斜面44和光纖保持部40的區(qū)域，使表面的絕緣膜23開口。通過該開口，對硅基板22進行各向異性刻蝕，如圖5(c)所示，凹陷設(shè)置V槽狀的光纖保持部40和V槽45。另外，如圖6(a)所示，使光纖保持部40和V槽45內(nèi)熱氧化，在硅基板22的正背兩面的整個面上形成絕緣膜23。另外，硅基板22的背面的絕緣膜23也可以去除。
然后，如圖6(b)所示，隔著絕緣膜23，在硅基板22上表面的規(guī)定位置設(shè)置電極焊區(qū)41和電極焊區(qū)42。在兩個電極焊區(qū)41、電極焊區(qū)42上涂敷AuSn等其他釬焊材料43。在該狀態(tài)下，電極焊區(qū)41和電極焊區(qū)42通過絕緣膜23被絕緣。并且，電極焊區(qū)41、42與硅基板22也被絕緣膜23絕緣。
然后，如圖6(c)所示，在硅基板22的整個上表面上，高精度地定位并安裝在上下包層27、28之間埋入了芯29～33的光波導24。光波導24可以利用粘結(jié)劑將在其他工序預先制造的光波導重疊地粘結(jié)固定在硅基板22的上表面。并且，在形成下包層28時，如果把包層樹脂用作粘結(jié)劑，將簡化工序?；蛘撸部梢岳冒雽w制造技術(shù)，在硅基板22上依次形成下包層28、芯29～33、上包層27。
此處，也可以在最終形成光波導的區(qū)域，預先去除絕緣膜23，將光波導24直接粘結(jié)在硅基板22上。但是，還是隔著絕緣膜23粘結(jié)光波導24的一方，光波導24的粘結(jié)強度增大。此時，絕緣膜23可以使用熱氧化膜、采用CVD形成的淀積膜，或者通過濺射形成的膜等。
然后，如圖7(a)所示，在V槽45的遠離發(fā)光元件25的一側(cè)的一半位置，利用切割刀片或激光切入光波導24和硅基板22，形成切斷槽39。與此同時，在通過光纖保持部40端部的位置，利用切割刀片或激光切入，形成切斷槽38。并且，在與切斷槽38、39垂直的方向，在通過電極焊區(qū)41的邊緣的位置，利用切割刀片或激光切斷光波導24。通過該工序，在形成光波導24的端面的同時，在發(fā)光元件25側(cè)形成由切斷槽39和V槽45構(gòu)成的槽。
并且，保留利用切斷槽38、39和通過電極焊區(qū)41的邊緣的切斷線包圍的部分，將光波導24的不需要部分剝離。另外，利用切割刀片或激光在規(guī)定位置切入濾波器插入槽35和濾波器插入槽37。在這種情況下，使光波導24的端面和側(cè)面變平滑，從而不會受到光學上的耦合損耗。
在將光波導24的不需要部分從硅基板22剝離的情況下，也可以通過刻蝕去除粘結(jié)劑?；蛘?，作為粘結(jié)劑還可以使用紫外線固化型粘結(jié)劑，將光波導24粘結(jié)在硅基板22上。此時，在不需要部分只要不對粘結(jié)劑照射紫外線，粘結(jié)劑就不會在不需要部分固化。因此，僅僅通過清洗工序，即可簡單地清除光波導24的不需要部分。
這樣，將受光元件26鍵合在從光波導24露出的電極焊區(qū)41上。與此同時，將發(fā)光元件25鍵合在電極焊區(qū)42上，并進行面朝下安裝。并且，對受光元件26和發(fā)光元件25加壓，使釬焊材料43回流。如圖7(b)所示，利用回流的釬焊材料43將受光元件26鍵合在電極焊區(qū)41上，并且將發(fā)光元件25鍵合在電極焊區(qū)42上。
此時，在發(fā)光元件25側(cè)，在切斷槽39的邊緣，借助于V槽45的切斷，形成傾斜面44。傾斜面44的表面被絕緣膜23覆蓋，所以即使為了提高發(fā)光元件25與芯33的光耦合效率，在接近光波導24的端面配置發(fā)光元件25，釬焊材料43也不易溢出并滴落到切斷槽39內(nèi)。特別是，如圖3所示，即使將發(fā)光元件25配置成使其朝向切斷槽39的上方伸出，釬焊材料43也借助于表面張力被保持在發(fā)光元件25的下表面與被絕緣膜23覆蓋的傾斜面44之間的空間中。其結(jié)果是，釬焊材料43不易滴落到切斷槽39內(nèi)。因此，滴落的釬焊材料43難以接觸硅基板22，即與受光元件26之間不易產(chǎn)生電串擾。
