專利名稱：制造半導(dǎo)體元件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造半導(dǎo)體元件，特別是涉及一微影制程。
背景技術(shù)：
從半導(dǎo)體工業(yè)開始時(shí)，微影制程就使用于形成集成電路。在操作中，光束經(jīng)過一光罩，其中此光罩上具有與集成電路有關(guān)的一磁場(chǎng)影像圖形。光束從一投影鏡頭聚焦到一晶圓上，在光阻里形成集成電路影像，此為形成精確圖形的關(guān)鍵功能。
然而，一些因子，例如溶劑殘?jiān)锖筒涣家后w，會(huì)對(duì)微影制程效能造成不良影響，尤其是對(duì)于光阻的效能。在一實(shí)施例中，光阻中的溶劑殘?jiān)锟赡芪廴就队扮R頭，特別是在濕微影制程的例子中。
在一第二例子中，在沉積頂部抗反射涂層(top anti-reflectivecoating，TARC)后，利用一烘烤晶圓制程來減低頂部抗反射涂層中的溶劑殘?jiān)铩Ｈ欢?，此額外烘烤制程可能會(huì)改變光阻的制程開口范圍。
在一第三例子中，水是置于光罩和濕微影制程的光阻間，其可穿透光阻且會(huì)造成光阻的膨脹。結(jié)果，會(huì)造成形成于光阻中的圖形改變。
由此可見，上述現(xiàn)有的微影制程在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決現(xiàn)有的微影制程存在的問題，相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道，但長(zhǎng)久以來一直未見適用的設(shè)計(jì)被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的微影制程，便成了當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的微影制程存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的微影制程，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的微影制程，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種使用一真空腔體來制造半導(dǎo)體元件的方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種以真空腔體來制造半導(dǎo)體元的方法藉以解決溶劑殘?jiān)锖筒涣家后w會(huì)對(duì)微影制程效能造成的不良影響，尤其是對(duì)于光阻的效能的影響。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種制造半導(dǎo)體的方法，包含形成一光阻層于一晶圓上；使用一真空腔體從該光阻層移除溶劑殘?jiān)?；以及曝光該晶圓。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的制造半導(dǎo)體的方法，其中曝光該晶圓的步驟中更包括將一液體置于一投影晶片和該晶圓間。
前述的制造半導(dǎo)體的方法，其中更包括使用另一真空腔體來移除該液體。
前述的制造半導(dǎo)體的方法，其中更包括在曝光該晶圓的步驟后，進(jìn)行一曝光后烘烤制程于該晶圓。
前述的制造半導(dǎo)體的方法，其中更包括使用該真空腔體從一頂部抗反射涂層移除溶劑殘?jiān)铩?br> 前述的制造半導(dǎo)體的方法，其中所述的真空腔體包括用于該軟烤制程的一加熱器，以及在大約相同時(shí)間將該軟烤制程和該移除制程施加于晶圓上。
前述的制造半導(dǎo)體的方法，其中所述的溶劑殘?jiān)锇粺o機(jī)溶劑。
前述的制造半導(dǎo)體的方法，其中所述的溶劑殘?jiān)锇挥袡C(jī)溶劑。
前述的制造半導(dǎo)體的方法，其中所述的真空腔體可同時(shí)從復(fù)數(shù)個(gè)晶圓中移除溶劑殘?jiān)铩?br> 前述的制造半導(dǎo)體的方法，其中所述的真空腔體包括用于加熱該晶圓的一加熱器。
