專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)器件，并尤其涉及在LCD器件中具有像 素電極的基板。
背景技術(shù)：
通常LCD器件包括彼此相對的第-一和第二基板，以及在第一和第二基板之 間形成的液晶層。在向LCD器件施加電壓時，液晶層中液晶分子的排列發(fā)生變 化以控制透光率，從而顯示圖像。
以下，將參照


現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件。
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)LCD器件的截面圖。
如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件包括第一基板10、第二基板30，以及 形成的第一基板10和第二基板30之間的液晶層70。
第一基板IO包括薄膜晶體管(未示出)，和與薄膜晶體管連接的像素電極 12。此外，在像素電極12的上部形成用于液晶層70初始定向的定向?qū)?0。
第二基板30包括防止漏光的遮光層32、形成在遮光層32上的R、 G和B 彩色光阻的濾色片層34以及形成在濾色片層34上的公共電極36。此外，在 公共電極36上形成用于液晶層70初始定向的定向?qū)?0。
以下，下面將說明用于形成其上形成有像素電極12的基板10的方法。
圖2A到2F為說明用于形成現(xiàn)有技術(shù)LCD器件中具有像素電極的第一基板 的方法的截面圖。在圖2A到2F中省略薄膜晶體管。
首先，如圖2A所示，在第一基板10上形成像素電極的電極層12a，并且 在電極層12a上形成光刻膠層20a。
然后，如圖2B所示，在第一基板10上方設(shè)置預(yù)定掩模25后，向光刻膠
層20a施加光。
如圖2C所示，通過顯影形成預(yù)定光刻膠圖案20。
如圖2D所示，通過釆用光刻膠圖案20作為掩模構(gòu)圖像素電極的電極層 12a，從而形成像素電極12的圖案。
如圖2E所示，通過去除光刻膠圖案20形成像素電極12。
如圖2F所示，在像素電極12的上方形成用于液晶初始定向的定向?qū)?0， 從而完成LCD器件的第一基板。
以上用于形成根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的LCD器件的第一基板的方法采用附加光刻 膠圖案以完成像素電極12的圖案。因此，如圖2A到2C所示，形成光刻膠圖 案20的步驟是必不可少的，并且如圖2E所示用于去除光刻膠的步驟也是必須 的。
由于要執(zhí)行用于形成和去除光刻膠圖案20的步驟，因此現(xiàn)有技術(shù)工藝比 較復(fù)雜，并且增加了工藝時間。
為了能夠大規(guī)模生產(chǎn)LCD器件，對于簡化的工藝進(jìn)行連續(xù)的開發(fā)和研究以 降低生成成本。尤其是，需要獲得與采用光刻膠圖案20形成像素電極12的步 驟相關(guān)的簡化方法。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供了一種LCD器件及其制造方法，其能夠基本上避免由現(xiàn) 有技術(shù)的限制和缺陷引起的一個或多個問題。
本發(fā)明的目的在于提供一種用于制造LCD器件的方法以通過不采用附加 光刻膠圖案形成像素電極獲得簡化的工藝并且減少制造時間。
本發(fā)明的另一目的為提供一種LCD器件以通過不采用附加光刻膠圖案形 成像素電極獲得簡化的工藝并且減少制造時間。
本發(fā)明另外的優(yōu)點、目的和特征將在以下描述中加以闡述，其中部分特征 和優(yōu)點對于熟悉本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說可以從以下描述中顯而易見地看 至U，或者從本發(fā)明的實踐中得知。通過在本發(fā)明的說明書、權(quán)利要求書以及附 圖中具體指明的結(jié)構(gòu)，本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點會得到了解和實現(xiàn)。
為了實現(xiàn)這些目的和其它優(yōu)點，并根據(jù)本發(fā)明的目的，這里進(jìn)行具體和廣 泛描述， 一種用于制造LCD器件的方法，包括在第一基板上形成用于像素電極 的電極層；在所述用于像素電極的電極層上形成預(yù)定的定向?qū)訄D案；并通過采
用所述定向?qū)訄D案作為掩模構(gòu)圖所述用于像素電極的電極層形成像素電極圖案。
在本發(fā)明的另一方面，LCD器件包括第一和第二基板；形成在所述第一基 板上的像素電極圖案；以及形成在所述像素電極圖案上的定向?qū)?，其中所述?成的定向?qū)泳哂泻退鱿袼仉姌O圖案一樣的圖案。
