專利名稱：制造取向膜的制造裝置、液晶裝置以及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造取向膜的制造裝置、液晶裝置以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
在液晶投影儀等投射型顯示裝置中，液晶裝置被作為光調(diào)制部而使用。
這樣的液晶裝置構(gòu)成為，在一對(duì)基板之間的邊緣部配置密封材料，并在其中央部密封液晶層。
在該一對(duì)基板的內(nèi)面?zhèn)刃纬捎袑?duì)液晶層施加電壓的電極，在這些電極的內(nèi)面?zhèn)刃纬捎腥∠蚰ぃ撊∠蚰び糜谠谑┘臃沁x擇電壓時(shí)控制液晶分子的取向。
根據(jù)這樣的結(jié)構(gòu)，液晶裝置基于施加非選擇電壓時(shí)與施加選擇電壓時(shí)的液晶分子的取向變化，對(duì)光源光進(jìn)行調(diào)制，來(lái)制作圖像光。
可是，作為所述取向膜，一般使用對(duì)高分子膜的表面實(shí)施了研磨處理的膜，其中，所述高分子膜由加成了側(cè)鏈烷基的聚酰亞胺等構(gòu)成。
研磨處理是指通過(guò)利用由柔軟的布構(gòu)成的輥?zhàn)?，向?guī)定方向摩擦高分子膜的表面，使高分子在規(guī)定方向進(jìn)行取向的處理。
液晶分子通過(guò)取向性高分子和液晶分子的分子間相互作用力，沿著取向性高分子而配置。
因此，可以使施加非選擇電壓時(shí)的液晶分子在規(guī)定方向取向。
而且，通過(guò)側(cè)鏈烷基，可以對(duì)液晶分子施加預(yù)傾斜。
但是，在采用具備這樣的有機(jī)取向膜的液晶裝置作為投影儀的光調(diào)制部時(shí)，擔(dān)心由于從光源照射的強(qiáng)光或熱會(huì)使得取向膜慢慢分解。
而且，在長(zhǎng)期使用之后，存在著無(wú)法使液晶分子排列成所期望的預(yù)傾斜角等，導(dǎo)致液晶分子的取向控制功能降低、液晶投影儀的顯示品質(zhì)下降之虞。
因此，提出了使用由耐光性以及耐熱性出色的無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的取向膜的方法。
作為這種無(wú)機(jī)取向膜的制造方法，公知的有通過(guò)例如斜方蒸鍍法，來(lái)成膜氧化硅(SiO2)膜的方法。
當(dāng)通過(guò)斜方蒸鍍法制造無(wú)機(jī)取向膜時(shí)，為了將取向膜形成為所期望的取向狀態(tài)，需要控制取向膜材料的入射角度。
作為控制取向材料入射角度的技術(shù)，公知的有特開2002-365639號(hào)公報(bào)所公開的技術(shù)。
該技術(shù)中，在具有取向膜材料的蒸鍍?cè)春突逯g，設(shè)置形成有狹縫的遮蔽板，通過(guò)以規(guī)定的角度使取向膜材料通過(guò)該狹縫，來(lái)選擇性地進(jìn)行蒸鍍，可形成所期望的取向膜。
但是，在所述的技術(shù)中，由于作為取向膜材料的SiO2不僅向基板蒸鍍，而且還被蒸鍍到遮蔽板上，所以，如果進(jìn)行長(zhǎng)時(shí)間處理，則會(huì)導(dǎo)致例如遮蔽板的狹縫寬度變窄的問(wèn)題。
于是，與成膜初期相比，在下縫處以規(guī)定的入射角度進(jìn)行入射等的成膜條件發(fā)生了改變，產(chǎn)生蒸鍍不均，從而無(wú)法得到所期望的取向膜。
并且，在遮蔽板的狹縫附近也附著上取向膜，如果在這樣的狀態(tài)下繼續(xù)進(jìn)行處理，則該附著物會(huì)變成微粒附著在取向膜上，從而，還會(huì)擔(dān)心使膜性能降低。
另外，為了避免這樣的不良情況，需要在遮蔽板的更換等裝置內(nèi)頻繁地進(jìn)行維護(hù)，但是，該情況下會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)率顯著降低，產(chǎn)生新的不良狀況。
究其原因，是因?yàn)橥ㄟ^(guò)蒸鍍而進(jìn)行的成膜通常是在裝置內(nèi)以真空氣氛進(jìn)行的，在進(jìn)行裝置內(nèi)的維護(hù)時(shí)，當(dāng)然需要從真空氣氛返回到大氣壓。
因此，為了在維護(hù)后再次進(jìn)行成膜，需要在裝置內(nèi)再次引入真空，形成所期望的真空度。
但是，在裝置內(nèi)引入真空需要花費(fèi)時(shí)間，例如，在對(duì)能夠形成多個(gè)基板的大型基板進(jìn)行蒸鍍等情況下，由于是大型裝置，所以為了引入真空需要例如10小時(shí)到1天左右的時(shí)間。
另外，由于當(dāng)將遮蔽板更換為新的遮蔽板時(shí)，在成膜初期成膜的穩(wěn)定性低，所以，更換后必須進(jìn)行一段時(shí)間的試運(yùn)行，由此，也會(huì)影響生產(chǎn)效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于上述情況，其目的在于提供使取向膜的制造生產(chǎn)率提高，并且，防止取向膜膜性能降低的取向膜制造裝置、具有通過(guò)該制造裝置制造的取向膜的液晶裝置、和電子設(shè)備。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的取向膜制造裝置，用于制造由夾持在一對(duì)對(duì)置基板之間的液晶而構(gòu)成的液晶裝置的取向膜，具備成膜室；蒸鍍部，用于在所述成膜室內(nèi)通過(guò)物理蒸鍍法將取向膜材料蒸鍍到所述基板，形成取向膜；遮蔽板，形成在所述蒸鍍部與所述基板之間，具有用于選擇性地蒸鍍?nèi)∠蚰げ牧系莫M縫狀開口部分，覆蓋所述基板的沒(méi)有形成取向膜的區(qū)域；清潔部，將用于除去附著在所述遮蔽板的所述取向膜材料的清潔媒介，朝向所述遮蔽板的所述蒸鍍部側(cè)的所述開口部分附近供給。
根據(jù)該取向膜的制造裝置，能夠在維護(hù)時(shí)，維持成膜室內(nèi)的真空狀態(tài)不變，通過(guò)清潔部除去附著在遮蔽板的取向膜材料。