前述的制造半導(dǎo)體的方法，其中所述的真空腔體包括用于冷卻該晶圓的一冷卻器。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種用于半導(dǎo)體制程的方法，包含形成一光阻層于一晶圓上；在該光阻層上形成一頂部抗反射涂層；使用一真空腔體從該頂部抗反射涂層中移除溶劑殘?jiān)铮灰约捌毓庠摼A。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的用于半導(dǎo)體制程的方法，其中更包括使用該真空腔體從該光阻層中移除溶劑殘?jiān)铩?br> 本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外還采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種用于半導(dǎo)體制程的方法，包含形成一光阻層于一晶圓上；使用濕微影制程來曝光該晶圓，其中一液體置于一投影鏡頭與該晶圓間；使用一真空腔體從該晶圓移除液體；以及進(jìn)行一曝光后烘烤制程于該晶圓。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。
前述的用于半導(dǎo)體制程的方法，其中所述的液體包含摻雜水。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上可知，為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一些不同實(shí)施例，而這些所有的實(shí)施例是用來改善一微影制程。在一些實(shí)施例中，例如，請(qǐng)參閱圖2、圖3a-圖3b和圖4的討論，一或多個(gè)真空腔體可用來移除光阻層中的溶劑殘?jiān)?。在其他?shí)施例中，例如，請(qǐng)參閱圖5到圖6的討論，一或多個(gè)真空腔體可用于移除頂部抗反射涂層中的溶劑殘?jiān)铩８谝恍?shí)施例中，例如，請(qǐng)參閱圖7的討論，一或多個(gè)真空腔體可用于移除濕微影中的液體。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明制造半導(dǎo)體元件的方法至少具有下列優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明可解決溶劑殘?jiān)锖筒涣家后w對(duì)微影制程效能造成的不良影響，尤其是對(duì)于光阻效能的影響。同時(shí)亦可解決濕微影制程時(shí)，因光阻的膨脹所造成形成于光阻中的圖形改變。綜上所述，本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點(diǎn)及實(shí)用價(jià)值，其不論在方法或功能上皆有較大改進(jìn)，在技術(shù)上有較大進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實(shí)用的效果，且較現(xiàn)有的制造半導(dǎo)體元件的方法具有增進(jìn)的多項(xiàng)功效，從而更加適于實(shí)用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價(jià)值，誠(chéng)為一新穎、進(jìn)步、實(shí)用的新設(shè)計(jì)。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是繪示依照本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施例的一種半導(dǎo)體制造方法圖。
圖2是繪示依照本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施例的一部份半導(dǎo)體元件圖。
圖3a-圖3b是繪示依照本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施例用于制造部份半導(dǎo)體元件的真空腔體圖。
圖4是繪示依照本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施例一種用于曝光的部份系統(tǒng)圖。
圖5是繪示依照本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施例的一部份半導(dǎo)體元件圖。
圖6-圖7是繪示依照本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施例用于制造部份半導(dǎo)體元件的真空腔體圖。
圖8是繪示依照本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施例的一種用于制造部份半導(dǎo)體的一些真空腔體圖。
