專利名稱：反射型光掩模坯料、反射型光掩模及使用它的半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及使用了基于極紫外光即EUV(Extreme Ultra Violet)光、尤其是具有軟X射線區(qū)域波長的光的光刻法的半導(dǎo)體裝置的制造方法，用于此的反射型光掩模和用于該反射型光掩模的反射型光掩模坯料。
背景技術(shù)：
伴隨著近年來半導(dǎo)體元件中的高集成化，利用光刻法向Si基板上進(jìn)行的必要的圖案轉(zhuǎn)印的微細(xì)化正加速發(fā)展。
使用了以往的燈光源(波長365nm)和準(zhǔn)分子激光光源(波長248nm，193nm)的光刻法中的光源的短波長化越來越接近曝光極限。因此，可以進(jìn)行尤其是100nm以下的微細(xì)加工的新型光刻法的確立成為當(dāng)務(wù)之急。
因此，正在開發(fā)利用更短波長區(qū)域的準(zhǔn)分子激光即F2激光(波長157nm)的光刻法。然而，通常，由于曝光波長的半波長的尺寸是實(shí)質(zhì)上的顯影極限，因此即使在該情況下，70nm左右也是極限。
因此，例如如特開2001-237174號公報中所述，近年來，開發(fā)了以比F2激光短一個數(shù)量級以上的具有10～15nm的波長的EUV光(波長13nm)為光源的EUV光刻法。
EUV光的波長區(qū)域中的物質(zhì)的折射率為略小于1左右。在該EUV光刻法中，由于不能使用如以往的曝光源中使用的折射光學(xué)體系，因此使用基于反射光學(xué)體系的曝光。此外，在EUV光的波長區(qū)域中，幾乎所有的物質(zhì)均具有高的光吸收性。因此，作為圖案轉(zhuǎn)印用光掩模，不使用已有的透射型光掩模，而使用反射型光掩模。這樣，在EUV光刻法中，在曝光中使用的光學(xué)體系和光掩模等與現(xiàn)有的曝光技術(shù)有顯著差異。
該EUV光刻法用的反射型光掩模是如下所述得到的物質(zhì)在平坦的Si基板或合成石英基板上設(shè)置在EUV波長區(qū)域中的反射率大的鏡(反射鏡)，再在其上根據(jù)期望的曝光圖案進(jìn)行圖案加工以形成由對EUV光的吸收性特別高的重金屬構(gòu)成的光吸收層。
針對EUV光的鏡(反射鏡)由通過組合折射率差異大的材料而形成的多層反射膜構(gòu)成。在反射型光掩模中，通過多層反射膜表面被光吸收層圖案覆蓋而形成的吸收區(qū)域與沒有光吸收層而露出多層反射膜表面的反射區(qū)域之間的EUV曝光反射率的對比度，來進(jìn)行曝光圖案的圖案轉(zhuǎn)印。
通常，光吸收層中形成的圖案的檢查是通過在掩模表面入射波長為190nm～260nm左右的DUV(遠(yuǎn)紫外)光，檢測其反射光，并研究其反射率的對比度來進(jìn)行的。具體地說，在光吸收層的圖案加工前，作為多層反射膜的保護(hù)層，在光吸收層正下方任意設(shè)置的緩沖層表面成為反射區(qū)域，利用與由圖案加工后的光吸收層表面構(gòu)成的吸收區(qū)域的反射率的對比度，首先進(jìn)行第1階段的檢查，以判斷光吸收層是否按照設(shè)計(jì)被進(jìn)行了圖案成形加工。于是，檢測出本來應(yīng)該蝕刻的光吸收層卻沒被蝕刻而殘留在緩沖層上的部位(黑缺陷)和本來應(yīng)該不蝕刻而殘留在緩沖層上的光吸收層的一部分卻被蝕刻的部位(白缺陷)。
修正該第1階段的檢查中檢測出的缺陷后，再除去緩沖層，露出緩沖層正下方的多層反射膜表面，然后對在光吸收層上形成的圖案進(jìn)行第2階段的最終檢查。該最終檢查是通過觀察由光吸收層表面構(gòu)成的吸收區(qū)域與由多層反射膜表面構(gòu)成的反射區(qū)域之間的反射率的對比度而進(jìn)行的。另外，有時也可以不除去緩沖層，但如果在多層反射膜表面有緩沖層的涂膜，則存在多層反射膜的反射率降低的傾向，因此往往除去緩沖層。
在上述的第1階段和第2階段的利用DUV檢查光進(jìn)行的光吸收層圖案的檢查中，通過分別觀察除去了光吸收層的緩沖層表面與未除去而殘留了光吸收層的光吸收層表面、以及除去了緩沖層的多層反射膜表面與光吸收層表面之間的DUV光反射率對比度而進(jìn)行的。因此，為了進(jìn)一步提高檢查精度，期望在第1階段的檢查中，對于緩沖層表面和光吸收層表面來說、在第2階段的檢查中，對于多層反射膜表面和光吸收層表面來說，各自的DUV檢查波長的反射率的差較大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是為了改進(jìn)上述的EUV光刻法而作出的，其目的是提供一種下述的反射型光掩模具有不僅曝光圖案的轉(zhuǎn)印時的EUV光曝光反射率、而且光吸收性疊層的圖案檢查中的DUV光曝光反射率均足夠低、相對于反射區(qū)域能夠獲得足夠的反射率對比度的光吸收性疊層，并且可以進(jìn)行高精度的檢查和高精度的掩模圖案轉(zhuǎn)印。
此外，本發(fā)明的目的是提供一種可以加工成下述的反射型光掩模的反射型光掩模坯料具有不僅掩模圖案轉(zhuǎn)印時的EUV光曝光反射率、而且光吸收性疊層的圖案檢查中的DUV光曝光反射率均足夠低、相對于反射區(qū)域能夠獲得足夠的反射率對比度的光吸收性疊層，并且可以進(jìn)行高精度的檢查和高精度的圖案轉(zhuǎn)印。
此外，本發(fā)明的目的是提供一種可以通過EUV光進(jìn)行高精度的圖案轉(zhuǎn)印的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
本發(fā)明提供一種反射型光掩模坯料，其特征在于，所述反射型光掩模坯料至少具有基板；設(shè)置在該基板上的多層反射膜；包含設(shè)置在該多層反射膜上且含有鉭和硅的第1光吸收層、以及層疊在該第1光吸收層上且含有鉭、硅、以及氮或氧的第2光吸收層的光吸收性疊層。
