專利名稱：用于測(cè)量布置在基底上的薄膜的特征的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的領(lǐng)域一般涉及壓印平版印刷術(shù)。更具體地，本發(fā)明涉及使用壓印平版印刷術(shù)工藝測(cè)量形成圖案的薄膜的特征。
背景技術(shù)：
微型制造包括非常小結(jié)構(gòu)、例如具有微米或更小量級(jí)的特征的制造。其中微型制造具有相當(dāng)大影響的一個(gè)領(lǐng)域是在集成電路的處理中。由于半導(dǎo)體處理工業(yè)繼續(xù)在為較大的產(chǎn)品收得率、同時(shí)增加形成在基底上的每單位面積的電路努力，微型制造變得日益重要。微型制造提供較大的處理控制，同時(shí)允許形成的結(jié)構(gòu)的最小特征尺寸的減少在增長(zhǎng)。在已使用微型制造的其它的發(fā)展領(lǐng)域包括生物工藝學(xué)、光學(xué)技術(shù)、機(jī)械系統(tǒng)等。
示范性的微型制造技術(shù)公開在授予Willson等人的美國(guó)專利第6,334,960號(hào)和由仇等人在2002年6月的Ultrafast and Direct Imprint of Nanostructures inSilicon，Nature，Col.417，pp.835-837中，它涉及激光輔助的直接壓印(LADI)工藝。這兩種工藝包括通過(guò)用模具壓印一可流動(dòng)的材料而在一基底上形成一層，然后讓可流動(dòng)的材料固化以形成一有圖案的層。
作為由微型制造技術(shù)產(chǎn)生的特征的小尺寸的結(jié)果，處理診斷變得日益重要，以確定在處理過(guò)程中和處理后的薄膜的性能。在標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體處理操作中已經(jīng)使用許多現(xiàn)有技術(shù)中的處理控制和診斷技術(shù)，以便于確定薄膜性能。然而，許多現(xiàn)有的處理控制和診斷技術(shù)不適合用于在微型制造過(guò)程中使用的壓印技術(shù)。
因此，存在著提供改進(jìn)的處理和診斷技術(shù)、以用于微型制造、諸如壓印平版印刷術(shù)的需要。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及提供一種方法和系統(tǒng)，以測(cè)量設(shè)置在一基底上的薄膜的性能。該方法包括識(shí)別在薄膜上的多個(gè)處理區(qū)域；測(cè)量多個(gè)處理區(qū)域的一子部分的性能，形成測(cè)量的性能；確定測(cè)量的性能中的一個(gè)的變化；以及根據(jù)測(cè)量的性能中的一個(gè)與與保存的子部分的處理區(qū)域相關(guān)的測(cè)量的性能的比較，設(shè)想變化的原因。該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)上述方法。下面將詳細(xì)討論這些和其它的實(shí)施例。
附圖的簡(jiǎn)要說(shuō)明

圖1是按照本發(fā)明的平版印刷系統(tǒng)的立體圖；圖2是圖1所示的平版印刷系統(tǒng)的簡(jiǎn)化的視圖；圖3是材料的簡(jiǎn)化的表示，在聚合和交叉鏈接前，圖2所示的壓印層由其構(gòu)成；圖4是交叉鏈接的聚合材料的簡(jiǎn)化的表示，在經(jīng)受輻射后，圖3所示的材料轉(zhuǎn)換成該材料；圖5是在壓印層上形成圖案后與壓印層分開的圖1所示的模具的簡(jiǎn)化的視圖；圖6是在第一壓印層上的圖案轉(zhuǎn)換到其中后，定位在圖5所示的基底上的額外的壓印層的簡(jiǎn)化的視圖；圖7是圖1和2所示的基底的俯視圖；圖8是按照本發(fā)明的傳感系統(tǒng)的平面圖；圖9是圖1所示的壓印頭的詳細(xì)的立體圖；圖10是具有在其上的模具、附連在圖1所示的夾持系統(tǒng)上的基底的詳細(xì)的剖視圖；圖11是圖9所示的壓印頭的分解的立體圖；圖12是顯示通過(guò)圖8所示的傳感系統(tǒng)傳感的反射輻射的繪圖的圖表，在按照本發(fā)明的頻率范圍內(nèi)；以及圖13是顯示用于按照本發(fā)明測(cè)量薄膜的特征的工藝的流程圖。
