專利名稱：基板清洗方法、基板清洗裝置、計(jì)算機(jī)程序和程序存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種可以抑制在半導(dǎo)體晶片或FPD(Flat Panel Display)用玻璃基板等被處理基板的表面產(chǎn)生水印的基板清洗方法以及基板清洗裝置，用于使該基板清洗方法在基板清洗裝置中執(zhí)行的計(jì)算機(jī)程序、以及記錄該計(jì)算機(jī)程序的程序存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
例如，在半導(dǎo)體設(shè)備的制造工序中，由于需要總是保持半導(dǎo)體晶片的表面清潔，所以對(duì)半導(dǎo)體晶片實(shí)施適當(dāng)?shù)那逑刺幚?。作為?duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行單片處理的單片式清洗處理的典型例子，已知下述處理方法向保持于旋轉(zhuǎn)夾盤的半導(dǎo)體晶片供給既定的藥液或者使旋轉(zhuǎn)刷與半導(dǎo)體晶片的表面抵接等，從而進(jìn)行清洗處理，然后進(jìn)行向半導(dǎo)體晶片供給純水的漂洗處理，接下來使半導(dǎo)體晶片高速旋轉(zhuǎn)從而從半導(dǎo)體晶片甩掉純水。
但是，在這樣的處理方法中，存在微量的水殘留在半導(dǎo)體晶片的表面而導(dǎo)致水印(water mark)顯現(xiàn)的問題。另外，如果未完全干燥的半導(dǎo)體晶片的表面與空氣接觸，則存在這部分被氧化而產(chǎn)生水印的問題。
因此，作為抑制產(chǎn)生這樣的水印的方法，在特開2001-53051號(hào)公報(bào)中公開了下述基板干燥方法向漂洗處理后的基板的中心部噴射非活性氣體，并且向基板的外周部供給純水，使非活性氣體的噴射位置和純水的供給位置一起沿徑向從基板的中心向外側(cè)移動(dòng)。
然而，在上述文獻(xiàn)中所公開的方法中，也不能說水印在被處理基板的外周部分充分減少。另外，由于在純水從被處理基板的中心移動(dòng)后供給非活性氣體，所以存在容易在被處理基板的中心部產(chǎn)生水印的問題。因此，尋求可以進(jìn)一步抑制水印產(chǎn)生的基板清洗方法和基板清洗裝置。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于該狀況而完成的，其目的在于提供一種可以抑制水印產(chǎn)生的基板清洗方法和基板清洗裝置、以及使該基板清洗方法在基板清洗裝置中執(zhí)行的計(jì)算機(jī)程序、和記錄該計(jì)算機(jī)程序的程序存儲(chǔ)介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明的第1方案，提供一種基板清洗方法，該基板清洗方法是對(duì)被處理基板實(shí)施清洗處理、干燥處理的基板清洗方法，上述干燥處理具有以下工序使被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，開始向上述被處理基板表面的中心供給漂洗液的工序；開始向上述被處理基板的中心附近的、從上述被處理基板的中心離開適當(dāng)長(zhǎng)度的地點(diǎn)供給非活性氣體的工序；一邊使向上述被處理基板供給漂洗液的漂洗液供給點(diǎn)朝向上述被處理基板的周緣移動(dòng)，一邊使向上述被處理基板供給非活性氣體的氣體供給點(diǎn)向上述被處理基板的中心移動(dòng)，然后在比上述漂洗液供給點(diǎn)更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)，從上述被處理基板的中心向周緣移動(dòng)的工序。
在該第1方案的基板清洗方法中，優(yōu)選實(shí)質(zhì)上同時(shí)開始非活性氣體向上述被處理基板的中心附近的從上述被處理基板的中心離開適當(dāng)長(zhǎng)度的地點(diǎn)的供給、與漂洗液向上述被處理基板表面的中心的供給。
根據(jù)本發(fā)明的第2方案，提供一種基板清洗方法，該基板清洗方法是對(duì)被處理基板實(shí)施清洗處理、干燥處理的基板清洗方法，上述干燥處理具有以下工序使被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊使漂洗液供給點(diǎn)從上述被處理基板表面的中心向周緣移動(dòng)一邊供給漂洗液的工序；以氣體供給點(diǎn)在比上述漂洗液的供給點(diǎn)更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從上述被處理基板的中心部向周緣移動(dòng)的方式、供給非活性氣體的工序；在上述漂洗液的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后停止上述漂洗液的供給的工序；和在上述非活性氣體的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后停止上述非活性氣體的供給，其后使上述被處理基板的轉(zhuǎn)速高于上述非活性氣體供給時(shí)的上述被處理基板的轉(zhuǎn)速的工序。
在上述第1和第2方案的基板清洗方法中，優(yōu)選供給非活性氣體的氣體供給點(diǎn)在外周部的移動(dòng)速度比在被處理基板的中心部的移動(dòng)速度快。另外，優(yōu)選在清洗處理與干燥處理之間設(shè)置漂洗處理，該漂洗處理一邊使被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊向上述被處理基板的表面的既定點(diǎn)供給既定時(shí)間的漂洗液，非活性氣體供給時(shí)的被處理基板的轉(zhuǎn)速比該漂洗處理時(shí)的被處理基板的轉(zhuǎn)速快。進(jìn)而，在設(shè)有這樣的漂洗處理的情況下，優(yōu)選在干燥處理時(shí)向被處理基板表面供給的漂洗液的量比該漂洗處理時(shí)少。進(jìn)而，在設(shè)有這樣的漂洗處理的情況下，優(yōu)選在干燥處理開始前，在被處理基板的表面上形成有漂洗液的膜。
另外，在上述基板清洗方法中，優(yōu)選漂洗液供給點(diǎn)從被處理基板的周緣離開后，使氣體供給點(diǎn)在被處理基板的外周部附近停止既定時(shí)間，由此使被處理基板的外周部干燥。進(jìn)而，優(yōu)選在干燥處理中、使漂洗液供給點(diǎn)和氣體供給點(diǎn)移動(dòng)的工序中，使氣體供給點(diǎn)從被處理基板的中心向周緣移動(dòng)的方向、與漂洗液供給點(diǎn)從被處理基板的中心向周緣移動(dòng)的方向錯(cuò)開，由此可以提高漂洗液供給點(diǎn)和氣體供給點(diǎn)的移動(dòng)速度的自由度。此外，本發(fā)明適用于被處理基板的表面是疏水性的情況。
