專利名稱：與帶電粒子接觸的表面保護(hù)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對暴露于高帶電粒子的表面的保護(hù)。本發(fā)明特別可用于在用于反射極遠(yuǎn)紫外線(EUV)的光學(xué)系統(tǒng)中采用的多層反射鏡的保護(hù)中以及用于極遠(yuǎn)紫外線穿過其透射到光刻腔的表面的保護(hù)中。
光刻法是半導(dǎo)體器件制造中的重要加工步驟。總的來說，在光刻法中通過使圖案成像到沉積在晶片表面上的光致抗蝕劑層上來將電路設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)移到晶片上。然后在新圖案被轉(zhuǎn)移到晶片表面之前使該晶片發(fā)生各種蝕刻和沉積加工。該循環(huán)過程繼續(xù)進(jìn)行而制成半導(dǎo)體器件的多層結(jié)構(gòu)。
在用于制造半導(dǎo)體器件的平版印刷方法中，為了達(dá)到提高光學(xué)分辨率的目的，有利的是采用波長非常短的射線以致可以精確地復(fù)制該器件中非常小的特征。在先前技術(shù)中，已經(jīng)采用了各種波長的單色可見光，而且新近已經(jīng)采用了深紫外(DUV)范圍內(nèi)的射線，包括248nm、193nm和157nm的射線。為了進(jìn)一步提高光學(xué)分辨率，還已經(jīng)建議使用極遠(yuǎn)紫外(EUV)范圍內(nèi)的射線，包括13.5nm的射線。
對于平版印刷工具以及將極遠(yuǎn)紫外線供給該工具的裝置兩者中的鏡片，采用極遠(yuǎn)紫外線用于平版印刷術(shù)造成了許多新的困難。
一個(gè)問題是極遠(yuǎn)紫外線在大氣壓下穿過大多數(shù)氣體的透過率差，并因此該平版印刷方法涉及的許多機(jī)械、電學(xué)和光學(xué)裝置必須在高純度真空環(huán)境中操作。另一個(gè)難題是用于投影和聚焦DUV平版印刷術(shù)中射線的透鏡材料，例如氟化鈣不適用于極遠(yuǎn)紫外線的透射，并且通常需要使用反射光學(xué)器件(反射鏡)代替透射光學(xué)器件(透鏡)。這些反射鏡往往是由鉬和硅的交替層形成的，通常每層厚度為5-10nm，并且通常終止在硅層或釕層或其它金屬種類。
極遠(yuǎn)紫外線源通常被放置在位于平版印刷工具附近的腔的內(nèi)部。為了將該光源與極干凈的平版印刷工具分離開，通常將光譜純?yōu)V光片(SPF)用作極遠(yuǎn)紫外線穿過透射到平版印刷工具中的窗。SPF典型地包括通常是由鋯、鎳或硅形成的非常薄的箔。
極遠(yuǎn)紫外線源可基于對錫、鋰或氙的激發(fā)。例如，當(dāng)在EUV源中采用氙時(shí)，通過靜電放電刺激氙或強(qiáng)激光照射產(chǎn)生了氙等離子體。等離子體內(nèi)的高帶電氙物質(zhì)Xe+10電子躍遷到Xe+11產(chǎn)生了極遠(yuǎn)紫外線。因此，極遠(yuǎn)紫外線源也起高帶電粒子源的作用。這些粒子可沖擊多層膜反射鏡表面和位于腔內(nèi)的SPF，引起原子從那些表面上飛濺出，這能夠減小該反射鏡的反射率，并因此減小透射到平版印刷工具的極遠(yuǎn)紫外線強(qiáng)度。當(dāng)從該腔輸出的極遠(yuǎn)紫外線強(qiáng)度減小時(shí)，這可造成采用極遠(yuǎn)紫外線進(jìn)行平版印刷的晶片上所形成的圖案質(zhì)量變化。由于這些組件的成本高，替換它們總是不受歡迎的，并且在許多情形中這是完全不切實(shí)際的。此外，在SPF中產(chǎn)生“孔”會(huì)導(dǎo)致平版印刷工具污染。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種保護(hù)表面避免由于受帶電粒子沖擊而被損害的方法，該方法包括以下步驟在該表面暴露于帶電粒子期間，將碳源提供到該表面用于在該表面上形成碳質(zhì)沉積物涂層，并且控制沉積物在表面上的沉積速率和帶電粒子沖擊該沉積物的速率之中的至少一種，以主動(dòng)地控制涂層厚度。
