專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板和具有該顯示面板的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是使用最為廣泛的平板顯示器之一，其包括具有諸如像素電極和公共電極等電場產(chǎn)生電極的兩個面板，和插入兩個面板之間的液晶層。該液晶顯示器通過向電場產(chǎn)生電極施加電壓，在液晶層中產(chǎn)生電場，以及確定液晶層中的液晶分子的配向(alignment)來控制入射光的偏振從而顯示圖象。
在這樣的液晶顯示器中，一種具有垂直配向模式(vertical alignmentmode)的液晶顯示器引人注目，因為它具有高的對比度并且容易提供寬的參照視角(reference viewing angle)，在垂直定配向模式中將液晶分子布置成在沒有形成電場的狀態(tài)下使液晶分子的主軸垂直于上下面板。
作為在具有垂直配向模式的液晶顯示器中實現(xiàn)寬視角的方法，已知的有在電場產(chǎn)生電極中形成切口部分(cut portions)的方法，在電場產(chǎn)生電極上形成切口部分的方法等等。因為能夠通過利用切口部分和凸出部分來使得液晶分子的方向傾斜，就能夠通過布置不同的切口部分和凸出部分來分布位于各方向的液晶分子的傾斜方向，從而加大參考視角。
然而，在形成切口部分的方法中，需要特殊的掩模來構(gòu)圖公共電極，并且應(yīng)當在濾色器上形成保護層以防止濾色器的顏料泄漏并穿過公共電極的切口部分污染液晶層。
此外，具有含有凸出部分或者切口部分的垂直配向模式的液晶顯示器具有慢的響應(yīng)速度。這部分是因為切口部分或者凸出部分強烈地調(diào)節(jié)靠近其的液晶分子卻微弱地調(diào)節(jié)從其分離的液晶分子。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個實施例提供一種液晶顯示器，通過使不受邊緣電場的影響的液晶分子最小化來快速地轉(zhuǎn)換液晶分子的配向，由此具有放大的疇調(diào)節(jié)能力(domain regulation power)。
根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例提供一種液晶顯示器，其包括面板；在面板上形成的第一電場產(chǎn)生電極；相對于第一電場產(chǎn)生電極的第二電場產(chǎn)生電極；布置在第一電場產(chǎn)生電極和第二電場產(chǎn)生電極之間的液晶層；在面板上形成的并且包括脊(ridge)和坡(slope)的坡部件(slope member)；以及多個在第二電場產(chǎn)生電極的切口部分中形成的凹形(hollow)。
根據(jù)本發(fā)明的另一個示范性實施例提供一種形成一種液晶顯示器的方法，其包括形成第一電場產(chǎn)生電極面板；形成與第一電場產(chǎn)生電極相對置的第二電場產(chǎn)生電極；在第一電場產(chǎn)生電極和第二電場產(chǎn)生電極之間布置液晶層；在面板上形成包括脊和坡的坡部件；以及在第二電場產(chǎn)生電極的切口部分中形成多個凹形。


為了讓本發(fā)明的上述及其他特征與優(yōu)點更顯而易見，下面通過參考本發(fā)明的附圖來詳細描述示范性實施例，其中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的一個示范性實施例的布局圖；圖2是示出圖1所示的液晶顯示器的薄膜晶體管面板的一個示范性實施例的布局圖；圖3是示出圖1所示的液晶顯示器的公共電極面板的一個示范性實施例的布局圖；圖4是沿圖1的IV-IV′-IV″-IV線所取的液晶顯示器的橫截面圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的液晶分子配向為平行于形成在切口部分中的多個凹形的深度方向的一個示范性實施例的圖；圖6(a)至6(d)是示出根據(jù)本發(fā)明的在坡部件中形成的凹形部分和凸起部分的一個示范性實施例的透視圖；圖7是示出圖6所示的凹形部分和凸起部分的平面圖案的一個示范性實施例的圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一個示范性實施例的布局圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一個示范性實施例的布局圖；圖10是沿圖9的X-X′-X″-X線所取的液晶顯示器的橫截面圖；
圖11是沿圖1的IV-IV′-IV″-IV線所取的液晶顯示器的橫截面圖，作為圖1至3所示的液晶顯示器的橫截面圖的另一個示范性實施例；圖12是沿圖1的IV-IV′-IV″-IV線所取的橫截面圖，作為圖1至3所示的液晶顯示器的橫截面圖的另一個示范性實施例；和圖13是根據(jù)本發(fā)明的坡部件的一個示范性實施例的橫截面圖。
具體實施例方式
在下文，將參考附圖詳細描述本發(fā)明示范性實施例，以便本領(lǐng)域的熟練技術(shù)人員能夠容易地實施本發(fā)明。然而，本發(fā)明不局限于示范性實施例，而可以以不同的形式實施。
在附圖中，放大了厚度以便清楚地示出層和區(qū)域。此外，在整個說明書中相似的部件用相似的附圖標記表示。如果提到層、膜、區(qū)域、或者板置于不同的元件上，則包括另一個元件置于其間的情況，以及層、膜、區(qū)域、或者板直接置于不同的元件上的情況。相反地，如果提到某個元件直接置于另一個元件之上，則指的是沒有元件置于其間。
應(yīng)能理解，雖然術(shù)語第一、第二、第三等等可以用于描述不同的元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不受這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只是用于將一個元件、部件、區(qū)域、層或者部分與另一個元件、部件、區(qū)域、層或者部分區(qū)分。因此，能夠?qū)⒃谙旅嫣岬降牡谝辉?、部件、區(qū)域、層或者部分稱為第二元件、部件、區(qū)域、層或者部分而不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)。
空間上相對關(guān)系的術(shù)語，諸如“下面”、“下”、“上面”之類，為便于描述在此用來描述圖中所示的一個元件或者特征與另一個元件(元件組)或者特征(特征組)之間的關(guān)系。應(yīng)能理解，空間上相對關(guān)系的術(shù)語還用來涵蓋使用中或運行中的裝置不同的方位的，除了圖中所示的方位以外。例如，如果圖中所示裝置翻轉(zhuǎn)，描述為在其它元件或者特征“下面”的元件由此將配向為在其它元件或者特征“上面”。因此，示范性術(shù)語“下面”可以包括上和下這兩個方位。裝置可以被另外取向(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，且用文中使用的空間上相對關(guān)系的描述語相應(yīng)地進行解釋。