根據(jù)本發(fā)明的第3方案，提供一種用于實(shí)施上述基板清洗方法的基板清洗裝置。即，提供一種基板清洗裝置，該基板清洗裝置是對(duì)被處理基板實(shí)施清洗處理、干燥處理的基板清洗裝置，具有旋轉(zhuǎn)夾盤，保持被處理基板并使其以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)；清洗處理機(jī)構(gòu)，對(duì)保持于上述旋轉(zhuǎn)夾盤的被處理基板實(shí)施既定的清洗處理；漂洗噴嘴，向保持于上述旋轉(zhuǎn)夾盤的被處理基板供給漂洗液；氣體噴嘴，向保持于上述旋轉(zhuǎn)夾盤的被處理基板供給非活性氣體；和噴嘴控制裝置，一邊使漂洗液從上述漂洗噴嘴噴出一邊使上述漂洗噴嘴從上述被處理基板的中心向周緣掃描，并且一邊使非活性氣體從上述氣體噴嘴噴出一邊使上述氣體噴嘴從上述被處理基板的中心部附近向中心掃描，然后在比上述漂洗噴嘴的位置更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)向上述被處理基板的周緣掃描。
在該基板清洗裝置中，優(yōu)選噴嘴控制裝置使氣體噴嘴在外周部的掃描速度比在被處理基板的中心部的掃描速度快。另外，優(yōu)選噴嘴控制裝置構(gòu)成為，以漂洗液噴嘴從被處理基板的中心向周緣掃描的方向與氣體噴嘴從被處理基板的中心向周緣掃描的方向錯(cuò)開的方式、使漂洗噴嘴和氣體噴嘴進(jìn)行掃描，由此可以避免漂洗噴嘴和氣體噴嘴的碰撞并且增加各自的速度控制的自由度。
根據(jù)本發(fā)明，為了執(zhí)行上述清洗處理方法，提供一種用于上述清洗處理裝置的控制的計(jì)算機(jī)程序。即，根據(jù)本發(fā)明的第4方案，提供一種計(jì)算機(jī)程序，包括如下軟件在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行，在執(zhí)行時(shí)如下控制基板清洗裝置(a)使實(shí)施清洗處理后的被處理基板旋轉(zhuǎn)，開始向其表面的中心供給漂洗液；(b)開始向上述被處理基板的中心附近的、從上述被處理基板的中心離開適當(dāng)長(zhǎng)度的地點(diǎn)供給非活性氣體；(c)一邊使向上述被處理基板供給漂洗液的漂洗液供給點(diǎn)朝向上述被處理基板的周緣移動(dòng)，一邊使向上述被處理基板供給非活性氣體的氣體供給點(diǎn)向上述被處理基板的中心移動(dòng)，然后在比上述漂洗液供給點(diǎn)的位置更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從上述被處理基板的中心向周緣移動(dòng)，執(zhí)行使上述被處理基板干燥的處理，從而清洗上述被處理基板。
根據(jù)本發(fā)明的第5方案，提供一種計(jì)算機(jī)程序，包括如下軟件在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行，在執(zhí)行時(shí)如下控制基板清洗裝置(a)使實(shí)施清洗處理后的被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊使漂洗液供給點(diǎn)從上述被處理基板表面的中心向周緣移動(dòng)一邊供給漂洗液；(b)以氣體供給點(diǎn)在比上述漂洗液的供給點(diǎn)更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從上述被處理基板的中心部向周緣移動(dòng)的方式、供給非活性氣體；(c)在上述漂洗液的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后停止上述漂洗液的供給；(d)在上述非活性氣體的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后停止上述非活性氣體的供給，其后使上述被處理基板的轉(zhuǎn)速高于上述非活性氣體供給時(shí)的上述被處理基板的轉(zhuǎn)速，執(zhí)行使上述被處理基板干燥的處理，從而以清洗上述被處理基板。
進(jìn)而，本發(fā)明提供一種記錄上述第4和第5方案的各計(jì)算機(jī)程序的計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)。即，根據(jù)本發(fā)明的第6方案，提供一種存儲(chǔ)有使控制程序在計(jì)算機(jī)上執(zhí)行的軟件的計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，上述控制程序在執(zhí)行時(shí)，(a)使實(shí)施清洗處理后的被處理基板旋轉(zhuǎn)，開始向其表面的中心供給漂洗液；(b)開始向上述被處理基板的中心附近的、從上述被處理基板的中心離開適當(dāng)長(zhǎng)度的地點(diǎn)供給非活性氣體；(c)一邊使向上述被處理基板供給漂洗液的漂洗液供給點(diǎn)朝向上述被處理基板的周緣移動(dòng)，一邊使向上述被處理基板供給非活性氣體的氣體供給點(diǎn)向上述被處理基板的中心移動(dòng)，然后在比上述漂洗液供給點(diǎn)的位置更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從上述被處理基板的中心向周緣移動(dòng)，執(zhí)行使上述被處理基板干燥的處理，從而清洗上述被處理基板。
根據(jù)本發(fā)明的第7方案，提供一種存儲(chǔ)有使控制程序在計(jì)算機(jī)上執(zhí)行的軟件的計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，上述控制程序在執(zhí)行時(shí)，(a)使實(shí)施清洗處理后的被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊使漂洗液供給點(diǎn)從上述被處理基板表面的中心向周緣移動(dòng)一邊供給漂洗液；(b)以氣體供給點(diǎn)在比上述漂洗液的供給點(diǎn)更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從上述被處理基板的中心部向周緣移動(dòng)的方式供給非活性氣體；(c)在上述漂洗液的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后停止上述漂洗液的供給；(d)在上述非活性氣體的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后停止上述非活性氣體的供給，其后使上述被處理基板的轉(zhuǎn)速高于上述非活性氣體供給時(shí)的上述被處理基板的轉(zhuǎn)速，執(zhí)行使上述被處理基板干燥的處理，從而清洗上述被處理基板。
