專利名稱：液晶顯示器用基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種液晶顯示器用基板的制作方法，尤指一種適用于薄膜晶體管液晶顯示器用基板的制作方法。
背景技術(shù)：
由于集成電路制作成本與組件操作速度的考慮，集成電路制程技術(shù)已邁入ULSI(ultralarge scale integration)階段，使得后段金屬聯(lián)機制程朝向多層化及微細(xì)化發(fā)展。然而，伴隨金屬聯(lián)機微細(xì)化制程所產(chǎn)生的問題，首先面臨的是，金屬導(dǎo)線間介電層產(chǎn)生的電容效應(yīng)而造成信號傳遞速度下降的問題。
電路信號傳遞的快慢是決定于電阻(R)與電容(C)乘積，RC乘積值越小，則傳遞速度越快。因此，傳統(tǒng)解決內(nèi)連金屬導(dǎo)線信號延遲的方法常用的有使用較低電阻系數(shù)的金屬作為金屬導(dǎo)線，或者使用較低介電常數(shù)的材料作為金屬層間的介電材料，以提升導(dǎo)線的信號傳輸速度。
液晶顯示裝置相較于傳統(tǒng)的映像管監(jiān)視器，具有低耗電量、小體積及無輻射的優(yōu)點。隨著薄膜晶體管液晶顯示器日趨大型化、高分辨率的需求，金屬導(dǎo)線信號傳輸?shù)难舆t現(xiàn)象(RC Delay)將變?yōu)閲?yán)重。為了提升薄膜晶體管驅(qū)動信號的傳輸速度，目前亟需采用低電阻率的金屬，例如銅、銀、或金等，作為平面顯示基板的金屬導(dǎo)線或門電極，以解決驅(qū)動信號延遲的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要是形成一具有低阻抗的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)來改善傳統(tǒng)面板設(shè)計中阻值不易匹配的問題，并且可有效地提升薄膜晶體管驅(qū)動信號的傳輸速度，以符合目前彩色平面顯示器日趨大型化、高畫質(zhì)化的需求。
本發(fā)明是提供一種液晶顯示器用基板的制作方法，其包含有以下步驟(a)提供一基板；(b)形成一圖案化的第一絕緣層于基板表面，其中圖案化的第一絕緣層具有多個凹槽；(c)形成一緩沖層于第一絕緣層表面與凹槽表面；(d)利用微影蝕刻對緩沖層圖案化，使凹槽表面具有緩沖層；(e)填充一第一金屬層于第一絕緣層的凹槽內(nèi)，以形成一源極與一漏極；(f)形成一圖案化的半導(dǎo)體層于第一絕緣層表面，且半導(dǎo)體層與源極與漏極相接觸；以及(g)形成一第二絕緣層與一圖案化的第二金屬層于半導(dǎo)體層表面。
為了保護(hù)基板表面形成的薄膜晶體管不受環(huán)境氧化或后續(xù)制程影響，本發(fā)明液晶顯示器用基板的制作方法可更包含一步驟(h)，形成一圖案化的保護(hù)層于第二金屬層表面，以覆蓋第二金屬層。
本發(fā)明中所提及的第一金屬層材料可為一具有低電阻系數(shù)的金屬材料，較佳可為銅、銀、金、或其組合，更佳可為銅，以提供一具有低阻抗的金屬導(dǎo)線。藉此，本發(fā)明制作的薄膜晶體管可解決傳統(tǒng)薄膜晶體管驅(qū)動信號延遲的問題，以符合大型化、高畫質(zhì)化彩色平面顯示器的需求。
在本發(fā)明所制作的薄膜晶體管中，本發(fā)明的緩沖層主要可避免基材中的堿金屬離子擴散至本發(fā)明薄膜晶體管的源極與漏極中，并且可避免本發(fā)明源極與漏極的金屬銅離子擴散至底層基板或第一絕緣層。且，本發(fā)明緩沖層材料無限制，較佳可為氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮化鈦(TiNx)、氮化鉭(TaN)、或其組合。其中，本發(fā)明緩沖層可配合后續(xù)層間的制程需求而選用適當(dāng)?shù)牟牧稀４送?，本發(fā)明的緩沖層還可有效控制第一金屬層的片電阻，使本發(fā)明銅材的源極與漏極的片電阻可控制在理想范圍內(nèi)。再者，本發(fā)明緩沖層的厚度無限制，較佳可介于500至1000。
