專利名稱：形成抗反射涂層的方法
專利說明形成抗反射涂層的方法 隨著半導(dǎo)體工業(yè)中對更小特征尺寸的持續(xù)需求，最近出現(xiàn)了193mm光學(xué)平版印刷術(shù)作為生產(chǎn)具有低于100nm器件的技術(shù)。使用這種較短波長的光要求底部抗反射涂層(BARC)以降低在基底上的反射，并通過吸收穿過光致抗蝕劑的光，減弱光致抗蝕劑的擺動曲線?？缮藤彽目狗瓷渫苛?ARC)由有機(jī)和無機(jī)這兩種材料組成。典型地，無機(jī)ARC(它顯示出良好的抗蝕刻性)是CVD基材料，和具有極端形貌的所有綜合的缺點。通過旋涂工藝施加有機(jī)ARC材料，且該材料具有優(yōu)良的填充和平面化性能，但缺點是對有機(jī)光致抗蝕劑的蝕刻選擇性差。因此，高度需求提供兼有無機(jī)和有機(jī)ARC材料的優(yōu)點的材料。本發(fā)明涉及對于193nm的光來說顯示出抗反射涂層性能的倍半硅氧烷樹脂。可在除去階段汽提這些抗反射涂層，且當(dāng)儲存時倍半硅氧烷樹脂是穩(wěn)定的。另外，作為193nm的ARC材料，在倍半硅氧烷樹脂內(nèi)存在氫化物基團(tuán)對于所需的固化性能和汽提能力來說是必要的。特別地，本發(fā)明涉及一種在電子器件上形成抗反射涂層的方法，該方法包括(A)施加ARC組合物到電子器件上，所述ARC組合物包括(i)具有下述通式的倍半硅氧烷樹脂(PhSiO(3-x)/2(OH)x)mHSiO(3-x)/2(OH)x)n其中Ph是苯基，x的數(shù)值為0、1或2；m的數(shù)值為0.05-0.95，n的數(shù)值為0.05-0.95，和m+n≈1；和(ii)溶劑；和(B)除去溶劑，并固化倍半硅氧烷樹脂，從而在電子器件上形成抗反射涂層。形成抗反射涂層可用的倍半硅氧烷樹脂的通式為(PhSiO(3-x)/2(OH)x)mHSiO(3-x)/2(OH)x)n，其中Ph是苯基，x的數(shù)值為0、1或2；m的數(shù)值為0.05-0.95，n的數(shù)值為0.05-0.95，和m+n≈1?；蛘?，m的數(shù)值為0.1-0.5，或者n的數(shù)值為0.10-0.50。倍半硅氧烷樹脂可以是基本上充分地縮合或者可以是僅僅部分縮合。當(dāng)倍半硅氧烷樹脂部分縮合時，在倍半硅氧烷樹脂內(nèi)小于40mol％的單元應(yīng)當(dāng)含有Si-OH基團(tuán)。較高含量的這些單元可導(dǎo)致樹脂不穩(wěn)定并形成凝膠。典型地，在倍半硅氧烷樹脂內(nèi)6-38mol％的單元含有Si-OH基團(tuán)。倍半硅氧烷樹脂的重均分子量(Mw)范圍為500-400,000，和優(yōu)選范圍為500-100,000，或者700-10,000。此處可用的倍半硅氧烷樹脂可例舉但不限于(PhSiO3/2)a(HSiO3/2)b(PhSiO3/2)a(PhSiO2/2(OH))c(HSiO3/2)b(PhSiO3/2)a(PhSiO2/2(OH))c(HSiO3/2)b(HSiO2/2(OH))d(PhSiO3/2)a(HSiO3/2)b(HSiO2/2(OH))d(PhSiO3/2)a(PhSiO2/2(OH))c(PhSiO1/2(OH)2)e(HSiO3/2)b(PhSiO3/2)a(PhSiO2/2(OH))c(PhSiO1/2(OH)2)e(HSiO3/2)b(HSiO2/2(OH))d(PhSiO3/2)a(HSiO3/2)b(HSiO2/2(OH))d(HSiO(OH)2)f(PhSiO3/2)a(PhSiO2/2(OH))c(PhSiO1/2(OH)2)e(HSiO3/2)b(HSiO2/2(OH))d(HSiO(OH)2)f其中a＞0，b＞0，c＞0，d＞0，e＞0，f＞0，0.05≤a+c+e≤0.95和0.05≤b+d+f≤0.95和c+d+e+f≤0.40?？