根據(jù)本發(fā)明，由于在進(jìn)行干燥處理時(shí)，向沒有漂洗液的膜的部分實(shí)時(shí)供給非活性氣體，所以抑制基板表面的氧化，從而抑制水印的產(chǎn)生。此外，根據(jù)本發(fā)明，也獲得可以縮短一片被處理基板的清洗處理所需的時(shí)間的效果。


圖1是表示清洗處理裝置的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
圖2是圖1中所示的清洗處理裝置的Z-X剖視圖。
圖3是圖1中所示的清洗處理裝置的Y-Z剖視圖。
圖4是表示清洗處理裝置中的晶片W的處理工序的流程圖。
圖5A是表示晶片W的處理工序的示意圖。
圖5B是表示晶片W的處理工序的示意圖。
圖5C是表示晶片W的處理工序的示意圖。
圖5D是表示晶片W的處理工序的示意圖。
圖5E是表示晶片W的處理工序的示意圖。
圖5F是表示晶片W的處理工序的示意圖。
圖5G是表示晶片W的處理工序的示意圖。
圖5H是表示晶片W的處理工序的示意圖。
圖6A是表示根據(jù)比較例1的清洗方法得到的晶片的水印觀察結(jié)果的圖。
圖6B是表示根據(jù)比較例2的清洗方法得到的晶片的水印觀察結(jié)果的圖。
圖6C是表示根據(jù)實(shí)施例的清洗方法得到的晶片的水印觀察結(jié)果的圖。
圖7A是表示晶片W的其它處理工序的示意圖。
圖7B是表示晶片W的其它處理工序的示意圖。
圖7C是表示晶片W的其它處理工序的示意圖。
圖7D是表示晶片W的其它處理工序的示意圖。
圖7E是表示晶片W的其它處理工序的示意圖。
圖7F是表示晶片W的其它處理工序的示意圖。
圖7G是表示晶片W的其它處理工序的示意圖。
圖7H是表示晶片W的其它處理工序的示意圖。
圖7I是表示晶片W的其它處理工序的示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照附圖以進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的清洗處理的清洗處理裝置為例，詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是表示清洗處理裝置10的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖2是表示清洗處理裝置10的Z-X剖視圖，圖3是表示的清洗處理裝置10的Y-Z剖視圖。
清洗處理裝置10是各部件配設(shè)在殼體90內(nèi)的構(gòu)成。在該殼體90的一個(gè)側(cè)面形成有窗91，該窗91借助門92開閉自如。通過該窗91進(jìn)行晶片W的運(yùn)入運(yùn)出。殼體90的內(nèi)部被隔壁93隔成2個(gè)室，如以后詳細(xì)說明的那樣，一個(gè)室是進(jìn)行清洗液或純水等的液處理室，另一個(gè)室是機(jī)構(gòu)配設(shè)室，用于配設(shè)用于使清洗處理用的各種噴嘴等移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。
清洗處理裝置10在殼體90內(nèi)具備旋轉(zhuǎn)夾盤11，以大致水平姿勢(shì)保持晶片W；杯體12，圍繞保持于旋轉(zhuǎn)夾盤11的晶片W的周圍；2個(gè)側(cè)漂洗噴嘴13·14，為了向晶片W的表面供給漂洗液(純水(DIW))而固定于杯體12的外側(cè)的既定位置；清洗液噴嘴15，向晶片W的表面供給清洗液；純水噴嘴17，向晶片W的表面供給純水(DIW)；和氣體噴嘴16，向晶片W的表面供給例如氮?dú)獾姆腔钚詺怏w。
旋轉(zhuǎn)夾盤11具備夾盤板71；支承夾盤板71的樞軸72；使樞軸72旋轉(zhuǎn)的馬達(dá)73；進(jìn)行載置于夾盤板71的晶片W的保持/解除的裝卸機(jī)構(gòu)74。在夾盤板71的表面配設(shè)有多個(gè)未圖示的支承銷，這些支承銷支承晶片W。
裝卸機(jī)構(gòu)74具有保持部件75，設(shè)在夾盤板71的周緣的三處；板部件76，設(shè)在夾盤板71的下方；升降機(jī)構(gòu)77，使板部件76升降；和抵接件78，與保持部件75的配設(shè)位置對(duì)應(yīng)地設(shè)在板部件76上。在圖2的左側(cè)表示保持部件75保持有晶片W的狀態(tài)，在圖2的右側(cè)表示保持部件75未保持晶片W的狀態(tài)。
該裝卸機(jī)構(gòu)74利用杠桿原理使保持部件75運(yùn)動(dòng)，由此切換晶片W的保持狀態(tài)和解除狀態(tài)。即，當(dāng)使升降機(jī)構(gòu)77上升時(shí)，配設(shè)在三處的抵接件78分別向夾盤板71的背面按壓把持部件75的內(nèi)周端，由此使保持部件75的外周端部向外側(cè)下方運(yùn)動(dòng)從而解除晶片W的保持狀態(tài)。相反地，當(dāng)使升降機(jī)構(gòu)77下降從而使抵接件78從保持部件75離開時(shí)，保持部件75的外周端部向內(nèi)側(cè)上方運(yùn)動(dòng)從而抵接于晶片W的緣部，由此向晶片W施加從外周朝向中心的力，從而將晶片W保持于保持部件75。
杯體12通過升降機(jī)構(gòu)85升降自如。在圖2中同時(shí)表示下層位置(實(shí)線)和上層位置(虛線)，在圖3中只表示上層位置。在運(yùn)入運(yùn)出晶片W時(shí)，杯體12保持在下層位置，在清洗處理過程中保持在上層位置。在杯體12上分上下兩段形成有從內(nèi)周上側(cè)向外周下側(cè)傾斜的錐部86·87。在杯體12的底部設(shè)有排氣管道89。
側(cè)漂洗噴嘴13朝向晶片W的大致中心噴出純水，側(cè)漂洗噴嘴14朝向比晶片W的中心位于外側(cè)的點(diǎn)噴出純水。由此可以以較少的純水量在整個(gè)晶片W上形成均勻的液膜。此外，側(cè)漂洗噴嘴13·14優(yōu)選配置為從各側(cè)漂洗噴嘴13·14大致平行地噴出清洗液，由此可以容易地形成均勻的液膜。