通過控制沉積物的沉積速率和隨后從表面上除去沉積物(通過帶電粒子沖擊該沉積物)的速率之中的至少一種，可將涂層的厚度主動(dòng)地控制在預(yù)定厚度或其左右，其既可防止帶電粒子直接沖擊到該表面上也可將該表面的反射率或透射率損失減至最小(由于形成涂層)。此外，審慎地提供碳源可壓倒不可避免地存在于反射鏡周圍中的含雜質(zhì)本底碳的影響。該方法的另一好處是其涉及碳物質(zhì)的高周轉(zhuǎn)率，因此將后者保持在反應(yīng)性更高并且易于除去的化學(xué)狀態(tài)。當(dāng)情況不是這樣時(shí)，碳質(zhì)沉積物的老化引起其石墨化，造成光學(xué)有害和非常穩(wěn)定的不能被除去的表面涂層。
控制表面處碳源的分壓可提供一種控制沉積速率的機(jī)制。通過調(diào)節(jié)碳源的分壓，碳質(zhì)沉積物穩(wěn)定狀態(tài)的覆蓋度可被控制在可接受的水平。通過控制將碳源供給該表面的速率可方便地控制分壓。通過采用對薄膜增厚敏感的適當(dāng)傳感器來監(jiān)測涂層厚度(該傳感器例如石英晶體振蕩器或表面聲波裝置)，可將信號(hào)供給質(zhì)量流量控制器，用于調(diào)節(jié)將碳源供給表面的速率。
通過控制將帶電粒子供給涂層的速率，可控制沖擊速率，例如可選擇性地中和一些帶電粒子，如通過在沖擊沉積物之前使帶電粒子通過氣體簾幕來中和。在這種情形中，可固定的提供碳源的分壓，將其與可變壓力氣體簾幕相結(jié)合能夠控制涂層厚度?？刂茪怏w簾幕壓力可按照與控制碳源分壓類似的方式。非必須選擇地，可提供緩沖氣體來保持該表面附近處的恒壓。緩沖氣體和碳源混合物的總壓力最大許可值取決于氣態(tài)物質(zhì)的對極遠(yuǎn)紫外線的吸收截面并且通常小于0.1mbar。
優(yōu)選帶電粒子是由位于放置了該表面的腔中的源發(fā)出的，在優(yōu)選實(shí)施方式中，帶電粒子在源是該腔內(nèi)產(chǎn)生的等離子體，其還發(fā)出電磁輻射，優(yōu)選極遠(yuǎn)紫外線，它促進(jìn)了碳質(zhì)沉積物在表面上的沉積，這是通過激勵(lì)次級(jí)電子從該表面發(fā)射，其與碳源相互作用以形成碳質(zhì)沉積物。許多不同材料可用作等離子體源，例如鋰、錫和氙之一。
該表面可以是從該腔發(fā)出極遠(yuǎn)紫外線的窗表面，例如通常是由鋯、鎳或硅形成的箔。另一方面，該表面可以是反射面，例如多層反射鏡表面。通過將這些組件表面上的厚度保持在大體上恒定不變，可將該窗的透射率和該反射鏡的反射率保持在大體上恒定的水平，由此使從該腔發(fā)出的極遠(yuǎn)紫外線強(qiáng)度保持大體上恒定，并由此為平版印刷工具提供了穩(wěn)定的極遠(yuǎn)紫外線源。
優(yōu)選碳源是一種有機(jī)分子源。碳源的選擇是由許多標(biāo)準(zhǔn)決定的，包括表面上離解化學(xué)吸附作用的概率和速率、由次級(jí)電子激活的適當(dāng)截面、抗聚合反應(yīng)的穩(wěn)定性、以及對于極遠(yuǎn)紫外線的氣相吸收截面。例子包括一氧化碳、烷烴類、炔烴類、烯烴類、芳基氧化物類、芳族化合物、含氮物質(zhì)和含鹵素物質(zhì)。
