專利名稱：分色濾光陣列的形成方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種濾光膜層的形成方法，尤其涉及一種分色濾光陣列的形成方法。
背景技術：
近年來，各種顯示器廣泛地應用于日常生活上，如電視、計算機、投影機、手機以及個人影音配件等，其包含液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)、場發(fā)射顯示器(Field Emission Display，F(xiàn)ED)、有機發(fā)光二極管(OrganicLight Emitting Diode，OLED)、以及等離子體顯示器(Plasma Display Panel，PDP)。
各類型顯示器的差異在于其成像方式，其中一種為利用光源、一些棱鏡組所構成的光學元件以及多個對應各個光束的面板(panel)，其原理為棱鏡組利用將光源(白光)分成紅光、綠光以及藍光(R，G，B)三原色光束后，再分別經(jīng)由三個面板的調(diào)變以搭載影像信號于三道光束中，最后經(jīng)由雙向棱鏡與鏡頭等光學元件合成影像。而上述三個面板是一種微型顯示器(micro-display)。
微型顯示器可以應用于各類型顯示器，如液晶顯示器或是有機發(fā)光二極管顯示器。而微型顯示器可以架構于不同基板上，因此成像方式也不同。舉例來說，微型顯示器應用于液晶顯示器中稱為微型液晶面板，其可分為穿透式液晶微型顯示面板與反射式液晶微型顯示面板兩大類，穿透式液晶微型顯示面板大都架構于玻璃基板上，而反射式液晶微型顯示面板則常見架構于硅基板上，又稱作單晶硅反射液晶面板(Liquid Crystal on Silicon display panel，LCOS display panel)，利用硅晶片作為基板的LCOS液晶面板是以金屬氧化物半導體晶體管(MOS transistor)取代傳統(tǒng)液晶顯示器的薄膜晶體管，而其像素電極(pixel electrode)是以金屬材料為主。
然而，為了進一步降低成本以及縮小顯示器的體積，目前業(yè)界正朝著將三片面板縮減成兩片甚至一片的目標研發(fā)，而當使用兩片或一片面板時，就必須將三原色光束合并成兩道或一道，也就是說抵達面板的光束包含二至三原色。因此，必須在面板(即微型顯示器)上增設不同的濾光膜層，將包含二至三原色的光束分離，亦即在面板上制作多色的分色濾光陣列。但是，分色濾光陣列的工藝步驟相當復雜且困難，使得工藝花費更多步驟與時間。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供一種分色濾光陣列的形成方法，以于一片微型顯示器上設置兩種不同原色的分色濾光單元交錯排列的陣列。
本發(fā)明的另一目的是提供一種分色濾光陣列的形成方法，以于一片微型顯示器上設置三種不同原色的分色濾光單元交錯排列的陣列。
本發(fā)明提出一種分色濾光陣列的形成方法，此種分色濾光陣列適用于微型顯示器中。此方法是先于基底上形成第一分色濾光材料層。接著，于第一分色濾光材料層上，形成圖案化光致抗蝕劑層。然后，移除暴露的第一分色濾光材料層，以形成多個第一分色濾光單元。繼之，于基底與圖案化光致抗蝕劑層上形成第二分色濾光材料層。隨后，移除圖案化光致抗蝕劑層以及圖案化光致抗蝕劑層上的第二分色濾光材料層，將第一分色濾光單元之間的第二分色濾光材料層轉換為多個第二分色濾光單元，其中第一分色濾光單元與第二分色濾光單元組成分色濾光陣列。
依照本發(fā)明的一實施例所述，于上述中形成第一分色濾光材料層的步驟之后，還包括于第一分色濾光材料層上，形成硬掩模層。之后，于上述中移除圖案化光致抗蝕劑層的步驟之后，還包括移除第一分色濾光單元上的硬掩模層。硬掩模層的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述的基底例如是選自透明基板與硅基板所組成的族群其中之一。其中，硅基板中有控制元件，用以控制分色濾光陣列。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述的移除圖案化光致抗蝕劑層與圖案化光致抗蝕劑層上的第二分色濾光材料層的方法包括剝離法(lift-off)。