專利名稱：制作于經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底上的mems裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域涉及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)及對此種系統(tǒng)的封裝。更具體而言，本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域涉及干涉式調(diào)制器及在一預(yù)先圖案化襯底上制作此種干涉式調(diào)制器的方法。
背景技術(shù)：
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)包括微機(jī)械元件、激活器及電子元件。微機(jī)械元件可采用沉積、蝕刻或其他可蝕刻掉襯底及/或所沉積材料層的若干部分或可添加若干層以形成電和機(jī)電裝置的微機(jī)械加工工藝制成。一種類型的MEMS裝置被稱為干涉式調(diào)制器。如本文中所使用，術(shù)語“干涉式調(diào)制器”或“干涉式光調(diào)制器”是指一種利用光學(xué)干涉原理有選擇地吸收及/或反射光的裝置。在某些實施例中，干涉式調(diào)制器可包含一對導(dǎo)電板，該對導(dǎo)電板中的一或二者可全部或部分地透明及/或為反射性，且在施加一個適當(dāng)電信號時能夠相對移動。在一特定的實施例中，一個板可包含一沉積在一襯底上的靜止層，而另一個板可包含一通過一氣隙或空腔與該靜止層隔開的金屬薄膜。如同本文中所更詳細(xì)說明，一個板相對于另一個板的位置可改變該干涉式調(diào)制器上入射光的光學(xué)干涉。這些裝置具有廣泛的應(yīng)用范圍，且在所屬領(lǐng)域中，利用及/或修改這些類型裝置的特性、以使其性能可用于改善現(xiàn)有產(chǎn)品及制造目前尚未開發(fā)的新產(chǎn)品將頗為有益。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的系統(tǒng)、方法及裝置均具有多個方面，任一單個方面均不能單獨決定其所期望特性?，F(xiàn)在，將簡要說明其較主要的特性，但此并不限定本發(fā)明的范圍。在考慮此討論內(nèi)容后，尤其是在閱讀標(biāo)題為“具體實施方式
”的部分后，人們即可理解本發(fā)明的特性如何提供優(yōu)于其他顯示裝置的優(yōu)點。本文所述實施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)及一種在環(huán)境條件下制造一封裝結(jié)構(gòu)的方法。
一實施例提供一種制作一微機(jī)電系統(tǒng)裝置的方法。提供一具有多個溝槽的襯底。在所述襯底上沉積至少一個層，其中所述層在所述溝槽處不連續(xù)。在一形成于所述襯底上的第一電極與一第二電極之間形成一第一空腔，其中所述至少一個層包含所述第一電極。
根據(jù)另一實施例，提供一種顯示裝置，其包括一其中具有多個凹槽的襯底，一形成于所述襯底的一頂面上的第一電極及一第二電極，一半反射性層；及一形成于鉻層上的透明材料。所述第一電極與所述第二電極相互絕緣并通過一第一空腔隔開。所述半反射性層與所述第二電極通過一第二空腔隔開。
根據(jù)又一實施例，提供一種形成一微機(jī)電系統(tǒng)裝置的方法。提供一具有一頂面的襯底，其中在所述頂面中形成多個凹槽。在所述襯底上面沉積至少一個層，其中所述至少一個層包含一第一導(dǎo)電材料且在所述凹槽處不連續(xù)，從而在所述頂面上形成所述層的各個行。沉積一第二導(dǎo)電材料，其中所述第二導(dǎo)電材料與所述頂面上的所述第一導(dǎo)電材料正交地定向。
根據(jù)另一實施例，提供一種顯示裝置。所述顯示裝置包括一其中形成有多個凹槽的襯底，一形成于所述襯底一頂面上以用于反射光的第一反射構(gòu)件及一用于反射光的第二反射構(gòu)件，一與所述第二反射構(gòu)件相隔一第二空腔的半反射性層，及一用于透射光的觀看構(gòu)件。所述第一反射構(gòu)件與所述第二反射構(gòu)件相互絕緣并相隔一第一空腔，且所述觀看構(gòu)件形成于所述半反射性層上面。


根據(jù)下文說明及附圖(未按比例繪制)將易知本發(fā)明的這些及其他方面，這些附圖旨在例示而非限定本發(fā)明，附圖中圖1為一等軸圖，其顯示一干涉式調(diào)制器顯示器的一實施例的一部分，其中一第一干涉式調(diào)制器的一可移動反射層處于一松弛位置，且一第二干涉式調(diào)制器的一可移動反射層處于一受激活位置。
圖2為一系統(tǒng)方塊圖，其圖解說明一包含一3×3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一實施例。
圖3為圖1所示干涉式調(diào)制器的一實例性實施例的可移動鏡面位置與所施加電壓的關(guān)系圖。
圖4為一組可用于驅(qū)動干涉式調(diào)制器顯示器的行和列電壓的示意圖。
圖5A圖解說明圖2所示3×3干涉式調(diào)制器顯示器中的一個實例性顯示數(shù)據(jù)幀。
圖5B圖解說明可用于寫入圖5A所示幀的行信號及列信號的一個實例性時序圖。
圖6A及6B為系統(tǒng)方塊圖，其圖解說明一包含多個干涉式調(diào)制器的視覺顯示裝置的一實施例。
圖7A為一圖1所示裝置的剖面圖。
圖7B為一干涉式調(diào)制器的一替代實施例的剖面圖。
圖7C為一干涉式調(diào)制器的另一替代實施例的剖面圖。
圖7D為一干涉式調(diào)制器的再一替代實施例的剖面圖。
圖7E為一干涉式調(diào)制器的又一替代實施例的剖面圖。
圖8A-8C為根據(jù)一實施例，形成于一經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底上的干涉式調(diào)制器的剖面圖。
圖8D為根據(jù)另一實施例，形成于一經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底上的干涉式調(diào)制器的剖面圖。
圖8E為根據(jù)再一實施例，形成于一經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底上的干涉式調(diào)制器的剖面圖。
具體實施例方式