圖9是繪示依照本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施例的用于半導(dǎo)體制造的一些真空步驟圖。
10半導(dǎo)體微影方法 12、14、16步驟100、500、702、806、808晶圓122光阻層
110、902基板 120底部抗反射涂層114介電層202真空腔體202、602、704、802、804真空腔體 204、604、708箭頭402投影鏡頭 400微影系統(tǒng)404、706液狀薄膜 502頂部抗反射涂層910、918、926、932、934冷卻步驟 302加熱器906烘烤步驟 900制程系統(tǒng)908接著促進(jìn)劑912光阻旋轉(zhuǎn)涂布938后烤制程 914軟烤904底部抗反射涂層涂布922、930額外真空腔體936顯影步驟 920頂部抗反射涂層涂布928曝光后烘烤制程具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的制造半導(dǎo)體元件的方法其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
請(qǐng)參閱圖1所示，在本實(shí)施例中，一半導(dǎo)體微影方法10可用于制造不同的半導(dǎo)體元件(有無鑲嵌技術(shù))，例如是記憶體元件(包含但不限于一靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(static random access memory，SRAM)，邏輯元件(metal-oxide semiconductor field-effect transistor，MOSFET))，和/或其他元件。方法10可應(yīng)用于干微影或濕微影制程中。
為了本討論，在步驟12開始進(jìn)行執(zhí)行，其提供了一光阻層于一晶圓上。在步驟14，溶劑殘?jiān)锝柚褂靡徽婵涨惑w移除晶圓中的溶劑殘?jiān)?。在步驟16，晶圓完成曝光且完成了微影制程。本發(fā)明中不同實(shí)施例的優(yōu)點(diǎn)是存于方法10的一或多個(gè)步驟圖。
請(qǐng)參閱圖2所示，其繪示依照本發(fā)明一較佳實(shí)施例的一晶圓100圖。晶圓100包括一基板110、一介電層114、一底部抗反射涂層(bottomanti-reflection coating，BARC)層120，和一光阻層122?；?10可包括一或多個(gè)絕緣體、導(dǎo)體，和/或半導(dǎo)體層。舉例來說，基板110可包括一基本半導(dǎo)體，例如是單晶硅、多晶硅、非晶硅，和/或鍺，一化合物半導(dǎo)物，例如是碳化硅(silicon carbide)和/或砷化鎵(gallium arsenic)合金半導(dǎo)體，例如是硅鍺(SiGe)、磷砷化鎵(GaAsP)、砷化銦鎵(AlInAs)、砷化鋁鎵(AlGaAs)，和/或磷化鎵銦(GaInP)。另外，基板110可包括一傳統(tǒng)半導(dǎo)體，例如是傳統(tǒng)硅晶圓，且此一傳統(tǒng)半導(dǎo)體可能包括一磊晶層。此基板亦可選擇包括一傳統(tǒng)絕緣層上覆半導(dǎo)體基板，例如是一絕緣層上覆硅(silicon-on-insulator，SOI)基板，或是一薄膜電晶體(thin filmtransistor，TFT)基板?；?10也可或可選擇包括一多重硅結(jié)構(gòu)或一多層化合物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
一介電層114，可沉積于基板110的表面。介電層114，是以化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)、電漿氣相沉積(plasma-enhanced CVD，PECVD)、物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)、原子層沉積(atomic layer deposition，ALD)，旋轉(zhuǎn)涂布和/或其他制程來形成。介電層114，可是一金屬導(dǎo)線間的介電絕緣層(inter-metal dielectric，IMD)，且可能包含低介電常數(shù)物質(zhì)、二氧化硅、聚酰亞胺、旋轉(zhuǎn)涂布玻璃(spin-on-glass，SOG)、摻雜氟化物硅酸鹽玻璃(fluoride-doped silicateglass，F(xiàn)SG)、黑鉆石(加洲圣塔克萊拉的應(yīng)用材料一產(chǎn)品)、干凝膠(Xerogel)、氣凝膠(Aerogel)、摻氟的非晶系碳(amorphous fluorinatedcarbon)，和/或其他材料。
