專(zhuān)利名稱(chēng)：薄膜晶體管陣列及其修補(bǔ)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管(thin film transistor，TFT)，且特別涉及一種可提高液晶顯示面板的亮度均勻性的薄膜晶體管陣列及其修補(bǔ)方法。
背景技術(shù)：
多媒體社會(huì)的急速進(jìn)步多半受惠于半導(dǎo)體元件或顯示裝置的飛躍性進(jìn)步。就顯示器而言，具有高顯示質(zhì)量、空間利用效率佳、低消耗功率、無(wú)輻射等優(yōu)越特性的薄膜晶體管液晶顯示器(thin filmtransistor liquid crystal display，TFT-LCD)已逐漸成為市場(chǎng)的主流。
薄膜晶體管液晶顯示器主要由薄膜晶體管陣列、彩色濾光片(color filter)和液晶層(liquid crystal layer)所構(gòu)成。圖1為公知的薄膜晶體管陣列的俯視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D1，薄膜晶體管陣列100主要是由以陣列排列的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)110所構(gòu)成。其中，各個(gè)像素結(jié)構(gòu)110均是由掃描配線(scan line)112、數(shù)據(jù)配線(date line)114、薄膜晶體管116以及與薄膜晶體管116對(duì)應(yīng)設(shè)置的像素電極(pixel electrode)118所組成。
承上所述，薄膜晶體管116是用來(lái)作為像素結(jié)構(gòu)110的開(kāi)關(guān)元件，而掃描配線112與數(shù)據(jù)配線114則是用來(lái)提供其所選定的像素結(jié)構(gòu)110適當(dāng)?shù)牟僮麟妷?，以分別驅(qū)動(dòng)各個(gè)像素結(jié)構(gòu)110而顯示影像。
圖2為一種公知薄膜晶體管液晶顯示器的單一像素的等效電路示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，在公知薄膜晶體管液晶顯示器的單一像素中，通常包含薄膜晶體管116、液晶電容CLC以及儲(chǔ)存電容(storagecapacitance)Cst。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖2，液晶電容CLC是由薄膜晶體管陣列100上的像素電極118與彩色濾光片上的共用電極(common electrode)(圖中未表示)耦合而成。儲(chǔ)存電容Cst是位于薄膜晶體管陣列100上，且此儲(chǔ)存電容Cst是與液晶電容CLC并聯(lián)。另外，薄膜晶體管116的柵極G、源極S以及漏極D分別與掃描配線112、數(shù)據(jù)配線114以及液晶電容CLC中的像素電極118連接。而且，由于薄膜晶體管116的柵極G與漏極D之間有互相重疊的區(qū)域，因此在柵極G與漏極D之間會(huì)存有柵極-漏極寄生電容(parasitic capacitance)Cgd。
請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D1及圖2，由于施加在液晶電容CLC上的電壓(也就是施加于像素電極118與共用電極上的電壓)與液晶分子的光穿透率之間具有特定關(guān)系，因此只要依據(jù)所要顯示的畫(huà)面來(lái)控制施加在液晶電容CLC上的電壓，即可使顯示器顯示預(yù)定的畫(huà)面。其中，當(dāng)薄膜晶體管116關(guān)閉時(shí)，液晶電容CLC上的電壓是保持一定值(也就是處于holding狀態(tài))，但由于柵極-漏極寄生電容Cgd的存在，液晶電容CLC上所保持的電壓將會(huì)隨著數(shù)據(jù)配線114上的信號(hào)變化而有所改變(也就是所謂的耦合效應(yīng))，因而使得液晶電容CLC上所保持的電壓偏離原先設(shè)定值。此電壓變動(dòng)量稱(chēng)為饋通電壓(feed-through voltage)ΔVp，其可表示為ΔVp=CgdCgd+Cst+CLCΔVg...(1)]]>其中ΔVg為施加于掃描配線112上的脈沖電壓的振福。
在目前的薄膜晶體管陣列工藝中，大多是以步進(jìn)式曝光機(jī)的拼接式光刻掩膜來(lái)進(jìn)行薄膜晶體管陣列的曝光工藝，因此在曝光過(guò)程中，機(jī)臺(tái)移動(dòng)時(shí)的位移偏差量將導(dǎo)致各個(gè)曝光區(qū)域(shot)中所形成的圖案的位置有所差異。特別是當(dāng)各個(gè)曝光區(qū)域之間，薄膜晶體管116的柵極G與漏極D(見(jiàn)圖1)的重疊面積不同時(shí)，將使得各個(gè)曝光區(qū)域中的柵極-漏極寄生電容Cgd不同，造成各個(gè)曝光區(qū)域中的饋通電壓AVp不相同，進(jìn)而在顯示過(guò)程中產(chǎn)生顯示亮度不均勻的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明之一目的是提供一種薄膜晶體管陣列，以解決曝光工藝誤差導(dǎo)致各像素的饋通電壓不一致的問(wèn)題。
