專利名稱：用于形成抗反射涂層的聚合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于形成抗反射(anti-reflective)涂層的聚合物，更特別地涉及用于形成有機抗反射涂層的聚合物和包含該聚合物的組合物，該有機抗反射涂層位于蝕刻層和光刻膠層之間，并在光刻過程中吸收照射光。
背景技術(shù)：
一般而言，光刻法包含如下步驟通過旋涂或輥涂將光刻膠組合物應(yīng)用到諸如晶片、玻璃、陶瓷及金屬等底物上，通過加熱和干燥所應(yīng)用的光致抗蝕劑組合物形成光刻膠層，通過將該光刻膠層暴露于預(yù)定圖案的照射光形成光刻膠圖案，可任意加熱，以及將該曝光的光刻膠層顯影，以所形成的光刻膠圖案作為掩模，通過對所述底物進行蝕刻，形成半導(dǎo)體元件圖案。該光刻法廣泛地用于諸如IC(集成電路)的半導(dǎo)體、LCD(液晶顯示器)的生產(chǎn)和攝影等等。
由于對高度集成的半導(dǎo)體設(shè)備的日益增長的需求，使用照射光波長為193nm(該波長小于KrF準分子激光器的波長248nm)的ArF準分子激光器作為光源用于提高光刻膠圖案的分辨率。另外，F(xiàn)2(157nm)準分子激光器、EUV(遠紫外線)，VUV(真空紫外線)，電子束(E-beam)，X射線(X-beam)，離子束等已被研究和開發(fā)作為光刻法的光源。但是，因為所述的照射光的波長較短，所以在所述的曝光過程中從所述半導(dǎo)體底物的蝕刻層中反射的光的光干涉增加。另外，因為截槽(undercutting)、開槽(notching)等，所述光刻膠圖案輪廓和厚度的均勻性劣化。為了解決這些問題，通常在所述刻蝕層和所述光刻膠層之間形成底部抗反射涂(BARC)層來吸收照射光。所述抗反射涂層可分為由鈦、二氧化鈦、氮化鈦、氧化鉻、碳、非晶硅等等制成的無機抗反射涂層和由聚合物制成的有機抗反射涂層，該聚合物依賴于用于形成所述抗反射涂層的材料。與所述無機層相比，所述有機抗反射涂層通常不需要復(fù)雜和昂貴的設(shè)備來形成該層，這些設(shè)備例如真空沉積設(shè)備、化學(xué)氣相沉積(CVD)裝置和濺射裝置等等，并且對放射性光具有高吸收性，且通常不溶于光刻膠溶劑。而且在涂布、加熱及干燥所述光刻膠層的過程中，其小物質(zhì)不會從所述抗反射涂層擴散到光刻膠層中，并且所述有機抗反射涂層在光刻過程的干蝕刻過程中具有良好的蝕刻速率。但是到目前為止，用于形成所述有機抗反射涂層的常規(guī)組合物的特性如照射光吸收性等方面尚不令人滿意。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供聚合物，其對光刻過程中從蝕刻層反射的光具有高吸收性，容易形成有機抗反射涂層，并提高了蝕刻速率和對底物的粘附性。
本發(fā)明的另一目的是提供用于形成有機抗反射涂層的組合物，其由于光刻膠溶劑導(dǎo)致的厚度損失較低、在干蝕刻過程中具有良好的蝕刻速率、并具有良好的收縮穩(wěn)定性和良好的涂布均勻性。
本發(fā)明的另一目的是提供用于形成半導(dǎo)體元件圖案的方法，其通過應(yīng)用用于形成有機抗反射涂層的組合物來實現(xiàn)。
為了實現(xiàn)這些目的，本發(fā)明提供了用于形成有機抗反射涂層的聚合物，其包含由下式1和通式2表示的重復(fù)單元。
在通式2中，R為取代的或未取代的C1-C5烷基。