文中所使用的術(shù)語是只是用來描述具體的實施例而不是用于限制本發(fā)明。如文中使用的，單數(shù)形式同時也用來包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地表明另外的意思。此外，還應(yīng)該理解，當術(shù)語“包括”和/或“包含”在本說明書中使用時，表示指定的裝置、整體、工序、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除存在或增加一個或更多其它的裝置、整體、工序、操作、元件、部件和/或它們的組合。
文中參考截面圖描述本發(fā)明的實施例，截面圖為本發(fā)明的理想化的實施例(以及中間結(jié)構(gòu))的示意圖。因此，例如生產(chǎn)技術(shù)和/或公差引起的示例的形狀的變化是可以預(yù)期的。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)該被認為是對圖中所述的區(qū)域的具體的形狀的限制而是包括了例如由制造引起的形狀上的偏差。
例如，圖示為矩形的注入?yún)^(qū)域通常在其邊緣具有圓的或者彎曲的特征和/或注入濃度梯度，而不是從注入?yún)^(qū)到非注入?yún)^(qū)的二元變化。同樣地，通過注入形成的埋置區(qū)域可以在埋置區(qū)域和通過其發(fā)生注入的表面之間引起注入。因此，圖中所示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的且它們的形狀不是裝置區(qū)域的真實形狀，且不旨在用來限制本發(fā)明的范圍。
除非另外的限定，文中使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)的和科學術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所普遍認為的相同的含義。此外，應(yīng)當理解術(shù)語，例如在常用詞典中定義的，應(yīng)解釋為具與它們在相關(guān)技術(shù)的語境中的意思相一致的含義，而不應(yīng)被理想化或者過度地式化地解釋，除非文中清楚地限定?，F(xiàn)在將參考附圖詳細描述根據(jù)本發(fā)明的示范性實施例的液晶顯示器。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的一個示范性實施例的布局圖，圖2是示出圖1所示的液晶顯示器的薄膜晶體管面板的一個示范性實施例的布局圖，圖3是示出圖1所示的液晶顯示器的公共電極面板的一個示范性實施例的布局圖，圖4是沿圖1的IV-IV′-IV″-IV線所取的液晶顯示器的橫截面圖，圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的液晶分子配向為平行于形成在切口部分中的多個凹形的深度方向的一個示范性實施例的圖，圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的在坡部件中形成的凹形部分和凸起部分的一個示范性實施例的透視圖，且圖7是示出圖6所示的凹形部分和凸起部分的平面圖案的一個示范性實施例的圖。
根據(jù)本發(fā)明的一個示范性實施例的液晶顯示器，其包括相互對立的薄膜晶體管面板100和公共電極面板200和插入面板100和200之間的液晶層3。
首先，參照圖1、2和4詳細描述薄膜晶體管面板100。
在絕緣面板110上形成多條柵極線121和多條存儲器電極線131。
柵極線121用來提供柵極信號，且大體上水平地延伸以使彼此分開。每條柵極線121具有多個向上和向下突出的柵極電極124，以及用于連接其它層或者驅(qū)動電路的大面積端部129。在示范性實施例中，當將驅(qū)動電路(未示出)集成在薄膜晶體管面板100上時，柵極線121可以延伸以與驅(qū)動電路連接。
每條存儲器電極線131大體上水平地延伸且布置在兩對相鄰的或者鄰接的柵極線121之間，從而更靠近上面一對柵極線121。每條存儲器電極線131包括多組分支133a到133d和多個連接133e。
每組分支包括大體上垂直地延伸以相互分離的第一和第二存儲器電極133a和133b，和大體上傾斜地延伸以使第一存儲器電極133a和第二存儲器電極133b相互連接的第三和第四存儲器電極133c和133d。
第一存儲器電極133a具有連接到相應(yīng)存儲器電極線131的固定端以及具有與固定端或其部分相對的突起部分的自由端。
第三和第四存儲器電極133c和133d連接到第二存儲器電極133b的兩端，靠近或者貼近第一存儲器電極133a的中心。第三和第四存儲器電極133c和133d相對于兩條相鄰對的柵極線121之間的中心線形成鏡面對稱。連接133e連接鄰接存儲器電極133a至133d的相鄰組中的彼此相鄰的第一存儲器電極133a和第二存儲器電極133b。
向存儲器電極線131施加預(yù)定電壓，例如施加提供給公共電極面板200中的公共電極270的公共電壓。在示范性實施例中每條存儲器電極線131可以具有一對大體上水平延伸的干線(stem lines)(未示出)。
在示范性實施例中，柵極線121和存儲器電極線131可以由下列材料制成包括但不限于銀(Ag)或者銀合金的銀族金屬、包括但不限于鋁(Al)或者鋁合金的鋁族金屬、包括但不限于銅(Cu)或者銅合金的銅族金屬、包括但不限于鉬(Mo)或者鉬合金的鉬族金屬、鉻、鈦或者鉭。在可選擇的示范性實施例中，柵極線121和存儲器電極線131可以具有多層結(jié)構(gòu)，其包括具有不同的物理性能的兩層導(dǎo)電層(未示出)。其中一層導(dǎo)電層可以由具有低阻抗的金屬例如鋁族金屬、銀族金屬、銅族金屬或者包括上述至少一種的組合物制成，從而減小信號延遲或者電壓降。另一層導(dǎo)電層可以由與ITO(銦錫氧化物)或者IZO(銦鋅氧化物)具有優(yōu)異物理、化學和電接觸性能的金屬制成，比如鉬族金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或者包括上述至少一種的組合物。在一個示范性實施例中，這樣的組合可以包括鉻底層和鋁(合金)頂層的組合以及鋁(合金)底層和鉬(合金)頂層的組合。在其它可選擇的示范性實施例中，柵極線121和存儲器電極線131可以由適于文中所述目的不同的金屬和導(dǎo)電材料。