因此，通過(guò)將附著在開口部分內(nèi)緣部的取向膜材料也除去，可以使成膜條件返回到成膜初期的條件，由此，能夠防止所制造的取向膜膜性能降低。
而且，還可以防止附著在遮蔽板的取向膜材料變成顆粒而附著在取向膜上，由此，也能夠防止所制造的取向膜膜性能降低。
并且，由于在該維護(hù)時(shí)，以維持真空狀態(tài)不變來(lái)進(jìn)行遮蔽板的清潔，所以，不需要像以往那樣，暫時(shí)從真空狀態(tài)返回到大氣壓下，然后再次引入真空的操作，因此，節(jié)省了引入真空的操作所需要的時(shí)間，能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)率。
另外，在本發(fā)明的取向膜制造裝置中，優(yōu)選所述清潔媒介是通過(guò)所述取向膜材料與所述清潔媒介發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從所述遮蔽板除去所述取向膜材料的反應(yīng)性氣體。
通過(guò)使用這樣的反應(yīng)性氣體，能夠根據(jù)材料選擇性良好地除去附著在遮蔽板的取向膜材料。
并且，在本發(fā)明的取向膜制造裝置中，優(yōu)選所述清潔媒介是通過(guò)物理方式除去所述取向膜材料，將所述取向膜材料從所述遮蔽板除去的固體微粒。
通過(guò)使用這樣的固體微粒，能夠良好地除去附著在遮蔽板的取向膜材料。
并且，在本發(fā)明的取向膜制造裝置中，優(yōu)選所述清潔部能夠相對(duì)所述開口部分進(jìn)退。
由此，通過(guò)在清潔時(shí)，使清潔部相對(duì)開口部分前進(jìn)，能夠可靠地除去附著在遮蔽板的開口部分內(nèi)緣部與其附近的取向膜材料。
而且，通過(guò)在利用蒸鍍進(jìn)行取向膜的成膜時(shí)，使清潔部相對(duì)開口部分后退，可以防止清潔部對(duì)成膜處理造成的干涉，并且，能夠防止取向膜材料附著到清潔部自身。
另外，在本發(fā)明的取向膜制造裝置中，優(yōu)選具備終點(diǎn)檢測(cè)部，用于檢測(cè)出除去附著在所述遮蔽板的所述取向膜材料結(jié)束時(shí)的終點(diǎn)。
這樣，通過(guò)利用終點(diǎn)檢測(cè)部檢測(cè)出取向膜材料除去的終點(diǎn)，并在該時(shí)刻結(jié)束清潔，可以防止由于對(duì)遮蔽板進(jìn)行了過(guò)度的清潔而引起的時(shí)間浪費(fèi)和遮蔽板的損壞。
本發(fā)明的液晶裝置具備由所述取向膜制造裝置制造的取向膜。
根據(jù)該液晶裝置，如上所述，由于防止了取向膜膜性能的降低，所以，該液晶裝置自身也具有良好的品質(zhì)。
而且，由于提高了取向膜的制造生產(chǎn)率，所以，該液晶裝置自身的生產(chǎn)率也被提高。
本發(fā)明的電子設(shè)備具備所述的液晶裝置。
根據(jù)該電子設(shè)備，由于具備品質(zhì)良好、提高了生產(chǎn)率的液晶裝置，所以，該電子設(shè)備自身也具有良好的品質(zhì)，生產(chǎn)率也被提高。


圖1A和圖1B是本發(fā)明制造裝置的一實(shí)施方式的概略構(gòu)成圖。
圖2是用于說(shuō)明清潔裝置的概略構(gòu)成的圖。
圖3是液晶裝置的TFT陣列基板的俯視圖。
圖4是液晶裝置的等效電路圖。
圖5是液晶裝置的平面構(gòu)造的說(shuō)明圖。
圖6是液晶裝置的截面構(gòu)造的說(shuō)明圖。
圖7是表示投影儀的主要部分的概略構(gòu)成圖。
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
圖1A是表示本發(fā)明的取向膜制造裝置的一實(shí)施方式的概略構(gòu)成的圖，圖1B是圖1A的主要部分放大圖，在圖1A以及圖1B中，符號(hào)1是取向膜的制造裝置(下面，表述為制造裝置)。該制造裝置1是用于在作為液晶裝置構(gòu)成部件的基板W的表面，形成由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的取向膜的裝置，包括由真空室形成的成膜室2、蒸鍍部3、設(shè)置在該蒸鍍部3與所述基板W之間的遮蔽板4、和用于清潔該遮蔽板4的清潔部5。
成膜室2是將用于進(jìn)行取向膜形成的前處理(例如基板的加熱處理)的前處理室(未圖示)、和用于進(jìn)行取向膜形成后的后處理(例如基板的冷卻處理)的后處理室(未圖示)分別連通的部件，具有將這些處理室之間的連通氣密性閉塞的閘閥(未圖示)，通過(guò)該開閉器，可以不降低室內(nèi)的真空度，進(jìn)行從前處理室搬入基板W以及從后處理室搬出基板W。
用于獲得所期望的真空度的真空泵6經(jīng)由配管7，與該成膜室2連接，來(lái)控制其內(nèi)部壓力。
并且，在成膜室2的內(nèi)壁設(shè)置有排氣管8。在本實(shí)施方式中，排氣管8的第一端部從成膜室2的內(nèi)壁朝向清潔部5附近延伸；排氣管8的第二端部連接有作為終點(diǎn)檢測(cè)部的傅立葉變換紅外分光光度計(jì)(FT-IR)9。傅立葉變換紅外分光光度計(jì)(FT-IR)9設(shè)置在成膜室2的外部。并且，排氣管8與吸引泵10連接。
另外，在該成膜室2內(nèi)設(shè)置有搬送部(未圖示)，用于沿著圖1A中的箭頭A方向連續(xù)或者斷續(xù)地搬送從前處理室搬入的基板W，進(jìn)而搬出到后處理室。
而且，在該成膜室2內(nèi)，在一方的側(cè)壁側(cè)設(shè)置有蒸鍍部3。
蒸鍍部3是用于通過(guò)物理蒸鍍法，即蒸鍍法與離子束濺射法等的濺射法，對(duì)所述基板W蒸鍍?nèi)∠蚰げ牧希瑏?lái)形成取向膜的部件。
在本實(shí)施方式中，通過(guò)由取向膜材料構(gòu)成的蒸鍍?cè)?a、和對(duì)該蒸鍍?cè)?a照射電子束來(lái)使其加熱升華的電子束槍單元(未圖示)構(gòu)成蒸鍍部3。