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述的移除暴露的第一分色濾光材料層的方法包括以圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行干式蝕刻工藝。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述的第一分色濾光材料層與第二分色濾光材料層的材料包括由氧化鈦薄層與氧化硅薄層交替堆疊形成的疊層，其形成方法包括蒸鍍法、濺鍍法或化學氣相沉積法。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述的第一分色濾光單元與第二分色濾光單元的濾光波段不同。
本發(fā)明提出一種分色濾光陣列的形成方法。此方法包括先于基底上形成第一分色濾光材料層。接著，于第一分色濾光材料層上，形成第一圖案化光致抗蝕劑層。然后，移除暴露的第一分色濾光材料層，以形成多個第一分色濾光單元。繼之，于基底與第一圖案化光致抗蝕劑層上形成第二分色濾光材料層。隨后，移除第一圖案化光致抗蝕劑層以及第一圖案化光致抗蝕劑層上的第二分色濾光材料層，將第一分色濾光單元之間的第二分色濾光材料層轉換為多個第二分色濾光單元，其中第一分色濾光單元與第二分色濾光單元組成第一分色濾光陣列。之后，于第一分色濾光陣列上，形成第二圖案化光致抗蝕劑層。接著，移除暴露的第一分色濾光陣列，以形成第二分色濾光陣列，并暴露部分基底。然后，于基底與第二圖案化光致抗蝕劑層上形成第三分色濾光材料層。而后，移除第二圖案化光致抗蝕劑層以及第二圖案化光致抗蝕劑層上的第三分色濾光材料層，將第二分色濾光陣列之間的第三分色濾光材料層轉換為多個第三分色濾光單元，其中第二分色濾光陣列與第三分色濾光單元組成一第三分色濾光陣列。
依照本發(fā)明的一實施例所述，于上述中形成第一分色濾光材料層的步驟之后，還包括于第一分色濾光材料層上，形成第一硬掩模層。之后，于上述中移除第一圖案化光致抗蝕劑層的步驟之后，還包括移除第一分色濾光單元上的第一硬掩模層。其中，第一硬掩模層的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
依照本發(fā)明的一實施例所述，于上述中形成第一分色濾光陣列的步驟之后，還包括于第一分色濾光陣列上，形成第二硬掩模層。之后，于上述中移除第二圖案化光致抗蝕劑層的步驟之后，還包括移除第二分色濾光陣列上的第二硬掩模層。其中，第二硬掩模層的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述的基底例如是選自透明基板與硅基板所組成的族群其中之一。其中，硅基板中有控制元件，用以控制分色濾光陣列。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述中移除第一圖案化光致抗蝕劑層與第一圖案化光致抗蝕劑層上的第二分色濾光材料層的方法包括剝離法(lift-off)。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述中移除第二圖案化光致抗蝕劑層與第二圖案化光致抗蝕劑層上的第三分色濾光材料層的方法包括剝離法(lift-off)。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述中移除暴露的第一分色濾光材料層的方法包括以第一圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行一干式蝕刻工藝。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述中移除暴露的第一分色濾光陣列的方法包括以第二圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行一干式蝕刻工藝。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述的第一分色濾光材料層、第二分色濾光材料層與第三分色濾光材料層包括氧化鈦薄層與氧化硅薄層交替堆疊形成的疊層，其形成方法包括蒸鍍法、濺鍍法或化學氣相沉積法。
依照本發(fā)明的一實施例所述，上述的第一分色濾光單元、第二分色濾光單元與第三分色濾光單元的濾光波段不同。