參見圖4，柵極線121和存儲器電極線131的側(cè)面相對于絕緣板110表面傾斜。在示范性實施例中，傾斜角可以在約30°到約80°范圍之內(nèi)。
在柵極線121和存儲器電極線131上形成柵極絕緣層140，其包括但不限于，氮化硅(SiNx)等。
再次參見圖1和2，在柵極絕緣層140上形成多個線狀半導(dǎo)體圖案151，其可以包括但是不限于氫化非晶硅(其中非晶硅可以縮寫為a-Si)或者多晶硅。每個線狀半導(dǎo)體圖案151大體上垂直延伸并包括多個朝柵極電極124延伸的延長部154。
線狀半導(dǎo)體圖案151在柵極線121和存儲器電極線131附近加寬以便寬地覆蓋或包圍它們。
再次參考圖4，在半導(dǎo)體圖案151上形成多個線狀和島狀歐姆接觸部件161和165。歐姆接觸部件161和165可以由硅化物或者如摻雜了諸如高濃度的磷之類的n-型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅的材料制成。每個線狀歐姆接觸部件161具有多個延長部163，且的延長部163和島狀歐姆接觸部件165形成為對且形成在半導(dǎo)體圖案151的延長部154上。
半導(dǎo)體圖案151與歐姆接觸部件161和165的側(cè)面也相對于絕緣板110的表面傾斜。在示范性實施例中，傾斜角可以在約30°至約80°的范圍之內(nèi)。
在歐姆接觸部件161和165以及柵極絕緣層140上形成多條數(shù)據(jù)線171、多個漏極電極175和多個隔離金屬件178。
數(shù)據(jù)線171用來輸送數(shù)據(jù)電壓，以及大體上在垂直方向上延伸從而基本以直角與柵極線121垂直相交(或者垂直于)。數(shù)據(jù)線171還與存儲器電極線131和連接133e垂直相交。數(shù)據(jù)線171布置在第一存儲器電極133a和第二存儲器電極133b之間，第一存儲器電極133a和第二存儲器電極133b在存儲器電極線131的相鄰分支組中彼此相鄰。每條數(shù)據(jù)線171包括多個向柵極電極124延伸的源極電極173和用于連接另一層或者外部裝置(未示出)的大面積端部179。若將用于產(chǎn)生數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路(未示出)集成到絕緣板110上，數(shù)據(jù)線171可以延伸以便直接連接數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。
每個漏極電極175包括用于連接另一層的大面積端部和設(shè)置在柵極電極124上的條狀端部。彎曲源極電極173以圍繞部分條狀端部。
一個柵極電極124、一個源電極173和一個漏極電極175與半導(dǎo)體圖案151的延長部154一起構(gòu)成了薄膜晶體管(TFT)。薄膜晶體管的溝道形成于源極電極173和漏極電極175之間的延長部154中。
金屬件178布置在靠近存儲器電極133a末端部分的柵極線121上。
在示范性實施例中，數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和金屬件178可以包括但不限于耐高溫金屬，如鉬族金屬、鉻、鉭、鈦、或者它們的合金，且可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括由耐高溫金屬等的導(dǎo)電層(未示出)和具有低電阻的導(dǎo)電層(未示出)制成。多層結(jié)構(gòu)的一個示范性實施例可以包括雙層薄膜，其包括鉻或者鉬(合金)底層和鋁(合金)頂層；以及三層薄膜，其包括鉬(合金)底層、鋁(合金)中間層和鉬(合金)頂層。在可選擇的示范性實施例中，數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和金屬件178可以由適于文中所述目的的各種金屬和導(dǎo)電材料制成。
與柵極線121和存儲器電極線131相似，數(shù)據(jù)線171和漏極電極175的側(cè)面可以相對于絕緣板110的表面傾斜。在示范性實施例中，傾斜角可以在約30°至約80°的范圍之內(nèi)。
歐姆接觸部件161和165只存在于下邊(或者端部)的半導(dǎo)體圖案151和上邊的數(shù)據(jù)線171與漏極電極175之間。歐姆接觸部件161和165用來減小歐姆電阻。線狀半導(dǎo)體圖案151具有暴露在源極電極173和漏極電極175之間的部分，且其沒有被數(shù)據(jù)線171和漏極電極175覆蓋。在多數(shù)地方，線狀半導(dǎo)體圖案151的寬度相對小于數(shù)據(jù)線171的寬度。如上所述，在柵極線121和存儲器電極線131彼此交叉的地方，線狀半導(dǎo)體圖案151的寬度變得相對的大，從而使表面輪廓平滑，由此防止數(shù)據(jù)線171的短路。
在數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和金屬件178上，以及在半導(dǎo)體圖案151的不被數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和金屬件178覆蓋的暴露部分上形成鈍化層180。在示范性實施例中，鈍化層180可以由諸如氮化硅和氧化硅等無機絕緣材料、有機絕緣材料、或者具有低介電常數(shù)的絕緣材料、或者包括至少一類上述材料的組合物制成。在其它示范性實施例中，絕緣材料的介電常數(shù)是4.0或者更小。其中的一個示范性實施例中其可以包括通過利用等離子體增強化學氣相淀積(PECVD)方法形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F。
在另一個示范性實施例中，鈍化層180可以由具有感光度的有機絕緣材料制成，并且其表面可以為平面。在可選擇的示范性實施例中，鈍化層180可以具有雙層結(jié)構(gòu)，其包括無機底層和有機頂層以便保證有機層的優(yōu)異絕緣性能以及不損壞半導(dǎo)體圖案151的暴露部分。
在鈍化層180中形成用于暴露數(shù)據(jù)線171的末端部分和漏極電極175的大面積端部的多個接觸孔182和185。在鈍化層180和柵極絕緣層140中形成用于暴露柵極線121的末端部分129的多個接觸孔181、用于暴露靠近第一存儲器電極133a的固定端的存儲器電極線131的一部分的多個接觸孔183a和用于暴露第一存儲器電極133a的自由端的延長部的多個接觸孔183b。