這里，使用二氧化硅(SiO2)等氧化硅(SiOx)作為取向膜材料。
在該蒸鍍部3中，保持蒸鍍?cè)?a的坩堝(未圖示)的開口被設(shè)置成朝向后述遮蔽板4的開口部分，由此，蒸鍍部3選擇性地在圖1A中的以雙點(diǎn)劃線表示的方向射出取向膜材料的升華物(蒸鍍物)。
遮蔽板4是可拆裝地保持、固定在安裝于成膜室2內(nèi)的搬送板11上的部件，由金屬或陶瓷、樹脂等形成。
搬送板11是在其上面?zhèn)缺３只錡，并且，能夠通過(guò)所述搬送部(未圖示)在箭頭A方向上移動(dòng)該基板的部件。在搬送板11上形成有保持遮蔽板4的開口11a。在成膜室2內(nèi)，開口11a位于和配置有所述蒸鍍部3的內(nèi)壁側(cè)相對(duì)的內(nèi)壁側(cè)。
在搬送板11的開口11a內(nèi)，形成有從開口11a的壁部延伸到開口11a內(nèi)側(cè)的保持部11b。由此，遮蔽板4嵌入在開口11a內(nèi)，處于載置在保持部11b上的狀態(tài)，通過(guò)例如螺栓固定在該保持部11b等，被保持固定在搬送板11上。
而且，在該遮蔽板4上形成有適當(dāng)寬度的狹縫狀開口部分(狹縫)12。
該開口部分12，通過(guò)適當(dāng)?shù)嘏渲谜诒伟?，使其位于與所述基板W的搬送方向(箭頭A方向)正交的位置，用于使來(lái)自所述蒸鍍部3的取向膜材料(蒸鍍物)選擇性地蒸鍍到基板W。
而且，該開口部分12配置為，由開口部分12露出的基板W的面，與從蒸鍍?cè)?a到開口部分12為止的升華方向的角度，被設(shè)定在規(guī)定的角度范圍。
由此，取向膜材料的升華物(蒸鍍物)會(huì)相對(duì)基板W的成膜面以規(guī)定的角度進(jìn)行斜方蒸鍍。
另一方面，通過(guò)遮蔽板4自身覆蓋基板W的底面?zhèn)?，使得由開口部分12規(guī)定的成膜區(qū)域之外的非成膜區(qū)域被覆蓋，阻止了取向膜材料向該區(qū)域的蒸鍍。
但是，由于基板W相對(duì)開口部分12進(jìn)行移動(dòng)，所以，通過(guò)經(jīng)由開口部分12使所有基板W的成膜區(qū)域(取向膜形成區(qū)域)露出，能夠使取向膜材料從斜方蒸鍍到該成膜區(qū)域的整個(gè)面。
另外，在成膜室2中設(shè)置有用于除去附著在遮蔽板4上的取向膜材料(蒸鍍物)的清潔裝置(清潔部)5。
該清潔裝置5由清潔媒介的供給源14、與該供給源14連接的撓性配管15、與該撓性配管15連接的媒介供給管16構(gòu)成。
媒介供給管16是遮蔽板4的設(shè)置在蒸鍍部3側(cè)的開口部分12附近的部件，如圖2所示，是沿著開口部分12的長(zhǎng)度方向，分別設(shè)置在其兩側(cè)的管狀部件。
在這些媒介供給管16上，沿著其長(zhǎng)度方向，即開口部分12的長(zhǎng)度方向，形成有供給口16a。
通過(guò)從該供給口16a吹出或者噴射清潔媒介，媒介供給管16將清潔媒介提供給遮蔽板4的開口部分12附近。
清潔媒介儲(chǔ)藏在供給源14或在該處生成，通過(guò)利用送氣泵等從供給源14被送出到媒介供給管16等，經(jīng)由撓性配管15從供給口16a被供給到遮蔽板4側(cè)。在本實(shí)施方式中，作為清潔媒介，特別使用與附著在遮蔽板4的取向膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，由此，從遮蔽板4除去所述取向膜材料的反應(yīng)性氣體。
該反應(yīng)性氣體可以根據(jù)取向膜材料的種類進(jìn)行適當(dāng)選擇、使用。
在本實(shí)施方式中，使用SiO2等氧化硅作為取向膜材料。因此，作為反應(yīng)性氣體，使用與氧化硅進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)后的反應(yīng)物例如氣化，由此，將取向膜材料從遮蔽板4除去的氣體。
具體而言，優(yōu)選使用下述物質(zhì)，即通過(guò)等離子體等使CF4、C2F6、NF3等PFC(perfluoro compound)氣體激活而產(chǎn)生的氣體或自由基、通過(guò)紫外線使Cl2或(F2/H2)等氣體激活而產(chǎn)生的光激發(fā)氣體、還有與SiO2的反應(yīng)性高的HF等氣體等。
通過(guò)從媒介供給管16供給這樣的氣體，并根據(jù)需要通過(guò)等離子體或紫外線等使其激活，該反應(yīng)性氣體與作為取向膜材料的SiO2等氧化硅進(jìn)行反應(yīng)，形成例如氟化硅(SiF4)，由此，使得取向膜材料氣化，從遮蔽板4除去。
另外，對(duì)于等離子體的產(chǎn)生部或紫外線等的光照射部，已經(jīng)預(yù)先設(shè)置在成膜室2中或其外部。
而且，在這樣的清潔裝置5中設(shè)置有進(jìn)退機(jī)構(gòu)(未圖示)，用于使該媒介供給管16相對(duì)所述開口部分12進(jìn)退。
該進(jìn)退機(jī)構(gòu)由例如圖2所示的保持媒介供給管16兩端部的保持桿17、和與所述保持桿17連接并使該保持桿17進(jìn)退的氣缸(未圖示)構(gòu)成，氣缸例如配置構(gòu)成在成膜裝置2的外部。
這里，通過(guò)該進(jìn)退機(jī)構(gòu)使媒介供給管16相對(duì)開口部分12而產(chǎn)生的進(jìn)退移動(dòng)如后所述，在清潔時(shí)，使媒介供給管16相對(duì)開口部分12前進(jìn)；在取向膜成膜時(shí)，使媒介供給管16相對(duì)開口部分12后退。
所述傅立葉變換紅外分光光度計(jì)(FT-IR)9，在特別使用含有氟(F)的反應(yīng)性氣體作為清潔媒介時(shí)，作為終點(diǎn)檢測(cè)部而起作用。
即，如前所述，PFC等含有F的氣體與作為取向膜材料的氧化硅反應(yīng)，生成氟化硅(SiF4)，通過(guò)吸引泵10的動(dòng)作，穿過(guò)排氣管8被導(dǎo)入傅立葉變換紅外分光計(jì)9。
