專利名稱：涂敷、顯影裝置及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對例如半導(dǎo)體晶片或LCD基板(液晶顯示器用玻璃基板)等基板進(jìn)行抗蝕劑液等的涂敷處理和曝光后的顯影處理等的涂敷、顯影裝置和涂敷、顯影方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體設(shè)備和LCD基板的制造工序中，由稱為光刻法的技術(shù)對基板進(jìn)行抗蝕劑圖形的形成。該技術(shù)由以下一連串的工序進(jìn)行通過在例如半導(dǎo)體晶片(以下稱為晶片)等基板上涂敷抗蝕劑液并在該晶片表面形成液膜，使用光掩模使該抗蝕劑膜曝光后，進(jìn)行顯影處理，來獲得所希望的圖形。
一般在進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷和顯影的涂敷、顯影裝置上，使用連接有曝光裝置的抗蝕劑圖形形成裝置進(jìn)行這樣的處理。作為這樣的裝置，已知的是例如專利文獻(xiàn)1所示的構(gòu)成，在該裝置中，例如如圖23所示，收納有多片晶片W的承載體10被運(yùn)入承載塊1A的承載臺11，承載體10內(nèi)的晶片由交接臂12交接至處理塊1B。然后運(yùn)送至處理塊1B內(nèi)的涂敷組件13A，涂敷抗蝕劑液，接下來經(jīng)由接口塊1C運(yùn)送至曝光裝置1D。
曝光處理后的晶片，再次返回至處理塊1B，并在顯影組件13B中進(jìn)行顯影處理，然后返回至原來的承載體10內(nèi)。圖中14(14a～14c)為具備用于在涂敷組件13A和顯影組件13B的處理前后對晶片進(jìn)行規(guī)定的加熱處理和冷卻處理的加熱組件、冷卻組件、和交接臺等的擱板組件。在此晶片W，由設(shè)在處理塊1B上的2個(gè)運(yùn)送機(jī)構(gòu)15A、15B，在涂敷組件13A、顯影組件13B和擱板組件14a～14c的各部分等在處理塊1B內(nèi)放置有晶片W的模塊間運(yùn)送。這時(shí)，對晶片W實(shí)施上述處理時(shí)，根據(jù)預(yù)先分別確定了在什么時(shí)刻運(yùn)送至哪個(gè)模塊的運(yùn)送計(jì)劃，運(yùn)送處理預(yù)定的全部晶片W。
另外，根據(jù)目標(biāo)抗蝕劑膜的種類，在抗蝕劑膜上下形成反射防止膜的情況；只在抗蝕劑膜的上方或下方形成反射防止膜的情況；和只形成抗蝕劑膜而不形成反射防止膜的情況等而涂敷的方式不同，因此有時(shí)由于批量不同而用于所需的涂敷組件、加熱組件、和冷卻組件等涂敷膜形成的組件的處理?xiàng)l件不同。在這種情況下，在這些涂敷組件、加熱組件、和冷卻組件設(shè)在相同的處理塊內(nèi)的構(gòu)成中，由于根據(jù)目標(biāo)抗蝕劑膜的種類而使用的組件不同，所以晶片的運(yùn)送的路徑不同，因此，必須針對每種抗蝕劑膜準(zhǔn)備復(fù)雜的運(yùn)送程序，依照上述運(yùn)送計(jì)劃制定的運(yùn)送程序本來就很復(fù)雜，針對每種目標(biāo)抗蝕劑膜準(zhǔn)備運(yùn)送程序會成為非常煩雜的作業(yè)，不現(xiàn)實(shí)。
再者，在涂敷組件、加熱組件、和冷卻組件設(shè)在相同的處理塊內(nèi)的構(gòu)成中，組裝入一個(gè)處理塊中的組件數(shù)較多，處理塊大型化，占有面積增大。進(jìn)而，近年來，曝光裝置的生產(chǎn)量提高，在涂敷、顯影裝置中也追求與曝光裝置的生產(chǎn)量一致的處理能力。但是存在高產(chǎn)化困難的問題，這是由于，對用于作為曝光前處理的抗蝕劑形成的組件和用于反射防止膜形成的組件的晶片W的運(yùn)送、和對用于進(jìn)行作為曝光后處理的顯影的組件的晶片W的運(yùn)送，用共同的運(yùn)送系統(tǒng)進(jìn)行。
因此本發(fā)明的發(fā)明者們探討通過把收納曝光處理前模塊的區(qū)域和收納曝光處理后模塊的區(qū)域上下配置，并在各個(gè)區(qū)域分別設(shè)置運(yùn)送機(jī)構(gòu)，而減小運(yùn)送機(jī)構(gòu)的負(fù)荷，提高運(yùn)送效率，由此來提高涂敷、顯影裝置的生產(chǎn)量，并獲得運(yùn)送自由度高的多層化系統(tǒng)。
在專利文獻(xiàn)2中記載了這樣把進(jìn)行涂敷處理的區(qū)域和進(jìn)行顯影處理的區(qū)域分別上下配置，并在各個(gè)區(qū)域設(shè)置運(yùn)送機(jī)構(gòu)的構(gòu)成，但是關(guān)于提高運(yùn)送效率和運(yùn)送自由度這點(diǎn)，在專利文獻(xiàn)2中沒有任何公開。
專利文獻(xiàn)1特開2004-193597號公報(bào)專利文獻(xiàn)2特許第3337677號公報(bào)發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是基于這樣的問題作成的，其目的在于提供一種在抗蝕劑膜上下形成反射防止膜時(shí)，可以實(shí)現(xiàn)空間節(jié)省化，再者基板的運(yùn)送自由度較大，可獲得較高運(yùn)送效率的技術(shù)。進(jìn)而，另一目的在于提供一種在不管是不是涂敷反射防止膜的情況下都可以應(yīng)對且可以實(shí)現(xiàn)軟件簡易化的技術(shù)。
因此，本發(fā)明的涂敷、顯影裝置，把由承載體運(yùn)入承載塊中的基板交接至處理塊，在該處理塊中形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜后，經(jīng)由接口塊運(yùn)送至曝光裝置，經(jīng)由上述接口塊返回來的曝光后的基板在上述處理塊中進(jìn)行顯影處理并交接至上述承載塊，其特征在于，(a)上述處理塊，具備相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用的單位塊、和相對于上述涂敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，(b)上述相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用的單位塊分別為用于在基板上涂敷抗蝕劑液的單位塊、和用于在基板上涂敷反射防止膜用藥液的單位塊，(c)上述各單位塊具備用于將藥液涂敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；和在這些組件之間運(yùn)送基板的單位塊用的運(yùn)送機(jī)構(gòu)。再者，上述各單位塊可以具備冷卻基板的冷卻組件。
在此，在上述涂敷、顯影裝置中，可以具備運(yùn)送方法(recipe)，對每個(gè)單位塊指定該單位塊內(nèi)的基板的運(yùn)送路線；和在包括以下模式的模式組中選擇運(yùn)送基板的模式的模式選擇機(jī)構(gòu)，這些模式有向全部單位塊運(yùn)送基板的模式；把基板運(yùn)送至用于涂敷抗蝕劑液的單位塊、用于在涂敷抗蝕劑液之前涂敷反射防止膜用藥液的單位塊、和進(jìn)行顯影處理的單位塊上的模式；把基板運(yùn)送至用于涂敷抗蝕劑液的單位塊、用于在涂敷了抗蝕劑液后涂敷反射防止膜用藥液的單位塊、和進(jìn)行顯影處理的單位塊上的模式，由模式選擇機(jī)構(gòu)選擇運(yùn)送基板的單位塊，并且選擇在選定的單位塊中使用的運(yùn)送方法來進(jìn)行處理。
再者，在上述涂敷、顯影裝置中，可以構(gòu)成為具備第1交接臺組，把設(shè)在每個(gè)單位塊上承載塊側(cè)且在各單位塊的運(yùn)送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板交接的第1交接臺層疊而構(gòu)成；第2交接臺組，把設(shè)在每個(gè)單位塊上接口塊側(cè)且在各單位塊的運(yùn)送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板交接的第2交接臺層疊而構(gòu)成；第1基板交接機(jī)構(gòu)，用于在上述第1交接臺彼此之間進(jìn)行基板交接；第2基板交接機(jī)構(gòu)，用于在上述第2交接臺彼此之間進(jìn)行基板交接，且與第1基板交接機(jī)構(gòu)分開設(shè)置。這時(shí)，第1交接臺組可以包含用于在承載塊和處理塊之間進(jìn)行基板交接的承載塊用交接臺，第2交接臺組可以包含用于在接口塊和處理塊之間進(jìn)行基板交接的接口塊用交接臺。
再者，設(shè)在上述涂敷膜形成用的單位塊中的液體處理組件，最好構(gòu)成為具備多個(gè)基板保持部，設(shè)在共用的處理容器內(nèi)，且為了分別保持多個(gè)基板而沿橫向排列；和共用的藥液噴嘴，設(shè)在上述處理容器內(nèi)，且對保持在多個(gè)基板保持部上的基板涂敷藥液。
進(jìn)而在本發(fā)明中可以構(gòu)成為，在處理塊和接口塊之間，設(shè)置具備進(jìn)行涂敷膜形成后曝光處理前和/或曝光處理后顯影處理前以及顯影處理后的、某一處理的組件的輔助塊，這種情況下，設(shè)在上述輔助塊中的組件可以為至少一個(gè)以下裝置用于檢查形成在基板上的涂敷膜的膜厚的膜厚檢查組件；用于清洗曝光前和/或曝光后的基板的清洗組件；用于檢測在曝光裝置中產(chǎn)生的圖形的位置錯開的散焦檢查裝置；用于檢測抗蝕劑液的涂敷不均的涂敷不均檢測裝置；用于檢測顯影處理不良的顯影不良檢測裝置；用于檢測附著在基板上的微粒數(shù)的微粒數(shù)檢測裝置；用于檢測在抗蝕劑涂敷后的基板上產(chǎn)生的毛刺(comet)的毛刺檢測裝置；回濺(splash back)檢測裝置；用于檢測基板表面缺陷的缺陷檢測裝置；用于檢測殘留在顯影處理后的基板上的抗蝕劑殘?jiān)母≡?scum)檢測裝置；用于檢測抗蝕劑涂敷處理和/或顯影處理的問題的問題檢測裝置；用于測定基板上形成的抗蝕劑膜的線寬的線寬測定裝置；和用于檢查曝光后的基板和光掩模的重合精度的重合檢查裝置，上述曝光裝置在基板表面形成液層來進(jìn)行液浸曝光時(shí)，設(shè)在上述輔助塊上的組件可以為清洗上述液浸曝光后的基板的清洗組件。
在此，在上述涂敷、顯影裝置中，在上述相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用單位塊之間，上述液體處理組件、加熱組件、冷卻組件和運(yùn)送機(jī)構(gòu)的配置布局最好構(gòu)成為相同。
再者，上述曝光裝置為在基板表面形成液層進(jìn)行液浸曝光的裝置，設(shè)在上述輔助塊上的組件可以為用于在上述抗蝕劑膜上方形成防水性保護(hù)膜的保護(hù)膜涂敷組件，上述曝光裝置為在基板表面形成液層來進(jìn)行液浸曝光的裝置，設(shè)在上述輔助塊上的組件可以為用于去除上述防水性保護(hù)膜的保護(hù)膜去除組件。再者，保護(hù)膜去除組件可以設(shè)置在顯影處理用的單位塊上。進(jìn)而，上述曝光裝置，為在基板表面形成液層來進(jìn)行液浸曝光的裝置，可以把清洗上述液浸曝光(immersion exposure)后的基板的清洗組件設(shè)置在接口塊上。進(jìn)而，可構(gòu)成為在上述相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用單位塊上，進(jìn)而層疊設(shè)置用于相對于形成有抗蝕劑膜的基板、在上述抗蝕劑膜上方形成防水性保護(hù)膜的涂敷膜形成用單位塊。
可以在上述第1交接臺組中設(shè)置調(diào)溫組件，用于載置形成涂敷膜之前的基板，并調(diào)節(jié)基板溫度至對基板進(jìn)行涂敷涂敷膜形成用藥液的處理的溫度；可以在第2交接臺組中設(shè)置調(diào)溫組件，用于載置形成涂敷膜之前的基板，并調(diào)節(jié)基板溫度至對基板進(jìn)行涂敷涂敷膜形成用藥液的處理的溫度。
該調(diào)溫組件例如具備載置由加熱組件加熱的基板且把基板的溫度粗調(diào)至第1溫度的第1調(diào)溫板；和載置基板進(jìn)而精密調(diào)節(jié)基板溫度的第2調(diào)溫板。
在這樣的涂敷、顯影裝置中，實(shí)施包括以下工序的涂敷、顯影方法在涂敷膜形成用單位塊中，在基板上形成第1反射防止膜的工序；接下來在與進(jìn)行上述第1反射防止膜形成的單位塊不同的層上設(shè)置的涂敷膜形成用單位塊中，在形成于上述基板表面的第1反射防止膜上涂敷抗蝕劑液的工序；接下來在與進(jìn)行上述抗蝕劑液涂敷的單位塊不同的層上設(shè)置的涂敷膜形成用單位塊中，在涂敷于上述基板表面的抗蝕劑液上形成第2反射防止膜的工序；和接下來在與上述多個(gè)涂敷膜形成用單位塊不同的層上設(shè)置的顯影處理用單位塊中，對形成有上述抗蝕劑膜的曝光后的基板進(jìn)行顯影處理的工序。
再者，實(shí)施以包括下述工序?yàn)樘卣鞯耐糠?、顯影方法，在以下模式間選擇模式的工序向全部涂敷膜形成用單位塊運(yùn)送基板的模式、把基板運(yùn)送至用于在基板上涂敷抗蝕劑液的單位塊和用于在涂敷抗蝕劑液之前涂敷反射防止膜用藥液的單位塊上的模式、和把基板運(yùn)送至用于在基板上涂敷抗蝕劑液的單位塊和用于在涂敷抗蝕劑液后涂敷反射防止膜用藥液的單位塊上的模式；接下來基于選定的模式，依次把基板運(yùn)送至使用的涂敷膜形成用單位塊上，并在基板上形成涂敷膜的工序；和接下來在與上述多個(gè)涂敷膜形成用單位塊不同的層上設(shè)置的顯影處理用單位塊中，對形成有上述涂敷膜的曝光后的基板進(jìn)行顯影處理的工序。
在如上所述的本發(fā)明中，作為多個(gè)涂敷膜形成用單位塊，由于相互層疊地設(shè)置用于在基板上涂敷抗蝕劑液的單位塊、和用于在基板上涂敷反射防止膜用藥液的單位塊，所以即使在抗蝕劑膜上下形成反射防止膜的情況下，也可以減小處理塊的占有面積，并實(shí)現(xiàn)空間節(jié)省化。
再者，通過選擇使用的涂敷膜形成用單位塊，不管是不是在涂敷反射防止膜的情況下，都可以應(yīng)對。這時(shí)由于單位塊內(nèi)基板的運(yùn)送路線相同，所以即使用1臺涂敷、顯影裝置形成不同的涂覆膜的情況下，也可以抑制運(yùn)送程序的煩雜化，還可以實(shí)現(xiàn)軟件的簡易化。