第二方面，本發(fā)明提供了一種保護(hù)位于產(chǎn)生極遠(yuǎn)紫外線(EUV)和帶電粒子的腔內(nèi)的表面的方法。該方法包括以下步驟將碳源供給該腔，用于在極遠(yuǎn)紫外線存在的條件下在該表面上形成碳質(zhì)沉積物涂層，用帶電粒子沖擊該涂層以從那里除去沉積物，并且控制沉積物在表面上的沉積速率和帶電粒子沖擊該沉積物的沖擊速率之中的至少一種，以將涂層厚度保持在預(yù)定值或其左右。
第三方面，本發(fā)明提供了用于保護(hù)表面避免由于受帶電粒子沖擊而被損害的裝置，該裝置包括將碳源供給該表面，用于在該表面暴露于帶電粒子期間在該表面上形成碳質(zhì)沉積物的工具，以及用于控制該沉積物在表面上的沉積速率和帶電粒子沖擊該沉積物的沖擊速率之中的至少一種以主動(dòng)控制該涂層厚度的裝置。
第四方面，本發(fā)明提供了用于產(chǎn)生極遠(yuǎn)紫外線(EUV)的裝置，該裝置包括具有窗的腔，極遠(yuǎn)紫外線穿過該窗從該腔輸出；位于該腔內(nèi)的極遠(yuǎn)紫外線和帶電粒子源；位于該腔內(nèi)的用于將來自該源的極遠(yuǎn)紫外線朝向該窗聚焦的至少一個(gè)反射面；用于將碳源供給該腔的工具，用于在極遠(yuǎn)紫外線存在的條件下在所述至少一個(gè)反射面上形成碳質(zhì)沉積物涂層；以及用于控制沉積物在該表面上的沉積速率和帶電粒子沖擊該沉積物的沖擊速率之中的至少一種以將該涂層保持在預(yù)定值或其左右的工具。
關(guān)于本發(fā)明方法各方面的以上所述特征同樣適用于裝置的各方面，反之亦然。
作為例子，現(xiàn)在將進(jìn)一步參考以下附圖
描述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式，其圖示說明了用于產(chǎn)生極遠(yuǎn)紫外線(EUV)裝置的一個(gè)例子。該裝置包括含有極遠(yuǎn)紫外線源12的腔10，該源12可以是放電等離子體源或產(chǎn)生激光的等離子體源。在放電等離子體源中，在兩個(gè)電極之間的介質(zhì)中引起放電，并且由該放電產(chǎn)生的等離子體發(fā)出極遠(yuǎn)紫外線。在產(chǎn)生激光的等離子體源中，通過在一個(gè)靶上聚焦強(qiáng)激光束將該靶轉(zhuǎn)換成等離子體。用于放電等離子體源以及用于產(chǎn)生激光的等離子體源靶的適當(dāng)介質(zhì)是氙，因?yàn)殡入x子體放射波長為13.5nm的極遠(yuǎn)紫外線。然而，其它材料例如鋰和錫可也以被用作靶材料，所以本發(fā)明不限于用來產(chǎn)生極遠(yuǎn)紫外線的特定材料或機(jī)構(gòu)。
在腔10中產(chǎn)生的極遠(yuǎn)紫外線，指示為14，被供給另一腔16，通過例如在腔10、16的壁中形成的一個(gè)或多個(gè)窗18使腔16光學(xué)連接或聯(lián)接到腔10。腔16裝有平版印刷工具，該工具發(fā)射極遠(yuǎn)紫外線束到掩?；蛟嫔?，用于選擇性地照射基底(例如半導(dǎo)體晶片)表面上光致抗蝕劑。為了將源12產(chǎn)生的極遠(yuǎn)紫外線導(dǎo)向窗18，腔10中放置了由多層反射鏡(MLMs)20提供的多個(gè)反射面，MLMs 20包括多個(gè)層，每層包括從底部起第一鉬層和第二硅層。通常由釕形成的金屬層可在每個(gè)MLMs 20的上表面上形成以改進(jìn)MLMs 20的抗氧化性，同時(shí)基本上透射全部入射在其上的極遠(yuǎn)紫外線。窗18是由光譜純?yōu)V光片(SPF)提供的，該濾光片包括通常由鋯、鎳或硅形成的非常薄的箔，用于將極遠(yuǎn)紫外線透射到腔16中同時(shí)防止污染物由腔10進(jìn)入平版印刷工具腔16。