該傅立葉變換紅外分光光度計(jì)9，通過(guò)檢測(cè)導(dǎo)入后的氣體中的氟化硅(SiF4)的量，如后所述，檢測(cè)清潔的終點(diǎn)。
接著，對(duì)通過(guò)如此構(gòu)成的制造裝置1制造取向膜的方法、該制造裝置的維護(hù)進(jìn)行說(shuō)明。
首先，使真空泵6工作，將成膜室2內(nèi)調(diào)整為所期望的真空度，并且，通過(guò)未圖示的加熱機(jī)構(gòu)，將成膜室2內(nèi)調(diào)整為規(guī)定的溫度。
而且，利用清潔裝置5的進(jìn)退機(jī)構(gòu)，使所述媒介供給管16如圖1A中以雙點(diǎn)劃線表示那樣，相對(duì)開口部分12后退。
接著，將在前處理室中進(jìn)行了加熱等的前處理的基板W搬入到成膜室2內(nèi)。
然后，通過(guò)搬送部使該基板W在圖1A中的箭頭A方向連續(xù)或斷續(xù)地移動(dòng)。
而且，與之不同，使蒸鍍部3工作，在圖1A中以雙點(diǎn)劃線表示的范圍內(nèi)使取向膜材料升華。
這樣，一邊使取向膜材料升華，一邊使基板W在搬送板11上移動(dòng)、到達(dá)遮蔽板4上，使其成膜面通過(guò)開口部分12而露出。
于是，通過(guò)將由開口部分12露出的基板W的面，與從蒸鍍?cè)?a到開口部分12為止的升華方向的角度，設(shè)定在規(guī)定的角度范圍，使得從蒸鍍?cè)?a升華而來(lái)的取向膜材料，相對(duì)基板W的成膜面以規(guī)定的角度進(jìn)行斜方蒸鍍。
然后，通過(guò)一邊相對(duì)開口部分12使基板W連續(xù)或斷續(xù)地移動(dòng)，一邊進(jìn)行該斜方蒸鍍，最終，使取向膜材料斜方蒸鍍?cè)诨錡的成膜區(qū)域(取向膜形成區(qū)域)的整個(gè)面，由此，可以形成所期望的取向膜。
不過(guò)，在通過(guò)這樣的蒸鍍而形成的成膜中，通過(guò)蒸鍍部3將來(lái)自取向膜材料的升華物(蒸鍍物)僅選擇性地射入到開口部分12內(nèi)幾乎是不可能的，通常，如圖1B所示，在遮蔽板4下面的、開口部分12附近，進(jìn)而在開口部分12的內(nèi)邊緣部，會(huì)蒸鍍附著有取向膜材料18。
而且，隨著處理時(shí)間增長(zhǎng)，取向膜材料18的附著量增多，如前所述，由于該附著的取向膜材料18，存在著導(dǎo)致所得到的取向膜的膜性能降低之虞。
因此，在本發(fā)明中，為了防止這樣的膜性能降低，也進(jìn)行維護(hù)，但是，本發(fā)明與以往不同，不進(jìn)行遮蔽板4的更換，因此，不需將成膜室2內(nèi)返回到大氣壓，而是通過(guò)清潔裝置5進(jìn)行的清潔，來(lái)從遮蔽板4除去取向膜材料18。
即，本發(fā)明的實(shí)施方式中，在基板W形成取向膜之后，不使成膜室2內(nèi)返回到大氣壓，而是在將該基板W搬出到后處理室的同時(shí)，停止由蒸鍍部3進(jìn)行的取向膜材料的升華。
接著，通過(guò)清潔裝置5的進(jìn)退機(jī)構(gòu)，如圖1A中實(shí)線所示那樣，使所述媒介供給管16相對(duì)開口部分12前進(jìn)。
然后，從清潔裝置5的供給源14送出作為清潔媒介的反應(yīng)性氣體，經(jīng)由撓性配管15輸送到媒介供給管16，進(jìn)而，通過(guò)從供給口16吹出或噴射，將反應(yīng)性氣體供給到遮蔽板4的開口部分12附近。
另外，與此不同，根據(jù)反應(yīng)性氣體的種類，按照需要，在遮蔽板4的開口部分12附近產(chǎn)生等離子體，或者對(duì)遮蔽板4的開口部分12附近照射紫外線等的激發(fā)光。
這樣，激活的反應(yīng)性氣體被供給到遮蔽板4的開口部分12附近，附著在遮蔽板4的取向膜材料18會(huì)與該反應(yīng)性氣體進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。
然后，生成例如氟化硅(SiF4)，使得取向膜材料18氣化，從而，從遮蔽板4除去。
由此，能夠除去附著在遮蔽板4的取向膜材料18，使得遮蔽板4清凈化，其開口部分12的狹縫寬度也變成原來(lái)設(shè)定的寬度。
而且，在這樣進(jìn)行清潔的期間，使吸引泵10工作，將在遮蔽板4的開口部分12附近產(chǎn)生的氣體，通過(guò)排氣管8吸引、排出。
然后，將所吸引的排氣氣體導(dǎo)入分光光度計(jì)9，檢測(cè)出排氣氣體中的氟化硅(SiF4)的量。
于是，在取向膜材料18附著于遮蔽板4的狀態(tài)下，通過(guò)進(jìn)行清潔，使清潔媒介(反應(yīng)性氣體)與取向膜材料18發(fā)生反應(yīng)，生成氟化硅，由此，對(duì)其進(jìn)行檢測(cè)。
但是，如果附著在遮蔽板4的取向膜材料18大部分被除去，則氟化硅的生成變少。
而且，如果附著在遮蔽板4的取向膜材料18大致被完全除去，則不再生成氟化硅，使得幾乎不能檢測(cè)出氟化硅的量。
因此，將這樣的幾乎不能檢測(cè)出氟化硅的時(shí)刻作為例如清潔的終點(diǎn)，即作為除去取向膜材料18的終點(diǎn)，由此，能夠良好地管理清潔的處理時(shí)間。
而且，由于這樣進(jìn)行清潔，使得遮蔽板4處于不附著取向膜材料18的原本狀態(tài)，所以，即使使用該遮蔽板4再次進(jìn)行取向膜的成膜，所獲得的取向膜其膜性能也不會(huì)降低，而是品質(zhì)良好的取向膜。
這樣構(gòu)成的制造裝置1，在維護(hù)時(shí)，能夠處于維持成膜室2內(nèi)為真空狀態(tài)，通過(guò)清潔裝置5除去附著在遮蔽板4的取向膜材料18。
因此，通過(guò)也除去附著在開口部分12內(nèi)緣部的取向膜材料18，可以使成膜條件返回到成膜初期的條件，由此，能夠防止所制造的取向膜的膜性能降低。
而且，還可以防止附著在遮蔽板4的取向膜材料18成為顆粒，附著在取向膜上，由此，也能夠防止所制造的取向膜的膜性能降低。