進(jìn)而，由于用第1和第2基板交接機(jī)構(gòu)在層疊的各單位塊之間進(jìn)行基板的運(yùn)送，所以可以使用任一基板交接機(jī)構(gòu)向下一層的單位塊運(yùn)送在各涂敷膜形成用單位塊進(jìn)行了各涂敷處理的基板，運(yùn)送的自由度變大。再者通過由2個(gè)基板交接機(jī)構(gòu)在各單位塊間進(jìn)行基板的運(yùn)送，基板交接機(jī)構(gòu)的負(fù)荷被分擔(dān)，運(yùn)送效率上升，可以提高生產(chǎn)量。進(jìn)而，由于設(shè)置可以訪問全部單位塊的專用基板交接機(jī)構(gòu)，并由該基板交接機(jī)構(gòu)進(jìn)行和不同層單位塊的基板的交接，所以運(yùn)送系統(tǒng)的構(gòu)成單純化，且易于實(shí)現(xiàn)運(yùn)送程序的簡易化。
進(jìn)而根據(jù)本發(fā)明的其他發(fā)明，由于把用于在基板上涂敷藥液的多個(gè)涂敷部收納在共用的處理容器內(nèi)，所以可以使處理氣氛相同，實(shí)現(xiàn)調(diào)溫系統(tǒng)和藥液供給噴嘴等的共用化。


圖1是表示本發(fā)明的涂敷、顯影裝置實(shí)施方式的俯視圖。
圖2是表示上述涂敷、顯影裝置的立體圖。
圖3是表示上述涂敷、顯影裝置的側(cè)部剖視圖。
圖4是表示上述涂敷、顯影裝置中涂敷組件、擱板組件和運(yùn)送機(jī)構(gòu)的立體圖。
圖5是表示從運(yùn)送區(qū)域側(cè)觀察上述涂敷、顯影裝置中的擱板組件的主視圖。
圖6是表示上述涂敷、顯影裝置中接口塊的側(cè)部剖視圖。
圖7是表示上述涂敷、顯影裝置中各單位塊的側(cè)部剖視圖。
圖8是表示上述涂敷、顯影裝置中接口臂的一個(gè)例子的立體圖。
圖9是表示上述涂敷、顯影裝置中涂敷組件的俯視圖和縱剖視圖。
圖10是表示上述涂敷、顯影裝置的另一個(gè)實(shí)施方式的一個(gè)例子的俯視圖。
圖11是表示上述涂敷、顯影裝置的進(jìn)而又一個(gè)實(shí)施方式的一個(gè)例子的俯視圖。
圖12是表示上述涂敷、顯影裝置的側(cè)剖視圖。
圖13是從接口塊側(cè)觀察上述涂敷、顯影裝置中輔助塊的剖視圖。
圖14是表示上述涂敷、顯影裝置中保護(hù)膜去除組件的一個(gè)例子的縱剖視圖和俯視圖。
圖15是表示在上述涂敷、顯影裝置中的清洗組件中進(jìn)行的清洗方法的一個(gè)例子的工序圖。
圖16是表示在上述涂敷、顯影裝置中的清洗組件中進(jìn)行的清洗方法的一個(gè)例子的工序圖。
圖17是表示上述涂敷、顯影裝置的進(jìn)而又一個(gè)實(shí)施方式的一個(gè)例子的俯視圖。
圖18是表示上述涂敷、顯影裝置的側(cè)剖視圖。
圖19是從接口塊側(cè)觀察上述涂敷、顯影裝置中處理塊的剖視圖。
圖20是表示上述涂敷、顯影裝置中調(diào)溫組件的一個(gè)例子的縱剖視圖。
圖21是表示上述涂敷、顯影裝置中調(diào)溫組件的一個(gè)例子的俯視圖和立體圖。
圖22是表示在上述涂敷、顯影裝置上設(shè)置有上述調(diào)溫組件的情況的布局的一個(gè)例子的側(cè)部剖視圖。
圖23是表示現(xiàn)有的涂敷、顯影裝置的俯視圖。
具體實(shí)施例方式
以下，說明本發(fā)明的涂敷、顯影裝置的第1實(shí)施方式。圖1是表示將本發(fā)明的涂敷、顯影裝置使用于抗蝕劑圖形形成裝置的情況的一個(gè)實(shí)施方式的俯視圖，圖2是上述涂敷、顯影裝置的概略立體圖，圖3是上述涂敷、顯影裝置的概略側(cè)視圖。該裝置具備用于運(yùn)入運(yùn)出密閉收納有例如13片作為基板的晶片W的承載體20的承載塊S1；縱向排列多個(gè)例如5個(gè)單位塊B1～B5而構(gòu)成的處理塊S2；接口塊S3和曝光裝置S4。
在上述承載塊S1上，設(shè)置可以載置多個(gè)上述承載體20的載置臺21；從該載置臺21看設(shè)在前方壁面上的開閉部22；和用于經(jīng)由開閉部22將晶片W從承載體20取出的傳送臂C。該傳送臂C構(gòu)成為，進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如、在承載體20的排列方向移動自如，以便在后述的單位塊B1的交接臺TRS1、2、-F之間進(jìn)行晶片W的交接。
在承載塊S1的內(nèi)側(cè)連接有被筐體24包圍周圍的處理塊S2。處理塊S2在該例中從下方側(cè)分為，下段側(cè)的2級為用于進(jìn)行顯影處理的第1和第2單位塊(DEV層)B1、B2，用于進(jìn)行在抗蝕劑膜的上層側(cè)形成的反射防止膜(以下稱為“第2反射防止膜”)的形成處理的第3單位塊(TCT層)B3；用于進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的第4單位塊(COT層)B4；和用于進(jìn)行形成在抗蝕劑膜的下層側(cè)的反射防止膜(以下稱為“第1反射防止膜”)的形成處理的第5單位塊(BCT層)B5。在此，上述DEV層B1、B2相當(dāng)于顯影處理用的單位塊，TCT層B3、COT層B4和BCT層B5相當(dāng)于涂敷膜形成用的單位塊。
接下來，關(guān)于第1～第5單位塊(B1～B5)的構(gòu)成進(jìn)行說明。這些各單位塊B1～B5具備用于對晶片W涂敷藥液的液體處理組件；和用于進(jìn)行在上述液體處理組件中進(jìn)行的處理的前處理和后處理的各種加熱·冷卻類的處理組件；和作為用于在上述液體處理組件和加熱·冷卻類的處理組件之間進(jìn)行晶片W的交接的專用運(yùn)送機(jī)構(gòu)A的主臂部A1～A5。
這些單位塊B1～B5，在該例中，在各單位塊B1～B5之間，上述液體處理組件、加熱·冷卻類處理組件、和運(yùn)送機(jī)構(gòu)A的配置布局同樣地形成。在此所謂的配置布局相同是指各處理組件中載置晶片W的中心即液體處理組件中的后述的旋轉(zhuǎn)卡盤的中心、和加熱組件及冷卻組件中的加熱板或冷卻板的中心相同。
首先以圖1所示的COT層B4為例進(jìn)行以下說明。在該COT層B4的大致中央，沿COT層B4的長度方向(圖中Y軸方向)形成用于連接承載塊S1和接口塊S3的晶片W的運(yùn)送區(qū)域R1。
在從該運(yùn)送區(qū)域R1的承載塊S1側(cè)觀察的兩側(cè)，在從近前側(cè)(承載塊S1側(cè))朝向內(nèi)側(cè)的右側(cè)，設(shè)置有具備用于進(jìn)行抗蝕劑涂敷處理的多個(gè)涂敷部的涂敷組件31作為上述液體處理組件。各單位塊構(gòu)成為，在從近前側(cè)朝向內(nèi)側(cè)的左側(cè)，依次設(shè)置有將加熱·冷卻類組件多層化的4個(gè)擱板組件U1、U2、U3、U4，層疊多層例如2層用于進(jìn)行在涂敷組件31中進(jìn)行的處理的前處理和后處理的各種組件。這樣，上述運(yùn)送區(qū)域R1被分割，通過例如向該分割的運(yùn)送區(qū)域R1噴出清潔空氣進(jìn)行排氣，來抑制該區(qū)域內(nèi)的微粒的浮游。
用于進(jìn)行上述前處理和后處理的各種組件中，例如如圖4和圖5所示，包含用于在抗蝕劑液涂敷前將晶片W調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的冷卻組件(COL4)；用于在抗蝕劑液涂敷后進(jìn)行晶片W的加熱處理的例如稱為預(yù)烘焙組件等的加熱組件(CHP4)；用于提高抗蝕劑液和晶片W的密貼性的疏水化處理組件(ADH)；和用于只選擇晶片W的緣部進(jìn)行曝光的周緣曝光裝置(WEE)等。再者，冷卻組件(COL4)和加熱組件(CHP4)等各處理組件，分別收納在處理容器51內(nèi)，擱板組件U1～U4構(gòu)成為上述處理容器51分別層疊為2級，在各處理容器51的朝向運(yùn)送區(qū)域R1的表面上形成晶片運(yùn)入運(yùn)出252。此外，上述疏水化處理組件在HMDS氣氛中進(jìn)行氣體處理，可以設(shè)在涂覆膜形成用的單位塊B3～B5的某一個(gè)上。
在上述運(yùn)送區(qū)域R1上設(shè)置上述主臂部A4。該主臂部A4構(gòu)成為在該COT層B4內(nèi)的全部模塊(放置晶片W的位置)，例如擱板組件U1～U4的各處理組件、涂敷組件31、后述的擱板組件U5和擱板組件U6各部分之間進(jìn)行晶片的交接，因此構(gòu)成為進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如、沿Y軸方向移動自如。
再者，運(yùn)送區(qū)域R1與承載塊S1鄰接的區(qū)域，成為第1晶片交接區(qū)域R2。在該區(qū)域R2中，如圖1和圖3所示，在傳送臂C和主臂部A4可以訪問的位置設(shè)置擱板組件，并且具備成為用于對該擱板組件U5進(jìn)行晶片W的交接的第1基板交接機(jī)構(gòu)的第1交接臂D。
如圖3所示，在該例中各單位塊B1～B5，具備1個(gè)以上例如2個(gè)第1交接臺TRS1～TRS5，由此構(gòu)成多級層疊有第1交接臺的第1交接臺組，以便使上述擱板組件U5在各單位塊B1～B5的主臂部A1～A5之間進(jìn)行晶片W的交接。再者第1交接臂D1構(gòu)成為進(jìn)退自如和升降自如，以便可以向各第1交接臺TRS1～TRS5進(jìn)行晶片W的交接。再者，上述第1和第2單位塊B1、B2的第1交接臺TRS1、TRS2在該例中構(gòu)成為在其與傳送臂C之間可以進(jìn)行晶片W的交接，相當(dāng)于承載塊用交接臺。進(jìn)而，在該例中，第2單位塊B2具備例如2個(gè)交接臺TRS-F作為第1交接臺，該交接臺TRS-F，作為用于由傳送臂C將晶片W運(yùn)入處理塊S2中的專用交接臺使用。該交接臺TRS-F也相當(dāng)于承載塊用交接臺，可以設(shè)置在第1單位塊B1上，也可以不另外設(shè)置該交接臺TRS-F，在將晶片W從傳送臂C運(yùn)入處理塊S2中時(shí)，使用交接臺TRS1和TRS2進(jìn)行。
進(jìn)而，運(yùn)送區(qū)域R1的與接口塊S3鄰接的區(qū)域成為第2晶片交接區(qū)域R3，如圖1所示，在該區(qū)域R3中，在主臂部A4可以訪問的位置設(shè)置擱板組件U6，并且具備用于向該擱板組件U6進(jìn)行晶片W交接的成為第2基板交接機(jī)構(gòu)的第2交接臂D2。
在該例中，如圖3和圖6所示，各單位塊B1～B5具備1個(gè)以上例如2個(gè)第2交接臺TRS6～TRS10，以便使該擱板組件U6在各單位塊B1～B5的主臂部A1～A5之間進(jìn)行晶片W的交接，由此構(gòu)成層疊有多級第2交接臺的第2交接臺組。第2交接臂D2構(gòu)成為進(jìn)退自如和升降自如，以便可以向各第2交接臺TRS6～TRS10進(jìn)行晶片W的交接。由此在本實(shí)施方式中構(gòu)成為，可以利用上述第1交接臂D1和第2交接臂D2，可以分別經(jīng)由第1交接臺TRS1～TRS5、TRS-F和第2個(gè)交接臺TRS6～TRS10，在層疊為5級的各單位塊B1～B5之間自由進(jìn)行晶片W的交接。
接下來用圖5和圖7簡單說明其他單位塊B。在此圖5是從運(yùn)送區(qū)域R1側(cè)觀察擱板組件U1～U4的圖。DEV層B1、B2同樣地構(gòu)成，除了設(shè)置用于對晶片W進(jìn)行顯影處理的顯影組件32作為液體處理組件，并在擱板組件U1～U4上具備對曝光后的晶片W進(jìn)行加熱處理的稱為曝光后烘焙組件等的加熱組件(PEB1、PEB2)；用于在該加熱組件(PEB1、PEB2)中的處理后將晶片W調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的冷卻組件(COL1、COL2)；和為了蒸發(fā)顯影處理后的晶片W的水分進(jìn)行加熱處理的稱為后烘焙組件等的加熱組件(POST1、POST2)以外，與COT層B4同樣構(gòu)成。
另外在這些DEV層B1、B2中，分別由主臂部A1、A2分別向第1交接臺TRS1、TRS2、TRS-F；第2交接臺TRS6、TRS7；顯影組件32；和擱板組件U1～U4的各處理組件進(jìn)行晶片W的交接。
再者，TCT層B3，除了作為液體處理組件，設(shè)置用于對晶片W進(jìn)行第2反射防止膜形成處理的第2反射防止膜形成組件33，并在擱板組件U1～U4上具備用于在反射防止膜形成處理前將晶片W調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的冷卻組件(COL3)；和加熱處理反射防止膜形成處理后的晶片W的加熱組件(CHP3)以外，與COT層B4同樣構(gòu)成。另外，在該TCT層B3中，由主臂部A3對第1交接臺TRS3、第2交接臺TRS8、第2反射防止膜形成組件33、和擱板組件U1～U4的各處理組件進(jìn)行晶片W的交接。
另外，BCT層B5，除了作為液體處理組件，設(shè)置用于對晶片W進(jìn)行第1反射防止膜形成處理的第1反射防止膜形成組件34，在擱板組件U1～U4上具備用于在反射防止膜形成處理前將晶片W調(diào)節(jié)至規(guī)定溫度的冷卻組件(COL5)；和加熱處理反射防止膜形成處理后的晶片W的加熱組件(CHP5)，而且不具備周緣曝光裝置(WEE)以外，與COT層B4構(gòu)成相同。另外，在該第5單位塊B5中，由主臂部A5對第1交接臺TRS5、第2交接臺TRS10、第1反射防止膜形成組件34、和擱板組件U1～U4的各處理組件進(jìn)行晶片W的交接。
在此，作為上述加熱組件(CHP3～5、POST1、2和PEB1、2)，如圖1所示，使用如下構(gòu)成的裝置具備加熱板53、和兼用作運(yùn)送臂的冷卻板54，利用冷卻板54進(jìn)行在主臂部A4和加熱板53之間的晶片W的交接，在一個(gè)組件中可以進(jìn)行加熱冷卻，作為冷卻組件(COL1～5)，使用具備例如水冷方式的冷卻板。再者，上述加熱組件(CHP3～5、POST1、2和PEB1、2)的冷卻板54相當(dāng)于本發(fā)明的冷卻組件。
此外，圖5為表示這些處理組件的布局的一個(gè)例子的圖，該布局比較方便，處理組件不限于加熱組件(CHP、PEB、POST)、冷卻組件(COL)、疏水化處理組件(ADH)、和周緣曝光裝置(WEE)，也可以設(shè)置其他處理組件，在實(shí)際的裝置中，考慮各處理組件的處理時(shí)間等來確定組件的設(shè)置數(shù)量。