在鈍化層180上形成多個像素電極190、多個接觸輔助81和82和多個跨件(overpasses)83。像素電極190、接觸輔助81和82和跨件83可以由，但是不限于，諸如ITO和IZO之類的透明導(dǎo)電材料、諸如鋁和銀合金之類的具有優(yōu)異反射率的金屬以及包括上述至少一類材料的組合物制成。像素電極190經(jīng)由接觸孔185在物理上和電上連接到漏極電極175，并且提供有來自漏極電極175的數(shù)據(jù)電壓。被施加數(shù)據(jù)電壓的像素電極190與公共電極270一起產(chǎn)生電場，從而確定液晶層3的液晶分子31的配向。
像素電極190和公共電極270構(gòu)成電容器(在下文，稱為″液晶電容器″)，并且它們在薄膜晶體管關(guān)閉后保持供電電壓。在示范性實施例中，為了增強電壓保持能力，被稱為存儲電容器的另一個電容器(未示出)可以與液晶電容器平行布置。在另一個示范性實施例中，存儲電容器可以通過將像素電極190與存儲器電極線131交疊而形成。公共電極可以覆蓋或者形成于公共電極面板200的基本整個表面上。
在示范性實施例中，可以在其左邊角對像素電極190進行斜切。斜切斜側(cè)面可以相對于柵極線121形成約45°的角度。
在每個像素電極190中形成中間切口部分91、底部切口部分92a和頂部切口部分92b。通過切口部分91、92a和92b將每個像素電極190分成多個部分。切口部分91、92a和92b相對于虛擬的水平中心線形成鏡面對稱，虛擬的水平中心線將像素電極190對分為兩部分，其包括像素電極的上半部和下半部。
底部和頂部切口部分92a和92b從像素電極190的右邊緣傾斜地延伸到其左邊緣，并與第三和第四存儲器電極133c和133d相交疊。底部和頂部切口部分92a和92b分別布置在相對于像素電極190的水平中心線的下半部和上半部。底部和頂部切口部分92a和92b大體上彼此是垂直延伸以相對于柵極線121形成約45°的角度。
中間切口部分91沿著像素電極190的虛擬的水平中心線延伸，并在其右邊緣具有入口。該中間切口部分91的入口具有一對大體上分別平行于底部切口部分92a和頂部切口部分92b的斜邊。
實際上，像素電極190的下半部被底部切口部分92a分成兩個部分，而像素電極190的上半部被頂部切口部分92b分成兩個部分。在可選擇的實施例中，分區(qū)的數(shù)目或者切口部分的數(shù)目可以依照諸如像素尺寸、像素電極的縱橫比以及液晶層3的種類或性能等設(shè)計因素來變化。
參考圖1，在像素電極190的切口部分91、92a和92b中形成多個凹形61。凹形也可以在像素電極190的斜側(cè)邊上形成。凹形61大體上與切口部分91、92a和92b的長邊或者縱向垂直來形成?？梢酝ㄟ^凹形61將液晶分子31的配向控制在令人滿意的方向上。
在示范性實施例中，為了防止由于凹形61帶來的開口率的損失，凹形61的寬度“A”可以在1μm到約4μm的范圍之內(nèi)，而且在凹形61之間的間隔“B”在約1μm至約4μm的范圍之內(nèi)。凹形61的寬度“A”在凹形61的入口處和凹形61的底部可以是常量。在可選擇的實施例中，從凹形61的入口到底部的寬度“A”可以不同。
在另一個示范性實施例中，凹形61的深度“C”在從切口部分91、92a和92b的中心到切口部分91、92a和92b的兩端的方向上逐漸變小或者減少。接觸輔助81和82分別經(jīng)由接觸孔181和182連接到柵極線121的末端部分129和數(shù)據(jù)線171的末端部分179。接觸輔助81和82分別主要用來增強柵極線121和數(shù)據(jù)線171的末端部分129和179與外部裝置之間的附著力。
跨件83越過柵極線121并經(jīng)由設(shè)置在柵極線121兩側(cè)的接觸孔183a和183b連接到第一存儲器電極133a的自由端的暴露末端部分和存儲器電極線131的暴露末端部分。在示范性實施例中，跨件83可以與金屬件178交疊，并可以電連接到金屬件178。在另一個示范性實施例中，包括存儲器電極133a到133d的存儲器電極線131可以與跨件83和金屬件178一起使用來主要地修補柵極線121、數(shù)據(jù)線171、或者薄膜晶體管的缺損。在一個示范性實施例中，當修補柵極線121時，柵極線121和存儲器電極線131通過向柵極線121和跨件83之間的交叉點照射激光束來相互電連接從而使柵極線121與跨件83相連接。金屬件178用來增強柵極線121和跨件83之間的電連接。
接下來，將參照圖1、3和4描述公共電極面板200的示范性實施例。
在絕緣板210上形成遮光部件(light blocking member)220。遮光部件220可以包括但是不限于黑矩陣(black matrix)。絕緣板210可以由透明玻璃等制成。遮光部件220具有大體上與像素電極190相對布置的多個開口225。開口225可以具有大體上與像素電極190相對應(yīng)的形狀。在示范性實施例中，遮光部件220可以只包括沿著數(shù)據(jù)線171延伸的直線部分。在另一個示范性實施例中，遮光部件220還可以包括與薄膜晶體管相對的部分。在另一個示范性實施例中，遮光部件220可以由鉻的單層膜、鉻和氧化鉻的雙層膜、或者包括黑顏料的有機層形成。
在絕緣板210上形成多個濾色器230。濾色器230可以布置在遮光部件220的開口225中。濾色器230可以大體上沿著垂直像素電極190的方向延伸。每個濾色器230可以顯示一組顏色中的一種。在示范性實施例中，顏色可以包括但是不限于紅色、綠色和藍色的三原色。在另一個示范性實施例中，相鄰的濾色器230的邊緣可以彼此交疊。
在示范性實施例中，公共電極270可以由諸如ITO或者IZO的透明導(dǎo)電材料制成。公共電極270可以在濾色器230上形成。
為了防止濾色器230暴露以及提供大體上平坦的平面，可以在公共電極270和濾色器230之間形成保護層(未示出)。
在公共電極270上形成多組坡部件330a、330b和330c。在示范性實施例中，優(yōu)選地，坡部件330a至330c包括介質(zhì)材料，并且介質(zhì)材料的介電常數(shù)小于或等于液晶層3的介電常數(shù)。
在一個示范性實施例中，每組坡部件包括與相應(yīng)的像素電極190相對的三個坡部件330a至330c。每個坡部件330a至330c可以大體上具有梯形形狀或者包括第一邊緣和第二邊緣的V字形形狀。第一邊緣可以大體上平行于切口部分91、92a和92b的斜邊和相應(yīng)像素電極190的斜邊，并與切口部分91、92a和92b或者相應(yīng)像素電極190的斜邊相對。第二邊緣大體上平行于相應(yīng)的柵極線121和相應(yīng)的數(shù)據(jù)線171。
每個坡部件330a至330c都可以包括脊和坡，它們在圖中用粗點線表示。脊布置在像素電極190的切口部分91、92a和92b之間或者在切口部分92a和92b與相應(yīng)像素電極190的斜邊之間，并沿大體上平行于切口部分91、92a和92b的縱軸方向延伸。坡部件的坡的底部與切口部分91、92a和92b相對。