在本發(fā)明液晶顯示器用基板的制作方法中，本發(fā)明在步驟(e)形成一源極與一漏極后，可選擇性地在源極表面與漏極表面進(jìn)行退火，以于源極表面與漏極表面形成一阻障層。在此本發(fā)明所述的阻障層的材料無限制，較佳可為一銅硅化物，以降低源極表面與漏極表面的接觸電阻。且本發(fā)明阻障層所形成的厚度無限制，較佳可介于150至600。
一較佳具體實施例中，本發(fā)明阻障層形成方法是利用離子增長型化學(xué)氣相沉積(Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition)在350℃溫度下通入SiH4氣體以進(jìn)行退火，使得本發(fā)明銅材的第一金屬層表面可反應(yīng)生成一銅硅(CuSix)化合物，以作為本發(fā)明的阻障層。
在本發(fā)明方法中，本發(fā)明所制作的半導(dǎo)體層可選擇性地植入離子摻雜物，以形成一N型或P型半導(dǎo)體層。因此，本發(fā)明方法可選擇性在步驟(g)之后更包括一步驟(g1)將離子摻雜物植入于半導(dǎo)體層，以形成一N型或P型半導(dǎo)體層。且，本發(fā)明方法所使用的離子摻雜物無限制，故本發(fā)明所制作的薄膜晶體管可視產(chǎn)品需求于半導(dǎo)體層中植入N型或P型離子。一較佳具體實施例中，本發(fā)明離子摻雜物為一含有硼離子的摻雜物，以形成P型半導(dǎo)體層。另一較佳具體實施例中，本發(fā)明離子摻雜物為一含有磷離子的摻雜物，以形成N型半導(dǎo)體層。
另外，本發(fā)明所適用的半導(dǎo)體層材料可為現(xiàn)有半導(dǎo)體層材料，較佳可為非晶硅材料、或多晶硅材料。本發(fā)明半導(dǎo)體層的厚度無限制，較佳可介于500至4000。且，本發(fā)明半導(dǎo)體層結(jié)構(gòu)可為單層或多層結(jié)構(gòu)。
在本發(fā)明另一較佳具體實施例中，步驟(f)中圖案化半導(dǎo)體層的形成是先沉積一非晶形硅層于第一絕緣層表面，再將非晶形硅層進(jìn)行結(jié)晶以轉(zhuǎn)變成一多晶形硅層，最后則利用微影蝕刻對多晶形硅層圖案化。藉此，本發(fā)明制作的具有多晶硅半導(dǎo)體層的薄膜晶體管不僅可提升產(chǎn)品的可靠性，并且可增加組件開關(guān)時的電性質(zhì)量。
上述本發(fā)明將非晶形硅層結(jié)晶轉(zhuǎn)變成多晶形硅層的步驟可為現(xiàn)有任何非晶形硅層結(jié)晶形成多晶形硅層的制程，較佳可利用一準(zhǔn)分子激光結(jié)晶(excimer lasercrystallization)、或一金屬誘發(fā)橫向結(jié)晶(metal induced lateral crystallization)，以使非晶形硅層結(jié)晶轉(zhuǎn)變成多晶形硅層。
為了形成一畫素區(qū)于本發(fā)明液晶顯示器用基板上，本發(fā)明方法可在步驟(e)之后且步驟(f)之前更包括一步驟(e1)形成一圖案化的透明導(dǎo)電層于第一絕緣層表面，且透明導(dǎo)電層是與漏極相接觸。如此，本發(fā)明的第二絕緣層可為一圖案化的第二絕緣層，以暴露出透明導(dǎo)電層，即可作為本發(fā)明液晶顯示器用基板的畫素區(qū)。
另外，本發(fā)明方法的步驟(e)中，所形成的源極與漏極的表面較佳可與第一絕緣層表面具有相同高度。一較佳具體例中，本發(fā)明步驟(e)是利用電鍍沉積第一金屬層于第一絕緣層表面與凹槽內(nèi)；并且利用化學(xué)機械研磨或濕法蝕刻以平坦化第一絕緣層與第一金屬層，以形成源極與漏極。