另一方面，在處理塊S2中的擱板組件U6的內(nèi)側(cè)，經(jīng)由接口塊S3連接有曝光裝置S4。在接口塊S3中，具備用于向處理塊S2的擱板組件U6和曝光裝置S4進(jìn)行晶片W的交接的接口臂B。該接口臂B，成為夾在處理塊S2和曝光裝置S4之間的晶片W的運(yùn)送機(jī)構(gòu)，在該例中，構(gòu)成為進(jìn)退自如、升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，以便向第1～第4單位塊B1～B4的第2交接臺TRS6～TRS9進(jìn)行晶片W的交接，在該例中，第2交接臺TRS6～TRS9相當(dāng)于接口塊用交接臺。
再者，上述接口臂B可以構(gòu)成為向全部單位塊B1～B5的第2交接臺TRS6～TRS10進(jìn)行晶片W的交接，在這種情況下，第2交接臺TRS6～TRS10相當(dāng)于接口塊用交接臺。
接下來簡單說明主臂部A(A1～A5)、第1和第2交接臂D1、D2、接口臂B、液體處理組件的構(gòu)成。首先，主臂部A，例如如圖4所示，具備用于支承晶片W的內(nèi)面?zhèn)戎芫墔^(qū)域的2個(gè)臂部101、102，這些臂部101、102相互獨(dú)立地構(gòu)成為沿基臺103進(jìn)退自如。再者，基臺103構(gòu)成為借助旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)104繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，并且由移動機(jī)構(gòu)105沿Y軸軌道107在Y軸方向移動自如，并且沿升降軌道108升降自如，所述Y軸軌道安裝在支承擱板組件U1～U4的臺部106朝向運(yùn)送區(qū)域R1的表面上。這樣，臂部101、102構(gòu)成為進(jìn)退自如，沿Y軸方向移動自如，升降自如，繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，并可以在擱板組件U1～U6的各組件和第1及第2交接臺TRS1～TRS10與液體處理組件之間進(jìn)行晶片W的交接。這樣的主臂部A基于來自后述的控制部6的指令由未圖示的控制器控制驅(qū)動。再者，為了防止臂部在加熱組件的蓄熱，可以由程序任意控制晶片W的接受順序。
再者，上述接口臂B，例如如圖8所示，沿基臺202進(jìn)退自如地設(shè)置有具備用于支承晶片W的內(nèi)面?zhèn)戎醒雲(yún)^(qū)域的1個(gè)臂部201。上述基臺202由旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)204繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如地安裝在升降臺203上，并設(shè)置為沿升降軌道205升降自如。這樣，臂部201構(gòu)成為進(jìn)退自如，升降自如，繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，并可以在擱板組件U6的第2交接臺TRS6～TRS9之間進(jìn)行晶片W的交接。
上述第1和第2交接臂D1、D2，也除不繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)以外，與接口臂B的構(gòu)成一樣。這樣的第1和第2交接臂D1、D2和接口臂B基于來自后述的控制部6的指令由未圖示的控制器控制驅(qū)動。
接下來，關(guān)于涂敷組件31，利用圖9進(jìn)行簡單說明。在該例中，3個(gè)涂敷部301、302、303收納在共用的處理容器300內(nèi)部，以橫向(Y軸方向)排列而分別朝向運(yùn)送區(qū)域R1的狀態(tài)設(shè)置在共用的基座304上。
由于這些涂敷部301、302、303具有相同的構(gòu)成，所以以涂敷部301為例進(jìn)行說明，圖中305為成為基板保持部的旋轉(zhuǎn)卡盤，構(gòu)成為由真空吸附將晶片W保持為水平。該旋轉(zhuǎn)卡盤305由驅(qū)動部306可以繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)和升降。再者，在旋轉(zhuǎn)卡盤305的周圍設(shè)置包圍從晶片W到旋轉(zhuǎn)卡盤305的側(cè)部的杯部307，在該杯部307的底面設(shè)置包含排氣管和排液管等的排液部308。圖中309是用于向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤305上的晶片W的周緣部供給漂洗液的側(cè)漂洗機(jī)構(gòu)，構(gòu)成為升降自如和繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如。
再者，圖中310是用于向3個(gè)涂敷部301、302、303供給涂敷液的共用的供給噴嘴(藥液噴嘴)，該供給噴嘴310構(gòu)成為借助移動機(jī)構(gòu)312沿著沿處理容器300的長度方向(Y方向)設(shè)置的導(dǎo)軌311，從一端側(cè)的涂敷部301的杯部307的外側(cè)自由移動至另一端側(cè)的涂敷部303的杯部307的外側(cè)，并且升降自如。由此，在該例中，利用供給噴嘴310，將抗蝕劑液供給至保持在各涂敷部301～303的旋轉(zhuǎn)卡盤305上的晶片W的大致中央?yún)^(qū)域。圖中313是設(shè)置在另一端側(cè)的涂敷部303的外側(cè)的供給噴嘴310的待機(jī)區(qū)域。
圖中314是安裝在處理容器300的頂板部上的過濾器組件，315是設(shè)置在處理容器300的底面上的排氣部，通過從排氣部以規(guī)定的排氣量排氣，并且從過濾器組件314供給規(guī)定流量的調(diào)節(jié)了溫度和濕度的清潔氣體，而在處理容器300內(nèi)形成清潔氣體的下流，設(shè)定為比主臂部A4的運(yùn)送區(qū)域R1更靠近正壓力一側(cè)。圖中316是在處理容器300朝向運(yùn)送區(qū)域R1的表面上形成的晶片W運(yùn)入運(yùn)出口，并設(shè)有開閉門。
在該涂敷組件31中，由主臂部A4將晶片W經(jīng)由運(yùn)入運(yùn)出口316運(yùn)入處理容器300內(nèi)，并交接至預(yù)先確定的涂敷部301、302、303的某一個(gè)旋轉(zhuǎn)卡盤305。另外從供給噴嘴310向該晶片W的中央部供給抗蝕劑液，并使旋轉(zhuǎn)卡盤305旋轉(zhuǎn)，由離心力使抗蝕劑液向晶片W的徑向擴(kuò)散，在晶片W表面形成抗蝕劑的液膜。這樣形成有抗蝕劑液膜的晶片W經(jīng)由運(yùn)入運(yùn)出口316由主臂部A4運(yùn)送至涂敷組件31的外部。
在這樣的涂敷組件31中，由于3個(gè)涂敷部301～303設(shè)置在共用的處理容器300的內(nèi)部，所以處理氣氛相同。因此可以使供給噴嘴310共用化，并可以由一個(gè)供給噴嘴310向3個(gè)涂敷部301～303供給抗蝕劑液，因此與在各涂敷部301～303上分別設(shè)置處理容器300和供給噴嘴310的情況相比，可以減少總共的部件個(gè)數(shù)和占有面積。
進(jìn)而，由于處理氣氛相同，所以關(guān)于進(jìn)行形成下流的空氣的供給和該空氣的排出的機(jī)構(gòu)也可以共用化，所以從這點(diǎn)考慮也對可減少部件個(gè)數(shù)和占有面積較有效。再者，由于涂敷部301～303配置在共用的氣氛內(nèi)，所以在各涂敷部301～303中始終可以在相同的氣氛內(nèi)進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷，可以更均勻地進(jìn)行被氣氛影響的抗蝕劑液的涂敷處理。
再者，由于3個(gè)涂敷部301～303設(shè)置在共用的基座304上，所以在進(jìn)行對旋轉(zhuǎn)卡盤305和主臂部A4的臂部101、102的高度調(diào)節(jié)時(shí)，對1個(gè)涂敷部301～303進(jìn)行即可。再者，由于構(gòu)成為由共用的供給噴嘴310向各涂敷部301～303供給抗蝕劑液，所以關(guān)于各旋轉(zhuǎn)卡盤305和供給噴嘴310的高度調(diào)節(jié)，也是對1個(gè)涂敷部301～303進(jìn)行即可。因此，減少這些高度調(diào)節(jié)需要的功夫，再者縮短調(diào)節(jié)時(shí)間。
顯影組件32除了沿著供給噴嘴310的長度方向形成顯影液的供給區(qū)域，構(gòu)成為沿晶片W的直徑方向供給顯影液，并具備清洗液噴嘴這幾點(diǎn)以外，與涂敷組件31的構(gòu)成大致相同，成為涂敷部的多個(gè)顯影處理部收納在共用的處理容器300內(nèi)。清洗液噴嘴與供給噴嘴310同樣構(gòu)成，構(gòu)成為由移動機(jī)構(gòu)可以沿上述導(dǎo)軌311自由移動，并且升降自如，用于向保持在各涂敷部301～303的旋轉(zhuǎn)卡盤305上的晶片W供給清洗液。
在這樣的顯影組件32中，由主臂部A1、A2，經(jīng)由運(yùn)入運(yùn)出口316將晶片W運(yùn)入處理容器300內(nèi)，并將晶片W交接至預(yù)先確定的涂敷部(顯影處理部)301、302、303的某一個(gè)旋轉(zhuǎn)卡盤305上。另外，從供給噴嘴310向該晶片W的中央部分供給顯影液，并且由旋轉(zhuǎn)卡盤305例如使晶片W半旋轉(zhuǎn)，由此將顯影液供給至晶片W的整個(gè)表面。然后經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，通過將清洗液從清洗液噴嘴供給至晶片W，洗掉晶片W表面的顯影液，然后使晶片W旋轉(zhuǎn)并干燥，來結(jié)束顯影處理。
再者，在該顯影組件32中，不另外設(shè)置清洗液噴嘴，而是設(shè)置與涂敷組件31的側(cè)漂洗機(jī)構(gòu)309相同構(gòu)成且構(gòu)成為升降自如、繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如的清洗機(jī)構(gòu)，由此，可以向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤305上的晶片W的中央部分供給清洗液。
上述第1反射防止膜形成組件33，用于在涂敷抗蝕劑液前在晶片W上涂敷反射防止膜用的藥液，第2反射防止膜形成組件34，用于在涂敷了抗蝕劑液后在晶片W上涂敷反射防止膜用的藥液，這些組件33、34，除了從供給噴嘴310供給反射防止膜用藥液以外，分別與涂敷組件31構(gòu)成相同。
在此，以在抗蝕劑膜上下分別形成反射防止膜的情況為例說明該抗蝕劑圖形形成裝置中的晶片W的路徑。首先，從外部向承載塊S1運(yùn)入承載體20，利用傳送臂C把晶片W從該承載體20內(nèi)取出。為了把晶片W從傳送臂C首先交接至第2單位塊B2的擱板組件U5的第1交接臺TRS-F，然后把晶片W交接至BCT層B5，而把晶片W由第1交接臂D1經(jīng)由第1交接部TRS5交接至BCT層B5的主臂部A5。然后在BCT層B5中，由主臂部A5，以冷卻組件(COL5)→第1反射防止膜形成組件34→加熱組件(CHP5)→擱板組件U6的第2交接臺TRS10的順序運(yùn)送晶片W，形成第1反射防止膜。
接下來，為了把晶片W交接至COT層B4，而由第2交接臂D2將第2交接臺TRS10的晶片W運(yùn)送至第2交接臺TRS9，接下來，交接至該COT層B4的主臂部A4。另外，在COT層B4中，由主臂部A4，以疏水化處理組件(ADH)→冷卻組件COL4→涂敷組件31→加熱組件CHP4→第1交接臺TRS4的順序運(yùn)送晶片W，在第1反射防止膜的上層形成抗蝕劑膜。
然后，為了把晶片W交接至TCT層B3，而由第1交接臂D將第1交接臺TRS4的晶片W運(yùn)送至第1交接臺TRS3，然后交接至該TCT層B3的主臂部A3。另外，在TCT層B3中，由主臂部A3，以冷卻組件(COL3)→第2反射防止膜形成組件33→加熱組件(CHP3)→周緣曝光裝置(WEE)→擱板組件U6的第2交接臺TRS8的順序運(yùn)送晶片W，并在抗蝕劑膜的上層形成第2反射防止膜。
接下來由接口臂B把第2交接臺TRS8的晶片W運(yùn)送至曝光裝置S4，并在這里進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。為了把晶片W交接至DEV層B1(DEV層B2)，曝光處理后的晶片W，由接口臂B運(yùn)送至擱板組件U6的第2交接臺TRS6(TRS7)，該臺TRS6(TRS7)上的晶片W，被DEV層B1(DEV層B2)的主臂部A1(主臂部A2)接受，在該DEV層B1(B2)中，首先以加熱組件(PEB1(PEB2))→冷卻組件(COL1(COL2))→顯影組件32→加熱組件(POST1(POST2))的順序運(yùn)送，進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。為了把晶片W交接至傳送臂C，這樣進(jìn)行了顯影處理的晶片W，被運(yùn)送至第1交接臺TRS1(TRS2)，并由傳送臂C，返回至載置在承載塊S1上的原來的承載體20。
在以上的說明中，上述抗蝕劑圖形形成裝置具備由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部6，進(jìn)行各處理組件的方法的管理、晶片W的運(yùn)送流程(運(yùn)送路線)的方法的管理、各處理組件中的處理、主臂部A1～A5、傳送臂C、第1和第2交接臂D1、D2、接口臂B的驅(qū)動控制。在該控制部6中，使用單位塊B1～B5運(yùn)送基板，進(jìn)行處理。
上述運(yùn)送流程的方法指定單位塊內(nèi)的晶片W的運(yùn)送路線(運(yùn)送順序)，根據(jù)在每個(gè)單位塊B1～B5上形成的涂敷膜的種類制定，且由此針對每個(gè)單位塊B1～B5的多個(gè)運(yùn)送流程方法被存儲在控制部6中。