本發(fā)明也提供包含所述聚合物、光吸收劑和溶劑的組合物。本發(fā)明還提供了形成半導(dǎo)體元件圖案的方法，其包含如下步驟將用于形成有機抗反射涂層的組合物應(yīng)用到蝕刻層上；通過使應(yīng)用到所述蝕刻層上的組合物硬化(cure)來形成所述有機抗反射涂層；通過將光刻膠組合物應(yīng)用到該有機抗反射涂層上形成光刻膠層，將該光刻膠層暴露于預(yù)定圖案的照射光，并顯影曝光后的光刻膠層來形成具有預(yù)定圖案的光刻膠圖案；以及以所形成的光刻膠圖案為掩模，通過蝕刻該有機抗反射涂層和該蝕刻層來形成蝕刻圖案。
附圖的簡要說明

圖1是在本發(fā)明的制備實施例1中制備的苯偶酰單肟丙烯酸酯氧化物(benzil monoxime acrylate oxide)的NMR圖譜。
發(fā)明的詳細說明參考以下詳細說明可更充分地理解本發(fā)明及其諸多優(yōu)點。
本發(fā)明用于形成有機抗反射涂層的聚合物包含由以下式1和通式2表示的重復(fù)單元。
[通式2] 在通式2中，R是取代的或未取代的C1-C5烷基，優(yōu)選為甲基、2-羥乙基、2-羥丙基或縮水甘油基。R上的取代基可以是羥基或環(huán)氧基。所述重復(fù)單元的占所述聚合物的總重復(fù)單元的摩爾比獨立地為0.1-99.9％。
所述聚合物作為所述有機抗反射涂層中的基礎(chǔ)樹脂使用，并且在其主鏈中具有環(huán)氧乙烷基團。因此，提高了該有機抗反射涂層的蝕刻速率。另外，由于其側(cè)鏈上的苯偶酰單肟(benzil monoxime)(1，2-二苯乙二酮單肟1，2-diphenylethanedione monoxime)基團，所以對照射光具有高吸收性，可防止駐波、截槽和開槽的發(fā)生。對具有諸如2-羥乙基和2-羥丙基的羥基基團或諸如縮水甘油基的環(huán)氧基團的情況，加熱所述聚合物會引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)，并且容易形成所述有機抗反射涂層。另外，因為R為烷基，所以改進了對底物的粘附性。所述聚合物的重均(weight-average)分子量優(yōu)選為5,000-50,000。如果該分子量少于5,000，則所述有機抗反射涂層可被光刻膠溶劑溶解。如果該分子量大于50,000，則該聚合物對溶劑的溶解性可能減少，且該有機抗反射涂層在干蝕刻過程中的蝕刻速率可能降低。
用于形成所述有機抗反射涂層的優(yōu)選聚合物包括由以下通式3和通式4表示的聚合物。
[通式4] 在通式3和4中，a、b、c和d是重復(fù)單元占所述聚合物的總重復(fù)單元的摩爾分數(shù)，且a∶b∶c∶d的比為0.1-90％∶0.1-90％∶0.1-90％∶0.1-90％，并優(yōu)選為5-80％∶5-80％∶5-80％∶5-80％。
本發(fā)明的聚合物可由以下步驟制備。例如，將以下式5和通式6表示的單體用諸如二氯甲烷的溶劑溶解，將諸如三氟化硼二乙醚的聚合催化劑加入到該溶液后，在室溫進行該聚合反應(yīng)。
[通式6] 在通式6中，R是取代的或未取代的C1-C5烷基，優(yōu)選為甲基、2-羥乙基、2-羥丙基和縮水甘油基。R上的取代基可以是羥基或環(huán)氧基。
在本發(fā)明中，用于形成所述有機抗反射涂層的組合物包括包含式1和通式2所示的重復(fù)單元的聚合物、光吸收劑和溶劑。