坡是從脊到第一邊緣的平面，并且它在高度逐漸降低。由與兩個坡的脊相對的邊緣所定義的平面可以認為是坡部件的底部。從坡部件的脊和底部伸出的兩個坡可以形成如圖6所示的坡部件的基本上為三角形形狀的平側(cè)面。脊的高度可以認為是從三角形的頂部(脊)垂直到三角形的底基(或者坡部件的底部)間的距離或者長度。坡的高度可以認為是從形成三角形的斜面的坡的邊緣或者沿著坡的點垂直到三角形的底基(或者坡部件的底部)的距離。優(yōu)選地，脊的高度在約0.5至2μm的范圍之內(nèi)且坡的傾斜角在大約1°至10°的范圍之內(nèi)。
在示范性實施例中，一組坡部件330a至330c占據(jù)的面積大于或等于相應(yīng)像素電極190面積的一半。從坡部件的頂部來看，一組坡部件330a至330c占據(jù)的面積可以認為是由坡部件邊緣劃界的最大面積。在另一個示范性實施例中，相鄰的像素電極190中的坡部件330a至330c彼此連接。
在示范性實施例中，如圖6所示，坡部件330a至330c的坡面可以大體是平面或者平坦的。在可選擇的實施例中，如圖13所示，坡部件330a至330c的坡可以是在坡面的中間位置被彎曲。在一個示范性實施例中，在接近于底部的部分(或者在遠離脊的點)的坡面的坡度小于或等于α＝10°。在接近于脊的部分的坡度是小于或等于β＝5°。圖13是根據(jù)本發(fā)明的坡部件的一個示范性實施例的橫截面圖。
參考圖6，基本上在每個坡部件330a至330c的脊的中心形成凹形部分H。凹形部分H可以由不同形狀的凹形部分H或者凸起部分P代替，如圖6中的示范性實施例(a)至(d)所示。也可以在每個脊中形成兩個或更多凹形部分H或者兩個或更多凸起部分P(在下文，稱為″奇異部分(singularportions)″)。
如圖6所示，凹形部分H的底面可以是(a)平的或者(b)彎曲的，且凸起部分P的頂面可以是(c)平的或者(d)彎曲的。對于(b)或(d)的“彎曲的”可以是指奇異部分的兩個或更多面是相互之間布置為某一角度的。例如，(d)的曲面包括凸起部分P的頂面的兩個面為“彎曲的”或者相互之間有角度的。
如圖7所示，從頂部看，奇異部分H和P的形狀可以大體為直線形、圓形、橢圓形或者多邊形，大體對于脊R對稱。在可選擇的實施例中，奇異部分H和P可以對于脊是非對稱的和/或不是沿脊為中心的。
當從頂部觀察坡部件時，奇異部分H和P的寬度L1可以為從脊到奇異部分的邊緣在從脊R伸出到坡部件的第一邊緣的方向上的長度。長度L2可以是奇異部分的兩個邊緣在大體上平行于脊R的方向上之間的距離。在一個示范性實施例中，優(yōu)選的是奇異部分H和P的寬度L1在約10μm到約15μm的范圍之內(nèi)，以及沿著脊的奇異部分H和P的長度L2約為10μm或者更少。奇異部分H和P的形狀和尺寸不限于以上提到的形狀和尺寸，但是在可選擇的實施例中有各種諸如適于文中所述目的的變化。
在示范性實施例中，凹形部分H或者凸起部分P可以利用掩模通過施加有機材料然后執(zhí)行光刻步驟或照相平版印刷刻蝕(photolithographic etching)步驟來形成。通過在掩模中形成用于控制曝光的光量的縫隙或者半透明膜，將不同量的曝光施加到凹形部分或者凸起部分和坡部件的坡面。
再次參考圖4，如上所述，配向?qū)?1和21分別在兩個面板100和200的內(nèi)表面上形成。配向?qū)?1和21可以是垂直配向?qū)?vertical alignmentlayers)。在示范性實施例中，可以將偏振片(未示出)分別提供在兩個面板100和200的外表面上，以及偏振片的透射軸可以彼此垂直，其中一個透射軸平行于柵極線121。在可選擇的示范性實施例中，在反射型液晶顯示器中，可以省略一個偏振膜。
在另一個示范性實施例中，可以在面板100和200與偏振片之間插入用于補償液晶層3的延遲的一層延遲膜(retardation film)(未示出)。延遲膜具有雙折射率并用來反向地補償液晶層3的雙折射率。延遲膜的一個示范性實施例可以包括單軸光學膜或者雙軸光學膜。延遲膜的另一個示范性實施例中可以包括負(negative)單軸光學膜。
在另一個示范性實施例中，在兩個面板100和200之間形成用于維持薄膜晶體管面板100和公共電極面板200之間的間隙的隔離物部件(未示出)。在一個示范性實施例中，隔離物部件可以包括絕緣材料。
在另一個示范性實施例中，液晶顯示器可以包括用于向偏振膜提供光的背光單元、延遲膜、兩個面板100和200以及液晶層3。
液晶層3具有負(negative)介電各向異性，且配向液晶層3的液晶分子31以使其主軸幾乎垂直于兩個面板100和200的表面，而無需任何電場。因此，入射光不穿過正交偏振膜從而被阻擋。
當對公共電極270施加公共電壓且對像素電極190施加數(shù)據(jù)電壓時，產(chǎn)生大體上垂直于面板100和200表面的電場。響應(yīng)電場改變了液晶分子31的配向，使其主軸垂直于電場。公共電極270的坡部件330a至330c、像素電極190的切口部分91、92a和92b、以及像素電極190的邊緣基本上確定液晶分子31的傾斜方向，下面將對其詳細描述。
在電場不存在的情況下通過坡部件330a至330b預(yù)傾斜液晶分子31。當預(yù)傾斜了液晶分子31時，液晶分子31在施加電場的情況下在預(yù)傾斜方向上傾斜，且傾斜方向垂直于切口部分91、92a和92b的邊緣以及像素電極190的邊緣。
另一方面，像素電極190的切口部分91、92a和92b以及平行于切口部分91、92a和92b的像素電極190的邊緣扭曲電場而產(chǎn)生水平分量，其確定了傾斜方向。電場的水平分量垂直于切口部分91、92a和92b的邊緣以及像素電極190的邊緣。
電場的等勢面由于坡部件330a至330b的厚度的不同而變化，從而向液晶分子31施加傾斜力。傾斜力具有平行于切口部分91、92a和92b與坡部件330a至330c所確定的傾斜方向的方向。當坡部件330a至330c的介電常數(shù)小于液晶層3的介電常數(shù)時，這樣的布置是特別地重要的。
有利地，確定液晶分子31的傾斜方向遠離切口部分91、92a和92b與像素電極190的斜邊，由此提高液晶分子31的響應(yīng)速度。
另一方面，如圖1所示，一組切口部分91、92a和92b與一組坡部件330a至330c將一個像素電極190分為多個具有兩個第一邊緣的子區(qū)域。每個子區(qū)域的液晶分子31在上述的傾斜方向上傾斜。在示范性實施例中，傾斜方向可以包括大致四個不同的相對方向。這樣，通過使液晶分子31的傾斜方向多樣化，能夠提高液晶顯示器的參考視角。
坡部件330a至330b的奇異部分H和P可以相應(yīng)于奇異部分H和P的形狀在坡部件330a至330c的脊附近布置液晶分子31，由此防止在脊附近的液晶分子的傾斜方向受到干擾。當不提供奇異部分H和P時，在坡部件330a至330c的脊附近不產(chǎn)生預(yù)傾斜，且利用切口部分產(chǎn)生的電場的兩個水平分量具有相同的大小和相反的方向。因此，兩個水平分量抵銷。當不提供奇異部分H和P時，在脊附近的液晶分子31的傾斜方向可以不能輕易地被確定或者傾斜方向經(jīng)常變化，由此遲緩液晶分子31的總響應(yīng)時間。