具體的實(shí)施方式圖1顯示了按照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的平版印刷系統(tǒng)10，它包括一對(duì)互相分離的橋支承12和在其間延伸的橋14和臺(tái)支承16。橋14和臺(tái)支承16互相分離。連接于橋14的是壓印頭18，它從橋14朝向臺(tái)支承16延伸，并提供沿Z軸線的移動(dòng)。設(shè)置在臺(tái)支承16上以面對(duì)壓印頭18的是運(yùn)動(dòng)臺(tái)，被稱作基底支承堆20?；字С卸?0配置成沿X和Y軸線相對(duì)臺(tái)支承16移動(dòng)。應(yīng)該知道，壓印頭18可提供沿X和Y軸線、以及Z軸線的移動(dòng)，而運(yùn)動(dòng)臺(tái)20可提供在Z軸線上的、以及在X和Y軸線上的移動(dòng)。轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人的、2002年7月11日提交的、名稱為“階段的和重復(fù)的壓印平版印刷系統(tǒng)”的美國(guó)專利申請(qǐng)第10/194,414號(hào)描述了一示范的基底支承堆20，其全部?jī)?nèi)容在這里被參考引用。輻射源22連接于平版印刷系統(tǒng)10，以便將光化輻射撞擊在基底支承堆20上。如圖所示，輻射源22連接于橋14，并包括連接于輻射源22的發(fā)電機(jī)24。平版印刷系統(tǒng)10的操作一般通過(guò)數(shù)據(jù)通信由處理機(jī)26控制。
參看圖1和2，包括在壓印頭18里的是卡盤28，具有在其上的模具32的模板30安裝在卡盤28上。轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人的、2002年11月13日提交的、名稱為“用于調(diào)整基底形狀的卡盤系統(tǒng)”的美國(guó)專利申請(qǐng)第10/293,224號(hào)描述了壓印頭18和卡盤28，并被參考引用，以及轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人的、2002年12月11日提交的、名稱為“用于調(diào)整基底形狀的方法”的美國(guó)專利申請(qǐng)第10/316,963號(hào)，并被參考引用。模具32包括一由多個(gè)分離的凹槽34和突出36限定的特征。多個(gè)特征限定了一原始圖案，該圖案形成了準(zhǔn)備轉(zhuǎn)印給位于運(yùn)動(dòng)臺(tái)20上的晶片38的圖案的基礎(chǔ)。為此，壓印頭18和/或運(yùn)動(dòng)臺(tái)20可改變模具32和晶片38之間的距離“d”。這樣，在模具32上的特征可如下面詳細(xì)討論的壓印入晶片38的易流動(dòng)的區(qū)域。輻射源22這樣設(shè)置使模具32定位在輻射源22和晶片38之間。結(jié)果，模具32由一種材料制成，該材料允許它對(duì)于由輻射源22產(chǎn)生的輻射基本上是透明的。
參看圖2和3，一易流動(dòng)區(qū)域、諸如壓印層40設(shè)置在呈現(xiàn)基本上平坦外形的表面42的一部分。易流動(dòng)區(qū)域可由任何已知的技術(shù)、諸如美國(guó)專利第5,772,905所述的熱模壓印工藝(其全文在這里被參考引用)，或由仇等人在2002年6月的Ultrafast and Direct Imprint of Nanostructures in Silicon，Nature，Col.417，pp.835-837中所述的樣板的激光輔助的直接壓印(LADI)工藝。然而，在本發(fā)明里，易流動(dòng)區(qū)域包括作為材料46的多個(gè)互相分離的不連續(xù)的珠子44沉積在晶片38上的壓印層40(將在下文中詳細(xì)討論)。用于沉積珠子44的一個(gè)示范的系統(tǒng)公開在轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人的、2002年7月9日提交的、名稱為“分配液體的系統(tǒng)和方法”的美國(guó)專利申請(qǐng)第10/191,749號(hào)中，其全部?jī)?nèi)容在此被參考引用。壓印層40由材料46形成，它可被有選擇地聚合和交叉鏈接，以將原始圖案紀(jì)錄在其上，形成紀(jì)錄的圖案。材料46的示范的成分公開在2003年6月16日提交的、名稱為“用于減少在適合的區(qū)域和模具的圖案之間的粘結(jié)的方法”的美國(guó)專利申請(qǐng)第10/463,396號(hào)中，其全文在此被參考引用。材料46顯示在圖4中，其在點(diǎn)48處被交叉鏈接，形成交叉鏈接的聚合材料50。