上述本發(fā)明電鍍沉積第一金屬層的步驟是利用一有電電鍍或一無電電鍍制程，較佳可為一無電電鍍，更佳可為化學(xué)鍍(chemical plating)、或自身催化電鍍(auto catalytic plating)。當(dāng)然，本發(fā)明電鍍沉積第一金屬層之前，可視制程需求先沉積一晶種層，且該晶種層的厚度無限制。且，本發(fā)明第一金屬層的厚度無限制，較佳可介于1500至4000。
再者，本發(fā)明中第一絕緣層所適用的材料無限制，較佳為一可絕緣且可透光材料。且，本發(fā)明第一絕緣層的厚度無限制，較佳可介于500至2000。
本發(fā)明液晶顯示器用基板的制作方法除了可于基板表面制作頂柵極型(top-gate)薄膜晶體管之外，還可視制程需求于基板表面制作端子區(qū)、電容區(qū)、掃瞄線區(qū)、數(shù)據(jù)線區(qū)、以及畫素區(qū)，以提供一完整的薄膜晶體管液晶顯示器用基板。
本發(fā)明形成薄膜晶體管各層間的步驟可為現(xiàn)有于基板上形成薄膜晶體管各層間的制程，較佳可利用一物理氣相沉積，例如離子化金屬等離子體的物理氣相沉積(IMP-PVD)；化學(xué)氣相沉積，例如離子增長型化學(xué)氣相沉積及熱化學(xué)氣相沉積；蒸發(fā)，例如金屬蒸發(fā)；濺射，例如長拋濺射及準(zhǔn)直濺射；或電鍍，例如濕法制程的無電電鍍、有電電鍍。
此外，本發(fā)明液晶顯示器用基板制作方法所適用的平面顯示基板無限制，較佳可為一硅基板、一玻璃基板、或一塑料基板，更佳可為一適用于主動矩陣驅(qū)動型的平面顯示基板，舉例可如但不限于未摻雜的硅玻璃、磷摻雜玻璃、硼-磷摻雜玻璃、鈉鈣玻璃、硼硅酸鹽玻璃、硼硅酸鈉鹽玻璃、堿金屬的硼硅酸鹽玻璃、硅酸鋁鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、堿土金屬的鋁硼硅酸鹽玻璃、或其組合。
在本發(fā)明所制作的薄膜晶體管中，本發(fā)明第二絕緣層與保護(hù)層所適用的材料為任一種可絕緣材料，較佳可為有機材質(zhì)、無機材質(zhì)、或其組合，更佳可為氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)、或其組合。其中，本發(fā)明第二絕緣層的厚度無限制，較佳可介于1500至4000。
本發(fā)明透明電極層材料可為任一種透明且可導(dǎo)電材料，較佳可為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)或氧化銦錫鋅(ITZO)。且，本發(fā)明透明電極層的厚度無限制，較佳可介于500至3000。
在本發(fā)明所制作的薄膜晶體管中，本發(fā)明第二金屬層所使用的材料無限制，較佳可為鋁、鎢、鉻、銅、銀、金、鈦、氮化鈦、鋁合金、鉻合金、鉬金屬、或其組合，以作為薄膜晶體管的柵極用。本發(fā)明作為柵極用的第二金屬層厚度無限制，較佳可介于1000至3000。且，本發(fā)明第二金屬層可為單層或多層結(jié)構(gòu)。一較佳具體例中，本發(fā)明第二金屬層為一TiN/Al-Cu合金/Ti或TiN/Al-Si-Cu合金/Ti的多層結(jié)構(gòu)。
故此，本發(fā)明制作方法所制成的液晶顯示器用基板可有效降低面板內(nèi)的導(dǎo)線阻值，不僅可提升產(chǎn)品良率以降低制作成本，且可滿足薄膜晶體管液晶顯示器大型化及高畫質(zhì)化的需求。


圖1(a)至圖1(l)為本發(fā)明實施例一的液晶顯示器用基板的制作流程圖。
圖2(a)至圖2(g)為本發(fā)明實施例二的液晶顯示器用基板的制作流程圖。
圖3(a)至圖3(h)為本發(fā)明實施例三的液晶顯示器用基板的制作流程圖。
圖4(a)至圖4(h)為本發(fā)明實施例四的液晶顯示器用基板的制作流程圖。