從氮?dú)夤┙o源和純水供給源分別向清洗液噴嘴15供給氮?dú)夂图兯?，氮?dú)夂图兯谇逑匆簢娮?5的內(nèi)部混合，并將這樣生成的在純水中混入氮?dú)獾那逑匆?以下稱為“2流體清洗液”)向晶片W的表面吹出。當(dāng)然清洗液不限于此，也可以是噴出各種藥液的構(gòu)成。此外，清洗液噴嘴15是如果停止供給氮?dú)鈩t可以只噴出純水的噴嘴，相反地，如果停止供給純水，則清洗液噴嘴15可以只噴射氮?dú)狻?br> 清洗液噴嘴15保持于第1噴嘴臂51，該第1噴嘴臂51借助第1臂升降機(jī)構(gòu)56升降自如。另外，引導(dǎo)部54在機(jī)構(gòu)配設(shè)室內(nèi)沿X方向延伸設(shè)置，第1臂升降機(jī)構(gòu)56安裝在移動(dòng)自如地嵌合于引導(dǎo)部54的滑動(dòng)部61上，該滑動(dòng)部61的X方向的位置控制通過第1噴嘴滑動(dòng)機(jī)構(gòu)66進(jìn)行。例如，作為第1噴嘴滑動(dòng)機(jī)構(gòu)66，使用電磁式線性馬達(dá)或滾珠絲杠機(jī)構(gòu)等。根據(jù)這樣的構(gòu)成，可以使清洗液噴嘴15在晶片W上沿X方向掃描，另外使其越過杯體12的上端而向杯體12外退避。
氣體噴嘴16向晶片W的表面供給氮?dú)?，保持于?噴嘴臂52，該第2噴嘴臂52借助第2臂升降機(jī)構(gòu)57升降自如。另外，引導(dǎo)部54在機(jī)構(gòu)配設(shè)室內(nèi)沿X方向延伸設(shè)置，第2臂升降機(jī)構(gòu)57安裝在移動(dòng)自如地嵌合于引導(dǎo)部54的滑動(dòng)部62上，該滑動(dòng)部62的X方向的位置控制通過第2噴嘴滑動(dòng)機(jī)構(gòu)67進(jìn)行。作為第2噴嘴滑動(dòng)機(jī)構(gòu)67，適合使用具有與第1噴嘴滑動(dòng)機(jī)構(gòu)66相同的驅(qū)動(dòng)方式的機(jī)構(gòu)。根據(jù)這樣的構(gòu)成，可以使氣體噴嘴16也在晶片W上沿X方向掃描，另外使其越過杯體12的上端而向杯體12外退避。
純水噴嘴17向晶片W的表面供給純水，保持于第3噴嘴臂53，該第3噴嘴臂53借助第3臂升降機(jī)構(gòu)58升降自如。另外，第3臂升降機(jī)構(gòu)58安裝在移動(dòng)自如地嵌合于引導(dǎo)部54的滑動(dòng)部63上，該滑動(dòng)部63的X方向的位置控制通過第3噴嘴滑動(dòng)機(jī)構(gòu)68進(jìn)行。作為第3噴嘴滑動(dòng)機(jī)構(gòu)68，適合使用具有與第1噴嘴滑動(dòng)機(jī)構(gòu)66相同的驅(qū)動(dòng)方式的機(jī)構(gòu)。根據(jù)這樣的構(gòu)成，可以使純水噴嘴17也在晶片W上沿X方向掃描，另外使其越過杯體12的上端而向杯體12外退避。
設(shè)在這樣構(gòu)成的清洗處理裝置10上的各種機(jī)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)控制、和對(duì)流體從氮?dú)夂图兯墓┙o源向各種噴嘴的供給進(jìn)行控制的閥的控制，通過控制部95進(jìn)行。即，清洗處理裝置10的各構(gòu)成部是與控制部(處理控制器)95連接從而被控制的構(gòu)成。另外，在控制部95上連接有鍵盤和用戶界面96，工程管理者為了管理清洗處理裝置10而利用該鍵盤進(jìn)行命令的輸入操作等，該用戶界面96由使清洗處理裝置10的運(yùn)轉(zhuǎn)狀況可視化并進(jìn)行顯示的顯示器等構(gòu)成。
另外，在控制部95上連接著存儲(chǔ)有用于由控制部95的控制來實(shí)現(xiàn)在清洗處理裝置10中執(zhí)行的各種處理的控制程序、和用于在清洗處理裝置10的各構(gòu)成部根據(jù)處理?xiàng)l件執(zhí)行處理的程序(即方法)的存儲(chǔ)部97。方法可以存儲(chǔ)在硬盤或半導(dǎo)體存儲(chǔ)器等中，在存儲(chǔ)在CD-ROM、DVD-ROM等計(jì)算機(jī)可讀取的移動(dòng)性存儲(chǔ)介質(zhì)的狀態(tài)下，設(shè)置在存儲(chǔ)部97的既定位置。
另外，根據(jù)需要，由來自用戶界面96的指示等從存儲(chǔ)部97調(diào)出任意的方法，然后在控制部95中執(zhí)行，由此在控制部95的控制下，在清洗處理裝置10中進(jìn)行所希望的處理。
下面參照?qǐng)D4中所示的流程圖和圖5A～5H中所示的晶片W的處理工序的示意圖，對(duì)如上所述構(gòu)成的清洗處理裝置10中的晶片W的處理工序進(jìn)行說明。此外，側(cè)漂洗噴嘴13·14只在圖5C、圖5D中表示，在圖5C中省略氣體噴嘴16和純水噴嘴17。
首先將杯體12配置在下層位置，利用升降機(jī)構(gòu)77使板部件76升降從而向保持部件75按壓抵接件78，使保持部件75的外周端部成為向外側(cè)下方移動(dòng)的狀態(tài)。另外，打開門92從而打開窗91。使保持有晶片W的未圖示的晶片運(yùn)送臂通過窗91進(jìn)入殼體90內(nèi)，從而將晶片W交接至夾盤板71。在使晶片運(yùn)送臂從殼體90退出后，使板部件76下降從而使抵接件78從保持部件75離開，由此將晶片W保持在保持部件75上(步驟1)。然后使杯體12向上層位置移動(dòng)。
如圖5A所示，令清洗液噴嘴15的待避位置側(cè)(參照?qǐng)D1)的晶片W的一端為S點(diǎn)，令氣體噴嘴16和純水噴嘴17的待避位置側(cè)的晶片W的一端為T點(diǎn)。使清洗液噴嘴15從杯體12外的待避位置移動(dòng)至保持于旋轉(zhuǎn)夾盤11的晶片W上的既定的高度位置(步驟2)。然后，如圖5B所示，使晶片W以既定的速度旋轉(zhuǎn)，使清洗液噴嘴15沿X方向在晶片W的一端(S點(diǎn))和另一端(T點(diǎn))之間，或者在中心(O點(diǎn))和一端(S點(diǎn))之間以既定的速度掃描，同時(shí)從清洗液噴嘴15向晶片W的表面吹出既定時(shí)間的流體清洗液，由此來清洗晶片W的表面(步驟3)。
然后，如圖5C所示，停止從清洗液噴嘴15噴出2流體清洗液(這時(shí)，優(yōu)選清洗液噴嘴位于S點(diǎn)側(cè))，使清洗液噴嘴15向杯體12外的待避位置移動(dòng)。另外，使晶片W的轉(zhuǎn)速低于清洗處理時(shí)(清洗液噴嘴15進(jìn)行的處理時(shí))的轉(zhuǎn)速，從側(cè)漂洗噴嘴13·14向晶片W的表面供給漂洗液，從而對(duì)晶片W的表面進(jìn)行漂洗處理(步驟4)。在該漂洗處理中，優(yōu)選地，設(shè)定晶片W的轉(zhuǎn)速，以使在經(jīng)過既定時(shí)間后停止從側(cè)漂洗噴嘴13·14供給純水時(shí)，在晶片W的整個(gè)表面殘留液膜。