赏ㄟ^本領(lǐng)域已知的方法生產(chǎn)倍半硅氧烷樹脂。例如，可通過水解和縮合苯基三烷氧基硅烷和氫三烷氧基硅烷的混合物，生產(chǎn)倍半硅氧烷樹脂，如在Sakamoto等人的美國專利5762697中所列出的。或者，可通過水解和縮合苯基三氯硅烷和氫三氯硅烷來生產(chǎn)它們，如在Becker等人的美國專利6281285和Bank等人的美國專利5010159中所列出的。典型地在溶劑存在下生產(chǎn)倍半硅氧烷樹脂?？稍谏a(chǎn)倍半硅氧烷樹脂中使用不含有可參與該反應(yīng)的官能團(tuán)的任何合適的有機(jī)或者有機(jī)硅溶劑。通?；谌軇┖凸柰榉磻?yīng)物的總重量，以40-98wt％，或者70-90wt％的用量使用溶劑?？梢詢上嗷蛘邌蜗囿w系形式進(jìn)行反應(yīng)。有用的有機(jī)溶劑可例舉但不限于飽和脂族烴，例如正戊烷、己烷、正庚烷和異辛烷；脂環(huán)族烴，例如環(huán)戊烷和環(huán)己烷；芳烴，例如苯、甲苯、二甲苯、1，3，5-三甲基苯；醚類，例如四氫呋喃、二烷、乙二醇二乙醚、乙二醇二甲醚；酮類，例如甲基異丁基酮(MIBK)和環(huán)己酮；鹵素取代的烷烴，例如三氯乙烷；鹵代芳烴，例如溴苯和氯苯；酯類，例如異丁酸異丁酯和丙酸丙酯。有用的硅有機(jī)溶劑可例舉但不限于環(huán)狀硅氧烷，例如八甲基環(huán)四硅氧烷和十甲基環(huán)五硅氧烷?？墒褂脝我坏娜軇┗蛘呖墒褂萌軇┑幕旌衔?。可在任何溫度下進(jìn)行生產(chǎn)倍半硅氧烷樹脂的反應(yīng)，只要它不引起顯著膠凝或者引起倍半硅氧烷樹脂固化即可。典型地，在范圍為5℃-150℃的溫度下進(jìn)行反應(yīng)，其中建議采用環(huán)境溫度。形成倍半硅氧烷樹脂的時間取決于許多因素，例如溫度，硅烷反應(yīng)物的類型和用量，以及催化劑(若存在的話)的用量。典型地，反應(yīng)時間為幾分鐘到幾小時。本領(lǐng)域的技術(shù)人員能容易地確定完成反應(yīng)所需的時間。在完成反應(yīng)之后，可任選地除去催化劑。除去催化劑的方法是本領(lǐng)域已知的，和包括中和、汽提或者水洗或其結(jié)合。催化劑尤其當(dāng)在溶液內(nèi)時可能負(fù)面影響有機(jī)硅樹脂的壽命，因此建議除去它。在制備倍半硅氧烷樹脂的方法中，在反應(yīng)完成之后，可在減壓下從倍半硅氧烷樹脂溶液中除去揮發(fā)物。這種揮發(fā)物包括醇副產(chǎn)物、過量的水、催化劑、鹽酸(氯代硅烷路線)和溶劑。除去揮發(fā)物的方法是本領(lǐng)域已知的和包括例如蒸餾。在生產(chǎn)倍半硅氧烷樹脂的反應(yīng)之后，可進(jìn)行許多任選的步驟，以獲得所需形式的倍半硅氧烷樹脂。例如，可通過除去溶劑，以固體形式回收倍半硅氧烷樹脂。除去溶劑的方法不是關(guān)鍵的，和許多方法是本領(lǐng)域已知的(例如，在加熱和/或真空下蒸餾)。一旦以固體形式回收倍半硅氧烷樹脂，則可任選地將樹脂再溶解在相同或者另一溶劑中以供特定的應(yīng)用。或者，對于最終產(chǎn)物來說，若想要除了反應(yīng)所使用的溶劑以外的不同溶劑，則可通過添加第二種溶劑并且例如借助蒸餾除去第一種溶劑，來進(jìn)行溶劑交換。另外，可通過除去一些溶劑或者添加額外用量的溶劑，來調(diào)節(jié)在溶劑內(nèi)的樹脂濃度。