專利名稱：一種tft lcd陣列基板結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)陣列基板結(jié)構(gòu)及其制造方法，尤其涉及一種用3次光刻工藝制造的TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
以TFT LCD為代表的液晶顯示作為一種重要的平板顯示方式，近十年里有了飛速的發(fā)展，受到人們的廣泛關(guān)注。由于各廠商之間的劇烈競(jìng)爭(zhēng)和TFT LCD制造技術(shù)的不斷進(jìn)步，顯示質(zhì)量?jī)?yōu)良，價(jià)格更加便宜的液晶顯示器被不斷推向市場(chǎng)。因此，采用更加先進(jìn)的制造技術(shù)，簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝，降低生產(chǎn)成本成為TFT LCD生產(chǎn)廠商在劇烈競(jìng)爭(zhēng)中得以生存的重要保證。
TFT LCD陣列基板的制造技術(shù)經(jīng)歷了從7次光刻技術(shù)(7Mask)到目前的5次光刻技術(shù)(5Mask)的發(fā)展過(guò)程，5Mask技術(shù)成為現(xiàn)在的TFT LCD陣列基板制造的主流。
部分廠商現(xiàn)在也開始在4Mask技術(shù)，4Mask技術(shù)是以5Mask技術(shù)為基準(zhǔn)，利用灰色調(diào)光刻(Gray Tone Mask)工藝，將有源層光刻(ActiveMask)與源漏電極光刻(S/D Mask)合并成一個(gè)Mask，通過(guò)調(diào)整刻蝕(Etch)工藝，從而完成原來(lái)Active Mask和S/D Mask的功能，即通過(guò)一次Mask工藝達(dá)到兩次Mask工藝的效果。
Gray Tone Mask技術(shù)是在Mask上使用帶有條狀(Slit)的圖形，通過(guò)光線的干涉和衍射效應(yīng)，在Mask上形成半透明的圖形區(qū)域。在曝光過(guò)程中，光線只能部分透過(guò)半透明區(qū)域。通過(guò)控制曝光量，可以使光線通過(guò)Mask上的Gray Tone區(qū)域后照射到光刻膠上，使光刻膠只能部分曝光，而其他部分可以充分曝光。顯影后，完全曝光區(qū)域沒(méi)有光刻膠，未充分曝光的區(qū)域光刻膠的厚度就會(huì)小于完全未曝光的區(qū)域，從而在光刻膠上形成三維立體結(jié)構(gòu)。通過(guò)控制Gray Tone區(qū)域的透過(guò)率，即線條區(qū)域與空白區(qū)域的“占空比”，可以控制光刻膠的厚度。這種在光刻掩膜板上使用半透明圖形從而在光刻膠上形成厚度不同的三維圖案的方法被統(tǒng)稱為Gray Tone Mask技術(shù)。
5Mask技術(shù)包括5次光刻工藝，它們分別是柵電極光刻(Gate Mask)，有源層光刻(Active Mask)，源漏電極光刻(S/D Mask)，過(guò)孔光刻(ViaHole Mask)和像素電極光刻(Pixel Mask)。在每一個(gè)Mask工藝步驟中又分別包括一次或多次薄膜沉積(Thin Film Deposition)工藝和刻蝕工藝(包括干法刻蝕Dry Etch和濕法刻蝕Wet Etch)工藝，形成了5次薄膜沉積→光刻→刻蝕的循環(huán)過(guò)程。具體工藝過(guò)程如圖2。
經(jīng)過(guò)以上的5Mask工藝流程所得到的TFT LCD陣列基板的典型像素單元如圖1所示。
盡管現(xiàn)有的5Mask或者4Mask制造工藝技術(shù)相對(duì)于原來(lái)的7Mask技術(shù)，在工藝流程上大大簡(jiǎn)化，設(shè)備利用率和產(chǎn)能也大幅提高，但是其仍然存在工藝流程復(fù)雜，產(chǎn)能和設(shè)備利用率不高等缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是針對(duì)技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，提供一種減少光刻過(guò)程，從而減少工藝步驟，提高產(chǎn)能和降低成本；以及提高設(shè)備的利用率，降低工藝時(shí)間，提高生產(chǎn)效率的TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)及其制造方法。
本發(fā)明提供一種TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)，包括基板、柵線、柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層及數(shù)據(jù)線等部分，基板、柵線、柵電極、柵絕緣層和半導(dǎo)體層的上方覆蓋有絕緣介質(zhì)層，其中位于半導(dǎo)體層上方的絕緣介質(zhì)層兩側(cè)有過(guò)孔，歐姆接觸層沉積在過(guò)孔內(nèi)，像素電極通過(guò)過(guò)孔內(nèi)歐姆接觸層與半導(dǎo)體層歐姆接觸，源電極和漏電極位于像素電極的上方。