在本發(fā)明中，通過采用定向?qū)訄D案作為掩模代替采用附加光刻膠圖案作為 掩模形成像素電極圖案，從而簡化了工藝步驟，并減少工藝時間。
應(yīng)該理解，本發(fā)明以上的概述和以下的詳細(xì)描述均是示例性的和解釋性 的，旨在對權(quán)利要求所述的內(nèi)容提供進(jìn)一歩說明。

所包括的附圖用于提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并包含在說明書中構(gòu)成說 明書的一部分，附圖描述了本發(fā)明的實施方式并且與說明書一起用于解釋本發(fā) 明的原理。在附圖中
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)LCD器件的截面圖2A到2F所示為形成在現(xiàn)有技術(shù)LCD器件中具有像素電極的方法的截面
圖3A到3F所示為依照本發(fā)明的優(yōu)選實施方式用于制造LCD器件方法的截 面圖；以及
圖4所示為依照本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的LCD器件的截面圖。
具體實施例方式
下面詳細(xì)參考本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，其實施例在附圖中示出。盡可能地， 在整個附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同或者相似的部件。 以下，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明用于制造LCD器件的方法。 圖3A到3F所示為依照本發(fā)明的優(yōu)選實施方式用于制造LCD器件方法的截面圖。
如圖3A所示，在第一基板100上形成薄膜晶體管。
通過如下步驟形成薄膜晶體管TFT，即在第一基板100的整個表面上形成 緩沖層104;在緩沖層104上形成有源層106;在包括有源層106的第一基板 100的整個表面上形成柵絕緣層108;在該柵絕緣層108上形成柵極110;在
包括柵極110的第一基板100的整個表面上形成絕緣中間層112:在柵絕緣層 108和絕緣中間層112的預(yù)定部分形成接觸孔;通過該接觸孔形成和有源層106 連接的源極114a和漏極114b;以及在包括源極114a和漏極114b的第一基板 100的整個表面上形成具有接觸孔的鈍化層116。 緩沖層104可以由硅氧化物形成。
有源層106具有由多晶硅形成的中央部分；并且通過選擇性摻雜n型或者 P型雜質(zhì)離子形成由源和漏雜質(zhì)區(qū)域形成的兩側(cè)部分。通過用于形成非晶硅層 并采用激光能量執(zhí)行多結(jié)晶過程以形成多晶硅層的第一步驟和采用柵極110 作為掩模在多晶硅層選擇性摻雜n型或者p型雜質(zhì)離子的第二步驟形成有源層 106。通過執(zhí)行第一和第二步驟，使得有源層106由位于柵極下方的多晶硅層、 以及對應(yīng)于多晶硅層兩側(cè)的源、漏雜質(zhì)區(qū)域構(gòu)成。
柵絕緣層108和絕緣中間層112由硅氧化物或者硅氮化物形成。 柵極110、源極114a和漏極114b由鋁A1、鋁合金、鉻Cr、鎢W或者鉬 Mo形成。
鈍化層116由無機或者有機絕緣材料形成。此外，在對應(yīng)于漏極114b的 部分形成設(shè)置在鈍化層116中的接觸孔。像素電極通過設(shè)置在鈍化層116中的 接觸孔與漏極114b連接。
如圖3A所示，本發(fā)明的優(yōu)選實施方式適用于薄膜晶體管?？梢酝ㄟ^本領(lǐng) 域技術(shù)人員公知的各種形狀形成薄膜晶體管。
如圖3B所示，在薄膜晶體管的鈍化層116上形成像素電極的電極層120a。 該電極層120a可以由氧化銦錫(ITO)形成。
如圖3C所示，在像素電極的電極層120a上形成定向?qū)?00a。定向?qū)?00a 由光活性聚合物材料形成，優(yōu)選為光活性聚酰亞胺基材料。
如圖3D所示，在基板上方設(shè)置預(yù)定掩模圖案250以后，向定向?qū)?00a 施加光。
如圖3E所示，顯影定向?qū)?00a以形成定向?qū)訄D案500。 gp，去除光照射 到的定向?qū)硬糠?，保留阻擋光線照射的定向?qū)硬糠郑瑥亩瓿啥ㄏ驅(qū)訄D案500。 如圖3F所示，采用定向?qū)訄D案500作為掩模構(gòu)圖像素電極的電極層120a,
從而形成像素電極圖案120。
在現(xiàn)有技術(shù)中，采用附加光刻膠圖案作為掩模形成像素電極圖案，使得形 成和去除光刻膠圖案的步驟是必不可少的。