附圖標(biāo)號121基板122第一絕緣層123第一光罩124緩沖層125，131，136，137，331，461負(fù)型光阻128，431正型光阻126第一金屬層127透明導(dǎo)電層129第二光罩130、340、430半導(dǎo)體層133第二絕緣層134第二金屬層135第三光罩138、438保護(hù)層250阻障層330、430a、430b非晶形硅層341、440源極/漏極奧姆接觸區(qū)具體實施方式
實施例一請參閱圖1(a)至圖1(l)所示，為本發(fā)明一較佳實施例的液晶顯示器用基板的制作流程圖，且本實施例所制作的基板是具有頂柵極型薄膜晶體管。此外，在不同步驟搭配使用正型光阻或負(fù)型光阻，可使光罩?jǐn)?shù)量減少，更可達(dá)降低成本的目的。
如圖1(a)所示，首先提供一透明玻璃基板121，并且在基板121表面沉積一第一絕緣層122，以及一正型光阻(圖未示)。再利用第一光罩123，對第一絕緣層122進(jìn)行圖案化，以蝕刻出每一源極(Source)/漏極(Drain)欲鑲嵌的凹槽，即獲得一如圖1(b)的基板結(jié)構(gòu)。其中，本例第一絕緣層122為一可透光層，且其厚度約為500至2000。
接著，如圖1(c)所示，沉積一氮化鈦(TiN)材料于第一絕緣層122表面，以作為一緩沖層124。隨后，如圖1(d)所示，形成一負(fù)型光阻125于緩沖層124表面，再利用同樣的第一光罩123對該緩沖層124進(jìn)行圖案化，以使緩沖層只形成于每一源極/漏極欲鑲嵌的凹槽表面。最后，移除凹槽內(nèi)的負(fù)型光阻125。其中，本例所形成的圖案化緩沖層124具有一約500至1000的厚度。
然后，將上述所制作的基板浸在一銅晶種溶液內(nèi)，以形成一銅晶種層(圖未示)。接著再浸入一含有硫酸銅、鹽酸、硫酸、光澤劑、及平整劑等的溶液中。通入電流，以進(jìn)行自身催化電鍍(auto catalytic plating)反應(yīng)，使銅離子還原于銅晶種層(圖未示)表面，而沉積形成一第一金屬層126于每一凹槽內(nèi)。即獲得一如圖1(e)所示的基板結(jié)構(gòu)。其中，形成晶種層所使用的銅晶種溶液成份，主要為金屬鹽類、PH值調(diào)整劑、表面活性劑、濕潤劑、酸性觸媒等成份。而在本例中所形成的晶種層可增加第一金屬層126與緩沖層124之間的附著強度及均勻性。
為了平坦化第一金屬層126，而使第一金屬層126所形成的每一源極與漏極表面是與第一絕緣層122表面具有相同高度。本發(fā)明可采用化學(xué)機械研磨或濕法蝕刻，以平坦化第一絕緣層122與第一金屬層126。
本實施例是利用濕法蝕刻以去除表面的銅金屬，并且將硫酸雙氧水作為蝕刻液，以適用于各種尺寸的玻璃基板。此外，本例蝕刻液組成主要為雙氧水、10％至15％濃度的硫酸、乙酰苯胺(acetanilide)、酚磺酸鈉(sodium phenolsulfonate)、及硫代硫酸鈉等，且操作溫度在40℃至50℃范圍。
如圖1(f)所示，本實施例于凹槽所形成的第一金屬層126是作為本例薄膜晶體管的源極/漏極用，且源極與漏極彼此不電性連接。其中，本例的緩沖層124主要可避免源極與漏極的金屬銅離子擴散至底層基板121或第一絕緣層122中，且同時可避免基材中的堿金屬離子擴散至薄膜晶體管的源極與漏極。
故，本實施例源極/漏極的結(jié)構(gòu)是采用鑲嵌式設(shè)計，且被一緩沖層124所包覆。當(dāng)然，本發(fā)明第一金屬層126的形成方法不限于此實施例所述的內(nèi)容，其它半導(dǎo)體層形成的制程，如物理氣相沉積，也可將第一金屬層126填充于第一絕緣層122的凹槽內(nèi)。
隨即，如圖1(g)所示，沉積一氧化銦錫、氧化銦鋅、或氧化銦錫鋅的透明導(dǎo)電層127于整個基板表面，以覆蓋第一金屬層126與第一絕緣層122，并且再形成一正型光阻128于該透明導(dǎo)電層127表面。其中，本例形成的透明電極層127的厚度約為500至3000。