其中，所述歐姆接觸層為微晶硅材料。所述絕緣介質(zhì)層為由N+a-Si層與Mo、Cr、W或它們的合金金屬層所構(gòu)成的復(fù)合層。所述數(shù)據(jù)線與源電極為一體結(jié)構(gòu)。所述柵線和柵電極為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。所述柵絕緣層或絕緣介質(zhì)層為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。所述源漏電極或數(shù)據(jù)線為Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
本發(fā)明同時(shí)也提供一種TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟一，采用濺射工藝在基板上沉積柵金屬層，然后采用化學(xué)氣相沉積法依次沉積柵絕緣介質(zhì)層和半導(dǎo)體層，利用灰色調(diào)掩膜板進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成柵線、柵電極、柵絕緣層和薄膜晶體管半導(dǎo)體層部分；步驟二，在完成步驟一的基板上，采用化學(xué)氣相沉積法沉積絕緣介質(zhì)層，進(jìn)行過(guò)孔掩膜和刻蝕工藝，形成位于半導(dǎo)體層上方的絕緣介質(zhì)層兩側(cè)的過(guò)孔；步驟三，在步驟二形成過(guò)孔中制作歐姆接觸層；步驟四，在完成步驟三的基板上，采用濺射工藝沉積像素電極層，源漏電極金屬層，利用灰色調(diào)掩膜板進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成像素電極、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線，其中形成的漏電極和數(shù)據(jù)線為一體相連。
其中，所述步驟一中采用灰色調(diào)掩膜板進(jìn)行掩膜時(shí)，使形成柵線和柵電極部位對(duì)應(yīng)掩膜板的部分透光部位，形成薄膜晶體管部位對(duì)應(yīng)掩膜板的不透光部位，其他部位對(duì)應(yīng)掩膜板的完全透光部位。所述步驟四中采用灰色調(diào)掩膜板進(jìn)行掩膜時(shí)，使形成像素電極部位對(duì)應(yīng)掩膜板的部分透光部位，形成漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線部位對(duì)應(yīng)掩膜板的不透光部位，其他部位對(duì)應(yīng)掩膜板的完全透光部位。所述步驟三制作歐姆接觸層可以為在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積室中通入PH3和H2，使PH3在H2等離子的狀態(tài)下與過(guò)孔部分的a-Si進(jìn)行界面反應(yīng)，通過(guò)控制反應(yīng)條件，生成uc-Si接觸層；也可為在過(guò)孔掩膜中采用高溫光刻膠，在工藝結(jié)束時(shí)不進(jìn)行光刻膠剝離，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法直接進(jìn)行微晶硅沉積，再通過(guò)光刻膠剝離工藝將光刻膠及光刻膠上面的微晶硅層進(jìn)行剝離掉，從而得到過(guò)孔中微晶硅層。還可為在過(guò)孔掩膜中采用高溫光刻膠，在工藝結(jié)束時(shí)不進(jìn)行光刻剝離，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法沉積一層N+a-Si，然后再沉積一層很薄的Mo、Cr、W或它們的合金金屬層，再通過(guò)光刻膠剝離工藝將光刻膠及光刻膠上面的N+a-Si和Mo、Cr、W或它們的合金金屬層剝離掉，從而得到過(guò)孔中N+a-Si與和Mo、Cr、W或它們的合金金屬層。所述步驟四中采用濺射工藝沉積像素電極層和源漏電極金屬層是在相同或不同設(shè)備中進(jìn)行連續(xù)沉積。