另外，由于在進(jìn)行維護(hù)時(shí)，能夠以維持真空狀態(tài)進(jìn)行遮蔽板4的清潔，所以，不需要像以往那樣，從真空狀態(tài)返回到大氣壓，并再次引入真空的操作，因此，節(jié)省了真空引入操作所需要的時(shí)間，能夠進(jìn)一步提高生產(chǎn)率。
并且，由于通過(guò)這樣的清潔除去了附著的取向膜材料18，所以，能夠延長(zhǎng)遮蔽板4的壽命，由此實(shí)現(xiàn)成本的降低。
進(jìn)而，通過(guò)清潔，不僅是遮蔽板4，還能夠除去附著在成膜室2的內(nèi)壁等的取向膜材料，由此，可以減少維護(hù)的負(fù)擔(dān)。
而且，由于具備作為終點(diǎn)檢測(cè)部而起作用的傅立葉變換紅外分光光度計(jì)9，所以，通過(guò)利用該裝置檢測(cè)出除去取向膜材料18的終點(diǎn)，并在該時(shí)刻結(jié)束清潔，可以防止因?qū)φ诒伟?進(jìn)行了過(guò)度的清潔而引起的時(shí)間浪費(fèi)與遮蔽板4的損壞。
另外，在所述實(shí)施方式中，具備檢測(cè)出反應(yīng)性氣體與作為取向膜材料的氧化硅進(jìn)行反應(yīng)而生成的反應(yīng)物，即氟化硅(SiF4)的傅立葉變換紅外分光光度計(jì)9作為終點(diǎn)檢測(cè)部，但是，當(dāng)使用通過(guò)等離子體使CF4、C2F6、NF3等PFC氣體激活而生成的氣體或自由基作為反應(yīng)性氣體時(shí)，也可以具備檢測(cè)該P(yáng)FC氣體中的氟(F)的發(fā)光的終點(diǎn)探測(cè)裝置作為終點(diǎn)檢測(cè)部。
通過(guò)具備這樣的檢測(cè)裝置，雖然幾乎不能檢測(cè)出清潔過(guò)程中PFC氣體反應(yīng)所消耗的氟，但是，在清潔結(jié)束時(shí)，能夠以高濃度檢測(cè)出PFC氣體沒(méi)有因反應(yīng)而被消耗，即維持原樣而存在的氟。
因此，通過(guò)這樣將以高濃度檢測(cè)出氟的時(shí)刻作為例如清潔的終點(diǎn)，即作為除去取向膜材料18的終點(diǎn)，可良好地管理清潔的處理時(shí)間。
另外，在所述實(shí)施方式中，雖然作為本發(fā)明的清潔媒介，使用了通過(guò)與取向膜材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，來(lái)從遮蔽板4將其除去的反應(yīng)性氣體，但是，本發(fā)明不限定于此，例如，也可以使用以物理方式除去取向膜材料來(lái)將其從遮蔽板4除去的固體微粒，作為清潔媒介。
作為這樣的固體微粒，優(yōu)選使用例如干冰的微粒。
通過(guò)從媒介供給管16噴出該干冰的微粒，使其與附著在遮蔽板4的開口部分12的內(nèi)緣部和其附近的取向膜材料18發(fā)生沖擊，能夠以物理的方式將其從遮蔽板4除去。
而且，在使用這樣的固體微粒作為清潔媒介的情況下，使用例如光學(xué)檢測(cè)部作為終點(diǎn)檢測(cè)部。
即，預(yù)先在遮蔽板4的開口部分附近設(shè)置反射板，或者通過(guò)具有良好的反射性能的材料形成遮蔽板4自身。
然后，使用發(fā)光元件和光敏元件，在遮蔽板4的開口部分12附近使來(lái)自發(fā)光元件的光反射，并通過(guò)光敏元件接收該反射光，由此，檢測(cè)出在遮蔽板4處的反射。
如果在遮蔽板4的開口部分12附近附著有取向膜材料，則由于反射率發(fā)生了變化，使得光敏元件的接收光量與設(shè)定值的不同，由此，檢測(cè)出附著有取向膜材料。
因此，反過(guò)來(lái)，通過(guò)除去取向膜材料、露出所述反射板等，可以按照再次設(shè)定那樣進(jìn)行反射。
由此，通過(guò)將接收到光的時(shí)刻作為例如清潔的終點(diǎn)，即除去取向膜材料的終點(diǎn)，能夠良好地管理清潔的處理時(shí)間。
接著，對(duì)具備由這樣的制造裝置1而形成的取向膜的本發(fā)明液晶裝置進(jìn)行說(shuō)明。
另外，在下面的說(shuō)明所使用的各附圖中，為了將各部件形成為能夠識(shí)別的大小，適當(dāng)?shù)馗淖兞烁鞑考谋壤摺?br> 圖3是表示本發(fā)明液晶裝置的一實(shí)施方式的概略構(gòu)成的TFT陣列基板的俯視圖，圖3中的符號(hào)80表示TFT陣列基板(基板)。
在該TFT陣列基板80的中央形成有圖像制作區(qū)域101。
在該圖像制作區(qū)域101的邊緣部設(shè)置有所述密封材料89，在圖像制作區(qū)域101處密封有液晶層(未圖示)。
該液晶層是將液晶直接涂敷在TFT陣列基板80上而形成的，在密封材料89上沒(méi)有設(shè)置液晶的注入口，即構(gòu)成所謂的無(wú)封口結(jié)構(gòu)。
在該密封材料89的外側(cè)設(shè)置有將掃描信號(hào)提供給后述的掃描線的掃描線驅(qū)動(dòng)元件110、將圖像信號(hào)提供給后述的數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)元件120。
布線76從該驅(qū)動(dòng)元件110、120被拖拽到TFT陣列基板80端部的連接端子79。
另一方面，在粘接于TFT陣列基板80的對(duì)置基板90(參照?qǐng)D6)上，形成有公用電極61(參照?qǐng)D6)。
該公用電極61形成在圖像制作區(qū)域101的大致整個(gè)區(qū)域，在其四個(gè)角上設(shè)置有基板間導(dǎo)通部70。
布線78從該基板間導(dǎo)通部70被拖拽到連接端子79。
而且，通過(guò)從外部輸入的各種信號(hào)經(jīng)由連接端子79被供給到圖像制作區(qū)域101，液晶裝置被驅(qū)動(dòng)。
圖4是液晶裝置的等效電路圖。
在透過(guò)型液晶裝置的為了構(gòu)成圖像制作區(qū)域而配置成矩陣狀(陣列狀)的多個(gè)像素上，分別形成有像素電極49。
而且，在像素電極49的側(cè)方形成有作為開關(guān)元件的TFT元件30，用于對(duì)所述像素電極49進(jìn)行通電控制。
