專利名稱：制造印版的方法
本申請要求2005年8月29日提交的韓國專利申請第No.P2005-79594號的優(yōu)先權，其在此全文引用以供參考。
背景技術：
目前已經(jīng)開發(fā)了能夠替代陰極射線管(“CRT”)的各種顯示器，其具有易攜帶、重量輕、外形薄、尺寸小、畫質好等各種優(yōu)點。替代顯示器的一個例子就是液晶顯示(“LCD”)器件。
通常，LCD器件包括薄膜晶體管(“TFT”)陣列基板、濾色片(“CF”)基板和形成在TFT陣列基板和CF基板之間的液晶層。在TFT陣列基板上，垂直于多條數(shù)據(jù)線形成多條柵線，從而限定出以矩陣形式排列的多個像素區(qū)域。同時，鄰近柵線和數(shù)據(jù)線的交點形成多個薄膜晶體管TFT，其中多個薄膜晶體管用作開關器件。另外，透明金屬材料的像素電極形成在TFT陣列基板的單元像素區(qū)域內。然后，RGB濾色片層和黑矩陣層形成在與像素電極對應的CF基板上。
TFT陣列基板與CF基板分開制造，即，它們形成在分開的基板上。在TFT陣列基板與CF基板粘接之前，依次執(zhí)行定向涂覆、摩擦、襯墊料分配和密封印刷步驟。
在完成上述步驟之后，TFT陣列基板和CF基板相對設置。然后通過加熱和紫外線(“UV”)照射使TFT陣列基板和CF基板互相粘接。接著進行密封印刷步驟將兩基板互相粘接并通過密封工序防止液晶分子溢出。
可以認為密封形成方法包括三類，如印刷法、砂噴法和分配法。
印刷法通常用于制造LCD或等離子體顯示板(“PDP”)，因為印刷法只需要簡單的裝置并且具有良好的材料產(chǎn)物(material result)。將構圖后的絲網(wǎng)定位在基板上方之后，用于形成壁面的粘接劑通過絲網(wǎng)受壓印刷到基板上。通過一次印刷工序，可以獲得大約20μm的高度。為了形成具有50μm至100μm高度的壁面，需要執(zhí)行5至10次印刷工序，這些印刷工序依次需要若干次烘焙工序。因此，印刷法的生產(chǎn)率很低。另外，由于玻璃基板的變形，很難實現(xiàn)高分辨率。
砂噴法用于大尺寸板的精確壁面。在砂噴法中，將壁面材料涂覆在基板上，并且選擇性地移除，從而形成壁面。例如，用絲網(wǎng)印刷方法將壁面材料印刷在基板的整個表面上。然后，在壁面材料上形成光刻膠膜，并通過曝光和顯影工序選擇性地形成圖案。然后，將研磨材料噴射到基板上，以部分移除沒有光刻膠膜的基板，從而形成壁面。研磨材料可以包括Al2O3、SiC或玻璃微粒，用壓縮空氣或氮氣來進行噴射。通過砂噴法，可以在大尺寸基板上形成70μm或更小的壁面。然而，玻璃基板可能由于物理沖擊而破裂。同樣，砂噴的工序很復雜，由此提高了生產(chǎn)成本。另外，產(chǎn)生的灰塵會造成環(huán)境污染。
分配法可以用于大尺寸LCD或PDP的密封劑。在分配法中，利用用于通過空氣壓力生產(chǎn)掩模的CAD的線數(shù)據(jù)，直接分配粘接劑到基板上。在分配法的情況下，可以將簡單的工序用于各種應用。
圖1A至圖1C所示為根據(jù)現(xiàn)有技術用于在具有印刷輥的基板上形成圖案材料層的步驟的截面圖。
如圖1A所示，首先，通過印刷噴嘴10提供圖案材料30，并涂覆到印刷輥20上。
然后，如圖1B所示，其上涂覆有圖案材料30的印刷輥20在具有多個凹陷圖案的印版40上滾動。從而，在印版40上印刷一部分圖案材料30b，并將另一部分圖案材料30a留在印刷輥20上。即，圖案材料的預定圖案形成在印刷輥20上。
參考圖1C，當具有預定圖案的圖案材料的印刷輥20在基板50上滾動時，圖案材料30a轉印到基板50上。使用印刷輥的形成圖案的方法需要印版。下面將介紹制造印版的方法。
參考附圖將介紹依據(jù)現(xiàn)有技術的制造印版的方法。圖2A至圖2E所示為根據(jù)現(xiàn)有技術的制造印版的方法的截面圖。如圖2A所示，用作硬膜的金屬層52沉積在絕緣基板51上，并在金屬層52上涂覆光刻膠53。金屬層52可以由鉻(Cr)或鉬(Mo)形成。然后，光刻膠53通過曝光和顯影處理選擇性地形成圖案，從而限定圖案區(qū)域。