如圖5D所示，在該漂洗處理之間，使氣體噴嘴16向晶片W的中心部的離開中心(O點(diǎn))適當(dāng)長(zhǎng)度的地點(diǎn)(例如從晶片W的中心O點(diǎn)向S點(diǎn)側(cè)離開10～50mm的P點(diǎn))上方的既定高度位置移動(dòng)，并且使純水噴嘴17向晶片W的中心(O點(diǎn))上方的既定高度位置移動(dòng)(步驟5)。
將該P(yáng)點(diǎn)設(shè)定為從氣體噴嘴16噴射的氮?dú)獠粸R到從純水噴嘴17噴出的純水的地點(diǎn)。設(shè)定該P(yáng)點(diǎn)的位置也是設(shè)定氣體噴嘴16和純水噴嘴17之間的距離。如后邊說明的那樣，對(duì)氣體噴嘴16和純水噴嘴17之間的距離進(jìn)行設(shè)定，使在一邊從純水噴嘴17噴出純水，一邊使純水噴嘴17從晶片W的中心朝向周緣掃描時(shí)，向晶片W上的純水被離心力甩開而開始干燥的部分供給氮?dú)狻?br> 接下來停止從側(cè)漂洗噴嘴13·14向晶片W的表面供給純水，然后進(jìn)行晶片W的干燥處理。在該干燥處理中，首先如圖5E所示，優(yōu)選使晶片W的轉(zhuǎn)速與漂洗處理時(shí)相等或者比漂洗處理時(shí)大(不過優(yōu)選比清洗處理時(shí)慢)，并開始從純水噴嘴17噴出純水，實(shí)質(zhì)上與此同時(shí)開始從氣體噴嘴16噴射氮?dú)?步驟6)。在此，由于只要在比純水噴嘴17靠外側(cè)的位置形成液膜即可，所以優(yōu)選從純水噴嘴17的純水噴出量比從側(cè)漂洗噴嘴13·14噴出的純水噴出量少。
然后如圖5F所示，一邊從純水噴嘴17噴出純水，一邊使純水噴嘴17以既定速度朝向純水噴嘴17的待避位置側(cè)的T點(diǎn)掃描。與此同時(shí)，一邊從氣體噴嘴16噴射氮?dú)?，一邊使氣體噴嘴16以追趕純水噴嘴17的方式通過晶片W的中心(O點(diǎn))朝向T點(diǎn)掃描(步驟7)。換言之，該步驟7是一邊使向晶片W供給純水的純水供給點(diǎn)朝向晶片W的周緣移動(dòng)，一邊使向晶片W供給氮?dú)獾臍怏w供給點(diǎn)在向晶片W的中心(O點(diǎn))移動(dòng)后，在比純水供給點(diǎn)靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從晶片W的中心(O點(diǎn))朝向周緣移動(dòng)的步驟。
當(dāng)純水噴嘴17開始從晶片W的中心朝向周緣掃描時(shí)，因?yàn)殡x心力的作用使液膜逐漸從不再供給純水的晶片W的中心消失，由此晶片W開始干燥。在此，由于在晶片W的中心部，作用于液膜的離心力較弱，所以干燥速度較慢。然而，由于向晶片W的中心附近供給氮?dú)?，所以最開始時(shí)開始干燥的晶片W的中心部難以暴露在空氣中。這樣抑制因晶片W的表面氧化而產(chǎn)生水印。另外，在步驟7中，由于使氣體噴嘴16掃描，以便向由于純水噴嘴17的掃描而開始干燥的部分供給氮?dú)?，所以可以在整個(gè)晶片W上抑制水印的產(chǎn)生。
向晶片W供給的純水由于離心力的作用而從晶片W甩開的速度(純水在晶片W上移動(dòng)的速度)，在晶片W的外周部比中心部快。因此，為了不與純水噴嘴17碰撞，優(yōu)選使氣體噴嘴16在晶片W的外周部的掃描速度比中心部的掃描速度快。由此晶片W表面的開始干燥的部分迅速地暴露于氮?dú)?，所以可以抑制水印產(chǎn)生。
這樣純水噴嘴17從晶片W的周緣離開，然后停止從純水噴嘴17噴出純水(步驟8)。另一方面，如圖5G所示，當(dāng)氣體噴嘴16到達(dá)晶片W的周緣附近后，優(yōu)選氣體噴嘴16在該位置停止既定時(shí)間例如數(shù)秒，使晶片W的外周部干燥(步驟9)。由此，可以使氮?dú)膺M(jìn)行的對(duì)晶片W的外周部的干燥相比離心力進(jìn)行的液滴的甩干來說處于支配地位，可以抑制在晶片W的周緣部附近產(chǎn)生水印。
接下來，如圖5H所示，在氣體噴嘴16從晶片W的周緣離開后，停止從氣體噴嘴16噴射氮?dú)?，使晶片W以高于非活性氣體供給時(shí)的速度進(jìn)行既定時(shí)間的旋轉(zhuǎn)，從而進(jìn)行最后的旋回干燥(步驟10)。然后使晶片W停止旋轉(zhuǎn)(步驟11)。由此完成對(duì)晶片W的一連串的清洗、漂洗和干燥。
根據(jù)如上所述的晶片W的清洗方法，如后邊的實(shí)施例所示，與現(xiàn)有的清洗方法相比可以縮短合計(jì)的處理時(shí)間。另外，也獲得可以提高清洗處理裝置10的生產(chǎn)量的效果。
該旋回干燥結(jié)束后，使純水噴嘴17和氣體噴嘴16向杯體12外待避。然后，以與先前將晶片W運(yùn)入殼體90從而支承于夾盤板71的順序相反的順序，將晶片W從殼體90運(yùn)出(步驟12)。
在這樣的清洗方法中使用的干燥方法特別適合用于純水主要由于離心力的作用而甩到外側(cè)由此來進(jìn)行晶片W的干燥的情況，即晶片W的表面是疏水性的情況。作為其具體例子，可以舉出晶片W是裸晶片的情況。另外，也可以應(yīng)用于在晶片W的表面構(gòu)成有各種膜或電路，具有疏水性的部分和親水性的部分的晶片W。
接下來說明利用2流體清洗液對(duì)裸晶片(bare wafer)進(jìn)行處理后的情況的實(shí)施例和比較例。在表1、表2和表3中表示各種清洗處理的方法。在表1中所示的方法表示的是現(xiàn)有廣泛已知的清洗方法(比較例1)，即，在步驟1、2、3、4、5中分別表示晶片的旋轉(zhuǎn)開始、由從清洗液噴嘴15噴出2流體清洗液而進(jìn)行的清洗處理、通過從側(cè)漂洗噴嘴13·14向晶片供給純水而進(jìn)行的漂洗處理、高速旋轉(zhuǎn)進(jìn)行的旋回干燥、和晶片的旋轉(zhuǎn)停止。
在表2中表示的方法是這樣的清洗方法(比較例2)即，在步驟1、2、3、4、5、6中分別表示晶片的旋轉(zhuǎn)開始、由從清洗液噴嘴15噴出2流體清洗液而進(jìn)行的清洗處理、通過減少晶片的轉(zhuǎn)速，并從側(cè)漂洗噴嘴13·14噴出純水而進(jìn)行的漂洗處理、中速旋轉(zhuǎn)進(jìn)行的旋回干燥、高速旋轉(zhuǎn)進(jìn)行的旋回干燥、和晶片的旋轉(zhuǎn)停止。
在表3中表示的方法是本發(fā)明的這樣的清洗方法(實(shí)施例)即，在步驟1、2、3、4、5、6中分別表示晶片的旋轉(zhuǎn)開始；由從清洗液噴嘴15噴出2流體清洗液而進(jìn)行的清洗處理；通過減少晶片的轉(zhuǎn)速，并從側(cè)漂洗噴嘴13·14向晶片供給純水而進(jìn)行的漂洗處理；使晶片中速旋轉(zhuǎn)，由純水噴嘴17和氣體噴嘴16供給純水和氮?dú)?，與此同時(shí)進(jìn)行的旋回干燥；使晶片以高于氮?dú)夤┙o時(shí)的轉(zhuǎn)速的高速旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行的旋回干燥；和晶片的旋轉(zhuǎn)停止。