下文詳細(xì)說明涉及本發(fā)明的某些具體實施例。然而，本發(fā)明可通過多種不同方式實施。在本說明中，會參照附圖，在所有附圖中，使用相同的編號來標(biāo)識相同的部件。根據(jù)以下說明容易看出，這些實施例可實施于任一經(jīng)配置以顯示圖像(無論是動態(tài)圖像(例如視頻)還是靜態(tài)圖像(例如靜止圖像)，無論是文字圖像還是圖片圖像)的裝置中。更具體而言，本發(fā)明涵蓋本發(fā)明可在例如(但不限于)以下等眾多電子裝置中實施或與該些電子裝置相關(guān)聯(lián)移動電話、無線裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手持式計算機(jī)或便攜式計算機(jī)、GPS接收器/導(dǎo)航器、照相機(jī)、MP3播放器、攝錄機(jī)、游戲控制臺、手表、鐘表、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器(例如里程表顯示器等)、駕駛艙控制裝置及/或顯示器、照相機(jī)景物顯示器(例如車輛的后視照相機(jī)顯示器)、電子照片、電子告示牌或標(biāo)牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝及美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如一件珠寶上的圖像顯示器)。與本文所述MESE裝置具有類似結(jié)構(gòu)的MEMS裝置也可用于非顯示應(yīng)用，例如用于電子切換裝置。
在圖1中圖解說明一種包含一干涉式MEMS顯示元件的干涉式調(diào)制器顯示器實施例。在這些裝置中，像素處于亮或暗狀態(tài)。在亮(“on(開)”或“Open(打開)”)狀態(tài)下，顯示元件將入射可見光的一大部分反射至用戶。在處于暗(“off(關(guān))”或“Closed(關(guān)閉)”)狀態(tài)下時，顯示元件幾乎不向用戶反射入射可見光。視不同的實施例而定，可顛倒“on(開)”及“off(關(guān))”狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可經(jīng)配置以主要在所選色彩下反射，以除黑色和白色之外還可實現(xiàn)彩色顯示。
圖1為一等軸圖，其繪示一視覺顯示器中一系列像素中的兩個相鄰像素，其中每一像素包含一MEMS干涉式調(diào)制器。在某些實施例中，一干涉式調(diào)制器顯示器包含一由這些干涉式調(diào)制器構(gòu)成的行/列陣列。每一干涉式調(diào)制器包括一對反射層，該對反射層定位成彼此相距一可變且可控的距離，以形成一至少具有一個可變尺寸的光學(xué)諧振腔。在一實施例中，其中一個反射層可在兩個位置之間移動。在本文中稱為松弛位置的第一位置上，該可移動層定位于距一固定的局部反射層相對遠(yuǎn)的距離處。在本文中稱作受激活位置的第二位置上，可移動反射層定位成更緊密地鄰近局部反射層。根據(jù)可移動反射層的位置而定，從這兩個層反射的入射光會以相長或相消方式干涉，從而形成各像素的總體反射或非反射狀態(tài)。
在圖1中所繪示的像素陣列部分包括兩個相鄰的干涉式調(diào)制器12a和12b。在左側(cè)的干涉式調(diào)制器12a中，顯示一可移動反射層14a處于一松弛位置，該松弛位置距一包含一局部反射層的光學(xué)堆疊16a一預(yù)定距離。在右側(cè)的干涉式調(diào)制器12b中，顯示一可移動反射層14b處于一靠近光學(xué)堆疊16b的受激活位置處。
本文中所提及的光學(xué)堆疊16a及16b(統(tǒng)稱為光學(xué)堆疊16)通常由數(shù)個熔合的層構(gòu)成，此可包括電極層(例如氧化銦錫(ITO))、局部反射層(例如鉻)、及透明電介質(zhì)。光學(xué)堆疊16因此為導(dǎo)電性、局部透明及局部反射性，并可例如通過將上述各層中的一個或多個層沉積至透明襯底20上來制成。在某些實施例中，所述層被圖案化成平行條帶，且可形成顯示裝置中的行電極，如將在下文中所進(jìn)一步說明。可移動反射層14a、14b可形成為由沉積在支柱18頂部的一個或多個沉積金屬層(與行電極16a、16b正交)及沉積在支柱18之間的中間犧牲材料構(gòu)成的一系列平行條帶。在犧牲材料被蝕刻掉后，可移動反射層14a、14b與光學(xué)堆疊16a、16b相隔一規(guī)定氣隙19。反射層14可使用具有高度導(dǎo)電性及反射性的材料(例如鋁)，且這些條帶可形成顯示裝置中的列電極。
在不施加電壓時，空腔19保持處于可移動反射層14a與光學(xué)堆疊16a之間，其中可移動反射層14a處于機(jī)械松弛狀態(tài)，如圖1中的像素12a所示。然而，在向一所選行和列施加電位差之后，在對應(yīng)像素處的所述行和列電極相交處形成的電容器變成充電狀態(tài)，且靜電力將這些電極拉向一起。如果所述電壓足夠高，則可移動反射層14會變形并受迫壓抵光學(xué)堆疊16。光學(xué)堆疊16內(nèi)的介電層(在該圖中未顯示)可防止短路并控制層14與16之間的間隔距離，如圖1中右邊的像素12b所示。無論所施加的電位差極性如何，其行為均相同。由此可見，可控制反射與非反射像素狀態(tài)的行/列激活與在傳統(tǒng)的LCD及其他顯示技術(shù)中所用的行/列激活在許多方面相似。
圖2至圖5B圖解說明一個在顯示應(yīng)用中使用干涉調(diào)制器陣列的實例性過程及系統(tǒng)。
圖2為一系統(tǒng)方塊圖，其圖解說明一可體現(xiàn)本發(fā)明各方面的電子裝置的一個實施例。在該實例性實施例中，該電子裝置包括一處理器21，該處理器21可為任何通用單芯片或多芯片微處理器，例如ARM、Pentium、Pentium II、Pentium III、PentiumIV、PentiumPro、8051、MIPS、Power PC、ALPHA，或任何專用微處理器，例如數(shù)字信號處理器、微控制器或可編程門陣列。按照業(yè)內(nèi)慣例，可將處理器21配置成執(zhí)行一個或多個軟件模塊。除執(zhí)行一操作系統(tǒng)外，還可將該處理器配置成執(zhí)行一個或多個軟件應(yīng)用程序，包括網(wǎng)頁瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其他軟件應(yīng)用程序。