由于極遠(yuǎn)紫外線穿過大多數(shù)氣體的透過率差，因此提供了一種真空泵系統(tǒng)(未示出)用于在腔10、16內(nèi)產(chǎn)生真空。鑒于氣體和可能存在于該腔內(nèi)的污染物的復(fù)雜多樣性，該泵系統(tǒng)可包括對于每個(gè)腔，其包括低溫真空泵和輸送泵兩者，例如渦輪分子泵背靠初級(jí)泵。
極遠(yuǎn)紫外線源12也可以是帶電粒子源。例如，當(dāng)氙等離子體被用作EUV源時(shí)，可從該源發(fā)出Xe+10離子，這些離子可沖擊到位于腔10內(nèi)的SPF 18和MLMs 20的表面上，并引起原子從那些表面飛濺出。如果允許濺射繼續(xù)進(jìn)行下去，這可減小MLMs 20的反射率，并因此減小了透射到腔16的極遠(yuǎn)紫外線的強(qiáng)度，而且在SPF 18中可產(chǎn)生“孔”，導(dǎo)致對腔16的污染。
在極遠(yuǎn)紫外線存在的條件下，從SPF 18和MLMs 20上的表面內(nèi)釋放出次級(jí)電子，該電子可與該表面上具有的物質(zhì)相互作用。特別是，吸附的烴污染物裂化可形成粘附到SPF 18和MLMs 20上的石墨型碳層。例如具有通式CxHy的烴在極遠(yuǎn)紫外線存在的條件下按照以下等式(1)分裂CxHy+e-＞CxHy-1H(a)+e-→CxHy-2+H(a)+e-→→xC+yH(a) (1)其中在SPF 18和MLMs 20的表面上沉積(吸附)了具有x量的C。
顯然SPF 18和MLMs 20表面上的碳層通常是不合需要的；SPF18表面上具有碳涂層將減小其透射率，同時(shí)MLMs 20表面上的碳涂層將減小其反射率。但是，在高帶電離子例如Xe+10存在的條件下，在該裝置的這些組件表面上形成碳涂層可用于保護(hù)該表面避免由這些離子沖擊該表面而導(dǎo)致的濺射。鑒于此，用于在極遠(yuǎn)紫外線下使碳質(zhì)沉積物在SPF 18和MLMs 20表面上受控沉積的碳源被從供給源22引入腔10。審慎地提供一種碳源可壓倒不可避免地存在于腔10中的含雜質(zhì)本底碳的影響。
優(yōu)選地碳源選自一氧化碳、炔烴類、烯烴類、芳基氧化物類、芳族化合物、含氮物質(zhì)和含鹵素物質(zhì)。合適的氧化物的例子是醇類、酯類和醚類。合適的含氮化合物的例子是胺類、吡咯及其衍生物、以及吡啶及其衍生物。合適的含鹵素化合物的例子是飽和的氫化芳基、不飽和的氫化芳基、飽和的氫化烷基、不飽和的氫化烷基。在一個(gè)優(yōu)選的例子中，碳源是乙炔(C2H2)。
通過控制該腔內(nèi)碳源的分壓，并由此控制SPF 18和MLMs 20表面上的碳沉積速率，可在碳沉積和除去碳質(zhì)沉積物之間達(dá)到一種平衡，這是由于受到從源12發(fā)出的離子的沖擊，其后涂層厚度大體上保持恒定。利用傳感器24可監(jiān)測該涂層厚度，該傳感器對其一個(gè)表面上的涂層增厚敏感，例如是石英晶體振蕩器或表面聲波裝置，并且將其置于關(guān)鍵地方以使其以與MLMs 20相似的方式暴露于碳源、極遠(yuǎn)紫外線和離子。傳感器24將指示其上所形成的涂層厚度的信號(hào)輸出到控制器26，后者響應(yīng)接收到的信號(hào)，輸出控制信號(hào)到質(zhì)量流量控制器28，用于控制將碳源從供給源22穿過入口30供到腔10的速率。通過改變將碳源供給腔10的速率，可仔細(xì)地控制腔10內(nèi)碳源的分壓，由此使MLMs 20和SPF 18上涂層的形成速率受到控制以使該涂層厚度保持在預(yù)定值或其左右。