參考圖2B，用構圖后的光刻膠53用作掩模選擇性地移除金屬層52，從而形成金屬層圖案52a。與圖2A相比，移除沒有位于光刻膠53下方的金屬層52。
如圖2C所示，從圖2B將光刻膠53移除。為了形成金屬層圖案52a，用氧氣等離子體或各種氧化劑移除光刻膠53a。在一個示例中，通過提供氧氣產(chǎn)生氧氣等離子體，并且氧氣等離子體與光刻膠發(fā)生反應，從而移除光刻膠。
如圖2D所示，金屬層圖案52a用作掩模，選擇性地蝕刻暴露的絕緣基板51，從而形成具有大約20μm深度的溝槽54。當蝕刻絕緣基板51時，利用使用了氫氟酸(“HF”)基蝕刻劑的各向同性蝕刻方法。
如圖2E所示，移除金屬層圖案52a，從而完成印版并且僅留下具有溝槽54的絕緣基板。
向如圖1A至圖1C所示的印刷裝置提供完成的印版。在印刷材料涂覆到印刷輥上之后，印刷輥在印版上滾動。這樣，一部分印刷材料轉印到印版的預定圖案上，而其他印刷材料留在印刷輥上。即，印刷材料的預定圖案形成在印刷輥上。當具有預定圖案的印刷材料的印刷輥在基板上滾動時，預定圖案的印刷材料轉印到基板上。
然而，依據(jù)現(xiàn)有技術的制造該印版的方法具有如下缺點。在依據(jù)現(xiàn)有技術的制造印版的方法中，通過用金屬層圖案作掩模蝕刻絕緣基板的各向同性蝕刻方法形成具有預定深度的溝槽，因此蝕刻的臨界尺寸(“CD”)很大。結果，很難制造精密的印版。即，如果絕緣基板的蝕刻厚度為大約5μm，就不可能獲得10μm或更小的線寬A(來自圖2D)。

發(fā)明內容
因此，本發(fā)明涉及制造印版的方法，其基本上避免了由現(xiàn)有技術的限制和缺點而帶來的一種或更多問題。
在第一個方面，制造印版的方法包括在絕緣基板上形成具有至少一開口的硬膜層。在與硬膜層的至少一開口對應的絕緣基板內形成至少一第一溝槽。至少一第一溝槽具有第一深度。在包含至少一第一溝槽的絕緣基板的表面上依次形成第一蝕刻阻擋器(stopper)和第一光刻膠。第一蝕刻阻擋器和第一光刻膠形成圖案，以使第一蝕刻阻擋器的一部分和第一光刻膠的一部分保留在至少一第一溝槽的側壁上。在絕緣基板內形成至少一第二溝槽。每個至少一第二溝槽分別對應于每個至少一第一溝槽。至少一第二溝槽具有大于第一深度的第二深度。
在第二個方面，具有至少一溝槽的印版包括包含有至少一溝槽的絕緣基板。金屬層圖案與絕緣基板連接并且至少部分不覆蓋至少一溝槽。第一光刻膠部分位于至少一溝槽內并與金屬層圖案連接。第一光刻膠部分位于至少一溝槽的側壁上。第一蝕刻阻擋器部分與第一光刻膠部分連接。
在第三個方面，一種印版顯影的方法包括在絕緣基板上提供具有間隙的硬膜層。第一溝槽位于與硬膜層的間隙對應的絕緣基板內。第一蝕刻阻擋器與第一光刻膠位于包含第一溝槽的絕緣基板上。第一蝕刻阻擋器與第一光刻膠形成圖案，以使第一蝕刻阻擋器的一部分與第一光刻膠的一部分位于第一溝槽的側壁上。在與第一溝槽對應的絕緣基板內提供第二溝槽。
應該理解，本發(fā)明上面的概述和下面的詳細說明都是示例性和解釋性的，意欲對所要求保護的本發(fā)明提供進一步解釋。


所包括的用于提供對本發(fā)明進一步解釋并引入構成本申請一部分的

了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中圖1A至圖1C是示出依據(jù)現(xiàn)有技術的印刷裝置的示意圖；圖2A至圖2E是示出依據(jù)現(xiàn)有技術的制造印版的方法的截面圖；及圖3A至圖3G是示出依據(jù)一個實施方式的制造印版的方法的截面圖。
具體實施例方式
將參照附圖中所示的實施例詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方式。盡可能的，在整個附圖中使用相同的附圖標記表示相同或相似的部件。