在圖6A～6C中表示根據(jù)這些清洗方法的晶片的水印的觀察結(jié)果。如圖6A所示，在比較例1的清洗方法中，確認(rèn)在晶片整體產(chǎn)生了水印(圖6A～6C的各圖中的黑點(diǎn)部分)。另外，如圖6B所示，在比較例2的清洗方法中，特別在晶片的周緣部確認(rèn)大量水印的產(chǎn)生。然而，如圖6C所示，根據(jù)實(shí)施例的清洗方法，幾乎觀察不到水印，確認(rèn)可以獲得良好的清洗面。在實(shí)施例中，在步驟4中晶片W的旋轉(zhuǎn)加速度下降。通過這樣緩慢加速來減緩純水的甩開，從而可以有效地向開始干燥的部分供給氮?dú)?。這也有助于防止在實(shí)施例中產(chǎn)生水印。
另外，從表1～表3中可知，處理時(shí)間在比較例1、比較例2和實(shí)施例中分別是44秒、46秒和39秒。這樣，確認(rèn)通過使用本發(fā)明的清洗處理方法，也獲得可以提高清洗處理裝置10的生產(chǎn)量的效果。




以上說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本發(fā)明并不限定于這樣的方式。例如，在上述說明中，氣體噴嘴16和純水噴嘴17是可分別獨(dú)立驅(qū)動(dòng)的構(gòu)成，但是也可以是以下構(gòu)成在第2噴嘴臂52的前端以間隔適當(dāng)長(zhǎng)度(例如以上所述的10～50mm)沿X方向并列的方式安裝氣體噴嘴16和純水噴嘴17，由此使氣體噴嘴16和純水噴嘴17一體掃描。由此不需要第3噴嘴臂53和與其相關(guān)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，所以可以簡(jiǎn)化清洗處理裝置的結(jié)構(gòu)。
進(jìn)而，在清洗液噴嘴15中，如果不向清洗液噴嘴15供給氮?dú)?，則只可以噴出純水，所以也可以使用清洗液噴嘴15來代替純水噴嘴17。在該情況下，也可以不設(shè)置純水噴嘴17。另外，在該情況下，也可以進(jìn)一步在保持清洗液噴嘴15的第1噴嘴臂51上以一定間隔沿X方向并列安裝清洗液噴嘴15和氣體噴嘴16。由此可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化清洗處理裝置的結(jié)構(gòu)。
進(jìn)而，在上述說明中，使清洗液噴嘴15、氣體噴嘴16和純水噴嘴17沿X方向直線掃描，但是這些噴嘴也可以是通過晶片W的中心在晶片W上圓弧狀轉(zhuǎn)動(dòng)自如的構(gòu)成。
在上述說明中，使氣體噴嘴16以追趕純水噴嘴17的方式掃描，但是氣體噴嘴16的掃描方法不限于此。在圖7A～圖7I中示意表示氣體噴嘴16的其他掃描方法的說明圖。由于圖7A～圖7I中的純水噴嘴17的動(dòng)作與在圖5A～圖5H中說明的動(dòng)作相同，所以在此省略對(duì)純水噴嘴17的動(dòng)作的說明。另外，由于圖7A～圖7E分別與圖5A～圖5E相同，所以在此省略關(guān)于在這些圖7A～圖7E中的氣體噴嘴16的動(dòng)作的說明。即，這里的掃描方法的特征在于圖7F～圖7I中的氣體噴嘴16的動(dòng)作。
在從圖7E的狀態(tài)向圖7F的狀態(tài)轉(zhuǎn)移時(shí)，一邊從氣體噴嘴16噴出氮?dú)庖贿吺箽怏w噴嘴從P點(diǎn)向O點(diǎn)掃描，然后如圖7G所示，氣體噴嘴16從O點(diǎn)向P點(diǎn)返回，進(jìn)而通過P點(diǎn)并向清洗液噴嘴15的待避位置側(cè)的晶片W的周緣的S點(diǎn)側(cè)掃描。這時(shí)，氣體噴嘴16位于比純水噴嘴17靠近晶片W的徑向內(nèi)側(cè)的位置。然后，如圖7H所示，使氣體噴嘴16在晶片W的周緣部停止既定時(shí)間從而使晶片W的外周緣干燥，然后如圖7I所示，使氣體噴嘴16向既定的待避位置移動(dòng)。
根據(jù)這樣的方法，可以抑制在晶片W上產(chǎn)生水印。另外，通過使純水噴嘴17從晶片W的中心向周緣掃描的方向、與氣體噴嘴16從晶片W的中心向周緣掃描的方向錯(cuò)開(圖7F～圖7I相當(dāng)于反向的情況)，可以避免純水噴嘴17與氣體噴嘴16發(fā)生碰撞，同時(shí)可以增加各自的速度控制的自由度，所以即使考慮在停止從氣體噴嘴16噴射氮?dú)夂笮枰箽怏w噴嘴16從S點(diǎn)向T點(diǎn)側(cè)返回，也可以提高清洗處理整體的生產(chǎn)量。
以上說明的實(shí)施方式只是清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)性內(nèi)容，并不將本發(fā)明只限定解釋為這樣的具體例子，可以在本發(fā)明的精神和權(quán)利要求書所述的范圍內(nèi)實(shí)施各種變更。
工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明適用于半導(dǎo)體晶片的清洗處理，特別適用于具備疏水性面的裸晶片的清洗處理。
權(quán)利要求
1.一種基板清洗方法，是對(duì)被處理基板實(shí)施清洗處理、干燥處理的基板清洗方法，上述干燥處理具有以下工序使被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，開始向上述被處理基板表面的中心供給漂洗液的工序；開始向上述被處理基板的中心附近的、從上述被處理基板的中心離開適當(dāng)長(zhǎng)度的地點(diǎn)供給非活性氣體的工序；一邊使向上述被處理基板供給漂洗液的漂洗液供給點(diǎn)朝向上述被處理基板的周緣移動(dòng)，一邊使向上述被處理基板供給非活性氣體的氣體供給點(diǎn)向上述被處理基板的中心移動(dòng)，然后在比上述漂洗液供給點(diǎn)的位置更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從上述被處理基板的中心向周緣移動(dòng)的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，實(shí)質(zhì)上同時(shí)開始非活性氣體向上述被處理基板的中心附近的從上述被處理基板的中心離開適當(dāng)長(zhǎng)度的地點(diǎn)的供給、與漂洗液向上述被處理基板表面的中心的供給。
3.如權(quán)利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，使上述氣體供給點(diǎn)在外周部的移動(dòng)速度比在上述被處理基板中心部的移動(dòng)速度快。