本發(fā)明在微型顯示器上增設分色濾光陣列，此分色濾光陣列具有兩種以上不同濾光波段的分色濾光單元，因此顯示器只需使用兩片甚至一片微型顯示器，以降低成本并可以縮小體積。另外，分色濾光陣列的制作過程大幅簡化，使得體積小的多色濾光陣列元件可以快速完成。而分色濾光陣列中的每一個分色濾光單元的厚度均勻且表面平坦，可以加強微型顯示器的成品率。此外，分色濾光陣列的厚度可依需求而設計，使顯示器達到最佳用電量與最佳濾光效能。
為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，以下配合附圖以及優(yōu)選實施例，以更詳細地說明本發(fā)明。


圖1A至圖1D為依照本發(fā)明的一實施例所繪示的分色濾光陣列的形成方法的結構剖面示意圖；圖2A至圖2H為依照本發(fā)明的另一實施例所繪示的分色濾光陣列的形成方法的結構剖面示意圖。
簡單符號說明100、200基底110、140、210、240、280分色濾光材料層112、142、212、242、282分色濾光單元
120、220、260、122、222、262硬掩模層130、230、270光致抗蝕劑層132、232、272圖案化光致抗蝕劑層150、250、290分色濾光陣列具體實施方式
為了降低顯示器的成本以及縮小其體積，本發(fā)明將微型顯示器的數(shù)量減少，也就是合并入射至微型顯示器的原色光束。而當一個微型顯示器接收兩種以上的原色，就必須增設不同濾光波段的分色濾光陣列，使微型顯示器分劃成多個單元，每個相鄰的單元接收不同原色光束，接著再接受數(shù)字處理以成像。
圖1A至圖1D為依照本發(fā)明的一實施例所繪示的分色濾光陣列的形成方法的結構剖面示意圖，此種分色濾光陣列例如是適用于微型顯示器中。
首先，請參照圖1A，于基底100上形成第一分色濾光材料層110。然后，于第一分色濾光材料層110上形成光致抗蝕劑層130。其中，基底100例如是選自透明基板與硅基板所組成的族群其中之一，視其所制成的元件應用的顯示器的種類，且基板中通常已形成有所需的材料層或集成電路，如硅基板中有控制元件，用以控制后續(xù)形成的分色濾光陣列。舉例來說，單晶硅反射液晶面板(LCOS)使用硅基板，硅基板中有互補式晶體管的集成電路，而硅基板上依序設置有反射單元陣列、液晶層等材料層。
另外，第一分色濾光材料層110例如是多層不同材料的薄膜交替堆疊的疊層，其材料可以是金屬薄膜、介電材料層等，因此其形成方法可以是蒸鍍法、濺鍍法或化學氣相沉積法。在一優(yōu)選實施例中，例如是由氧化鈦薄層與氧化硅薄層交替堆疊形成的疊層。值得注意的是，第一分色濾光材料層110的厚度若太厚就必須增強光源，增加整個元件的用電量，但若太薄則會影響濾光效能，因此以多層薄膜堆疊方式形成的第一分色濾光材料層110，比較容易控制所形成的厚度，以控制顯示器的用電量，且達到最佳濾光效能。
在一實施例中，還可以于形成光致抗蝕劑層130前，在第一分色濾光材料層110上，形成硬掩模層120。硬掩模層120的材料例如是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。形成硬掩模層120位于第一分色濾光材料層110之上，使后續(xù)移除第一分色濾光材料層110上的光致抗蝕劑層130時，不致使移除時使用的溶劑直接傷害第一分色濾光材料層110的表面。
接著，請參照圖1B，將光致抗蝕劑層130圖案化，以形成圖案化光致抗蝕劑層132，并暴露欲形成另一種濾光波段的分色濾光膜層位置中的第一分色濾光材料層110。然后，移除暴露的第一分色濾光材料層110與其上的硬掩模層120，以形成多個第一分色濾光單元112與硬掩模層122。其中，移除暴露的第一分色濾光材料層110與其上的硬掩模層120的方法例如是以圖案化光致抗蝕劑層132為掩模，進行干式蝕刻工藝。
繼之，請參照圖1C，于基底100與圖案化光致抗蝕劑層132上形成第二分色濾光材料層140。第二分色濾光材料層140例如是以不同材料層交替堆疊形成的疊層，其材料可以是金屬薄膜、介電材料層等，因此其形成方法可以是蒸鍍法、濺鍍法或化學氣相沉積法。在一優(yōu)選實施例中，例如是由氧化鈦薄層與氧化硅薄層交替堆疊形成的疊層。其中，第二分色濾光材料層140與第一分色濾光材料層110的濾光波段不同。而第二分色濾光材料層140同樣以多層薄膜堆疊方式形成，以控制顯示器的用電量及濾光效能。