參看圖2、3和5，通過(guò)與模具32機(jī)械接觸部分地產(chǎn)生紀(jì)錄在壓印層40上的圖案。為此，減少距離“d”，以允許壓印珠子44與模具32機(jī)械接觸，展開珠子44，從而形成帶有在表面42上的材料46的毗鄰形狀的壓印層40。在一個(gè)實(shí)施例里，減少距離“d”，以允許壓印層40的分支部分52進(jìn)入和充填凹槽34。
為便于充填凹槽34，材料46提供有必備的性能以完全充填凹槽34，同時(shí)用材料46的毗鄰形狀覆蓋表面42。在本實(shí)施例里，在與突出36疊印的壓印層40的分支部分54在理想的、通常是最小的距離“d”達(dá)到后得以保存，留下的分支部分52具有厚度t1，而分支部分54具有厚度t2。厚度t1和t2根據(jù)用途可是任何需要的厚度。
參看圖2、3和4，在達(dá)到理想的距離“d”之后，輻射源22產(chǎn)生光化輻射，以聚合和交叉鏈接材料46，形成交叉鏈接的聚合材料50。結(jié)果，壓印層40的成分由材料46轉(zhuǎn)換成固體的交叉鏈接的聚合材料50。特別是，交叉鏈接的聚合材料50被固化，以提供帶有與模具32的表面58的形狀一致的形狀的壓印層40的側(cè)面56，如圖5所清楚顯示的。在壓印層40轉(zhuǎn)換成如圖4所示的交叉鏈接的聚合材料50之后，圖2所示的壓印頭18移動(dòng)以增加距離“d”，從而模具32和壓印層40分開。
參看圖5，可使用附加的處理，以完成晶片38上的圖案。例如，晶片38和壓印層40可被蝕刻，以將壓印層40的圖案轉(zhuǎn)移至晶片38，以提供有圖案的表面60，如圖6所示。為便于蝕刻，形成壓印層40的材料可改變，以根據(jù)需要形成相對(duì)于晶片38的相對(duì)的蝕刻速率。壓印層40相對(duì)于晶片38的相對(duì)的蝕刻速率可在約1.5∶1至約100∶1范圍內(nèi)。
參看圖7和8，通常使用階段的和重復(fù)的工藝在整個(gè)晶片38上形成圖案的。階段的和重復(fù)的工藝包括在晶片38上形成多個(gè)區(qū)域(如a-1所示)，其中，將紀(jì)錄模具32上的原始圖案。模具32上的原始圖案可與模具32的整個(gè)表面共同延伸，或簡(jiǎn)單地位于它的分支部分。本發(fā)明將相對(duì)于與面向晶片38的模具32表面共同延伸的原始圖案進(jìn)行討論。階段的和重復(fù)的工藝的適當(dāng)執(zhí)行可包括模具32與各區(qū)域a-1適當(dāng)對(duì)齊。為此，模具32包括對(duì)齊標(biāo)記(未畫出)。一個(gè)或多個(gè)區(qū)域a-1包括基準(zhǔn)標(biāo)記(未畫出)。通過(guò)確保對(duì)齊標(biāo)記(未畫出)與基準(zhǔn)標(biāo)記(未畫出)適當(dāng)?shù)貙?duì)齊，確保模具32與與其疊印的區(qū)域a-1之一適當(dāng)對(duì)齊。為此，可使用傳感裝置62(下面詳細(xì)討論)。這樣，模具32相繼地與各處理區(qū)域a-1接觸，以在其上紀(jì)錄圖案。
也可使用傳感裝置62以便進(jìn)行診斷。為此，傳感裝置62包括光源64和光具組66，以便將光聚焦在晶片38。傳感裝置62構(gòu)造成將區(qū)域a-1反射的對(duì)齊輻射聚焦在一單一焦平面P，其中，光學(xué)傳感器68可被定位。結(jié)果，光具組66可構(gòu)造成提供依賴波長(zhǎng)的焦距，假如所使用的是理想的和不同的波長(zhǎng)。光可用現(xiàn)有技術(shù)中已知的任何方式產(chǎn)生。例如，以光70顯示的單一的光的寬帶源可產(chǎn)生侵入光具組66的波長(zhǎng)。光學(xué)帶通濾波器(未畫出)可設(shè)置在寬帶源和對(duì)齊標(biāo)記(未畫出)之間。