底部抗反射涂層120，可使用不同技術(shù)沉積于介電層114上，包括但不限于旋轉(zhuǎn)涂布、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積，和/或其他制程。
底部抗反射涂層120，可降低基板110的強(qiáng)度反射系數(shù)(intensityreflection coefficient)。在一實(shí)例中，底部抗反射涂層120可吸收不經(jīng)意穿透一光阻層底部的光線(未畫出)。為了吸收光線，底部抗反射涂層120可包含一高衰減系數(shù)的材料，和/或相當(dāng)厚度。另一方面，底部抗反射涂層120的一高系數(shù)可能導(dǎo)致底部抗反射涂層具有高反射系數(shù)，其使底部抗反射涂層120的效能下降。因此，可使底部抗反射涂層120具有大約在0.2到0.5間一系數(shù)值，以及可有一大約200奈米的厚度。然而，值得注意的是系數(shù)值和厚度的其他范圍亦可用于本發(fā)明中。
在另一實(shí)例中，一系數(shù)匹配方法可用于底部抗反射涂層120中。在此例子里，底部抗反射涂層120可包含一材料，此材料的折射系數(shù)和厚度須與使用于后制程中的光相匹配。在操作中，一但光打至底部抗反射涂層120上，一部份的光會(huì)從此層上反射，同時(shí)，另一部份的光則進(jìn)入底部抗反射涂層120中，且被轉(zhuǎn)換成具相位偏移的光，此相位偏移的光會(huì)和從底部抗反射涂層120反射的第一部份光發(fā)生干涉，而造成光反射系數(shù)的下降。
底部抗反射涂層120，亦可同時(shí)使用光吸收和系數(shù)匹配方法來達(dá)到欲定結(jié)果。在一些例子中，當(dāng)很難完成移除底部抗反射涂層120，底部抗反射涂層120僅可維持在介電層114上作為晶圓100的擴(kuò)散屏障。
底部抗反射涂層120，可包含有機(jī)或無機(jī)材料。在一實(shí)例中，底部抗反射涂層120可包含一或多個(gè)材料，例如是氮化鈦(TiN)、氮氧化硅(siliconoxynitride)、氮化硅(silicon nitride)和/或從例如是日立(Hitachi)、希普勵(lì)(Shipley)、布魯爾科技(Brewer Science)、科萊恩(Clariant)，和東京應(yīng)用化學(xué)(Tokyo Ohka)所產(chǎn)生的任何適當(dāng)?shù)牟牧稀?br> 為了促進(jìn)此實(shí)施例，一光阻層122沉積于底部抗反射涂層120上。光阻層122可使用旋轉(zhuǎn)涂布和/或其他制程來形成。操作中，一光阻溶液被施加于底部抗反射涂層120上，且一直到光阻溶液快干時(shí)，晶圓100才快速旋轉(zhuǎn)。
在一實(shí)例中，光阻層122可能包含了三部份一樹脂，其作為一接合劑并且用以建立光阻層122的機(jī)械特性；一光敏感劑；以及一溶劑，用以在施加于晶圓上前，維持光阻溶液的液體本質(zhì)。在一些實(shí)施例中，溶劑可包含一無機(jī)材料、一有機(jī)材料，和/或是其他材料。在一實(shí)例中，有機(jī)材料可能包含乙酸乙二醇丁醚酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚酯(PGME)、丁醇(butanol)，和/或是其他材料。
請(qǐng)參閱圖3a所示的一實(shí)施例，光阻層122是于一軟烤制程(也稱為預(yù)烤或后應(yīng)用烘烤)后被加以施用。請(qǐng)參閱圖3b所示的另一實(shí)施例，光阻層122的施用和軟烤制程可大約于同時(shí)或在相同時(shí)間下進(jìn)行。兩實(shí)施例如以下所述。
請(qǐng)?jiān)俅螀㈤唸D3a所示，于光阻層122的沉積和一軟烤制程后，晶圓100被放置于一真空腔體202中，此真空腔體202可為任何習(xí)知的真空腔體。結(jié)果，溶劑殘?jiān)锟蓮墓庾鑼?22中蒸發(fā)，如箭頭204所示的從晶圓100中除去。
真空腔體202，可具有一相對(duì)低氣壓，其約小于0.1巴斯卡。另一方面，為保證系統(tǒng)的效系數(shù)，真空腔體202的抽泵速度可相對(duì)提高，其可約大于100升/秒。然而，本發(fā)明值得注意的是，亦可使用其他壓力和抽泵速度范圍。