結(jié)合倍半硅氧烷樹脂與溶劑，并施加到電子器件上，從而產(chǎn)生涂布的基底。除去溶劑，并固化倍半硅氧烷樹脂，從而產(chǎn)生抗反射涂層。典型地，電子器件是半導(dǎo)體器件，例如擬用于制造半導(dǎo)體組件的硅基器件和砷化鎵基器件。典型地，該器件包括至少一層半導(dǎo)體層和包括各種傳導(dǎo)、半導(dǎo)或者絕緣材料的多層其它層。有用的溶劑(ii)尤其包括但不限于1-甲氧基-2-丙醇、丙二醇單甲基乙基乙酸酯和環(huán)己酮?；贏RC組合物的總重量，ARC組合物典型地包括約10％-約99.9wt％的溶劑，或者80-95wt％。ARC組合物可進(jìn)一步包括固化催化劑。合適的固化催化劑包括無機(jī)酸、光致產(chǎn)酸劑和熱致產(chǎn)酸劑。固化催化劑可例舉但不限于硫酸(H2SO4)、(4-乙基硫苯基)甲基苯基三氟甲磺酸锍和2-萘基二苯基三氟甲磺酸锍。典型地，基于ARC組合物的總重量，固化催化劑以最多1000ppm，或者500ppm的用量存在。施加ARC組合物到電子器件上的具體方法包括但不限于旋涂、浸涂、噴涂、流涂、篩網(wǎng)印刷和其它。優(yōu)選的施加方法是旋涂。典型地，涂布牽涉在約2000RPM下旋轉(zhuǎn)電子器件，并添加ARC組合物到旋轉(zhuǎn)的電子器件的表面上。除去溶劑，并固化倍半硅氧烷樹脂，從而在電子器件上形成抗反射涂層。固化通常包括加熱涂布的電子器件到充足的溫度下充足的持續(xù)時間，以導(dǎo)致固化。例如，可在80℃-450℃的溫度下加熱涂布的電子器件0.1-60分鐘，或者150-275℃下0.5-5分鐘，或者200℃-250℃下0.5-2分鐘?？稍诠袒襟E過程中使用任何加熱方法。例如，可將涂布的電子器件置于石英管爐、對流烘箱內(nèi)、或者使之靜置在熱板上。為了保護(hù)在固化過程中涂布的組合物中的倍半硅氧烷樹脂避免與氧或者碳反應(yīng)，可在惰性氛圍下進(jìn)行固化步驟。此處可用的惰性氛圍包括但不限于氮氣和氬氣。“惰性”是指該環(huán)境含有小于50ppm和優(yōu)選小于10ppm的氧氣。進(jìn)行固化和除去步驟時的壓力不是關(guān)鍵的。典型地在大氣壓下進(jìn)行固化步驟，但低于或者超大氣壓也可行。一旦固化，則含有抗反射涂層的電子器件可在進(jìn)一步的基底加工步驟例如光刻法中使用。當(dāng)在光刻法中使用時，在抗反射涂層上形成抗蝕劑圖像。形成抗蝕劑圖像的方法包括(a)在抗反射涂層之上形成抗蝕劑組合物的膜；(b)成影像地曝光抗蝕劑膜于輻射線下，產(chǎn)生曝光膜；和(c)使曝光膜顯影，產(chǎn)生圖像。在采用波長為157nm-365nm的紫外輻射線或者波長為157nm或193nm的紫外輻射線成影像地曝光的抗蝕劑組合物的情況下，在電子器件上的抗反射涂層尤其有用。一旦在抗蝕劑膜內(nèi)產(chǎn)生圖像，則在抗反射涂層內(nèi)蝕刻圖案?？墒褂靡阎奈g刻材料來除去抗反射涂層?？衫妙~外的步驟或者除去抗蝕劑膜和其余抗反射涂層，以產(chǎn)生具有所需結(jié)構(gòu)的器件。可在較低溫度下固化ARC涂層組合物，且它們將產(chǎn)生可通過汽提溶液除去的涂層。此外，根據(jù)