在一實施例中，處理器21還被配置成與一陣列驅(qū)動器22進(jìn)行通信。在一實施例中，陣列驅(qū)動器22包括向一顯示陣列或面板30提供信號的一行驅(qū)動電路24及一列驅(qū)動電路26。圖1中所示的陣列剖面圖在圖2中以線1-1示出。對于MEMS干涉式調(diào)制器，所述行/列激活協(xié)議可利用圖3所示的這些裝置的滯后性質(zhì)。其可能需要例如一10伏的電位差來使一可移動層自松弛狀態(tài)變形至受激活狀態(tài)。然而，當(dāng)該電壓自該值降低時，在該電壓降低回至10伏以下時，該可移動層將保持其狀態(tài)。在圖3所示的實例性實施例中，在電壓降低至2伏以下之前，可移動層不完全松弛。因此，在圖3所示實例中，存在一大約為3至7伏的電壓范圍，在該電壓范圍內(nèi)存在一所施加電壓窗口，在該窗口內(nèi)，該裝置穩(wěn)定在松弛或受激活狀態(tài)。在本文中將其稱為“滯后窗口”或“穩(wěn)定窗口”。對于一具有圖3所示滯后特性的顯示陣列而言，行/列激活協(xié)定可設(shè)計成在行選通期間向所選通行中要被激活的像素施加一約10伏的電壓差，并向要松弛的像素施加一接近0伏的電壓差。在選通之后，向像素施加一約5伏的穩(wěn)態(tài)電壓差，以使其保持在行選通使其所處的任何狀態(tài)。在此實例中，在被寫入之后，每一像素均承受一處于3-7伏“穩(wěn)定窗口”內(nèi)的電位差。該特性使圖1所示的像素設(shè)計在相同的所施加電壓條件下穩(wěn)定在一先前存在的受激活狀態(tài)或松弛狀態(tài)。由于干涉調(diào)制器的每一像素?zé)o論是處于受激活狀態(tài)還是松弛狀態(tài)，實質(zhì)上均是一由該固定反射層及移動反射層所構(gòu)成的電容器，因此，該穩(wěn)定狀態(tài)可被保持在該滯后窗口內(nèi)的一電壓下而幾乎不消耗功率。如果所施加的電位固定，則實質(zhì)上沒有電流流入像素。
在典型應(yīng)用中，可通過根據(jù)第一行中所期望的一組受激活像素確定一組列電極而形成一顯示幀。此后，將一行脈沖施加至第1行的電極，從而激活與所確定的列線對應(yīng)的像素。此后，將所確定的一組列電極變成與第二行中所期望的一組受激活像素對應(yīng)。此后，將一脈沖施加至第2行的電極，從而根據(jù)所確定的列電極來激活第2行中的相應(yīng)像素。第1行的像素不受第2行的脈沖的影響，因而保持其在第1行的脈沖期間所設(shè)定到的狀態(tài)?？砂匆谎蚍绞綄φ麄€系列的行重復(fù)上述步驟，以形成該幀。通常，通過以某一所期望幀數(shù)/秒的速度連續(xù)重復(fù)該過程來用新顯示數(shù)據(jù)刷新及/或更新這些幀。還有很多種用于驅(qū)動像素陣列的行及列電極以形成顯示幀的協(xié)定為人們所熟知，且可與本發(fā)明一起使用。
圖4、5A及5B圖解說明一種用于在圖2所示的3×3陣列上形成一顯示幀的可能的激活協(xié)議。圖4顯示一組可用于具有圖3所示滯后曲線的像素的可能的行及列電壓電平。在圖4的實施例中，激活一像素包括將相應(yīng)的列設(shè)定至-V偏壓，并將相應(yīng)的行設(shè)定至+ΔV，其可分別對應(yīng)于-5伏及+5伏。使像素松弛則是通過將相應(yīng)的列設(shè)定至+V偏壓并將相應(yīng)的行設(shè)定至相同的+ΔV以在該像素兩端形成一0伏的電位差來實現(xiàn)。在那些行電壓保持為0伏的行中，無論列是處于+V偏壓還是-V偏壓，像素均穩(wěn)定于其最初所處的任何狀態(tài)。如也在圖4中所顯示，應(yīng)了解，也可使用與上面所述電壓具有相反極性的電壓，例如，激活一像素可涉及到將相應(yīng)的列設(shè)定至+V偏壓并將相應(yīng)的行設(shè)定至-ΔV。在該實施例中，釋放像素是通過將相應(yīng)的列設(shè)定至-V偏壓并將相應(yīng)的行設(shè)定至相同的-ΔV、從而在像素兩端形成一0伏的電位差來實現(xiàn)。如也在圖4中所顯示，應(yīng)了解，也可使用與上面所述電壓具有相反極性的電壓，例如，激活一像素可涉及到將相應(yīng)的列設(shè)定至+V偏壓并將相應(yīng)的行設(shè)定至-ΔV。在該實施例中，釋放像素是通過將相應(yīng)的列設(shè)定至-V偏壓并將相應(yīng)的行設(shè)定至相同的-ΔV、從而在像素兩端形成一0伏的電位差來實現(xiàn)。
圖5B為一顯示一系列行及列信號的時序圖，這些信號施加至圖2所示的3×3陣列，其將形成圖5A所示的顯示布置，其中受激活像素為非反射性的。在寫入圖5A所示的幀之前，像素可處于任何狀態(tài)，且在該實例中，所有行均處于0伏，且所有列均處于+5伏。在這些所施加的電壓下，所有像素均穩(wěn)定于其現(xiàn)有的受激活狀態(tài)或松弛狀態(tài)。
在圖5A所示的幀中，像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)及(3，3)受到激活。為實現(xiàn)這一效果，在第1行的一“線時間”期間，將第1列及第2列設(shè)定為-5伏，并將第3列設(shè)定為+5伏。此不會改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)，因為所有像素均保持處于3-7伏的穩(wěn)定窗口內(nèi)。此后，通過一自0伏上升至5伏然后又下降回到0伏的脈沖來選通第1行。由此激活像素(1，1)和(1，2)并使像素(1，3)松弛。陣列中的其他像素均不受影響。為將第2行設(shè)定為所期望狀態(tài)，將第2列設(shè)定為-5伏，并將第1列及第3列設(shè)定為+5伏。此后，施加至第2行的相同的選通脈沖將激活像素(2，2)并使像素(2，1)和(2，3)松弛。同樣，陣列中的其他像素均不受影響。類似地，通過將第2列和第3列設(shè)定為-5伏、并將第1列設(shè)定為+5伏來設(shè)定第3行。第3行選通脈沖將第3行像素設(shè)定為圖5A所示的狀態(tài)。在寫入幀之后，行電位為0，而列電位可保持在+5或-5伏，且此后顯示將穩(wěn)定于圖5A所示的布置。應(yīng)了解，可對由數(shù)十或數(shù)百個行和列構(gòu)成的陣列使用相同的程序。還應(yīng)了解，用于執(zhí)行行及列激活的電壓的定時、順序、及電平可在上面所概述的大體原理內(nèi)變化很大，且上述實例只是實例性的，并可將任一種激活電壓方法與本文所述的系統(tǒng)及方法一起使用。
圖6A及6B為圖解說明一顯示裝置40的一實施例的系統(tǒng)方塊圖。顯示裝置40例如可為蜂窩式電話或移動電話。然而，顯示裝置40的相同組件及其稍作變化的形式也可作為例如電視及便攜式媒體播放器等各種類型顯示裝置的例證。
顯示裝置40包括一外殼41、一顯示器30、一天線43、一揚聲器44、一輸入裝置48、及一麥克風(fēng)46。外殼41通常由所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知的許多種制造工藝中的任何一種制成，包括注射成型及真空成形。另外，外殼41可由許多種材料中的任何一種制成，包括但不限于塑料、金屬、玻璃、橡膠及陶瓷，或其一組合。在一實施例中，外殼41包括可拆卸部分(未示出)，其可與其他具有不同顏色或包含不同標(biāo)志、圖片或符號的可拆卸部分互換。
