專利名稱：：清洗厚膜光刻膠的清洗劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種清洗厚膜光刻膠的清洗劑。
背景技術(shù)：
：在通常的半導(dǎo)體制造工藝中，通過在二氧化硅、Cu(銅)等金屬以及低k材料等表面上形成光刻膠的掩模，曝光后利用濕法或干法刻蝕進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。100pm以上的厚膜光刻膠越來越多地應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片制造工藝中，因而用于清洗厚膜光刻膠的清洗劑日益成為半導(dǎo)體晶片制造工藝的重要研究方向。另外，在半導(dǎo)體晶片進(jìn)行光刻膠的化學(xué)清洗過程中，清洗劑常會(huì)造成晶片基材的腐蝕。特別是在利用化學(xué)清洗劑除去金屬刻蝕殘余物的過程中，金屬腐蝕是較為普遍而且非常嚴(yán)重的問題，往往導(dǎo)致晶片良率的顯著降低。目前，光刻膠清洗劑主要由極性有機(jī)溶劑、強(qiáng)堿和/或水等組成，通過將半導(dǎo)體晶片浸入清洗劑中或者利用清洗劑沖洗半導(dǎo)體晶片，去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠。專利文獻(xiàn)JP1998239865公開了一種堿性清洗劑，由四甲基氫氧化銨TMAH、二甲基亞砜(DMSO)、1,3，-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)和水等組成。將晶片浸入該清洗劑中，于5010(TC下除去金屬和電介質(zhì)基材上的20拜以上的厚膜光刻膠。該清洗劑對半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕略高，且不能完全去除半導(dǎo)體晶片的光刻膠，清洗能力不足。專利文獻(xiàn)US5529887公開了一種堿性清洗劑，由氫氧化鉀、烷基二醇單垸基醚、水溶性氟化物和水等組成。將晶片浸入該清洗劑中，在409(TC下除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。該清洗劑對半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕較高。專利文獻(xiàn)US5962197公開了一種堿性清洗劑，由氫氧化鉀、N-甲基吡咯烷酮、丙二醇醚、水和表面活性劑等組成。將晶片浸入該清洗劑中，于105°C下浸沒40min，可除去金屬和電介質(zhì)基材上的厚膜光刻膠。該清洗劑需要在105X:下使用，其清洗溫度較高，會(huì)造成半導(dǎo)體晶片基材的腐蝕。本發(fā)明中的光刻膠清洗劑，可以在507(TC下清洗IOO拜以上厚度的光刻膠。將含有光刻膠的半導(dǎo)體晶片浸入本發(fā)明中的光刻膠清洗劑，在5070"C下，用恒溫振蕩器緩慢振蕩30120分鐘，再用去離子水洗滌，之后用高純氮?dú)獯蹈伞?br/>發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是公開一種清洗厚膜光刻膠的清洗劑。本發(fā)明的清洗劑含有二甲基亞砜(DMSO)、氫氧化鉀、烷基醇胺和烷基二醇單苯基醚。本發(fā)明中，所述的二甲基亞砜的含量較佳的為質(zhì)量百分比35~95%，更佳的為質(zhì)量百分比60~95%;所述的氫氧化鉀的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.15%，更佳的為質(zhì)量百分比0.5~3%;所述的烷基醇胺的含量較佳的為質(zhì)量百分比0.120%，更佳的為質(zhì)量百分比0.510%;所述的烷基二醇單苯基醚的含量較佳的為質(zhì)量百分比140%，更佳的為質(zhì)量百分比5~25%。本發(fā)明中，所述的垸基醇胺較佳的為單乙醇胺(MEA)、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)或異丙醇胺。其中，優(yōu)選單乙醇胺。本發(fā)明中，所述的烷基二醇單苯基醚較佳的為乙二醇單苯基醚(EGMPE)、丙二醇單苯基醚(PGMPE)、異丙二醇單苯基醚、二乙二醇單苯基醚、二丙二醇單苯基醚或二異丙二醇單苯基醚。其中，優(yōu)選乙二醇單苯基醚、丙二醇單苯基醚或異丙二醇單苯基醚。本發(fā)明中，所述的清洗劑還可含有緩蝕劑。所述的緩蝕劑較佳的為苯并三氮唑(BTA)、2-巰基苯并噁唑(MBO)或2-巰基苯并噻唑(MBT)。其中，優(yōu)選2-巰基苯并噻唑。所述的緩蝕劑的含量較佳的為小于或等于質(zhì)量百分比5%，更佳的為質(zhì)量百分比0.052%。本發(fā)明的清洗劑由上述組分混合均勻，即可制得。