在示范性實施例中，由于液晶分子31的傾斜方向能夠通過僅利用像素電極190的切口部分91、92a和92b以及坡部件330a至330c來確定，所以切口部分可以不設(shè)置在公共電極270中。于是，可以省略構(gòu)圖公共電極270的工序。通過將切口部分從公共電極270上省略，電荷不積聚在特定的位置，因此可以防止電荷移動并損傷偏振膜22。于是，可以省略防止偏振膜損壞的靜電放電防止工藝。有利地，切口部分的省略可以顯著地降低用于制造液晶顯示器的成本。
然而，當沒有在公共電極270中沒有形成切口部分時，可能發(fā)生液晶分子的缺陷配向。在本發(fā)明的示范性實施例中，多個凹形61在像素電極190的切口部分91、92a和92b中形成，由此協(xié)助液晶分子31的配向。
凹形61的深度“C”為從脊垂直到坡底部的長度L3的20％至100％，且像素電極190的切口部分91、92a和92b在相對于坡部件330a至330c的坡底部的位置形成。當施加電壓時，因為凹形61，液晶分子31被配向為平行于凹形61的深度方向。
如圖5所示，大體上布置在凹形61之內(nèi)的液晶分子31受凹形61的影響并且布置為平行于凹形61的深度方向上與凹形61平行。由于通過切口部分91、92a和92b排列的液晶分子31的配向方向等于位于凹形61中的液晶分子31的配向方向，所以改善了液晶分子31的配向。
有利地，通過形成用于協(xié)助像素電極190的切口部分91、92a和92b中的液晶分子31配向的多個凹形61，從而可以改善白色殘像(whiteafterimage)。目測檢查方法或者使用開-關(guān)響應(yīng)波形的檢測法可以用來估計白色殘像的程度。在目測檢查方法中，“0”表示“沒有白色殘像”，“1”表示“微弱的白色殘像”，“3”表示“中度白色殘像”，以及“5”表示“強的白色殘像”。在使用開-關(guān)響應(yīng)信號波形的檢測法中，假定具有最大高度的一部分響應(yīng)波形由“Max”表示，以及穩(wěn)定化響應(yīng)波形的高度由“Sta”表示，認為當值Sta/Max×100(％)接近于100％時可以減少白色殘像。
當確定目測檢查結(jié)果為沒有形成凹形61時，旋錯線(disclination line)不固定，但是當確定目測檢查結(jié)果為形成凹形61時，旋錯線固定在特定位置上，類似于在公共電極中形成了切口部分的情況。在這種情況下，該值估計為約“2”。
在使用響應(yīng)波形的檢測法中，當形成凹形61時，白色的最初亮度和白色的穩(wěn)定亮度間的差異減小且該值變得更接近于100％。
有利地，通過在容易出現(xiàn)織構(gòu)(texture)的切口部分的兩端形成多個凹形61，可以配向液晶分子31而不受橫向電場的影響。
接下來，將參考圖8詳細描述根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一個示范性圖8是示出根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一個示范性實施例的布局圖。
該示范性實施例中的液晶顯示器具有如圖1至4所示的幾乎相同的結(jié)構(gòu)，除了凹形61的寬度朝著凹形61的底部變小以外。也就是說，凹形61入口處的寬度“D”大于凹形61底部的寬度“A”。
在這種情況下，由于朝著凹形61的入口形成電場，液晶分子31更容易在凹形61的深度“C”的方向上配向以及可以更容易地控制液晶分子31的配向。
接下來，將參考圖9和10詳細描述根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一個示范性實施例。
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一個示范性實施例的布局圖，且圖10是沿圖9的X-X′-X″-X線所取的液晶顯示器的橫截面圖。
如圖9和10所示，根據(jù)該示范性實施例的液晶顯示器包括彼此相對的薄膜晶體管面板100和公共電極面板200，以及插入它們之間的液晶層3。
根據(jù)本實施例的面板100和200的分層結(jié)構(gòu)類似于如圖1到4所示的液晶器的分層結(jié)構(gòu)。
在薄膜晶體管面板100中，多條具有柵極電極124和端部129的柵極線121與多條具有存儲器電極133a至133d的存儲器電極線131在面板110上形成，并且柵極絕緣層140、多個包括延長部154的線狀半導(dǎo)體圖案151、多個具有延長部163的線狀歐姆接觸部件161和多個島狀歐姆接觸部件165在其上依次形成。多條包括源極電極173和端部179的數(shù)據(jù)線171、多個漏極電極175和多個隔離金屬件178在歐姆接觸部件161和165上形成，以及鈍化層180在其上形成。多個接觸孔181、182、183a、183b和185在鈍化層180和柵極絕緣層140中形成，以及多個具有切口部分91、92a和92b的像素電極190、多個接觸輔助81和82和多個跨件83在其上形成。
在公共電極面板200中，具有多個開口225的遮光部件220、多個濾色器230、公共電極270和配向?qū)?1在絕緣板210上形成。
不同于如圖1至4所示的液晶顯示器，在根據(jù)本示范性實施例的液晶顯示器中，線狀半導(dǎo)體圖案151具有與數(shù)據(jù)線171、漏極電極175以及歐姆接觸部件161和165大體上相同的頂部形狀。然而，線狀半導(dǎo)體圖案151的延長部154具有不被在源電極173和漏極電極175之間的數(shù)據(jù)線171和漏極電極175所覆蓋的部分。
根據(jù)本示范性實施例的薄膜晶體管面板100包括多個島狀半導(dǎo)體圖案158，島狀半導(dǎo)體圖案158布置在金屬件178的下面并且其頂部部分具有與金屬件178相應(yīng)部分大體上相同的形狀。多個歐姆接觸部件168布置在半導(dǎo)體圖案158上。
在根據(jù)本發(fā)明的制造薄膜晶體管的方法的示范性實施例中，數(shù)據(jù)線171、漏極電極175、金屬件178、半導(dǎo)體圖案151以及歐姆接觸部件161和165可以通過相同的或者單一的光刻步驟形成。
用于光刻步驟的光致抗蝕劑膜在不同的位置具有不同的厚度，且包括第一部分和第二部分。第一部分具有大于第二部分的厚度。第一部分可以位于由數(shù)據(jù)線171、漏極電極175和金屬件178所占據(jù)的布線區(qū)域，而第二部分位于薄膜晶體管的溝道區(qū)域。