實例性顯示裝置40的顯示器30可為眾多種顯示器中的任一種，包括本文所述的雙穩(wěn)顯示器。在其他實施例中，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員眾所周知，顯示器30包括一平板顯示器，例如上文所述的等離子體顯示器、EL、OLED、STN LCD或TFT LCD，或一非平板顯示器，例如CRT或其他顯像管裝置。然而，為便于說明本實施例，如本文中所述，顯示器30包括一干涉式調(diào)制器顯示器。
在圖6B中示意性地圖解說明實例性顯示裝置40的一實施例的組件。所示實例性顯示裝置40包括一外殼41，并可包括其他至少部分地封閉于其中的組件。例如，在一實施例中，實例性顯示裝置40包括一網(wǎng)絡(luò)接口27，網(wǎng)絡(luò)接口27包括一耦接至一收發(fā)器47的天線43。收發(fā)器47連接至處理器21，處理器21又連接至調(diào)節(jié)硬件52。調(diào)節(jié)硬件52可經(jīng)配置以對一信號進(jìn)行調(diào)節(jié)(例如對一信號進(jìn)行濾波)。調(diào)節(jié)軟件52連接至一揚聲器45及一麥克風(fēng)46。處理器21還連接至一輸入裝置48及一驅(qū)動控制器29。驅(qū)動控制器29耦接至一幀緩沖器28并耦接至陣列驅(qū)動器22，陣列驅(qū)動器22又耦接至一顯示陣列30。一電源50根據(jù)具體實例性顯示裝置40的設(shè)計所要求為所有組件供電。
網(wǎng)絡(luò)接口27包括天線43及收發(fā)器47，以使實例性顯示裝置40可通過網(wǎng)絡(luò)與一個或多個裝置進(jìn)行通信。在一實施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27還可具有某些處理功能，以降低對處理器21的要求。天線43是為所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所知的任一種用于發(fā)射和接收信號的天線。在一實施例中，該天線根據(jù)IEEE 802.11標(biāo)準(zhǔn)(包括IEEE 802.11(a)，(b)，或(g))來發(fā)射及接收RF信號。在另一實施例中，該天線根據(jù)藍(lán)牙(BLUETOOTH)標(biāo)準(zhǔn)來發(fā)射及接收RF信號。倘若為蜂窩式電話，則該天線被設(shè)計成接收CDMA、GSM、AMPS或其他用于在無線移動電話網(wǎng)絡(luò)中進(jìn)行通信的習(xí)知信號。收發(fā)器47對自天線43接收的信號進(jìn)行預(yù)處理，以使其可由處理器21接收及進(jìn)一步處理。收發(fā)器47還處理自處理器21接收到的信號，以使其可通過天線43自實例性顯示裝置40發(fā)射。
在一替代實施例中，可使用一接收器取代收發(fā)器47。在再一替代實施例中，網(wǎng)絡(luò)接口27可由一可存儲或產(chǎn)生要發(fā)送至處理器21的圖像數(shù)據(jù)的圖像源替代。例如，該圖像源可為數(shù)字視盤(DVD)或一含有圖像數(shù)據(jù)的硬盤驅(qū)動器、或一產(chǎn)生圖像數(shù)據(jù)的軟件模塊。
處理器21通?？刂茖嵗燥@示裝置40的整體運行。處理器21自網(wǎng)絡(luò)接口27或一圖像源接收數(shù)據(jù)，例如經(jīng)壓縮的圖像數(shù)據(jù)，并將該數(shù)據(jù)處理成原始圖像數(shù)據(jù)或一種易于處理成原始圖像數(shù)據(jù)的格式。然后，處理器21將處理后的數(shù)據(jù)發(fā)送至驅(qū)動控制器29或發(fā)送至幀緩沖器28進(jìn)行存儲。原始數(shù)據(jù)通常是指標(biāo)識一圖像內(nèi)每一位置處的圖像特征的信息。例如，這些圖像特征可包括顏色、飽和度及灰度級。
在一實施例中，處理器21包括一微控制器、CPU、或用于控制實例性顯示裝置40的運行的邏輯單元。調(diào)節(jié)硬件52通常包括用于向揚聲器45發(fā)射信號及從麥克風(fēng)46接收信號的放大器及濾波器。調(diào)節(jié)硬件52可為實例性顯示裝置40內(nèi)的離散組件，或者可并入處理器21或其他組件內(nèi)。
驅(qū)動控制器29直接自處理器21或自幀緩沖器28獲取由處理器21產(chǎn)生的原始圖像數(shù)據(jù)，并適當(dāng)?shù)貙⒃紙D像數(shù)據(jù)重新格式化以便高速傳輸至陣列驅(qū)動器22。具體而言，驅(qū)動控制器29將原始圖像數(shù)據(jù)重新格式化成一具有光柵狀格式的數(shù)據(jù)流，以使其具有一適合于掃描顯示陣列30的時間次序。然后，驅(qū)動控制器29將格式化后的信息發(fā)送至陣列驅(qū)動器22。盡管一驅(qū)動控制器29(例如一LCD控制器)常常作為一獨立的集成電路(IC)與系統(tǒng)處理器21相關(guān)聯(lián)，但這些控制器可按許多種方式進(jìn)行構(gòu)建。其可作為硬件嵌入于處理器21中、作為軟件嵌入于處理器21中、或以硬件形式與陣列驅(qū)動器22完全集成。
通常，陣列驅(qū)動器22自驅(qū)動控制器29接收格式化后的信息并將視頻數(shù)據(jù)重新格式化成一組平行的波形，該組平行的波形每秒許多次地施加至來自顯示器的x-y像素矩陣的數(shù)百條且有時數(shù)千條引線。
在一實施例中，驅(qū)動控制器29、陣列驅(qū)動器22、及顯示陣列30適用于本文所述任一類型的顯示器。例如，在一實施例中，驅(qū)動控制器29是一傳統(tǒng)的顯示控制器或一雙穩(wěn)顯示控制器(例如一干涉式調(diào)制器控制器)。在另一實施例中，陣列驅(qū)動器22為一傳統(tǒng)驅(qū)動器或一雙穩(wěn)顯示驅(qū)動器(例如一干涉式調(diào)制器顯示器)。在一實施例中，一驅(qū)動控制器29與陣列驅(qū)動器22集成在一起。這種實施例在例如蜂窩式電話、手表及其它小面積顯示器等高度集成的系統(tǒng)中很常見。在又一實施例中，顯示陣列30是一典型的顯示陣列或一雙穩(wěn)顯示陣列(例如一包含一干涉式調(diào)制器陣列的顯示器)。
輸入裝置48使用戶能夠控制實例性顯示裝置40的運行。在一實施例中，輸入裝置48包括一小鍵盤(例如一QWERTY鍵盤或一電話小鍵盤)、一按鈕、一開關(guān)、一觸敏屏幕、一壓敏或熱敏薄膜。在一實施例中，麥克風(fēng)46是實例性顯示裝置40的輸入裝置。當(dāng)使用麥克風(fēng)46向該裝置輸入數(shù)據(jù)時，可由用戶提供語音命令來控制實例性顯示裝置40的運行。
電源50可包括眾多種能量存儲裝置，此在所屬領(lǐng)域中眾所周知。例如，在一實施例中，電源50為一可再充電式電池，例如一鎳-鎘電池或鋰離子電池。在另一實施例中，電源50為一可再生能源、電容器或太陽能電池，包括一塑料太陽能電池及太陽能電池涂料。在另一實施例中，電源50經(jīng)配置以從墻上的插座接收電力。
