專利名稱：光刻檢測圖形及光刻版版圖的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造4支術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種光刻纟全測圖形及光刻版 版圖。
背景技術(shù)：
在集成電路制造領(lǐng)域，光刻技術(shù)被用來將圖案從包含電路設(shè)計(jì)信息的光
刻掩膜版上轉(zhuǎn)移到晶片上。其中的光刻掩膜版(mask),也稱為光刻版、掩 膜版或者光罩，是一種對于曝光光線具有透光性的平板，其上具有對于曝光 光線具有遮光性的至少一個幾何圖形，可實(shí)現(xiàn)有選擇地遮擋照射到晶片表面 光刻膠上的光，并最終在晶片表面的光刻膠上形成相應(yīng)的圖案。半導(dǎo)體制作 中，如何確保設(shè)計(jì)的圖形被準(zhǔn)確地轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體晶片上，是必須關(guān)注的重點(diǎn) 問題之一。
然而，圖形是否能準(zhǔn)確轉(zhuǎn)移至晶片上是由多方面的因素決定的，如光刻 版版圖中的圖形設(shè)計(jì)、光刻膠的分辨率大小、曝光/顯影的條件設(shè)定、前烘/ 后烘的溫度及時間等。由于上述多個因素均對最終在晶片的光刻膠上形成的 圖形有影響，實(shí)際光刻工藝中，難以保證每一次光刻工藝均能準(zhǔn)確地轉(zhuǎn)移圖 形，而若在光刻膠上形成的圖形不正常的情況下進(jìn)入了后續(xù)的刻蝕、離子注 入等工序，則會導(dǎo)致晶片因無法返工而報廢。為此，在光刻工藝后，必須對 芯片進(jìn)行檢測，以確保及時發(fā)現(xiàn)光刻中存在的不能滿足要求的缺陷，并重新 進(jìn)行光刻，有效防止了晶片的報廢。為了在檢測時不損傷正式器件，通常該 檢測是通過光刻時在晶片的切割線位置上形成專用于測試的檢測圖形，并利 用掃描電子顯微鏡(SEM， Scan Electronic Microsc叩e )測試而實(shí)現(xiàn)。
圖1A和1B為現(xiàn)有的光刻版版圖及其所用的檢測圖形，其中，圖1A為多組 檢測圖形在光刻版上的分布情況示意圖，圖1B為每組檢測圖形的示意圖。如 圖1A所示，在光刻版100的四角及中心各放置了一組檢測圖形101，以分別檢 測位于光刻機(jī)鏡頭中心和邊緣的圖形，這是因?yàn)楣饪虣C(jī)鏡頭具有的像差效應(yīng) 會導(dǎo)致位于鏡頭下不同位置的光刻圖形形成情況不一致。
每一組;險測圖形1 Ol如圖1B所示，圖中110和120為通常光刻后被;險測的位 置，其中110位置代表了光刻后密集圖形的效果，120代表了光刻后疏散圖形
的效果，采用該種檢測圖形可以兼顧對圖形密集區(qū)和疏散區(qū)的光刻情況的檢 測，這是由于即使在同一光刻條件下，密集區(qū)和疏散區(qū)的圖形往往也會呈現(xiàn) 出不同的光刻效果。
隨著器件特征尺寸越來越小，對光刻圖形轉(zhuǎn)移的準(zhǔn)確度要求也越來越高，
當(dāng)器件特征尺寸(CD， Critical Dimension)減小至65nm以下時，上述現(xiàn)有的 檢測圖形已不能滿足檢測的要求，原因在于在同一光刻條件下，光刻效果 會隨著器件密集度的不同而有所區(qū)別，隨著器件尺寸的縮小，對光刻精度的 要求越來越高，這一 由密集度不同而導(dǎo)致的光刻效果上的差別也可能會影響 到器件的成品率，上述檢測圖形只分為了密集和疏散兩種情況，不能很好地 檢測其他密集度下圖形的光刻效果，有可能因其他密集度的圖形的異常情況 未被檢測出來而導(dǎo)致晶片在后續(xù)工藝中報廢或出現(xiàn)成品率低下的問題。