再者，根據(jù)形成的涂覆膜，存在以下模式向全部單位塊B1～B5運(yùn)送晶片W的模式；把晶片W運(yùn)送至用于進(jìn)行顯影處理的單位塊(DEV層B1、B2)、用于進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷的單位塊(COT層B4)、和用于形成第1反射防止膜的單位塊(BCT層B5)的模式；把晶片W運(yùn)送至用于進(jìn)行顯影處理的單位塊(DEV層B1、B2)、用于進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷的單位塊(COT層B4)、和用于形成第2反射防止膜的單位塊(TCT層B3)的模式；和只把晶片W運(yùn)送至進(jìn)行顯影處理的單位塊(DEV層B1、B2)的模式，通過由控制部6的模式選擇機(jī)構(gòu)根據(jù)欲形成的涂敷膜的種類，選擇運(yùn)送晶片W的單位塊，并且通過針對每個(gè)選定的單位塊從準(zhǔn)備的多個(gè)運(yùn)送流程方法中選擇最合適的方法，來選擇根據(jù)形成的涂敷膜使用的單位塊，在該單位塊中，控制各處理組件和臂部的驅(qū)動，進(jìn)行一連串的處理。
在這樣的抗蝕劑圖形形成裝置中，由于把各涂敷膜形成用的單位塊、和顯影處理用的單位塊設(shè)置在不同的區(qū)域，并在各個(gè)區(qū)域上分別設(shè)置專用的主臂部A，所以主臂部A的負(fù)荷降低。因此，由于主臂部A的運(yùn)送效率提高，所以作為結(jié)果可以提高生產(chǎn)量。
再者，作為涂敷形成用的單位塊，由于使以下單位塊相互層疊來設(shè)置用于形成抗蝕劑膜的專用單位塊(COT層B4)、用于形成第1反射防止膜的專用單位塊(BCT層B5)、用于形成第2反射防止膜的專用單位塊(TCT層B3)，所以即使在抗蝕劑膜上下形成反射防止膜的情況下，也可以使處理塊S2的占有面積和只形成抗蝕劑膜的情況相同，而實(shí)現(xiàn)空間節(jié)省化。
進(jìn)而，作為涂敷膜形成用的單位塊，由于如已經(jīng)說明的那樣，把COT層B4、BCT層B5和TCT層B3作為單獨(dú)的單位塊構(gòu)成，所以在通過從DEV層B1、B2(或者DEV層B1、B2的某一個(gè))、BCT層B5、COT層B4和TCT層B3中選擇使用的單位塊，不管是不是在形成反射防止膜的情況下，都可以應(yīng)對。再者，這時(shí)由于使用的單位塊的晶片W的運(yùn)送路線相同，所以即使在1臺涂敷、顯影裝置中對形成每個(gè)批量不同的涂覆膜的情況下，也可以抑制運(yùn)送程序的煩雜化，采用簡易的運(yùn)送程序，而實(shí)現(xiàn)軟件的簡易化。
這時(shí)，使用哪個(gè)單位塊B1～B5進(jìn)行處理，如已經(jīng)說明的那樣，通過根據(jù)目標(biāo)涂敷膜從存儲在控制部6中的晶片W的運(yùn)送目的地的單位塊和每個(gè)單位塊的晶片W的運(yùn)送流程方法中，選擇運(yùn)送晶片的單位塊和運(yùn)送流程方法來確定。
即例如在不形成反射防止膜的處理中，只選擇DEV層B1、B2和COT層B4，這種情況下，以承載體20→傳送臂C→擱板組件U5的第1交接臺TRS-F→第1交接臂D1→第1交接臺TRS4→COT層B4的主臂部A4→疏水化處理組件(ADH)→冷卻組件(COL4)→涂敷組件31→加熱組件(CHP4)→擱板組件U6的第2交接臺TRS9→接口臂B→曝光裝置S4→接口臂B→第2交接臺TRS6(TRS7)→DEV層B1(B2)的路線進(jìn)行運(yùn)送。
再者，在只在抗蝕劑膜下部形成反射防止膜的情況下，只選擇DEV層B1(B2)、BCT層B5和COT層B4，這種情況下，例如以承載體20→傳送臂C→擱板組件U5的第1交接臺TRS-F→第1交接臂D1→第1交接臺TRS5→BCT層B5的主臂部A5→冷卻組件(COL5)→第1反射防止膜形成組件34→加熱組件(CHP5)→第2交接臺TRS10→第2交接臂D2→第2交接臺TRS9→COT層B4的主臂部A4→疏水化處理組件(ADH)→冷卻組件(COL4)→涂敷組件31→加熱組件(CHP4)→擱板組件U6的第2交接臺TRS9→接口臂B→曝光裝置S4→接口臂B→第2交接臺TRS6(TRS7)→DEV層B1(B2)的路線進(jìn)行運(yùn)送。
進(jìn)而，在只在抗蝕劑膜上部形成反射防止膜的情況下，只選擇DEV層B1(B2)、COT層B4和TCT層B3，這種情況下，例如以承載體20→傳送臂C→擱板組件U5的第1交接臺TRS-F→第1交接臂D1→第1交接臺TRS4→COT層B4的主臂部A4的順序進(jìn)行運(yùn)送。COT層B4內(nèi)的晶片W的運(yùn)送路線和COT層B4以后的晶片W的運(yùn)送路線與上述例子相同。
由于這樣選擇的各涂敷膜形成用的單位塊(COT層B4、BCT層B5和TCT層B3)內(nèi)的晶片W的運(yùn)送路線相同，所以即使在形成不同的涂覆膜的情況下，只要選擇使用的單位塊，并把晶片W運(yùn)送至該單位塊即可，運(yùn)送程序簡單。
進(jìn)而，在上述實(shí)施方式中，由于把用于向5層單位塊B1～B5進(jìn)行晶片W交接的接口臂和交接臺設(shè)在處理塊S2與承載塊S1鄰接的區(qū)域、和它與接口塊S3鄰接的區(qū)域兩處，所以可以使用第1和第2交接臂D1、D2的任一個(gè)臂部把在各涂敷膜形成用的單位塊B3～B5中處理的晶片W交接至下一層，晶片W的運(yùn)送路線的自由度較大。
即、針對在上述抗蝕劑膜上下形成反射防止膜的情況，在BCT層B5形成了反射防止膜后，可以經(jīng)由擱板組件U5的第1交接臺TRS5由第1交接臂D1向COT層B4交接晶片W，也可以經(jīng)由擱板組件U6的第2交接臺TRS10由第2交接臂D2向COT層B4交接晶片W。
再者，由于運(yùn)送路線的自由度較高，所以各單位塊B1～B5的主臂部A1～A5與第1和第2交接臂D1、D2的運(yùn)送程序的制定變得容易。進(jìn)而，由于這樣可以使用第1和第2交接臂D1、D2的任一個(gè)臂部把在各涂敷膜形成用的單位塊B3～B5中處理的晶片W交接至下一層，所以1個(gè)交接臂D1、D2的負(fù)荷被分擔(dān)，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)量的增多。
進(jìn)而，由于設(shè)置有用于在各單位塊間進(jìn)行晶片W交接的第1和第2交接臺TRS1～TRS10、和用于進(jìn)入該交接臺的專用交接臂D1、D2，所以各單位塊間的晶片W的運(yùn)送系統(tǒng)的構(gòu)成變得簡單，從這點(diǎn)考慮也可以實(shí)現(xiàn)運(yùn)送程序的簡易化。
在此，上述涂敷膜形成用的單位塊，由于液體處理組件的藥液只是種類彼此不同，所以可以把涂敷液等藥液的配管、排液路和排氣路等的配管較近地匯集，再者可以較近地匯集電力系統(tǒng)的纜線等，上述配管和纜線等的纏繞簡單化，組裝作業(yè)變得容易。因此可以實(shí)現(xiàn)制造所需時(shí)間的縮短，并且由于制造量增多可以降低制造成本。
再者，如已經(jīng)說明的那樣，由相同的單位塊構(gòu)成這些BCT層B5、COT層B4和TCT層B3，即構(gòu)成為使液體處理組件、加熱組件、冷卻組件和主臂部的配置布局在單位塊彼此間相同，如果只改變液體處理組件的藥液種類，則由于可以制造相同的單位塊，所以與制造構(gòu)成不同的單位塊的情況相比，制造作業(yè)容易，制造錯誤減少。因此，制造量增多可以降低制造成本。再者由于使用共用的部件，所以從這點(diǎn)考慮也有助于制造成本的降低。進(jìn)而，如果由相同的單位塊構(gòu)成上述BCT層B5、COT層B4和TCT層B3，則如已經(jīng)說明的那樣，由于制造錯誤減少，所以精度提高，調(diào)節(jié)變得容易。因此，也具有使調(diào)節(jié)所需時(shí)間縮短的優(yōu)點(diǎn)。
進(jìn)而，在某一個(gè)涂敷膜形成用的單位塊發(fā)生異常而不能使用的情況下，不使用該單位塊而使用剩下的兩個(gè)涂敷膜形成用單位塊也可以進(jìn)行涂覆膜的形成。
接下來基于圖10說明本發(fā)明的第2實(shí)施方式。該例使用在晶片W表面形成液層來進(jìn)行液浸曝光的裝置作為曝光裝置S4，并且在處理塊S2和接口塊S3之間設(shè)置輔助塊S5，在例如COT層B4的上層側(cè)、TCT層B3的上層側(cè)，在第2反射防止膜的上方進(jìn)而層疊設(shè)置具有用于形成防水性保護(hù)膜的組件的單位塊(未圖示)，作為涂敷膜形成用的單位塊。上述所謂用于形成防水性保護(hù)膜的組件是對應(yīng)于液浸曝光時(shí)需求的液體處理組件，是涂敷用于防止液浸曝光時(shí)的液體浸入抗蝕劑中的保護(hù)膜的防水性保護(hù)膜涂敷組件，再者，也可以在該單位塊上設(shè)置清洗組件，用于去除在曝光后的保護(hù)膜，去除清洗曝光前后附著在晶片W上的微粒、和給曝光帶來阻礙的成分。
在上述輔助塊S5上具備檢查組件71，例如用于進(jìn)行涂敷膜形成后曝光處理前的檢查、和曝光處理后顯影處理前的檢查；清洗組件72，用于進(jìn)行液浸曝光后的例如清洗處理；擱板組件U7，設(shè)置有多層用于在與接口塊S3的接口臂B之間進(jìn)行晶片W的交接的交接臺TRS；和第3交接臂E，用于向處理塊S2的擱板組件U6的例如交接臺TRS6～TRS8、檢查組件71、清洗組件72和擱板組件U7各部分進(jìn)行晶片W的交接。這些檢查組件71和清洗組件72可以多層構(gòu)成，也可以在交接機(jī)構(gòu)E的兩側(cè)，只設(shè)置清洗組件72或檢查組件71，配置比較自由。
上述第3交接臂E構(gòu)成為進(jìn)退自如、升降自如、和繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，作為上述涂敷膜形成后曝光處理前進(jìn)行的檢查，有涂敷膜膜厚檢查和異物檢查等，作為曝光處理后顯影處理前進(jìn)行的檢查，有曝光重合檢查等。再者不限于此，也可以設(shè)置檢測基板上的對準(zhǔn)標(biāo)記的組件、或由激光處理去除一部分膜的組件。
另外，作為設(shè)在上述輔助塊上的組件，設(shè)置以下裝置中的至少一個(gè)膜厚檢查組件，用于檢查晶體表面的狀態(tài)，例如用于檢查形成在晶體W上的涂敷膜膜厚；用于檢測抗蝕劑液的涂敷不均的涂敷不均檢測裝置；用于清洗曝光前和/或曝光后的基板的清洗組件；用于檢測在曝光裝置中產(chǎn)生的圖形的位置錯開的散焦檢查裝置；用于檢測顯影處理不良的顯影不良檢測裝置；用于檢測附著在晶片W上的微粒數(shù)的微粒數(shù)檢測裝置；用于檢測在抗蝕劑涂敷后的晶片W表面上由抗蝕劑液中的氣泡或異物產(chǎn)生的毛刺的毛刺檢測裝置；用于檢測從晶片W表面飛出的抗蝕劑液的溶劑再附著在晶片W上的回濺的回濺檢測裝置；檢測在晶片W表面的同一位置以同一形狀顯現(xiàn)的共同缺陷的共同缺陷檢測裝置；用于檢測殘留在顯影處理后的晶片W上的抗蝕劑殘?jiān)母≡鼨z測裝置；用于檢測不進(jìn)行抗蝕劑涂敷處理和/或顯影處理的問題的NO RESIST，NODEVELOP檢查裝置(問題檢測裝置)；用于測定晶片W上形成的抗蝕劑膜的線寬的線寬測定裝置；和用于把曝光裝置中曝光了的晶片W和光掩模的重合精度和規(guī)格值比較來檢查的重合檢查裝置。
上述散焦檢查通過和預(yù)先登記的準(zhǔn)確的圖形比較來檢測曝光裝置中的焦點(diǎn)偏離，線寬測定裝置通過例如和預(yù)先登記的準(zhǔn)確的圖形比較來檢測曝光裝置中的曝光量和曝光時(shí)間是否適當(dāng)，重合檢查裝置通過把例如可以和下層的圖形比較的特定部位的圖形、和預(yù)先登記的準(zhǔn)確的圖形比較來檢測曝光裝置中的曝光位置的位置錯開。
在這樣的構(gòu)成中，在曝光后對晶片W進(jìn)行清洗處理的情況下，例如與上述第1實(shí)施方式同樣，先以承載塊S1→BCT層B5→COT層B4→TCT層B3→用于形成防水性的保護(hù)膜的單位塊的順序運(yùn)送晶片W，然后以擱板組件U6的第2交接臺→第2交接臂D2→例如第2交接臺TRS8→輔助塊S5的第3交接臂E→擱板組件U7的交接臺→接口塊S3的接口臂B→曝光裝置S4的路線運(yùn)送，并且以接口塊S3的接口臂B→輔助塊S5的擱板組件U7的交接臺→第3交接臂E→清洗組件72→第3交接臂E→擱板組件U6的交接臺TRS6(TRS7)→主臂部A1(A2)→DEV層B1(B2)的路線運(yùn)送曝光后的晶片W。
再者在進(jìn)行各種檢查的情況下，對以間隔一定片數(shù)抽出的晶片W進(jìn)行規(guī)定的檢查。例如在涂敷膜形成后檢查的情況下，在運(yùn)送至曝光裝置S4之前在輔助塊S5中進(jìn)行檢查，在曝光后檢查的情況下，對從曝光裝置S4返回輔助塊S5中來的晶片W進(jìn)行檢查，在顯影處理后檢查的情況下，在處理塊S2中進(jìn)行了顯影處理后，再次將晶片W運(yùn)送至輔助塊S5中進(jìn)行檢查。
在此，之所以在上述第2反射防止膜上方形成防水性的保護(hù)模，是因?yàn)橛稍摫Ｗo(hù)膜彈起液浸曝光時(shí)的液體，而不易把上述液體殘留在晶體W的表面上，例如在晶體W的表面和周緣部內(nèi)面?zhèn)刃纬?。再者，為了抑制上述保護(hù)膜從晶片W剝落而成為微粒產(chǎn)生的原因，進(jìn)行液浸曝光后的清洗處理用于去除該保護(hù)膜，例如通過向晶片W的表面和內(nèi)面?zhèn)戎芫壊抗┙o用于去除上述保護(hù)膜的藥液來去除上述保護(hù)膜，然后供給用于清洗上述藥液的清洗液來進(jìn)行。
在該實(shí)施方式中，由于在處理塊S2和接口塊S3之間設(shè)置具備檢查組件和清洗組件的輔助塊S5，所以例如在上述涂敷膜形成后曝光處理前進(jìn)行檢查和清洗的情況，和/或在曝光處理后顯影處理前進(jìn)行檢查和清洗的情況下，可以在處理塊S2和接口塊S3之間的晶片W的通道上進(jìn)行上述檢查和清洗。因此，可以一邊抑制晶片W的運(yùn)送路線的復(fù)雜化，一邊在涂敷膜形成后和曝光處理后的適當(dāng)時(shí)刻進(jìn)行檢查和清洗，在進(jìn)行這樣的檢查和清洗的情況下，也可以抑制運(yùn)送程序的復(fù)雜化。
在該實(shí)施方式中，在不形成反射防止膜的情況下，也可以在抗蝕劑膜的上方形成上述保護(hù)膜，清洗處理可以在曝光處理之前或之后進(jìn)行，也可以在曝光處理前后都進(jìn)行。再者，在沒有保護(hù)膜的情況下，上述清洗組件72單純用于去除晶體W的污漬而使用。