本發(fā)明之另一目的是提供一種薄膜晶體管陣列的修補(bǔ)方法，以于顯示器產(chǎn)生亮點(diǎn)時(shí)，對(duì)顯示器的薄膜晶體管陣列進(jìn)行修補(bǔ)，進(jìn)而消除亮點(diǎn)。
為達(dá)上述或是其它目的，本發(fā)明提出一種薄膜晶體管陣列，包括基板、多個(gè)薄膜晶體管以及多個(gè)像素電極。其中，基板上區(qū)分有多個(gè)像素區(qū)域，而這些薄膜晶體管則是分別設(shè)置于像素區(qū)域內(nèi)。每一個(gè)薄膜晶體管包括柵極、半導(dǎo)體層、源極與漏極。其中，柵極設(shè)置于基板上，并具有控制部、連接部以及電容補(bǔ)償部，且連接部是連接于控制部與電容補(bǔ)償部之間。半導(dǎo)體層是設(shè)置于柵極上方，源極與漏極則是分別設(shè)置于部分半導(dǎo)體層上，而源極與漏極之間的半導(dǎo)體層內(nèi)形成有通道。此外，漏極的一端與柵極的控制部間具有第一重疊區(qū)域而誘發(fā)第一寄生電容，漏極的另一端與柵極的電容補(bǔ)償部間則是具有第二重疊區(qū)域而誘發(fā)第二寄生電容。而且，第一寄生電容與第二寄生電容的和恒為定值。另外，這些像素電極也是分別設(shè)置于像素區(qū)域內(nèi)，并且電連接至對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管。其中，在各個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，第一寄生電容與第二寄生電容之和為定值。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述各個(gè)薄膜晶體管的第一重疊區(qū)域與第二重疊區(qū)域的面積和為定值。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述柵極的控制部與電容補(bǔ)償部分別為條狀。而且，此條狀控制部例如是與條狀的電容補(bǔ)償部相互平行。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述源極還具有延伸部，且此延伸部是與部分的電容補(bǔ)償部重疊。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述通道例如是由柵極的控制部上方朝柵極的連接部上方彎折延伸。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述半導(dǎo)體層例如是位于柵極的控制部與電容補(bǔ)償部上。
本發(fā)明還提出一種薄膜晶體管陣列的修補(bǔ)方法，其適于對(duì)上述薄膜晶體管陣列進(jìn)行修補(bǔ)。此修補(bǔ)方法是在上述薄膜晶體管的柵極的電容補(bǔ)償部與漏極或源極的延伸部之間發(fā)生靜電破壞時(shí)，先切斷柵極的連接部，以使電容補(bǔ)償部與控制部電絕緣。然后，熔接電容補(bǔ)償部與漏極或源極的延伸部。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述柵極的連接部例如是以激光切割的方法切斷。
在本發(fā)明之一實(shí)施例中，上述電容補(bǔ)償部與漏極或源極的延伸部例如是以激光熔接的方法進(jìn)行熔接。
本發(fā)明采用具有特殊設(shè)計(jì)的柵極的薄膜晶體管，因此可解決公知顯示面板因薄膜晶體管陣列曝光工藝誤差所導(dǎo)致顯示質(zhì)量不佳的問(wèn)題。
為讓本發(fā)明之上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為公知薄膜晶體管陣列的俯視示意圖。
圖2為一種公知薄膜晶體管液晶顯示器的單一像素的等效電路示意圖。
圖3為本發(fā)明的第一實(shí)施例中薄膜晶體管陣列的局部俯視圖。
圖4為圖3的薄膜晶體管陣列沿I-I’線的剖面示意圖。
圖5為圖3的薄膜晶體管陣列發(fā)生靜電破壞時(shí)的修補(bǔ)示意圖。
圖6為本發(fā)明的第二實(shí)施例中薄膜晶體管陣列的局部俯視示意圖。
主要元件標(biāo)記說(shuō)明100、300、600薄膜晶體管陣列110像素結(jié)構(gòu)112、304掃描配線114、306數(shù)據(jù)配線116、310、610薄膜晶體管118、320像素電極302基板312、G柵極312a柵極的控制部312b柵極的連接部312c柵極的電容補(bǔ)償部313柵絕緣層314半導(dǎo)體層314a、614a通道316、616、S源極316a、318a歐姆接觸層316b、318b導(dǎo)體層318、618、D漏極A1第一重疊區(qū)域A2第二重疊區(qū)域Cst儲(chǔ)存電容Cgd、Cgd1、Cgd2寄生電容CLC液晶電容L切割線