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于本發(fā)明的清洗劑可以除去金屬、金屬合金或電介質(zhì)基材上的100nm以上厚度的厚膜光刻膠(光阻)，在半導(dǎo)體晶片清洗等微電子領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。具體實(shí)施例方式下面通過實(shí)施例的方式進(jìn)一步說明本發(fā)明，但并不因此將本發(fā)明限制在所述的實(shí)施例范圍之中。實(shí)施例1~6清洗厚膜光刻膠的清洗劑表1給出了清洗厚膜光刻膠的清洗劑實(shí)施例16的配方，按表1中所列組分及其含量，簡單混合均勻，即制得各實(shí)施例的清洗劑。<table>tableseeoriginaldocumentpage6</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>效果實(shí)施例表2給出了清洗劑1~6的配方，按表2中所列組分及其含量，簡單混合均勻，即制得各清洗劑。表2清洗厚膜光刻膠的清洗劑1~6<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>將清洗劑16用于清洗空白Cu晶片和含有l(wèi)OOum以上厚度的光刻膠的晶片，測試其對金屬Cu的腐蝕性及其對厚膜光刻膠的清洗能力，結(jié)果如表3所示。清洗方法為將空白Cu晶片和含有100pm以上厚度的光刻膠的晶片浸入光刻膠清洗劑，507(TC下用恒溫振蕩器緩慢振蕩30120分鐘，再用去離子水洗滌，之后用高純氮?dú)獯蹈?。?清洗劑1~6對金屬Cu的腐蝕性及其對厚膜光刻膠的清洗能力<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>從表3可以看出，清洗劑16表現(xiàn)出對金屬Cu的低腐蝕性以及對厚膜光刻膠良好的清洗能力。本發(fā)明所用試劑均市售可得。權(quán)利要求1.一種清洗厚膜光刻膠的清洗劑，其特征在于含有二甲基亞砜、氫氧化鉀、烷基醇胺和烷基二醇單苯基醚。2.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的二甲基亞砜的含量為質(zhì)量百分比35~95%。3.如權(quán)利要求2所述的清洗劑，其特征在于所述的含量為質(zhì)量百分比6095%。4.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的氫氧化鉀的含量為質(zhì)量百分比0.15%。5.如權(quán)利要求4所述的清洗劑，其特征在于所述的含量為質(zhì)量百分比0.53%。6.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的垸基醇胺的含量為質(zhì)量百分比0.1~20%。7.如權(quán)利要求6所述的清洗劑，其特征在于所述的含量為質(zhì)量百分比0.510%。8.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的垸基二醇單苯基醚的含量為質(zhì)量百分比140%。9.如權(quán)利要求8所述的清洗劑，其特征在于所述的含量為質(zhì)量百分比525%。10.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的烷基醇胺為單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺或異丙醇胺。11.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的烷基二醇單苯基醚為乙二醇單苯基醚、丙二醇單苯基醚、異丙二醇單苯基醚、二乙二醇單苯基醚、二丙二醇單苯基醚或二異丙二醇單苯基醚。12.如權(quán)利要求1所述的清洗劑，其特征在于所述的清洗劑還含有緩蝕劑。13.如權(quán)利要求12所述的清洗劑，其特征在于所述的緩蝕劑的含量為小于或等于質(zhì)量百分比5%。14.如權(quán)利要求13所述的清洗劑，其特征在于所述的含量為質(zhì)量百分比0.052%。15.如權(quán)利要求12所述的清洗劑，其特征在于所述的緩蝕劑為苯并三氮唑、2-巰基苯并噁唑或2-巰基苯并噻唑。全文摘要本發(fā)明公開了一種清洗厚膜光刻膠的清洗劑。這種光刻膠清洗劑含有二甲基亞砜、氫氧化鉀、烷基醇胺和烷基二醇單苯基醚。本發(fā)明的清洗劑可以除去金屬、金屬合金或電介質(zhì)基材上的100μm以上厚度的厚膜光刻膠(光阻)，在半導(dǎo)體晶片清洗等微電子領(lǐng)域具有良好的應(yīng)用前景。文檔編號(hào)G03F7/42GK101201557SQ20061014734公開日2008年6月18日申請日期2006年12月15日優(yōu)先權(quán)日2006年12月15日發(fā)明者兵劉,史永濤,彭洪修,浩曾申請人:安集微電子(上海)有限公司