此外，可使用多個(gè)光源(未畫出)，各個(gè)光源產(chǎn)生截然不同的光波長(zhǎng)。光70通過(guò)光具組66聚焦，以侵入?yún)^(qū)域a-1的一個(gè)或多個(gè)區(qū)域，如所示的區(qū)域R1和R2。光從區(qū)域R1和R2反射，如反射光72所示，并由聚光透鏡74收集。聚光透鏡74將所有波長(zhǎng)的反射光72聚焦在平面P，從而光學(xué)傳感器68檢測(cè)到反射的光72。反射光包含與使用眾所周知技術(shù)的壓印層40的性能有關(guān)的信息。例如，諸如薄膜厚度、圖案質(zhì)量、圖案對(duì)齊、圖案臨界尺寸改變等性能可通過(guò)由傳感器68傳感的光獲得。由傳感器68傳感的信息傳送給處理機(jī)26，使其量子化，以產(chǎn)生測(cè)量量子化。處理機(jī)26然后可將從傳感器68接受的信息與包含在查閱表中(例如，在一存儲(chǔ)器106中)的先驗(yàn)的信息比較，以確定是否在區(qū)域a-1的壓印層40中存在異常。
參看圖1和7，如果在處理區(qū)域a-1中產(chǎn)生的圖案中發(fā)現(xiàn)異常，則發(fā)現(xiàn)階段的和重復(fù)的壓印工藝便于確定異常的源。例如，如果發(fā)現(xiàn)基本上類似的異常在各個(gè)處理區(qū)域a-1中被發(fā)現(xiàn)，則可以推論出壓印頭18是異常的原因。為了確定壓印頭18的哪個(gè)分支系統(tǒng)構(gòu)成或發(fā)生異常，分支系統(tǒng)可以系統(tǒng)地更換。
例如，參看圖9和10，壓印頭18包括許多分支系統(tǒng)，諸如頭殼體76，模板30通過(guò)包括卡盤體28的卡盤系統(tǒng)80與其連接。特別是，模板30包括相對(duì)的表面84和86以及在它們之間延伸的圓周表面88。表面86面向卡盤系統(tǒng)80，以及模具32從表面84延伸。為了確保從圖2所示的珠子44來(lái)的流體不擴(kuò)散超過(guò)模具32的區(qū)域，模具32的表面58與模板30的表面84分開一在微米范圍內(nèi)的、例如15微米的距離。一校準(zhǔn)系統(tǒng)90連接于壓印頭殼體76，而卡盤本體28將模板30連接于與屈曲系統(tǒng)92面對(duì)面的校準(zhǔn)系統(tǒng)90。校準(zhǔn)系統(tǒng)90便于在模板30和晶片38之間適當(dāng)?shù)亩ㄏ驅(qū)R，如圖2所示，由此獲得它們之間的基本均勻的間隙距離“d”。
參看圖9和11，校準(zhǔn)系統(tǒng)90包括多個(gè)致動(dòng)器94、96和98以及底板100。特別是，致動(dòng)器94、96和98連接在殼體76和底板100之間。屈曲系統(tǒng)92包括屈曲彈簧102和屈曲環(huán)104。屈曲環(huán)104連接在底板100和屈曲彈簧102之間。致動(dòng)器94、96和98的運(yùn)動(dòng)定向屈曲環(huán)104，這可允許屈曲彈簧102以及因此卡盤本體28和模板30的粗校準(zhǔn)。致動(dòng)器94、96和98還便于屈曲環(huán)104平移至Z軸線。屈曲彈簧102包括多個(gè)直線彈簧，它們便于在X-Y平面內(nèi)的萬(wàn)向節(jié)狀的運(yùn)動(dòng)，這樣，可在晶片38和模板30之間獲得適當(dāng)?shù)亩ㄎ粚?duì)齊，如圖2所示。
參看圖1、10和11，為了確定模具32是否屬于異常，可更換模板30。在異常不存在的情況下，然后可推斷模具32是該異常的源。在異常仍然存在的情況下，可更換壓印頭18的另一個(gè)分支系統(tǒng)，諸如屈曲彈簧102。在異常的發(fā)現(xiàn)在其它區(qū)域a-1的圖案中不存在的情況下，然后可推斷屈曲彈簧102是該源。在異常仍然存在的情況下，可更換其它的分支系統(tǒng)，諸如卡盤本體28、致動(dòng)器94、96和98、屈曲環(huán)104等。
在觀察到異常只存在于處理區(qū)域的一個(gè)的情況下，然后可推斷基底支承堆20是異常的原因。如上述的相對(duì)于壓印頭18的討論，基底支承堆20的分支系統(tǒng)可被單獨(dú)地更換，以便鑒別造成異常的分支系統(tǒng)。