為確保65nm以下器件的光刻檢測質(zhì)量，有必要提出新的檢測圖形解決上 述問題，以實(shí)現(xiàn)對光刻圖形的全面檢測，避免因光刻后的檢測不全面而導(dǎo)致 的晶片報廢或產(chǎn)品成品率低下的問題。
申請?zhí)枮?2823702.1的中國專利申請?zhí)岢隽?一種利用光刻版監(jiān)控光刻CD 質(zhì)量的方法，該方法從減小實(shí)際CD與設(shè)定CD之間的差異的角度，減少了因光 刻出現(xiàn)問題而導(dǎo)致的器件特征尺寸偏離的可能性，但該方法不能解決上述因 未能全面檢測光刻效果而帶來的晶片報廢或成品率低下問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光刻檢測圖形及光刻版版圖，具有該檢測圖形的光刻版 版圖可以實(shí)現(xiàn)對多種密集度的圖形的監(jiān)測，改善了現(xiàn)有的檢測圖形因未能全 面檢測光刻效果而導(dǎo)致的晶片報廢或器件成品率低下的問題。
本發(fā)明提供的一種光刻檢測圖形，其中，所述檢測圖形至少由三組條形 組組成，每一組所述條形組內(nèi)的條形寬度及分布周期相同，各個所述條形組 之間的條形分布周期各不相同。
其中，每一條形組分為X向條形組和Y向條形組，以分別監(jiān)測光刻圖形 在X軸和Y軸方向上的光刻效果。
其中，所述每一條形組內(nèi)的X向和Y向條形組之間的間距在10至20pm 之間。
其中，所述各組條形組之間的間距在10至20pm之間。
其中，所述條形組的尺寸在50 x 50pm至70 x 70jxm之間。
其中，所述條形的寬度在60至90nm之間，分布周期在120至800nm之間。
其中，光刻后形成的檢測圖形是利用光學(xué)散射儀進(jìn)行檢測的。 本發(fā)明具有相同或相應(yīng)技術(shù)特征的另一種光刻版版圖，所述版圖包含多 個檢測圖形，其中，每一個所述檢測圖形至少由三組條形組組成，各條形組 的條形分布周期各不相同，但每一組內(nèi)各條形的寬度及分布周期都相同。
其中，所述多個檢測圖形是以版圖的中心點(diǎn)為中心，在版圖上放射狀均 勻分布的。
其中，在所述版圖的各邊中心處分別設(shè)置了檢測圖形。 其中，所述多個檢測圖形為13個，其中，有9個位于版圖的X向和Y 向的中軸線上，有4個位于版圖的四個邊角處。 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)
本發(fā)明的光刻檢測圖形及光刻版版圖，采用了新的光刻檢測圖形，該檢 測圖形中具有代表了各種典型的圖形密集度的多種周期的條形圖形組，可以 實(shí)現(xiàn)對光刻后晶片上各種密集度圖形的監(jiān)測，避免因未能全面檢測光刻效果 而導(dǎo)致的晶片報廢或器件成品率低下的問題。
本發(fā)明的光刻檢測圖形及光刻版版圖，每種周期的條形圖形組均分為X 和Y軸兩個方向組，通過對光刻后晶片上檢測圖形的檢測可以得到晶片上各 種具有不同密集度圖形在X和Y軸兩個方向的光刻情況,檢測結(jié)果更為全面。
此外，本發(fā)明版圖上的還具有五個以上的檢測圖形組，其均勻分布在版 圖的切割線位置上，可以全面監(jiān)測因光刻機(jī)像差而導(dǎo)致的位于不同位置的各 光刻圖形間的差異。
本發(fā)明的檢測圖形可以實(shí)現(xiàn)利用光學(xué)散射儀來檢測光刻效果，避免了傳 統(tǒng)的SEM檢測方法易對晶片上圖形造成損傷的問題，并提高了檢測結(jié)果的準(zhǔn) 確性和重復(fù)性，對小尺寸器件尤為有利。


圖1A和1B為現(xiàn)有的光刻版版圖及其所用的檢測圖形； 圖2A和2B為本發(fā)明第 一實(shí)施例的光刻檢測圖形的示意圖； 圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的光刻版版圖示意圖4A至4C為本發(fā)明第二實(shí)施例的光刻檢測圖形示意圖； 圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的光刻版版圖示意圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖 對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
