專利名稱：：制造獨立微結(jié)構(gòu)的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本申請案大體上涉及微機電系統(tǒng)裝置，且更明確地說涉及光學(xué)調(diào)制器。
背景技術(shù)：
：微機電系統(tǒng)(MEMS)包含微機械元件、激活器和電子元件?？墒褂贸练e、蝕刻和/或其它蝕刻去除襯底和/或已沉積材料層的部分或者添加層以形成電裝置和機電裝置的微加工工藝來產(chǎn)生微機械元件。一種類型的MEMS裝置稱為干涉儀調(diào)制器。如本文所使用，術(shù)語干涉儀調(diào)制器或干涉儀光調(diào)制器指的是一種使用光學(xué)干涉原理選擇性地吸收且/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉儀調(diào)制器可包括一對導(dǎo)電板，其中之一或兩者可能整體或部分透明且/或具有反射性，且能夠在施加適當(dāng)電信號時進行相對運動。在特定實施例中，一個板可包括沉積在襯底上的固定層，且另一個板可包括由氣隙與固定層分離的金屬薄膜。如本文更詳細(xì)描述，一個板相對于另一個板的位置可改變?nèi)肷湓诟缮鎯x調(diào)制器上的光的光學(xué)干涉。這些裝置具有廣范圍的應(yīng)用，且在此項技術(shù)中，利用且/或修改這些類型裝置的特性使得其特征可被發(fā)掘用于改進現(xiàn)有產(chǎn)品和創(chuàng)建尚未開發(fā)的新產(chǎn)品，將是有益的。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的系統(tǒng)、方法和裝置各具有若干方面，其中任何單個方面均不僅僅負(fù)責(zé)其期望的屬性。在不限定本發(fā)明范圍的情況下，現(xiàn)將簡要論述其較突出的特征?？紤]此論述之后，且尤其在閱讀題為“具體實施方式”的部分之后，將了解本發(fā)明的特征如何提供優(yōu)于其它顯示裝置的優(yōu)點。本文揭示的一些實施例提供一種制造微機電系統(tǒng)裝置的方法，其包括在第一犧牲層上方形成導(dǎo)電層；從所述導(dǎo)電層圖案化可移動導(dǎo)體；和在可移動導(dǎo)體和第一犧牲層上方形成第二犧牲層的平坦層。其它實施例提供一種通過如下方法制造的干涉儀調(diào)制器，所述方法包括在第一犧牲層上方形成鏡面層；從所述鏡面層圖案化鏡面；和在所述鏡面和第一犧牲層上方形成一層第二犧牲層，其中所述第二犧牲層包括自平坦化材料。其它實施例提供一種微機電系統(tǒng)裝置，其包括形成在第一犧牲層上方的可移動導(dǎo)體和形成在可移動導(dǎo)體上方的第二犧牲層，其中所述第二犧牲層包括自平坦化材料。其它實施例提供一種制造干涉儀調(diào)制器的方法，其包括形成第一犧牲層；在第一犧牲層上方形成鏡面層；圖案化反射層以形成鏡面；和在所述鏡面和第一犧牲層上方旋涂第二犧牲層。其它實施例提供一種干涉儀調(diào)制器，其包括襯底；可變形層；多個柱，其在襯底與可變形層之間延伸，其中所述柱與可變形層集成；光學(xué)堆疊，其形成在襯底上接近可變形層；可移動鏡面，其安置在光學(xué)堆疊與可變形層之間；連接器，其將可移動鏡面固定到可變形層；和柱與可變形層之間的變換部分(transition)，其包括大體上單一弓形表面。其它實施例提供一種設(shè)備，其包括襯底；可變形層；用于支撐可變形層的與可變形層集成的構(gòu)件；可移動導(dǎo)體，其安置在襯底與可變形層之間；和連接器，其將可移動導(dǎo)體固定到可變形層。其它實施例提供一種設(shè)備，其包括襯底構(gòu)件；可變形構(gòu)件，其用于控制所述設(shè)備中的移動；支撐構(gòu)件，其與可變形構(gòu)件集成用于支撐可變形構(gòu)件；變換構(gòu)件，其用于以具有預(yù)定機械特性的物理上堅固的結(jié)構(gòu)將支撐構(gòu)件與可變形構(gòu)件集成；可移動構(gòu)件，其用于激活所述設(shè)備，其中所述可移動構(gòu)件安置在襯底與可變形層之間；和連接構(gòu)件，其用于將可移動構(gòu)件固定到可變形層構(gòu)件。如從下文將了解，這些實施例包含松釋和未松釋的MEMS裝置。一些實施例進一步包括用于形成變換構(gòu)件的構(gòu)件。其它實施例提供一種操作干涉儀調(diào)制器的方法，其中所述干涉儀調(diào)制器包括襯底和可變形層。在此實施例中，干涉儀調(diào)制器具有多個在襯底與可變形層之間延伸的柱，其中所述柱與可變形層集成。還存在形成在襯底上接近可變形層的光學(xué)堆疊，和安置在光學(xué)堆疊與可變形層之間可在至少一松弛位置與一激活位置之間移動的鏡面。所述干涉儀調(diào)制器還提供連接器，其將可移動鏡面固定到可變形層；和柱與可變形層之間的變換部分，其包括大體上單一弓形表面。此實施例中的方法提供如下一種方法，其包括將第一電壓施加到可移動鏡面，所述第一電壓足以使可移動鏡面從松弛位置移動到激活位置。其它實施例提供一種未松釋的微機電系統(tǒng)裝置，其包括襯底構(gòu)件；可變形構(gòu)件，其用于控制所述微機電系統(tǒng)裝置中的移動；支撐構(gòu)件，其在襯底與可變形構(gòu)件之間延伸，其中所述支撐構(gòu)件與可變形構(gòu)件集成；可移動構(gòu)件，其用于激活微機電系統(tǒng)裝置且安置在襯底與可變形層之間；和連接構(gòu)件，其用于將可移動鏡面固定到可變形構(gòu)件。從以下描述中且從附圖(未按比例繪制)中將容易了解本發(fā)明的這些和其它方面，以下描述和附圖目的在于說明而不是限制本發(fā)明。圖1是描繪干涉儀調(diào)制器顯示器的一個實施例的一部分的等角視圖，其中第一干涉儀調(diào)制器的可移動反射層處于松弛位置，且第二干涉儀調(diào)制器的可移動反射層處于激活位置。圖2是說明并入有3×3干涉儀調(diào)制器顯示器的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)方框圖。圖3是圖1的干涉儀調(diào)制器的一個示范性實施例的可移動鏡面位置對所施加電壓的圖。圖4是可用于驅(qū)動干涉儀調(diào)制器顯示器的一組行和列電壓的說明。圖5A說明圖2的3×3干涉儀調(diào)制器顯示器中的顯示數(shù)據(jù)的一個示范性幀。圖5B說明可用于對圖5A的幀進行寫入的行和列信號的一個示范性時序圖。圖6A和圖6B是說明包括多個干涉儀調(diào)制器的視覺顯示裝置的實施例的系統(tǒng)方框圖。圖7A是圖1的裝置的橫截面。圖7B是干涉儀調(diào)制器的替代實施例的橫截面。圖7C是干涉儀調(diào)制器的另一替代實施例的橫截面。圖7D是干涉儀調(diào)制器的又一替代實施例的橫截面。圖7E是干涉儀調(diào)制器的額外替代實施例的橫截面。圖8A-圖8G以橫截面說明所揭示的MEMS裝置的實施例及其制造的實施例中的中間階段。圖9是制造圖8A中說明的MEMS裝置的方法的實施例的流程圖。圖10A-圖10C以橫截面說明制造MEMS裝置的另一實施例的過程中的中間階段。具體實施例方式以下詳細(xì)描述針對本發(fā)明的某些特定實施例。然而，本發(fā)明可以許多不同方式實施。在本描述內(nèi)容中參看了附圖，附圖中所有相同部分用相同標(biāo)號表示。