然而，還應(yīng)該知道，諸多異常和它們的根源可在不使用階段的和重復(fù)的壓印、例如用完整的晶片圖案形成技術(shù)的情況下被確定。為此，批量的基底在處理過(guò)程中被檢查，以確定是否有異常存在于連續(xù)的基底。在發(fā)現(xiàn)基本上相同的異常存在于相同的區(qū)域的情況下，或相同的異常在連續(xù)的晶片38的不同區(qū)域的情況下，可以推斷模具32或卡盤28的缺陷的原因。這可通過(guò)更換模具32查證。在異常仍然存在的情況下，可以推斷異常的原因是卡盤28。在更換模具32后沒(méi)有發(fā)現(xiàn)異常重復(fù)的情況下，可以推斷模具32是異常的原因。在觀察到異常存在于有限數(shù)量或一個(gè)晶片38的情況下，然后可推斷晶片38是異常的原因。
例如，異常可能是薄膜厚度變化。為此，可使用大量薄膜厚度測(cè)量的任何一種、諸如橢圓光度法、寬掃描測(cè)量法和寬帶光譜測(cè)定法等。用于測(cè)量薄膜厚度的一種示范性技術(shù)基于從寬帶光譜測(cè)定法獲得的反射輻射的快速傅里葉變換(FFT)，它公開在名稱為“在壓印平版印刷術(shù)中用于在透明模板和基底之間的高精度間隙定向傳感的方法”的美國(guó)專利申請(qǐng)第09/920,341號(hào)，它在此被全文參考引用。對(duì)于多層薄膜，該技術(shù)可通過(guò)測(cè)量在處理區(qū)域a-1的一個(gè)中的預(yù)定數(shù)量的分支部分、例如1000個(gè)分支部分提供各薄膜的平均厚度和它的厚度變化。
使用FFT厚度測(cè)量技術(shù)，反射輻射被數(shù)字化/量子化以及獲得波數(shù)。然后量子化的數(shù)據(jù)映入頻率范圍，并使用FFT算法處理它。在該頻率范圍內(nèi)，獲得一個(gè)或多個(gè)峰值，如圖12中的p1和p2所示，其中一個(gè)可符合在處理區(qū)域a-1中的一個(gè)的分支部分中的一個(gè)的薄膜厚度。為了清楚地限定單個(gè)峰值、例如p1，薄膜厚度(t)可是峰值p1環(huán)繞其定中心的頻率的函數(shù)。這可得自或確定自先驗(yàn)的信息。
例如，在若干或全部分支部分獲得薄膜厚度測(cè)量之后，一平均值來(lái)自這些厚度測(cè)量。然后，將各薄膜厚度測(cè)量與該平均值比較。如果任何一個(gè)厚度測(cè)量不同于該平均值而大于預(yù)定的閥值，則可以確定存在相對(duì)于與處理區(qū)域a-1相關(guān)的薄膜厚度測(cè)量的異常。此外，可以確定在處理區(qū)域內(nèi)的異常的位置。該閥值的實(shí)際值可是任何需要的，并典型地取決于若干因素，諸如圖案的設(shè)計(jì)公差、薄膜的厚度等。此外，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)確定將異常作為是對(duì)平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差的變化。為此，將對(duì)平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差、第一、第二和第三標(biāo)準(zhǔn)偏差等的任一個(gè)與預(yù)定的閥值比較。通過(guò)上面所述，在各處理區(qū)域a-1中的薄膜厚度可確定，以及薄膜厚度異常是否存在。
參看圖1和13，操作中，在步驟200識(shí)別多個(gè)處理區(qū)域。在步驟202，測(cè)量多個(gè)處理區(qū)域的子部分的性能。該子部分可包括全部處理區(qū)域a-1。在步驟204，使用上述的一個(gè)或多個(gè)測(cè)量技術(shù)確定一個(gè)或多個(gè)測(cè)量的性能的變化。在目前的例子里，假定在處理區(qū)域b中發(fā)現(xiàn)異常。在步驟206，基于與處理區(qū)域a和c-1相關(guān)的測(cè)量的性能的比較確定在處理區(qū)域b中的變化的原因。為便于上述的操作，處理機(jī)26與一存儲(chǔ)器106連接，存儲(chǔ)器106儲(chǔ)存準(zhǔn)備供處理機(jī)26操作的編碼。該編碼包括控制傳感裝置62(如圖8所示)的第一子程序，以便將光學(xué)輻射碰撞多個(gè)處理區(qū)域a-1和發(fā)現(xiàn)從那里反射的光學(xué)輻射。還包括第二子程序，以控制傳感裝置的操作，以獲得在所述多個(gè)處理區(qū)域a-1的一個(gè)中的預(yù)定數(shù)量的測(cè)量，并量子化預(yù)定數(shù)量的測(cè)量，以獲得一平均值，并通過(guò)將平均值與預(yù)定的閥值比較用第一子程序確定該變化，該預(yù)定的閥值可按照需要和/或根據(jù)用途建立。