啦文詳細(xì)的說明。
本發(fā)明的處理方法可被廣泛地應(yīng)用到許多應(yīng)用中，并且可利用許多適當(dāng) 的材料制作，下面是通過較佳的實(shí)施例來加以說明，當(dāng)然本發(fā)明并不局限于 該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替換無疑地涵蓋在 本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時，為 了便于說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，不應(yīng)以此作為對本發(fā)明的 限定，此外，在實(shí)際的制作中，應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
器件制作過程中，當(dāng)光刻時的特征尺寸變化到一定程度，會影響到器件 的成品率高低，如器件制作時，特征尺寸的變化會影響到器件的電學(xué)特征，尤 其對于0.13微米及以下器件，由于短溝道效應(yīng)(Short Channel Effect)變得更 加明顯，包括器件的閾值電壓在內(nèi)的多個器件參數(shù)會隨線寬的變化而波動。 如，當(dāng)門電路層的線寬制作得偏小，器件關(guān)閉電流會明顯變大，使芯片功耗 大幅度增加，甚至導(dǎo)致器件無法正常工作。因此，在特征尺寸日益縮小的今 天，對光刻工藝的要求更為嚴(yán)格，必須要確保光刻形成的圖形質(zhì)量能滿足器 件制作的要求。
但是，即使在同一光刻條件下，對于密集度不同的光刻區(qū)域，其光刻效 果會隨著器件密集度的不同而有所區(qū)別，對于大尺寸器件，其對光刻精度的 要求不太高，在這一方面的檢測不很嚴(yán)格，僅按密集區(qū)和疏散區(qū)分別檢測即 可滿足要求。但對于特征尺寸小于65nm的器件，對光刻精度的要求較高，僅 將對光刻效果的檢測區(qū)分為密集區(qū)和疏散區(qū)，已不能滿足對光刻精度的要求。 某些密集度不同于檢測圖形的圖形在光刻中出現(xiàn)的偏差，在大尺寸器件中可 以容忍，在小尺寸器件中則可能會帶來晶片報廢或器件成品率降低的后果。 為此，本發(fā)明的檢測圖形，根據(jù)器件制作中常用到的密集度和關(guān)鍵尺寸的要 求，重新設(shè)置了新的可檢測不同密集度的光刻效果的檢測圖形。
另外，現(xiàn)有的光刻檢測圖形只能利用SEM進(jìn)行檢測，而SEM在檢測過
程中存在著對晶片的電子束損傷及檢測準(zhǔn)確性、重復(fù)性不高等問題，這些問 題對于大尺寸器件的影響比較小，但對于小尺寸器件，對上述問題也必須予 以足夠的重視。為此，本發(fā)明的檢測圖形由排列周期不同的多個條形組組成， 其可采用光學(xué)特征尺寸(OCD)的方法利用光學(xué)散射儀對不同密集度的區(qū)域
的光刻效果進(jìn)行測試，該測試方法可以克服采用SEM檢測光刻圖形時出現(xiàn)的
上述問題。
本發(fā)明的檢測圖形為實(shí)現(xiàn)利用OCD方法對各種密集度圖形的光刻情況進(jìn)
行監(jiān)測，由至少三組條形組組成，且每一組內(nèi)的條形寬度及分布周期相同， 各組之間的條形分布周期不相同。這些分布周期各不相同的多個條形組可分 別用于監(jiān)測不同密集度的器件圖形的光刻情況。