在該組合物中所述聚合物的量可根據(jù)該聚合物的分子量、所述有機抗反射涂層的所需厚度等等變化，且優(yōu)選為占所述用于形成有機抗反射涂層的組合物總量的0.1-30％重量比。如果該量少于0.1％重量比，則所述有機抗反射涂層的粘附性可能降低。如果該量大于30％重量比，則該聚合物對其溶劑的溶解性可能降低。
本發(fā)明用于形成所述有機抗反射涂層的組合物還可包括常規(guī)的有機聚合物，其改善所述組合物的涂布特性，并可通過加熱硬化來增強所述有機抗反射涂層的粘附性。這類有機聚合物的非限制性的例子包括丙烯酸酯、異丁烯酸、苯乙烯、羥基苯乙烯、氧化烯(oxyalkylene)、甲醛、酰胺、酰亞胺、酯、醚、乙酸乙烯酯、乙烯基甲基醚、乙烯醚順丁烯二酸酐以及氨基甲酸乙酯的聚合物或共聚物。其它非限制性的例子包括酚醛樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛清漆樹脂及其混合物。
所述的光吸收劑是在光刻過程中吸收從蝕刻層反射的光，從而阻止在光刻膠圖案中可能出現(xiàn)的諸如截槽、開槽的問題?？墒褂酶鞣N常規(guī)的光吸收劑作為本發(fā)明的光吸收劑。所述光吸收劑的代表性的例子如以下通式7所示，其在韓國專利申請第2004-76011號中公開，本發(fā)明將其全文引入作為參考。
在通式7中，R1到R9獨立地為氫、羥基、鹵素、硝基、氨基、具有或沒有羥基的C1-C8烷基、具有或沒有羰基的C1-C8烷氧基、苯基、C5-C10環(huán)烷基、C5-C10芳基-烷基、C5-C10烷基-芳基，且R1到R9中至少一個不為氫。優(yōu)選的光吸收劑包括


及其混合物。
通式7表示的光吸收劑對從底物的蝕刻層反射的各種照射光具有優(yōu)良的吸收性，包括來自KrF(248nm)準分子激光器的照射光。因此，可防止由于所述照射光而產(chǎn)生的截槽和開槽，并且在光刻過程中可獲得具有均勻厚度的圖案輪廓。而且，由于該光吸收劑的大結(jié)構(gòu)，所述有機抗反射涂層不會過分收縮。該光吸收劑也起到增塑劑的作用，其輔助所述組合物的均勻涂布，甚至在曲面底物上。另外，所述光吸收劑對諸如聚合物的高分子量材料具有良好的兼容性，并且對用于形成所述有機抗反射涂層的溶劑有良好的溶解性，并對交聯(lián)劑有良好的反應(yīng)性，因此可以防止由光刻膠溶劑引起的厚度損失。該光吸收劑對來自諸如KrF準分子激光器的照射光具有良好的吸收性，因此該光吸收劑可有效地用于具有高反射率的半導(dǎo)體底物。該光吸收劑的量優(yōu)選為占用于形成所述有機抗反射涂層的所述組合物總量的0.1-30％重量比。如果該量小于0.1％重量比，則由于對從半導(dǎo)體底物反射的光的吸收性較低，在光刻膠圖案中可出現(xiàn)截槽和開槽。如果該量大于30％重量比，則由于在加熱過程中出現(xiàn)煙霧，可損壞涂布設(shè)備。
作為用于形成本發(fā)明的有機抗反射涂層的所述組合物的組分，所述溶劑可廣泛地使用可溶解所述組合物的固體組分的化合物。優(yōu)選的溶劑具有低毒性，并能形成均勻的有機抗反射涂層。用于本發(fā)明的優(yōu)選的溶劑包括丁內(nèi)酯、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃甲醇(tetrahydro furfuralalcohol)、丙二醇單甲醚(PGME)、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、乙酸乙酯及其混合物，且更優(yōu)選的溶劑包括丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)、乙酸乙酯及其混合物。該溶劑的量優(yōu)選為占用于形成所述有機抗反射涂層的所述組合物總量的40-99.8％重量比。如果該量少于40％重量比，則所述有機抗反射涂層的厚度可能變得不均勻。如果該量大于99.8％重量比，則所形成的有機抗反射涂層的物理特性如對照射光的吸收性可能劣化。