接著利用一第二光罩129將透明導(dǎo)電層127圖案化，以形成一畫素區(qū)于本發(fā)明液晶顯示器用基板上。其中，本例圖案化的透明導(dǎo)電層127是與薄膜晶體管的漏極相接觸，以傳遞晶體管的電性信號。
如圖1(h)所示，沉積一非晶形硅(a-Si:H)的半導(dǎo)體層130于整個基板表面，以覆蓋第一絕緣層122、透明導(dǎo)電層127，并且形成一負(fù)型光阻131于半導(dǎo)體層130表面。接著，利用同一第二光罩129對半導(dǎo)體層130圖案化，以形成薄膜晶體管的通道區(qū)。其中，本例圖案化的半導(dǎo)體層130是與薄膜晶體管的源極/漏極相接觸。
如圖1(i)所示，在圖案化的透明導(dǎo)電層127，以及圖案化半導(dǎo)體層130的表面，依序沉積一第二絕緣層133、第二金屬層134、及一負(fù)型光阻136，并且利用一第三光罩135對第二金屬層134進(jìn)行圖案化。在去除負(fù)型光阻136，并進(jìn)行蝕刻后，可獲得一如圖1(j)的基板結(jié)構(gòu)。其中，本例第二絕緣層133為一厚度為1500至4000的氮化硅材料，第二金屬層134為一厚度為1000至3000的TiN/Al-Cu合金/Ti的多層結(jié)構(gòu)。
接著，如圖1(k)所示，沉積一氧化硅保護(hù)層138于第二金屬層134、以及第二絕緣層133表面，以覆蓋該第二金屬層134，如此可保護(hù)第二金屬層134不受環(huán)境氧化或后續(xù)制程影響。
最后，沉積一負(fù)型光阻137，并再次利用第二光罩129對保護(hù)層138與第二絕緣層133圖案化，以于除去光阻并蝕刻后，暴露出基板表面的透明導(dǎo)電層127，如此即獲得一如圖1(l)所示的薄膜晶體管液晶顯示器用基板。
實施例二本實施例薄膜晶體管液晶顯示器用基板的制作方法皆相同于實施例一所示的內(nèi)容，除了在薄膜晶體管的源極表面與漏極表面形成一阻障層，且緩沖層材料為氮化硅(SiN)之外，其它制程條件與步驟皆相同于實施例一。
圖2(a)至圖2(g)為本發(fā)明一較佳實施例的液晶顯示器用基板的制作流程圖。
圖2(a)所示，首先提供一基板121，而在基板121表面已先形成源極/漏極用的第一金屬層126，其方法步驟是根據(jù)實施例一所示的圖1(a)至圖1(f)流程。
隨后，利用離子增長型化學(xué)氣相沉積在350℃溫度下通入SiH4氣體，以在第一金屬層126表面進(jìn)行退火。故，本實施例銅材的第一金屬層126表面會生成一銅硅化合物，以作為本例中源極/漏極表面的阻障層250。藉此，本實施例的阻障層250可用以降低源極表面與漏極表面的接觸電阻。
圖2(b)至圖2(g)為本實施例薄膜晶體管液晶顯示器用基板之后續(xù)各層間制程，其皆相同于實施例一所述的制作流程。
實施例三本實施例薄膜晶體管液晶顯示器用基板的制作方法皆相同于實施例一與實施例二所示的內(nèi)容，除了半導(dǎo)體層為多晶硅材料且植入離子摻雜物于多晶硅半導(dǎo)體層之外，其它制程條件與步驟皆相同于實施例一與實施例二。
圖3(a)至圖3(h)為本發(fā)明一較佳實施例的液晶顯示器用基板的制作流程圖。
如圖3(a)所示，首先提供一已形成有源極/漏極用的第一金屬層126的基板121，其制備方法步驟是根據(jù)實施例一所示的圖1(a)至圖1(f)流程，且如實施例二圖2(a)所述，在第一金屬層126表面生成一銅硅化合物，以作為阻障層250。接著，在基板121上形成一圖案化的透明導(dǎo)電層127。
隨后，如圖3(a)所示，沉積一非晶形硅(a-Si:H)層330于第一絕緣層122，以及透明導(dǎo)電層127表面后，將非晶形硅層330以350℃進(jìn)行退火(anneal)動作，并且利用銅硅化物的阻障層250使非晶形硅層330誘發(fā)側(cè)向轉(zhuǎn)變成一多晶形硅的半導(dǎo)體層340。即獲得一如圖3(b)所示的基板結(jié)構(gòu)。