下面將參考附圖介紹依據(jù)本發(fā)明的制造印版的方法。
圖3A至圖3G所示為依據(jù)一個實施方式的制造印版的方法的截面圖。
如圖3A所示，用作硬膜的金屬層62沉積在玻璃絕緣基板61上，并在金屬層62上涂覆第一光刻膠63。金屬層62由鉻(“Cr”)或鉬(“Mo”)形成。第一光刻膠63通過曝光和顯影選擇性地形成圖案，從而限定至少一圖案區(qū)域。
如圖3B所示，用構圖后的第一光刻膠63作掩模選擇性地移除金屬層62，從而形成金屬層圖案62a。金屬層圖案62a包括至少一已經(jīng)移除金屬層62的區(qū)域。至少一已經(jīng)移除金屬層62的區(qū)域也可以被稱作至少一孔、開口或間隙，可以在其中形成溝槽。在各種實施方式中，在形成溝槽的基板的表面上可以有一個或多個開口。然后，移除第一光刻膠63。為了形成金屬層圖案62a，用氧氣等離子體或各種氧化劑移除用作掩模的第一光刻膠63。例如，在氧氣等離子體的情況中，通過在真空和高電壓狀態(tài)下提供氧氣來產(chǎn)生氧氣等離子體，氧氣等離子體與光刻膠發(fā)生反應，從而移除光刻膠。
在一個可替換實施方式中，可以不用移除第一光刻膠63。如圖3B所示，移除第一光刻膠63，然而，正如選擇性地移除金屬層62形成金屬層圖案62a那樣，也可以保留該第一光刻膠63。根據(jù)本實施方式，在全過程中保留第一光刻膠63，并位于金屬層圖案62a上面。盡管下面的描述說明的是移除第一光刻膠63的實施例，但是，應當理解，第一光刻膠63可以保留。
如圖3C所示，用金屬層圖案62a作掩模選擇性地蝕刻暴露的絕緣基板61，從而形成至少一溝槽，比如具有從2μm到6μm范圍的第一深度的第一溝槽64。在一個可替換實施方式中，深度可以超出2μm至6μm范圍。當蝕刻絕緣基板61時，使用利用HF基蝕刻劑的各向同性蝕刻方法。在通過各向同性蝕刻方法形成第一溝槽時，蝕刻的部分延伸到側面。當?shù)谝粶喜?4的深度減小時，可能減少溝槽的側面處的蝕刻部分。
如圖3D所示，在包含金屬層圖案62a和第一溝槽64的絕緣基板61上形成第一蝕刻阻擋器65，并在包含第一蝕刻阻擋器65的絕緣基板61的整個表面上涂覆第二光刻膠。第一蝕刻阻擋器65可以由諸如銦錫氧化物(“ITO”)、鉬(“Mo”)或銅(“Cu”)等的透明或不透明金屬材料，以大約0.01μm至大約0.3μm的厚度形成。在一個可替換實施方式中，第一蝕刻阻擋器65可以可變的厚度由不同的材料形成。
可以利用旋轉涂敷法、噴射涂敷法、浸漬涂敷法或其他公知或隨后開發(fā)的方法形成第二光刻膠66?；谄浞€(wěn)定性和均勻性等有利特性，旋轉涂敷法很普遍。
光刻膠66可以分為正型和負型。負型光刻膠通過將硬橡膠樹脂與二-重氮基(bis-diazide based)化合物的混合物加入到交聯(lián)材料的光敏有機溶劑中形成。在負光刻膠的情況中，用光照射的部分硬化，并在用光照射的部分與未照射的部分之間產(chǎn)生溶解度的差，從而形成圖案。
在正型光刻膠的情況中，用光照射的部分通過顯影劑(比如堿基材料)移除，而未用光照射的部分不移除，從而形成圖案。通常，正型光刻膠由醌-重氮基(quinon-diazide based)光刻膠、堿溶性苯酚基樹脂和有機溶劑的混合物形成，其中混合物是不可溶的，但是，混合物通過光照射變?yōu)樵趬A蝕刻劑中是可溶的。
在依據(jù)一實施方式的制造印版的方法中，使用正型光刻膠。如圖3E所示，用金屬層圖案62a作掩模對第二光刻膠66進行曝光和顯影。如果第二光刻膠66涂覆在絕緣基板61的整個表面上，那么第二光刻膠66填充在與金屬層圖案62a的下部對應的第一溝槽64的側面。