本發(fā)明與現(xiàn)有的5次光刻制造工藝比較主要有以下效果1、提供一種新的有別于現(xiàn)有的5Mask和4Mask技術(shù)的TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)及其制造方法。通過(guò)將原來(lái)的5Mask工藝簡(jiǎn)化為3Mask工藝，共減少兩次光刻過(guò)程，從而達(dá)到減少工藝步驟，提高生產(chǎn)效率和降低生產(chǎn)成本的目的；2、通過(guò)合并柵電極光刻和有源層光刻，可以在沉積完?yáng)沤饘賹雍笾苯舆M(jìn)行柵絕緣介質(zhì)層和半導(dǎo)體層的沉積；通過(guò)合并源漏電極和像素電極光刻，使得源漏電極金屬層和透明像素電極層可以在同一臺(tái)濺射設(shè)備中連續(xù)沉積，從而提高濺射設(shè)備的利用率。這樣就大大減少工藝時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，從而達(dá)到提高產(chǎn)能和降低生產(chǎn)成本的目的；3、為了保證像素電極層與半導(dǎo)體層具有良好的歐姆接觸，采用了微晶硅(uc-Si)材料實(shí)現(xiàn)歐姆接觸等多種不同的設(shè)計(jì)(ITO與Mo不同，與N+a-Si不能實(shí)現(xiàn)歐姆接觸)。


圖1為傳統(tǒng)的TFT LCD陣列基板像素單元平面圖形；圖2為傳統(tǒng)的5Mask工藝流程；
圖3為本發(fā)明的工藝流程；圖4為采用本發(fā)明得到的TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)典型像素單元平面圖形；圖5為圖4A-A截面圖形；圖6為圖4B-B截面圖形；圖7為本發(fā)明經(jīng)過(guò)第一塊灰色調(diào)掩膜板掩膜和刻蝕等工藝后得到的平面圖形；圖8為圖7C-C截面圖形；圖9為本發(fā)明經(jīng)過(guò)過(guò)孔掩膜和刻蝕后得到的平面圖形；圖10為圖9D-D截面圖形；圖11為本發(fā)明采用途徑(1)制作歐姆接觸層的截面圖形；圖12為本發(fā)明采用途徑(2)制作歐姆接觸層的截面圖形；圖13為本發(fā)明采用途徑(3)制作歐姆接觸層的截面圖形。
附圖標(biāo)記1、基板；6、像素電極；2、柵線和柵電極；7、數(shù)據(jù)線；3、柵絕緣層；8、絕緣介質(zhì)層；4、半導(dǎo)體層；9、高溫光刻膠；5、歐姆接觸層； 10、Mo(W或Cr或它們的合金)。
具體實(shí)施例方式
如圖3所示，為本發(fā)明的流程圖，包括如下步驟步驟一，在干凈的玻璃基板上采用濺射沉積柵金屬層，再采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)依次沉積柵絕緣介質(zhì)層和半導(dǎo)體層，通過(guò)灰色調(diào)掩膜板掩膜，其中形成柵線和柵電極部分對(duì)應(yīng)掩膜板部分透光部位，形成TFT半導(dǎo)體層部分對(duì)應(yīng)掩膜板完全不透光部位，其余部分對(duì)應(yīng)掩膜板完全透光部位，經(jīng)過(guò)曝光和刻蝕等工藝，于是得到柵線和柵電極以及TFT的柵絕緣層和半導(dǎo)體層部分。
本步驟中沉積的柵金屬層可以為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，也可為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。沉積的柵絕緣介質(zhì)層可以為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜步驟二，在上一步工藝的基礎(chǔ)上，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積一絕緣介質(zhì)層，然后進(jìn)行過(guò)孔掩膜和刻蝕工藝，在TFT的半導(dǎo)體層的兩側(cè)分別刻出過(guò)孔，為后面的像素電極層與半導(dǎo)體層實(shí)現(xiàn)歐姆接觸做好準(zhǔn)備。
本步驟中沉積的絕緣介質(zhì)層可以為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
步驟三，在步驟二形成過(guò)孔中制作歐姆接觸層。
為了實(shí)現(xiàn)像素電極即源漏電極與半導(dǎo)體層的歐姆接觸，主要采用以下幾種不同途徑(1)在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積室中通入PH3和H2，使PH3在H2等離子的狀態(tài)下與過(guò)孔部分的半導(dǎo)體層進(jìn)行界面反應(yīng)，通過(guò)控制反應(yīng)條件，在過(guò)孔中生成微晶硅層，從而為下一步沉積的像素電極通過(guò)微晶硅層與半導(dǎo)體層實(shí)現(xiàn)歐姆接觸做好準(zhǔn)備。
(2)在步驟二的掩膜光刻中采用高溫光刻膠，在工藝結(jié)束時(shí)不進(jìn)行光刻膠剝離工藝，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法直接進(jìn)行微晶硅沉積，再通過(guò)光刻膠剝離技術(shù)對(duì)光刻膠及光刻膠上面的微晶硅層進(jìn)行剝離，從而得到與途徑(1)相同的結(jié)構(gòu)，為后面沉積的像素電極通過(guò)微晶硅層與半導(dǎo)體層實(shí)現(xiàn)歐姆接觸做好準(zhǔn)備。