隨后，請參照圖1D，移除圖案化光致抗蝕劑層132以及圖案化光致抗蝕劑層132上的第二分色濾光材料層140，將分色濾光單元112之間的第二分色濾光材料層140轉換為多個第二分色濾光單元142。而移除圖案化光致抗蝕劑層132與圖案化光致抗蝕劑層132上的第二分色濾光材料層140的方法例如是剝離法(lift off)。之后，移除第一分色濾光單元112上的硬掩模層122。其中，第一分色濾光單元112與第二分色濾光單元142組成分色濾光陣列150。
上述的剝離法是利用選擇性的有機溶液，如AZ顯影液(AZ developer)或丙酮，與圖案化光致抗蝕劑層132進行化學反應。由于光致抗蝕劑材料會與有機溶液行化學反應而產(chǎn)生膠狀(gel-like)物質，因此便可利用此步驟將圖案化光致抗蝕劑層132連同其上的第二分色濾光材料層140一起剝離。特別的是，因使用具有選擇性的有機溶液，再加上第一分色濾光單元112上尚有硬掩模層122保護，因此不會傷害或移除分色濾光陣列150，而造成厚度不均勻或表面不平坦的現(xiàn)象。
特別的是，圖案化光致抗蝕劑層132與其上的第二分色濾光材料層140是利用剝離法同時移除，可以簡化現(xiàn)有技術中形成多色的分色濾光陣列的繁復的工藝步驟，且快速完成體積小的分色濾光陣列150。另外，分色濾光陣列150是以多層不同材料的薄膜交替堆疊，再加上其上的圖案化光致抗蝕劑層132使用剝離法移除，使每個第一分色濾光單元112與第二分色濾光單元142都有相同厚度且表面平坦。如此一來，可以加強顯示器的成品率，而且厚度也可設計在能夠兼顧用電量以及濾光效能的范圍內(nèi)。
另外，第一分色濾光單元112與第二分色濾光單元142的濾光波段不同，也就是其所能穿透的波長不同，因此分色濾光陣列150使對應的基板100中的每個單元接收不同波長的光，接著再進行數(shù)字處理。因此，一塊微型顯示器便能同時處理兩種原色的光束，可降低成本與縮小體積。
圖2A至圖2H為依照本發(fā)明的另一實施例所繪示的分色濾光陣列的形成方法的結構剖面示意圖，此種分色濾光陣列例如是適用于微型顯示器中。
首先，請參照圖2A，于基底200上形成第一分色濾光材料層210。然后，于第一分色濾光材料層210上形成光致抗蝕劑層230。其中，基底200例如是選自透明基板與硅基板所組成的族群其中之一，視其所制成的元件應用的顯示器的種類，且基板中通常已形成有所需的材料層以及集成電路，如硅基板中具有控制元件，用以控制分色濾光陣列。舉例來說，單晶硅反射液晶面板(LCOS)使用硅基板，硅基板中有互補式晶體管的集成電路，而硅基板上依序設置有反射單元陣列、液晶層等材料層。
另外，第一分色濾光材料層210的材料、形成方法與特點已于上述實施例中提及，因此于此不再贅述。
在一實施例中，還可以于形成光致抗蝕劑層230前，在第一分色濾光材料層210上，形成硬掩模層220。硬掩模層220的材料例如是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。形成硬掩模層220位于第一分色濾光材料層210之上，使后續(xù)移除第一分色濾光材料層210上的光致抗蝕劑層230時，不致使移除時使用的溶劑直接傷害第一分色濾光材料層210的表面。
接著，請參照圖2B，將光致抗蝕劑層230圖案化，以形成圖案化光致抗蝕劑層232，并暴露欲形成第二種濾光波段的分色濾光膜層位置中的第一分色濾光材料層210。然后，移除暴露的第一分色濾光材料層210與其中的硬掩模層220，以形成多個第一分色濾光單元212與硬掩模層222。移除暴露的第一分色濾光材料層210與硬掩模層220的方法包括以圖案化光致抗蝕劑層232為掩模，進行一干式蝕刻工藝。
繼之，請參照圖2C，于基底200與圖案化光致抗蝕劑層232上形成第二分色濾光材料層240。第二分色濾光材料層240例如是以不同材料層交替堆疊形成的疊層，其材料可以是金屬薄膜、介電材料層等，因此其形成方法可以是蒸鍍法、濺鍍法或化學氣相沉積法。在一優(yōu)選實施例中，例如是由氧化鈦薄層與氧化硅薄層交替堆疊形成的疊層。其中，第二分色濾光材料層240與第一分色濾光材料層210的濾光波段不同。而第二分色濾光材料層240同樣以多層薄膜堆疊方式形成，以控制顯示器的用電量與濾光效能。