圖1看出，可通過調(diào)節(jié)在倍半硅氧烷樹脂內(nèi)(PhSiO(3-x)/2(OH)x)單元的用量來調(diào)節(jié)k和n值。典型地，此處產(chǎn)生的抗反射涂層在193℃下的k(吸收值)為＞0到～1.0，和“n”(折射指數(shù))為～1.5到1.8。包括下述實施例，以說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在以下實施例中公開的技術(shù)代表本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在本發(fā)明的實踐中作用良好的技術(shù)，因此可視為構(gòu)成本發(fā)明實踐的優(yōu)選模式。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，鑒于本發(fā)明的公開內(nèi)容，可在所公開的具體實施方案中作出許多變化，且在沒有脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，仍然獲得相同或者類似的結(jié)果。
附1示出了在193℃下n和在倍半硅氧烷樹脂內(nèi)mol％Ph之間的關(guān)系，以及在193℃下k和在倍半硅氧烷樹脂內(nèi)mol％Ph之間的關(guān)系。
實施例實施例1樹脂合成TPh0.35TH0.65在氮氣下，將120g PGMEA、18.5g(0.0875mol)苯基三氯硅烷和22.01g(0.1625mol)三氯硅烷的溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中。在1小時的時間段內(nèi)，將200g PGMEA和10g(0.555mol)水的溶液加入到三氯硅烷的溶液中。在加完濕PGMEA之后，在20℃下攪拌另外1小時，使反應(yīng)稠化。水與硅之比為2.2∶1。在40℃下，通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀濃縮樹脂溶液到約10wt％。將約40g乙醇加入到樹脂溶液中。將燒瓶返回到旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀中，并再一次汽提溶液到約20wt％。用額外的PGMEA稀釋該溶液到10wt％。過濾溶液通過0.20微米的PTFE過濾器，并儲存在250mlHDPE瓶子內(nèi)。
實施例2樹脂合成TPh0.25TH0.75在氮氣下，將120g PGMEA、13.2g(0.0625mol)苯基三氯硅烷和25.4g(0.1875mol)三氯硅烷的溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中。在1小時的時間段內(nèi)，將200g PGMEA和10g(0.555mol)水的溶液加入到三氯硅烷的溶液中。在加完濕PGMEA之后，在20℃下攪拌另外1小時，使反應(yīng)稠化。水與硅之比為2.2∶1。在4 0℃下，通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀濃縮樹脂溶液到約10wt％。將約40g乙醇加入到樹脂溶液中。再一次汽提溶液到約20wt％。用額外的PGMEA稀釋該溶液到10wt％。過濾溶液通過0.20微米的PTFE過濾器，并儲存在250ml HDPE瓶子內(nèi)。
實施例3樹脂合成TPh0.15TH0.85在氮氣下，將120g PGMEA、7.93g(0.0375mol)苯基三氯硅烷和28.8g(0.2125mol)三氯硅烷的溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中。在1小時的時間段內(nèi)，將200g PGMEA和10g(0.555mol)水的溶液加入到三氯硅烷的溶液中。在加完濕PGMEA之后，在20℃下攪拌另外1小時，使反應(yīng)稠化。水與硅之比為2.2∶1。在40℃下，通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀濃縮樹脂溶液到約10wt％。將約40g乙醇加入到樹脂溶液中。再一次汽提溶液到約20wt％。用額外的PGMEA稀釋該溶液到10wt％。過濾溶液通過0.20微米的PTFE過濾器，并儲存在250ml HDPE瓶子內(nèi)。