在安裝發(fā)光元件25和受光元件26時，以形成于硅基板22(硅晶片)的定位用標記為基準使發(fā)光元件25等定位。安裝發(fā)光元件25等用的定位標記，希望采取與用于貼合光波導24的進行定位用標記的相同的掩模，形成于硅基板22上。如果使用相同的掩模，就可以減小光波導24與發(fā)光元件25等的錯位。另外，在形成光纖保持部40時，如果使用與此相同的掩模，也可以提高光波導24和光纖的位置精度。并且，作為安裝發(fā)光元件25等的方法，可以采用實際識別光波導24的外形構(gòu)造，以通過切斷形成于硅基板22的端面和側(cè)面為基準進行定位的方法。
最后，按照圖7(c)所示，將濾波元件34插入濾波器插入槽35內(nèi)，并且將濾波元件36插入濾波器插入槽37內(nèi)。這樣，就完成了光收發(fā)機21。
另外，在上述實施例中，發(fā)光元件25在電極焊區(qū)42上被鍵合成使其朝向切斷槽39的上方伸出。但是，發(fā)光元件25的安裝方式不限于此。只要能夠確保光波導24與發(fā)光元件25之間的必要距離，如圖8所示，也可以將發(fā)光元件25配置成從切斷槽39離開。或者，還可以將發(fā)光元件25配置成從傾斜面44離開(這同樣適用于以下的任何實施例及變例)。
并且，在上述實施例1中，在受光元件26側(cè)切斷光波導24時，僅切斷了光波導24。但是，實際上只切斷光波導24而不損傷絕緣膜23是很困難的。從而，希望與切斷槽38、39相同，在接觸到電極焊區(qū)41的內(nèi)側(cè)邊緣的部位形成被絕緣膜23覆蓋的傾斜面。
圖9是表示實施例1的變例的放大部分剖面圖。在該變例中，在切斷槽39的整個內(nèi)部也形成絕緣膜23，利用絕緣膜23覆蓋整個硅基板22。為了用絕緣膜23覆蓋切斷槽39的整個內(nèi)部，在利用切割刀片或激光切入切斷槽39后，通過熱氧化在切斷槽39內(nèi)部形成絕緣膜23即可。根據(jù)這種變例，整個切斷槽39被絕緣膜23覆蓋，能夠更可靠地防止電串擾和電信號泄漏。
并且，在本實施例中，光波導24是樹脂制品，但也可以利用石英和其他材料制作。這同樣適用于以下的實施例。
實施例2圖10是表示本發(fā)明的實施例2的光收發(fā)機的一部分的放大部分剖面圖。在該實施例中，在傾斜面44的前頭設(shè)置逆傾斜面46，其與傾斜面44相反，朝向切斷槽39斜著向上傾斜。并且，逆傾斜面46的表面也被絕緣膜23覆蓋。在該結(jié)構(gòu)中，在傾斜面44與逆傾斜面46之間形成槽狀的釬焊材料43的積存部47，在釬焊材料43滴落時，釬焊材料43由積存部47積存著。因此，可以防止釬焊材料43滴落到切斷槽39內(nèi)硅基板22露出的部分。
實施例2的光收發(fā)機利用與實施例1的光收發(fā)機的制造方法相同的方法來制造。但是，在利用切割刀片或激光切入切斷槽39時，與實施例1時相比，僅使其位置向發(fā)光元件25相反一側(cè)偏移，從而可以容易制造。
實施例3圖11是表示本發(fā)明的實施例3的光發(fā)送機(光波導模塊)的俯視圖。圖12是其發(fā)光元件附近的放大部分剖面圖。該光發(fā)送機51將光波導24安裝在硅基板22上。并且，在硅基板22的長邊方向的一個端部配置發(fā)光元件25，并使其與光波導24的一個端面對置，在硅基板22的長邊方向的另一端部形成光纖保持部40，并使其鄰接光波導24的與發(fā)光元件25相反一側(cè)的端部。
光波導24在由透明樹脂材料構(gòu)成的上包層27與下包層28之間形成直線狀的芯52。該光波導24如圖12所示，隔著絕緣膜23被安裝在硅基板22上。此時，也可以在光波導安裝區(qū)域中，在硅基板22的表面不設(shè)置絕緣膜23，而將光波導24直接安裝在硅基板22的表面上。