如從以下描述中將了解，所述實施例可實施在經(jīng)配置以顯示不論運動(例如，視頻)還是固定(例如，靜止圖像)的且不論文字還是圖畫的圖像的任何裝置中。更明確地說，預(yù)期所述實施例可實施在多種電子裝置中或與多種電子裝置關(guān)聯(lián)，所述多種電子裝置例如(但不限于)移動電話、無線裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手提式或便攜式計算機、GPS接收器/導(dǎo)航器、相機、MP3播放器、攝像機、游戲控制臺、手表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計算機監(jiān)視器、汽車顯示器(例如，里程表顯示器等)、座艙控制器和/或顯示器、相機視圖的顯示器(例如，車輛中后視相機的顯示器)、電子相片、電子廣告牌或指示牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝和美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如，關(guān)于一件珠寶的圖像的顯示器)。具有與本文中描述的裝置類似的結(jié)構(gòu)的MEMS裝置也可用于例如電子切換裝置的非顯示器應(yīng)用中。本文揭示的MEMS裝置(例如，干涉儀調(diào)制器)的實施例包括集成式柱-可變形層結(jié)構(gòu)。在一些實施例中，柱與可變形層之間的變換部分包括大體上單一弓形或凸?fàn)畋砻?。在一些實施例中，?可變形層結(jié)構(gòu)的厚度為大體上均勻的，藉此提供具有預(yù)定機械特性的物理上堅固的結(jié)構(gòu)。還提供一種制造MEMS裝置(例如，干涉儀調(diào)制器)的方法。所述方法的實施例形成一層有助于形成大體上均勻的柱-可變形層結(jié)構(gòu)的自平坦化犧牲材料。此自平坦化犧牲材料層形成在圖案化可移動導(dǎo)體或鏡面上方。在一些實施例中，在自平坦化犧牲材料層中鄰近于可移動導(dǎo)體或鏡面形成第一開口，且在自平坦化犧牲材料層上方形成填充所述第一開口的至少一部分的可變形層。圖1中說明包括干涉儀MEMS顯示元件的一個干涉儀調(diào)制器顯示器的實施例。在這些裝置中，像素處于明亮狀態(tài)或黑暗狀態(tài)。在明亮(“接通”或“開啟”)狀態(tài)下，顯示元件將入射可見光的大部分反射到用戶。當(dāng)在黑暗(“斷開”或“關(guān)閉”)狀態(tài)下時，顯示元件將極少的入射可見光反射到用戶。依據(jù)實施例而定，可顛倒“接通”和“斷開”狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置而主要在選定的顏色處反射，從而允許除了黑白顯示以外的彩色顯示。圖1是描述視覺顯示器的一系列像素中的兩個相鄰像素的等角視圖，其中每一像素包括MEMS干涉儀調(diào)制器。在一些實施例中，干涉儀調(diào)制器顯示器包括這些干涉儀調(diào)制器的一行/列陣列。每一干涉儀調(diào)制器包含一對反射層，其定位成彼此相距可變且可控制的距離以形成具有至少一個可變尺寸的諧振光學(xué)腔。在一個實施例中，可在兩個位置之間移動所述反射層之一。在第一位置(本文中稱為松弛位置)中，可移動反射層定位成距固定部分反射層相對較大的距離。在第二位置(本文中稱為激活位置)中，可移動反射層定位成更緊密鄰近所述部分反射層。視可移動反射層的位置而定，從所述兩個層反射的入射光建設(shè)性地或破壞性地進行干涉，從而為每一像素產(chǎn)生全反射狀態(tài)或非反射狀態(tài)。圖1中像素陣列的所描繪部分包含兩個相鄰干涉儀調(diào)制器12a和12b。在左側(cè)干涉儀調(diào)制器12a中，說明可移動反射層14a處于距包含部分反射層的光學(xué)堆疊16a預(yù)定距離處的松弛位置中。在右側(cè)干涉儀調(diào)制器12b中，說明可移動反射層14b處于鄰近于光學(xué)堆疊16b的激活位置中。如本文所引用的光學(xué)堆疊16a和16b(統(tǒng)稱為光學(xué)堆疊16)通常包括若干熔合層(fusedlayer)，所述熔合層可包含例如氧化銦錫(ITO)的電極層、例如鉻的部分反射層和透明電介質(zhì)。因此，光學(xué)堆疊16是導(dǎo)電的、部分透明且部分反射的，且可通過(例如)將上述層的一者或一者以上沉積到透明襯底20上來制造。在一些實施例中，所述層經(jīng)圖案化成為多個平行條帶，且如下文中進一步描述，可在顯示裝置中形成行電極?？梢苿臃瓷鋵?4a、14b可形成為沉積金屬層(一層或多層)的一系列平行條帶(與行電極16a、16b垂直)，所述金屬層沉積在柱18和沉積于柱18之間的介入犧牲材料的頂部上。當(dāng)蝕刻去除犧牲材料時，可移動反射層14a、14b通過所界定的間隙19而與光學(xué)堆疊16a、16b分離。例如鋁的高度導(dǎo)電且反射的材料可用于反射層14，且這些條帶可在顯示裝置中形成列電極。在不施加電壓的情況下，腔19保留在可移動反射層14a與光學(xué)堆疊16a之間，其中可移動反射層14a處于機械松弛狀態(tài)，如圖1中像素12a所說明。然而，當(dāng)將電位差施加到選定的行和列時，形成在相應(yīng)像素處的行電極與列電極的交叉處的電容器變得帶電，且靜電力將所述電極拉在一起。如果電壓足夠高，那么可移動反射層14變形且被迫抵靠光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的介電層(在此圖中未圖示)可防止短路并控制層14與16之間的分離距離，如圖1中右側(cè)的像素12b所說明。不管所施加的電位差的極性如何，表現(xiàn)均相同。以此方式，可控制反射像素狀態(tài)對非反射像素狀態(tài)的行/列激活在許多方面類似于常規(guī)LCD和其它顯示技術(shù)中所使用的行/列激活。圖2到5B說明在顯示器應(yīng)用中使用干涉儀調(diào)制器陣列的一個示范性工藝和系統(tǒng)。圖2是說明可并入有本發(fā)明各方面的電子裝置的一個實施例的系統(tǒng)方框圖。在所述示范性實施例中，所述電子裝置包含處理器21，其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器(例如ARM、Pentium、PentiumII、PentiumIII、PentiumIV、PentiumPro、8051、MIPS、PowerPC、ALPHA)，或任何專用微處理器(例如數(shù)字信號處理器、微控制器)，或可編程門陣列。如此項技術(shù)中常規(guī)的做法，處理器21可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件模塊。除了執(zhí)行操作系統(tǒng)外，所述處理器可經(jīng)配置以執(zhí)行一個或一個以上軟件應(yīng)用程序，包含網(wǎng)絡(luò)瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其它軟件應(yīng)用程序。在一個實施例中，處理器21還經(jīng)配置以與陣列驅(qū)動器22連通。在一個實施例中，所述陣列驅(qū)動器22包含將信號提供到面板或顯示器陣列(顯示器)30的行驅(qū)動器電路24和列驅(qū)動器電路26。在圖2中以線1-1展示圖1中說明的陣列的橫截面。