對比例1樹脂合成TPh0.35TMe0.65在氮氣下，將120g PGMEA、18.5g(0.0875mol)苯基三氯硅烷和24.29g(0.1625mol)甲基三氯硅烷的溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中。在1小時的時間段內(nèi)，將200g PGMEA和10g(0.555mol)水的溶液加入到三氯硅烷的溶液中。在加完濕PGMEA之后，在20℃下攪拌另外1小時，使反應(yīng)稠化。水與硅之比為2.2∶1。在40℃下，通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀濃縮樹脂溶液到約10wt％。將約40g乙醇加入到樹脂溶液中。再一次汽提溶液到約20wt％。用額外的PGMEA稀釋該溶液到10wt％。過濾溶液通過0.20微米的PTFE過濾器，并儲存在250ml HDPE瓶子內(nèi)。
對比例2樹脂合成TPh0.25TMe0.75在氮氣下，將120g PGMEA、13.2g(0.0625mol)苯基三氯硅烷和28.0g(0.1875mol)甲基三氯硅烷的溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中。在1小時的時間段內(nèi)，將200g PGMEA和10g(0.555mol)水的溶液加入到三氯硅烷的溶液中。在加完濕PGMEA之后，在20℃下攪拌另外1小時，使反應(yīng)稠化。水與硅之比為2.2∶1。在40℃下，通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀濃縮樹脂溶液到約10wt％。將約4 0g乙醇加入到樹脂溶液中。再一次汽提溶液到約20wt％。用額外的PGMEA稀釋該溶液到10wt％。過濾溶液通過0.20微米的PTFE過濾器，并儲存在250ml HDPE瓶子內(nèi)。
對比例3樹脂合成TPh0.15TMe0.85在氮氣下，將120g PGMEA、7.93g(0.0375mol)苯基三氯硅烷和31.77g(0.2125mol)甲基三氯硅烷的溶液轉(zhuǎn)移到反應(yīng)器中。在1小時的時間段內(nèi)，將200g PGMEA和10g(0.555mol)水的溶液加入到三氯硅烷的溶液中。在加完濕潤的PGMEA之后，在20℃下攪拌另外1小時，使反應(yīng)稠化。水與硅之比為2.2∶1。在40℃下，通過旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀濃縮樹脂溶液到約10wt％。將約40g乙醇加入到樹脂溶液中。再一次汽提溶液到約20wt％。用額外的PGMEA稀釋該溶液到10wt％。過濾溶液通過0.20微米的PTFE過濾器，并儲存在250ml HDPE瓶子內(nèi)。