在某些實施方案中，如上所述，控制可編程性駐存于一可位于電子顯示系統(tǒng)中數(shù)個位置內(nèi)的驅(qū)動控制器中。在某些情形中，控制可編程性駐存于陣列驅(qū)動器22中。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將知，可在任意數(shù)量的硬件及/或軟件組件中及在不同的配置中實施上述優(yōu)化。
按照上述原理運行的干涉式調(diào)制器的詳細(xì)結(jié)構(gòu)可千變?nèi)f化。例如，圖7A-7E圖解說明可移動反射層14及其支撐結(jié)構(gòu)的五個不同的實施例。圖7A為圖1所示實施例的剖面圖，其中在正交延伸的支撐件18上沉積一金屬材料條帶14。在圖7B中，可移動反射層14僅在隅角處在系鏈32上附接至支撐件。在圖7C中，可移動反射層14懸掛于一可變形層34上，可變形層34可包含一種柔性金屬?？勺冃螌?4直接或間接地在可變形層34的周邊周圍連接至襯底20上。這些連接在本文中稱作支撐柱。圖7D中所示的實施例具有支撐柱栓塞42，可變形層34即位于支撐柱栓塞42上。如在圖7A-7C中所示，可移動反射層14保持懸置于空腔上面，但可變形層34并未通過填充可變形層34與光學(xué)堆疊16之間的孔來形成支撐柱。而是，由用于形成支撐柱栓塞42的平坦化材料形成所述支撐柱。圖7E中所示的實施例是基于圖7D中所示的實施例，但也可經(jīng)修改以與圖7A-7C中所示的任一實施例以及未顯示的其他實施例一起使用。在圖7E中所示的實施例中，已使用額外的一層金屬或其他導(dǎo)電材料來形成一總線結(jié)構(gòu)44。此使信號能夠沿干涉式調(diào)制器的背面路由，從而消除了原本可能須形成于襯底20上的若干電極。
在例如在圖7所示的那些實施例中，干涉式調(diào)制器用作直視式裝置，其中自透明襯底20的前側(cè)(與上面布置有調(diào)制器的側(cè)相對的側(cè))觀看圖像。在這些實施例中，反射層14在光學(xué)上屏蔽干涉式調(diào)制器的位于與襯底20相對的反射層側(cè)上的部分，包括可變形層34。這使得能夠配置及操作被屏蔽區(qū)域，而不會不利地影響圖像品質(zhì)。此種屏蔽允許存在圖7E中的總線結(jié)構(gòu)44，此會提供使調(diào)制器的光學(xué)特性與調(diào)制器的機(jī)電特性分離的能力，例如尋址及因?qū)ぶ范鸬囊苿?。此種可分離的調(diào)制器架構(gòu)使對調(diào)制器的機(jī)電方面所用的與對調(diào)制器的光學(xué)方面所用的結(jié)構(gòu)設(shè)計及材料能夠相互獨立地加以選擇及發(fā)揮作用。而且，圖7C-7E中所示的實施例具有因?qū)⒎瓷鋵?4的光學(xué)特性自其機(jī)械特性解耦合(此由可變形層34來實施)而得到的額外優(yōu)點。此使反射層14的結(jié)構(gòu)設(shè)計及所用材料可在光學(xué)特性方面得到優(yōu)化，且可變形層34的結(jié)構(gòu)設(shè)計和所用材料可在所期望機(jī)械特性方面得到優(yōu)化。
如上文所討論，干涉式調(diào)制器經(jīng)配置以反射穿過透明襯底的光，并包含移動部件，例如可移動鏡面14a、14b。因此，為使這些移動部件能夠移動，較佳形成一氣隙或空腔，以使干涉式調(diào)制器的機(jī)械部件(例如可移動鏡面14a，14b)能夠移動。
圖8A-8C是根據(jù)一實施例形成于一經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底上的干涉式調(diào)制器的剖面圖。已發(fā)現(xiàn)，當(dāng)使用一經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底時，在制造具有上文所述功能的干涉式調(diào)制器中所涉及的步驟可適應(yīng)于非常成本有效的制造技術(shù)。圖8A-8C圖解說明此種方法的一實施例，其會形成一種從與上文參照圖1-7E所述干涉式調(diào)制器相對的側(cè)上觀看的干涉式調(diào)制器。視所述裝置的最終應(yīng)用而定，有時制成一透過襯底觀看的顯示器將較佳，且有時制成一透過干涉式調(diào)制器的沉積層觀看的顯示器將較佳。因此，對于此種設(shè)計而言，不需要使用一要在上面形成所述干涉式調(diào)制器的透明襯底(例如在圖7A-7E中所示的透明襯底20)。所述經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底因此既可不透明也可透明。在圖8A-8C中所示的所例示實施例中，經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底較佳不透明，此使得能夠選擇有助于壓花的材料。
根據(jù)在圖8A-8C中所示的實施例，將一干涉式調(diào)制器形成于一經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底505上。較佳將一其中形成有溝槽507的襯底505覆蓋以一鏡層，以形成一下部電極(一半反射性或反射性構(gòu)件)502，其將用作上文所述的固定層。
襯底505可自一較佳不透明的聚合物材料形成，該較佳不透明的聚合物材料具有一系列沿襯底表面在一個方向上伸展的壓印、且適當(dāng)相間的凹槽或溝槽507。這些凹槽507可采用各種各樣的傳統(tǒng)材料、使用已知技術(shù)壓印成較佳具有一帶錐形側(cè)面的凹角輪廓，如在圖8A-8C中所示。在一較佳實施例中，一由復(fù)合材料形成的襯底505壓印、沖壓、燒蝕、模制、或以機(jī)械方式印有溝槽或凹槽，并隨后經(jīng)過烘焙而獲得所述凹角輪廓。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，此種復(fù)合材料較佳由位于不同層中的不同材料形成且在沖壓或壓印所述襯底之后，烘焙會在這些不同的層中造成不同的熱膨脹。在所示實施例中，頂層具有一較高的熱膨脹系數(shù)，從而導(dǎo)致膨脹至凹槽507內(nèi)。盡管較佳為凹角輪廓，然而所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，凹槽507也可具有其他形狀(例如垂直的壁)，只要如在下文中所更詳細(xì)說明這些凹槽在沉積于襯底505頂面上的材料中形成一斷點即可。應(yīng)了解，也可通過不同于壓印的技術(shù)(例如，舉例而言，蝕刻)來形成于襯底505中。然而，較佳使用壓印或沖壓，因為其為一種廉價的工藝。