對于MEMS干涉儀調(diào)制器來說，行/列激活協(xié)議可利用圖3中說明的這些裝置的滯后性質(zhì)?？赡苄枰?例如)10伏的電位差來促使可移動層從松弛狀態(tài)變形為激活狀態(tài)。然而，當(dāng)電壓從所述值減小時，可移動層在電壓降回10伏以下時維持其狀態(tài)。在圖3的示范性實施例中，可移動層直到電壓降到2伏以下時才完全松弛。因此在圖3中說明的實例中存在約3到7V的電壓范圍，在所述范圍中存在所施加電壓的窗口，在所述窗口內(nèi)裝置在松弛狀態(tài)或激活狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。此窗口在本文中稱為“滯后窗口”或“穩(wěn)定窗口”。對于具有圖3的滯后特性的顯示器陣列來說，可設(shè)計行/列激活協(xié)議使得在行選通期間，已選通行中待激活的像素暴露于約10伏的電壓差，且待松弛的像素暴露于接近零伏的電壓差。在選通之后，所述像素暴露于約5伏的穩(wěn)態(tài)電壓差使得其維持在行選通使其所處的任何狀態(tài)中。在此實例中，每一像素在被寫入之后經(jīng)歷3-7伏的“穩(wěn)定窗口”內(nèi)的電位差。此特征使圖1中說明的像素設(shè)計在相同的施加電壓條件下在激活或松弛預(yù)存在狀態(tài)下均是穩(wěn)定的。因為干涉儀調(diào)制器的每一像素(不論處于激活還是松弛狀態(tài))本質(zhì)上是由固定反射層和移動反射層形成的電容器，所以可在滯后窗口內(nèi)的一電壓下維持此穩(wěn)定狀態(tài)而幾乎無功率消耗。本質(zhì)上，如果所施加的電壓是固定的，那么沒有電流流入像素中。在典型應(yīng)用中，可通過根據(jù)第一行中所需組的激活像素確認(rèn)所述組列電極來產(chǎn)生顯示幀。接著將行脈沖施加到行1電極，從而對應(yīng)于所確認(rèn)的列線而激活像素。接著改變所述組已確認(rèn)列電極以對應(yīng)于第二行中所需組的激活像素。接著將脈沖施加到行2電極，從而根據(jù)已確認(rèn)的列電極而激活行2中的適當(dāng)像素。行1像素不受行2脈沖影響，且維持在其在行1脈沖期間被設(shè)定的狀態(tài)中。可以連續(xù)方式對整個系列的行重復(fù)此過程以產(chǎn)生幀。通常，通過以每秒某一所需數(shù)目的幀的速度連續(xù)地重復(fù)此過程來用新的顯示數(shù)據(jù)刷新且/或更新所述幀。用于驅(qū)動像素陣列的行和列電極以產(chǎn)生顯示幀的廣泛種類的協(xié)議也是眾所周知的且可結(jié)合本發(fā)明使用。圖4、圖5A和圖5B說明用于在圖2的3×3陣列上形成顯示幀的一個可能的激活協(xié)議。圖4說明可用于使像素展示出圖3的滯后曲線的一組可能的列和行電壓電平。在圖4實施例中，激活像素涉及將適當(dāng)列設(shè)定為-Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為+ΔV，其分別可對應(yīng)于-5伏和+5伏。松弛像素是通過將適當(dāng)列設(shè)定為+Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為相同的+ΔV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實現(xiàn)的。在行電壓維持在零伏的那些行中，不管列處于+Vbias還是-Vbias，像素在任何其最初所處的狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。同樣如圖4中所說明，將了解，可使用具有與上述電壓的極性相反的極性的電壓，例如，激活像素可涉及將適當(dāng)列設(shè)定為+Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為-ΔV。在此實施例中，釋放像素是通過將適當(dāng)列設(shè)定為-Vbias，且將適當(dāng)行設(shè)定為相同的-ΔV，從而在像素上產(chǎn)生零伏電位差而實現(xiàn)的。圖5B是展示施加到圖2的3×3陣列的一系列行和列信號的時序圖，所述系列的行和列信號將產(chǎn)生圖5A中說明的顯示器布置，其中被激活像素為非反射的。在對圖5A中說明的幀進行寫入之前，像素可處于任何狀態(tài)，且在本實例中所有行均處于0伏，且所有列均處于+5伏。在這些所施加的電壓的情況下，所有像素在其既有的激活或松弛狀態(tài)中均是穩(wěn)定的。在圖5A的幀中，像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)和(3，3)被激活。為了實現(xiàn)此目的，在行1的“線時間(linetime)”期間，將列1和2設(shè)定為-5伏，且將列3設(shè)定為+5伏。因為所有像素均保留在3-7伏的穩(wěn)定窗口中，所以這并不改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)。接著用從0升到5伏且返回零的脈沖選通行1。這激活了(1，1)和(1，2)像素且松弛了(1，3)像素。陣列中其它像素均不受影響。為了視需要設(shè)定行2，將列2設(shè)定為-5伏，且將列1和3設(shè)定為+5伏。施加到行2的相同選通接著將激活像素(2，2)且松弛像素(2，1)和(2，3)。同樣，陣列中其它像素均不受影響。通過將列2和3設(shè)定為-5伏且將列1設(shè)定為+5伏來類似地設(shè)定行3。行3選通設(shè)定行3像素，如圖5A中所示。在對幀進行寫入之后，行電位為零，且列電位可維持在+5或-5伏，且接著顯示器在圖5A的布置中是穩(wěn)定的。將了解，可將相同程序用于數(shù)十或數(shù)百個行和列的陣列。還將應(yīng)了解，用于執(zhí)行行和列激活的電壓的時序、序列和電平可在上文所概述的一般原理內(nèi)廣泛變化，且上文的實例僅為示范性的，且任何激活電壓方法均可與本文描述的系統(tǒng)和方法一起使用。圖6A和圖6B是說明顯示裝置40的實施例的系統(tǒng)方框圖。顯示裝置40可為(例如)蜂窩式電話或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件或其稍微變化形式也說明例如電視和便攜式媒體播放器等各種類型的顯示裝置。顯示裝置40包含外殼41、顯示器30、天線43、揚聲器45、輸入裝置48和麥克風(fēng)46。外殼41通常由所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知的多種制造工藝的任一者形成，所述工藝包含注射模制和真空成形。另外，外殼41可由多種材料的任一者制成，所述材料包含(但不限于)塑料、金屬、玻璃、橡膠和陶瓷，或其組合。在一個實施例中，外殼41包含可去除部分(未圖示)，所述可去除部分可與其它具有不同顏色或含有不同標(biāo)記、圖畫或符號的可去除部分互換。如本文中所描述，示范性顯示裝置40的顯示器30可為包含雙穩(wěn)態(tài)顯示器(bi-stabledisplay)在內(nèi)的多種顯示器的任一者。在其它實施例中，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知，顯示器30包含例如如上所述的等離子、EL、OLED、STNLCD或TFTLCD的平板顯示器，或例如CRT或其它電子管裝置的非平板顯示器。