具體實(shí)施例方式
圖3為本發(fā)明的第一實(shí)施例中薄膜晶體管陣列的局部俯視圖。圖4則為圖3的薄膜晶體管陣列沿I-I’線的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3，薄膜晶體管陣列300主要是由基板302、多個(gè)薄膜晶體管310以及多個(gè)像素電極320所構(gòu)成。其中，基板302上是設(shè)置有掃描配線304與數(shù)據(jù)配線306，且掃描配線304及數(shù)據(jù)配線306是在基板302上區(qū)分出多個(gè)像素區(qū)域308，而這些薄膜晶體管310與像素電極320即是分別設(shè)置在各個(gè)像素區(qū)域308內(nèi)。以下將詳細(xì)說(shuō)明薄膜晶體管310的結(jié)構(gòu)。
請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D3及圖4，薄膜晶體管310主要是由柵極312、半導(dǎo)體層314、源極316以及漏極318所構(gòu)成。其中，柵極312是設(shè)置于基板302上，并電連接至掃描配線304。特別的是，柵極312具有控制部312a、連接部312b與電容補(bǔ)償部312c，其中連接部312b是連接于控制部312a與電容補(bǔ)償部312c之間。而且，在本實(shí)施例中，柵極312的控制部312a與電容補(bǔ)償部312c例如是呈條狀，且控制部312a與電容補(bǔ)償部312c例如是相互平行。
在此，由于柵極312與掃描配線304是在同一道工藝中完成，因此可直接以?huà)呙枧渚€304的一部分作為柵極312的控制部312a。當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該知道，柵極312的控制部312a也可以是額外從掃描配線304延伸出的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明并不將柵極312的控制部312a限定為其是由掃描配線304的一部分所構(gòu)成。
承上所述，半導(dǎo)體層314則是設(shè)置于柵極312上方。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體層314例如是設(shè)置于柵極312的控制部312a與電容補(bǔ)償部312c的上方。當(dāng)然，所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該知道，柵極312與半導(dǎo)體層314之間還有一層?xùn)沤^緣層313。源極316與漏極318分別設(shè)置于部分的半導(dǎo)體層314上，且源極316是電連接至數(shù)據(jù)配線306，漏極是電連接至像素電極320，而源極316與漏極318之間的半導(dǎo)體層314即是作為薄膜晶體管310的通道314a。
值得一提的是，薄膜晶體管310的源極316例如是具有重疊于部分電容補(bǔ)償部312c上的延伸部。而且，在薄膜晶體管陣列300中，源極316的延伸部例如是由數(shù)據(jù)配線306的一部分所構(gòu)成。換言之，在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)配線306是重疊于部分電容補(bǔ)償部312c上。
值得注意的是，漏極318的一端與柵極312的控制部312a之間具有第一重疊區(qū)域A1，因而在漏極318與控制部312a之間形成第一寄生電容Cgd1。漏極318的另一端則是與柵極312的電容補(bǔ)償部312c之間具有第二重疊區(qū)域A2，因而在漏極318與電容補(bǔ)償部312c之間形成第二寄生電容Cgd2。而且，第一寄生電容Cgd1與第二寄生電容Cgd2的和恒為定值。換言之，在薄膜晶體管陣列300的各個(gè)像素區(qū)域308內(nèi)，第一寄生電容Cgd1與第二寄生電容Cgd2的和為定值。
一般來(lái)說(shuō)，漏極318與柵極312的電容補(bǔ)償部312c之間的膜厚應(yīng)與漏極318與柵極312的控制部312a之間的膜厚相等。在這種情況下，第一寄生電容Cgd1與第二寄生電容Cgd2的大小分別取決于第一重疊區(qū)域A1與第二重疊區(qū)域A2的面積大小。為使所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員更加了解本發(fā)明，下文將進(jìn)一步說(shuō)明上述薄膜晶體管陣列300何以能夠?qū)⒏鱾€(gè)像素區(qū)域308的寄生電容維持為定值。