此外，本發(fā)明提供一種反射型光掩模，其具有基板；設(shè)置在該基板上的多層反射膜；包含設(shè)置在該多層反射膜上且含有鉭和硅的第1光吸收層、以及層疊在該第1光吸收層上且含有鉭、硅、以及氮或氧的第2光吸收層的光吸收性疊層，并且該光吸收性疊層經(jīng)過圖案加工。
此外，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，該方法包括下述工序?qū)Ψ瓷湫凸庋谀Ｕ丈錁O紫外光，利用其反射光對設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的極紫外光用抗蝕劑層進(jìn)行曝光，從而轉(zhuǎn)印圖案，其中所述反射型光掩模具有基板；設(shè)置在該基板上的多層反射膜；包含設(shè)置在該多層反射膜上且含有鉭和硅的第1光吸收層、以及層疊在該第1光吸收層上且含有鉭、硅、以及氮或氧的第2光吸收層的光吸收性疊層，并且該光吸收性疊層經(jīng)過圖案加工。


圖1是表示本發(fā)明的反射型光掩模坯料的一個實(shí)施例的剖面圖。
圖2是表示反射型光掩模的一個實(shí)施例的剖面圖。
圖3是表示關(guān)于由Ta和Si構(gòu)成的合金膜的X射線衍射數(shù)據(jù)的一個例子的圖形。
圖4是表示關(guān)于TaSi類材料的消光系數(shù)和表面電阻(sheetresistance)的關(guān)系的圖。
圖5是表示關(guān)于TaSi類材料的消光系數(shù)和表面電阻的關(guān)系的圖。
圖6是表示關(guān)于TaSi類材料的消光系數(shù)和表面電阻的關(guān)系的圖。
圖7是表示關(guān)于TaSi類材料的消光系數(shù)和表面電阻的關(guān)系的圖。
圖8是表示關(guān)于TaSi類材料的消光系數(shù)和表面電阻的關(guān)系的圖。
圖9是表示第1光吸收層的消光系數(shù)與第2光吸收層的膜厚的關(guān)系的圖形。
圖10是表示本發(fā)明的第1觀點(diǎn)涉及的反射型光掩模的一個例子的制造工序的示意剖面圖。
圖11是表示本發(fā)明的第1觀點(diǎn)涉及的反射型光掩模的一個例子的制造工序的示意剖面圖。
圖12是表示本發(fā)明的第1觀點(diǎn)涉及的反射型光掩模的一個例子的制造工序的示意剖面圖。
圖13是表示本發(fā)明的第1觀點(diǎn)涉及的反射型光掩模的一個例子的制造工序的示意剖面圖。
圖14是表示改變第1光吸收層和第2光吸收層的厚度時的光吸收性疊層的分光反射率特性的圖形。
圖15是表示改變第1光吸收層和第2光吸收層的厚度時的光吸收性疊層的分光反射率特性的圖形。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的反射型光掩模坯料具有基板、設(shè)置在基板上的多層反射膜和設(shè)置在該多層反射膜上的光吸收性疊層，該光吸收性疊層具有下述的層疊結(jié)構(gòu)包含含有鉭和硅的第1光吸收層、以及層疊在第1光吸收層上且含有鉭、硅以及氮的第2光吸收層。
反射型光掩模坯料是加工成反射型光掩模前的制品，光吸收性疊層還沒有按照轉(zhuǎn)印的曝光圖案進(jìn)行過圖案加工。
本發(fā)明的反射型光掩模除了對光吸收性疊層進(jìn)行了圖案加工以外，與上述反射型光掩模坯料具有同樣的構(gòu)成。
根據(jù)本發(fā)明，反射型光掩模坯料和反射型光掩模中使用的光吸收性疊層由于至少包含對EUV光曝光的反射率低的第1光吸收層和對EUV光曝光的反射率以及對DUV光曝光的反射率低的第2光吸收層的疊層，所以不僅在利用EUV光進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)印曝光時，而且在利用DUV光進(jìn)行檢查曝光時，相對于反射區(qū)域均能獲得良好的反射率對比度。由此，反射型光掩模的檢查精度和圖案轉(zhuǎn)印精度變得良好。
此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括對上述反射型光掩模照射極紫外(EUV)光，利用其反射光對設(shè)置于半導(dǎo)體基板上的EUV光用抗蝕劑層進(jìn)行曝光，從而轉(zhuǎn)印圖案的工序。
此外，接著在顯影工序中除去不必要部分的抗蝕劑層，在基板上形成抗蝕劑層的圖案后，以該抗蝕劑層的圖案作為掩模，對被加工層進(jìn)行蝕刻處理，然后，除去抗蝕劑層的圖案，從而能在基板上轉(zhuǎn)印忠實(shí)于光掩模圖案的圖案。由此獲得半導(dǎo)體裝置。
以下，參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)行具體說明。
圖1是表示本發(fā)明的反射型光掩模坯料的一個實(shí)施例的剖面圖，此外，圖2是表示反射型光掩模的一個實(shí)施例的剖面圖。
如圖1所示，本發(fā)明的反射型光掩模坯料10具有在基板1上依次層疊多層反射膜2、緩沖層3和光吸收性疊層4的結(jié)構(gòu)。光吸收性疊層4具有在緩沖層3上設(shè)置的第1光吸收層41和在其上設(shè)置的第2光吸收層42這種層疊了2層的結(jié)構(gòu)。緩沖層3可以任意設(shè)置。此外，多層反射膜2是多層的結(jié)構(gòu)，但簡化地以單層示出。
此外，如圖2所示，本發(fā)明的反射型光掩模20除了設(shè)置由經(jīng)過圖案加工的第1光吸收層41a和經(jīng)過圖案加工的第2光吸收層42a構(gòu)成的光吸收性疊層4a來代替由第1光吸收層41和第2光吸收層42構(gòu)成的光吸收性疊層4、以及設(shè)置經(jīng)過圖案加工的緩沖層3a來代替緩沖層3以外，具有與圖1同樣的結(jié)構(gòu)。在反射型光掩模20中，通過該圖案加工，部分除去光吸收性疊層4而露出一部分多層反射膜2的表面的部分構(gòu)成反射區(qū)域B，未除去而殘留的光吸收性疊層4的表面構(gòu)成吸收區(qū)域A。此時，在緩沖層3與多層反射膜2之間可以設(shè)置未圖示的覆蓋層以保護(hù)多層反射膜2。作為覆蓋層的材料，可以列舉例如Ru、Zr、Si、Nb、它們的氮化物和氧化物等。
