專利名稱：13.5nm極紫外濾波器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及紫外濾波器，特別是13.5nm極紫外濾波器的制作方法。
背景技術：
極紫外光源主要有同步輻射源、放電等離子體光源和激光等離子體光源，在極紫外光刻機工程中，最有發(fā)展前途的是激光等離子體光源。無論是哪種光源，他們都是寬頻輻射，都需要濾波。
激光等離子體光源主要包含三部分，即飛秒或皮秒激光系統(tǒng)、靶室和真空系統(tǒng)，當然還有極紫外線的診斷測試系統(tǒng)。
在采用YAG激光激發(fā)Xe氣產(chǎn)生激光等離子體下獲得極紫外光源的轉換效率達到0.5％，采用金屬靶如鋁鉛靶，產(chǎn)生的激光等離子體條件下，獲得極紫外光源的轉換效率高達2％。
對于極紫外光源技術的研究，除了提高轉換效率以外，還有很多關鍵技術需要解決，例如極紫外13.5nm處的高透過率濾波器。

發(fā)明內容
本發(fā)明要解決的問題在于提出一種13.5nm極紫外濾波器的制作方法，該方法應簡便易行，又可獲得較好的濾波效果。
根據(jù)吸收系數(shù)與能量的關系曲線，如圖1所示，其中一些突變k稱為吸收限，選取濾波器材料時，要注意該材料的吸收限k應剛好位于靶片材料的Kα和Kβ輻射能量之間，這樣才能濾除大部分的Kβ，而Kα的強度僅受到較小的損失，以得到基本上單色的Kα輻射。一般來說，只要被選為濾波器材料的原子序數(shù)較靶片材料的原子序數(shù)小1或2，便可達到目的。
本發(fā)明的實質是對極紫外輻射在硅的L2，3邊附近，折射率n(ω)和光子能量曲線上出現(xiàn)一個很強的反常色散。即在某一特定的波長13.5nm處有一折射率突變的地方，見圖2，從而導致在這個波長處不再產(chǎn)生全反射現(xiàn)象(折射率大小決定全反射的臨界角)，結果產(chǎn)生了一個很銳的透過窗，利用這個效應能制成一個光譜帶寬很窄的濾光器。
本發(fā)明的技術解決方案如下一種13.5nm極紫外濾波器的制作方法，其特征在于該方法包括下列步驟1)加工一個鋁框架，將無定形碳薄膜黏附在該鋁框架上，該無定形碳薄膜的厚度為0.1～1μm；2)將所述的鋁框架放入在真空鍍膜機中，采用硅單晶作鍍膜材料，在所述的無定形碳薄膜上真空蒸鍍一層硅單晶薄膜，其厚度為0.1～0.2μm，即構成13.5nm極紫外濾波器。
按所述的13.5nm極紫外濾波器的制作方法所制成的13.5nm極紫外濾波器的使用方法是，將制成的濾波器置于真空室內，使鍍硅膜的那一面的法線和來自于極紫外光源的極紫外線成85°掠入射角。實驗表明掠出射的極紫外線中，無論是長于或短于13.5nm的其余極紫外光線將被濾除，13.5nm的極紫外線的透過率將高達70％。
本發(fā)明與在先技術相比采用折射率和光子能量曲線上出現(xiàn)反常色散的原理制作的13.5nm濾波器，為激光等離子體、X射線源用作光刻技術提供了前提，填補了這一領域的空白。


圖1是用吸收限選擇濾波材料的曲線。
圖2是硅折射率和光子能量曲線。
具體實施例方式
下面結合實施例對本發(fā)明作進一步說明，但不應以此限制本發(fā)明的保護范圍。
一種13.5nm極紫外濾波器的制作方法，該方法包括下列步驟1)加工一個10mm×10mm×3mm的鋁框架，將市場有售的無定形碳薄膜黏附在該鋁框架上，該無定形碳薄膜的厚度為0.1～1μm；2)將所述的黏附有無定形碳薄膜鋁框架放入真空鍍膜機中，采用硅單晶作鍍膜材料，在所述的無定形碳薄膜上真空蒸鍍一層硅單晶薄膜，其厚度為0.1～0.2μm，即構成13.5nm極紫外濾波器。
所制成的13.5nm極紫外濾波器使用時，將制成的濾波器置于真空室內，使鍍硅膜的那一面的法線和來自于極紫外光源的極紫外線成85°掠入射角。
經(jīng)試用表明掠出射的極紫外線中，無論是長于或短于13.5nm的其余極紫外光線將被濾去，而且13.5nm的極紫外線的透過率將高達70％。
權利要求
1.一種13.5nm極紫外濾波器的制作方法，其特征在于該方法包括下列步驟1)加工一個鋁框架，將無定形碳薄膜黏附在該鋁框架上，該無定形碳薄膜的厚度為0.1～1μm；2)將所述的鋁框架放入在真空鍍膜機中，采用硅單晶作鍍膜材料，在所述的無定形碳薄膜上真空蒸鍍一層硅單晶薄膜，其厚度為0.1～0.2μm，即構成13.5nm極紫外濾波器。
2.利用權利要求1所述的13.5nm極紫外濾波器的制作方法所制成的13.5nm極紫外濾波器的實用方法，其特征在于使用時，將制成的濾波器置于真空室內，使鍍硅膜的那一面的法線和來自于極紫外光源的極紫外線成85°掠入射角。
全文摘要
一種13.5nm極紫外濾波器的制作方法，包括下列步驟1)加工一個鋁框架，將無定形碳薄膜黏附在該鋁框架上，該無定形碳薄膜的厚度為0.1～1μm；2)將所述的鋁框架放入在真空鍍膜機中，采用硅單晶作鍍膜材料，在所述的無定形碳薄膜上真空蒸鍍一層硅單晶薄膜，其厚度為0.1～0.2μm，即構成13.5nm極紫外濾波器。將制成的濾波器放置在真空室內，使鍍硅膜的濾波器的那一面的法線和來自于極紫外光源的極紫外線成85°掠入射角，掠出射的極紫外線中，無論是長于或短于13.5nm的其余極紫外光線將被濾去，13.5nm的極紫外線的透過率將高達70％。
文檔編號G02B5/20GK1800886SQ200610023269
公開日2006年7月12日 申請日期2006年1月12日 優(yōu)先權日2006年1月12日
發(fā)明者高鴻奕, 干慧菁, 朱化鳳, 陳建文 申請人:中國科學院上海光學精密機械研究所