接著，如圖3(c)所示，形成一負(fù)型光阻331于半導(dǎo)體層340與非晶硅層330表面，并且利用一第二光罩129對半導(dǎo)體層340圖案化，以形成薄膜晶體管的通道區(qū)。圖3(d)至圖3(e)是相同于前述各實施例第二絕緣層133、第二金屬層134的形成步驟，是利用第三光罩135對第二金屬層134圖案化。其中，第二金屬層134可為一銅鋁合金、或一銅硅鋁合金材料，且本例是采用銅鋁合金材。
如圖3(f)所示，利用離子布植方式，將B+離子或P+離子以35至60斜角度植入多晶形硅的半導(dǎo)體層340，使部分半導(dǎo)體層340通道區(qū)形成摻雜離子的半導(dǎo)體層，為源極/漏極奧姆接觸區(qū)341。其中，本實施例是植入一含有硼離子的摻雜物，以形成P型通道半導(dǎo)體層。
如圖3(g)至圖3(h)所示的后續(xù)步驟，是相同于前述各實施例以制作出完整的薄膜晶體管液晶顯示器用基板，并且在薄膜晶體管表面覆有一保護(hù)層138。
實施例四本實施例薄膜晶體管液晶顯示器用基板的制作方法皆相同于實施例一所示的內(nèi)容，除了半導(dǎo)體層為多晶硅材料且植入離子摻雜物在多晶硅半導(dǎo)體層之外，其它制程條件與步驟皆相同于實施例一。
圖4(a)至圖4(h)為本發(fā)明一較佳實施例的液晶顯示器用基板的制作流程圖。如圖4(a)所示，首先提供一已形成有源極/漏極用的第一金屬層126的基板121，其制備方法步驟是根據(jù)實施例一所示的圖1(a)至圖1(f)流程。接著，在基板121上形成一圖案化的透明導(dǎo)電層127。
隨即，如圖4(a)所示，依序沉積SiN的非晶形硅層430a、a-Si:H非晶形硅層430b于整個基板121表面，以覆蓋第一絕緣層122、透明導(dǎo)電層127，并且形成一正型光阻431于非晶形硅層430b表面。接著，利用第二光罩129對正型光阻431圖案化，且之后通過蝕刻方法暴露出部分非晶形硅層430b表面。
如圖4(b)所示，因基板121表面沉積有SiN非晶形硅層430a，故利用準(zhǔn)分子激光以誘發(fā)暴露的非晶形硅層430b轉(zhuǎn)變成多晶形硅的半導(dǎo)體層430。隨后移除正型光阻431。
如圖4(c)所示，沉積另一負(fù)型光阻461于整個基板表面，以覆蓋一多晶形硅的半導(dǎo)體層430與一非晶形硅層430b。并且，再次利用第二光罩129以定義出薄膜晶體管的半導(dǎo)體層430通道區(qū)。因此，本例薄膜晶體管的半導(dǎo)體通道區(qū)為一含有SiN非晶形硅層430a，與多晶形硅半導(dǎo)體層430的多層結(jié)構(gòu)。
在本例中，圖4(d)至圖4(h)所示的后續(xù)步驟，是相同于實施例三圖3(d)至圖3(h)的實施步驟，以制作出完整的薄膜晶體管液晶顯示器用基板。其中，本例是植入一含有磷離子的摻雜物，以形成N型通道半導(dǎo)體層430。且，本例的薄膜晶體管表面覆有一保護(hù)層438。
綜上所述，本發(fā)明液晶顯示器用基板的制作方法除了可提供一具有低阻抗的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)以外，還可提供一多晶形硅半導(dǎo)體層的薄膜晶體管液晶顯示器用基板，以提升產(chǎn)品的可靠性，并且可增加組件開關(guān)時的電性質(zhì)量。
上述實施例僅是為了方便說明而舉例而已，本發(fā)明所主張的權(quán)利范圍自應(yīng)以權(quán)利要求所述為準(zhǔn)，而非僅限于上述實施例。
權(quán)利要求