圖2A和2B為本發(fā)明第 一實(shí)施例的光刻檢測圖形的示意圖，圖3為本發(fā) 明第一實(shí)施例的光刻版版圖示意圖，下面結(jié)合圖2A和2B以及圖3詳細(xì)介紹 本發(fā)明的第一實(shí)施例。
圖2A為本發(fā)明第一實(shí)施例的光刻檢測圖形的簡圖，如圖2A所示，本實(shí) 施例中的光刻檢測圖形200由三組條形組201 、 202和203組成，其中，各個 條形組整體的尺寸(長Ll和高L2)是相同的，為了確保光學(xué)散射儀檢測的 結(jié)果，LlxL2的尺寸范圍最好在50x 50pm至70x7(Vm之間。另外，各條 形組之間的間距L3可以設(shè)置在10pm至20jim之間。
圖2B為本發(fā)明第一實(shí)施例的光刻檢測圖形的示意圖，如圖2B所示，本實(shí) 施例中，各條形組201 、 202和203中的條形210的形狀(長與寬)是相同的， 如可以將條形的長度設(shè)置在50(im至70^im之間，寬度設(shè)置為器件的特征尺寸， 如在60nm至90nm之間，例如為65nm等，各條形組的差別僅存在于各條形的分 布周期中，如圖2B所示，條形組201的分布周期為al，其反應(yīng)了密集度最大處 的圖形光刻質(zhì)量，本實(shí)施例中，三組條形組的分布周期al、 a2和a3各不相同， 可以分別設(shè)置在120nm至800nm之間，其中最小的分布周期al可設(shè)置在120至 180nm之間，具體設(shè)置參數(shù)可由制作器件的特征尺寸確定；其余兩個條形組202 和203的分布周期可根據(jù)光刻圖形的密集度分布進(jìn)行設(shè)定，如可以分別設(shè)置為 光刻時的器件圖形的典型間距410nm和560nm，以實(shí)現(xiàn)對器件制作中的各關(guān)鍵 圖形的全面監(jiān)測。
此外，為了實(shí)現(xiàn)對器件光刻結(jié)果的全面監(jiān)測，還可以對檢測圖形在版圖 中的分布進(jìn)行改進(jìn)。圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例的光刻版版圖示意圖，如圖3所
示，在版囝的中部及邊緣處分別設(shè)置了多個檢測圖形200,其中，每一個檢測 圖形200至少由圖2B所示的三組條形組201、 202和203組成，各條形組的條形 分布周期各不相同，但每一組內(nèi)各條形的寬度及分布周期都相同。
現(xiàn)有的檢測圖形中只對鏡頭下區(qū)域的四角和中心位置的5個點(diǎn)進(jìn)行了監(jiān) 測，而實(shí)際光刻圖形的質(zhì)量會受到光刻機(jī)鏡頭像差的影響，位于光刻機(jī)鏡頭 下不同位置所形成的圖形的情況都會有所不同，隨著器件尺寸的縮小，對這 些因光刻鏡頭帶來的細(xì)微差別也必須加以考慮，另外，對于小尺寸器件，晶 片表面任何一部分都不允許閑置不用，對晶片邊緣的檢測也非常重要，因此， 本實(shí)施例中，為避免因未監(jiān)測出位于光刻鏡頭下不同位置的光刻圖形的差別 對器件圖形的正常形成是否有影響，在傳統(tǒng)版圖的切割線上均勻地增加了幾 個檢測圖形。具體的檢測圖形位置設(shè)置思路為除了在傳統(tǒng)的版圖中心和四 角位置上放置檢測圖形外，還在版圖的各條邊的中心分別增加了 一個檢測圖 形，這四個位置與傳統(tǒng)檢測的五個位置相比，位于光刻機(jī)鏡頭下的距離及方 向均有所不同，因此，其光刻出的圖形效果也會有所差別，雖然這一差別并
不大，在大尺寸下不會造成對器件性能的影響，但對于小尺寸的器件，尤其 是65nm以下的器件，這一差別導(dǎo)致的光刻圖形的形變就可能會引起器件失效， 產(chǎn)品成品率降低。此外，為了更全面地對各位置的光刻情況進(jìn)行監(jiān)測，本實(shí) 施例中，還在位于版圖中心及版圖各邊的中心之間的位置加入了四個檢測圖 形，實(shí)現(xiàn)對整個光刻區(qū)間的全面監(jiān)測。