然而，出于描述本實施例的目的，如本文中所描述，顯示器30包含干涉儀調(diào)制器裝置。圖6B中示意性說明示范性顯示裝置40的一個實施例的組件。所說明的示范性顯示裝置40包含外殼41且可包含至少部分封閉在所述外殼41中的額外組件。舉例來說，在一個實施例中，示范性顯示裝置40包含網(wǎng)絡(luò)接口27，所述網(wǎng)絡(luò)接口27包含耦合到收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接到處理器21，處理器21連接到調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以調(diào)節(jié)信號(例如，對信號進行濾波)。調(diào)節(jié)硬件52連接到揚聲器45和麥克風(fēng)46。處理器21也連接到輸入裝置48和驅(qū)動器控制器29。驅(qū)動器控制器29耦合到幀緩沖器28且耦合到陣列驅(qū)動器22，所述陣列驅(qū)動器22又耦合到顯示器陣列30。如特定示范性顯示裝置40的設(shè)計所要求，電源50將功率提供到所有組件。網(wǎng)絡(luò)接口27包含天線43和收發(fā)器47使得示范性顯示裝置40可經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)與一個或一個以上裝置通信。在一個實施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27也可具有某些處理能力以減輕對處理器21的要求。天線43是所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的用于傳輸和接收信號的任何天線。在一個實施例中，所述天線根據(jù)IEEE802.11標(biāo)準(zhǔn)(包含IEEE802.11(a)、(b)或(g))來傳輸和接收RF信號。在另一實施例中，所述天線根據(jù)BLUETOOTH標(biāo)準(zhǔn)來傳輸和接收RF信號。在蜂窩式電話的情況下，所述天線經(jīng)設(shè)計以接收CDMA、GSM、AMPS或其它用于在無線小區(qū)電話網(wǎng)絡(luò)內(nèi)通信的已知信號。收發(fā)器47預(yù)處理從天線43接收到的信號，使得處理器21可接收所述信號并進一步對所述信號進行處理。收發(fā)器47還處理從處理器21接收到的信號使得可經(jīng)由天線43從示范性顯示裝置40傳輸所述信號。在一替代實施例中，收發(fā)器47可由接收器代替。在又一替代實施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27可由可存儲或產(chǎn)生待發(fā)送到處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源代替。舉例來說，所述圖像源可為數(shù)字視頻光盤(DVD)或含有圖像數(shù)據(jù)的硬盤驅(qū)動器，或產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的軟件模塊。處理器21大體上控制示范性顯示裝置40的全部操作。處理器21接收例如來自網(wǎng)絡(luò)接口27或圖像源的壓縮圖像數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)，并將所述數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或處理成易被處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。處理器21接著將已處理的數(shù)據(jù)發(fā)送到驅(qū)動器控制器29或發(fā)送到幀緩沖器28以供存儲。原始數(shù)據(jù)通常是指識別圖像內(nèi)每一位置處的圖像特性的信息。舉例來說，這些圖像特性可包含顏色、飽和度和灰度級。在一個實施例中，處理器21包含微控制器、CPU或邏輯單元以控制示范性顯示裝置40的操作。調(diào)節(jié)硬件52通常包含放大器和濾波器，以用于將信號傳輸?shù)綋P聲器45，且用于從麥克風(fēng)46接收信號。調(diào)節(jié)硬件52可為示范性顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或可并入在處理器21或其它組件內(nèi)。驅(qū)動器控制器29直接從處理器21或從幀緩沖器28取得由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，并適當(dāng)?shù)刂匦赂袷交鲈紙D像數(shù)據(jù)以供高速傳輸?shù)疥嚵序?qū)動器22。具體來說，驅(qū)動器控制器29將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化為具有類似光柵的格式的數(shù)據(jù)流，使得其具有適于在顯示器陣列30上進行掃描的時間次序。接著，驅(qū)動器控制器29將已格式化的信息發(fā)送到陣列驅(qū)動器22。盡管驅(qū)動器控制器29(例如LCD控制器)通常與系統(tǒng)處理器21關(guān)聯(lián)而作為獨立的集成電路(IC)，但可以許多方式實施這些控制器。其可作為硬件嵌入處理器21中，作為軟件嵌入處理器21中，或與陣列驅(qū)動器22完全集成在硬件中。通常，陣列驅(qū)動器22從驅(qū)動器控制器29接收已格式化的信息且將視頻數(shù)據(jù)重新格式化為一組平行波形，所述波形以每秒多次的速度被施加到來自顯示器的x-y像素矩陣的數(shù)百且有時數(shù)千個引線。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29、陣列驅(qū)動器22和顯示器陣列30適用于本文描述的任意類型的顯示器。舉例來說，在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29是常規(guī)顯示器控制器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器控制器(例如，干涉儀調(diào)制器控制器)。在另一實施例中，陣列驅(qū)動器22是常規(guī)驅(qū)動器或雙穩(wěn)態(tài)顯示器驅(qū)動器(例如，干涉儀調(diào)制器顯示器)。在一個實施例中，驅(qū)動器控制器29與陣列驅(qū)動器22集成。此實施例在例如蜂窩式電話、手表和其它小面積顯示器的高度集成系統(tǒng)中是普遍的。在又一實施例中，顯示器陣列30是典型的顯示器陣列或雙穩(wěn)態(tài)顯示器陣列(例如，包含干涉儀調(diào)制器陣列的顯示器)。輸入裝置48允許用戶控制示范性顯示裝置40的操作。在一個實施例中，輸入裝置48包含例如QWERTY鍵盤或電話鍵區(qū)的鍵區(qū)、按鈕、開關(guān)、觸敏屏幕、壓敏或熱敏薄膜。在一個實施例中，麥克風(fēng)46是用于示范性顯示裝置40的輸入裝置。當(dāng)使用麥克風(fēng)46將數(shù)據(jù)輸入到所述裝置時，用戶可提供聲音命令以便控制示范性顯示裝置40的操作。