作為光吸收性疊層的下層的第1光吸收層含有Ta和Si。
Ta是對EUV光等短波長區(qū)域的光的吸收性高的材料。然而，Ta單質(zhì)膜往往是α-Ta和β-Ta這樣的結(jié)晶狀態(tài)的膜。如果是這樣的結(jié)晶狀態(tài)，則由于Ta結(jié)晶顆粒的影響，表面變得粗糙，難以獲得平滑性高的光吸收性疊層表面。此外，由于該Ta結(jié)晶顆粒的影響，難以獲得光吸收性疊層對于干法蝕刻的良好的蝕刻各向異性，圖案邊緣變得粗糙，存在圖案精度降低的傾向。在確保光吸收性疊層表面的平滑性的同時，在該光吸收性疊層上通過干法蝕刻的各向異性加工進(jìn)行圖案形成的情況下，優(yōu)選光吸收性疊層的結(jié)晶狀態(tài)是無定形的。
如果在Ta中加入適量的Si，則所得合金存在容易無定形化的傾向。
圖3是表示關(guān)于由Ta和Si構(gòu)成的合金膜的X射線衍射數(shù)據(jù)的一個例子的圖形。
圖中，301是表示Ta為100at％時的X射線衍射的測定結(jié)果的圖形，302是表示Ta為96.5at％、Si為3.5at％時的X射線衍射的測定結(jié)果的圖形，303是表示Ta為94.1at％、Si為5.9at％時的X射線衍射的測定結(jié)果的圖形。此外，峰C表示存在β-Ta的(002)面，峰D表示存在Si(400)面，峰E表示存在β-Ta的(004)面。
由這些圖形可知，通過在Ta中添加Si，則失去在Ta層中可見到的結(jié)晶性，由Si含量為5.9at％左右的合金狀態(tài)可發(fā)現(xiàn)無定形化。由此可知，第1光吸收層優(yōu)選光吸收膜中的Si含量至少為6at％。此外，從微細(xì)加工性的觀點(diǎn)來看，如果估計(jì)第1光吸收層為1000，則光吸收膜中的Si含量優(yōu)選為15at％以下。此外，第1光吸收層更優(yōu)選Si含量為6at％～15at％，Ta含量為85at％～94at％。如果光吸收膜中的Si含量在所述范圍內(nèi)，則第1光吸收層的結(jié)晶狀態(tài)存在容易無定形化的傾向。此外，如果在該范圍外，則存在容易結(jié)晶的傾向。如果光吸收膜中的Ta含量在所述范圍內(nèi)，則第1光吸收層的結(jié)晶狀態(tài)存在容易無定形化的傾向。此外，如果在該范圍外，則存在容易結(jié)晶的傾向?；蛘撸词乖谙騎a中添加Ge等的情況下，由于同樣的效果，也能獲得無定形的光吸收膜。
然而，如果光吸收性疊層由上述的Ta與Si的合金的單一層構(gòu)成，則光吸收性疊層表面對EUV短波長區(qū)域的光的反射率降低。但是，對于波長比EUV光長1個數(shù)量級以上的檢查用DUV(遠(yuǎn)紫外)光，光吸收性疊層表面的反射率容易變得較高。在EUV光曝光用反射型光掩模的檢查中，是通過測定對掩模照射波長為190～260nm左右的DUV光波長區(qū)域的光而獲得的反射光的對比度來進(jìn)行的。因此，對于光吸收性疊層，要求與緩沖層表面和多層反射膜表面相比，EUV光曝光反射率更低。在光吸收性疊層表面上的檢查用DUV光的反射率比緩沖層表面和多層反射膜表面越是低、且其差越是大的膜，越能獲得檢查用DUV光的反射光的高對比度，可以進(jìn)行正確的檢查。
該檢查波長對比度優(yōu)選大于50％。
對比度值r(％)由下式給出r＝{|Rm-Ra|/(Rm+Ra)}×100(％)其中，Rm是多層反射膜表面或緩沖層表面的反射率。此外，Ra是光吸收性疊層表面的反射率。光吸收性疊層上形成的圖案的檢查通過分別檢測相對于緩沖層表面和多層反射膜表面的光吸收性疊層表面的反射率對比度來進(jìn)行。其中，多數(shù)情況是緩沖層表面的反射率比多層反射膜表面的反射率小。由此可以認(rèn)為，與確保光吸收性疊層與多層反射膜表面之間的反射率差即對比度相比，獲得與緩沖層之間的對比度是更略微困難的。
作為緩沖層的材料，可以使用例如SiO2、Ru、ITO、Cr、CrxN1-x、CrxO1-x、C和B4C等。在使用SiO2、Ru的情況下，DUV光波長區(qū)域中的反射率盡管也取決于其膜厚，但往往為40～50％左右。因此，如果由上述的表示對比度的式子，求出為獲得強(qiáng)于50％的對比度的光吸收性疊層所必需的對DUV光的反射率的范圍，則光吸收性疊層對DUV光的反射率優(yōu)選小于13％。
根據(jù)本發(fā)明的第1觀點(diǎn)，為了降低光吸收性疊層的DUV光曝光反射率，在第1光吸收層上層疊其組成與第1光吸收層不同且包含Ta、Si和N的第2光吸收層。通過將第2光吸收層設(shè)定為金屬的氮化物，與金屬膜單質(zhì)的情況相比，可以降低其DUV光曝光反射率。而且同時，由于金屬的氮化，與金屬單質(zhì)的情況相比，能促進(jìn)膜的微結(jié)晶化甚至無定形化，因此能不斷獲得改善表面平滑性的效果。該第2光吸收層優(yōu)選成為光吸收性疊層的最上面。此外，作為第2光吸收層，即使在使用金屬氧化物的情況下，在降低DUV光曝光反射率方面也具有同樣的效果，但在該情況下，存在伴隨著導(dǎo)電性的降低產(chǎn)生電荷升高的傾向。