安裝在硅基板22的表面上的光波導24如后面所述，通過切割等將其端部切斷，由此將端面修整平滑。此時，為了可靠地切斷端部，與光波導24的端面接觸的位置的切斷槽38、39到達硅基板。
在硅基板22的表面上，在與芯52的光纖連接側(cè)端部鄰接的位置，凹陷設(shè)置V槽狀的光纖保持部40。在該光纖保持部40設(shè)置光纖(未圖示)，并使其與芯52在光學上耦合。并且，在硅基板22的表面上，在與芯52的發(fā)光元件側(cè)端部鄰接的位置設(shè)置電極焊區(qū)42。在電極焊區(qū)42上通過釬焊材料43鍵合的發(fā)光元件25與光波導24的端面對置，并與芯52在光學上耦合。
在發(fā)光元件25所鄰接的切斷槽39的邊緣，如圖12所示，在電極焊區(qū)42與切斷槽39之間設(shè)置低一級臺階的階梯差部分53。在該階梯差部分53的整個表面也形成絕緣膜23，使之與硅基板22表面的絕緣膜23連續(xù)。并且，利用切斷槽39和階梯差部分53形成槽。圖13(a)是表示發(fā)光元件25附近的放大俯視圖，圖13(b)是表示除發(fā)光元件25以外的電極焊區(qū)42附近的放大俯視圖。根據(jù)圖13(a)(b)可知，在該實施例中，階梯差部分53只在電極焊區(qū)42附近遍及比發(fā)光元件25的安裝區(qū)域?qū)挾葘挼膶挾刃纬?。階梯差部分53也可以遍及硅基板22的整個寬度形成(參照實施例1)。
而且，在該光發(fā)送機51中，從芯52射出的光在芯52中傳輸，并與由光纖保持部40保持的光纖耦合。
下面，說明實施例3的光發(fā)送機51的制造方法的一例。圖14(a)(b)(c)、圖15(a)(b)(c)和圖16(a)(b)(c)是說明光發(fā)送機51的制造工序的圖。無論在哪一附圖中，左側(cè)的附圖表示俯視圖，右側(cè)的附圖表示相當于圖15(c)的X-X線剖面的部位的剖面圖。在制造光發(fā)送機51時，準備圖14(a)所示的硅基板22(硅晶片)，使其正背兩面熱氧化，形成由SiO2構(gòu)成的絕緣膜23(熱氧化膜)。另外，如圖14(b)所示，在硅基板22的表面上使絕緣膜23圖形化，僅在硅基板22的發(fā)光元件側(cè)端部保留絕緣膜23。
并且，此時在絕緣膜23上形成其寬度與階梯差部分53相等的凹部54。
然后，以絕緣膜23為掩模，干法刻蝕硅基板22。由此，將從硅基板22上表面的絕緣膜23露出的區(qū)域挖掘10～20μm，形成圖14(c)所示的階梯差部分53和下段部55。另外，如圖15(a)所示，在下段部55的與設(shè)置有絕緣膜23的端部相反一側(cè)的端部，通過各向異性刻蝕形成V槽狀的光纖保持部40。然后，如圖15(b)所示，使下段部55和光纖保持部40熱氧化，在硅基板22的整個正背面形成絕緣膜23。另外，硅基板22的背面的絕緣膜23也可以去除。
如圖15(c)所示，隔著絕緣膜23，在硅基板22上表面的規(guī)定位置設(shè)置電極焊區(qū)42。在電極焊區(qū)42上涂敷AuSn等其他釬焊材料43。在該狀態(tài)下，電極焊區(qū)42通過絕緣膜23與硅基板22絕緣。
然后，按照圖16(a)所示，在硅基板22的整個上表面上，高精度地定位并形成在上下包層27、28之間埋入了芯52的光波導24。光波導24可以利用粘結(jié)劑將在其他工序預先制造的光波導重疊地粘結(jié)固定在硅基板22的上表面。在該情況下，針對硅基板22的表面形狀，在光波導24的下表面也設(shè)置階梯差部分?；蛘?，也可以利用半導體制造技術(shù)，在硅基板22上依次形成下包層28、芯52、上包層27。此處，也可以在最終形成光波導的區(qū)域，預先去除絕緣膜23，將光波導24直接粘結(jié)在硅基板22上。