電源50可包含此項技術(shù)中眾所周知的多種能量存儲裝置。舉例來說，在一個實施例中，電源50是例如鎳鎘電池或鋰離子電池的可再充電電池。在另一實施例中，電源50是可再生能源、電容器或太陽能電池，包含塑料太陽能電池和太陽能電池涂料。在另一實施例中，電源50經(jīng)配置以從壁式插座接收功率。在某些實施方案中，如上文中所描述，控制可編程性駐存在驅(qū)動器控制器中，其可位于電子顯示器系統(tǒng)中的若干位置中。在某些情況下，控制可編程性駐存在陣列驅(qū)動器22中。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，上述最優(yōu)化可實施在任何數(shù)目的硬件和/或軟件組件中且可以各種配置實施。根據(jù)上文陳述的原理而操作的干涉儀調(diào)制器的結(jié)構(gòu)的細(xì)節(jié)可廣泛變化。舉例來說，圖7A-圖7E說明可移動反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的五個不同實施例。圖7A是圖1的實施例的橫截面，其中金屬材料條帶14沉積在垂直延伸的支撐件18上。在圖7B中，可移動反射層14在系鏈(tether)32上僅在隅角處附接到支撐件。在圖7C中，可移動反射層14從可包括柔性金屬的可變形層34懸垂下來。所述可變形層34直接或間接地連接到圍繞可變形層34的周邊的襯底20。這些連接在本文中稱為支柱18。圖7D中說明的實施例具有包含支柱插塞42的支柱18，可變形層34擱在所述支柱插塞42上。如圖7A-圖7C所示，可移動反射層14保持懸浮在腔上方，但可變形層34并不通過填充可變形層34與光學(xué)堆疊16之間的孔而形成所述支柱。確切地說，支柱18由用于形成支柱插塞42的平坦化材料形成。圖7E中說明的實施例是基于圖7D中展示的實施例，但也可適于與圖7A-圖7C中說明的實施例以及未圖示的額外實施例的任一者一起發(fā)揮作用。在圖7E中所示的實施例中，已使用金屬或其它導(dǎo)電材料的額外層來形成總線結(jié)構(gòu)44。這允許信號沿著干涉儀調(diào)制器的背面進行路由，從而消除許多原本可能必須形成在襯底20上的電極。在例如圖7中所示的那些實施例的實施例中，干涉儀調(diào)制器充當(dāng)直接觀看裝置，其中從透明襯底20的前側(cè)觀看圖像，所述側(cè)與上面布置有調(diào)制器的一側(cè)相對。在這些實施例中，反射層14在反射層的與襯底20相對的所述側(cè)以光學(xué)方式遮蔽干涉儀調(diào)制器的一些部分，其包含可變形層34和總線結(jié)構(gòu)44。這允許對遮蔽區(qū)域進行配置和操作而不會消極地影響圖像質(zhì)量。這種可分離的調(diào)制器結(jié)構(gòu)允許選擇用于調(diào)制器的機電方面和光學(xué)方面的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料且使其彼此獨立而發(fā)揮作用。此外，圖7C-圖7E中所示的實施例具有源自反射層14的光學(xué)性質(zhì)與其機械性質(zhì)脫離的額外益處，所述益處由可變形層34執(zhí)行。這允許用于反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料在光學(xué)性質(zhì)方面得以最優(yōu)化，且用于可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計和材料在期望的機械性質(zhì)方面得以最優(yōu)化。圖8A說明微機電系統(tǒng)裝置(MEMS)800的實施例的橫截面，所述MEMS800類似于圖7C中說明的干涉儀調(diào)制器。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，本文提供的教示中的某些教示也可應(yīng)用于其它MEMS裝置(例如，圖7D和圖7E中說明的干涉儀調(diào)制器)。本文揭示的裝置800包括襯底810、可移動導(dǎo)體840、可變形層870和多個支撐柱880。在所說明的實施例中，連接器872將可移動導(dǎo)體840固定到可變形層870。也使用術(shù)語“機械層”和“撓曲層”來表示可變形層870。本文中支撐柱880也稱為“支撐件”或“柱”。注意，在一些布置中，支撐件包括部分或完全封圍的壁而不是隔離的柱狀物。在其中MEMS裝置800是干涉儀調(diào)制器的實施例中，所述裝置進一步包括如上所述形成在襯底810上的光學(xué)堆疊820，且可移動導(dǎo)體840是鏡面。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，本文提供的對MEMS裝置和制造干涉儀調(diào)制器的方法的描述也可應(yīng)用于其它類型的MEMS裝置。再次參看圖8A，可變形層870與柱880中的至少一者集成。在一些實施例中，可變形層870與所有的柱880集成。如下文更詳細(xì)論述，在一些實施例中，集成的可變形層870與柱880在同一步驟中形成。所說明的實施例包括集成的可變形層與柱880之間的變換部分890，其包括大體上單一弓形或凸?fàn)?如從上方觀看到)表面。下文更詳細(xì)地論述制造此變換部分890的方法的實施例。圖9是說明制造MEMS裝置800的實施例的方法的實施例900的流程圖，其中MEMS裝置是(例如)如圖8A中所說明的光學(xué)調(diào)制器。此描述內(nèi)容參照圖8B到圖8G中說明的某些中間結(jié)構(gòu)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，視所選擇的特定材料而定，所述方法的一些實施例將包含額外步驟，例如形成蝕刻擋止部(etchstop)和/或硬掩膜。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員也將了解，在一些實施例中，一些步驟以不同次序被執(zhí)行和/或被組合。步驟910中，如上所述在襯底810上形成光學(xué)堆疊820。在一些實施例中，光學(xué)堆疊820包括電極層822、部分反射層824和介電層826，如圖8B中所說明。在所說明的實施例中，電極層822和部分反射層824形成在襯底820上、經(jīng)圖案化，且上面形成介電層826。步驟920中，在光學(xué)堆疊820上方形成第一犧牲層830，如圖8C中所說明。在所說明的實施例中，第一犧牲層830形成為約300到約10,000厚，更優(yōu)選地約1000到約3000厚。在一些實施例中，第一犧牲層830的厚度大體上是均勻的。第一犧牲層830包括第一犧牲材料。適宜的犧牲材料在此項技術(shù)中是已知的，例如，無機犧牲材料和有機犧牲材料。適宜的無機犧牲材料的實例包含硅、鈦、鋯、鉿、釩、鉭、鈮、鉬和鎢。適宜的有機犧牲材料的實例包含此項技術(shù)中已知的聚合材料，包含光反應(yīng)性聚合物、光致抗蝕劑和例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的聚合物。使用此項技術(shù)中已知的方法形成第一犧牲層830，所述方法將取決于所選擇的特定犧牲材料，且包含旋涂、物理汽相沉積(PVD)、濺鍍、化學(xué)汽相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)及其變化形式。