在以上說明的本發(fā)明中，可以只向顯影處理用的單位塊B1、B2運(yùn)送晶片W并進(jìn)行處理。再者，可以將顯影處理用的單位塊設(shè)為1層，如果如上述實(shí)施方式那樣，將涂覆膜形成用的單位塊排列為從下方側(cè)朝向上方側(cè)依次為TCT層、COT層和BCT層，則由于進(jìn)行曝光處理前的最后涂敷處理的TCT層或COT層；和欲進(jìn)行曝光處理后處理的DEV層較近，所以具有接口臂B的進(jìn)入?yún)^(qū)域較窄的優(yōu)點(diǎn)，也可以將涂覆膜形成用的單位塊排列為從下方側(cè)朝向上方側(cè)依次為BCT層、COT層和TCT層。
進(jìn)而在本發(fā)明中，傳送臂C可以訪問的擱板組件U5的交接臺不限于DEV層B1、DEV層B2，只要在傳送臂C和層疊的單位塊的一個(gè)以上單位塊之間進(jìn)行晶片W的交接即可。進(jìn)而可以在擱板組件U6上也設(shè)置用于在與接口臂B之間進(jìn)行晶片W交接的專用第2交接臺TRS，并經(jīng)由該第2交接臺TRS和第2接口臂D2在各單位塊B1～B5和接口塊S3之間進(jìn)行晶片W的交接。進(jìn)而關(guān)于DEV層B1、B2內(nèi)的模塊也可以使用共用的主臂部A來進(jìn)行晶片W的運(yùn)送。
再者設(shè)在各單位塊上的擱板組件U5、U6的交接臺TRS為1個(gè)以上即可，還可以具備冷卻功能。進(jìn)而可以在承載塊S1和接口塊S3之間進(jìn)行晶片W的交接的單位塊上，設(shè)置與主臂部A分開的專用運(yùn)送機(jī)構(gòu)，用于在傳送臂C和接口臂B之間，或擱板組件U5和擱板組件U6之間進(jìn)行晶片W的運(yùn)送。進(jìn)而可以在擱板組件U5、U6上，設(shè)置交接臺以外的模塊例如冷卻組件等，也可以設(shè)置依據(jù)目的的檢查組件作為層疊在處理塊S2上的單位塊B1～B5的處理組件。例如可以代替設(shè)在COT層B4和TCT層B3上的周緣曝光裝置(WEE)，設(shè)置膜厚測定器，也可以在DEV層B1、B2上設(shè)置圖形重合檢查和顯影處理后的顯影缺陷檢查組件。再者也可以在單位塊上設(shè)置檢查組件，在這種情況下也可以在主臂部A的運(yùn)送路的兩側(cè)設(shè)置檢查組件，可以設(shè)置檢查組件專用的單位塊。
進(jìn)而，關(guān)于DEV層B1、B2內(nèi)的模塊可以只共用主臂部A進(jìn)行晶片W的運(yùn)送。再者本發(fā)明除了半導(dǎo)體晶片也適用于處理所謂的液晶顯示器用玻璃基板(LCD基板)的基板的涂敷、顯影裝置。
再者本發(fā)明的抗蝕劑圖形形成裝置可以如下構(gòu)成。關(guān)于該實(shí)施方式使用圖11～圖16進(jìn)行說明，該例在輔助塊S5內(nèi)設(shè)置涂敷用于防止液浸曝光時(shí)的液體浸入抗蝕劑中的保護(hù)膜的防水性保護(hù)膜涂敷組件(ITC)(以下稱為“保護(hù)膜涂敷組件(ITC)”)和用于去除該防水性保護(hù)膜的防水性保護(hù)膜去除組件(ITR)(以下稱為“保護(hù)膜去除組件(ITR)”)，并且在接口塊S3上設(shè)置用于在液浸曝光前后清洗晶片W的清洗組件(RD)。
在此簡單說明液浸曝光，該液浸曝光目的在于通過在基板表面上形成使光透過的液層的狀態(tài)下曝光，來提高曝光的析像度，例如使光透過純水中，由于在水中光的波長變短所以193nm的ArF的波長在水中實(shí)質(zhì)上變成134nm，利用該特征進(jìn)行曝光。
另外，在液浸曝光中，由于在抗蝕劑的表面形成液層，所以存在以下?lián)目刮g劑在液相側(cè)洗脫而且其洗脫成分殘留在晶片W上，或者在曝光處理結(jié)束后，從晶片W排出形成在晶片W表面上的液層時(shí)，液滴例如微小水滴殘留在晶體表面。如果抗蝕劑的洗脫成分或液滴這樣殘存在晶片W上，則存在以下問題上述洗脫成分附著在晶片W上，從而成為作為缺陷原因的微粒產(chǎn)生的主要原因，或者在曝光處理后的加熱處理時(shí)引起洗脫成分產(chǎn)生的微粒固定或熔接，而會影響圖形的線寬，或者由于液滴的存在在曝光處理后的加熱處理時(shí)產(chǎn)生溫度差，熱處理的表面內(nèi)均勻性惡化，或者液滴和空氣反應(yīng)而成為晶片W表面水印的主要產(chǎn)生原因。
因此在液浸曝光處理中，為了在向晶片W涂敷了抗蝕劑液后進(jìn)行液浸曝光之前，抑制抗蝕劑液的洗脫，并且使液浸曝光時(shí)的液體不易殘留在晶片W表面，在晶片W表面上涂敷防水性保護(hù)膜，在保護(hù)膜涂敷組件(ITC)中進(jìn)行該處理。再者如果在涂敷有該保護(hù)膜的狀態(tài)下進(jìn)行顯影處理，則由于不能由顯影液使抗蝕劑溶解，所以需要在顯影處理前去除該保護(hù)膜，在保護(hù)膜去除組件(ITR)中進(jìn)行該處理。進(jìn)而，為了更可靠地去除附著在晶片W上的抗蝕劑液的洗脫成分、或作為液浸曝光時(shí)的液體的水滴，在進(jìn)行了液浸曝光處理后，清洗晶片W表面，在清洗組件(RD)中進(jìn)行該清洗。
接下來具體說明該實(shí)施方式的布局，關(guān)于承載塊S1和處理塊S2，除了單位塊B1～B5的層疊順序不同以外，構(gòu)成與已述的圖1所示的抗蝕劑圖形形成裝置大致相同。
在此說明與上述圖1所示的抗蝕劑圖形形成裝置的不同點(diǎn)，處理塊S2，如圖12所示，以從下方側(cè)開始依次為2個(gè)DEV層B1、B2、BCT層B5、COT層B4和TCT層B3的順序?qū)盈B；來自承載塊S1的晶片W經(jīng)由BCT層B5的交接臺TRS5直接交接至BCT層B5；來自處理塊S2的晶片W，經(jīng)由COT層B4的交接臺TRS9或BCT層B5的交接臺TRS10交接至輔助塊S5。此外在圖12中，為了圖示上的方便，在擱板組件U5、U6上針對各單位塊B2～B5的每一個(gè)只分別畫出了1個(gè)第1交接臺TRS1～TRS5和第2交接臺TRS6～TRS10。
另外在與該處理塊S2鄰接設(shè)置的輔助塊S5中，在中央設(shè)置第4交接臂F，在該第4交接臂F的周圍，例如從承載塊S1觀察的內(nèi)側(cè)、右側(cè)和左側(cè)，分別設(shè)置擱板組件U7、U8和U9。設(shè)置為在上述擱板組件U7上，層疊有多層用于在與接口塊S3的接口臂B之間進(jìn)行晶片W交接的交接臺TRS11和TRS12，在擱板組件U8上，層疊有多層例如保護(hù)膜涂敷組件(ITC)和保護(hù)膜去除組件(ITR)，在擱板組件U9上，層疊有多層已經(jīng)說明的檢查組件71、已經(jīng)說明的冷卻組件(COL)、和加熱組件(CHP)等加熱·冷卻類組件等。
在此，關(guān)于設(shè)在擱板組件U7～U9上的各部分的位置關(guān)系用圖12、圖13進(jìn)行說明。例如在該例中，在擱板組件U8中，多級層疊為在2個(gè)保護(hù)膜去除組件(ITR)的上方層疊2個(gè)保護(hù)膜涂敷組件(ITC)401，下方側(cè)的2個(gè)保護(hù)膜去除組件(ITR)402設(shè)在與處理塊S2的2個(gè)DEV層B1、B2的對應(yīng)的位置，上方側(cè)的2個(gè)保護(hù)膜涂敷組件(ITC)設(shè)在與處理塊S2的BCT層B5和COT層B4的對應(yīng)的位置。
再者擱板組件U7的交接臺TRS11和TRS12，在該例中設(shè)置與在擱板組件U8中段的保護(hù)膜涂敷組件401和保護(hù)膜去除組件402的對應(yīng)的位置，以使例如一個(gè)交接臺TRS12對應(yīng)于某一個(gè)保護(hù)膜涂敷組件401，另一個(gè)交接臺TRS11對應(yīng)于某一個(gè)保護(hù)膜去除組件402，一側(cè)例如交接臺TRS12在從輔助塊S5向接口塊S3交接晶片W時(shí)使用，另一側(cè)在例如交接臺TRS11從接口塊S3向輔助塊S5交接晶片W時(shí)使用。
另外，上述第4交接臂F，例如如圖13所示，設(shè)為上下2級，上方側(cè)的交接臂F1構(gòu)成為，在處理塊S2的BCT層B5和COT層B4之間進(jìn)行晶片W的交接，并且向該輔助塊S5的擱板組件U7～U9的各部分進(jìn)行晶片W的交接，例如構(gòu)成為向處理塊S2的擱板組件U6的交接臺TRS9、TRS10；擱板組件U8的保護(hù)膜涂敷組件(ITC)；擱板組件U7的交接臺TRS12和擱板組件U9的對應(yīng)各部分進(jìn)行晶片W的交接。
再者，下方側(cè)的交接臂F2構(gòu)成為，在處理塊S2的DEV層B1、B2之間進(jìn)行晶片W的交接，并且向該輔助塊S5的擱板組件U7～U9的各部分進(jìn)行晶片W的交接，例如構(gòu)成為向處理塊S2的擱板組件U6的交接臺TRS6、TRS7、擱板組件U8的保護(hù)膜去除組件(ITR)、擱板組件U7的交接臺TRS11和擱板組件U9的對應(yīng)各部分進(jìn)行晶片W的交接。
該交接臂F1、F2例如與主臂部A1～A5同樣構(gòu)成，構(gòu)成為沿Y軸軌道107，在例如圖中Y方向上移動自如、進(jìn)退自如、升降自如和繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)自如，所述Y軸軌道107安裝在支承擱板組件U9的未圖示的臺部的臂部F1、F2朝向運(yùn)送區(qū)域的表面上。再者在接口塊S3中，在接口臂B可以訪問的位置，層疊設(shè)置用于在液浸曝光后清洗晶片W的例如2個(gè)清洗組件(RD)403。
進(jìn)而，在承載塊S1的傳送臂C的運(yùn)送區(qū)域的上方側(cè)設(shè)置過濾器組件(FFU)404，其構(gòu)成為通過從該過濾器組件404供給規(guī)定流量的調(diào)節(jié)了溫度和濕度的清潔氣體，在上述運(yùn)送區(qū)域內(nèi)形成清潔氣體的下流。進(jìn)而在接口塊S3的上方側(cè)設(shè)置ULPA過濾器405，向接口塊S3內(nèi)供給由該ULPA過濾器405去除了灰塵、塵埃等的清潔空氣。此外在已經(jīng)說明的實(shí)施方式中也可以在承載塊S1和接口塊S3上分別設(shè)置過濾器組件404和ULPA過濾器405。
接下來簡單說明上述保護(hù)膜涂敷組件401、保護(hù)膜去除組件402、和清洗組件403的結(jié)構(gòu)，由于它們?yōu)榇笾孪嗤慕Y(jié)構(gòu)，所以首先使用圖14以保護(hù)膜去除組件402為例進(jìn)行說明。圖中410是成為基板保持部的旋轉(zhuǎn)卡盤，構(gòu)成為由真空吸附將晶片W保持為水平。該旋轉(zhuǎn)卡盤410由驅(qū)動部411可以繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)并升降。再者，在旋轉(zhuǎn)卡盤410的周圍設(shè)置包圍從晶片W到旋轉(zhuǎn)卡盤410的側(cè)部的杯部412，在該杯部412的底面設(shè)置有包含排氣管413和排液管414等的排液部。
再者，圖中420是用于向晶片W的大致旋轉(zhuǎn)中心供給剝離保護(hù)膜用的剝離液的藥液噴嘴，該藥液噴嘴420構(gòu)成為，借助移動機(jī)構(gòu)421，沿著沿處理容器430的長度方向(Y方向)設(shè)置的導(dǎo)軌422，在設(shè)在杯部412的一端側(cè)的外側(cè)的待機(jī)區(qū)域423和向晶片W的大致旋轉(zhuǎn)中心供給藥液的位置之間移動自如，并且升降自如。
進(jìn)而，圖中424是用于向晶片W的大致旋轉(zhuǎn)中心供給清洗液的清洗噴嘴，該清洗噴嘴424構(gòu)成為，借助移動機(jī)構(gòu)425，沿上述導(dǎo)軌422，在設(shè)在杯部412的另一端側(cè)的外側(cè)的待機(jī)區(qū)域426和向晶片W的大致旋轉(zhuǎn)中心供給清洗液的位置之間移動自如，并且升降自如。進(jìn)而431是在處理容器430朝向交接臂F2的運(yùn)送區(qū)域的表面上形成的晶片W的運(yùn)入運(yùn)出口，并設(shè)有開閉門432。
另外，在該保護(hù)膜去除組件402中，由交接臂F2把晶片W經(jīng)由運(yùn)入運(yùn)出口431運(yùn)入處理容器430內(nèi)，并交接至旋轉(zhuǎn)卡盤410。另外，從藥液噴嘴420向該晶片W的大致旋轉(zhuǎn)中心供給保護(hù)膜去除用的剝離液，并且使旋轉(zhuǎn)卡盤410旋轉(zhuǎn)，由離心力使上述剝離液向晶片W的徑向擴(kuò)散，這樣將上述剝離液供給至這樣在晶片W表面形成的整個(gè)保護(hù)膜上，由此把保護(hù)膜從晶片W表面剝離。
其后，使藥液噴嘴420移動至待機(jī)區(qū)域423，另一方面使清洗噴嘴424移動至向晶片W的大致旋轉(zhuǎn)中心供給清洗液的位置，向晶片W的大致旋轉(zhuǎn)中心供給清洗液，并使旋轉(zhuǎn)卡盤410旋轉(zhuǎn)。這樣由離心力使上述清洗液向晶片W的徑向擴(kuò)散，由此用清洗液洗掉并去除從晶片W表面剝離的保護(hù)膜。然后使晶片W高速旋轉(zhuǎn)，使晶片W表面的清洗液干燥后，由第4交接臂F2經(jīng)由運(yùn)入運(yùn)出口431把晶片W運(yùn)出至保護(hù)膜去除組件402的外部。
再者在保護(hù)膜涂敷組件401中除了從藥液噴嘴420向晶片W表面供給保護(hù)膜形成用藥液，并且不設(shè)置清洗噴嘴424這些點(diǎn)以外與保護(hù)膜去除組件402構(gòu)成相同。另外，從藥液噴嘴420向該晶片W的大致旋轉(zhuǎn)中心供給保護(hù)膜形成用的藥液，并且使旋轉(zhuǎn)卡盤410旋轉(zhuǎn)，由離心力使上述藥液向晶片W的徑向擴(kuò)散，在晶片W表面上形成藥液液膜從而形成保護(hù)膜。
接下來說明清洗組件403，該清洗組件403，除了從清洗噴嘴424向晶片W表面供給清洗液例如純水，并且不設(shè)置藥液噴嘴420這些點(diǎn)以外與保護(hù)膜去除組件402構(gòu)成相同。再者上述清洗噴嘴424構(gòu)成為在沿導(dǎo)軌422移動時(shí)，從該清洗噴嘴424向通過晶片W的大致旋轉(zhuǎn)中心的直線L上供給清洗液。
在該清洗組件403中，如圖15(a)所示，在使旋轉(zhuǎn)卡盤410旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下，首先從清洗噴嘴424向該晶片W的大致旋轉(zhuǎn)中心供給清洗液，然后如圖15(b)所示，一邊使該清洗噴嘴424逐漸向晶片W的外緣移動，一邊向晶片W的上述直線L上供給清洗液。