根據(jù)本發(fā)明的第1觀點(diǎn)，第2光吸收層優(yōu)選含有40～60at％的Si。此外，第2光吸收層優(yōu)選含有40～60at％的Si、2～7at％的Ta。此外，第2光吸收層優(yōu)選含有40～60at％的Si、2～7at％的Ta和6～15at％的N。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第1觀點(diǎn)，如果第2光吸收層中的Si含量少于40at％，則第2光吸收層中的DUV光透射率容易減小。由此，存在光吸收性疊層中的第1光吸收層表面的反射光(1)與第2光吸收層表面的反射光(2)之間的干涉的影響容易降低的傾向。該干涉的影響取決于所述反射光(1)和反射光(2)這2個路徑的光相互抵消的效果。該效果越高，則越能降低光吸收性疊層4的表面的最終反射率。如果Si的量多于60at％，則第1光吸收層上的DUV光透射率存在升高的傾向，反射光(2)容易增大，因此低反射的效果容易受到損害。此外，由于Si量的增加，導(dǎo)電性會下降，從而導(dǎo)致帶電量的上升，存在無法忽視由于該帶電產(chǎn)生的影響、例如在使用電子束的圖案描繪中產(chǎn)生圖案不佳等的傾向。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第1觀點(diǎn)，如果第2光吸收層中的Ta含量少于2at％，則對EUV光的吸收性降低，因此為了獲得規(guī)定的光吸收性，存在要求增厚膜厚的傾向。如果第2光吸收層中的Ta的含量多于7at％，則由于光吸收性增加，DUV光透射率降低，因干涉的影響而存在第2光吸收層中低反射的效果受到損害的傾向。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第1觀點(diǎn)，如果第2光吸收層中的N含量少于6at％，則伴隨著光透射率降低，由于干涉的影響，存在第2光吸收層的低反射的效果受到損害的傾向。如果第2光吸收層中的N含量多于15at％，則為了通過降低EUV光的吸收率而獲得規(guī)定的光吸收性，存在要求增厚膜厚的傾向，且存在表面粗糙度反而增大這樣的傾向。
根據(jù)本發(fā)明的第1觀點(diǎn)，在第2光吸收層中，如果Ta、Si和N的含量分別在上述范圍內(nèi)，則能不斷改善表面的反射率和平滑性。這樣，在本發(fā)明中，將光吸收性疊層設(shè)定成層疊結(jié)構(gòu)，能將曝光波長的光吸收性疊層的反射率和檢查波長的光吸收性疊層表面的反射率抑制得較低。
另外，作為對DUV光具有光吸收性的材料，還可考慮使用不含Ta的Si氮化物。然而，在該情況下，由于對EUV光的吸收性下降，所以存在必須將第1光吸收層的厚度設(shè)定得較厚這樣的不利點(diǎn)。相反，在本發(fā)明中，由于設(shè)定成不僅在作為光吸收性疊層的下層的第1光吸收層中，而且在作為上層的第2光吸收層中均包含Ta這樣的對EUV光的吸收率高的材料這種結(jié)構(gòu)，因此還能降低光吸收性疊層整體的膜厚。
此外，本發(fā)明中使用的光吸收性疊層優(yōu)選其表面粗糙度為1nmRms以下。更優(yōu)選為0.6nmRms以下。如果表面粗糙度為1nmRms以下，則在通過光吸收性疊層的干法蝕刻加工進(jìn)行的圖案化中，具有容易獲得加工后的圖案端部的直線性這樣的優(yōu)點(diǎn)。然而，如果表面粗糙度超過1nmRms，則光吸收性疊層表面端部變得粗糙，存在圖案精度降低的傾向。
在本發(fā)明中，光吸收性疊層是在多層反射膜上依次層疊第1光吸收層和第2光吸收層，但如果反順序?qū)盈B第1光吸收層和第2光吸收層，則由第1光吸收層表面上的反射率來決定，干涉的影響降低，從而存在難以獲得低反射效果的傾向。
多層反射膜例如可以通過約30～40個周期左右反復(fù)層疊Mo層和Si層、或Mo層和Be層這樣組合的層而形成。各層可以以每1層例如為2.8nm～4.2nm的厚度形成。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，由于能在EUV光刻法中進(jìn)行精度高的圖案轉(zhuǎn)印，因此可以制造具有微細(xì)化圖案的半導(dǎo)體裝置。即，用聚光鏡聚光反射從EUV光源發(fā)出的EUV光并照射本發(fā)明的反射型光掩模，通過反射投影光學(xué)體系將由反射型光掩模圖案成形的EUV光在涂布有EUV光用抗蝕劑的晶片表面上縮小投影曝光。然后，通過顯影形成期望的抗蝕劑圖案，以該抗蝕劑圖案為掩模，對晶片表面進(jìn)行蝕刻，從而制造具有微細(xì)圖案的半導(dǎo)體裝置。
此外，根據(jù)本發(fā)明的第2觀點(diǎn)，為了降低光吸收性疊層的DUV光曝光反射率，在第1光吸收層上，層疊其組成與第1光吸收層不同且包含Ta、Si和O的第2光吸收層。此外，第2光吸收層可以包含Ta、Si、O和N。通過將第2光吸收層設(shè)定為金屬的氧化物，與金屬膜單質(zhì)的情況相比，可以降低其DUV光曝光反射率。通過將第2光吸收層設(shè)定為金屬的氧化物層或氮氧化物層，與金屬單質(zhì)層的情況相比，能促進(jìn)微結(jié)晶化或無定形化。因此能獲得改善光吸收層表面的平滑性的效果。該第2光吸收層優(yōu)選成為光吸收性疊層的最上面。
但是，在這樣將光吸收性疊層的最上面設(shè)定為氧化物或氮氧化物這樣的反應(yīng)性膜的情況下，根據(jù)其反應(yīng)性和第2光吸收層中的Si比率的程度，存在伴隨著導(dǎo)電性的降低產(chǎn)生電荷升高的傾向。
因此，在本發(fā)明的第2觀點(diǎn)中，使用的第2光吸收層除了包含Ta、Si和O以外，其消光系數(shù)小于1，且其表面電阻為50MΩ/□以下。
另外，對于本發(fā)明的第1觀點(diǎn)的第2光吸收層，也優(yōu)選其消光系數(shù)小于1，且其表面電阻為50MΩ/□以下。
由于第2光吸收層具有50MΩ/□以下的表面電阻值，所以能防止光吸收性疊層最上面的電荷升高，因此在電子束描繪光吸收性疊層時，不會由于帶電而產(chǎn)生圖案不佳。