隨后，請參照圖2D，移除圖案化光致抗蝕劑層232以及圖案化光致抗蝕劑層232上的第二分色濾光材料層240，將第一分色濾光單元212之間的第二分色濾光材料層240轉換為多個第二分色濾光單元242。移除圖案化光致抗蝕劑層232與圖案化光致抗蝕劑層232上的第二分色濾光材料層240的方法例如是剝離法。之后，移除第一分色濾光單元212上的硬掩模層222。其中，第一分色濾光單元212與第二分色濾光單元242組成第一分色濾光陣列250。
剝離法例如是利用選擇性的有機溶液，如AZ顯影液或丙酮，與圖案化光致抗蝕劑層232進行化學反應。由于光致抗蝕劑材料會與有機溶液行化學反應而產(chǎn)生膠狀物質，因此便可利用此步驟將圖案化光致抗蝕劑層232連同其上的第二分色濾光材料層240一起剝離。特別的是，因使用具有選擇性的有機溶液，再加上第一分色濾光單元212上尚有硬掩模層222保護，因此不會傷害或移除第一分色濾光陣列250，而造成厚度不均勻或表面不平坦的現(xiàn)象。
接著，請參照圖2E，于第一分色濾光陣列250上形成光致抗蝕劑層270。在一實施例中，形成光致抗蝕劑層270之前，還可以于第一分色濾光陣列250上，形成硬掩模層260，以保護第一分色濾光陣列250在后續(xù)移除其上的光致抗蝕劑層270時，不受移除時所使用的溶劑傷害。硬掩模層260的材料例如是氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
之后，請參照圖2F，將光致抗蝕劑層270圖案化，以形成圖案化光致抗蝕劑層272，并暴露欲形成第三種濾光波段的分色濾光膜層位置中的第一分色濾光陣列250。接著，移除暴露的第一分色濾光陣列250與其上的硬掩模層260，以形成第二分色濾光陣列252與硬掩模層262，并暴露部分基底200。移除暴露的第一分色濾光陣列250與硬掩模層260的方法例如是以圖案化光致抗蝕劑層272為掩模，進行一干式蝕刻工藝。
然后，請參照圖2G，于基底200與圖案化光致抗蝕劑層272上形成第三分色濾光材料層280。第三分色濾光材料層280例如是以不同材料層交替堆疊形成的疊層，其材料可以是金屬薄膜、介電材料層等，因此其形成方法可以是蒸鍍法、濺鍍法或化學氣相沉積法。在一優(yōu)選實施例中，例如是由氧化鈦薄層與氧化硅薄層交替堆疊形成的疊層。其中，第三分色濾光材料層280與第二分色濾光材料層240及第一分色濾光材料層210的濾光波段皆不同。而第三分色濾光材料層280同樣以多層薄膜堆疊方式形成，以控制顯示器的用電量及濾光效能。
而后，請參照圖2H，移除圖案化光致抗蝕劑層272以及圖案化光致抗蝕劑層272上的第三分色濾光材料層280，將第二分色濾光陣列252之間的第三分色濾光材料層280轉換為多個第三分色濾光單元282。移除圖案化光致抗蝕劑層272與圖案化光致抗蝕劑層272上的第三分色濾光材料層280的方法例如是剝離法。之后，移除第二分色濾光陣列252上的硬掩模層262。其中，第二分色濾光陣列252與第三分色濾光單元282組成一第三分色濾光陣列290。
剝離法所使用的原理、方法與材料例如是與圖2D所提及的相同，因此亦不會造成第三分色濾光陣列290有厚度不均勻或表面不平坦的現(xiàn)象。特別的是，圖2D與圖2H的步驟中，皆利用剝離法同時移除圖案化光致抗蝕劑層與其上的分色濾光材料層，因此可以簡化現(xiàn)有技術中形成多色的分色濾光陣列的繁復的工藝步驟，并且快速完成體積小的第三分色濾光陣列290。
值得一提的是，第一分色濾光單元210、第二分色濾光單元240與第三分色濾光單元280的濾光波段皆不同，也就是其所能穿透的波長不同，因此第三分色濾光陣列290使對應的基板200中的每個單元接收不同波長的光，接著再進行數(shù)字處理。如此一來，一塊微型顯示器便能同時處理三種原色的光束，因此整個顯示器只需使用一塊微型顯示器，以降低成本與縮小體積。另外，第三分色濾光陣列290是以多層不同材料的薄膜交替堆疊，再加上其上的圖案化光致抗蝕劑層272使用剝離法移除，因此每個第一分色濾光單元212、第二分色濾光單元242與第三分色濾光單元282都有相同厚度且表面平坦，以加強顯示器的成品率，而且厚度可設計在能夠兼顧用電量與濾光效能的范圍內(nèi)。
綜上所述，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點
1.通過剝離法同時移除圖案化光致抗蝕劑層與其上的分色濾光材料層，可以大幅簡化分色濾光陣列的工藝步驟，并快速完成體積小的多色濾光陣列元件。
2.在微型顯示器上增設分色濾光陣列，此分色濾光陣列具有兩種以上不同濾光波段的分色濾光單元，因此顯示器只需使用兩片甚至一片微型顯示器，以降低成本并可以縮小體積。