并且，用于形成本發(fā)明的有機抗反射涂層的所述組合物還可包括諸如交聯(lián)劑的交聯(lián)促進劑、低分子量醇、酸、或酸產(chǎn)生劑、均化劑(leveling agent)、粘合促進劑、抗發(fā)泡劑和其它各種添加劑。優(yōu)選使用可交聯(lián)單體作為所述交聯(lián)劑，其用于硬化所述有機抗反射涂層。更優(yōu)選地，所述交聯(lián)劑包括用于交聯(lián)具有羥基、酰胺基、羧基或巰基的聚合物的交聯(lián)劑。所述交聯(lián)劑的非限制性的例子包括羥甲基蜜胺、烷氧基甲基蜜胺、脲-甲醛樹脂、二芐醚、芐醇、環(huán)氧化合物、酚醛樹脂、異氰酸酯、烷基醇丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺及其混合物。優(yōu)選使用熱酸(thermal acid)發(fā)生劑作為所述交聯(lián)促進劑，其促進所述交聯(lián)反應(yīng)并提高反應(yīng)效率，且該熱酸發(fā)生劑的例子為2-羥己基對甲苯磺酸酯。
為了用本發(fā)明組合物形成所述的有機抗反射涂層，將用于形成所述有機抗反射涂層的所述組合物應(yīng)用到蝕刻層上，并通過加熱使所應(yīng)用的組合物硬化。通過諸如旋涂、輥涂等的常規(guī)方法來實現(xiàn)應(yīng)用所述用于形成有機抗反射涂層的組合物的過程。并且，所述硬化過程通過在諸如高溫板、對流傳熱爐等的設(shè)備中加熱所應(yīng)用的組合物來實現(xiàn)。該硬化過程優(yōu)選在高溫下進行，因此該硬化后的有機抗反射涂層可能不溶于光刻膠組合物的有機溶劑或堿性含水顯影液中。該硬化過程的優(yōu)選溫度為70-250℃。如果該硬化溫度低于70℃，則包含在所述用于形成有機抗反射涂層的組合物中的溶劑可能不能充分去除，且所述交聯(lián)反應(yīng)可能不能充分進行。如果該硬化溫度高于250℃，則所述用于形成有機抗反射涂層的組合物和所述有機抗反射涂層可能變得化學(xué)不穩(wěn)定。
在所述硬化的有機抗反射涂層中，所述光吸收劑的量優(yōu)選為1-50％重量比，以及包含式1和通式2所示的重復(fù)單元的有機聚合物的量優(yōu)選為50-99％重量比。如果所述光吸收劑的量小于1％重量比，則所述照射光的吸收性不能令人滿意，因此在所形成的光刻膠圖案中可能產(chǎn)生截槽。如果所述光吸收劑的量大于50％重量比，則所述有機抗反射涂層的粘附性較低，且所述有機抗反射涂層可被光刻膠組合物的溶劑溶解。