4.如權(quán)利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，在上述清洗處理與上述干燥處理之間設(shè)置漂洗處理，該漂洗處理一邊使上述被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊向上述被處理基板的表面的既定點(diǎn)供給既定時(shí)間的漂洗液，上述非活性氣體供給時(shí)的上述被處理基板的轉(zhuǎn)速比上述漂洗處理時(shí)的上述被處理基板的轉(zhuǎn)速快。
5.如權(quán)利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，在上述清洗處理與上述干燥處理之間設(shè)置漂洗處理，該漂洗處理一邊使上述被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊向上述被處理基板的表面的既定點(diǎn)供給既定時(shí)間的漂洗液，在上述干燥處理時(shí)向上述被處理基板表面供給的漂洗液的量比上述漂洗處理時(shí)少。
6.如權(quán)利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，在上述清洗處理與上述干燥處理之間設(shè)置漂洗處理，該漂洗處理一邊使上述被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊向上述被處理基板的表面的既定點(diǎn)供給既定時(shí)間的漂洗液，在上述干燥處理開始前是在上述被處理基板的表面上形成有漂洗液的膜的狀態(tài)。
7.如權(quán)利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，上述漂洗液供給點(diǎn)從上述被處理基板的周緣離開后，使上述氣體供給點(diǎn)在上述被處理基板的外周部附近停止既定時(shí)間，由此使上述被處理基板的外周部干燥。
8.如權(quán)利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，在上述干燥處理中、在使漂洗液供給點(diǎn)和氣體供給點(diǎn)移動(dòng)的工序中，使上述氣體供給點(diǎn)從上述被處理基板的中心向周緣移動(dòng)的方向、與上述漂洗液供給點(diǎn)從上述被處理基板的中心向周緣移動(dòng)的方向錯(cuò)開。
9.如權(quán)利要求1所述的基板清洗方法，其特征在于，上述被處理基板的表面為疏水性。
10.一種基板清洗方法，是對(duì)被處理基板實(shí)施清洗處理、干燥處理的基板清洗方法，上述干燥處理具有以下工序使被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊使漂洗液供給點(diǎn)從上述被處理基板表面的中心向周緣移動(dòng)一邊供給漂洗液的工序；以氣體供給點(diǎn)在比上述漂洗液的供給點(diǎn)更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從上述被處理基板的中心部向周緣移動(dòng)的方式、供給非活性氣體的工序；在上述漂洗液的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后，停止上述漂洗液的供給的工序；和在上述非活性氣體的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后停止上述非活性氣體的供給，其后使上述被處理基板的轉(zhuǎn)速高于上述非活性氣體供給時(shí)的上述被處理基板的轉(zhuǎn)速的工序。
11.如權(quán)利要求10所述的基板清洗方法，其特征在于，使上述氣體供給點(diǎn)在外周部的移動(dòng)速度比在上述被處理基板中心部的移動(dòng)速度快。
12.如權(quán)利要求10所述的基板清洗方法，其特征在于，在上述清洗處理與上述干燥處理之間設(shè)置漂洗處理，該漂洗處理一邊使上述被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊向上述被處理基板的表面的既定點(diǎn)供給既定時(shí)間的漂洗液，上述非活性氣體供給時(shí)的上述被處理基板的轉(zhuǎn)速比上述漂洗處理時(shí)的上述被處理基板的轉(zhuǎn)速快。
13.如權(quán)利要求10所述的基板清洗方法，其特征在于，在上述清洗處理與上述干燥處理之間設(shè)置漂洗處理，該漂洗處理一邊使上述被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊向上述被處理基板的表面的既定點(diǎn)供給既定時(shí)間的漂洗液，在上述干燥處理時(shí)向上述被處理基板表面供給的漂洗液的量比上述漂洗處理時(shí)的量少。
14.如權(quán)利要求10所述的基板清洗方法，其特征在于，在上述清洗處理與上述干燥處理之間設(shè)置漂洗處理，該漂洗處理一邊使上述被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊向上述被處理基板的表面的既定點(diǎn)供給既定時(shí)間的漂洗液，在上述干燥處理開始前是在上述被處理基板的表面上形成有漂洗液的膜的狀態(tài)。
15.如權(quán)利要求10所述的基板清洗方法，其特征在于，上述漂洗液供給點(diǎn)從上述被處理基板的周緣離開后，使上述氣體供給點(diǎn)在上述被處理基板的外周部附近停止既定時(shí)間，由此使上述被處理基板的外周部干燥。
16.如權(quán)利要求10所述的基板清洗方法，其特征在于，在上述干燥處理中、在使漂洗液供給點(diǎn)和氣體供給點(diǎn)移動(dòng)的工序中，使上述氣體供給點(diǎn)從上述被處理基板的中心向周緣移動(dòng)的方向、與上述漂洗液供給點(diǎn)從上述被處理基板的中心向周緣移動(dòng)的方向錯(cuò)開。
17.如權(quán)利要求10所述的基板清洗方法，其特征在于，上述被處理基板的表面為疏水性。
18.一種基板清洗裝置，是對(duì)被處理基板實(shí)施清洗處理、干燥處理的基板清洗裝置，具有旋轉(zhuǎn)夾盤，保持被處理基板并使其以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)；清洗處理機(jī)構(gòu)，對(duì)保持于上述旋轉(zhuǎn)夾盤的被處理基板實(shí)施既定的清洗處理；漂洗噴嘴，向保持于上述旋轉(zhuǎn)夾盤的被處理基板供給漂洗液；氣體噴嘴，向保持于上述旋轉(zhuǎn)夾盤的被處理基板供給非活性氣體；和噴嘴控制裝置，一邊使漂洗液從上述漂洗噴嘴噴出一邊使上述漂洗噴嘴從上述被處理基板的中心向周緣掃描，并且一邊使非活性氣體從上述氣體噴嘴噴出一邊使上述氣體噴嘴從上述被處理基板的中心部附近向中心掃描，然后在比上述漂洗噴嘴的位置更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)向上述被處理基板的周緣掃描。