這時，對第二光刻膠66的顯影可以通過沉積或噴射進行。如果第二光刻膠66通過沉積形成，那么可能難以控制溫度、密度以及隨時間而變化的條件。然而，在噴射的情況下，可以更容易地控制上述條件。如果對第二光刻膠66的整個表面進行曝光，那么定位在金屬層圖案62a下方的第二光刻膠66的部分留在第一溝槽64的內部，并移除第二光刻膠66的其余部分。用構圖后的第二光刻膠66作掩模選擇性地移除第一蝕刻阻擋器65。
然后用金屬層圖案62a和構圖后的第二光刻膠66以及第一蝕刻阻擋器65作掩模選擇性地移除絕緣基板61，從而在第一溝槽64內形成第二溝槽67。第二溝槽67具有比原始溝槽64的第一深度更深的第二深度。如上所述，當通過各向同性蝕刻形成第二溝槽67時，蝕刻部分延伸到側面。但是，第一蝕刻阻擋器65和第二光刻膠66留在第一溝槽64的側面，位于金屬層圖案62a的下方。這樣，可能使第二溝槽67的側面內的蝕刻部分減小。同樣，在一個實施方式中，第二溝槽比第一溝槽64深2μm至6μm。
如圖3F所示，第二蝕刻阻擋器68形成在包含第二溝槽67的絕緣基板61的整個表面上。然后，將第三光刻膠69涂覆在包含第二蝕刻阻擋器68的絕緣基板61的整個表面上。第二蝕刻阻擋器68可以由諸如ITO，Mo或Cu的透明或不透明材料，以0.01μm至0.3μm的厚度形成。
在一個可替換實施方式中，第二蝕刻阻擋器68可以由可變厚度的其他材料形成。然后，用金屬層圖案62a作掩模，進行曝光和顯影，由此在金屬層圖案62a的下方留下第三光刻膠69。用構圖后的第二光刻膠68作掩模選擇性地移除第二蝕刻阻擋器68。用金屬層圖案62a和構圖后的第三光刻膠69以及第二蝕刻阻擋器68作掩模，選擇性地蝕刻絕緣基板61，由此在第二溝槽67內形成第三溝槽70。第三溝槽70具有比第二溝槽67的第二高度或第二深度更大的第三深度。
如上所述，當通過各向同性蝕刻方法形成第三溝槽70時，蝕刻部分延伸到側面。但是，第二蝕刻阻擋器68和第三光刻膠69留在第二溝槽67的側面。即，第二蝕刻阻擋器68和第三光刻膠67留在金屬層圖案62a的下方，以使第三溝槽70的側面內的蝕刻部分減小。第三溝槽70可以比第二溝槽67深2μm至6μm。如上所討論的，依據(jù)正型形成了第二和第三光刻膠66和69。在形成第一溝槽64之后，用金屬層圖案62a和留下的光刻膠作掩模，重復執(zhí)行第一溝槽64的形成、第一和第二蝕刻阻止結構65和68的形成、光刻膠的涂覆、曝光和顯影等工序，從而形成具有所需深度的完整的溝槽。
如圖3G所示，在移除金屬層圖案62a之后，移除第二和第三光刻膠66和69以及第一和第二蝕刻阻擋器65和68。然后，對絕緣基板61的整個表面進行清潔處理，以移除由蝕刻產(chǎn)生的外來微粒，從而完成依據(jù)一個實施方式的印版。
在依據(jù)一個實施方式的制造印版的方法中，重復涂覆正光刻膠，然后通過自對準曝光和顯影形成圖案。同樣，對用金屬層圖案62a和留下的光刻膠作掩模的絕緣基板的蝕刻深度進行控制，以在絕緣基板61內形成所需深度的溝槽。
當形成第一、第二和第三溝槽64、67和70時，可以通過最終清潔處理將第一和第二蝕刻阻擋器65和68以及第二和第三光刻膠66和69一起移除，或者可以在形成每個溝槽之后分別移除。
完成的印版提供給如圖1A至圖1C所示的印刷裝置。然后，在涂覆所需的顏料材料到印刷輥上之后，印刷輥在印版上滾動。于是，一部分所需的顏料材料轉印到印版的預定圖案上，并將所需的顏料材料的其他部分留在印刷輥上。即，所需的顏料材料的預定圖案形成在印刷輥上。當具有預定圖案的所需的顏料材料的印刷輥在基板上滾動時，預定圖案的所需顏料材料轉印到基板上。
在制造印版的現(xiàn)有技術方法中，利用使用光刻膠或硬膜的一個蝕刻步驟在絕緣基板內形成所需深度的溝槽。然而，在依據(jù)一個實施方式的制造印版的方法中，利用重復地形成硬膜和蝕刻阻擋器、沉積光刻膠以及整體曝光和顯影的蝕刻步驟在絕緣基板內形成所需深度的溝槽。在上述實施方式的情況下，進行三個步驟以形成所需深度的溝槽。另一個選擇是，并不限于三個步驟。同樣，如圖3A至圖3G所示，存在一個孔或區(qū)域，其內形成溝槽，然而，應當理解，可以存在至少一孔，在其內進行加工，得到位于不同位置的至少一第一、第二和第三溝槽。在依據(jù)一實施方式的制造印版的方法中，利用重復地形成硬膜和蝕刻阻擋器、沉積光刻膠以及整體曝光和顯影的若干蝕刻步驟，在絕緣基板內形成所需深度的溝槽。即，控制每個蝕刻步驟的溝槽的蝕刻深度，以使蝕刻臨界尺寸的變化最小，從而形成印版的細微和精確的圖案。