當(dāng)在此種表面結(jié)構(gòu)上沉積材料時，某些材料將沉積并沉淀至凹槽507內(nèi)，而某些材料將沉積并沉淀至襯底505頂面上、各凹槽507之間。所述材料較佳通過傳統(tǒng)沉積技術(shù)來沉積，例如通過某種形式的濺鍍、物理氣體沉積及化學(xué)氣體沉積(CVD)。如在圖8A-8C中所示，凹槽507的存在會在襯底505頂面上的沉積層中形成斷點或間斷點。通過此種方式，在不使用傳統(tǒng)光刻法及蝕刻步驟的情況下沉積干涉式調(diào)制器的下部層502、508、510。在該實施例中，實際上，將形成圖7A-7E所示結(jié)構(gòu)的第一組掩模并入襯底505自身中，且事實上可由用于初始電極圖案的經(jīng)濟(jì)的壓印工藝來取代傳統(tǒng)的遮掩。據(jù)該實施例，干涉式調(diào)制器結(jié)構(gòu)制作的前幾個步驟因此為沉積下部電極501、一介電材料508、及一層犧牲材料510。所沉積下部電極502、介電材料508及犧牲材料510的層因此以成行或條帶的形式形成于襯底505的頂面上。所述條帶結(jié)構(gòu)是因所壓印凹槽507的存在而自然地制成。
下部電極502較佳由鋁形成。在其他實施例中，下部電極502可包含其他高度反射性金屬，例如(舉例而言)銀(Ag)或金(Au)。或者，下部電極502可為一經(jīng)配置以配置提供恰當(dāng)光學(xué)性質(zhì)及機(jī)械性質(zhì)的金屬堆疊。
較佳在下部電極502上沉積一介電層508。在一較佳實施例中，所述介電材料為二氧化硅(SiO2)。較佳在所述結(jié)構(gòu)上面沉積(并在此后移除)一犧牲層510，以在下部電極502與一上部電極或反射構(gòu)件506之間形成一光學(xué)諧振腔，所述上部電極或反射構(gòu)件506將沉積于犧牲層510上面以形成可移動層，如在圖8B中所示。在所示實施例中，犧牲層510包含硅(Si)。在其他實施例中，該犧牲層510可由鉬(Mo)、鎢(W)或鈦(Ti)形成?？上鄬τ谕饴兜慕殡姴牧霞半姌O材料來選擇性地蝕刻所有這些犧牲材料，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將易知，也可將其他犧牲材料(例如光阻劑)與其他選擇性蝕刻化學(xué)品一起使用。
如在圖8B中所示，在該實施例中，通過填充溝槽507及先前所沉積結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域來繼續(xù)進(jìn)行干涉式調(diào)制器結(jié)構(gòu)的制造。此種填充可通過許多傳統(tǒng)的沉積/圖案化/蝕刻步驟或通過一回蝕工藝來實施，例如(舉例而言)，通過化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)平坦化步驟來實施。
較佳在犧牲層510上面沉積正交的上部電極條帶506，隨后沉積通過支柱522隔開的由一第二或上部犧牲材料520形成的條帶。該上部電極506沉積成與下部電極502正交的成行的條帶，以形成上文所述的行/列陣列。上部電極506及犧牲材料520可較佳使用一種蔭罩沉積技術(shù)以其所需圖案形式沉積成條帶。支柱522由絕緣材料(較佳為聚合物或介電材料)形成。
然后，較佳在上部犧牲層520上面沉積薄(較佳為50-100埃)的半反射性層530。在較佳實施例中，半反射性層530為鉻。如在圖8B中所示，在半反射性層530上沉積透明材料或觀看構(gòu)件535，以為半反射性層530提供額外的機(jī)械及結(jié)構(gòu)整體性—在移除犧牲層510、520之后，半反射性層530通常太薄而無法支撐其自身。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，透明襯底535承擔(dān)機(jī)械功能且充當(dāng)通過其進(jìn)行顯示及通過其透射光的構(gòu)件。透明襯底535可由例如氧化物等固體無機(jī)材料形成。在另一實施例中，透明襯底535可由透明聚合物形成。半反射性層530及透明襯底較佳通過例如濺鍍、PVD及CVD等傳統(tǒng)沉積技術(shù)沉積而成。
透明材料535及半反射性層530較佳蝕刻有開孔或孔(未顯示)，以使用于移除犧牲層的蝕刻氣體可到達(dá)層510及520的犧牲材料。另一選擇為，透明材料535可預(yù)先圖案化有預(yù)先蝕刻或壓印的開孔或孔。應(yīng)了解，作為總體封裝工藝的一部分，對干涉式調(diào)制器加以密封并保護(hù)其免受容納干涉式調(diào)制器的封裝周圍環(huán)境的影響。較佳地，這些孔或開孔具有小至光刻系統(tǒng)將允許的直徑，且更佳約為2.4微米。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，開孔的大小、間距及數(shù)量將影響犧牲層510、520的移除速率。
較佳使用選擇性氣體蝕刻工藝來移除犧牲層510、520，以圍繞可移動電極506形成光學(xué)空腔?？墒褂脴?biāo)準(zhǔn)蝕刻技術(shù)來移除犧牲層510、520。具體的氣體蝕刻工藝將取決于所要移除的材料。例如，可使用二氟化氙(XeF2)作為釋脫氣體來移除硅犧牲層。應(yīng)了解，所述蝕刻工藝是一種選擇性蝕刻工藝，其不會蝕刻任何介電材料、半反射性材料、或電極材料。
干涉式調(diào)制器的最終結(jié)構(gòu)顯示于圖8C中，其中存在環(huán)繞移動電極506的光學(xué)空腔。由于半反射性層530位于頂部，因而沿箭頭540的方向自各沉積層側(cè)上透過透明襯底535觀看干涉式調(diào)制器，如在圖8C中所示。
在圖8A-8C所示實施例中，應(yīng)了解，干涉式調(diào)制器的可移動層506鄰近透明襯底535且固定層502形成于可移動層506下面，以使可移動層506可在所述結(jié)構(gòu)的光學(xué)空腔內(nèi)移動，如在圖8C中所示。
所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，在圖8D所示實施例中，半反射性層530較佳為鉻并可使用一透明電極(較佳為一ITO層并用作一電極)加以補(bǔ)充。如在圖8D中所示，ITO層532介于透明襯底535與鉻層530之間。該ITO-鉻雙層結(jié)構(gòu)消除了使用圖8A-8C所示實施例中的下部電極502與電介質(zhì)508這一需要。在該實施例中，一介電層508介于鉻530與上部空腔之間。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，將一第一犧牲層(未顯示)沉積于經(jīng)預(yù)先圖案化的透明襯底505上并隨后加以移除而形成一下部空腔560，并將一第二犧牲層(未顯示)沉積于電極506上面而形成上部空腔565。如在圖8D中所示，電極506沉積于經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底505上，從而在襯底505頂面上形成電極條帶，其中通過沉積于溝槽507上方而形成電極506中的間斷點。