在一些優(yōu)選實施例中，可使用XeF2來蝕刻第一犧牲材料(例如，鉬)。在步驟930中，在第一犧牲層830上方形成導(dǎo)電層840′，如圖8C中所說明。在其中MEMS裝置是干涉儀調(diào)制器的實施例中，導(dǎo)電層840′也稱為“反射層”或“鏡面層”。在這些實施例中，導(dǎo)電層包括反射表面，例如，鋁、鈦、鉻、銀或金。圖8C中說明所得的結(jié)構(gòu)。形成導(dǎo)電層840′的方法是此項技術(shù)中已知的，例如PVD、CVD、AID，及其變化形式。在一些實施例中，導(dǎo)電層840′為約0.5μm到約1.5μm厚，優(yōu)選地約1μm厚。在這些實施例中，導(dǎo)電層840′是包括多個子層的復(fù)合物。復(fù)合導(dǎo)電層840′的一些實施例展示出改進的特性，例如反射性、剛性、重量、制造的容易度等。在步驟940中，圖案化導(dǎo)電層840′以形成可移動導(dǎo)體840，如圖8D中所說明。如上所論述，在所說明的實施例中，可移動導(dǎo)體840是可移動鏡面。在所說明的實施例中，使用同一掩膜來圖案化導(dǎo)電層840′和第一犧牲層830。在其它實施例中，單獨地圖案化導(dǎo)電層840′和第一犧牲層830。舉例來說，在一些實施例中，在圖案化導(dǎo)電層840′以形成可移動導(dǎo)體840之后，可移動導(dǎo)體840本身充當(dāng)用于圖案化第一犧牲層830的硬掩膜。在任一情況下，在第一犧牲材料中形成一個或一個以上開口842，所述開口842鄰近于可移動導(dǎo)體840或鏡面。值得注意地，在第一犧牲層830與可移動導(dǎo)體840之間形成階梯或凸緣844，下文論述其重要性。圖8D中說明所得的結(jié)構(gòu)。在步驟950中，在可移動導(dǎo)體840以及第一犧牲層830和光學(xué)堆疊820的暴露于第一犧牲層中的開口842的部分上方形成第二犧牲層850，以提供圖8E中所說明的結(jié)構(gòu)。在所說明的實施例中，第二犧牲層850大體上覆蓋階梯或凸緣844以及可移動導(dǎo)體840。在所說明的實施例中，第二犧牲層850也大體上填充第一犧牲材料中的開口842。第二犧牲層850包括第二犧牲材料。在一些優(yōu)選實施例中，第二犧牲材料不同于第一犧牲材料。在一些實施例中，第二犧牲層850是平坦層。如本文所使用，術(shù)語“平坦”使用其通常含義，且明確地說指代比形成在其下方的表面相對較光滑的表面。平坦層的表面不一定十分光滑。在一些優(yōu)選實施例中，第二犧牲材料是光反應(yīng)性材料，例如光致抗蝕劑。在一些優(yōu)選實施例中，第二犧牲材料包括自平坦化材料，例如抗蝕劑、光致抗蝕劑或平坦化材料。平坦化材料的實例包含旋涂玻璃(spin-onglass，SOG)或旋涂電介質(zhì)(SOD)。如本文所使用，術(shù)語“自平坦化”使用其通常含義，且明確地說指代如沉積的一樣平坦的材料。使用此項技術(shù)中已知的方法形成第二犧牲層850，所述方法取決于所選擇的犧牲材料。在一些優(yōu)選實施例中，通過旋涂形成第二犧牲層850。在一些實施例中，第二犧牲層850的厚度和/或厚度的均勻性并不關(guān)鍵。第二犧牲層850的厚度將取決于特定應(yīng)用。在一些優(yōu)選實施例中，第二犧牲層為約0.2μm到約3μm厚。在其它實施例中，第二犧牲層850并不如沉積的一樣平坦，且是(例如)通過拋光、通過蝕刻、通過回流和/或通過此項技術(shù)中已知的另一后沉積工藝而在單獨的步驟中平坦化的。在步驟960中，圖案化第二犧牲層850以使用此項技術(shù)中已知的方法在第二犧牲層中形成一個或一個以上第一開口852，以提供圖8F中所說明的結(jié)構(gòu)。第一開口852大體上與第一犧牲層中的開口842(圖8D中所說明)對準(zhǔn)且/或處于相同位置。在所說明的實施例中，第一開口的壁854沿著第二犧牲材料排列。在所說明的實施例中，光學(xué)堆疊820形成第二開口的底部856的至少一部分。在其它實施例(未圖示)中，另一層(例如，襯底810或形成在襯底810上的用于減少反射的層(例如，黑色掩膜))形成第二開口的底部856的至少一部分。第二犧牲層的頂部表面858與第一開口的壁854之間的變換部分包括單一階梯或凸緣862。在所說明的實施例中，形成第一開口的壁854的第二犧牲材料大體上覆蓋可移動導(dǎo)體840和第一犧牲層830。所說明的實施例也包括第二犧牲層中的第二開口866。在一些實施例中，第二開口866在可移動導(dǎo)體840或鏡面上方大體上位于中心處。如下文更詳細(xì)論述，在一些實施例中，穿過第二開口866形成連接器(圖8A中872)。步驟960中形成的壁854和/或階梯或凸緣862有助于在第二犧牲層850上方形成相對均勻的可變形層/柱結(jié)構(gòu)(圖8A中870和880)。有助于形成這些層的表面布局在此項技術(shù)中是已知的。在一些實施例中，壁854大體上光滑地傾斜，藉此形成光滑的階梯(例如在所說明的實施例中)。在一些實施例中，階梯862是圓形或平緩的，而不是陡峭的。用于形成這些形態(tài)的適宜的工藝在此項技術(shù)中是已知的。在一些實施例中，所述一種或多種工藝再成形第二犧牲層850的已沉積的布局。舉例來說，在其中第二犧牲材料包括光反應(yīng)性材料的實施例中，階梯962的一些實施例包括對光反應(yīng)性材料進行經(jīng)修改的曝光，例如一次或一次以上非均勻曝光、以非最佳化波長曝光或不充分曝光。在一些實施例中，所述一種或多種工藝再成形第二犧牲層850的圖案化后的布局。舉例來說，在一些實施例中，在蝕刻之后(例如)通過加熱來回流第二犧牲層850。在步驟970中，使用此項技術(shù)中已知的方法在第二犧牲層850上方形成可變形層870，以提供圖8G中所說明的結(jié)構(gòu)。在所說明的實施例中，連接器872和柱880與可變形層870整體形成。在一些實施例中，可變形層870是保形的。舉例來說，在所說明的實施例中，可變形層870與柱880之間的變換部分890大體上包括由第二犧牲層850中的階梯或凸緣862形成的單一階梯。在步驟980中，大體上完全去除且/或蝕刻去除第二犧牲材料。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，特定蝕刻條件取決于第二犧牲材料的特性。在一些實施例中，相對于裝置中的其它結(jié)構(gòu)(例如，圖8A中說明的結(jié)構(gòu))選擇性地去除第二犧牲材料。在一些實施例中，通過(例如)灰化去除第二犧牲材料，其中第二犧牲材料是抗蝕劑、光致抗蝕劑或平坦化材料。在其它實施例中，通過此項技術(shù)中已知的另一方法蝕刻去除第二犧牲材料，例如通過反應(yīng)性離子蝕刻和/或使用氣相蝕刻劑(例如，XeF2)。在一些實施例中，在相同步驟中去除第一犧牲材料。在其它實施例中，在不同步驟中去除第一犧牲材料。圖8A中說明通過去除第一和第二犧牲材料而得到的結(jié)構(gòu)。圖10A說明對應(yīng)于圖8E中所說明的所述結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)，其中使用并非自平坦化的材料來形成步驟950中的第二犧牲層1050。一實例是在沉積條件下形成保形層的材料。不是如圖8E中所說明的實施例中一樣覆蓋階梯1044，第二犧牲層1050遵循下伏的布局，且因此，其本身包括第一階梯或凸緣1064。