該TFT像素30的源極連接有數(shù)據(jù)線46a。
從所述的數(shù)據(jù)線驅(qū)動(dòng)元件120向各數(shù)據(jù)線46a提供像素信號(hào)S1、S2、…、Sn。
而且，TFT元件30a的柵極連接有掃描線43a。
以規(guī)定的定時(shí)，從所述的掃描線驅(qū)動(dòng)元件向各掃描線43a提供脈沖掃描信號(hào)G1、G2、…、Gm。
另一方面，TFT元件30的漏極連接有像素電極49。
而且，如果利用從掃描線43a供給的掃描信號(hào)G1、G2、…、Gm，僅以一定間隔使作為開關(guān)元件的TFT元件30接通，則從數(shù)據(jù)線46a供給的圖像信號(hào)S1、S2…、Sn會(huì)經(jīng)由像素電極49，以規(guī)定的定時(shí)寫入各像素的液晶。
被寫入到液晶的具有規(guī)定電平的圖像信號(hào)S1、S2…、Sn，通過(guò)形成在像素電極49和后述的公用電極之間的液晶電容，而被保持一定期間。
另外，為了保持所保持的圖像信號(hào)S1、S2…、Sn的泄漏，在像素電極49與電容線43b之間形成有蓄積電容57，其與液晶電容并列配置。
這樣，如果對(duì)液晶施加電壓信號(hào)，則根據(jù)所施加的電壓電平，液晶分子的取向狀態(tài)發(fā)生變化。
由此，入射到液晶的光源光被調(diào)制，制作成圖像光。
圖5是液晶裝置的平面結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖。
在本實(shí)施方式的液晶裝置中，由銦錫氧化物(Indium Tin Oxide，下面稱作ITO)等透明導(dǎo)電材料構(gòu)成的矩形狀的像素電極49(由虛線49a表示其輪廓)，以矩陣狀排列形成在TFT陣列基板上。
而且，沿著像素電極49縱橫的邊界，設(shè)置有數(shù)據(jù)線46a、掃描線43a以及電容線43b。
在本實(shí)施方式中，形成有各像素電極49的矩形區(qū)域是像素，可以按配置成矩陣狀的每個(gè)像素進(jìn)行顯示。
TFT元件30以由多晶硅膜等構(gòu)成的半導(dǎo)體層41a為中心而形成。
在半導(dǎo)體層41a的源極區(qū)域(后述)，經(jīng)由接觸孔45連接有數(shù)據(jù)線46a。
而且，在半導(dǎo)體層41a的漏極區(qū)域(后述)，經(jīng)由連接孔48連接有像素電極49。
另一方面，在半導(dǎo)體層41a的與掃描線43a對(duì)置的部分形成有溝道區(qū)域41a’。
圖6是液晶裝置的截面構(gòu)造說(shuō)明圖，是圖4A-A’線的向視剖視圖。
如圖6所示，本實(shí)施方式的液晶裝置60以TFT陣列基板80、與之對(duì)置配置的對(duì)置基板90、夾持在二者之間的液晶層50為主體而構(gòu)成。
TFT陣列基板80以由玻璃或石英等透明材料構(gòu)成的基板主體80、形成在其內(nèi)側(cè)的TFT元件30與像素電極49、以及無(wú)機(jī)取向膜86等為主體構(gòu)成。
一方的對(duì)置基板90以由玻璃或石英等透明材料構(gòu)成的基板主體90A、以及形成在其內(nèi)側(cè)的公用電極61與無(wú)機(jī)取向膜92等為主體構(gòu)成。
在TFT陣列基板80的表面形成有后述的第一遮光膜51a以及第一層間絕緣膜12。
而且，在第一層間絕緣膜52的表面形成有半導(dǎo)體層41a，以該半導(dǎo)體層41a為中心形成有TFT元件30。
在半導(dǎo)體層的與掃描線43a對(duì)置的部分形成有溝道區(qū)域41a’，在其兩側(cè)形成有源極區(qū)域以及漏極區(qū)域。
由于該TFT元件30采用了LDD(Lightly Doped Drain)構(gòu)造，所以，在源極區(qū)域以及漏極區(qū)域分別形成雜質(zhì)濃度相對(duì)高的高濃度區(qū)域、和雜質(zhì)濃度相對(duì)低的低濃度區(qū)域(LDD區(qū)域)。
即，在源極區(qū)域形成低濃度源極區(qū)域41b和高濃度源極區(qū)域41d；在漏極區(qū)域形成低濃度漏極區(qū)域41c和高濃度漏極區(qū)域41e。
在半導(dǎo)體層41a的表面形成有柵極絕緣膜42。
而且，在柵極絕緣膜42的表面形成有掃描線43a，與溝道區(qū)域41’對(duì)置的部分構(gòu)成柵電極。
另外，在柵極絕緣膜42以及掃描線43a的表面形成有第二層間絕緣膜44。
而且，在第二層間絕緣膜44的表面形成有數(shù)據(jù)線46a，經(jīng)由形成在第二層間絕緣膜44的接觸孔45，該數(shù)據(jù)線46a與高濃度源極區(qū)域41d連接。
并且，在第二層間絕緣膜44以及數(shù)據(jù)線46a的表面形成有第三層間絕緣膜47。
此外，在第三層間絕緣膜47的表面形成有像素電極49，經(jīng)由形成在第二層間絕緣膜44以及第三層間絕緣膜47的接觸孔48，該像素電極49與高濃度漏極區(qū)域41e連接。
并且，通過(guò)所述制造裝置1而形成的無(wú)機(jī)取向膜86形成為覆蓋像素電極49，用于控制施加非選擇電壓時(shí)液晶分子的取向。
另外，在本實(shí)施方式中，延伸設(shè)置半導(dǎo)體成41a而形成第一蓄積電容電極41f。
而且，延伸設(shè)置柵極絕緣膜42形成電介質(zhì)膜，并在其表面配置電容線43b，形成第二蓄積電容電極。
由第一蓄積電容電極41f、第二蓄積電容電極(電容線43b)以及電介質(zhì)膜(柵極絕緣膜42)構(gòu)成前述的蓄積電容57。
并且，在與TFT元件30的形成區(qū)域?qū)?yīng)的基板主體80A的表面形成有第一遮光膜51a。
第一遮光膜51a用于防止入射到液晶裝置的光，侵入到半導(dǎo)體層41a的溝道區(qū)域41a’、低濃度源極區(qū)域41b以及低濃度漏極區(qū)域41c。