然后，如圖16(b)所示，保留凹部54內(nèi)的階梯差部分53，在下段部55的端部位置，利用切割刀片或激光切入光波導24和硅基板22，形成切斷槽39。與此同時，在通過光纖保持部40端部的位置，利用切割刀片或激光切入槽，形成切斷槽38。由此，在形成光波導24的端面的同時，形成由切斷槽39和階梯差部分53構(gòu)成的槽。
然后，保留切斷槽38、39之間的部分，將光波導24的不需要部分剝離。此時，使光波導24的端面和側(cè)面變平滑，從而不會蒙受光學上的耦合損耗。
在將光波導24的不需要部分從硅基板22剝離的情況下，也可以通過刻蝕去除粘結(jié)劑。或者，作為粘結(jié)劑還可以使用紫外線固化型粘結(jié)劑，將光波導24粘結(jié)在硅基板22上。此時，在不需要部分只要使紫外線不照射粘結(jié)劑，粘結(jié)劑就不會在不需要部分固化。因此，僅僅通過清洗工序，即可簡單地清除光波導24的不需要部分。
這樣，在從光波導24露出的電極焊區(qū)42上放置發(fā)光元件25。然后，對發(fā)光元件25加壓，使釬焊材料43回流。如圖16(c)所示，利用回流的釬焊材料43將發(fā)光元件25鍵合在電極焊區(qū)42上。這樣，就完成了光發(fā)送機51。
此時，在發(fā)光元件25側(cè)，在切斷槽39的邊緣形成階梯差部分53，階梯差部分53的表面被絕緣膜23覆蓋。因此，即使在接近光波導24的端面配置發(fā)光元件25，釬焊材料43也能借助于表面張力被保持在發(fā)光元件25的下表面與被絕緣膜23覆蓋的階梯差部分53之間的空間內(nèi)。由此，釬焊材料43不易滴落到切斷槽39內(nèi)。因此，滴落的釬焊材料43難以因接觸到硅基板22而產(chǎn)生電泄漏，并且與其他光接收機等之間不易產(chǎn)生電串擾。
在安裝發(fā)光元件25時，以形成于硅基板22(硅晶片)的定位用標記為基準對發(fā)光元件25定位。希望采取與用于貼合光波導24的進行定位用標記的相同的掩模，將安裝發(fā)光元件25用的定位標記形成于硅基板22上。如果使用相同的掩模，可以減小光波導24和發(fā)光元件25等的錯位。另外，在形成光纖保持部40時，如果使用與此相同的掩模，也可以提高光波導24和光纖的位置精度。并且，作為安裝發(fā)光元件25的方法，可以采用實際識別光波導24的外形構(gòu)造，以通過切斷形成于硅基板22的端面和側(cè)面為基準進行定位的方法。
圖17是表示實施例3的變例的放大部分剖面圖。在該變例中，在切斷槽39的整個內(nèi)部形成絕緣膜23，用絕緣膜23覆蓋整個硅基板22。為了用絕緣膜23覆蓋切斷槽39的整個內(nèi)部，在利用切割刀片或激光切入切斷槽39后，通過熱氧化在切斷槽39內(nèi)部形成絕緣膜23即可。根據(jù)這種變例，整個切斷槽39被絕緣膜23覆蓋，從而能夠更可靠地防止電串擾和電信號泄漏。
另外，也可以在實施例1那樣的光收發(fā)機中設(shè)置實施例3那樣的階梯差部分。并且，也可以在實施例3那樣的發(fā)送機中設(shè)置實施例1那樣的傾斜面。
實施例4
圖18是表示本發(fā)明的實施例4的光波導模塊61的放大部分剖面圖。在該實施例中，用絕緣膜23覆蓋切斷槽39的側(cè)壁面中位于電極焊區(qū)42側(cè)的側(cè)壁面。被絕緣膜23覆蓋的側(cè)壁面區(qū)域可以是遍及切斷槽39的總長(硅基板23的整個寬度)的區(qū)域。并且，該區(qū)域也可以僅是發(fā)光元件25的安裝位置附近。在這種實施例中，即使用于將發(fā)光元件25鍵合在電極焊區(qū)42上的釬焊材料43滴落到切斷槽39內(nèi)，只要不到達切斷槽39的底面，就不會產(chǎn)生電泄漏和電串擾。