作為SPF 18和MLMs 20表面上碳質(zhì)沉積物形成速率控制的一種可供選擇的方法或除此之外的方法，該裝置可被構(gòu)造成能控制由源12發(fā)射的離子從這些表面除去該沉積物的速率。例如，從其中的一種源可將氣體引入腔10中以在源12和MLMs 20之間形成氣體簾幕。例如，氣體供給源22可由一種用于形成氣體簾幕的源替代。從源12發(fā)射的一些離子與該氣體簾幕中的氣體相碰撞并被中和，由此降低了離子沖擊涂層的速率。而比較濃厚的氣體簾幕是不合需要的，這是由于氣體吸收了從該源發(fā)出的極遠(yuǎn)紫外線，盡管如此，可變的、較低密度的氣體簾幕有益于保持比較恒定的涂層厚度。與對碳源的供給速率的控制相類似，利用控制器26響應(yīng)傳感器24上所形成的涂層厚度而輸出的信號(hào)，可通過質(zhì)量流量控制器28來控制形成氣體簾幕的氣體供給速率。與用形成氣體簾幕的氣體源來替代供給源22相反，在與供給源22相對或相鄰處可提供用于形成氣體簾幕的獨(dú)立氣體源來用于通過獨(dú)立入口將氣體供給該腔中，控制器26將控制信號(hào)提供給獨(dú)立的質(zhì)量流量控制器以控制形成氣體簾幕的氣體的供給速率。
總之，在此描述了一種暴露于極遠(yuǎn)紫外線(EUV)的位于腔中的反射鏡表面的保護(hù)方法。該極遠(yuǎn)紫外線是由等離子體產(chǎn)生的，等離子體發(fā)射極遠(yuǎn)紫外線和帶電粒子兩者。將有機(jī)分子供給該腔，其與極遠(yuǎn)紫外線相互作用以在反射鏡表面上形成碳質(zhì)沉積物涂層。由等離子體發(fā)射的帶電粒子沖擊該沉積物，引起該沉積物從反射鏡表面濺射出。通過控制反射鏡表面上沉積物的沉積速率和從反射鏡表面上除去沉積物的速率之中的至少一種，可主動(dòng)地控制涂層厚度以防止帶電粒子直接沖擊到反射鏡表面上和將反射鏡表面由于形成涂層而致的反射率降低減至最小。該方法也適用于保護(hù)用于透射來自該腔的極遠(yuǎn)紫外線的窗表面。
權(quán)利要求
1.一種保護(hù)表面避免由于受帶電粒子沖擊而被損害的方法，該方法包括以下步驟在該表面暴露于該帶電粒子期間，將碳源提供到該表面用于在該表面上形成碳質(zhì)沉積物涂層，以及控制沉積物在該表面上的沉積速率和帶電粒子沖擊該沉積物的速率之中的至少一種，以主動(dòng)地控制該涂層厚度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的方法，其中通過控制所述表面處碳源的分壓來控制所述沉積速率。
3.根據(jù)權(quán)利要求2中所述的方法，其中所述碳源的分壓是通過控制將所述碳源供給所述表面的速率來控制的。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3中所述的方法，其中監(jiān)測所述涂層厚度并且根據(jù)所述涂層厚度的變化而改變所述碳源的分壓。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述碳源是有機(jī)分子源。
6.根據(jù)權(quán)利要求5中所述的方法，其中所述碳源選自一氧化碳、烷烴類、炔烴類、烯烴類、芳基氧化物類、芳族化合物、含氮物質(zhì)和含鹵素物質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6中所述的方法，其中所述氧化物類包括醇類、酯類和醚類。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7中所述的方法，其中所述含氮化合物包括胺類、吡咯及其衍生物、以及吡啶及其衍生物。