這樣一來，雖然由離心力使清洗液向晶片W的徑向擴(kuò)散，但是在向晶片W的大致旋轉(zhuǎn)中心O供給清洗液時(shí)，如果16(a)所示，呈以上述旋轉(zhuǎn)中心O為中心的同心圓狀擴(kuò)散。再者如果使來自清洗噴嘴424的清洗液的供給點(diǎn)P朝向晶片W的外緣移動，則由于晶片W旋轉(zhuǎn)，所以清洗液供給至聯(lián)結(jié)該供給點(diǎn)P的圓(圖16(b)中虛線所示的圓)上，清洗液向聯(lián)結(jié)該供給點(diǎn)P的圓的外側(cè)擴(kuò)散，這樣通過將清洗液從晶片W的中心O向外側(cè)供給到上述晶片W的上述直線L上，從而由清洗液潤濕的區(qū)域從晶片W的中心O逐漸向外側(cè)轉(zhuǎn)移，結(jié)果清洗晶片W整個(gè)表面。
這時(shí)，由于由清洗液潤濕的區(qū)域從晶片W的中心O逐漸向外側(cè)轉(zhuǎn)移，所以從晶片W的中心向外側(cè)依次清洗。再者由于由離心力使清洗液擴(kuò)散，所以清洗液不擴(kuò)散至清洗液的供給點(diǎn)P的內(nèi)側(cè)，因此晶片W從中心依次干燥，從而抑制該區(qū)域液滴的殘存。由此可以可靠地去除附著在晶片W上的抗蝕劑液的洗脫成分、或液浸曝光時(shí)的液體，所以抑制抗蝕劑液的洗脫成分的附著引起的微粒產(chǎn)生或給圖形的線寬帶來的壞影響，可以防止殘存在晶片W上的液滴引起的熱處理表面內(nèi)均勻性惡化，或者水印的產(chǎn)生。
在這樣構(gòu)成的抗蝕劑圖形形成裝置中，在進(jìn)行液浸曝光處理，然后在該曝光處理后進(jìn)行清洗處理的情況下，例如與上述第1實(shí)施方式一樣，先以承載塊S1→BCT層B5→COT層B4→TCT層B3的順序運(yùn)送晶片W，然后以擱板組件U6的第2交接臺TRS8→第2交接臂D2→第2交接臺TRS9(或交接臺TRS10)→輔助塊S5的第4交接臂F1→擱板組件U8的保護(hù)膜涂敷組件401→擱板組件U7的交接臺TRS12→接口塊S3的接口臂B→曝光裝置S4的路線運(yùn)送，并以接口塊S3的接口臂B→清洗組件403→接口臂B→輔助塊S5的擱板組件U7的交接臺TRS11→第4交接臂F2→擱板組件U8的保護(hù)膜去除組件402→第4交接臂F2→處理塊S2的擱板組件U6的交接臺TRS6(或交接臺TRS7)→主臂部A1、A2→DEV層B1(B2)的路線運(yùn)送曝光后的晶片W。
在該實(shí)施方式中，由于在處理塊S2和接口塊S3之間設(shè)置的輔助塊S5上，設(shè)置有作為進(jìn)行液浸曝光的情況F所需的組件的保護(hù)膜涂敷組件401和保護(hù)膜去除組件402，所以通過將該輔助塊S5裝入，無需改變處理塊S2的布局即可應(yīng)對進(jìn)行液浸曝光的情況和不進(jìn)行液浸曝光的情況。在此時(shí)不進(jìn)行該液浸曝光的情況下，可以運(yùn)送晶片W使經(jīng)過輔助塊S5內(nèi)而不處理。
再者，如果在此設(shè)置進(jìn)行上述涂敷膜形成后曝光處理前的處理的保護(hù)膜涂敷組件401、和進(jìn)行曝光處理后顯影處理前的處理的保護(hù)膜去除組件402，則可以在處理塊S2和接口塊S3之間的晶片W的通道中進(jìn)行上述處理。此外，在此所說的涂敷膜是指抗蝕劑膜和反射防止膜。因此既可以抑制晶片W的運(yùn)送路線的復(fù)雜化，又可以在涂敷膜形成后和曝光處理后的適當(dāng)時(shí)刻進(jìn)行處理，在進(jìn)行這樣的處理的情況下，也可以抑制運(yùn)送程序的復(fù)雜化。
進(jìn)而通過在接口塊S3上設(shè)置清洗組件403，可以把接口塊S3空閑的空間作為清洗組件403的設(shè)置空間有效利用。因此即使設(shè)置清洗組件403也無需把清洗組件403裝入設(shè)在處理塊S2和接口塊S3上的擱板組件，無需改變設(shè)在這些擱板組件上的組件的種類、個(gè)數(shù)和布局，再者由于也可不另外設(shè)置其它設(shè)置空間，所以可以抑制裝置的大型化。
進(jìn)而通過在接口塊S3上設(shè)置清洗組件403，從液浸曝光裝置S4到清洗組件403的晶片W的運(yùn)送距離較短，在液浸曝光后馬上可以進(jìn)行清洗，所以即使假定抗蝕劑的洗脫成分或液滴附著在晶片W上，也可以更可靠地進(jìn)行清洗。即如果在液浸曝光后以抗蝕劑的洗脫成分或液滴附著的狀態(tài)運(yùn)送較長距離，則存在以下?lián)木琖和空氣接觸時(shí)間變長，上述洗脫成分或液滴與空氣反應(yīng)而變?yōu)樗〉炔荒苋菀浊逑吹臓顟B(tài)，但是如果像該例這樣在液浸曝光裝置S4附近設(shè)置清洗組件403，則由上述洗脫成分或液滴與空氣接觸而產(chǎn)生變化的可能性變小，從而以清洗液進(jìn)行的清洗可以容易從晶體W表面去除上述洗脫成分等。
此外在該實(shí)施方式中，在不形成反射防止膜的情況下，可以在抗蝕劑膜上方形成上述保護(hù)膜，清洗處理可以在曝光處理之前或之后進(jìn)行，也可以在曝光處理前后都進(jìn)行。再者，在沒有保護(hù)膜的情況下，可以將上述清洗組件403只用于去除晶片W的污漬，可以把該清洗組件403組裝入輔助塊S5內(nèi)。
進(jìn)而在本發(fā)明中，例如如圖17～圖19所示，在不像圖1所示的抗蝕劑圖形形成裝置那樣設(shè)置輔助塊S5的構(gòu)成中，可以設(shè)置保護(hù)膜形成用單位塊(ITC層)B6作為一個(gè)單位塊，并在DEV層B1、B2上設(shè)置保護(hù)膜去除組件402。該例為應(yīng)對在抗蝕劑的上層側(cè)不形成反射防止膜，而形成保護(hù)膜的情況的布局，處理塊S2，如圖18所示，除了以從下方側(cè)開始依次為2個(gè)DEV層B1、B2、BCT層B5、COT層B4和ITC層B6的順序?qū)盈B，上述ITC層B6除了設(shè)置有上述保護(hù)膜涂敷組件401作為液體處理組件以外，與TCT層B3同樣構(gòu)成。
再者，在DEV層B1、B2中，如圖17所示，設(shè)置有例如2個(gè)顯影組件和1個(gè)保護(hù)膜去除組件402作為液體處理組件，并在接口塊S3上設(shè)置清洗組件403。來自承載塊S1的晶片W，經(jīng)由BCT層B5的交接臺TRS5直接交接至BCT層B5，來自處理塊S2的晶片W，經(jīng)由例如BCT層B5的交接臺TRS10交接至接口塊S3。再者在2個(gè)DEV層B1、B2中，構(gòu)成為由共用的主臂部A2向各部分運(yùn)送晶片W，第1和第2交接臺TRS2、TRS7、擱板組件U1、U2、U3構(gòu)成為只設(shè)置在DEV層B2上。此外，在圖18中，為了圖示上的方便，在擱板組件U5、U6上對DEV層B2、BCT層B5、COT層B4和ITC層B6分別畫出了1個(gè)第1交接臺TRS2、TRS5、TRS4和TRS13；第2交接臺TRS7、TRS10、TRS9和TRS14。
進(jìn)而在承載塊S1的傳送臂C的運(yùn)送區(qū)域的上方側(cè)設(shè)置已經(jīng)說明的過濾器組件(FFU)404，在接口塊S3的上方側(cè)設(shè)置ULPA過濾器405，這些點(diǎn)與上述圖11所示的裝置相同。
在這樣構(gòu)成的抗蝕劑圖形形成裝置中，在進(jìn)行液浸曝光處理，然后在該曝光處理后進(jìn)行清洗處理的情況下，例如與上述第1實(shí)施方式一樣，先以承載塊S1→BCT層B5→COT層B4→ITC層B6的順序運(yùn)送晶片W，然后以擱板組件U6的第2交接臺TRS14→第2交接臂D2→第2交接臺TRS10→接口塊S3的接口臂B→曝光裝置S4的路線運(yùn)送，并以接口塊S3的接口臂B→清洗組件403→接口臂B→處理塊S2的擱板組件U6的交接臺TRS7→主臂部A2→DEV層B1(B2)的保護(hù)膜去除組件402→主臂部A2→DEV層B1(B2)的路線運(yùn)送曝光后的晶片W。
在該實(shí)施方式中，由于在處理塊S2上層疊用于涂敷保護(hù)膜的單位塊(ITC層)B6，并且在接口塊S3上設(shè)置曝光處理后的清洗組件403，在DEV層B1、B2上設(shè)置保護(hù)膜去除組件402，所以在處理塊S2和曝光裝置S4之間的晶片W的通道中無需使晶片W的運(yùn)送路線逆行即可進(jìn)行液浸曝光前的保護(hù)膜的形成、曝光處理后的清洗處理、該清洗處理后顯影處理前的保護(hù)膜的去除處理。因此，既可以抑制晶片W的運(yùn)送路線的復(fù)雜化，又可以在涂敷膜形成后和曝光處理后的適當(dāng)時(shí)刻進(jìn)行規(guī)定的處理，在進(jìn)行這樣的處理的情況下，也可以抑制運(yùn)送程序的復(fù)雜化。進(jìn)而，通過在接口塊S3上設(shè)置清洗組件403，可以有效利用接口塊S3空閑的空間，也獲得從液浸曝光裝置S4到清洗組件403的晶片W的運(yùn)送距離較短的效果。
此外在該實(shí)施方式中，可以在抗蝕劑膜上方形成反射防止膜，并在其上方進(jìn)而形成保護(hù)膜，在這種情況下，例如構(gòu)成為，以從處理塊S2的下方側(cè)開始依次為2個(gè)DEV層B1、B2、BCT層B5、COT層B4、TCT層B3和ITC層B6的順序?qū)盈B。
進(jìn)而在本發(fā)明中，可以為將設(shè)在上述擱板部件U5上的第1交接臺和設(shè)在擱板部件U6上的第2交接臺的至少一個(gè)兼用作用于調(diào)節(jié)晶片W溫度的調(diào)溫組件(CPL)。該調(diào)溫組件(CPL)500載置形成涂敷膜前的晶片W，并把該晶片W的溫度調(diào)節(jié)為對其進(jìn)行涂敷涂敷膜形成用藥液的處理時(shí)的溫度，例如如圖20所示，具備第1調(diào)溫板510，載置由加熱組件加熱的晶片W且把晶片W的溫度粗調(diào)至第1溫度；和第2調(diào)溫板520，進(jìn)而把晶片W的溫度精密調(diào)節(jié)至進(jìn)行涂敷涂敷膜形成用藥液的處理時(shí)的溫度，它們在共用的處理容器501內(nèi)設(shè)置為相互層疊。在此作為上述涂敷涂敷膜形成用藥液的處理，可以舉出對晶片W進(jìn)行抗蝕劑液的涂敷處理的處理；在晶片W上形成反射防止膜時(shí)的處理；在晶片W上形成液浸曝光時(shí)的防水性保護(hù)膜時(shí)的處理等。
在該例中，在處理容器501的內(nèi)部，上方側(cè)設(shè)置第1調(diào)溫板510，其下方側(cè)設(shè)置第2調(diào)溫板520。在處理容器501內(nèi)，設(shè)置用于沿上下方向劃分該容器501內(nèi)部的基板502，該基板502由從處理容器501的底壁503垂直延伸的第1支承部504支承。在該基板502上方以由例如圓柱狀的載置部511支承內(nèi)面?zhèn)戎行牟康臓顟B(tài)設(shè)置有第1調(diào)溫板510，所述第1調(diào)溫板510由銅或鋁等導(dǎo)熱性良好的部件構(gòu)成。
在該例中，第1調(diào)溫板510由例如鋁構(gòu)成，形成為具有例如15mm左右的厚度的大致圓板狀，具有與晶片W大致相同大小的直徑。再者在其表面上設(shè)置以從調(diào)溫板510凸出0.1mm～0.3mm左右的狀態(tài)用于支承晶片W的突起512。再者在該調(diào)溫板510周緣部的例如4處，如圖21所示，朝向該調(diào)溫板510的中心部形成切口部513。
進(jìn)而在調(diào)溫板510上設(shè)有第1加熱管514，該加熱管514設(shè)置為埋入例如形成在調(diào)溫板510的背面?zhèn)鹊奈磮D示的槽部中，該加熱管514的一部分和載置部511相連接。在此加熱管514設(shè)置為例如圍繞調(diào)溫板510的整個(gè)背面?zhèn)取?br> 再者在基板502上以與載置部511的下表面接觸的方式埋設(shè)第2加熱管515，該第2加熱管515以沿基板502向基板502的一端側(cè)伸展的方式埋入，另一端側(cè)從基板502延伸出并向上方側(cè)彎曲，該另一端側(cè)的一部分和由例如銅或鋁構(gòu)成的傳熱部件516的表面相連接。
在此說明加熱管514、515，該加熱管為利用蒸發(fā)、冷凝引起的潛熱的吸收、放出而進(jìn)行熱輸送的傳熱元件，通過在由例如鋁、不銹鋼、銅等構(gòu)成的金屬制管體內(nèi)壁上貼設(shè)多孔質(zhì)體來構(gòu)成。上述多孔質(zhì)體用于獲得后述的毛細(xì)管現(xiàn)象，由例如編織金屬細(xì)線而制作的金屬網(wǎng)或金屬氈等制成。該管體兩端封閉，內(nèi)部被排氣而設(shè)定為例如真空狀態(tài)，其中封入少量由例如鈉或樟腦等制成的揮發(fā)性液體(工作流體)。
在這樣的加熱管中，如果加熱一端側(cè)(蒸發(fā)部)則工作流體蒸發(fā)(蒸發(fā)潛熱引起的熱的吸收)，成為蒸氣流并借助較小的壓力差在管體內(nèi)部向另一端側(cè)的冷凝部(低溫部)高速移動，在這里上述蒸氣流和管體壁面接觸而冷卻冷凝。這時(shí)，由于由冷凝熱放出熱，所以熱被輸送至冷凝部。然后冷凝液穿過多孔質(zhì)體利用毛細(xì)管現(xiàn)象流回至蒸發(fā)部，再次反復(fù)進(jìn)行蒸發(fā)→移動→冷凝的循環(huán)，從而連續(xù)輸送熱，因此如果冷卻另一端側(cè)則加熱管的整個(gè)表面被均勻冷卻。此外這里所說的加熱管不一定非要局限于一般概念上的管，也可以為在具有較寬空洞部的扁平板內(nèi)封入工作液的部件。
再者，上述第2調(diào)溫板520由例如鋁構(gòu)成，形成為具有例如15mm左右厚度的大致圓板狀，具有比晶片W大的直徑。再者在內(nèi)部具備用于使調(diào)節(jié)為規(guī)定溫度的調(diào)溫液流過的調(diào)溫液流路521。該第2調(diào)溫板520由從處理容器501的底壁503起在第1支承部504的內(nèi)側(cè)垂直延伸的第2支承部505支承背面?zhèn)鹊闹芫墔^(qū)域附近，在其表面上設(shè)有用于以從調(diào)溫板520凸出0.1mm～0.3mm左右的狀態(tài)支承晶片W的突起522。
再者在上述調(diào)溫板520上設(shè)置支承銷506，用于在其與外部運(yùn)送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行晶片W的交接且從冷卻板520的表面突沒自如地設(shè)置其前端部，在上述第1支承部504內(nèi)部設(shè)置上述支承銷506的升降機(jī)構(gòu)507。