請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D3，在形成漏極318與源極316的曝光工藝中，當(dāng)光刻掩膜在對(duì)準(zhǔn)精度上產(chǎn)生誤差，因而使漏極318在數(shù)據(jù)配線306的延伸方向上產(chǎn)生位移，并導(dǎo)致第一重疊區(qū)域A1的面積小于默認(rèn)值時(shí)，第二重疊區(qū)域A2的面積則會(huì)大于默認(rèn)值。而且，第二重疊區(qū)域A2所增加的面積應(yīng)與第一重疊區(qū)域A1所減少的面積相等。
同樣地，當(dāng)光刻掩膜在對(duì)準(zhǔn)精度上產(chǎn)生誤差而使第一重疊區(qū)域A1大于默認(rèn)值時(shí)，則第二重疊區(qū)域A2會(huì)小于默認(rèn)值。換言之，即使各個(gè)像素區(qū)域308內(nèi)因工藝誤差而具有不同面積的第一重疊區(qū)域A1及第二重疊區(qū)域A2，但在各像素區(qū)域308內(nèi)，第一重疊區(qū)域A1與第二重疊區(qū)域A2的面積和恒為定值。如此一來(lái)，各像素區(qū)域308內(nèi)的第一寄生電容Cgd1與第二寄生電容Cgd2的和即恒為定值，使各個(gè)像素區(qū)域308內(nèi)具有相同的饋通電壓ΔVp。進(jìn)而有效地改善薄膜晶體管陣列300所構(gòu)成的顯示面板的輝度均勻性。
圖5為圖3的薄膜晶體管陣列發(fā)生靜電破壞時(shí)的修補(bǔ)示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，當(dāng)薄膜晶體管陣列300發(fā)生異常動(dòng)作而導(dǎo)致顯示器產(chǎn)生點(diǎn)不良的現(xiàn)象時(shí)，可沿切割線L切斷柵極312的連接部312b，接著再熔接漏極318與電容補(bǔ)償部312c以及數(shù)據(jù)配線306與電容補(bǔ)償部312c的重疊處，以使施于像素電極320上的電壓直接與數(shù)據(jù)配線306上的信號(hào)相連接，而達(dá)到修補(bǔ)的目的。其中，本實(shí)施例例如是以激光切割的方法切斷連接部312b。且熔接漏極318與電容補(bǔ)償部312c以及數(shù)據(jù)配線306與柵極312的重疊處的方法例如是激光熔接。
圖6為本發(fā)明之第二實(shí)施例中薄膜晶體管陣列的局部俯視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6，薄膜晶體管陣列600主要是由基板302、多個(gè)薄膜晶體管610以及多個(gè)像素電極320所構(gòu)成，且薄膜晶體管陣列600大致上與第一實(shí)施例所述的薄膜晶體管陣列300相似，而圖6中與圖3相同的元件，即以與圖3相同的標(biāo)號(hào)示之。下文將針對(duì)薄膜晶體管陣列600相異于薄膜晶體管陣列300之處加以說(shuō)明。
在本實(shí)施例中，薄膜晶體管610的源極616與漏極618間的通道614a例如是由柵極312的控制部312b上方朝向柵極312的連接部312a上方彎折延伸。換言之，本實(shí)施例的通道614a例如是呈類(lèi)L型。因此，在類(lèi)L型的通道614a與傳統(tǒng)直線型通道具有相同之通道寬度(channel width)的前提下，本實(shí)施例之漏極618可具有較短的長(zhǎng)度，進(jìn)而降低漏極618與柵極312之間的寄生電容。
值得一提的是，若在公知的薄膜晶體管陣列中設(shè)計(jì)本實(shí)施例所述之類(lèi)L型通道614a，由于通道614a的一端是鄰近柵極312的控制部312a的邊緣，因此易受到顯示器的背光源所發(fā)出的光線的照射，導(dǎo)致在通道614a內(nèi)產(chǎn)生光漏電流。然而，在本發(fā)明之薄膜晶體管陣列600中，雖然通道614a的一端是鄰近柵極312的控制部312a的邊緣，但是與控制部312a連接的連接部312b可擋住背光源所發(fā)出的光線，以避免此光線照射到通道614a，進(jìn)而防止通道614a內(nèi)產(chǎn)生光漏電流。
綜上所述，本發(fā)明具有下列特點(diǎn)1.在本發(fā)明的薄膜晶體管陣列中，由于第一寄生電容與第二寄生電容的和在每一像素區(qū)域內(nèi)均相同，因此所有像素區(qū)域均具有相同的饋通電壓。如此一來(lái)，即可使由本發(fā)明之薄膜晶體管陣列所構(gòu)成的顯示器維持良好的顯示質(zhì)量。
2.本發(fā)明之薄膜晶體管陣列可通過(guò)簡(jiǎn)單的修補(bǔ)過(guò)程，來(lái)解決單一像素發(fā)生顯示失效的問(wèn)題，進(jìn)而達(dá)成修補(bǔ)亮點(diǎn)的功效。
3.本發(fā)明之類(lèi)L型通道可在不增加?xùn)艠O-漏極寄生電容的前提下，增加通道寬度，以提高薄膜晶體管的漏極電流。而且，本發(fā)明可通過(guò)柵極的連接部與電容補(bǔ)償部來(lái)?yè)踝★@示器背光源所發(fā)出的光線，避免其照射到通道，進(jìn)而防止通道內(nèi)產(chǎn)生光漏電流。