如上面所述，自例如聚合物等透明材料制成的透明的經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底可用于形成類似于圖7A-7E所示的干涉式調(diào)制器。在此種干涉式調(diào)制器中，如在圖8E中所示，不同于在圖8A-8C中所示的實施例，透明的經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底580透射光，并透過透明的經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底580進(jìn)行觀看。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，用于制作此種干涉式調(diào)制器的工藝類似于上文參照圖8A-8C所述的方法，但電極結(jié)構(gòu)將倒轉(zhuǎn)。所述結(jié)構(gòu)將類似于圖7A-7E所示，但通過在溝槽507上面沉積成行的前幾個層而消除了用于形成所述行的前幾個圖案化及蝕刻步驟。
如在圖8E中所示，在襯底580上面沉積半反射性-ITO雙層530、532，以形成電極條帶。在半反射性-ITO雙層530、532上面沉積一介電層508。然后，沉積一第一犧牲層(未顯示)并隨后將其移除，以形成一下部空腔560。在第一犧牲層上面以正交條帶形式沉積可移動電極506。在可移動電極506上面沉積一第二犧牲層(未顯示)并隨后將其移除，以形成上部空腔565。如在圖8E中所示，可移動電極506處于塌縮狀態(tài)。為制作完成該結(jié)構(gòu)，在上部空腔565上面形成一可變形層570。
盡管上文詳細(xì)說明已顯示、說明及指出本發(fā)明的適用于各種實施例的新穎特征，然而應(yīng)了解，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可在形式及細(xì)節(jié)上對所示裝置或工藝作出各種省略、替代及改變，此并不背離本發(fā)明的精神。應(yīng)知道，由于可獨立于其他特征來使用或?qū)嵺`某些特征，因而可按一種并不提供所有本文所述特征及優(yōu)點的形式實施本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種制作微機(jī)電系統(tǒng)裝置的方法，其包括提供具有多個溝槽的襯底；在所述襯底上沉積至少一個層，其中所述層在所述溝槽處不連續(xù)；及在形成于所述襯底上的第一電極與第二電極之間形成第一空腔，其中所述至少一個層包含所述第一電極。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括使所述第一電極與所述第二電極絕緣。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中絕緣步驟包括在所述第一電極上沉積介電材料。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中通過在形成所述第二電極之前在所述介電材料上沉積犧牲材料并在形成所述第二電極之后移除所述犧牲材料來形成所述第一空腔。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述第二電極與半反射性層之間形成第二空腔。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中形成所述第二空腔包括在形成所述半反射性層之前在所述第二電極上沉積犧牲材料并在形成所述半反射性層之后移除所述犧牲材料。
7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述半反射性層包含鉻。
8.如權(quán)利要求5所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述半反射性層上沉積透明材料。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中形成所述第一空腔包括在形成所述第二電極之前在所述介電材料上沉積犧牲材料并在形成所述第二電極之后移除所述犧牲材料。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中在移除所述第一犧牲層之前，所述透明材料及半反射性層蝕刻有開孔。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供步驟包括在所述襯底中壓印所述溝槽。
12.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供步驟包括在所述襯底中燒蝕所述溝槽。
13.如權(quán)利要求1所述的方法，其中提供步驟包括通過模制工藝在所述襯底中形成所述溝槽。
14.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少一個層包括導(dǎo)電層且所述層在所述溝槽處的不連續(xù)性使所述第一電極圖案化。
15.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述微機(jī)電系統(tǒng)裝置為干涉式調(diào)制器。
16.一種通過如權(quán)利要求1所述的方法形成的微機(jī)電系統(tǒng)裝置。
17.一種顯示裝置，其包括經(jīng)壓印的襯底，其具有形成于其中的多個凹槽；形成于所述襯底的頂面上的第一電極及第二電極，其中所述第一電極與所述第二電極相互絕緣并通過第一空腔隔開；半反射性層，其通過第二空腔與所述第二電極隔開；及形成于所述半反射性層上的透明材料。
18.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述第一電極與所述第二電極通過沉積于所述第一電極上的介電材料而相互絕緣。
19.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述透明材料中形成有多個孔。
20.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述多個凹槽中的每一者均具有凹角輪廓。
21.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述襯底是不透明的。
22.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述第一電極與所述第二電極正交。