請(qǐng)參閱圖3b所示，在另一實(shí)例中，真空腔體202可選擇性包括一加熱器302。在此例子中，軟烤制程和步驟14可于約相同時(shí)間或同時(shí)于真空腔體202進(jìn)行，如此可降低制造時(shí)間。軟烤制程可由習(xí)知技術(shù)里的任何方法來完成。真空腔體202可包括用來冷卻晶圓100的一選擇性冷卻器。
根據(jù)方法10的步驟16，晶圓100可以習(xí)知方法進(jìn)行曝光，以在光阻層120中形成一影像。
請(qǐng)參閱圖4所示，為一實(shí)施例中的簡(jiǎn)化微影系統(tǒng)400，其包括一投影鏡頭402，一選擇性液狀薄膜404(以濕微影制程例子而言)，和晶圓100。
投影鏡頭402是習(xí)知技術(shù)。一般而言，它從一光罩(未畫出)聚集光束，且把光束傳送至晶圓100上。投影鏡頭402可包含熔煉石英(非晶形二氣化硅)和/或習(xí)知技術(shù)中的其他材料。
在濕微影制程中，液狀薄膜404被置于投影鏡頭402和晶圓間來覆蓋至少其中的一部份。在一實(shí)例例中，借著打開投影鏡頭402的外罩可注入液狀薄膜404。液狀薄膜404可包含水、摻雜水、鉻，一PH值大于7的一液體，一折射系數(shù)大于1的液體，和/或其他物質(zhì)。在干微影的例子中液狀薄膜404是被忽略的。
于曝光制程后，一曝光后烘烤制程和其他步驟(未畫出)被施加于晶圓100上，用以完成一半導(dǎo)體元件。
請(qǐng)參閱圖5所示，于另一些實(shí)施例中，使用一真空腔體來移除頂部抗反射涂層的溶劑殘?jiān)?。在以下的討論，晶圓500是包括圖2的晶圓100和一頂部抗反射涂層502。
頂部抗反射涂層502的功能相似于系數(shù)匹配的底部抗反射涂層(如上所描述)。頂部抗反射涂層502可使用旋轉(zhuǎn)涂布法形成于晶圓100上，或以其他習(xí)知適當(dāng)方法來形成。頂部抗反射涂層502可包含至少一溶劑，其中可包含一無機(jī)材料，一有機(jī)材料，和/或其他材料。在一實(shí)例中，有機(jī)材料可能包含乙酸乙二醇丁醚酯(PGMEA)、丙二醇單甲基醚酯(PGME)，丁醇(butanol)和/或其他材料。
請(qǐng)參閱圖6所示，在一實(shí)施例中，頂部抗反射涂層502沉積后，晶圓500被傳送到一真空腔體602，此真空腔體602可相等或相似于圖3a的真空腔體202。真空腔體602可藉由箭頭604所示方向，來導(dǎo)引蒸發(fā)溶劑藉以移除在頂部抗反射涂層502上的溶劑殘?jiān)铩?br> 真空腔體602一般也可用于移除光阻層122中的溶劑殘?jiān)铩Ａ硪环矫?，真空腔體602亦可包含用于加熱和/或冷卻晶圓500的一選擇加熱器和/或冷卻器。
請(qǐng)參閱圖7所示，于另一些實(shí)施例中，借著使用一真空腔體來移除晶圓中的液體。借著濕微影制程使一晶圓702(其和圖2的晶圓100或圖5的晶圓500相似)曝光后，晶圓702可被傳送至一真空腔體704。結(jié)果，于濕微影制程的一液狀薄膜706和任何殘?jiān)?，可如箭頭708所示方向從晶圓702蒸發(fā)而被移除。
請(qǐng)參閱圖8所示，于此實(shí)例中，于圖的描述頂半部，一真空腔體可選擇性包括用以加熱/或冷卻此晶圓的一加熱器和/或一冷卻器。在一第二實(shí)施例中，復(fù)數(shù)個(gè)晶圓806和808可同時(shí)于一真空腔體802中進(jìn)行制程。在一第三實(shí)例中，復(fù)數(shù)個(gè)真空腔體802和804可同時(shí)進(jìn)行生產(chǎn)來增加生產(chǎn)率。
請(qǐng)參閱圖9所示，在另一實(shí)施例中，不同架構(gòu)可在不同程序中加以群結(jié)和/或結(jié)合以形成一較大的制程系統(tǒng)900。雖然在圖9所描述的步驟已被描述于其上，是為習(xí)知技術(shù)，但它們?cè)诖巳员缓?jiǎn)單描述。在此圖中，一晶圓可包括一基板902，于一冷卻步驟910前，進(jìn)行一底部抗反射涂層涂布步驟904和一烘烤步驟906。另外，一接著促進(jìn)劑908可用來作為一接著層和/或處理晶圓。其后，于一軟烤步驟914之前，進(jìn)行一光阻旋轉(zhuǎn)涂布步驟912。于軟烤步驟914前，可選擇性地使用一真空腔體916用以移除晶圓中的溶劑殘?jiān)?。在一冷卻步驟918后，一頂部抗反射涂層涂布制程920可被施加于晶圓上，而一可選擇使用真空腔體922移除晶圓中的溶劑殘?jiān)?。在一曝光步驟924之前可采用一冷卻步驟926。在晶圓曝光后，可選擇使用一真空腔體930來移除濕微影制程中的溶液殘?jiān)铩Ｆ浜?，于一顯影步驟936前，一曝光后烘烤制程步驟928和一冷卻步驟932可施加在晶圓上。