通過使用Ta，能獲得對EUV光的光吸收性，且能降低其膜厚。此外，由于其消光系數(shù)小于1，所以具有能確保用于獲得第2光吸收層中反射光的干涉效果的透明性這樣的優(yōu)點(diǎn)。如果該消光系數(shù)高于1，則第2光吸收層中的透明性不足，因此存在第2光吸收層的反射光與第1光吸收層的反射光之間的干涉作用降低，無法獲得足夠的低反射效果這樣的缺點(diǎn)。
這樣，根據(jù)本發(fā)明的第2觀點(diǎn)，可以在確保第2光吸收層表面的平滑性的同時，在該第1和第2光吸收層上通過使用干法蝕刻的各向異性加工進(jìn)行圖案形成，而且形成它的材料的結(jié)晶狀態(tài)是無定形的，因此圖案邊緣清晰，且能防止第2吸收體層中的電荷升高，因此光吸收性疊層的圖案精度變得良好。
根據(jù)本發(fā)明的第2觀點(diǎn)，在第2光吸收層的Ta比率較小的情況下，例如在Ta含量為第2光吸收層的約40at％以下的情況下，作為第2光吸收層，通過使用由Ta、Si和O實(shí)質(zhì)上形成的氧化膜、或由Ta、Si、O和N實(shí)質(zhì)上形成的氮氧化膜，能獲得期望范圍的消光系數(shù)和表面電阻。
在圖4和圖5是表示關(guān)于Ta含量較小的TaSi類材料的消光系數(shù)和表面電阻的關(guān)系的圖。
圖4表示氧化膜(TaSiO膜)的特性，圖5表示氮氧化膜(TaSiON膜)的特性。
使用的試樣是在厚度為0.525mm的合成石英基板上形成厚度為75nm的TaSi作為第1光吸收層后，如下所述地形成厚度為27nm的氧化膜(TaSiO膜)或氮氧化膜(TaSiON膜)作為第2光吸收層。
此外，所述試樣的氧化膜、氮氧化膜通過濺射法形成。
對于各光吸收層的濺射，首先，在形成第1光吸收層的情況下，使用2元的TaSi合金靶和Ta靶，此外，在形成第2光吸收層的情況下，使用2元的Ta和Si，通過調(diào)整在各靶上施加的DC功率來進(jìn)行濺射。濺射氣體氣氛對于第1光吸收層來說為Ar，對于第2光吸收層來說，在TaSiO的情況下為Ar和O2，在TaSiON的情況下為Ar、O2和N2。
如圖4和圖5所示，具有小于1的消光系數(shù)和小于50MΩ/□的表面電阻的膜在TaSiO和TaSiON的任意組成中均能獲得。
在圖4和圖5所示的膜中，對于消光系數(shù)和表面電阻，對滿足所期望的消光系數(shù)和表面電阻的范圍的膜進(jìn)行了組成分析，結(jié)果可知，在TaSiO中，優(yōu)選Ta為30～40at％，且Ta與O的組成比(Ta∶O)在1∶1～1∶2的范圍。在TaSiON中，優(yōu)選Ta為20～40at％，且Ta與O的組成比(Ta∶O)為3∶2～9∶1、以及Ta與N的組成比(Ta∶N)為1∶2～3∶2。另外，優(yōu)選Ta為30～40at％。這是由于提高Ta比率的話，能顯示出高吸收特性，因此可以實(shí)現(xiàn)薄膜化，有利于微細(xì)加工性。
此外，根據(jù)第2觀點(diǎn)，在第2光吸收層的Ta比率較小的情況下，例如在Ta比率為第2光吸收層的約40at％以下的情況下，作為第2光吸收層，通過使用由Ta、Si和O實(shí)質(zhì)上形成的氧化膜，能獲得期望范圍的消光系數(shù)和表面電阻。
圖6和圖7是表示關(guān)于Ta含量較大的TaSi類材料的消光系數(shù)和表面電阻的關(guān)系的圖。
圖6表示氧化膜(TaSiO膜)的特性，圖7表示氮氧化膜(TaSiON膜)的特性。
各試樣的光吸收層的濺射是使用2元的TaSi4和Ta，調(diào)整在各靶上施加的DC功率以提高Ta含量。在該情況下，例如將TaSi4靶設(shè)定為50W，將Ta靶設(shè)定為250W。在形成第1光吸收層的情況下，氣體氣氛設(shè)定為Ar，在形成TaSiO膜的情況下，將濺射中的氣體氣氛設(shè)定為Ar/O2，在形成TaSiON膜的情況下，將氣體氣氛設(shè)定為Ar/O2/N2。
如圖6和圖7所示，在Ta含量高的情況下，如圖6所示，在TaSiO的情況下，可以形成滿足消光系數(shù)和表面電阻的所期望范圍的膜。然而，如圖7所示，在TaSiON中，難以獲得滿足消光系數(shù)和表面電阻的所期望范圍的膜。這是由于在氮化為主體的膜中，伴隨著膜中Ta比率的增大，由于消光系數(shù)大的TaN的影響，難以確保通過氧實(shí)現(xiàn)的透明性。
因此，如圖7所示可知，在膜為氮化基底的情況下，即使在提高氣氛的氧氣流量的情況下，消光系數(shù)的降低也小，表面電阻的增大成為問題，難以獲得滿足期望的消光系數(shù)和表面電阻的范圍的膜。
在圖6和圖7所示的膜中，對于消光系數(shù)和表面電阻，對滿足所期望的消光系數(shù)和表面電阻的范圍的膜進(jìn)行了組成分析，結(jié)果可知，優(yōu)選Ta為40～90at％，且Ta與O的組成比(Ta∶O)在3∶5～5∶1的范圍。另外，在上述試樣中，只需改變氣體氣氛就能使用同樣的靶形成第1光吸收層和第2光吸收層，因此具有能簡化成膜工序的優(yōu)點(diǎn)。
此外，對TaSiN也研究了消光系數(shù)與表面電阻的關(guān)系，得到如圖8的結(jié)果。
使用的試樣是采用2元的Ta和Si，以Ar和N2氣作為濺射氣氛來進(jìn)行濺射，使得含有2～7at％的鉭、40～60at％的硅和6～15at％的氮。
如圖所示，全部TaSiN均是表面電阻低，均為50MΩ/□以下，難以帶電，但獲得第2光吸收層的消光系數(shù)容易大于1。但是，可以知道能夠使表面電阻和消光系數(shù)均在期望值以下。
由圖4～圖8可知，TaSiO由于能降低第2光吸收層的消光系數(shù)，確保透明性，因而是有利的，但存在表面電阻變高的傾向。另一方面，可以知道，TaSiN在降低第2光吸收層的消光系數(shù)方面是略微不利的，但具有表面電阻足夠低的優(yōu)點(diǎn)，TaSiON顯示出消光系數(shù)和表面電阻均在其中間的特性。
另外，TaSi膜與上述TaSiN膜、TaSiO膜和TaSiON膜相比，其消光系數(shù)較大。