本實(shí)施例一共在版圖中加入了13個檢測圖形，其中，有9個位于版圖的X 向和Y向的中軸線上，有4個位于版圖的四個邊角處，實(shí)現(xiàn)了對65nm器件的光 刻質(zhì)量的較為全面的監(jiān)測。但要注意到，并不是加入的檢測圖形越多越好， 檢測圖形加入的越多，需檢測的點(diǎn)就越多，結(jié)果會導(dǎo)致生產(chǎn)周期的延長。因 此，在版圖中對檢測圖形進(jìn)行設(shè)置時，要進(jìn)行折衷考慮，既要滿足光刻質(zhì)量 監(jiān)測的要求，又要滿足生產(chǎn)效率的要求。具體操作時，可以結(jié)合所制作器件 的光刻精度要求設(shè)定檢測圖形的個數(shù)，如，當(dāng)器件特征尺寸較大，對光刻精 度要求不高時，可以適當(dāng)減小檢測圖形的個數(shù)，當(dāng)器件特征尺寸較小時，可 以適當(dāng)增多檢測圖形的個數(shù)。但要注意到，因?yàn)闄z測圖形在版圖上的分布較
為均勻時監(jiān)測效率會較高，通?？蓪z測圖形以版圖中心點(diǎn)為中心，呈放射 狀地均勻地設(shè)置在版圖上。
此外，為了達(dá)到更好的光刻結(jié)果監(jiān)測效果，本發(fā)明的第二實(shí)施例還將每
一條形組分為X向條形組和Y向條形組，以分別監(jiān)測光刻圖形在X軸和Y軸 方向上的光刻效果。圖4A至4C為本發(fā)明第二實(shí)施例的光刻檢測圖形示意圖， 圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的光刻版版圖示意圖，下面結(jié)合圖4A至4C以及圖 5詳細(xì)介紹本發(fā)明的第二實(shí)施例。
圖4A和4B為本發(fā)明第二實(shí)施例的光刻檢測圖形的條形組示意圖，其中， 圖4A為一個條形組中的X向條形組401X的示意圖。如圖4A所示，本發(fā)明 的檢測圖形中的條形組由多個周期性排列的縱向的條形410組成，且各條形 的寬度及分布周期都相同。其中，每一條形的寬度通常可以設(shè)置在60至90nm 之間，如為90nm,高度L2可以設(shè)置在50至70jim之間，如為70nm。條形 排列的周期a通常設(shè)置在120至800nm之間，如為180nm,光刻后對該條形 組的光刻結(jié)果進(jìn)行的檢測可以代表某一密集度區(qū)域的光刻情況，如本實(shí)施例 中的條形組可以代表特征尺寸為90nm,圖形間距為90nm的區(qū)域的光刻情況。 另外，如圖4A所示，由多個條形組成的檢測圖形整體的長度為Ll，高度為 L2，本實(shí)施例中，為了確保光學(xué)散射儀檢測的結(jié)果，LlxL2的尺寸范圍最好 在50 x 50|im至70 x 70(im之間。
光刻后，通過對圖4A所示的X向條形組401X的檢測，可以得到特征尺 寸為90nm,圖形間距為90nm的密集度區(qū)域的光刻情況。但是，要注意到該 條形組只能是對于該種區(qū)域的X軸方向的光刻情況進(jìn)行監(jiān)測，對于該種尺寸 及密集度的Y軸方向的光刻情況，并不能由對條形組401X的檢測得出。這 是因?yàn)楣饪虝r圖像的轉(zhuǎn)移質(zhì)量會受到光刻機(jī)成像質(zhì)量的影響，而光刻機(jī)在X 軸和在Y軸的成像質(zhì)量是會有差別的，對于小尺寸器件即使這兩個方向上的 光刻質(zhì)量僅小微小差別，也可能影響到器件的形成質(zhì)量。如果在檢測圖形中 僅有對X軸方向的質(zhì)量檢測，沒有對Y軸方向的質(zhì)量檢測，可能會造成某些 Y軸方向的圖形異常未能被檢測出來。因此，本發(fā)明第二實(shí)施例的檢測圖形 還包含有Y向條形組，以實(shí)現(xiàn)對X和Y兩個方向的光刻效果的同時監(jiān)測，避 免因未能檢測到Y(jié)軸方向上光刻結(jié)果的異常，導(dǎo)致晶片在后續(xù)工藝中報廢。