(3)在步驟二的掩膜光刻中采用高溫光刻膠，在工藝結(jié)束時(shí)不進(jìn)行光刻膠剝離工藝，通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積一層N+a-Si，然后再沉積一層很薄的MO(或Cr或W或它們合金)金屬層，通過(guò)光刻膠玻璃技術(shù)將光刻膠及光刻膠上的N+a-Si和Mo(或Cr，W或它們合金)金屬層剝離掉，得到與途徑(1)和(2)相類似的結(jié)構(gòu)，為后面的像素電極通過(guò)MO(或Cr或W或它們的合金)金屬層和N+a-Si與半導(dǎo)體層實(shí)現(xiàn)歐姆接觸做好了準(zhǔn)備。
步驟四，在完成上面步驟后，采用濺射方法連續(xù)沉積像素電極和源漏電極金屬層，通過(guò)灰色調(diào)掩膜板掩膜，使形成像素電極部分對(duì)應(yīng)掩膜板的部分透光部位，使形成源漏電極及數(shù)據(jù)線部分對(duì)應(yīng)掩膜板的不透光部位，其他部分對(duì)應(yīng)掩膜板的完全透光部位，經(jīng)過(guò)曝光和刻蝕等工藝后，得到像素電極、源漏電極和數(shù)據(jù)線。
本步驟中沉積的源漏電極金屬層可以為Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
經(jīng)過(guò)上述步驟得到如圖4、圖5和圖6所示的TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)，包括形成在基板1上的柵線和柵電極2、柵絕緣層3及半導(dǎo)體層4，其區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的特征主要為基板1、柵線和柵電極2、柵絕緣層3和半導(dǎo)體層4的上方覆蓋有絕緣介質(zhì)層8，且位于半導(dǎo)體層4上方的絕緣介質(zhì)層8兩側(cè)有過(guò)孔，歐姆接觸層5沉積在該過(guò)孔內(nèi)，像素電極6通過(guò)過(guò)孔內(nèi)歐姆接觸層5與半導(dǎo)體層4歐姆接觸，源電極和漏電極位于像素電極6的上方，且數(shù)據(jù)線7與源電極為一體結(jié)構(gòu)。而歐姆接觸層5除了可采用微晶硅材料，還可為由N+a-Si層與Mo、Cr、W或它們的合金金屬層所構(gòu)成的復(fù)合層。柵線和柵電極2可以為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，也可為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。柵絕緣層3或絕緣介質(zhì)層8可以為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，也可以為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。源漏電極或數(shù)據(jù)線7可以為Mo、MoW或Cr的單層膜，也可為Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
以下，參照附圖來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明優(yōu)選的制造方法。
本發(fā)明的TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)的制造方法，包括
步驟一，如圖7和圖8所示，采用磁控濺射方法，在基板(玻璃或石英等)1沉積Mo/AlND/Mo(400/4000/600)金屬層；采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，依次淀積SiNx/a-Si(5000/1000)。然后進(jìn)行灰色調(diào)掩膜版進(jìn)行掩膜和曝光，并用反應(yīng)離子刻蝕(RIE)等方法形成柵線和柵電極2、TFT部分的柵絕緣層3和半導(dǎo)體層4。
步驟二，如圖9和圖10所示，在完成步驟一的基板上，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，沉積一層絕緣介質(zhì)層8，為SiNx(2000)，進(jìn)行過(guò)孔掩膜，并采用干法刻蝕的方法刻蝕，在半導(dǎo)體層上方的絕緣層介質(zhì)層兩側(cè)刻蝕出ITO與a-Si通過(guò)歐姆接觸層連接的過(guò)孔。
步驟三，在步驟二形成的基礎(chǔ)上，采用下列途徑制作歐姆接觸層5。
(1)如圖11所示。通過(guò)PH3在H2 Plasma條件下與步驟二中形成的過(guò)孔的a-Si層進(jìn)行界面反應(yīng)生成uc-Si(～200)。
(2)如圖12所示。在步驟二中進(jìn)行過(guò)孔掩膜時(shí)，采用高溫光刻膠9，在曝光和刻蝕形成過(guò)孔后，不剝離的高溫光刻膠9，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，沉積一層uc-Si(200)，再通過(guò)光刻膠剝離(Lift Off)技術(shù)將不需要部分uc-Si層和光刻膠剝離掉，從而僅剩下過(guò)孔部分中有uc-Si層。