在第2觀點(diǎn)的發(fā)明中，將第2光吸收層或是設(shè)定為Ta含量小的膜，或是設(shè)定為Ta含量大的膜，或由氧化膜形成，或由氮氧化膜形成，均可以從光吸收性疊層的干式加工特性進(jìn)行適當(dāng)選擇。
例如，在將最上層設(shè)定為第2光吸收層，并將該第2光吸收層設(shè)定為Ta含量小的氧化膜(TaSiO膜)的情況下，可以在通過氟系氣體對第2光吸收層進(jìn)行圖案化后，使用氯系氣體進(jìn)行第1光吸收層(TaSi膜)的蝕刻。
在該情況下，氟系氣體對抗蝕劑的蝕刻速率通常較大，因此Ta含量小的第2光吸收層即TaSiO蝕刻中的抗蝕劑的蝕刻量增大，但在第1光吸收層(TaSi膜)的蝕刻中，也可以將氣氛氣體切換為氯系氣體，以第2光吸收層(TaSiO膜)為掩模，進(jìn)行第1光吸收層(TaSi膜)的蝕刻。
此外，在將最上層設(shè)定為第2光吸收層，且將該第2光吸收層設(shè)定為Ta含量小的氮氧化膜(TaSiON膜)、Ta含量大的氧化膜(TaSiO膜)或Ta含量大的氮氧化膜(TaSiON膜)的情況下，可以使用氯系氣體干法蝕刻第1和第2光吸收層這兩層。通常，使用氯系氣體的抗蝕劑的蝕刻量與使用氟系氣體的情況相比，氯系氣體的蝕刻量較小。因此能充分確?？刮g劑耐性。
此外，如上所述，優(yōu)選光吸收性疊層對DUV光的反射率較小。因此，對于在第2光吸收層為TaSiO時的257nm的檢查波長的反射率Ra為10％以下的情況，求出第1光吸收層與第2光吸收層的關(guān)系。
第2光吸收層只要其表面電阻是在優(yōu)選的范圍，例如是小于50MΩ/□的值，則消光系數(shù)越小越好。因此，在求出所述關(guān)系時，在表面電阻小于50MΩ/□的范圍，由圖4和圖6求出第2光吸收層可以為最小的消光系數(shù)，為0.4。另外，第1光吸收層例如TaSi膜由于是金屬制的膜，因此只要為500以上的膜厚，則膜對DUV光反射率的影響就較小，因此在求出上述關(guān)系時，將第1光吸收層的膜厚設(shè)定為750，折射率以1.8為代表值。此外，在圖4和圖6中，在優(yōu)選范圍內(nèi)的第2光吸收層的折射率為2.0左右的數(shù)值，因此第2光吸收層的折射率以2.0為代表值。
圖9示出在這樣的條件下，在257nm的檢查波長的反射率Ra為2、4、6、8和10％時的第1光吸收層的消光系數(shù)和第2光吸收層的膜厚的關(guān)系的圖形。
如圖所示，第1光吸收層的消光系數(shù)和第2光吸收層的膜厚的關(guān)系是等高線狀的圖形。這樣將設(shè)計(jì)上自由度高的項(xiàng)目、即將第1光吸收層的消光系數(shù)和第2光吸收層的膜厚作為參數(shù)，通過預(yù)先設(shè)定如上所述的其它的數(shù)值，則能選擇檢查波長的反射率Ra為10％以下的適合參數(shù)的組合。因此，通過決定容易預(yù)先設(shè)定的第1光吸收層的各數(shù)值，就能求得第2光吸收層的膜厚。
這里，對于檢查波長為257nm的情況進(jìn)行了求算，對于其它檢查波長也能進(jìn)行同樣的求算。此外，對于其它的本發(fā)明示出的第2光吸收層的TaSiN和TaSiON也可以求算。
另外，為了方便起見，上述TaSiO膜是例如TaaSibO1-a-b膜等的省略表示方式，上述TaSiON膜是例如TacSidOeN1-c-d-e膜等的省略表示方式，上述TaSiN膜是例如TafSigN1-f-g膜等的省略表示方式。其中，a、b、c、d、e、f和g是不足1的正數(shù)，1＞a+b、1＞c+d+e，1＞f+g。
以下示出實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行更具體的說明。
實(shí)施例1在圖10～圖13中，分別表示本發(fā)明第1觀點(diǎn)的反射型光掩模的一個例子的制造工序的示意剖面圖。
首先，在基板1上如下所述地依次形成多層反射膜2、緩沖層3、第1光吸收層41和第2光吸收層42，制備具有與圖1同樣結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的反射型光掩模坯料10。
作為基板1，準(zhǔn)備通過研磨表面而形成了平坦面的外形為6英寸見方、厚度為0.25英寸的合成石英。
在基板1上通過DC磁控管濺射交替層疊Mo和Si約40個周期，從而制備對波長13～14nm區(qū)域的EUV光的反射率達(dá)到最大的多層反射膜2。另外，該多層反射膜2為多層膜，但為了簡化，圖中以單層表示。
此時由Mo和Si構(gòu)成的1個周期的膜厚為7nm，其中Mo的膜厚為2.8nm，Si為4.2nm，最后的Si形成7nm的膜，使得多層反射膜2的最上層為Si。
然后，在該多層反射膜2上，以40nm的膜形成由Ru構(gòu)成的緩沖層3。
然后，將形成有多層反射膜2和緩沖層3的基板1放置在DC磁控管濺射裝置中。在DC磁控管濺射裝置中使用Ta與Si的比為1∶4的TaSi合金靶和Ta靶，通過向TaSi合金靶和Ta靶分別施加了50W和250W的DC功率的Ar氣氣氛下的2元濺射，在0.25Pa的氣體壓力下，在緩沖層3上形成膜厚75nm的第1光吸收層41。此時，成膜后的第1光吸收層41的表面粗糙度為0.14nmRms，具有良好的表面平滑性。
形成光吸收膜41后，使用Ta與Si的比為1∶4的TaSi合金靶和Ta靶，通過向TaSi合金靶和Ta靶分別施加了50W和250W的DC功率的Ar與N2的比為1∶1的混合氣體氣氛下的2元濺射，在0.25Pa的氣體壓力下，在第1光吸收層41上形成以Ta、Si和N為主成分的膜厚15nm的第2光吸收層42。此時，成膜后的第2光吸收層42的表面粗糙度為0.42nmRms，具有良好的表面平滑性。
此外，對如上所述在第1光吸收層41上層疊第2光吸收層42而形成的光吸收性疊層4的最上面的分光反射率進(jìn)行測定。