圖4B為一個條形組中的Y向條形組401Y的示意圖。如圖4B所示，該
Y向條形組401Y由多個周期性排列的橫向的條形420組成，且各條形的寬度 及分布周期都與X向條形組401X相同。如，每一條形的寬度通?？梢詉殳置 在60至90nm之間，如為90nm，高度(長度)Ll可以設(shè)置在50至70pm之 間，如為70pm。條形排列的周期a可以設(shè)置在120至800nm之間，如為180nm, 光刻后對該條形組的光刻結(jié)果進(jìn)行的檢測可以代表某一密集度區(qū)域的Y軸方 向上的光刻情況，如本實(shí)施例中的條形組可以代表特征尺寸為90nm ，圖形間 距為90nm的區(qū)域的Y軸方向的光刻情況。另外，如圖4B所示，Y向條形組 401Y的整體尺寸與X向條形組401X的相同。其長度仍為Ll (其中任一條形 的長度)，高度仍為L2,本實(shí)施例中，為了確保光學(xué)散射儀檢測的結(jié)果，Ll x L2的尺寸范圍最好在50 x 50pm至70 x 70(mi之間。
至此，在光刻后，通過對由X向條形組401X與Y向條形組401Y組成的一組 條形組進(jìn)行OCD監(jiān)測，即可得到某一特征尺寸(如90nm)和某一密集度(如 間距90nm)的器件在X軸和Y軸兩個方向上的光刻情況。
圖4C為本發(fā)明第二實(shí)施例的光刻檢測圖形的筒圖，由圖4C可以看到，本 實(shí)施例中的檢測圖形400由三組條形組401、 402和403組成，其中，每個條形 組內(nèi)的條形的尺寸及分布周期a都相同，但為了更全面地監(jiān)測光刻時的細(xì)微差 別，每一條形組又分為了X向和Y向兩個條形組，如401組分為了401X和401Y 組，分別監(jiān)測同一密集情況下在X和Y軸方向上的光刻情況。各條形組內(nèi)的X 和Y向條形組的整體尺寸L1、 L2均相同，通常將L1 xL2的尺寸范圍設(shè)置在50 x 50[xm至70 x 70[im之間。另外，各條形組之間以及X向和Y向條形組之間的 間距L3可以設(shè)置在10pm至20iim之間。
圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的光刻版版圖示意圖。假設(shè)本發(fā)明第二實(shí)施例 中的器件制作對光刻精度的要求比第一實(shí)施例更高，對更細(xì)微的差別也要求 能檢測出來，為此，該版圖在設(shè)計(jì)時又新增了幾個檢測圖形，以確保對光刻 質(zhì)量的監(jiān)測能滿足器件制作的要求。如圖5所示，本發(fā)明的第二實(shí)施例中， 在第一實(shí)施例檢測圖形的分布基礎(chǔ)上又增加了四個檢測圖形，為提高監(jiān)測效 果，將這四個圖形被均勻地設(shè)置于版圖上，新增的檢測圖形以版圖中心點(diǎn)為 中心，放射狀地加入到版圖上，具體位置是分別位于由第一實(shí)施例中的檢測 圖形分割而成的四個象限的中心處。最終，本發(fā)明的第二實(shí)施例在版圖上形 成了 17個檢測圖形400,且各檢測圖形以版圖中心點(diǎn)為中心，呈放射狀地均
勻分布在版圖上，實(shí)現(xiàn)了對光刻時各方向、各位置的光刻效果的細(xì)微差別的 全面監(jiān)控。
上述實(shí)施例中，檢測圖形分為了三組，分別用亍監(jiān)測不同密集度的圖形 的光刻情況，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，當(dāng)器件尺寸更小，圖形的密集度情 況更為復(fù)雜時，僅由三組條形組可能不能實(shí)現(xiàn)全面監(jiān)測光刻情況，此時，可 以增加檢測圖形內(nèi)的條形組數(shù)，如，可將檢測圖形中的條形組增加至五組不 同分布周期的條形組，以進(jìn)一步增強(qiáng)對密集度不同的圖形的監(jiān)控。