3.分色濾光陣列中的每一個分色濾光單元的厚度均勻且表面平坦，可以加強微型顯示器的成品率，而且其厚度可設計在能夠兼顧用電量與濾光效能的范圍內(nèi)。
雖然本發(fā)明以優(yōu)選實施例揭露如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，本領域的技術人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可作些許的更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護范圍應當以后附的權利要求所界定者為準。
權利要求
1.一種分色濾光陣列的形成方法，該方法包括于基底上，形成第一分色濾光材料層；于該第一分色濾光材料層上，形成圖案化光致抗蝕劑層；移除暴露的該第一分色濾光材料層，以形成多個第一分色濾光單元；于該基底與該圖案化光致抗蝕劑層上，形成第二分色濾光材料層；以及移除該圖案化光致抗蝕劑層以及該圖案化光致抗蝕劑層上的該第二分色濾光材料層，將該些第一分色濾光單元之間的該第二分色濾光材料層轉換為多個第二分色濾光單元，其中該些第一分色濾光單元與該些第二分色濾光單元組成分色濾光陣列。
2.如權利要求1所述的分色濾光陣列的形成方法，于形成該第一分色濾光材料層的步驟之后，還包括于該第一分色濾光材料層上，形成硬掩模層。
3.如權利要求2所述的分色濾光陣列的形成方法，于移除該圖案化光致抗蝕劑層的步驟之后，還包括移除該些第一分色濾光單元上的該硬掩模層。
4.如權利要求2所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該硬掩模層的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
5.如權利要求1所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該基底是選自透明基板與硅基板所組成的族群其中之一。
6.如權利要求5所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該硅基板中具有控制元件，用以控制該分色濾光陣列。
7.如權利要求1所述的分色濾光陣列的形成方法，其中移除該圖案化光致抗蝕劑層與該圖案化光致抗蝕劑層上的該第二分色濾光材料層的方法包括剝離法。
8.如權利要求1所述的分色濾光陣列的形成方法，其中移除暴露的該第一分色濾光材料層的方法包括以該圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行干式蝕刻工藝。
9.如權利要求1所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該第一分色濾光材料層與該第二分色濾光材料層的材料包括由氧化鈦薄層與氧化硅薄層交替堆疊形成的疊層。
10.如權利要求1所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該第一分色濾光材料層與該第二分色濾光材料層的形成方法包括蒸鍍法、濺鍍法或化學氣相沉積法。
11.如權利要求1所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該第一分色濾光單元與該第二分色濾光單元的濾光波段不同。
12.一種分色濾光陣列的形成方法，該方法包括于基底上，形成第一分色濾光材料層；于該第一分色濾光材料層上，形成第一圖案化光致抗蝕劑層；移除暴露的該第一分色濾光材料層，以形成多個第一分色濾光單元；于該基底與該第一圖案化光致抗蝕劑層上，形成第二分色濾光材料層；移除該第一圖案化光致抗蝕劑層以及該第一圖案化光致抗蝕劑層上的該第二分色濾光材料層，將該些第一分色濾光單元之間的該第二分色濾光材料層轉換為多個第二分色濾光單元，其中該些第一分色濾光單元與該些第二分色濾光單元組成第一分色濾光陣列；于該第一分色濾光陣列上，形成第二圖案化光致抗蝕劑層；移除暴露的該第一分色濾光陣列，以形成第二分色濾光陣列，并暴露部分該基底；于該基底與該第二圖案化光致抗蝕劑層上，形成第三分色濾光材料層；以及移除該第二圖案化光致抗蝕劑層以及該第二圖案化光致抗蝕劑層上的該第三分色濾光材料層，將該第二分色濾光陣列之間的該第三分色濾光材料層轉換為多個第三分色濾光單元，其中該第二分色濾光陣列與該些第三分色濾光單元組成第三分色濾光陣列。