另一方面，在對(duì)置基板90的基板主體90A的表面形成有第二遮光膜63。
第二遮光膜63用于防止入射到液晶裝置的光，侵入到半導(dǎo)體層41a的溝道區(qū)域41a’、低濃度源極區(qū)域41b以及低濃度漏極區(qū)域41c等，俯視觀察設(shè)置在與半導(dǎo)體層41a重疊的區(qū)域。
而且，在對(duì)置基板90的表面，遍及整個(gè)面形成有由ITO等導(dǎo)電體構(gòu)成的公用電極61。
并且，在公用電極61的表面形成有通過(guò)所述制造裝置1形成的無(wú)機(jī)取向膜92，用于限制施加非選擇電壓時(shí)液晶分子的取向。
另外，在TFT陣列基板80與對(duì)置基板90之間，夾持有由向列型液晶等構(gòu)成的液晶層50。
該向列型液晶分子是具有正的介電常數(shù)各向異性的分子，施加非選擇電壓時(shí)，沿著基板水平取向；施加選擇電壓時(shí)，沿著電場(chǎng)方向垂直取向。
而且，向列型液晶分子具有正的折射率各向異性，其雙折射率與液晶層厚度之積(延遲)Δnd，例如大約為0.4μm(60℃)。
另外，由TFT陣列基板80的取向膜86實(shí)現(xiàn)的取向限制方向，與由對(duì)置基板90的取向膜92實(shí)現(xiàn)的取向限制方向，被設(shè)定為大約處于扭轉(zhuǎn)了90°的狀態(tài)。
由此，本實(shí)施方式的液晶裝置60以扭絞向列模式工作。
而且，在兩基板80、90的外側(cè)設(shè)置偏振片58、68，所述偏振片58、68由在聚乙烯醇(PVA)中摻雜了碘的材料等構(gòu)成。
另外，優(yōu)選各偏振片58、68安裝在由藍(lán)寶石、玻璃或水晶等熱傳導(dǎo)率高的材料構(gòu)成的支承基板上，并從液晶裝置60離開設(shè)置。
各偏振片58、68具有吸收其吸收軸方向的直線偏振光、透過(guò)其透過(guò)軸方向的直線偏振光的功能。
TFT陣列基板80側(cè)的偏振片58配置成，其透過(guò)軸與取向膜86的取向限制方向近似一致，對(duì)置基板90側(cè)的偏振片68配置成，其透過(guò)軸與取向膜92的取向限制方向近似一致。
液晶裝置60將對(duì)置基板朝向光源側(cè)配置。
在其光源光中，只有與偏振片68的透過(guò)軸一致的直線偏振光透過(guò)偏振片68，入射到液晶裝置60。
在施加非選擇電壓時(shí)的液晶裝置60中，水平取向的液晶分子相對(duì)基板層疊配置成，從液晶層50的厚度方向大約扭轉(zhuǎn)了90°的螺旋狀。
因此，入射到液晶裝置60的直線偏振光被旋光大約90°，從液晶裝置60射出。
由于該直線偏振光與偏振片58的透過(guò)軸一致，所以，透過(guò)偏振片58。
因此，在施加非選擇電壓時(shí)的液晶裝置60中，進(jìn)行白顯示(正常白色模式)。
另外，在施加選擇電壓時(shí)的液晶裝置60中，液晶分子相對(duì)基板垂直取向。
因此，入射到液晶裝置60的直線偏振光不被旋光，從液晶裝置60射出。
由于該直線偏振光與偏振片58的透過(guò)軸正交，所以，不透過(guò)偏振片58。
因此，在施加選擇電壓時(shí)的液晶裝置60中，進(jìn)行黑顯示。
這里，如前所述，在兩基板80、90的內(nèi)側(cè)形成有通過(guò)所述制造裝置1而制造的無(wú)機(jī)取向膜86、92。
這些無(wú)機(jī)取向膜86、92優(yōu)選如前所述，由SiO2或SiO等氧化硅形成，不過(guò)，也可以由Al2O3、ZnO、MgO或ITO等金屬氧化物等形成。
由于形成這樣的無(wú)機(jī)取向膜86、92而構(gòu)成的液晶裝置60，是如前所述，通過(guò)制造裝置1而形成的，能夠防止無(wú)機(jī)取向膜86、92膜性能的降低，所以，該液晶裝置60自身也具有良好的品質(zhì)。
而且，由于無(wú)機(jī)取向膜86、92的制造提高了生產(chǎn)率，所以，也提高了該液晶裝置60自身的生產(chǎn)率。
(投影儀)接著，基于圖7對(duì)本發(fā)明的電子設(shè)備，即投影儀的一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
圖7是表示投影儀主要部分的概略構(gòu)成圖。
該投影儀具備上述實(shí)施方式所涉及的液晶裝置作為光調(diào)制部。
在圖7中，符號(hào)810表示光源、符號(hào)813與符號(hào)814表示分色鏡、符號(hào)815、符號(hào)816以及符號(hào)817表示反射鏡、符號(hào)818表示入射透鏡、符號(hào)819表示中繼透鏡，符號(hào)820表示出射透鏡、符號(hào)822、符號(hào)823以及符號(hào)824表示由本發(fā)明的液晶裝置構(gòu)成的光調(diào)制部、符號(hào)825表示十字分色鏡、符號(hào)826表示投射透鏡。
光源810由金屬鹵化物等的燈811和反射燈光的反射鏡812構(gòu)成。
分色鏡813使來(lái)自光源810的白色光中所包含的紅色光透過(guò)，并且，反射藍(lán)色光與綠色光。
透過(guò)的紅色光被反射鏡817反射，入射到紅色光用光調(diào)制部822。
另外，被分色鏡813反射的綠色光通過(guò)分色鏡814被反射，入射到綠色光用光調(diào)制部823。
并且，被分色鏡813反射的藍(lán)色光透過(guò)分色鏡814。
為了防止由于長(zhǎng)的光程而引起的光損失，對(duì)藍(lán)色光設(shè)置了由包括入射透鏡818、中繼透鏡819以及出射透鏡820的中繼透鏡系統(tǒng)構(gòu)成的導(dǎo)光部821。
經(jīng)由該導(dǎo)光部821，藍(lán)色光入射到藍(lán)色光用光調(diào)制部824。
通過(guò)各光調(diào)制部822、823、824而被調(diào)制的3種顏色光，入射到十字分色鏡825。
該十字分色鏡825是將四個(gè)直角棱鏡粘貼在一起而構(gòu)成的，在其界面以X字狀形成有反射紅光的電介質(zhì)多層膜和反射藍(lán)光的電介質(zhì)多層膜。