9.根據(jù)權(quán)利要求6-8中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述含鹵素化合物包括飽和的氫化芳基、不飽和的氫化芳基、飽和的氫化烷基、不飽和的氫化烷基。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述沖擊速率是通過控制將帶電粒子供給所述涂層的速率來控制的。
11.根據(jù)權(quán)利要求10中所述的方法，其中所述帶電粒子的供給速率是通過在與所述沉積物碰撞之前選擇性地中和一些帶電粒子來控制的。
12.根據(jù)權(quán)利要求11中所述的方法，其中所述帶電粒子是通過在與所述沉積物碰撞之前使所述帶電粒子穿過一種氣體來選擇性地中和的。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項(xiàng)所述的方法，其中所述帶電粒子是由位于放置所述表面的腔中的帶電離子源發(fā)射的。
14.根據(jù)權(quán)利要求13中所述的方法，其中所述帶電粒子源是在所述腔內(nèi)產(chǎn)生的等離子體。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14中所述的方法，其中電磁輻射也由所述帶電粒子源產(chǎn)生，用于促進(jìn)碳質(zhì)沉積物在所述表面上的沉積。
16.根據(jù)權(quán)利要求15中所述的方法，其中所述電磁輻射是極遠(yuǎn)紫外線輻射。
17.根據(jù)權(quán)利要求13-16中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述表面是用于從所述腔發(fā)射極遠(yuǎn)紫外線的窗表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求1-16中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述表面是反射面。
19.根據(jù)權(quán)利要求18中所述的方法，其中所述反射面是多層反射鏡的表面。
20.根據(jù)權(quán)利要求19中所述的方法，其中所述反射鏡包括多層，每層包括第一鉬層和第二硅層。
21.一種保護(hù)位于腔內(nèi)的表面的方法，其中在該腔內(nèi)產(chǎn)生極遠(yuǎn)紫外線(EUV)和帶電粒子，該方法包括以下步驟將碳源供給該腔用于在極遠(yuǎn)紫外線存在的條件下在該表面上形成碳質(zhì)沉積物涂層，用帶電粒子沖擊該涂層以從那里除去沉積物，并且控制該表面上沉積物的沉積速率和帶電粒子沖擊該沉積物的沖擊速率之中的至少一種，以將該涂層厚度保持在預(yù)定值或其左右。
22.用于保護(hù)表面避免由于受帶電粒子沖擊而被損害的裝置，該裝置包括用于將碳源供給該表面以便在該表面暴露于帶電粒子期間在該表面上形成碳質(zhì)沉積物的工具，以及用于控制該表面上沉積物的沉積速率和帶電粒子沖擊該沉積物的沖擊速率之中的至少一種以主動(dòng)地控制該涂層厚度的工具。
23.根據(jù)權(quán)利要求22中所述的裝置，其中所述控制工具包括用于控制所述碳源在所述表面處的分壓的工具。
24.根據(jù)權(quán)利要求23中所述的裝置，其中所述分壓控制工具包括用于控制將所述碳源供給所述反射面的速率的工具。
25.根據(jù)權(quán)利要求23或24中所述的裝置，包括用于監(jiān)測所述涂層厚度并將指示所監(jiān)測的厚度的信號(hào)輸出到分壓控制裝置的工具，所述分壓控制工具被構(gòu)造成可根據(jù)所述監(jiān)測的厚度來調(diào)節(jié)所述表面上碳源的分壓。