實施例4TPh0.5TH0.5向燒瓶中添加120g丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA，120g)、苯基三氯硅烷(42.31g，0.20mol)、三氯硅烷(27.09g，0.20mol)。在攪拌的同時，在氮氣氛圍下冷卻溶液到20℃。向另一燒瓶中添加PGMEA(350g)和水(12.96g，0.72mol)并進(jìn)行混合；然后在90分鐘內(nèi)將水/PGMEA的充分混合的均勻溶液加入到反應(yīng)器中。在添加之后，使反應(yīng)燒瓶內(nèi)容物稠化2小時。在40℃下，使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀，通過除去蒸汽形式的大多數(shù)HCl和小量的PGMEA，濃縮溶液到約21wt％樹脂。接下來，將乙醇(50g)加入到該溶液中，并旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)燒瓶內(nèi)容物，以除去乙醇、殘留水、鹽酸和PGMEA。然后通過添加PGMEA，稀釋該溶液到10wt％(產(chǎn)量357g)。
實施例5樹脂TPh0.7TH0.3向燒瓶中添加丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA，140g)、苯基三氯硅烷(71.0g，0.34mol)、三氯硅烷(19.7g，0.15mol)。在攪拌的同時，在氮氣氛圍下冷卻溶液到20℃。向另一燒瓶中添加PGMEA(350g)和水(15.90g，0.89mol)；然后在90分鐘內(nèi)將水/PGMEA的溶液加入到反應(yīng)器中。在添加之后，使反應(yīng)燒瓶溫?zé)岬?0℃并攪拌2小時，以稠化所形成的樹脂。在40℃下，使用旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)儀，通過除去蒸汽形式的大多數(shù)HCl和小量的PGMEA，濃縮燒瓶內(nèi)的溶液到約21wt％樹脂。接下來，將乙醇(80g)加入到該溶液中，并旋轉(zhuǎn)蒸發(fā)燒瓶內(nèi)容物，以除去乙醇、殘留水、鹽酸和PGMEA。然后通過添加PGMEA，稀釋該溶液到10wt％樹脂(產(chǎn)量450g)。
膜涂層和表征在Karl Suss CT62旋涂器上加工在晶片上的膜涂層。樹脂PGMEA溶液首先過濾通過0.20微米的PTFE過濾器，然后旋涂在標(biāo)準(zhǔn)單面四英寸拋光的低電阻率晶片或者雙面拋光的FTIR晶片上(旋轉(zhuǎn)速度＝2000rpm；加速度＝5000，時間＝20秒)。如表3或4中所示，使用具有氮氣吹掃的快速熱加工(RTP)烘箱，在(200-250℃)的溫度下固化膜90秒。使用J.A.Woollam橢圓計，測定膜厚、折射指數(shù)和k值。所記錄的厚度值是9次測量的平均值。通過測量PGMEA漂洗之前和之后的膜厚變化，來確定固化之后膜的抗PGMEA性。采用兩種商業(yè)濕汽提溶液NE89和CC1，評估濕除去速度。使用水和二碘甲烷作為液體，測量接觸角，以利用Zisman方法，計算潤濕的臨界表面張力。表1-4中給出了結(jié)果。
表1THTPh樹脂
表2 TMeTPh樹脂(對比)
表3 THTPh樹脂
表4TMeTPh樹脂(對比)
權(quán)利要求
1.一種在電子器件上形成抗反射涂層的方法，該方法包括(A)施加ARC組合物到電子器件上，所述ARC組合物包括(i)具有下述通式的倍半硅氧烷樹脂(PhSiO(3-x)/2(OH)x)mHSiO(3-x)/2(OH)x)n其中Ph是苯基，x的數(shù)值為0、1或2；m的數(shù)值為0.05-0.95，n的數(shù)值為0.05-0.95，和m+n≈1；和(ii)溶劑；和(B)除去溶劑，并固化倍半硅氧烷樹脂，從而在電子器件上形成抗反射涂層。
2.權(quán)利要求1的方法，其中m的數(shù)值為0.10-0.50，和n的數(shù)值為0.10-0.50。
3.權(quán)利要求1的方法，其中在倍半硅氧烷樹脂內(nèi)，小于40mol％的單元含有Si-OH基團(tuán)。
