專利名稱：霧化蒸氣壓膜系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及化工機械類，特別涉及一種霧化蒸氣壓膜系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
如附圖1至附圖3所示，一般壓膜制程A包括預(yù)熱基板A1及壓制干膜A2，其電路板A3放置在傳送滾輪A5上，并通過傳送滾輪A5傳送至壓制干膜A4處，當干膜A4壓制在電路板A3后，干膜A4本身的氣泡和基板的空洞A7便會形成氣泡A6或缺陷A8，使電路板A3易于蝕刻時所用的化學(xué)藥水從干膜A4未完全覆蓋基板的空洞A7處側(cè)蝕并形成斷路或缺口，需要加以改進。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種霧化蒸氣壓膜系統(tǒng)，解決了常用壓膜系統(tǒng)易形成基板斷路或缺口等問題。
本發(fā)明的技術(shù)方案是壓膜制程包含蒸氣涂布，將以預(yù)熱的基板傳輸至蒸氣涂布裝置，以便使基板達到所需的蒸氣水份；壓制干膜，將具有溫度及蒸氣的基板傳輸至壓膜入口，基板藉由上滾輪及下滾輪將上干膜及下干膜壓制在基板上；基板藉由蒸氣涂布所霧化的蒸氣水份，便可于壓制干膜時將上干膜及下干膜填覆至基板本身的凹洞所用，使不因于蝕刻時所用的化學(xué)藥水從干膜光阻劑未完全覆蓋基板的凹洞處側(cè)蝕，而造成斷路或缺口；其中，蒸氣涂布所霧化的水份可為含有化學(xué)成份的水溶液及化學(xué)物質(zhì)等相關(guān)具有良好填充基板凹洞的物質(zhì)；上干膜及下干膜壓制在基板時是利用干膜本身的高分子的遇水分子特性，使其增加良好的大流動性及優(yōu)良親水性并與蒸氣的水份進行混合，以填滿基板的凹洞；在蒸氣涂布之前設(shè)有預(yù)熱基板及前處理的動作，該前處理可設(shè)有酸洗、水洗、磨刷、水洗、微蝕、水洗、烘干的動作；在壓制干膜的后續(xù)動作可為曝光、顯影、蝕刻及去膜。
本發(fā)明的優(yōu)點在于增加基板壓膜的覆蓋性，基板不因蝕刻時所用的化學(xué)物質(zhì)所侵蝕而造成斷路或缺口；增加線路制造的良品率，實用性強。


圖1為常用壓膜制程的立體示意圖；圖2為常用壓膜制程的方塊圖；圖3為常用壓膜制程的實施例示意圖；圖4為本發(fā)明的方塊圖；圖5為本發(fā)明的立體示意圖；圖6至圖9為本發(fā)明的實施例示意圖。
具體實施例方式如附圖4及附圖5所示，本發(fā)明壓膜制程B包含有蒸氣涂布C及壓制干膜D，該蒸氣涂布C先將基板G放置在傳輸滾輪H上，藉由傳輸滾輪H的帶動將基板G帶至蒸氣涂布裝置I，其中蒸氣涂布裝置I霧化出蒸氣水份并涂布在上基板G1及下基板G2，以完成蒸氣涂布C，最后進入壓制干膜D，基板G進入于壓膜入口J內(nèi)，使基板G藉由上滾輪J1及下滾輪J2將上干膜J3及下干膜J4壓制在基板G的上基板G1及下基板G2，并完成基板G的壓膜制程B。
如附圖5至附圖9所示，基板G由壓膜系統(tǒng)E上的傳輸滾輪H傳輸至蒸氣涂布裝置I時，蒸氣涂布裝置I由蒸氣口I1霧化出蒸氣水份I2并涂布于基板G的上基板G1及下基板G2上，并藉由蒸氣水份I2良好的流動性質(zhì)將基板G上本身的凹洞G3先行填滿，再降基板G傳送至壓膜入口J，使基板G通過上滾輪J1及下滾輪J2的帶動，將上干膜J3及下干膜J4壓制在基板G上，其上干膜J3及下干膜J4利用本身的高分子遇水分子的特性，使其增加良好的大流動性及優(yōu)良親水性并與蒸氣水份I2進行混合，以達到填覆基板G的凹洞G3所用，使基板G不因在蝕刻N時所用的化學(xué)藥水從上干膜J3及下干膜J4未完全覆蓋基板G的凹洞G3處側(cè)蝕，而造成線路成型的斷路或缺口；蒸氣涂布D之前設(shè)有預(yù)熱基板F及前處理K的動作，其中前處理K可設(shè)有酸洗P、水洗Q、磨刷R、水洗Q、微蝕S、水洗Q、烘干T的動作，又其壓制干膜D的后續(xù)動作可為曝光L、顯影M、蝕刻N及去膜O。
權(quán)利要求
1.一種霧化蒸氣壓膜系統(tǒng)，其特征在于壓膜制程包含蒸氣涂布，將以預(yù)熱的基板傳輸至蒸氣涂布裝置，以便使基板達到所需的蒸氣水份；壓制干膜，將具有溫度及蒸氣的基板傳輸至壓膜入口，基板藉由上滾輪及下滾輪將上干膜及下干膜壓制在基板上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霧化蒸氣壓膜系統(tǒng)，其特征在于所說的蒸氣涂布所霧化的水份可為含有化學(xué)成份的水溶液及化學(xué)物質(zhì)等相關(guān)具有良好填充基板凹洞的物質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霧化蒸氣壓膜系統(tǒng)，其特征在于在蒸氣涂布之前設(shè)有預(yù)熱基板及前處理的工序，該前處理工序可設(shè)有酸洗、水洗、磨刷、水洗、微蝕、水洗、烘干。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的霧化蒸氣壓膜系統(tǒng)，其特征在于在壓制干膜的后續(xù)工序為曝光、顯影、蝕刻及去膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種霧化蒸氣壓膜系統(tǒng)，屬于化工機械類。壓膜制程包含蒸氣涂布，將以預(yù)熱的基板傳輸至蒸氣涂布裝置，以便使基板達到所需的蒸氣水份；壓制干膜，將具有溫度及蒸氣的基板傳輸至壓膜入口，基板藉由上滾輪及下滾輪將上干膜及下干膜壓制在基板上；基板藉由蒸氣涂布所霧化的蒸氣水份，便可于壓制干膜時將上干膜及下干膜填覆至基板本身的凹洞所用，使不因于蝕刻時所用的化學(xué)藥水從干膜光阻劑未完全覆蓋基板的凹洞處側(cè)蝕，而造成斷路或缺口。優(yōu)點在于增加基板壓膜的覆蓋性，基板不因蝕刻時所用的化學(xué)物質(zhì)所侵蝕而造成斷路或缺口；增加線路制造的良品率，實用性強。
文檔編號G03F7/20GK1964600SQ200610131618
公開日2007年5月16日 申請日期2006年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月10日
發(fā)明者李澄文 申請人:李澄文