在晶圓顯影后，一后烤制程938和一冷卻步驟934可施加于晶圓上。于圖9中的許多步驟是選擇性的，且未在此圖示中的步驟亦可附加于其中。圖9的箭頭僅是用于描述的目的，并不代表須依循此操作步驟順序。事實(shí)上，圖9步驟的操作順序是可以改變的。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制造半導(dǎo)體的方法，其特征在于其包括以下步驟形成一光阻層于一晶圓上；使用一真空腔體從該光阻層移除溶劑殘?jiān)?；以及曝光該晶圓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體的方法，其特征在于其中曝光所述的晶圓的步驟中更包括將一液體置于一投影晶片和該晶圓間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造半導(dǎo)體的方法，其特征在于其更包括使用另一真空腔體來移除該液體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體的方法，其特征在于其更包括在曝光該晶圓的步驟后，進(jìn)行一曝光后烘烤制程于該晶圓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體的方法，其特征在于其更包括使用該真空腔體從一頂部抗反射涂層移除溶劑殘?jiān)铩?br> 6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體的方法，其特征在于其更包括軟烤該晶圓，其中該真空腔體包括用于該軟烤制程的一加熱器，以及在大約相同時(shí)間將該軟烤制程和該移除制程施加于晶圓上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體的方法，其特征在于其中所述的溶劑殘?jiān)锇粺o機(jī)溶劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體的方法，其特征在于其中所述的溶劑殘?jiān)锇挥袡C(jī)溶劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體的方法，其特征在于其中所述的真空腔體可同時(shí)從復(fù)數(shù)個(gè)晶圓中移除溶劑殘?jiān)铩?br> 10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體的方法，其特征在于其中所述的真空腔體包括用于加熱該晶圓的一加熱器。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造半導(dǎo)體的方法，其特征在于其中所述的真空腔體包括用于冷卻該晶圓的一冷卻器。
12.一種用于半導(dǎo)體制程的方法，其特征在于其包括以下步驟形成一光阻層于一晶圓上；在該光阻層上形成一頂部抗反射涂層；使用一真空腔體從該頂部抗反射涂層中移除溶劑殘?jiān)?；以及曝光該晶圓。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于半導(dǎo)體制程的方法，其特征在于其更包括使用該真空腔體從該光阻層中移除溶劑殘?jiān)铩?br> 14.一種用于半導(dǎo)體制程的方法，其特征在于其包括以下步驟形成一光阻層于一晶圓上；使用濕微影制程來曝光該晶圓，其中一液體置于一投影鏡頭與該晶圓間；使用一真空腔體從該晶圓移除液體；以及進(jìn)行一曝光后烘烤制程于該晶圓。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的用于半導(dǎo)體制程的方法，其特征在于其中所述的液體包含摻雜水。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于制造半導(dǎo)體元件，特別是有關(guān)于使用一真空腔體來制造半導(dǎo)體元件。用于半導(dǎo)體制造的方法包含提供一光阻層于一晶圓上；使用一真空腔體從光阻層上移除溶劑殘?jiān)?；以及?duì)此晶圓進(jìn)行曝光。
文檔編號(hào)G03F7/40GK1828428SQ20061005784
公開日2006年9月6日 申請(qǐng)日期2006年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月1日
發(fā)明者施仁杰 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司