上述的本發(fā)明的實(shí)施例是示范性的。雖然本發(fā)明關(guān)于測(cè)量薄膜厚度異常進(jìn)行了描述，但也可確定其它的異常。例如，圖案中的變形可能形成在壓印層里并可被傳感，而使用本發(fā)明可確定它的原因。結(jié)果，可使用該系統(tǒng)來(lái)發(fā)現(xiàn)圖案特征的臨界尺寸變化中的異常，以及在區(qū)域至區(qū)域和/或?qū)又翆訉?duì)齊中的誤差。用這種信息可使用適合的控制，以糾正/補(bǔ)償這種異常。這些測(cè)量可在現(xiàn)場(chǎng)或后處理中進(jìn)行。此外，本發(fā)明還關(guān)于放置在壓印平版印刷機(jī)上進(jìn)行了討論。然而，本發(fā)明可通過(guò)分離的機(jī)器和遠(yuǎn)離壓印平版印刷處理執(zhí)行。
結(jié)果，對(duì)于上述的描述可作出許多變化和改進(jìn)，同時(shí)保持在本發(fā)明的范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明的范圍不限于上面描述，相反，本發(fā)明的范圍應(yīng)由附后的權(quán)利要求書和其等價(jià)物的全部范圍一起確定。
權(quán)利要求
1.一種測(cè)量設(shè)置在一基底上的一薄膜的性能的方法，所述方法包括識(shí)別在所述薄膜上的多個(gè)處理區(qū)域；測(cè)量所述多個(gè)處理區(qū)域的一子部分的性能，形成測(cè)量的性能；確定所述測(cè)量的性能中的一個(gè)的變化；以及根據(jù)所述測(cè)量的性能中的所述一個(gè)與與所述子部分的其余處理區(qū)域相關(guān)的測(cè)量的性能的比較，設(shè)想所述變化的原因。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述變化是一缺陷。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述變化是一對(duì)齊誤差。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述變化是一臨界尺寸變化。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述原因選自下面一組原因壓印頭缺陷，支承堆缺陷，模板缺陷和基底缺陷。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，測(cè)量還包括獲得在所述多個(gè)處理區(qū)域的一個(gè)中的預(yù)定數(shù)量的測(cè)量，以及將所述預(yù)定數(shù)量的測(cè)量量子化和獲得一平均值，而確定所述變化還包括將所述平均值與一預(yù)定的閥值比較。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，測(cè)量還包括獲得在所述多個(gè)處理區(qū)域的一個(gè)中的預(yù)定數(shù)量的測(cè)量，以及將所述預(yù)定數(shù)量的測(cè)量量子化和獲得一平均值和一來(lái)自所述平均值的標(biāo)準(zhǔn)偏差，而確定所述變化還包括將所述標(biāo)準(zhǔn)偏差與一預(yù)定的閥值比較。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，設(shè)想還包括確定在所述子部分的其余處理區(qū)域中的、具有與所述變化共有的特征的額外的變化，并將所述原因與模板缺陷和壓印頭缺陷中的一個(gè)聯(lián)系起來(lái)。