通過使用用于形成本發(fā)明的有機抗反射涂層的組合物來形成半導(dǎo)體元件圖案的方法包含以下步驟將用于形成所述有機抗反射涂層的所述組合物應(yīng)用到蝕刻層上；通過對應(yīng)用到該蝕刻層上的組合物進行硬化例如熱硬化形成有機抗反射涂層；通過將光刻膠組合物應(yīng)用到該有機抗反射涂層上形成光刻膠層，將該光刻膠層暴露于預(yù)定圖案的照射光，并顯影曝光后的光刻膠層來形成光刻膠圖案；以所形成的光刻膠圖案作為掩模，通過蝕刻該有機抗反射涂層和蝕刻層來形成蝕刻圖案。其中形成所述有機抗反射涂層的方法如上所述。所述的光刻膠圖案形成步驟是常規(guī)方法，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員根據(jù)所述光刻膠組合物可容易地實現(xiàn)。例如，通過諸如旋涂的常規(guī)方法將所述光刻膠組合物應(yīng)用或涂布到所述有機抗反射涂層上，以及通過預(yù)定圖案的光-掩模將所述光刻膠層暴露于照射光?？墒褂肒rF(248nm)，ArF(193nm)，F(xiàn)2(157nm)準分子激光器、電子束、EUV(遠紫外線)、VUV(真空紫外線)、X射線、離子束等作為發(fā)射所述照射光的光源。優(yōu)選的光源是KrF準分子激光器。本發(fā)明的組合物可用于乳化-光刻(emulsion-lithography)法。并且，形成所述光刻膠圖案的方法可任意地包括在所述曝光過程之前或之后烘焙所述光刻膠層的步驟，優(yōu)選的烘焙溫度為70-200℃。如果所述烘焙溫度低于70℃，則所述光刻膠組合物中的有機溶劑可能未充分地蒸發(fā)。如果該烘焙溫度高于200℃，則所述光刻膠組合物可能熱解?？赏ㄟ^使用常規(guī)的含水顯影液(aqueousdeveloper)實現(xiàn)所述顯影過程，以及例如通過使用0.01-5％重量比的TMAH(四甲基氫氧化銨)溶液。在下一步中，通過使用所形成的光刻膠圖案作為掩模蝕刻所述有機抗反射涂層和所述蝕刻層來形成所述蝕刻層圖案。可通過常規(guī)干蝕刻法實現(xiàn)該蝕刻過程。通過蝕刻所述有機抗反射涂層和所述蝕刻層來形成所述半導(dǎo)體元件圖案。
在使用前，作為用于形成本發(fā)明的有機抗反射涂層的所述組合物組分的聚合物和光吸收劑可用離子交換柱、過濾器和/或萃取方法來純化。通過這類純化方法，可降低該聚合物和光吸收劑中的金屬離子或其它粒子的濃度。優(yōu)選地，所述金屬離子的濃度可降低到該組合物總量的50ppm。如上所述，在顯影所述光刻膠層后，蝕刻所述有機抗反射涂層。因此，所述金屬離子濃度的降低防止了蝕刻步驟后所述半導(dǎo)體品質(zhì)的降級。
在下文中，為了更好地理解本發(fā)明提供了優(yōu)選的實施例。但是，本發(fā)明不局限于以下的實施例。
苯偶酰單肟丙烯酸酯氧化物的制備如以下反應(yīng)1所示，將得自苯偶酰單肟與氯代丙烯酸酯的反應(yīng)的30g苯偶酰單肟丙烯酸酯與1L氯仿加入到2L反應(yīng)器中，并且在冰水中攪拌冷卻。將47g的3-氯過氧苯甲酸(mCPBA)緩慢地加入到該冷卻的溶液中，在室溫下反應(yīng)24小時。反應(yīng)完成后，通過過濾所得產(chǎn)物去除3-氯苯甲酸(副產(chǎn)物)，然后通過用飽和的亞硫酸鈉水溶液洗滌2次、用飽和的碳酸氫鈉水溶液洗滌1次、用飽和的氯化鈉水溶液洗滌1次以及用蒸餾水洗滌1次來除去殘余的3-氯苯甲酸。然后，用硫酸鎂干燥該產(chǎn)物，并減壓除去氯仿，然后該產(chǎn)物真空干燥1天，獲得25.5g的純苯偶酰單肟丙烯酸酯氧化物。在圖1中顯示了所獲得的苯偶酰單肟丙烯酸酯氧化物的NMR圖譜。
2-羥乙基-氧羰基環(huán)氧乙烷的制備如以下反應(yīng)式2所示，除了用30g的2-羥乙基-丙烯酸酯(HEA)代替30g的苯偶酰單肟丙烯酸酯外，執(zhí)行制備實施例1的所述反應(yīng)，獲得23g的2-羥乙基-氧羰基環(huán)氧乙烷。