(3)如圖13所示。在步驟二中進(jìn)行過(guò)孔掩膜時(shí)，采用高溫光刻膠9，在曝光和刻蝕等工藝形成過(guò)孔后，不剝離的高溫光刻膠9，采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積一層N+a-Si(200)，濺射方法沉積一層Mo10(Cr或W或者它們的合金)(200)，再用光刻膠剝離(Lift Off)技術(shù)將不需要的N+a-Si層和Mo金屬層(Cr或W或者它們的合金)和光刻膠剝離掉，從而僅剩下過(guò)孔部分中有N+a-Si層和Mo金屬層(Cr或W或者它們的合金)。
步驟四，在完成步驟三的基板上，采用濺射方法，連續(xù)沉積ITO(500)金屬層，Mo(Cr、W或它們的合金)(3000)金屬層，并進(jìn)行灰色調(diào)掩膜板進(jìn)行掩膜、曝光和刻蝕等工藝，形成像素電極6與源漏電極和數(shù)據(jù)線7，其中數(shù)據(jù)線7與源電極為一體結(jié)構(gòu)，如圖4、圖5和圖6所示。
通過(guò)以上方法采用3Mask工藝的制造方法，得到了完整的TFT陣列基板結(jié)構(gòu)，在減少工藝步驟，降低生產(chǎn)成本和提高生產(chǎn)效率的同時(shí)，提高Sputter設(shè)備的生產(chǎn)效率和利用率，同時(shí)提供了一種新的有別于現(xiàn)有5Mask技術(shù)和4Mask技術(shù)的TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)的制造方法。
本實(shí)施例僅給出了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的一種實(shí)施方案，但此方案和方案中的器件結(jié)構(gòu)以及工藝條件是可以變化的，但這種變化不能偏離Gate電極和a-Si的TFT部分在同一Mask下形成，ITO像素電極層和S/D電極層連續(xù)沉積并采用Gray Tone技術(shù)在同一Mask下形成的精神和范疇。
權(quán)利要求
1.一種TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)，包括基板、柵線、柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層及數(shù)據(jù)線，其特征在于所述基板、柵線、柵電極、柵絕緣層和半導(dǎo)體層的上方覆蓋有絕緣介質(zhì)層，其中位于半導(dǎo)體層上方的絕緣介質(zhì)層兩側(cè)有過(guò)孔，歐姆接觸層沉積在過(guò)孔內(nèi)，像素電極通過(guò)過(guò)孔內(nèi)歐姆接觸層與半導(dǎo)體層歐姆接觸，源電極和漏電極位于像素電極的上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述歐姆接觸層為微晶硅材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述絕緣介質(zhì)層為由N+a-Si層與Mo、Cr、W或者它們的合金金屬層所構(gòu)成的復(fù)合層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述數(shù)據(jù)線與源電極為一體結(jié)構(gòu)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述柵線和柵電極為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述柵絕緣層或絕緣介質(zhì)層為SiNx、SiOx或SiOxNy的單層膜，或者為SiNx、SiOx或SiOxNy之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的陣列基板結(jié)構(gòu)，其特征在于所述源、漏電極或數(shù)據(jù)線為Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜。