三種顏色光通過(guò)這些電介質(zhì)多層膜而被合成，形成表示彩色圖像的光。
合成后的光通過(guò)作為投射光學(xué)系統(tǒng)的投射透鏡826投影到屏幕827上，將圖像放大顯示。
所述的投影儀具備所述液晶裝置作為光調(diào)制部。
由于如前所述，該液晶裝置具備耐光性和耐熱性優(yōu)越的無(wú)機(jī)取向膜，所以，不會(huì)由于光源照射的強(qiáng)光與熱而使得取向膜變差。
而且，該液晶裝置具有良好的品質(zhì)，并提高了生產(chǎn)率，所以，該投影儀(電子設(shè)備)自身也具有良好的品質(zhì)，生產(chǎn)率也被提高。
另外，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限定于上述的實(shí)施方式，也包括在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，而對(duì)上述的實(shí)施方式施加的種種變更。
例如，在上述實(shí)施方式中，以具備TFT作為開關(guān)元件的液晶裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是，也可以將本發(fā)明應(yīng)用于具備薄膜二極管(Thin FilmDiode)等二端子型元件作為開關(guān)元件的液晶裝置。
而且，雖然在所述實(shí)施方式中，以透過(guò)型液晶裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是，也可以將本發(fā)明應(yīng)用于反射型液晶裝置。
并且，雖然在所述實(shí)施方式中，以在TN(Twisted Nematic)模式下起作用的液晶裝置為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是，也可以將本發(fā)明應(yīng)用于在VA(Vertical Alignment)模式下起作用的液晶裝置中。
還有，雖然在實(shí)施方式中以三板式投射型顯示裝置(投影儀)為例進(jìn)行了說(shuō)明，但是，也可以將本發(fā)明應(yīng)用于單板式投射型顯示裝置或直視型顯示裝置。
另外，也可以將本發(fā)明的液晶裝置應(yīng)用于投影儀之外的電子設(shè)備。
作為其具體例，可以舉出便攜電話。
該便攜電話具備所述各實(shí)施方式或其變形例所涉及的液晶裝置作為顯示部。
此外，作為其他的電子設(shè)備可以舉出，例如IC卡、攝像機(jī)、個(gè)人計(jì)算機(jī)、頭帶式顯示器，還有帶顯示功能的傳真裝置、數(shù)碼相機(jī)的取景器、便攜式TV、DSP裝置、PDA、電子記事本、電光揭示盤、宣傳公告用顯示器等。
權(quán)利要求
1.一種制造裝置，用于制造由夾持在一對(duì)對(duì)置基板之間的液晶而構(gòu)成的液晶裝置的取向膜，具備成膜室；蒸鍍部，用于在所述成膜室內(nèi)通過(guò)物理蒸鍍法將取向膜材料蒸鍍到所述基板，形成取向膜；遮蔽板，形成在所述蒸鍍部與所述基板之間，具有用于選擇性地蒸鍍?nèi)∠蚰げ牧系莫M縫狀開口部分，覆蓋所述基板的沒(méi)有形成取向膜的區(qū)域；和清潔部，將用于除去附著在所述遮蔽板的所述取向膜材料的清潔媒介，朝向所述遮蔽板的所述蒸鍍部側(cè)的所述開口部分附近供給。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造裝置，其特征在于，所述清潔媒介是通過(guò)所述取向膜材料與所述清潔媒介發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從所述遮蔽板除去所述取向膜材料的反應(yīng)性氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造裝置，其特征在于，所述清潔媒介是通過(guò)物理方式除去所述取向膜材料，將所述取向膜材料從所述遮蔽板除去的固體微粒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任意一項(xiàng)所述的制造裝置，其特征在于，所述清潔部能夠相對(duì)所述開口部分進(jìn)退。
5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任意一項(xiàng)所述的制造裝置，其特征在于，具備終點(diǎn)檢測(cè)部，其用于檢測(cè)出除去附著在所述遮蔽板的所述取向膜材料結(jié)束時(shí)的終點(diǎn)。
6.一種液晶裝置，具備由權(quán)利要求1～5中任意一項(xiàng)所述的制造裝置制造的取向膜。
7.一種電子設(shè)備，具備權(quán)利要求6中所述的液晶裝置。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造裝置，用于制造由夾持在一對(duì)對(duì)置基板之間的液晶而構(gòu)成的液晶裝置的取向膜，具備成膜室；蒸鍍部，用于在所述成膜室內(nèi)通過(guò)物理蒸鍍法將取向膜材料蒸鍍到所述基板，形成取向膜；遮蔽板，形成在所述蒸鍍部與所述基板之間，具有用于選擇性地蒸鍍?nèi)∠蚰げ牧系莫M縫狀開口部分，覆蓋所述基板的沒(méi)有形成取向膜的區(qū)域；和清潔部，將用于除去附著在所述遮蔽板的所述取向膜材料的清潔媒介，朝向所述遮蔽板的所述蒸鍍部側(cè)的所述開口部分附近供給。
文檔編號(hào)G02F1/133GK1896847SQ20061010543
公開日2007年1月17日 申請(qǐng)日期2006年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2005年7月14日
發(fā)明者永田康史, 清水雄一 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社