上述實(shí)施例中，各條形組內(nèi)的條形寬度都相同，主要是用于監(jiān)測不同密 集度的圖形的光刻情況，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以將各條形組內(nèi)的 條形寬度設(shè)置得不相同，以監(jiān)測器件制作中不同尺寸圖形的光刻情況。
因?yàn)楸景l(fā)明的上述^r測圖形都設(shè)置在晶片的切割線上，所以對器件的正 常生產(chǎn)沒有影響，但若檢測圖形過多，會影響器件的生產(chǎn)效率，因此，在設(shè) 置上述檢測圖形時，要根據(jù)對器件光刻精度的要求和生產(chǎn)效率的要求折衷確 定版圖中檢測圖形內(nèi)條形組的組數(shù)及檢測圖形的個數(shù)。
本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和 修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種光刻檢測圖形，其特征在于所述檢測圖形至少由三組條形組組成，每一組所述條形組內(nèi)的條形寬度及分布周期相同，各個所述條形組之間的條形分布周期各不相同。
2、 如權(quán)利要求l所述的檢測圖形，其特征在于每一條形組分為X向條 形組和Y向條形組，以分別監(jiān)測光刻圖形在X軸和Y軸方向上的光刻效果。
3、 如權(quán)利要求2所述的檢測圖形，其特征在于所述每一條形組內(nèi)的X 向和Y向條形組之間的間距在10至20(im之間。
4、 如權(quán)利要求1所述的檢測圖形，其特征在于所述各組條形組之間的 間距在10至20[xm之間。
5、 如權(quán)利要求1所述的檢測圖形，其特征在于所述條形組的尺寸在50 x 50拜至70 x 70,之間。
6、 如權(quán)利要求1所述的檢測圖形，其特征在于所述條形的寬度在60 至90nm之間，分布周期在120至800nm之間。
7、 如權(quán)利要求1所述的檢測圖形，其特征在于光刻后形成的檢測圖形 是利用光學(xué)散射儀進(jìn)行檢測的。
8、 一種光刻版版圖，所述版圖包含多個檢測圖形，其特征在于每一個 所述檢測圖形至少由三組條形組組成，各條形組的條形分布周期各不相同， 但每一組內(nèi)各條形的寬度及分布周期都相同。
9、 如權(quán)利要求8所述的光刻版版圖，其特征在于所述多個檢測圖形是 以版圖的中心點(diǎn)為中心，在版圖上放射狀均勻分布的。
10、 如權(quán)利要求8所述的光刻版版圖，其特征在于在所述版圖的各邊 中心處分別設(shè)置了檢測圖形。
11、 如權(quán)利要求8所述的光刻版版圖，其特征在于所述多個檢測圖形 為13個，其中，有9個位于版圖的X向和Y向的中軸線上，有4個位于版 圖的四個邊角處。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻檢測圖形及光刻版版圖，其中，所述檢測圖形至少由三組條形組組成，每一所述條形組內(nèi)的條形寬度及分布周期相同，各個所述條形組之間的條形分布周期各不相同；具有多個該檢測圖形的版圖可以實(shí)現(xiàn)對多種密集度的圖形的監(jiān)測，改善了現(xiàn)有的檢測圖形因未能全面檢測光刻效果而導(dǎo)致的晶片報廢或器件成品率低下的問題。
文檔編號G03F7/20GK101206406SQ20061014743
公開日2008年6月25日 申請日期2006年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月18日
發(fā)明者李慶剛 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司