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，設(shè)想還包括發(fā)現(xiàn)在所述變化和所述子部分的其余處理區(qū)域中的性能之間沒(méi)有類似處，并將所述原因與支承堆缺陷和基底缺陷中的一個(gè)聯(lián)系起來(lái)。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，測(cè)量還包括使光學(xué)輻射碰撞在所述多個(gè)處理區(qū)域上并傳感從所述薄膜反射的、包括對(duì)應(yīng)于所述性能的信息的光學(xué)輻射。
11.一種測(cè)量設(shè)置在一基底上的薄膜的性能的方法，所述方法包括識(shí)別在所述薄膜上的多個(gè)處理區(qū)域；測(cè)量所述多個(gè)處理區(qū)域的一子部分的性能，形成測(cè)量的性能；確定在所述測(cè)量的性能中的異常；以及根據(jù)在所述測(cè)量的性能中的所述異常與在所述處理區(qū)域其余的性能的比較，設(shè)想所述異常的原因。
12.一種測(cè)量設(shè)置在一基底上的薄膜的性能的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括一基底支承堆；一設(shè)置在所述所述基底支承堆上的基底；一壓印頭；一設(shè)置在所述壓印頭上的模板；一傳感系統(tǒng)；以及一用來(lái)識(shí)別多個(gè)處理區(qū)域的裝置，所述處理區(qū)域的一子部分具有與其相關(guān)的性能，通過(guò)將所述多個(gè)處理區(qū)域的所述一個(gè)的性能與與所述子部分的其余處理區(qū)域相關(guān)的性能比較，確定在所述多個(gè)處理區(qū)域的一個(gè)的性能中的異常的原因。
13.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述原因選自一組原因，諸如壓印頭缺陷，支承堆缺陷，模板缺陷以及基底缺陷。
14.如權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于，用來(lái)識(shí)別的所述裝置還包括一處理機(jī)和一儲(chǔ)存準(zhǔn)備在所述處理機(jī)上操作的編碼的儲(chǔ)存裝置，而所述編碼包括第一子程序，以控制所述傳感裝置，以便將光學(xué)輻射碰撞在所述子部分的多個(gè)處理區(qū)域，并發(fā)現(xiàn)來(lái)自它的反射的光學(xué)輻射。
15.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述編碼還包括第二子程序，以控制所述傳感裝置的操作而獲得在所述多個(gè)處理區(qū)域的所述一個(gè)中的預(yù)定數(shù)量的測(cè)量，并將所述預(yù)定數(shù)量的測(cè)量量子化，以獲得一平均值和來(lái)自所述平均值標(biāo)準(zhǔn)偏差，而所述第一子程序通過(guò)將所述標(biāo)準(zhǔn)偏差值與一預(yù)定的閥值比較來(lái)確定所述變化。
全文摘要
本發(fā)明涉及提供一種方法和系統(tǒng)，以測(cè)量設(shè)置在一基底上的薄膜的性能。該方法包括識(shí)別在薄膜上的多個(gè)處理區(qū)域；測(cè)量多個(gè)處理區(qū)域的一子部分的性能，形成測(cè)量的性能；確定測(cè)量的性能中的一個(gè)的變化；以及根據(jù)測(cè)量的性能中的一個(gè)與與子部分的其余處理區(qū)域相關(guān)的測(cè)量的性能的比較，設(shè)想變化的原因。該系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)上述方法。
文檔編號(hào)G03F7/20GK1918448SQ200580004823
公開日2007年2月21日 申請(qǐng)日期2005年2月14日 優(yōu)先權(quán)日2004年2月19日
發(fā)明者I·M·麥克曼肯, P·D·蘇馬克, 崔炳鎮(zhèn), S·V·斯里尼瓦桑, M·P·C·瓦茨 申請(qǐng)人:分子制模股份有限公司