19.如權(quán)利要求18所述的基板清洗裝置，其特征在于，上述噴嘴控制裝置使上述氣體噴嘴在外周部的掃描速度比在上述被處理基板的中心部的掃描速度快。
20.如權(quán)利要求18所述的基板清洗裝置，其特征在于，上述噴嘴控制裝置，以上述漂洗液噴嘴從上述被處理基板的中心向周緣掃描的方向、與上述氣體噴嘴從上述被處理基板的中心向周緣掃描的方向錯(cuò)開的方式使上述漂洗噴嘴和上述氣體噴嘴進(jìn)行掃描。
21.一種計(jì)算機(jī)程序，包括如下軟件在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行，在執(zhí)行時(shí)如下控制基板清洗裝置(a)使實(shí)施清洗處理后的被處理基板旋轉(zhuǎn)，開始向其表面的中心供給漂洗液；(b)開始向上述被處理基板的中心附近的、從上述被處理基板的中心離開適當(dāng)長(zhǎng)度的地點(diǎn)供給非活性氣體；(c)一邊使向上述被處理基板供給漂洗液的漂洗液供給點(diǎn)朝向上述被處理基板的周緣移動(dòng)，一邊使向上述被處理基板供給非活性氣體的氣體供給點(diǎn)向上述被處理基板的中心移動(dòng)，然后在比上述漂洗液供給點(diǎn)的位置更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從上述被處理基板的中心向周緣移動(dòng)，執(zhí)行使上述被處理基板干燥的處理，從而清洗上述被處理基板。
22.一種計(jì)算機(jī)程序，包括如下軟件在計(jì)算機(jī)上運(yùn)行，在執(zhí)行時(shí)如下控制基板清洗裝置(a)使實(shí)施清洗處理后的被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊使漂洗液供給點(diǎn)從上述被處理基板表面的中心向周緣移動(dòng)一邊供給漂洗液；(b)以氣體供給點(diǎn)在比上述漂洗液的供給點(diǎn)更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從上述被處理基板的中心部向周緣移動(dòng)的方式供給非活性氣體；(c)在上述漂洗液的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后停止上述漂洗液的供給；(d)在上述非活性氣體的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后停止上述非活性氣體的供給，其后使上述被處理基板的轉(zhuǎn)速高于上述非活性氣體供給時(shí)的上述被處理基板的轉(zhuǎn)速，執(zhí)行使上述被處理基板干燥的處理，從而清洗上述被處理基板。
23.一種計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)有使控制程序在計(jì)算機(jī)上執(zhí)行的軟件，上述控制程序在執(zhí)行時(shí)，(a)使實(shí)施清洗處理后的被處理基板旋轉(zhuǎn)，開始向其表面的中心供給漂洗液；(b)開始向上述被處理基板的中心附近的、從上述被處理基板的中心離開適當(dāng)長(zhǎng)度的地點(diǎn)供給非活性氣體；(c)一邊使向上述被處理基板供給漂洗液的漂洗液供給點(diǎn)朝向上述被處理基板的周緣移動(dòng)，一邊使向上述被處理基板供給非活性氣體的氣體供給點(diǎn)向上述被處理基板的中心移動(dòng)，然后在比上述漂洗液供給點(diǎn)的位置更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從上述被處理基板的中心向周緣移動(dòng)，執(zhí)行使上述被處理基板干燥的處理，從而清洗上述被處理基板。
24.一種計(jì)算機(jī)可讀取的存儲(chǔ)介質(zhì)，存儲(chǔ)有使控制程序在計(jì)算機(jī)上執(zhí)行的軟件，上述控制程序在執(zhí)行時(shí)，(a)使實(shí)施清洗處理后的被處理基板以大致水平姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)，一邊使漂洗液供給點(diǎn)從上述被處理基板表面的中心向周緣移動(dòng)一邊供給漂洗液；(b)以氣體供給點(diǎn)在比上述漂洗液的供給點(diǎn)更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域內(nèi)從上述被處理基板的中心部向周緣移動(dòng)的方式供給非活性氣體；(c)在上述漂洗液的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后停止上述漂洗液的供給；(d)在上述非活性氣體的供給點(diǎn)從上述被處理基板的端面離開后停止上述非活性氣體的供給，其后使上述被處理基板的轉(zhuǎn)速高于上述非活性氣體供給時(shí)的上述被處理基板的轉(zhuǎn)速，執(zhí)行使上述被處理基板干燥的處理，從而清洗上述被處理基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板清洗方法、基板清洗裝置、計(jì)算機(jī)程序和存儲(chǔ)介質(zhì)，在對(duì)晶片實(shí)施使用清洗液噴嘴的清洗處理和使用側(cè)漂洗噴嘴的漂洗處理之后的干燥處理中，使晶片旋轉(zhuǎn)，從而開始從純水噴嘴向晶片的中心點(diǎn)供給純水，實(shí)質(zhì)上與此同時(shí)，開始從氣體噴嘴在晶片的中心部中向離開晶片的中心適當(dāng)長(zhǎng)度的點(diǎn)噴射氮?dú)?。然后一邊使純水噴嘴朝向晶片的周緣掃描，一邊使氣體噴嘴在通過晶片的中心后，在比純水噴嘴的位置更靠徑向內(nèi)側(cè)的區(qū)域朝向晶片的周緣掃描。
文檔編號(hào)G02F1/13GK1947227SQ20058001283
公開日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2005年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月23日
發(fā)明者大野廣基, 關(guān)口賢治 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社