23.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其中所述第二電極被配置成是可移動的。
24.如權(quán)利要求23所述的顯示裝置，其中當(dāng)移動所述第二電極時，所述第二空腔變大且所述第一空腔變小。
25.如權(quán)利要求17所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包括處理器，其與所述第一及第二電極中的至少一者電連通，所述處理器經(jīng)配置以處理圖像數(shù)據(jù)；及存儲裝置，其與所述處理器電連通。
26.如權(quán)利要求25所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包括驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路經(jīng)配置以向所述第一及第二電極中的至少一者發(fā)送至少一個信號。
27.如權(quán)利要求26所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包括控制器，所述控制器經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)的至少一部分發(fā)送至所述驅(qū)動電路。
28.如權(quán)利要求25所述的顯示系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括圖像源模塊，所述圖像源模塊經(jīng)配置以將所述圖像數(shù)據(jù)發(fā)送至所述處理器。
29.如權(quán)利要求28所述的顯示系統(tǒng)，其中所述圖像源模塊包括接收器、收發(fā)器、及發(fā)射器中的至少一者。
30.如權(quán)利要求25所述的顯示系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括輸入裝置，所述輸入裝置經(jīng)配置以接收輸入數(shù)據(jù)并將所述輸入數(shù)據(jù)傳送至所述處理器。
31.一種形成微機(jī)電系統(tǒng)裝置的方法，其包括提供具有頂面的襯底，其中在所述頂面中形成多個凹槽；在所述襯底上沉積至少一個層，其中所述至少一個層包含第一導(dǎo)電材料且在所述凹槽處不連續(xù)，從而在所述頂面上的所述凹槽之間形成所述層的各個行；及沉積第二導(dǎo)電材料，其中所述第二導(dǎo)電材料與所述頂面上的所述第一導(dǎo)電材料正交地定向。
32.如權(quán)利要求31所述的方法，其中所述至少一個層進(jìn)一步包含介電層及犧牲材料。
33.如權(quán)利要求31所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述第一導(dǎo)電材料與所述第二導(dǎo)電材料之間形成第一空腔。
34.如權(quán)利要求32所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述第二導(dǎo)電材料上沉積半反射性層，其中所述半反射性層與所述第二導(dǎo)電材料通過空腔隔開。
35.如權(quán)利要求33所述的方法，其中通過移除所述半反射性層與所述第二導(dǎo)電材料之間的犧牲材料來形成所述鉻層與所述第二導(dǎo)電材料之間的所述空腔。
36.如權(quán)利要求31所述的方法，其中在所述頂面中提供所述多個凹槽包括壓印。
37.如權(quán)利要求36所述的方法，其進(jìn)一步包括在壓印之后烘焙所述襯底，以給所述凹槽中的每一者提供凹角輪廓，其中所述襯底由復(fù)合材料形成。
38.如權(quán)利要求37所述的方法，其中所述復(fù)合材料的頂層具有比所述復(fù)合材料的下部層的熱膨脹系數(shù)高的熱膨脹系數(shù)。
39.一種顯示裝置，其包括用于在其上造成不連續(xù)沉積的襯底構(gòu)件；形成于所述襯底頂面上以用于反射光的第一反射構(gòu)件及用于反射光的第二反射構(gòu)件，其中所述第一反射構(gòu)件與所述第二反射構(gòu)件相互絕緣并通過第一分隔構(gòu)件隔開；半反射性構(gòu)件，其通過第二分隔構(gòu)件與所述第二反射構(gòu)件隔開；及用于透射光的觀看構(gòu)件，所述觀看構(gòu)件形成于所述半反射性構(gòu)件上。
40.如權(quán)利要求39所述的顯示裝置，其中所述襯底構(gòu)件包括凹槽，所述凹槽的形狀使得直接沉積于其上的層在所述凹槽的側(cè)壁上不連續(xù)。
41.如權(quán)利要求39所述的顯示裝置，其中所述襯底構(gòu)件包括溝槽，所述溝槽的形狀使得直接沉積于其上的層在所述溝槽的側(cè)壁上不連續(xù)。
42.如權(quán)利要求39所述的顯示裝置，其中所述襯底構(gòu)件的所述頂面上的所述第一反射構(gòu)件為不連續(xù)的層，其在所述頂面上形成所述第一反射構(gòu)件的各行。
43.如權(quán)利要求39所述的顯示裝置，其中所述第二反射構(gòu)件是第二反射層，其懸掛于附連至機(jī)械層的連接器上。
44.如權(quán)利要求39所述的顯示裝置，其進(jìn)一步包括位于所述第一反射構(gòu)件與所述第二反射構(gòu)件之間的絕緣構(gòu)件，其中所述絕緣構(gòu)件是位于所述第一反射構(gòu)件上的介電層。
45.如權(quán)利要求39所述的顯示裝置，其中所述第二反射構(gòu)件是可移動反射層。
46.一種操作顯示裝置的方法，其包括提供具有多個溝槽的襯底，其中至少一個包含第一電極的層形成于所述襯底上且其中所述層在所述溝槽處不連續(xù)，且其中所述第一電極通過空腔與第二電極隔開；及在所述空腔內(nèi)移動所述第二電極。
47.如權(quán)利要求46所述的方法，其中移動所述第二電極包括在松弛位置與受激活位置之間移動所述第二電極。
48.如權(quán)利要求46所述的方法，其中移動所述第二電極會改變所述第一電極與所述第二電極之間的距離。
49.如權(quán)利要求46所述的方法，其中移動所述第二電極包括在所述第一電極與所述第二電極之間施加靜電引力。
全文摘要
本發(fā)明揭示一種微機(jī)電系統(tǒng)裝置，其制作于其中形成有凹槽的經(jīng)預(yù)先圖案化的襯底上。下部電極沉積于所述襯底上并與正交的上部電極相隔空腔。所述上部電極配置成可移動以調(diào)制反射光。半反射性層及透明材料形成于所述可移動的上部電極上面。
文檔編號G02B26/00GK101023385SQ200580031234
公開日2007年8月22日 申請日期2005年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月27日
發(fā)明者克拉倫斯·徐 申請人:Idc公司