改變光致抗蝕劑膜厚度的方法的示范性實施例可以包括除了光透射區(qū)域和遮光區(qū)域之外還對于光學掩模提供半透明區(qū)域的方法。半透明區(qū)域設(shè)置有狹縫圖案、格子圖案或者是具有中度透射率或者中等厚度的薄膜。當使用狹縫圖案時，狹縫的寬度或者狹縫之間間隙可以小于用于光刻步驟的曝光設(shè)備的分辨率。一個示范性實施例可以包括使用可以回流(reflow)的光致抗蝕劑膜的方法。也就是說，通過利用僅僅具有光透射區(qū)域和遮光區(qū)域的一般的曝光掩模形成可以回流的光致抗蝕劑膜，并且光致抗蝕劑膜允許回流到光致抗蝕劑膜沒有保持的區(qū)域，由此形成薄的部分。
有利地，由于可以省略一次光刻步驟，所以可以簡化制造方法。
在可選擇的示范性實施例中，如圖1至4所示的液晶顯示器的示范性實施例中的許多特征可以應(yīng)用到如圖11和12所示的液晶顯示器的示范性實施例中。
圖11是沿圖1的IV-IV′-IV″-IV線所取的液晶顯示器的橫截面圖，作為圖1至3所示的液晶顯示器的橫截面圖的另一個示范性實施例。
如圖11所示，根據(jù)本示范性實施例的液晶顯示器包括彼此相對的薄膜晶體管面板100和公共電極面板200，以及插入它們之間的液晶層3。
根據(jù)本實施例的面板100和200的分層結(jié)構(gòu)類似于如圖1到4所示的液晶顯示器的分層結(jié)構(gòu)。
在薄膜晶體管面板100中，多條具有柵極電極124和端部129的柵極線121與多條具有存儲器電極133a至133d的存儲器電極線131在面板110上形成，并且柵極絕緣層140、多個包括延長部154的線狀半導(dǎo)體圖案151、多個具有延長部163的線狀歐姆接觸部件161和多個島狀歐姆接觸部件165在其上依次形成。
多個包括源電極173和端部179的數(shù)據(jù)線171、多個漏極電極175和多個隔離金屬件178在歐姆接觸部件161和165上形成，以及鈍化層180在其上形成。多個接觸孔181、182、183a、183b和185在鈍化層180和柵極絕緣層140中形成，且多個具有切口部分91、92a和92b的像素電極190、多個接觸輔助81和82和多個跨件83在其上形成。
在公共電極面板200中，在絕緣板210上形成公共電極270、多個坡部件330a和330b以及配向?qū)?1。
不同于如圖1至4所示的液晶顯示器，在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的該示范性實施例中，在公共電極面板200上沒有形成濾色器，而是在薄膜晶體管面板100的鈍化層180下面形成多個濾色器230R、230G以及230B。濾色器230R、230G和230B沿像素電極190的列垂直延伸，且相鄰的濾色器230R、230G和230B可以在數(shù)據(jù)線171上彼此交疊。濾色器230R、230G和230B可以包括但不限于紅色、綠色和藍色等顏色?；ハ嘟化B的濾色器230R、230G和230B基本上形成用于阻擋在相鄰的像素電極190之間的光泄漏的遮光部件。有利地，遮光部件220可以從公共電極面板200上省略，由此簡化工藝。
在示范性實施例中，中間絕緣層(未示出)可以布置在濾色器230下面。
在如圖9和10所示的液晶顯示器的示范性實施例中，濾色器230可以布置在薄膜面板100的鈍化層180的下面。
在可選擇的示范性實施例中，如圖1至4所示的液晶顯示器的許多特征可以應(yīng)用到如圖11所示的液晶顯示器中。
接下來，將參考圖12詳細描述根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器的另一個示范性實施例。
圖12是沿圖1的IV-IV′-IV″-IV線所取的橫截面圖，作為圖1至3所示的液晶顯示器的橫截面圖的另一個示范性實施例。
如圖12所示，根據(jù)本示范性實施例的液晶顯示器包括彼此相對的薄膜晶體管面板100和公共電極面板200，以及插入它們之間的液晶層3。
根據(jù)本實施例的面板100和200的分層結(jié)構(gòu)類似于如圖1到4所示的液晶顯示器的分層結(jié)構(gòu)。
在薄膜晶體管面板100中，多條具有柵極電極124和端部129的柵極線121與多條具有存儲器電極133a至133d的存儲器電極線131在面板110上形成，并且柵極絕緣層140、多個包括延長部154的線狀半導(dǎo)體圖案151、多個具有延長部163的線狀歐姆接觸部件161和多個島狀歐姆接觸部件165在其上依次形成。多個包括源電極173和端部179的數(shù)據(jù)線171、多個漏極電極175和多個隔離金屬件178在歐姆接觸部件161和165上形成，以及鈍化層180在其上形成。多個接觸孔181、182、183a、183b和185在鈍化層180和柵極絕緣層140中形成，且多個具有切口部分91、92a和92b的像素電極190、多個接觸輔助81和82和多個跨件83在其上形成。
在公共電極面板200中，具有多個開口225的遮光部件220、公共電極270、多個濾色器230、多個坡部件330a和330b和配向?qū)?1在絕緣板210上形成。
在如圖12所示的液晶顯示器中，不同于圖1至4所描述的實施例，坡部件330a至330c不單獨在公共電極270上形成，而是通過在濾色器230上和在公共電極270下加工保護層250來形成。
保護層250本質(zhì)上是用來保護濾色器230的層，防止顏料從濾色器230滲漏，并提供大體上的平面。在示范性實施例中，在公共電極270中形成切口部分(未示出)以暴露濾色器230的地方形成保護層250特別有利。
在可選擇的示范性實施例中，除了坡部件330a和330b與保護層250一體形成之外，還可以在保護層250上分別地形成坡部件330a和330b。
在其它可選擇的實施例中，如圖1至4所示的液晶顯示器的許多特征可以應(yīng)用到如圖12所示的液晶顯示器中。
如上所述，在本發(fā)明的實施例中，通過添加坡部件來傾斜液晶分子，可以提高液晶分子響應(yīng)速度從而制造可以顯示動畫的液晶顯示器。
此外，因為坡部件協(xié)助液晶分子的配向，所以可以在公共電極中不形成切口部分。因此，因為可以省略構(gòu)圖公共電極的工藝，所以能夠防止靜電導(dǎo)入帶來的損壞。
此外，通過在像素電極的切口部分中形成多個凹形，凹形用于協(xié)助液晶分子的配向，可以防止由于在公共電極中沒有形成切口部分帶來的液晶分子的缺陷配向。
雖然已經(jīng)詳細描述了本發(fā)明的示范性實施例，但是本發(fā)明不限于這些實施例，而是可以在不脫離權(quán)利要求的范圍的情況下進行各種形式的改變。因此，自然的這些改變屬于本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