很顯然，本領域的熟練技術人員可以在不脫離本發(fā)明的精神或者范圍的情況下可以對本發(fā)明進行各種修改和改進。因此，本發(fā)明旨在覆蓋所有落入所附權利要求及其等效物范圍內的對本發(fā)明進行的修改和改進。
權利要求
1.一種制造印版的方法，包括在絕緣基板上形成具有至少一開口的硬膜層；在與所述硬膜層的所述至少一開口對應的所述絕緣基板內形成至少一第一溝槽，所述至少一第一溝槽具有第一深度；在包含所述至少一第一溝槽的所述絕緣基板的表面上依次形成第一蝕刻阻擋器和第一光刻膠；所述第一蝕刻阻擋器和所述第一光刻膠形成圖案，使所述第一蝕刻阻擋器的一部分和所述第一光刻膠的一部分保留在所述至少一第一溝槽的側壁上；在所述絕緣基板內形成至少一第二溝槽，所述至少一第二溝槽的每一個分別對應至少一第一溝槽的每一個，其中所述至少一第二溝槽具有大于所述第一深度的第二深度。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括移除所述硬膜層、所述第一蝕刻阻擋器和所述第一光刻膠。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括在包含所述至少一第二溝槽的所述絕緣基板的表面上依次形成第二蝕刻阻擋器和第二光刻膠；所述第二蝕刻阻擋器和所述第二光刻膠形成圖案，所述第二蝕刻阻擋器的一部分和該所述第二光刻膠的一部分保留在所述至少一第二溝槽的側壁上；在所述絕緣基板內形成至少一第三溝槽，所述至少一第三溝槽的每一個分別對應于至少一第一溝槽的每一個，其中所述至少一第三溝槽具有大于所述第二深度的第三深度；以及移除所述硬膜層、所述第一和第二蝕刻阻擋器和所述第一和第二光刻膠。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一蝕刻阻擋器和所述第一光刻膠形成圖案的步驟包括曝光具有所述硬膜層的所述第一光刻膠；顯影所述曝光后的第一光刻膠；以及蝕刻所述第一蝕刻阻擋器。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二蝕刻阻擋器和所述第二光刻膠形成圖案的步驟包括曝光所述硬膜層的所述第二光刻膠；顯影所述曝光后的第二光刻膠；以及蝕刻所述第二蝕刻阻擋器。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一和第二光刻膠由正型光刻膠形成。
7.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，通過用氫氟酸基蝕刻劑選擇性地蝕刻所述絕緣基板，形成所述至少一第一溝槽至所述至少一第三溝槽。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬膜包括金屬層。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法，其特征在于，所述金屬層包含鉻或鉬。
10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括在形成所述至少一第二溝槽之后移除所述第一光刻膠。
11.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，進一步包括在形成所述至少一第三溝槽之后移除所述第二光刻膠。
12.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括在移除所述硬膜之后移除所述第一光刻膠和所述第二光刻膠。