但是，在本發(fā)明中，通過采用定向?qū)?00作為掩模形成像素電極圖案120， 從而可以省略用于形成光刻膠圖案的步驟。此外，該定向?qū)訄D案500不僅用作 掩模而且用作液晶初始定向的定向?qū)樱瑥亩鴽]必要去除掩模圖案的定向?qū)訄D案 500。
同時，由于定向?qū)訄D案500用作液晶初始定向的定向?qū)?，因此在通過構(gòu)圖 去除的部分無法控制液晶的初始定向。但是，通過構(gòu)圖去除的部分沒有像素電 極圖案120，即，在該部分阻擋透光率，從而不會影響圖像質(zhì)量。
盡管未示出，在形成像素電極圖案120以后，通過研磨定向?qū)訄D案500 將定向?qū)訄D案500定向為預(yù)定方向。
然后，盡管未示出，與第一基板相對設(shè)置第二基板，并在第一和第二基板 之間形成液晶層，從而完成LCD器件。
通過如下步驟形成所述第二基板形成防止漏光的遮光層；在遮光層上形 成濾色片層；在濾色片層上形成公共電極；并在公共電極上形成定向?qū)印?br> 以液晶注入方法或者液晶分配方法形成液晶層。
在采用液晶注入方法的情況，在第一和第二基板的任意一個中形成具有入 口的密封層，并且將第一和第二基板彼此粘結(jié)。然后，通過所述入口將液晶注 入到所述第一和第二基板之間的空間。
在采用液晶分配方法的情況，在第一和第二基板的任意一個中形成沒有入 口的密封層，在第一和第二基板中任意一個上分配液晶。然后，將第一和第二 基板彼此粘結(jié)。
圖4所示為依照本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的LCD器件的截面圖。 如圖4所示，依照本發(fā)明優(yōu)選實施方式的LCD器件包括第一基板IOO、第 二基板300，以及在第一基板100和第二基板300之間形成的液晶層700。 第一基板100包括薄膜晶體管、像素電極圖案120、和定向?qū)訄D案500。 所述薄膜晶體管包括緩沖層104、形成在緩沖層104上的有源層106、在 包括有源層106的第一基板100的整個表面上形成柵絕緣層108并在柵絕緣層 108的預(yù)定位置形成接觸孔；在該柵絕緣層108上形成柵極110;在包括柵極
110的第一基板100的整個表面上形成絕緣中間層112并在絕緣中間層112的 預(yù)定位置形成接觸孔；通過設(shè)置在柵絕緣層108和絕緣中間層112的接觸孔形 成和有源層106連接的源極114a和漏極114b;以及在包括源極114a和漏極 114b的第一基板100的整個表面上形成的鈍化層116并在鈍化層116的預(yù)定 部分具有接觸孔。
像素電極圖案120通過設(shè)置在鈍化層116中的接觸孔與漏極114b連接， 其中像素電極圖案120在各像素區(qū)域形成要構(gòu)圖的預(yù)定形狀。
以和像素電極圖案120 —樣的圖案形成定向?qū)訄D案500。定向?qū)訄D案500 由光活性聚合物材料形成，優(yōu)選為光活性聚酰亞胺基材料。
第二基板300包括遮光層320、形成在遮光層320上的濾色片層340、形 成在濾色片層340上的公共電極360，以及形成在公共電極360上的定向?qū)?500a。
如上所述，依照本發(fā)明制造LCD器件的方法具有如下優(yōu)點。 代替采用附加光刻膠圖案作為掩模，通過采用定向?qū)訄D案作為掩模形成像
素電極圖案，從而簡化了工藝步驟，并降低了工藝時間。
顯然在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以
對本發(fā)明做出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明意圖覆蓋所有落入所附權(quán)利要求
及其等效物的范圍之內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1、一種用于制造液晶顯示器件的方法，包括在第一基板上形成用于像素電極的電極層；在所述用于像素電極的電極層上形成預(yù)定的定向?qū)訄D案；以及通過采用所述定向?qū)訄D案作為掩模構(gòu)圖所述用于像素電極的電極層形成像素電極圖案。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成預(yù)定的定向?qū)訄D 案的步驟包括在所述用于像素電極的電極層上形成光活性聚合物層； 采用預(yù)定的掩模圖案向光活性聚合物層施加光；以及 通過顯影施加過光的所述光活性聚合物層形成預(yù)定的定向?qū)訄D案。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括在形成像素電極 圖案后研磨所述定向?qū)訄D案。