本申請要求于2005年3月30日提交的申請?zhí)枮镹o.2005-0026541的韓國專利的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容在此全部引用作為參考。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括面板；第一電場產(chǎn)生電極，在所述面板上形成；第二電場產(chǎn)生電極，與所述第一電場產(chǎn)生電極相對；液晶層，布置在所述第一電場產(chǎn)生電極和第二電場產(chǎn)生電極之間；坡部件，在所述面板上形成且包括脊和坡面；和多個凹形，在所述第二電場產(chǎn)生電極的切口部分中形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，其中所述凹形基本垂直于所述切口部分的縱軸方向形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，其中所述切口部分與所述坡部件的坡底部相對。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，其中每個凹形的深度在從脊垂直到坡部件底部的距離的約20％至約100％的范圍之內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，其中每個凹形的寬度在約1μm至約4μm的范圍之內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，其中所述凹形之間的間隙在約1μm至約4μm的范圍之內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，其中每個凹形的凹形入口處和凹形底部的寬度基本相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，其中每個凹形的寬度從凹形入口處向凹形底部的方向上減小。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，其中每個凹形的深度從切口部分的中心向切口部分的端部的方向上減小。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，其中在所述脊中形成奇異部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示器，其中所述奇異部分為凹形部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示器，其中所述奇異部分為凸起部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示器，其中所述奇異部分以所述脊為軸基本對稱。
14.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示器，其中從所述脊伸出的奇異部分在垂直于所述脊的方向上的寬度在約10μm至約15μm的范圍之內(nèi)且所述奇異部分沿著所述脊延伸的長度為20μm或者更少。
15.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示器，其中所述奇異部分的底面或者頂面為平面。
16.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示器，其中所述奇異部分的底面或者頂面為曲面。
17.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示器，其中所述第一電場產(chǎn)生電極覆蓋所述面板的整個表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示器，其中所述坡的傾斜角在約1°至約10°的范圍之內(nèi)。
19.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示器，還包括多個坡部件，其中所述多個坡部件的面積大于或等于所述第二電場產(chǎn)生電極的面積的一半。
20.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示器，其中所述奇異部分基本位于所述脊的中心。
21.根據(jù)權(quán)利要求10的液晶顯示器，其中兩個或多個奇異部分布置在所述脊中。
22.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，其中所述坡面是彎曲的。
23.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，其中所述脊的高度在約0.5μm到約2.0μm范圍內(nèi)。
24.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，還包括在所述第一電場產(chǎn)生電極下面形成的多個濾色器。
25.根據(jù)權(quán)利要求1的液晶顯示器，還包括在所述第二電場產(chǎn)生電極下面形成的多個濾色器。
26.根據(jù)權(quán)利要求24的液晶顯示器，還包括在所述第一電場產(chǎn)生電極和濾色器之間形成的保護層。
27.根據(jù)權(quán)利要求26的液晶顯示器，其中所述坡部件布置在所述保護層和所述第一電場產(chǎn)生電極之間。
28.根據(jù)權(quán)利要求24的液晶顯示器，其中所述坡部件與所述保護層一體形成。
29.一種液晶顯示器的形成方法，包括在面板上形成第一電場產(chǎn)生電極；形成與所述第一電場產(chǎn)生電極相對的第二電場產(chǎn)生電極；在所述第一電場產(chǎn)生電極和所述第二電場產(chǎn)生電極之間布置液晶層；在所述面板上形成坡部件，所述坡部件包括脊和坡；以及在所述第二電場產(chǎn)生電極的切口部分中形成多個凹形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示器，所述液晶顯示器包括面板；在面板上形成的第一電場產(chǎn)生電極；與第一電場產(chǎn)生電極相對的第二電場產(chǎn)生電極；在第一電場產(chǎn)生電極和第二電場產(chǎn)生電極之間布置的液晶層；在面板上形成的坡部件，坡部件包括脊和坡；以及第二電場產(chǎn)生電極的切口部分中形成的多個凹形。
文檔編號G02F1/1335GK1854837SQ20061008989
公開日2006年11月1日 申請日期2006年3月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月30日
發(fā)明者孫智媛, 崔洛初, 柳在鎮(zhèn) 申請人:三星電子株式會社