為了制作這種光波導模塊61，切斷光波導24和硅基板22，在硅基板22上切入切斷槽39。與此同時，將光波導24的不需要部分剝離。然后，通過濺射等將SiO2和SiN等絕緣材料進行傾斜蒸鍍，在切斷槽39的側(cè)面形成絕緣膜23。
圖19是表示本發(fā)明的實施例4的變例的放大部分剖面圖。在該變例中，在設(shè)置切斷槽39后，通過蒸鍍等在切斷槽39內(nèi)淀積絕緣材料，在切斷槽39的整個內(nèi)表面形成絕緣膜23。因此，即使釬焊材料43滴落，發(fā)光元件25與硅基板22也不會導通，能夠更可靠地防止電泄漏和電串擾。
實施例5圖20是表示本發(fā)明的實施例5的光波導模塊71的放大部分剖面圖。在該實施例中，在光波導24和硅基板22上切入切斷槽39，將光波導24的不需要部分剝離。然后，在切斷槽39內(nèi)充填絕緣材料72，用絕緣材料72填埋切斷槽39。因此，即使用于將發(fā)光元件25鍵合在電極焊區(qū)42上的釬焊材料43向切斷槽39的方向伸出，釬焊材料43也不會侵入切斷槽39內(nèi)，不會產(chǎn)生電泄漏和電串擾。
實施例6圖21(a)(b)(c)是說明本發(fā)明的實施例6的光接收機(光纖模塊)的制造工序的概略剖面圖。在該實施例中，首先如圖21(a)所示，在硅基板22的上表面形成光纖保持部40和V槽93后，使硅基板22的整個上表面熱氧化，形成絕緣膜23。并且，在V槽93的附近，在硅基板22的上表面上隔著絕緣膜23設(shè)置電極焊區(qū)41。然后，固定電極焊區(qū)41的釬焊材料43。然后，將光纖92放置在光纖保持部40內(nèi)，將光纖92定位，利用粘結(jié)劑將光纖92固定在光纖保持部40上。
然后，如圖21(b)所示，使用切割刀片或激光，從光纖92的端部朝向硅基板22的V槽93的邊緣切入槽。由此，將光纖92的端面修整平滑。此時，在硅基板22上通過光纖92的端面形成切斷槽39。并且，在切斷槽39的邊緣，利用殘余的V槽93形成被絕緣膜23覆蓋的傾斜面44。
然后，將受光元件26放置在電極焊區(qū)41上，接近光纖92的端面配置受光元件26。然后，使釬焊材料43回流，將受光元件26鍵合在電極焊區(qū)41上。這樣，就完成了光接收機91。在受光元件26鍵合時，即使熔融并回流的釬焊材料43從受光元件26的下表面溢出到切斷槽39側(cè)，也被積存在受光元件26的下表面與傾斜面44之間的空間內(nèi)。因此，可以防止釬焊材料43侵入切斷槽39內(nèi)。其結(jié)果是，在該光接收機91中也可以降低因釬焊材料43侵入切斷槽39內(nèi)而產(chǎn)生電泄漏和電串擾的可能性。
另外，在實施例6那樣的光接收機中，切斷槽39附近的形狀和設(shè)置絕緣膜23的區(qū)域等，也可以使用在實施例1～5及其變例中敘述的各種方式。
并且，在上述各個實施例中，將發(fā)光元件25或受光元件26安裝成使其朝向切斷槽39的上方伸出。但是，在任何實施例或變例中，也可以如圖8所示將發(fā)光元件25或受光元件26安裝成從切斷槽39離開的狀態(tài)。
權(quán)利要求
1.一種光模塊，在非絕緣性基板的表面上安裝有光波導或光纖，以及發(fā)光元件和受光元件等光學部件，其特征在于，在所述基板表面的至少光學部件安裝區(qū)域形成絕緣膜，在設(shè)置于該絕緣膜上的電極上鍵合所述光學部件，在所述基板的光學部件安裝區(qū)域附近形成槽，在所述槽內(nèi)的至少一部分形成絕緣膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述光學部件被配置成與所述光波導或光纖在光學上耦合，所述槽形成于在所述光波導或光纖與所述電極之間與所述光波導或光纖的端面接觸的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，形成于所述基板表面的所述絕緣膜與形成于所述槽內(nèi)的絕緣膜相連續(xù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，所述槽在接近所述電極的一側(cè)的邊緣，具有階梯差部分，該階梯差部分位于最深處的底面與所述基板的表面之間，在該階梯差部分的表面形成所述絕緣膜。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光模塊，其特征在于，所述階梯差部分是傾斜面。