[制備實施例3]縮水甘油基-氧羰基環(huán)氧乙烷的制備如以下反應(yīng)式3所示，除了用30g的縮水甘油基丙烯酸酯代替30g的苯偶酰單肟丙烯酸酯外，執(zhí)行制備實施例1的所述反應(yīng)，獲得20g的縮水甘油基-氧羰基環(huán)氧乙烷。
[制備實施例4]甲基-氧羰基環(huán)氧乙烷的制備如以下反應(yīng)式4所示，除了用30g的甲基丙烯酸酯代替30g的苯偶酰單肟丙烯酸酯外，執(zhí)行制備實施例1的所述反應(yīng)，獲得22g的甲基-氧羰基環(huán)氧乙烷。
[實施例1]聚合物的制備如以下反應(yīng)式5所示，將20g制備實施例1制備的苯偶酰單肟丙烯酸酯氧化物，8g制備實施例2制備的2-羥乙基-氧羰基環(huán)氧乙烷，8g制備實施例3制備的縮水甘油基-氧羰基環(huán)氧乙烷和6g制備實施例4制備的甲基-氧羰基環(huán)氧乙烷加入到500mL燒瓶中，并用150mL二氯甲烷溶解，然后將溶液在冰水中攪拌和冷卻。隨后，將3mL的聚合催化劑三氟化硼二乙醚用注射器非常緩慢地滴加到該溶液中。將該反應(yīng)產(chǎn)物的溫度升高到室溫后，在氮氣氛中反應(yīng)4天。在反應(yīng)完成后，將該反應(yīng)產(chǎn)物傾入3L水中進行沉淀，獲得純的固體反應(yīng)產(chǎn)物。將所得產(chǎn)物過濾并干燥，得到33.5g通式4所示的聚合物。用NMR測量該聚合物中各重復(fù)單元的摩爾比，a，b，c和d分別為25％摩爾比、30％摩爾比、30％摩爾比和15％摩爾比。用GPC測量的重均分子量為13,300，用DSC測量的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)為162℃。該聚合物的多分散性(PD)為1.72。
[實施例2]用于形成有機抗反射涂層的組合物的制備將0.13g實施例1中制備的聚合物，0.091g下式8所示的光吸收劑，0.06g交聯(lián)劑聚乙烯苯酚，0.01g酸發(fā)生劑2-羥己基-對甲苯磺酸酯和13.67g丙二醇單甲醚乙酸酯(PGMEA)混合，得到用于形成有機抗反射涂層的組合物。
[實施例3]形成有機抗反射涂層將實施例2中制備的用于形成有機抗反射涂層的組合物均勻地應(yīng)用到厚度350的硅底物上，并在205℃硬化90秒以形成有機抗反射涂層。將作為光刻膠組合物常規(guī)溶劑的33.3％重量比的2-庚酮、33.3％重量比的乙酸乙酯(EL)和33.4％重量比的丙二醇單甲醚乙酸酯的混合物充分地噴灑到所產(chǎn)生的有機抗反射涂層上，然后靜置1分鐘，使所述底物以5000rpm的速度旋轉(zhuǎn)同時干燥30秒，并且在加熱板上在100℃加熱60秒。在用所述溶劑混合物處理后，所述有機抗反射涂層的厚度損失為0％。
用于形成本發(fā)明的有機抗反射涂層的所述聚合物對照射光具有高吸收性，因此可防止駐波、截槽和開槽的發(fā)生。另外，所述聚合物易于形成所述有機抗反射涂層，并提高蝕刻速度和對底物的粘附性。用于形成有機抗反射涂層的所述組合物對光刻過程中從蝕刻層反射的照射光具有高吸收性，例如來自KrF準分子激光器的248nm照射光，且該組合物改善了所述有機抗反射涂層的收縮穩(wěn)定性和涂布均勻性，并減少了因光刻膠溶劑造成的所述涂層的厚度損失。