13.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一和第二蝕刻阻擋器包含透明或不透明的金屬材料。
14.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，每個所述第一和第二蝕刻阻擋器以大約0.01μm至0.3μm的厚度形成。
15.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一和第二蝕刻阻擋器包含銦錫氧化物、鉬或銅中至少之一。
16.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，以大約2μm至6μm的深度形成所述至少一第一溝槽至所述至少一第三溝槽的每一個。
17.一種具有至少一溝槽的印版，所述印版包括包括所述至少一溝槽的絕緣基板；與所述絕緣基板連接的金屬層圖案，所述金屬層圖案至少部分不覆蓋所述至少一溝槽；在所述至少一溝槽內并與所述金屬層圖案連接的第一光刻膠部分，其中所述第一光刻膠在所述至少一溝槽的側壁上；及與所述第一光刻膠部分連接的第一蝕刻阻擋器部分。
18.根據(jù)權利要求17所述的印版，其特征在于，進一步包括所述至少一溝槽上的第二光刻膠部分。
19.根據(jù)權利要求18所述的印版，其特征在于，所述第二光刻膠部分與所述第一蝕刻阻擋器部分或所述第一光刻膠部分連接。
20.根據(jù)權利要求18所述的印版，其特征在于，進一步包括與所述第二光刻膠部分連接的第二蝕刻阻擋器部分。
21.一種顯影印版的方法，包括在絕緣基板上提供具有間隙的硬膜層；在與所述硬膜層的所述間隙對應的所述絕緣基板內提供第一溝槽；在包含所述第一溝槽的所述絕緣基板上提供第一蝕刻阻擋器和第一光刻膠；所述第一蝕刻阻擋器和所述第一光刻膠形成圖案，所述第一蝕刻阻擋器的一部分和所述第一光刻膠的一部分在所述第一溝槽的側面上；以及在與所述第一溝槽對應的所述絕緣基板內提供第二溝槽。
22.根據(jù)權利要求21所述的方法，其特征在于，進一步包括移除所述硬膜層、所述第一蝕刻阻擋器和所述第一光刻膠。
23.根據(jù)權利要求21所述的方法，其特征在于，進一步包括在包含所述第二溝槽的所述絕緣基板上提供第二蝕刻阻擋器和第二光刻膠；所述第二蝕刻阻擋器和所述第二光刻膠形成圖案，所述第二蝕刻阻擋器的一部分和所述第二光刻膠的一部分在所述第二溝槽的側壁上；在與所述第一溝槽對應的所述絕緣基板內提供第三溝槽；以及移除所述硬膜層、所述第一和第二蝕刻阻擋器和所述第一和第二光刻膠。
24.根據(jù)權利要求21所述的方法，其特征在于，所述第一蝕刻阻擋器和所述第一光刻膠形成圖案的步驟包括曝光具有所述硬膜層的所述第一光刻膠；顯影所述曝光后的第一光刻膠；以及蝕刻所述第一蝕刻阻擋器。
25.根據(jù)權利要求23所述的方法，其特征在于，所述第二蝕刻阻擋器和所述第二光刻膠形成圖案的步驟包括曝光具有所述硬膜層的所述第二光刻膠；顯影所述曝光后的第二光刻膠；以及蝕刻所述第二蝕刻阻擋器。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種制造印版的方法，其通過使蝕刻臨界尺寸的變化最小獲得精確和細微圖案。所述方法使用在絕緣基板上具有開口的硬膜以在所述絕緣基板內形成具有第一深度的第一溝槽?？梢栽诎谝粶喜鄣慕^緣基板的表面上施加第一蝕刻阻擋器和第一光刻膠，用于通過曝光第一光刻膠使第一光刻膠形成圖案。同理，可以形成第二和第三溝槽。
文檔編號G03F7/00GK1924705SQ20061009031
公開日2007年3月7日 申請日期2006年6月29日 優(yōu)先權日2005年8月29日
發(fā)明者權五楠, 趙興烈 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社