圖中530作為使調(diào)節(jié)了溫度的調(diào)溫液循環(huán)的調(diào)溫液循環(huán)通路，設(shè)置為借助例如由鋁等傳熱性良好的部件形成的通流管而在上下方向上貫通處理容器501。再者該調(diào)溫液循環(huán)通路530設(shè)置為將上述傳熱部件516的大致中心貫通，進(jìn)而在調(diào)溫液循環(huán)通路530上連接有調(diào)溫液供給通路531，用于向第2調(diào)溫板520的調(diào)溫液流路521供給上述調(diào)溫液；和調(diào)溫液排出通路532，用于從第2調(diào)溫板520的調(diào)溫液流路521排出調(diào)溫液。圖中534是設(shè)置在處理容器501外部的調(diào)溫液的調(diào)溫機(jī)構(gòu)。
如果這樣使調(diào)節(jié)為規(guī)定溫度例如23℃的調(diào)溫液在調(diào)溫液循環(huán)通路530中循環(huán)，則由于第1加熱管514經(jīng)由載置部511、第2加熱管515和傳熱部件516而與調(diào)溫液循環(huán)通路530的外表面熱接觸，所以調(diào)溫液循環(huán)通路530外表面的熱以傳熱部件516→第2加熱管515→載置部511→第1加熱管514的路線傳遞，這樣把第1加熱管514的溫度調(diào)節(jié)為調(diào)溫液循環(huán)通路530外表面的溫度。由此第1調(diào)溫板510的表面溫度被大致精密調(diào)節(jié)為23℃。再者由于向第2調(diào)溫板520的調(diào)溫液流路循環(huán)供給調(diào)溫液，所以由此始終把第2調(diào)溫板520的表面溫度準(zhǔn)確調(diào)節(jié)為23℃的溫度。
接下來說明向第1調(diào)溫板510和第2調(diào)溫板520交接晶片W的晶片W的運(yùn)送機(jī)構(gòu)530，作為該運(yùn)送機(jī)構(gòu)530，在擱板組件U5上設(shè)置調(diào)溫組件500的情況下，使用例如設(shè)在承載塊S1上的傳送臂C、設(shè)在處理塊S2上的第1交接臂D1和設(shè)在各單位塊上的主臂部A；在擱板組件U6上設(shè)置調(diào)溫組件500的情況下，使用設(shè)在處理塊S2上的第2交接臂D2、各單位塊的主臂部A、設(shè)在接口塊S3上的接口臂B、設(shè)在輔助塊S5上的第3或第4交接臂E、F1、F2。
另外該運(yùn)送機(jī)構(gòu)530具有如圖21所示的水平的馬蹄形狀的運(yùn)送臂531，該運(yùn)送臂531內(nèi)周的大小形成為比第1調(diào)溫板510的直徑大一些，在該內(nèi)周中的下部設(shè)置朝向內(nèi)側(cè)的4個(gè)突片533，如圖所示，在這些突片533上保持晶片W。
運(yùn)送臂531構(gòu)成為由例如未圖示的驅(qū)動機(jī)構(gòu)經(jīng)由運(yùn)送基體532升降自如并且進(jìn)退自如，在把晶片W交接至第1調(diào)溫板510時(shí)，保持有晶片W的運(yùn)送臂531經(jīng)由處理容器501的運(yùn)送口(未圖示)進(jìn)入處理容器501內(nèi)。在此由于調(diào)溫板510外周的切口部513分別設(shè)在與運(yùn)送臂531的突片533對應(yīng)的位置，所以運(yùn)送臂531下降以從上方側(cè)覆蓋調(diào)溫板510，由此運(yùn)送臂531通過調(diào)溫板510的下方側(cè)，把運(yùn)送臂531上的晶片W交接至調(diào)溫板510。交接了晶片W的運(yùn)送臂531向近前側(cè)后退以使前方的切口部534穿過載置部511的外側(cè)而從處理容器501內(nèi)退出。因此載置部511的直徑設(shè)定為比上述運(yùn)送臂531上形成的切口部534小。
再者在與第2調(diào)溫板520之間，通過使支承銷506向第2調(diào)溫板520的上方側(cè)突出，并且運(yùn)送臂531下降以從上方側(cè)覆蓋支承銷506，來把運(yùn)送臂531上的晶片W交接到支承銷506上。交接了晶片W的運(yùn)送臂531向近前側(cè)后退以使前方的切口部534穿過支承銷506的外側(cè)而從處理容器501內(nèi)退出，然后支承銷506下降，由此把晶片W從支承銷506交接至第2調(diào)溫板520。因此設(shè)定支承銷506的位置使形成在上述運(yùn)送臂531上的切口部534可以通過支承銷506的外側(cè)。
這樣的調(diào)溫組件500可以組裝入上述任一個(gè)抗蝕劑圖形形成裝置中，在此以組裝入例如圖17～圖19所示的裝置中的情況為例進(jìn)行說明。在該例中，例如如圖22所示，調(diào)溫組件(CPL)在擱板組件U5的BCT層B5、COT層B4和ITC層B6上分別設(shè)置調(diào)溫組件CPL5、CPL4和CPL6，在擱板組件U6的BCT層B5、COT層B4和ITC層B6上分別設(shè)置調(diào)溫組件CPL7、CPL8和CPL9，在擱板組件U6的DEV層B2上設(shè)置2個(gè)調(diào)溫組件CPL1和CPL2，一個(gè)調(diào)溫組件CPL2在從處理塊S2向接口塊S3交接晶片W時(shí)使用，另一個(gè)調(diào)溫組件CPL1在從接口塊S3向處理塊S2交接晶片W時(shí)使用。
此外在圖22中，為了圖示上的方便，只在DEV層B2的擱板組件U5上畫出了交接臺TRS，但是實(shí)際上，在各單位塊的擱板組件U5、U6上都可以和調(diào)溫組件一起設(shè)置交接臺TRS，也可以構(gòu)成為具備只設(shè)置有交接臺TRS的單位塊。再者適當(dāng)選擇設(shè)置在擱板組件U上的調(diào)溫組件和交接臺的數(shù)量。
接下來說明這樣的裝置中的晶片W的路徑，承載塊S1的晶片W由傳送臂C經(jīng)由BCT層B5的調(diào)溫組件(CPL5)交接至BCT層B5，并通過在該調(diào)溫組件(CPL5)的第2調(diào)溫板520上載置規(guī)定時(shí)間，而將晶片W的溫度調(diào)節(jié)為(23+0.2)℃。然后由主臂部A5以第1反射防止膜形成組件34→加熱組件(CHP5)→擱板組件U6的調(diào)溫組件(CPL7)的第1調(diào)溫板510的順序運(yùn)送。在此在加熱組件(CHP5)中，如已經(jīng)說明的那樣，晶片W由加熱板53加熱后，由冷卻板54粗調(diào)整至50℃左右，所以通過把晶片W在調(diào)溫組件(CPL7)的第1調(diào)溫板510上載置12秒左右，而把晶片W從50℃粗冷卻至(23+1)℃。
然后為了把調(diào)溫組件(CPL7)的晶片W由第2交接臂D2交接至COT層B4，通過將其運(yùn)送至調(diào)溫組件(CPL8)的第2調(diào)溫板520，并在該調(diào)溫板520上載置例如12秒，而把晶片W從(23+1)℃冷卻至(23+0.2)℃。然后由主臂部A4以疏水化處理組件(ADH)→冷卻組件(COL4)→涂敷組件31→加熱組件(CHP4)→擱板組件U5的調(diào)溫組件(CPL4)的第1調(diào)溫板510的順序運(yùn)送，通過把由加熱組件(CHP4)的冷卻板54粗調(diào)整至50℃左右的晶片W在該第1調(diào)溫板510上載置12秒左右，從而晶片W被粗冷卻至(23+1)℃。
然后為了把調(diào)溫組件(CPL4)的晶片W由第1交接臂D1交接至ITC層B6，通過將其運(yùn)送至調(diào)溫組件(CPL6)的第2調(diào)溫板520，并在該調(diào)溫板520上載置例如12秒，而把晶片W從(23+1)℃冷卻至(23+0.2)℃。然后由主臂部A6以保護(hù)膜涂敷組件401→加熱組件(CHP6)→擱板組件U6的調(diào)溫組件(CPL9)的第1調(diào)溫板510的順序運(yùn)送，通過把由加熱組件(CHP6)的冷卻板54粗調(diào)整至50℃左右的晶片W在該調(diào)溫組件(CPL9)的第1調(diào)溫板510上載置12秒左右，而冷卻至(23+1)℃。
然后把調(diào)溫組件(CPL9)的晶片W由第2交接臂D2運(yùn)送至調(diào)溫組件(CPL7)或調(diào)溫組件(CPL2)的第2調(diào)溫板520，并在該第2調(diào)溫板520上方載置例如12秒，由此把晶片W從(23+1)℃冷卻至(23+0.2)℃。然后由接口臂B取出該調(diào)溫組件(CPL7)或調(diào)溫組件(CPL2)的晶片W并運(yùn)送至曝光裝置S4，在這里進(jìn)行規(guī)定的液浸曝光處理。曝光處理后的晶片W，以接口臂B→清洗處理組件403→接口臂B→調(diào)溫組件(CPL1)的第2調(diào)溫板520的順序運(yùn)送，并在這里冷卻至(23+0.2)℃。
這之后在DEV層B1(IDEV層B1)中，由主臂部A2以保護(hù)膜去除組件402→加熱組件(PEB1(PEB2))→冷卻組件(COL1(COL2))→顯影組件32→加熱組件(POST1(POST2))的順序運(yùn)送，進(jìn)行規(guī)定的顯影處理。這樣進(jìn)行了顯影處理的晶片W，經(jīng)由第1交接臺TRS2，由傳送臂C返回至載置在承載塊S1上的原來的承載體20中。
如果這樣在擱板組件U5、U6上設(shè)置兼用作交接臺的調(diào)溫組件500，則由于可在各單位塊之間、或承載塊S1和處理塊S2之間、處理塊S2和接口塊S3之間、或處理塊S2和輔助塊S5之間的晶片W交接的待機(jī)時(shí)間中進(jìn)行晶片W的溫度調(diào)節(jié)，所以可以縮短整個(gè)的處理時(shí)間，可以實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)量的提高。
這時(shí)，在各涂敷膜形成用的單位塊B4、B5和B6之間進(jìn)行晶片W的運(yùn)送時(shí)，首先把晶片W交接至形成有1個(gè)涂敷膜的單位塊的調(diào)溫組件500的第1調(diào)溫板510，在把晶片W的溫度粗調(diào)至(23+1)℃之后，把晶片W運(yùn)送到用于形成下一個(gè)涂敷膜的單位塊的調(diào)溫組件的第2調(diào)溫板520，由于在這里把晶片W的溫度精密調(diào)節(jié)至(23+0.2)℃，所以分階段進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)(冷卻)，可以縮短整個(gè)的調(diào)節(jié)時(shí)間(冷卻時(shí)間)。
再者上述調(diào)溫組件500中，關(guān)于把晶片W的溫度調(diào)節(jié)為(23+1)℃的第1調(diào)溫板510，使用加熱管514、515進(jìn)行調(diào)溫板510的溫度調(diào)節(jié)，關(guān)于把晶片W的溫度調(diào)節(jié)為(23+0.2)℃的第2調(diào)溫板520，循環(huán)供給調(diào)溫液進(jìn)行調(diào)溫板520的溫度調(diào)節(jié)。因此在第1調(diào)溫板510的溫度調(diào)節(jié)時(shí)，由于對調(diào)溫液循環(huán)通路沒有調(diào)溫液的出入，所以不產(chǎn)生調(diào)溫液循環(huán)通路的調(diào)溫液的流量壓力損失即可進(jìn)行該調(diào)溫板510的溫度調(diào)節(jié)，由此在第2調(diào)溫板520中，由于循環(huán)供給到該板520內(nèi)的調(diào)溫液的流量不變化，所以可以高精度進(jìn)行該調(diào)溫板520的溫度調(diào)節(jié)。
再者上述調(diào)溫組件500的第1調(diào)溫板510、第2調(diào)溫板520，由于起到與上述圖1例示的冷卻組件(COL)的冷卻板相同的作用，所以可以在各單位塊中不設(shè)置冷卻板，取代該冷卻組件而借助調(diào)溫組件500的第1調(diào)溫板510或第2調(diào)溫板520冷卻晶片W。
通過這樣減少各單位塊上設(shè)置的冷卻組件的數(shù)量，或不設(shè)置冷卻組件，而可以在單位塊中，在至今為止設(shè)置冷卻組件的空間組裝入其他組件。在此為了提高生產(chǎn)量，需要在各單位塊上設(shè)置4列加熱組件(CHP)，由于可以應(yīng)對這樣的要求，所以可以進(jìn)一步增加總的生產(chǎn)量。
進(jìn)而在該調(diào)溫組件500中，可以設(shè)置為將層疊2片以上第1調(diào)溫板510。在此在該第1調(diào)溫板510中，由于構(gòu)成為，外部的運(yùn)送機(jī)構(gòu)530從該調(diào)溫板510的上方側(cè)穿過下方側(cè)而把晶片W交接至調(diào)溫板510，所以與使支承銷升降來進(jìn)行晶片W交接的情況相比不需要升降機(jī)構(gòu)，因此可以減小設(shè)有調(diào)溫板510的區(qū)域的上下方向的大小，即使上下方向的空間不那么大也可以容易應(yīng)對層疊結(jié)構(gòu)。
另一方面，關(guān)于第2調(diào)溫板520，由于使支承銷506升降來進(jìn)行晶片W的交接，所以可以把第2調(diào)溫板520形成得比晶片W大，在晶片W的周緣區(qū)域也可以充分進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。由此與高精度調(diào)節(jié)該第2調(diào)溫板520的溫度一致，可以提高晶片W溫度的面內(nèi)均勻性，所以在形成以后的涂敷膜的工序中，可以形成面內(nèi)均勻性高的涂敷膜。
此外關(guān)于第1調(diào)溫板510，與晶片W大致相同大小，通過把加熱處理后溫度調(diào)節(jié)為50℃左右的晶片W在這里載置12秒，而確認(rèn)可以把晶片W的溫度在表面內(nèi)充分調(diào)節(jié)至(23+1)℃。