6.一種光模塊，在非絕緣性基板的表面上安裝有光波導或光纖，以及發(fā)光元件和受光元件等光學部件，其特征在于，在所述基板表面的至少光學部件安裝區(qū)域形成絕緣膜，在設(shè)置于該絕緣膜上的電極上鍵合所述光學部件，在所述基板的光學部件安裝區(qū)域附近形成槽，在所述槽內(nèi)充填絕緣材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或6所述的光模塊，其特征在于，所述光學部件被安裝成朝向所述槽的上方伸出。
8.一種光模塊的制造方法，制造權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，具有在所述基板表面的至少光學部件安裝區(qū)域形成絕緣膜的工序；在所述光學部件安裝區(qū)域與光波導或光纖安裝區(qū)域的中間區(qū)域的至少一部分形成V槽的工序；在所述V槽的內(nèi)表面形成絕緣膜的工序；在所述光學部件安裝區(qū)域的絕緣膜上設(shè)置電極的工序；在包括所述光波導或光纖安裝區(qū)域的區(qū)域安裝光波導或光纖的工序；在安裝了所述光波導或光纖后，切斷所述光波導或光纖的端部，并且在所述V槽的靠近所述光波導或光纖的一部分形成比所述V槽深的切斷槽，設(shè)置由所述V槽和所述切斷槽構(gòu)成的槽的工序；在形成所述槽后，把所述光學部件鍵合在所述電極上的工序。
9.一種光模塊的制造方法，制造權(quán)利要求1所述的光模塊，其特征在于，具有在所述基板表面的至少光學部件安裝區(qū)域形成絕緣膜的工序；挖掘所述基板表面的光波導或光纖安裝區(qū)域，以及所述光學部件安裝區(qū)域與所述光波導或光纖安裝區(qū)域的中間區(qū)域的至少一部分，使其深度比所述光學部件安裝區(qū)域深的工序；在所述中間區(qū)域的至少一部分形成絕緣膜的工序；在所述光學部件安裝區(qū)域的絕緣膜上設(shè)置電極的工序；在包括所述光波導或光纖安裝區(qū)域的區(qū)域安裝光波導或光纖的工序；在安裝了所述光波導或光纖后，切斷所述光波導或光纖的端部，并且在所述中間區(qū)域的至少一部分中靠近所述光波導或所述光纖的位置形成切斷槽，設(shè)置由所述中間區(qū)域的至少一部分和所述切斷槽構(gòu)成的槽的工序；在形成所述槽后，把所述光學部件鍵合在所述電極上的工序。
全文摘要
光模塊及其制造方法。本發(fā)明提供一種光模塊，即使接近光波導和光纖配置發(fā)光元件和受光元件，也不易產(chǎn)生來自發(fā)光元件等的電信號泄漏及發(fā)光元件與受光元件之間的串擾。在硅基板(22)的上表面重疊安裝光波導(24)。光波導(24)利用切割刀片或激光切斷端面并被修整平滑，此時在硅基板(22)上形成切斷槽(39)。在切斷槽(39)與電極焊區(qū)(42)之間，在切斷槽(39)的邊緣形成傾斜面(44)，硅基板(22)的上表面和傾斜面(44)的表面被絕緣膜(23)覆蓋。發(fā)光元件(25)通過釬焊部件(43)鍵合在電極焊區(qū)(42)上。
文檔編號G02B6/122GK1790073SQ20051013022
公開日2006年6月21日 申請日期2005年12月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月14日
發(fā)明者樋口誠良, 速水一行 申請人:歐姆龍株式會社