26.根據(jù)權(quán)利要求22-25中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述碳源是有機(jī)分子源。
27.根據(jù)權(quán)利要求26中所述的裝置，其中所述碳源選自一氧化碳、烷烴類、炔烴類、烯烴類、芳基氧化物類、芳族化合物、含氮物質(zhì)和含鹵素物質(zhì)。
28.根據(jù)權(quán)利要求27中所述的裝置，其中所述氧化物類包括醇類、酯類和醚類。
29.根據(jù)權(quán)利要求27或28中所述的裝置，其中所述含氮化合物包括胺類、吡咯及其衍生物、以及吡啶及其衍生物。
30.根據(jù)權(quán)利要求27-29中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述含鹵素化合物包括飽和的氫化芳基、不飽和的氫化芳基、飽和的氫化烷基、不飽和的氫化烷基。
31.根據(jù)權(quán)利要求22-30中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述表面位于放置帶電粒子源的腔中。
32.根據(jù)權(quán)利要求31中所述的裝置，其中所述帶電粒子源是等離子體。
33.根據(jù)權(quán)利要求31或32中所述的裝置，其中所述帶電粒子源也是一種電磁輻射源，用于促進(jìn)碳質(zhì)沉積物在所述表面上的沉積。
34.根據(jù)權(quán)利要求33中所述的裝置，其中所述電磁輻射是極遠(yuǎn)紫外線輻射。
35.根據(jù)權(quán)利要求22-34中任一項(xiàng)所述的裝置，其中所述表面是多層反射鏡的表面。
36.根據(jù)權(quán)利要求35中所述的裝置，其中所述反射鏡包括多層，每層包括第一鉬層和第二硅層。
37.用于產(chǎn)生極遠(yuǎn)紫外線(EUV)的裝置，該裝置包括具有窗的腔，極遠(yuǎn)紫外線穿過該窗從該腔輸出；位于該腔內(nèi)的極遠(yuǎn)紫外線和帶電粒子的源；位于該腔內(nèi)的用于將來自該源的極遠(yuǎn)紫外線朝向該窗聚焦的至少一個(gè)反射面；用于將碳源供給該腔的工具，用于在極遠(yuǎn)紫外線存在的條件下在所述至少一個(gè)反射面上形成碳質(zhì)沉積物涂層；以及用于控制沉積物在該反射面上的沉積速率和帶電粒子沖擊該沉積物的沖擊速率之中的至少一種以將該涂層保持在預(yù)定值或其左右的工具。
全文摘要
在此描述了一種保護(hù)位于腔(10)中的反射鏡(20)表面的方法，該腔暴露于極遠(yuǎn)紫外線(EUV)(14)輻射，該極遠(yuǎn)紫外線是由等離子體(12)產(chǎn)生的，等離子體發(fā)射極遠(yuǎn)紫外線和帶電粒子兩者。將有機(jī)分子供給該腔，其與極遠(yuǎn)紫外線相互作用以在反射鏡表面上形成碳質(zhì)沉積物涂層，由該等離子體發(fā)射的帶電粒子沖擊該沉積物，引起該沉積物從反射鏡表面濺射，通過控制沉積物在該反射面上的沉積速率和從該反射鏡表面除去該沉積物的速率之中的至少一種，可主動(dòng)地控制該涂層厚度以防止帶電粒子直接沖擊到反射鏡表面上和將反射鏡表面由于形成涂層而致的反射率降低減至最小，該方法也適用于保護(hù)用來透射來自該腔的極遠(yuǎn)紫外線的窗表面。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101061435SQ200580039915
公開日2007年10月24日 申請日期2005年10月11日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月26日
發(fā)明者R·B·格蘭特 申請人:英國氧氣集團(tuán)有限公司