4.本發(fā)明之薄膜晶體管仍可通過(guò)現(xiàn)有的五道光刻掩膜工藝來(lái)完成，無(wú)須額外增加工藝，因此并不需較公知高的制作成本。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明之精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與改進(jìn)，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管陣列，其特征是包括基板，具有多個(gè)像素區(qū)域；多個(gè)薄膜晶體管，分別設(shè)置于其所對(duì)應(yīng)的上述這些像素區(qū)域中的一個(gè)內(nèi)，且各該薄膜晶體管包括柵極，設(shè)置于該基板上，且該柵極具有控制部、連接部以及電容補(bǔ)償部，其中該連接部是連接于該控制部與該電容補(bǔ)償部之間；半導(dǎo)體層，設(shè)置于該柵極上方；源極，設(shè)置于部分的該半導(dǎo)體層上；漏極，設(shè)置于部分的該半導(dǎo)體層上，而在該源極與該漏極之間的半導(dǎo)體層內(nèi)形成通道，且該漏極的一端與該柵極的該控制部間具有第一重疊區(qū)域而誘發(fā)第一寄生電容，該漏極的另一端與該柵極的該電容補(bǔ)償部間具有第二重疊區(qū)域而誘發(fā)第二寄生電容，其中在各該像素區(qū)域內(nèi)，該第一寄生電容與該第二寄生電容的和為定值；以及多個(gè)像素電極，分別設(shè)置于其所對(duì)應(yīng)的該像素區(qū)域內(nèi)，且上述這些像素電極分別電連接至對(duì)應(yīng)的該薄膜晶體管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征是在各該像素區(qū)域內(nèi)，該第一重疊區(qū)域與該第二重疊區(qū)域的面積和為定值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征是各該柵極的該控制部與該電容補(bǔ)償部分別為條狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列，其特征是各該柵極的該控制部與該電容補(bǔ)償部相互平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征是在各該像素區(qū)域內(nèi)，該源極還具有延伸部，且該延伸部與部分的該電容補(bǔ)償部重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征是在各該像素區(qū)域內(nèi)，該通道是由該柵極的該控制部上方朝該柵極的該連接部上方彎折延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列，其特征是該半導(dǎo)體層是位于該柵極的該控制部與該電容補(bǔ)償部的上方。
8.一種薄膜晶體管陣列的修補(bǔ)方法，適于對(duì)權(quán)利要求1項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列進(jìn)行修補(bǔ)，當(dāng)上述這些柵極中的一個(gè)的該電容補(bǔ)償部與該源極的該延伸部或該漏極之間發(fā)生靜電破壞時(shí)，該修補(bǔ)方法包括切斷該柵極的該連接部，以使該柵極的該電容補(bǔ)償部與該柵極的該控制部電絕緣；以及熔接該電容補(bǔ)償部與該漏極或該源極的該延伸部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列的修補(bǔ)方法，其特征是切斷該柵極的該連接部的方法包括激光切割。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管陣列的修補(bǔ)方法，其特征是熔接該電容補(bǔ)償部與該漏極或該源極的該延伸部的方法包括激光熔接。
全文摘要
一種薄膜晶體管陣列，包括基板、多個(gè)薄膜晶體管以及多個(gè)像素電極。這些薄膜晶體管是分別設(shè)置于基板上的像素區(qū)域內(nèi)，且每一個(gè)薄膜晶體管包括柵極、半導(dǎo)體層、源極與漏極。柵極設(shè)置于基板上，并具有控制部、連接部以及電容補(bǔ)償部，且連接部是連接于控制部與電容補(bǔ)償部之間。漏極的一端與柵極的控制部間具有第一重疊區(qū)域而誘發(fā)第一寄生電容，漏極的另一端與柵極的電容補(bǔ)償部間則是具有第二重疊區(qū)域而誘發(fā)第二寄生電容。在各個(gè)像素區(qū)域內(nèi)，第一寄生電容與第二寄生電容之和為定值。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101030583SQ20061005832
公開(kāi)日2007年9月5日 申請(qǐng)日期2006年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月1日
發(fā)明者劉文雄 申請(qǐng)人:中華映管股份有限公司