4、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括 在形成所述用于像素電極的電極層以前在所述第一基板上形成薄膜晶體管。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述形成薄膜晶體管的步驟包括在第一基板的整個表面上形成緩沖層； 在緩沖層上形成有源層；在包括所述有源層的第一基板的整個表面上形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層上形成柵極；在包括所述柵極的第一基板的整個表面上形成絕緣中間層； 在所述柵絕緣層和所述絕緣中間層的預(yù)定部分形成接觸孔； 通過所述接觸孔形成與所述有源層連接的源極和漏極；以及 在包括源極和漏極的第一基板的整個表面上形成鈍化層，在所述鈍化層的 預(yù)定部分具有接觸孔。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括 制備第二基板；以及 在所述第一和第二基板之間形成液晶層。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述制備第二基板的步驟包括在所述第二基板上形成遮光層； 在所述遮光層上形成濾色片層； 在所述濾色片層上形成公共電極；以及 在所述公共電極上形成定向?qū)印?br> 8、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述在第一和第二基板之 間形成液晶層的步驟包括在所述第一和第二基板任意其中之一中形成具有入口的密封層； 彼此粘合所述第一和第二基板；以及通過所述入口將液晶注入所述第一和第二基板之間的空間。
9、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在所述第一和第二基板之 間形成液晶層的步驟包括在所述第一和第二基板任意其中之一中形成沒有入口的密封層； 將液晶分配到所述第-一和第二基板任意其中之一上；以及 彼此粘合所述第一和第二基板。
10、 一種液晶顯示器件，包括 第一和第二基板；位于所述第一和第二基板之間的液晶層； 形成在所述第一基板上的像素電極圖案；以及形成在所述像素電極圖案上的定向?qū)訄D案，其中所述定向?qū)訄D案以和所述 像素電極圖案一樣的圖案形成。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述定向?qū)訄D 案由光活性聚合物材料形成。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器件，其特征在于，在所述第一基 板上形成薄膜晶體管。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述薄膜晶體 管包括在所述第一基板的整個表面上形成緩沖層； 在所述緩沖層上形成有源層；在包括所述有源層的第一基板的整個表面上形成柵絕緣層，并且在所述柵絕緣層的預(yù)定部分形成接觸孔； 在所述柵絕緣層上形成柵極；在包括所述柵極的第一基板的整個表面上形成絕緣中間層，并在絕緣中間 層的預(yù)定部分形成接觸孔；通過位于所述柵絕緣層和絕緣中間層中的接觸孔形成與所述有源層連接 的源極和漏極；以及在包括所述源極和漏極的第一基板的整個表面上形成的鈍化層，并且在所 述鈍化層的預(yù)定部分具有接觸孔。
14、 根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述像素電極 圖案通過設(shè)置在所述鈍化層中的接觸孔與所述漏極連接。
15、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器件，其特征在于，所述第二基板 包括遮光層、形成在所述遮光層上的濾色片層、形成在濾色片層上的公共電極， 以及形成在公共電極上的定向?qū)印?br> 全文摘要
本發(fā)明公開了一種通過不采用附加光刻膠圖案簡化工藝并減少制造時間液晶顯示器件及其制造方法。其中該方法包括在第一基板上形成用于像素電極的電極層；在用于像素電極的電極層上形成預(yù)定的定向?qū)訄D案；以及通過采用定向?qū)訄D案作為掩模構(gòu)圖所述用于像素電極的電極層形成像素電極圖案。
文檔編號G02F1/136GK101097329SQ20061012782
公開日2008年1月2日 申請日期2006年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月29日
發(fā)明者丁炳赫 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社