結(jié)果，分光反射率在波長193nm處為4.25％，在257nm處為9.83％，在檢查用DUV光波長區(qū)域獲得了足夠的低反射率特性。
然后，在第2光吸收層42上涂布正型電子束抗蝕劑(FEP-171富士フイルムア一チ制)，如圖10所示，形成抗蝕劑層。
然后，通過采用EB描繪和顯影的光刻法工藝進(jìn)行圖案加工，如圖11所示，形成抗蝕劑的圖案5a。
進(jìn)而，以抗蝕劑圖案5a為掩模，按照第2光吸收層42和第1光吸收層41的順序進(jìn)行干法蝕刻，從而形成如圖12所示的光吸收性疊層4a的圖案。此時，在干法蝕刻中使用ICP放電方式的干法蝕刻裝置，在Cl2氣40sccm和He氣65sccm的混合氣體形成的氣壓為5mTorr的氣氛下，以40W偏壓功率和200W源功率進(jìn)行干法蝕刻。然后，通過O2灰化和濕式處理將抗蝕劑剝離。連續(xù)地干法蝕刻第2光吸收層42和第1光吸收層41時的相對于最終光吸收性疊層4的抗蝕劑的選擇比為約0.85。
這里，部分去除光吸收性疊層4而露出的區(qū)域的緩沖層3表面的257nm的檢查波長反射率為52.4％。另一方面，吸收區(qū)域的光吸收性疊層4a表面上的257nm的反射率為10.5％。結(jié)果，在緩沖層3表面反射光與光吸收性疊層4表面反射光之間獲得了66％的良好的對比度值。
接著，除了以Cl2氣40sccm和O2氣25sccm的混合氣體氣氛代替Cl2氣40sccm和He氣65sccm的混合氣體氣氛、以及將第2光吸收層42作為掩模來進(jìn)行光吸收性疊層4正下方的Ru緩沖層3的干法蝕刻以外，與光吸收性疊層4的干法蝕刻同樣進(jìn)行，如圖13所示，獲得具有良好的側(cè)壁各向異性的緩沖層3a和光吸收性疊層4a的圖案。
這樣，獲得了具有與圖2同樣結(jié)構(gòu)的本發(fā)明的反射型光掩模20。
這里，部分去除緩沖層3和光吸收性疊層4而露出的反射區(qū)域B的多層反射膜表面的257nm的檢查波長反射率為60％。另一方面，吸收區(qū)域A的光吸收性疊層4a表面上的257nm的反射率比反射型光掩模坯料10的狀態(tài)有些許降低，為9.2％?？梢哉J(rèn)為這是由于抗蝕劑的涂布、剝離以及主要由于以第2光吸收層為掩模進(jìn)行第1光吸收層的蝕刻，結(jié)果光吸收性疊層4a表面變得有些粗糙。
結(jié)果，在多層反射膜2表面反射光與光吸收性疊層4表面反射光之間獲得了73％的良好的對比度值。
實(shí)施例2除了濺射的成膜時間比實(shí)施例1延長，形成具有20nm膜厚的第2光吸收層以外，與實(shí)施例1同樣地制備第1觀點(diǎn)的反射型光掩模坯料的其它例子。
與實(shí)施例1同樣測定所得反射型光掩模坯料的光吸收性疊層4的最上面的分光反射率。
結(jié)果，在波長193nm處為8.85％，在257nm處為1.93％，在該情況下，尤其是在257nm的檢查用DUV光波長區(qū)域獲得了足夠的低反射率特性。
然后，使用該反射型光掩模坯料，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行反射型光掩模的制備、Cl2和He混合氣體氣氛的干法蝕刻后、以及Cl2和O2混合氣體氣氛的干法蝕刻后的257nm的檢查波長反射率的測定。
部分去除光吸收性疊層而露出的區(qū)域的緩沖層表面的257nm的檢查波長反射率為52.0％。另一方面，吸收區(qū)域的光吸收性疊層表面上的257nm的反射率為2.1％。結(jié)果，在緩沖層表面反射光與光吸收性疊層表面反射光之間獲得了92％的良好的對比度值。
此外，反射區(qū)域上的多層反射膜表面和吸收區(qū)域上的光吸收性疊層表面的257nm的檢查波長反射率分別為60％和1.5％。結(jié)果，在多層反射膜的表面反射光與光吸收性疊層的表面反射光之間獲得了95％這樣的高對比度值。
圖14是表示按照實(shí)施例1和實(shí)施例2來改變第1光吸收層和第2光吸收層的厚度時光吸收性疊層的分光反射率特性的圖形。
圖中，例如曲線401是表示層疊了750埃的第1光吸收層、150埃的第2光吸收層的實(shí)施例1的光吸收性疊層的分光反射率特性的圖形，曲線402是表示層疊了750埃的第1光吸收層、200埃的第2光吸收層的實(shí)施例2的光吸收性疊層的分光反射率特性的圖形。
如圖所示，在曲線401中，在約190nm～約230nm的波長區(qū)域的光的吸收較高，在曲線402中，在約230nm～約260nm的波長區(qū)域的光的吸收較高。作為反射型光掩模的檢查光，可以使用遠(yuǎn)紫外線波長區(qū)域中190～260nm的波長區(qū)域的光、例如193nm或257nm的波長區(qū)域的光。由此可知，如圖14所示，在第1光吸收層為750埃時，第2光吸收層的優(yōu)選厚度為150～200埃。
實(shí)施例3與實(shí)施例1同樣，在基板上形成多層反射膜和第1光吸收層。
然后，使用Ta靶和Si靶，在Ar/O2＝36/4(sccm)的混合氣體氣氛中，在0.25Pa的氣體壓力下，對Ta靶和Si靶分別施加60W和240W的DC功率，從而通過2元濺射形成具有27nm厚度的TaSi類氧化膜。此時，成膜后的上層吸收體層的表面粗糙度為0.42nmRms，具有良好的表面平滑性。此外，制成的TaSi類氧化膜的組成比是Ta為33at％，O2為36at％。在圖15中示出所得光吸收性疊層的最表面的分光反射率的測定結(jié)果。在波長193nm處為2.55％，在257mn處為1.51％，在檢查用DUV光波長區(qū)域獲得了足夠的低反射特性。
然后，在第2光吸收層上與實(shí)施例1同樣地涂布正型電子束抗蝕劑(FEP-171富士フイルムア-チ制)，形成抗蝕劑層，通過EB描繪和顯影這樣的光刻法工藝形成抗蝕劑的圖案。