4.權(quán)利要求1的方法，其中在倍半硅氧烷樹脂內(nèi)，6-38mol％的單元含有Si-OH基團(tuán)。
5.權(quán)利要求1的方法，其中溶劑(ii)選自1-甲氧基-2-丙醇、亞丙基甲醚乙酸酯和環(huán)己酮。
6.權(quán)利要求1的方法，其中基于ARC組合物的重量，ARC組合物含有80-95wt％的溶劑。
7.權(quán)利要求1的方法，其中ARC組合物另外含有固化催化劑。
8.權(quán)利要求1的方法，其中通過旋涂施加ARC組合物。
9.權(quán)利要求1的方法，其中通過加熱固化倍半硅氧烷樹脂。
10.權(quán)利要求9的方法，其中通過在150℃-275℃范圍內(nèi)的溫度下加熱來固化倍半硅氧烷樹脂。
11.權(quán)利要求1的方法，其中通過在200℃-250℃范圍內(nèi)的溫度下加熱來固化倍半硅氧烷樹脂。
12.權(quán)利要求1的方法，其中通過在惰性氛圍下加熱來固化倍半硅氧烷樹脂。
13.一種在電子器件上形成抗反射涂層的方法，該方法包括(A)施加ARC組合物到電子器件上，所述ARC組合物包括(i)具有下述通式的倍半硅氧烷樹脂(PhSiO(3-x)/2(OH)x)mHSiO(3-x)/2(OH)x)n其中Ph是苯基，x的數(shù)值為0、1或2；m的數(shù)值為0.05-0.95，n的數(shù)值為0.05-0.95，和m+n≈1；和(ii)溶劑；(B)除去溶劑，并固化倍半硅氧烷樹脂，從而在電子器件上形成抗反射涂層；和(C)在抗反射涂層上形成抗蝕劑圖像。
14.權(quán)利要求13的方法，其中通過以下步驟形成抗蝕劑圖像(a)在抗反射涂層之上形成抗蝕劑組合物的膜；(b)成影像地曝光抗蝕劑膜于輻射線下，產(chǎn)生曝光膜；(c)使曝光膜顯影，產(chǎn)生圖像。
15.一種在電子器件上形成抗反射涂層的方法，該方法包括(A)施加ARC組合物到電子器件上，所述ARC組合物包括(i)具有下述通式的倍半硅氧烷樹脂(PhSiO(3-x)/2(OH)x)mHSiO(3-x)/2(OH)x)n其中Ph是苯基，x的數(shù)值為0、1或2；m的數(shù)值為0.05-0.95，n的數(shù)值為0.05-0.95，和m+n≈1；和(ii)溶劑；(B)除去溶劑，并固化倍半硅氧烷樹脂，從而在電子器件上形成抗反射涂層；(C)在抗反射涂層上形成抗蝕劑圖像；和(D)在抗反射膜內(nèi)蝕刻圖案。
16.一種在電子器件上形成抗反射涂層的方法，該方法包括(A)施加ARC組合物到電子器件上，所述ARC組合物包括(i)具有下述通式的倍半硅氧烷樹脂(PhSiO(3-x)/2(OH)x)mHSiO(3-x)/2(OH)x)n其中Ph是苯基，x的數(shù)值為0、1或2；m的數(shù)值為0.05-0.95，n的數(shù)值為0.05-0.95，和m+n≈1；和(ii)溶劑；(B)除去溶劑，并固化倍半硅氧烷樹脂，從而在電子器件上形成抗反射涂層；(C)在抗反射涂層上形成抗蝕劑圖像；(D)在抗反射膜內(nèi)蝕刻圖案；和(E)除去抗蝕劑圖像和抗反射膜。
全文摘要
一種在電子器件上形成抗反射涂層的方法，該方法包括(A)施加ARC組合物到電子器件上，所述ARC組合物包括(i)具有下述通式的倍半硅氧烷樹脂(PhSiO
文檔編號G03F7/075GK101073039SQ200580042020
公開日2007年11月14日 申請日期2005年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月17日
發(fā)明者P-F·付, E·S·莫耶, C·R·耶克勒 申請人:陶氏康寧公司