權(quán)利要求
1.用于形成有機抗反射涂層的聚合物，包含以下式1和通式2所示的重復(fù)單元，[式1] [通式2] 其中，R為取代的或未取代的C1-C5烷基。
2.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中R選自甲基、2-羥乙基、2-羥丙基和縮水甘油基。
3.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中式1和通式2所示的重復(fù)單元占所述聚合物的總重復(fù)單元的摩爾比獨立地為0.1-99.9％，且所述聚合物的重均分子量為5,000-50,000。
4.如權(quán)利要求1所述的聚合物，其中所述聚合物如以下通式3或通式4所示，[通式3] [通式4] 其中，a，b，c和d為各重復(fù)單元占所述聚合物的總重復(fù)單元的摩爾分數(shù)，且a∶b∶c∶d的比為0.1-90％∶0.1-90％∶0.1-90％∶0.1-90％。
5.用于形成有機抗反射涂層的組合物，包括包含式1和通式2所示的重復(fù)單元的聚合物；光吸收劑；和溶劑。
6.如權(quán)利要求5所述的用于形成所述有機抗反射涂層的組合物，其中所述光吸收劑是以下通式7所示的化合物，[通式7] 其中，R1到R9獨立地為氫、羥基、鹵素、硝基、氨基、具有或沒有羥基的C1-C8烷基、具有或沒有羰基的C1-C8烷氧基、苯基、C5-C10環(huán)烷基、C5-C10芳基-烷基、C5-C10烷基-芳基，且R1到R9中至少一個不為氫。
7.如權(quán)利要求5所述的用于形成所述有機抗反射涂層的組合物，其中所述溶劑選自丁內(nèi)酯、環(huán)戊酮、環(huán)己酮、二甲基乙酰胺、二甲基甲酰胺、二甲基亞砜、N-甲基吡咯烷酮、四氫呋喃甲醇、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙酸乙酯及其混合物。
8.如權(quán)利要求5所述的用于形成所述有機抗反射涂層的組合物，其中所述聚合物的量為0.1-30％重量比，所述光吸收劑的量為0.1-30％重量比，且所述溶劑的量為40-99.8％重量比。
9.用于形成半導(dǎo)體元件圖案的方法，包括如下步驟將用于形成有機抗反射涂層的組合物應(yīng)用到蝕刻層上，所述組合物包括包含式1和通式2所示的重復(fù)單元的聚合物、光吸收劑，以及溶劑；通過使應(yīng)用到所述蝕刻層上的所述組合物硬化來形成所述有機抗反射涂層；通過將光刻膠組合物應(yīng)用到所述有機抗反射涂層上形成光刻膠層，將所述光刻膠層暴露于預(yù)定圖案的照射光，并顯影所述曝光后的光刻膠層來形成光刻膠圖案；以及以所形成的光刻膠圖案作為掩模，蝕刻所述有機抗反射涂層和所述蝕刻層形成蝕刻圖案。
全文摘要
本發(fā)明公開了用于形成有機抗反射涂層的聚合物以及包含該聚合物的組合物，其中該有機抗反射涂層位于蝕刻層和光刻膠層之間，并且在光刻過程中吸收照射光。該用于形成有機抗反射涂層的聚合物具有如式1和通式2所示的重復(fù)單元，其中R為取代的或未取代的C
文檔編號G03F7/11GK1827659SQ20061005860
公開日2006年9月6日 申請日期2006年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月2日
發(fā)明者金相廷, 金德倍, 金宰賢 申請人:株式會社東進世美肯