8.一種TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括步驟一，采用濺射工藝在基板上沉積柵金屬層，然后采用化學(xué)氣相沉積法依次沉積柵絕緣介質(zhì)層和半導(dǎo)體層，利用灰色調(diào)掩膜板進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成柵線、柵電極、柵絕緣層和薄膜晶體管半導(dǎo)體層部分；步驟二，在完成步驟一的基板上，采用化學(xué)氣相沉積法沉積絕緣介質(zhì)層，進(jìn)行過(guò)孔掩膜和刻蝕工藝，形成位于半導(dǎo)體層上方的絕緣介質(zhì)層兩側(cè)的過(guò)孔；步驟三，在步驟二形成過(guò)孔中制作歐姆接觸層；步驟四，在完成步驟三的基板上，采用濺射工藝沉積像素電極層，源漏電極金屬層，利用灰色調(diào)掩膜板進(jìn)行掩膜和刻蝕，形成像素電極、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線，其中形成的漏電極和數(shù)據(jù)線為一體相連。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述步驟一中采用灰色調(diào)掩膜板進(jìn)行掩膜時(shí)，使形成柵線和柵電極部位對(duì)應(yīng)掩膜板的部分透光部位，形成薄膜晶體管部位對(duì)應(yīng)掩膜板的不透光部位，其他部位對(duì)應(yīng)掩膜板的完全透光部位。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述步驟四中采用灰色調(diào)掩膜板進(jìn)行掩膜時(shí)，使形成像素電極部位對(duì)應(yīng)掩膜板的部分透光部位，形成漏電極、源電極和數(shù)據(jù)線部位對(duì)應(yīng)掩膜板的不透光部位，其他部位對(duì)應(yīng)掩膜板的完全透光部位。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述步驟三制作歐姆接觸層具體為在等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積室中通入PH3和H2，使PH3在H2等離子的狀態(tài)下與過(guò)孔部分的a-Si進(jìn)行界面反應(yīng)，通過(guò)控制反應(yīng)條件，生成uc-Si接觸層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述步驟三制作歐姆接觸層具體為在過(guò)孔掩膜中采用高溫光刻膠，在工藝結(jié)束時(shí)不進(jìn)行光刻膠剝離，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法直接進(jìn)行微晶硅沉積，再通過(guò)光刻膠剝離工藝將光刻膠及光刻膠上面的微晶硅層進(jìn)行剝離掉，從而得到過(guò)孔中微晶硅層。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述步驟三制作歐姆接觸層具體為在過(guò)孔掩膜中采用高溫光刻膠，在工藝結(jié)束時(shí)不進(jìn)行光刻剝離，通過(guò)化學(xué)氣相沉積法沉積一層N+a-Si，然后再沉積一層很薄的Mo、Cr、W或它們的合金金屬層，再通過(guò)光刻膠剝離工藝將光刻膠及光刻膠上面的N+a-Si和Mo、Cr、W或它們的合金金屬層剝離掉，從而得到過(guò)孔中N+a-Si與和Mo、Cr、W或它們的合金金屬層。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于所述步驟四中采用濺射工藝沉積像素電極層和源漏電極金屬層是在相同或不同設(shè)備中進(jìn)行連續(xù)沉積。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種TFT LCD陣列基板結(jié)構(gòu)，包括基板、柵線、柵電極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層和數(shù)據(jù)線，其特征在于所述基板、柵線、柵電極、柵絕緣層和半導(dǎo)體層的上方覆蓋有絕緣介質(zhì)層，其中位于半導(dǎo)體層上方的絕緣介質(zhì)層兩側(cè)有過(guò)孔，歐姆接觸層沉積在過(guò)孔內(nèi)，像素電極通過(guò)過(guò)孔內(nèi)歐姆接觸層與半導(dǎo)體層歐姆接觸，源電極和漏電極位于像素電極的上方。本發(fā)明同時(shí)也公開了該基板結(jié)構(gòu)的制造方法。本發(fā)明通過(guò)將原來(lái)的5Mask工藝簡(jiǎn)化為3Mask工藝，共減少兩次光刻過(guò)程，從而達(dá)到減少工藝步驟的目的；同時(shí)本發(fā)明通過(guò)合并源漏電極和像素電極光刻，使得源漏電極金屬層和透明像素電極層可以在同一臺(tái)濺射設(shè)備中連續(xù)沉積，從而提高濺射設(shè)備的利用率。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK101078843SQ20061008064
公開日2007年11月28日 申請(qǐng)日期2006年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月23日
發(fā)明者鄧朝勇, 林承武 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司