13.如權利要求12所述的分色濾光陣列的形成方法，于形成該第一分色濾光材料層的步驟之后，還包括于該第一分色濾光材料層上，形成第一硬掩模層。
14.如權利要求13所述的分色濾光陣列的形成方法，于移除該第一圖案化光致抗蝕劑層的步驟之后，還包括移除該些第一分色濾光單元上的該第一硬掩模層。
15.如權利要求13所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該第一硬掩模層的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
16.如權利要求12所述的分色濾光陣列的形成方法，于形成該第一分色濾光陣列的步驟之后，還包括于該第一分色濾光陣列上，形成第二硬掩模層。
17.如權利要求16所述的分色濾光陣列的形成方法，于移除該第二圖案化光致抗蝕劑層的步驟之后，還包括移除該些第二分色濾光陣列上的該第二硬掩模層。
18.如權利要求16所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該第二硬掩模層的材料包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
19.如權利要求12所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該基底是選自透明基板與硅基板所組成的族群其中之一。
20.如權利要求19所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該硅基板中具有控制元件，用以控制該第三分色濾光陣列。
21.如權利要求12所述的分色濾光陣列的形成方法，其中移除該第一圖案化光致抗蝕劑層與該第一圖案化光致抗蝕劑層上的該第二分色濾光材料層的方法包括剝離法。
22.如權利要求12所述的分色濾光陣列的形成方法，其中移除該第二圖案化光致抗蝕劑層與該第二圖案化光致抗蝕劑層上的該第三分色濾光材料層的方法包括剝離法。
23.如權利要求12所述的分色濾光陣列的形成方法，其中移除暴露的該第一分色濾光材料層的方法包括以該第一圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行干式蝕刻工藝。
24.如權利要求12所述的分色濾光陣列的形成方法，其中移除暴露的該第一分色濾光陣列的方法包括以該第二圖案化光致抗蝕劑層為掩模，進行干式蝕刻工藝。
25.如權利要求12所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該第一分色濾光材料層、該第二分色濾光材料層與該第三分色濾光材料層包括氧化鈦薄層與氧化硅薄層交替堆疊形成的疊層。
26.如權利要求12所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該第一分色濾光材料層、該第二分色濾光材料層與該第三分色濾光材料層的形成方法包括蒸鍍法、濺鍍法或化學氣相沉積法。
27.如權利要求12所述的分色濾光陣列的形成方法，其中該第一分色濾光單元、該第二分色濾光單元與該第三分色濾光單元的濾光波段不同。
全文摘要
一種分色濾光陣列的形成方法。此方法是先于基底上形成第一分色濾光材料層。于第一分色濾光材料層上形成圖案化光致抗蝕劑層后，移除暴露的第一分色濾光材料層，以形成多個第一分色濾光單元。于基底與圖案化光致抗蝕劑層上形成第二分色濾光材料層。移除圖案化光致抗蝕劑層以及圖案化光致抗蝕劑層上的第二分色濾光材料層，留下多個第二分色濾光單元，其中第一分色濾光單元與第二分色濾光單元組成分色濾光陣列。通過蝕刻與剝離的方法，同時移除圖案化光致抗蝕劑層與其上的第二分色濾光材料層，可以大幅簡化分色濾光陣列的工藝步驟，以快速完成體積小的多色濾光陣列元件。
文檔編號G03F7/20GK101078787SQ200610084548
公開日2007年11月28日 申請日期2006年5月25日 優(yōu)先權日2006年5月25日
發(fā)明者吳沂庭, 歐富國 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司, 聯(lián)誠光電股份有限公司