進(jìn)而，以抗蝕劑圖案作為掩模，首先，在ICP放電方式的干法蝕刻裝置中，使用C2F6/O2/He＝5/5/15(sccm)的混合氣體，在氣壓為665mPa的氣氛下，以20W偏壓功率和100W源功率進(jìn)行第2光吸收層的蝕刻。然后，使用Cl2/He＝40/60(sccm)的混合氣體，在氣壓為665mPa的氣氛下，以40W偏壓功率和200W源功率，在同一裝置內(nèi)進(jìn)行第1光吸收層的蝕刻。接著，與實(shí)施例1同樣地剝離抗蝕劑層。
這里，部分去除吸收體層4而露出的區(qū)域的緩沖層3表面的257nm的檢查波長反射率為52.40％。獲得了比通常概算值高的反射率，有助于提高檢查特性。另一方面，吸收區(qū)域的吸收體層4a表面上的257nm的反射率為1.85％。結(jié)果，在緩沖層3表面反射光與吸收體層4表面反射光之間獲得了93.2％的良好對比度值。
此外，除了與實(shí)施例1同樣地除去露出的緩沖層，第2光吸收層42a的組成不同以外，獲得了具有與圖13同樣結(jié)構(gòu)的本發(fā)明第2觀點(diǎn)的反射型光掩模。
這里，去除緩沖層和光吸收性疊層而露出的多層反射膜表面的257nm的檢查波長反射率為60％。另一方面，光吸收性疊層表面上的257nm的反射率比反射型光掩模坯料的狀態(tài)倒有些許降低，為1.02％。結(jié)果，在多層反射膜的表面反射光與光吸收性疊層的表面反射光之間獲得了96.7％的良好對比度值。
以上，由實(shí)施例1～3可知，根據(jù)本發(fā)明，反射型光掩模坯料和反射型光掩模中使用的光吸收性疊層由于含有EUV光曝光反射率低的第1光吸收層和低電阻且DUV光曝光反射率低的第2光吸收層的疊層，所以不僅在通過EUV光曝光進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)印曝光時，而且在通過DUV光進(jìn)行檢查曝光時，相對于反射區(qū)域均能獲得良好的反射率對比度，反射型光掩模的檢查精度和其圖案轉(zhuǎn)印精度變得良好。此外，通過使用該反射型光掩模進(jìn)行EUV光曝光，能以精度高的微細(xì)圖案制造半導(dǎo)體裝置。
權(quán)利要求
1.一種反射型光掩模坯料，其特征在于，所述反射型光掩模坯料具有基板、設(shè)置在該基板上的多層反射膜、包含設(shè)置在該多層反射膜上且含有鉭和硅的第1光吸收層、以及層疊在該第1光吸收層上且含有氮和氧中的至少一種、鉭和硅的第2光吸收層的光吸收性疊層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層在190～260nm的波長的消光系數(shù)小于1，且所述第2光吸收層的表面電阻小于50MΩ/□。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層含有鉭、硅和氮，且含有2～7at％的鉭、40～60at％的硅和6～15at％的氮。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層含有鉭、硅和氧，鉭的含量為30～40at％，鉭與氧的原子比為1∶1～1∶2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層含有鉭、硅、氧和氮，鉭的含量為20～40at％，鉭與氧的原子比為3∶2～9∶1，鉭與氮的原子比為1∶2～3∶2。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層含有鉭、硅和氧，鉭的含量為40～90at％，鉭與氧的原子比在3∶5～5∶1的范圍。
7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第2光吸收層的表面具有0.6nmRms以下的表面粗糙度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第1光吸收層含有6～15at％的硅。
9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述第1光吸收層和所述第2光吸收層為無定形的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的反射型光掩模坯料，其特征在于，所述光吸收性疊層在遠(yuǎn)紫外線區(qū)域的反射率為13％以下。
11.一種反射型光掩模，其特征在于，所述反射型光掩模是對權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的反射型光掩模坯料的光吸收性疊層進(jìn)行圖案加工而得到的。
12.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其包括下述工序?qū)?quán)利要求11所述的反射型光掩模照射極紫外光，利用其反射光對設(shè)置在半導(dǎo)體基板上的極紫外光用抗蝕劑層進(jìn)行曝光，從而轉(zhuǎn)印圖案。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提高通過觀察DUV光的反射率對比度來進(jìn)行用于EUV光刻法的反射型光掩模的圖案檢查時的精度。提供一種在基板(1)上層疊了多層反射膜(2)、光吸收性疊層(4)的反射型光掩模坯料，其中，通過在含有鉭和硅的具有EUV光吸收能力的第1光吸收層(41)上層疊含有氮和氧中的至少一種、鉭和硅的具有DUV光吸收能力的第2光吸收層(42)來構(gòu)成光吸收性疊層(4)。
文檔編號G03F1/24GK101073142SQ200580042178
公開日2007年11月14日 申請日期2005年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月10日
發(fā)明者金山浩一郎, 松尾正, 西山泰史 申請人:凸版印刷株式會社