(例如)如上文步驟960中所描述穿過第二犧牲層1050形成第一開口1052在第二犧牲層中產(chǎn)生第二階梯或凸緣1062，如圖10B中所說明。在所說明的實施例中，與圖8F中所說明的平緩階梯862相比，第二階梯1062較陡峭。與圖8F中所說明的傾斜壁854相比，第二開口1052的壁1054也較陡。在圖10C中所說明的實施例中，(例如)如上文步驟970中所描述形成在第二犧牲層1050上方的可變形層1070包含由于在第二開口的壁1054處和周圍的不均勻沉積而產(chǎn)生的非均勻區(qū)域1074。在所說明的實施例中，可變形層1070中的非均勻性(薄區(qū)域或厚區(qū)域)導(dǎo)致可變形層1070中不合需要的和/或不可預(yù)測的機械特性，例如不足的剛性、過多的剛性或甚至損壞。此外所說明的實施例，第二犧牲層1050中的第一和第二階梯或凸緣1064和1062在支撐柱1080與可變形層1070之間形成變換部分(包括至少兩個弓形或凸?fàn)畋砻?090a和1090b)，這一配置也導(dǎo)致所完成的裝置中不可預(yù)測的特性。在一些實施例中，第二犧牲層中的第一階梯1064促使可變形層不填充第一開口1052，而是替代地形成“橋接物”1076。此類型的缺陷導(dǎo)致非功能性裝置，因為可變形層1070不被支撐。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，上述設(shè)備和制造工藝可能存在變化，例如添加和/或去除組件和/或步驟和/或改變其次序。此外，本文描述的方法、結(jié)構(gòu)和系統(tǒng)可用于制造其它電子裝置，包含其它類型的MEMS裝置(例如，其它類型的光學(xué)調(diào)制器)。此外，雖然以上具體實施方式已展示、描述并指出了應(yīng)用于各種實施例的本發(fā)明的新穎特征，但將了解，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可在不脫離本發(fā)明精神的情況下作出所說明的裝置或工藝的形式和細(xì)節(jié)上的各種省略、替代和變化。如將了解，本發(fā)明可實施在不提供本文陳述的所有特征和益處的形式內(nèi)，因為一些特征可能與其它特征分離而加以使用或?qū)嵺`。權(quán)利要求1.一種用于制造微機電系統(tǒng)裝置的方法，其包括在一第一犧牲層上方形成一導(dǎo)電層；從所述導(dǎo)電層圖案化一可移動導(dǎo)體；和在所述可移動導(dǎo)體和第一犧牲層上方形成一第二犧牲層的一平坦層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述第二犧牲層包括回流所述層、非均勻地曝光所述層、以非最佳化波長曝光所述層、不充分曝光所述層或其組合。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進一步包括在形成所述第二犧牲層之前在所述第一犧牲層中形成一開口，其中所述開口鄰近于所述可移動導(dǎo)體。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其進一步包括在所述第二犧牲層中形成一第一開口，其中所述第二犧牲層中的所述第一開口鄰近于所述可移動導(dǎo)體；且所述第二犧牲層中的所述第一開口與所述第一犧牲層中的所述開口大體上對準(zhǔn)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其進一步包括在所述第二犧牲層中形成一第二開口，其中所述第二犧牲層中的所述第二開口在所述可移動導(dǎo)體上方大體上位于中心處。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述第二犧牲層中的所述第一開口形成一大體上光滑階梯，所述大體上光滑階梯大體上覆蓋所述可移動導(dǎo)體和所述第一犧牲層。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其進一步包括在所述第二犧牲層上方形成一可變形層。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述可變形層大體上沿循所述光滑階梯。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其進一步包括在形成所述可變形層之后大體上去除所述整個第二犧牲層。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第二犧牲層是一自平坦化材料。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述自平坦化材料包括一抗蝕劑、一光致抗蝕劑、旋涂玻璃、旋涂電介質(zhì)或其組合。12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述微機電系統(tǒng)裝置是光學(xué)調(diào)制器。13.一種通過根據(jù)權(quán)利要求1-12中任一權(quán)利要求所述的方法制造的干涉儀調(diào)制器。14.一種微機電系統(tǒng)裝置，其包括形成在一第一犧牲層上方的一可移動導(dǎo)體，和形成在所述可移動導(dǎo)體和所述第一犧牲層上方的平坦的一第二犧牲層。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微機電系統(tǒng)裝置，其進一步包括所述第一犧牲材料中鄰近于鏡面的一第一開口。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的微機電系統(tǒng)裝置，其進一步包括所述第二犧牲材料中鄰近于所述鏡面的一第二開口。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的微機電系統(tǒng)裝置，其進一步包括形成在所述第二犧牲材料上方的一可變形層。18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微機電系統(tǒng)裝置，其中所述第二犧牲層包括一自平坦化材料。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的微機電系統(tǒng)裝置，其中所述自平坦化材料包括一抗蝕劑、光致抗蝕劑、旋涂玻璃、旋涂電介質(zhì)或其組合。20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的微機電系統(tǒng)裝置，其中所述微機電系統(tǒng)裝置是一光學(xué)調(diào)制器。21.一種用于制造干涉儀調(diào)制器的方法，其包括形成一第一犧牲層；在所述第一犧牲層上方形成一鏡面層；圖案化反射層以形成一鏡面；和在所述鏡面和所述第一犧牲層上方旋涂一第二犧牲層。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第二犧牲層包括一抗蝕劑、一光致抗蝕劑、旋涂玻璃、旋涂電介質(zhì)或其組合。23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其進一步包括在所述第二犧牲層中鄰近于所述圖案化導(dǎo)電層形成一第一開口。