1.液晶顯示器用基板的制作方法，包括(a)提供一基板；(b)形成一圖案化的第一絕緣層于該基板表面，其中該圖案化的第一絕緣層具有多個凹槽；(c)形成一緩沖層于該第一絕緣層表面與所述的凹槽表面；(d)圖案化該緩沖層，使所述的凹槽表面具有該緩沖層；(e)填充一第一金屬層于所述的第一絕緣層的所述的凹槽內(nèi)，以形成一源極與一漏極；(f)形成一圖案化的半導(dǎo)體層于所述的第一絕緣層表面，且該半導(dǎo)體層與所述的源極及所述的漏極相接觸；以及(g)形成一第二絕緣層與一圖案化的第二金屬層于所述的半導(dǎo)體層表面；(h)形成一圖案化的保護(hù)層于所述的第二金屬層表面，以覆蓋該第二金屬層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，在步驟(e)之后且步驟(f)之前更包括一步驟(e1)形成一圖案化的透明導(dǎo)電層于所述的第一絕緣層表面，且該透明導(dǎo)電層與所述的漏極相接觸。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，在所述的步驟(e)形成一源極與一漏極后，在該源極表面與該漏極表面進(jìn)行退火，以形成一阻障層于該源極表面與該漏極表面。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述的阻障層為一金屬硅化物。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的半導(dǎo)體層為一非晶形硅層或多晶形硅層。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，在所述的步驟(f)中所述的圖案化半導(dǎo)體層的形成是沉積一非晶形硅層于所述的第一絕緣層表面、將該非晶形硅層進(jìn)行結(jié)晶以轉(zhuǎn)變成一多晶形硅層、以及圖案化該多晶形硅層。
7.如權(quán)利要求1或5所述的方法，其中所述的半導(dǎo)體層具有一單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，在步驟(g)之后更包括一步驟(g1)將離子摻雜物植入于所述的半導(dǎo)體層，以形成一N型或P型半導(dǎo)體層。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的緩沖層為氧化硅、氮化硅、氮化鈦、氮化鉭或其組合。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述的第一金屬層為銅、銀、金或其組合。
11.如權(quán)利要求1所述的方法，在所述的步驟(e)中，形成的所述的源極與所述的漏極的表面以及所述的第一絕緣層表面具有相同高度。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中所述的步驟(e)是利用電鍍沉積所述的第一金屬層于所述的第一絕緣層表面與所述的凹槽內(nèi)；以及利用化學(xué)機械研磨或濕法蝕刻以平坦化該第一絕緣層與該第一金屬層，以形成所述的源極與所述的漏極。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種液晶顯示器用基板的制作方法，其主要是形成一具有低阻抗的導(dǎo)線結(jié)構(gòu)來改善傳統(tǒng)面板設(shè)計中阻值不易匹配的問題。本發(fā)明方法所制作的薄膜晶體管液晶顯示器用基板可有效降低面板內(nèi)的導(dǎo)線阻值，以提升薄膜晶體管驅(qū)動信號的傳輸速度。因此，本發(fā)明不僅可提升產(chǎn)品良率以降低制作成本，且可滿足薄膜晶體管液晶顯示器日趨大型化、高畫質(zhì)化的需求。
文檔編號G02F1/1333GK1932599SQ200610132270
公開日2007年3月21日 申請日期2006年10月13日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月13日
發(fā)明者李奕緯, 朱慶云 申請人:友達(dá)光電股份有限公司