在以上說明的本發(fā)明中，進(jìn)行液浸曝光時(shí)使用的保護(hù)膜涂敷組件401除了設(shè)置在輔助塊S5或?qū)Ｓ脝挝粔K(ITC)B6上以外，也可以組裝入其他涂敷膜形成用單位塊B3～B5的某一個(gè)。再者關(guān)于進(jìn)行液浸曝光時(shí)使用的保護(hù)膜去除組件402同樣，除了設(shè)置在輔助塊S5或DEV層B1、B2上以外，也可以組裝入其他涂敷膜形成周單位塊B3～B5的某一個(gè)。進(jìn)而，關(guān)于進(jìn)行液浸曝光時(shí)使用的清洗組件403，除了設(shè)置在接口塊S3或輔助塊S5上以外，也可以組裝入構(gòu)成處理塊S2的單位塊B1～B6的某一個(gè)。
權(quán)利要求
1.一種涂敷、顯影裝置，把由承載體運(yùn)入承載塊中的基板交接至處理塊，在該處理塊中形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜后，經(jīng)由接口塊運(yùn)送至曝光裝置，經(jīng)由上述接口塊返回來的曝光后的基板在上述處理塊中進(jìn)行顯影處理并交接至上述承載塊，其特征在于，(a)上述處理塊，具備相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用的單位塊、和相對于上述涂敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，(b)上述相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用的單位塊分別為用于在基板上涂敷抗蝕劑液的單位塊、和用于在基板上涂敷反射防止膜用藥液的單位塊，(c)上述各單位塊具備用于將藥液涂敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；和在這些組件之間運(yùn)送基板的單位塊用運(yùn)送機(jī)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，上述各單位塊具備冷卻基板的冷卻組件。
3.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，具備運(yùn)送方法，對每個(gè)單位塊指定該單位塊內(nèi)的基板的運(yùn)送路線；和在包括以下模式的模式組中選擇運(yùn)送基板的模式的模式選擇機(jī)構(gòu)，這些模式有向全部單位塊運(yùn)送基板的模式；把基板運(yùn)送至用于涂敷抗蝕劑液的單位塊、用于在涂敷抗蝕劑液之前涂敷反射防止膜用藥液的單位塊、和進(jìn)行顯影處理的單位塊上的模式；把基板運(yùn)送至用于涂敷抗蝕劑液的單位塊、用于在涂敷了抗蝕劑液后涂敷反射防止膜用藥液的單位塊、和進(jìn)行顯影處理的單位塊上的模式，借助模式選擇機(jī)構(gòu)選擇運(yùn)送基板的單位塊，并且選擇在選定的單位塊中使用的運(yùn)送方法來進(jìn)行處理。
4.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，具備第1交接臺組，把設(shè)在每個(gè)單位塊上承載塊側(cè)且在各單位塊的運(yùn)送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板交接的第1交接臺層疊而構(gòu)成；第2交接臺組，把設(shè)在每個(gè)單位塊上接口塊側(cè)且在各單位塊的運(yùn)送機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板交接的第2交接臺層疊而構(gòu)成；第1基板交接機(jī)構(gòu)，用于在上述第1交接臺彼此之間進(jìn)行基板交接；和第2基板交接機(jī)構(gòu)，用于在上述第2交接臺彼此之間進(jìn)行基板交接，且與第1基板交接機(jī)構(gòu)分開設(shè)置。
5.如權(quán)利要求4所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，第1交接臺組包含用于在承載塊和處理塊之間進(jìn)行基板交接的承載塊用交接臺。
6.如權(quán)利要求4所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，第2交接臺組包含用于在接口塊和處理塊之間進(jìn)行基板交接的接口塊用交接臺。
7.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，設(shè)在上述涂敷膜形成用的單位塊中的液體處理組件，具備多個(gè)基板保持部，設(shè)在共用的處理容器內(nèi)，為了分別保持多個(gè)基板而沿橫向排列；和共用的藥液噴嘴，設(shè)在上述處理容器內(nèi)，且對保持在多個(gè)基板保持部上的基板涂敷藥液。
8.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，在處理塊和接口塊之間，設(shè)置具備進(jìn)行涂敷膜形成后曝光處理前和/或曝光處理后顯影處理前和顯影處理后的某一處理的組件的輔助塊。
9.如權(quán)利要求8所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，設(shè)在上述輔助塊中的組件是至少一個(gè)以下裝置用于檢查基板表面狀態(tài)且用于檢查形成在基板上的涂敷膜的膜厚的膜厚檢查組件；用于清洗曝光前和/或曝光后的基板的清洗組件；用于檢測在曝光裝置中產(chǎn)生的圖形的位置錯開的散焦檢查裝置；用于檢測抗蝕劑液的涂敷不均的涂敷不均檢測裝置；用于檢測顯影處理不良的顯影不良檢測裝置；用于檢測附著在基板上的微粒數(shù)的微粒數(shù)檢測裝置；用于檢測在抗蝕劑涂敷后的基板上產(chǎn)生的毛刺的毛刺檢測裝置；回濺檢測裝置；用于檢測基板表面缺陷的缺陷檢測裝置；用于檢測殘留在顯影處理后的基板上的抗蝕劑殘?jiān)母≡鼨z測裝置；用于檢測抗蝕劑涂敷處理和/或顯影處理的問題的問題檢測裝置；用于測定基板上形成的抗蝕劑膜的線寬的線寬測定裝置；和用于檢查曝光后的基板和光掩模的重合精度的重合檢查裝置。
10.如權(quán)利要求8所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，上述曝光裝置為在基板表面形成液層來進(jìn)行液浸曝光的裝置，設(shè)在上述輔助塊上的組件為清洗上述液浸曝光后的基板的清洗組件。
11.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，在上述相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用單位塊之間，上述液體處理組件、加熱組件、和運(yùn)送機(jī)構(gòu)的配置布局相同。
12.如權(quán)利要求8所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，上述曝光裝置為在基板表面形成液層來進(jìn)行液浸曝光的裝置，設(shè)在上述輔助塊上的組件為用于在抗蝕劑膜的上形成防水性保護(hù)膜的保護(hù)膜涂敷組件。
13.如權(quán)利要求8所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，上述曝光裝置為在基板表面形成液層來進(jìn)行液浸曝光的裝置，設(shè)在上述輔助塊上的組件為用于去除在抗蝕劑膜上形成的防水性保護(hù)膜的保護(hù)膜去除組件。
14.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，上述曝光裝置為在基板表面形成液層來進(jìn)行液浸曝光的裝置，在上述顯影處理用的單位塊上，設(shè)置有用于去除在抗蝕劑膜上形成的防水性保護(hù)膜的保護(hù)膜去除組件。
15.如權(quán)利要求10所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，在上述相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用單位塊上還層疊地設(shè)置有涂敷膜形成用單位塊，用于相對于形成有抗蝕劑膜的基板而在上述抗蝕劑膜上形成防水性保護(hù)膜。
16.如權(quán)利要求1所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，上述曝光裝置為在基板表面形成液層來進(jìn)行液浸曝光的裝置，清洗上述液浸曝光后的基板的清洗組件設(shè)置在接口塊上。
17.如權(quán)利要求4所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，在第1交接臺組中設(shè)置調(diào)溫組件，用于載置形成涂敷膜之前的基板，將基板溫度調(diào)節(jié)到對基板進(jìn)行涂敷涂敷膜形成用藥液的處理的溫度。
18.如權(quán)利要求4所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，在第2交接臺組中設(shè)置調(diào)溫組件，用于載置形成涂敷膜之前的基板，將基板溫度調(diào)節(jié)到對基板進(jìn)行涂敷涂敷膜形成用藥液的處理的溫度。
19.如權(quán)利要求17所述的涂敷、顯影裝置，其特征在于，上述調(diào)溫組件具備第1調(diào)溫板，載置由加熱組件加熱的基板且把基板的溫度粗調(diào)至第1溫度；和第2調(diào)溫板，載置基板，對基板溫度精密地進(jìn)行溫度調(diào)節(jié)。
20.一種涂敷、顯影方法，在涂敷、顯影裝置中進(jìn)行，上述涂敷、顯影裝置，把由承載體運(yùn)入承載塊中的基板交接至處理塊，在該處理塊中形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜后，經(jīng)由接口塊運(yùn)送至曝光裝置，經(jīng)由上述接口塊返回來的曝光后的基板在上述處理塊中進(jìn)行顯影處理并交接至上述承載塊，(a)上述處理塊，具備相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用的單位塊、和相對于上述涂敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，(b)上述相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用的單位塊分別為用于在基板上涂敷抗蝕劑液的單位塊、和用于在基板上涂敷反射防止膜用藥液的單位塊，(c)上述各單位塊，具備用于將藥液涂敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；和在這些組件之間運(yùn)送基板的單位塊用運(yùn)送機(jī)構(gòu)，該涂敷、顯影方法包括在涂敷膜形成用單位塊中，在基板上形成第1反射防止膜的工序；在與進(jìn)行上述反射防止膜形成的單位塊不同的層上設(shè)置的涂敷膜形成用單位塊中，在形成于上述基板表面的第1反射防止膜上涂敷抗蝕劑液的工序；在與進(jìn)行上述抗蝕劑液涂敷的單位塊不同的層上設(shè)置的涂敷膜形成用單位塊中，在涂敷于上述基板表面的抗蝕劑液上形成第2反射防止膜的工序；和在與上述多個(gè)涂敷膜形成用單位塊不同的層上設(shè)置的顯影處理用單位塊中，對形成有上述抗蝕劑膜的曝光后的基板進(jìn)行顯影處理的工序。
21.一種涂敷、顯影方法，在涂敷、顯影裝置中進(jìn)行，上述涂敷、顯影裝置，把由承載體運(yùn)入承載塊中的基板交接至處理塊，用該處理塊形成包含抗蝕劑膜的涂敷膜后，經(jīng)由接口塊運(yùn)送至曝光裝置，經(jīng)由上述接口塊返回來的曝光后的基板在上述處理塊中進(jìn)行顯影處理并交接至上述承載塊，(a)上述處理塊，具備相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用的單位塊、和相對于上述涂敷膜形成用的單位塊層疊的顯影處理用的單位塊，(b)上述相互層疊的多個(gè)涂敷膜形成用的單位塊分別為用于在基板上涂敷抗蝕劑液的單位塊、和用于在基板上涂敷反射防止膜用藥液的單位塊，(c)上述各單位塊，具備用于將藥液涂敷在基板上的液體處理組件；加熱基板的加熱組件；和在這些組件之間運(yùn)送基板的單位塊用運(yùn)送機(jī)構(gòu)，該涂敷、顯影方法包括在以下模式間選擇模式的工序向全部涂敷膜形成用的單位塊運(yùn)送基板的模式、把基板運(yùn)送至用于在基板上涂敷抗蝕劑液的單位塊和用于在涂敷抗蝕劑液之前涂敷反射防止膜用藥液的單位塊上的模式、和把基板運(yùn)送至用于在基板上涂敷抗蝕劑液的單位塊和用于在涂敷抗蝕劑液后涂敷反射防止膜用藥液的單位塊上的模式；基于選定的模式，依次把基板運(yùn)送至使用的涂敷膜形成用單位塊上，并在基板上形成涂敷膜的工序；和在與上述多個(gè)涂敷膜形成用單位塊不同的層上設(shè)置的顯影處理用單位塊中，對形成有上述涂敷膜的曝光后的基板進(jìn)行顯影處理的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種涂敷、顯影裝置及其方法，通過層疊而設(shè)置抗蝕劑膜形成用單位塊、和反射防止膜形成用單位塊，在抗蝕劑膜上下形成反射防止膜時(shí)，實(shí)現(xiàn)空間節(jié)省化。再者，不管是不是在形成反射防止膜的情況下，都可以應(yīng)對，可以實(shí)現(xiàn)這時(shí)軟件的簡易化。在處理塊(S2)上，相互層疊而設(shè)置作為涂敷膜形成用單位塊的TCT層(B3)、COT層(B4)、BCT層(B5)和作為顯影處理用的單位塊的DEV層(B1、B2)。不管是不是在形成反射防止膜的情況下，通過在TCT層(B3)、COT層(B4)、BCT層(B5)內(nèi)選擇使用的單位塊都可以應(yīng)對，可以抑制這時(shí)的運(yùn)送程序的復(fù)雜化，并實(shí)現(xiàn)軟件的簡易化。
文檔編號G03F7/20GK1808274SQ200610006659
公開日2006年7月26日 申請日期2006年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年1月21日
發(fā)明者飽本正巳, 林伸一, 林田安, 松岡伸明, 木村義雄, 上田一成, 伊東晃 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社