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中所述第二犧牲層中的所述第一開口形成一大體上光滑階梯，所述大體上光滑階梯大體上覆蓋所述可移動導(dǎo)體和所述第一犧牲層。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其進一步包括在所述第二犧牲層上方形成一可變形層。26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述可變形層大體上沿循所述光滑階梯。27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中所述可變形層至少部分地填充所述第二犧牲層中的所述第一開口，藉此形成與所述可變形層集成的一支撐柱。28.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其進一步包括蝕刻去除所述第二犧牲層。29.一種通過根據(jù)權(quán)利要求21-28中任一權(quán)利要求所述的方法制造的干涉儀調(diào)制器。30.一種設(shè)備，其包括一襯底；一可變形層；多個柱，其在所述襯底與所述可變形層之間延伸，其中所述柱與可變形層集成；一光學(xué)堆疊，其形成在所述襯底上靠近所述可變形層處；一可移動鏡面，其安置在所述光學(xué)堆疊與所述可變形層之間；一連接器，其將所述可移動鏡面固定到所述可變形層；和一柱與所述可變形層之間的一變換部分，其大體上包括一單一弓形表面。31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其進一步包括一處理器，其與所述光學(xué)堆疊和所述可移動鏡面中的至少一者電連通，其中所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；和一存儲器裝置，其與所述處理器電連通。32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的設(shè)備，其進一步包括一驅(qū)動器電路，所述驅(qū)動器電路經(jīng)配置以將至少一個信號發(fā)送到所述光學(xué)堆疊和所述可移動鏡面中的至少一者。33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的設(shè)備，其進一步包括一控制器，所述控制器經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送到所述驅(qū)動器電路。34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的設(shè)備，其進一步包括一圖像源模塊，所述圖像源模塊經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送到所述處理器。35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的設(shè)備，其中所述圖像源模塊包括一接收器、收發(fā)器和發(fā)射器中的至少一者。36.根據(jù)權(quán)利要求31所述的設(shè)備，其進一步包括一輸入裝置，所述輸入裝置經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)并將所述輸入數(shù)據(jù)傳送到所述處理器。37.一種設(shè)備，其包括一襯底構(gòu)件；一可變形構(gòu)件，其用于控制所述設(shè)備中的移動；一支撐構(gòu)件，其與所述可變形構(gòu)件集成以用于支撐所述可變形構(gòu)件；一變換構(gòu)件，其用于以具有預(yù)定機械特性的物理上堅固的一結(jié)構(gòu)將所述支撐構(gòu)件與所述可變形構(gòu)件集成；一可移動構(gòu)件，其用于激活所述設(shè)備，其中所述可移動構(gòu)件安置在所述襯底與所述可變形層之間；和一連接構(gòu)件，其用于將所述可移動構(gòu)件固定到所述可變形構(gòu)件。38.根據(jù)權(quán)利要求37所述的設(shè)備，其中所述襯底構(gòu)件包括一玻璃襯底。39.根據(jù)權(quán)利要求37或38所述的設(shè)備，其中所述可變形構(gòu)件包括一可變形層。40.根據(jù)權(quán)利要求37、38或39所述的設(shè)備，其中所述支撐構(gòu)件包括多個柱。41.根據(jù)權(quán)利要求37、38、39或40所述的設(shè)備，其中所述變換構(gòu)件包括一單一弓形表面。42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的設(shè)備，其進一步包括用于形成所述變換構(gòu)件的一構(gòu)件。43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的設(shè)備，其中所述用于形成所述變換構(gòu)件的構(gòu)件包括形成在所述可移動構(gòu)件上方的一平坦的犧牲層。44.根據(jù)權(quán)利要求37、38、39、40或41所述的設(shè)備，其中所述可移動構(gòu)件包括一可移動導(dǎo)體。45.根據(jù)權(quán)利要求37、38、39、40、41或42所述的設(shè)備，其中所述連接構(gòu)件包括一連接器。46.一種用于操作干涉儀調(diào)制器的方法，其中所述干涉儀調(diào)制器包括一襯底；一可變形層；多個柱，其在所述襯底與所述可變形層之間延伸，其中所述柱與可變形層集成；一光學(xué)堆疊，其形成在所述襯底上靠近所述可變形層處；一鏡面，其安置在所述光學(xué)堆疊與所述可變形層之間可在至少一松弛位置與一激活位置之間移動；一連接器，其將所述可移動鏡面固定到所述可變形層；和一柱與所述可變形層之間的一變換部分，其大體上包括一單一弓形表面，所述方法包括將一第一電壓施加到所述可移動鏡面，所述第一電壓足以使所述可移動鏡面從所述松弛位置移動到所述激活位置。47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中所述第一電壓約為+5伏。48.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其進一步包括將一第二電壓施加到所述可移動導(dǎo)體，所述第二電壓足以使第二鏡面從所述激活位置移動到所述松弛位置。49.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，其中所述第二電壓約為-5伏。全文摘要本發(fā)明提供一種微機電系統(tǒng)(MEMS)裝置800，其包括集成柱和可變形層870。在一些實施例中，所述柱與可變形層之間的變換部分大體上包括單一弓形或凸?fàn)畋砻妫宕颂峁C械上堅固的結(jié)構(gòu)。一些實施例提供一種用于制造MEMS裝置的方法，其包括使用自平坦化犧牲材料，所述自平坦化犧牲材料提供有助于在其上面形成相對均勻的可變形層的表面。文檔編號G02B5/02GK101018735SQ200580030994公開日2007年8月15日申請日期2005年9月9日優(yōu)先權(quán)日2004年9月27日發(fā)明者克拉倫斯·徐,杰弗里·B·桑普塞爾申請人:Idc公司