專利名稱：限定圖案的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及限定圖案的方法，其中包括將光致抗蝕劑涂覆到基底上。
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背景技術(shù)：
在制備微電子結(jié)構(gòu)的過(guò)程中包括多個(gè)步驟。在制備集成電路的制備方案中，有時(shí)需要選擇性蝕刻半導(dǎo)體的不同表面。在歷史上，已經(jīng)成功地不同程度地利用多種非常不同類型的蝕刻工藝以選擇性地清除材料。此外，在微電子結(jié)構(gòu)中不同層的選擇性的蝕刻被認(rèn)為是集成電路制備工藝中關(guān)鍵性和決定性的步驟。
越來(lái)越多地，活性離子蝕刻(RIE)在通孔、金屬線和溝槽制備過(guò)程中是選擇用于圖案轉(zhuǎn)印的工藝。例如，復(fù)雜半導(dǎo)體器件如高級(jí)DRAMS和微處理器利用RIE制備通孔、金屬線和溝槽結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體器件需要多層后端布線的互連線路。利用通孔經(jīng)由層間電介質(zhì)以使得一級(jí)硅、硅化物或金屬線與下一級(jí)金屬線之間接觸。金屬線是用作器件互連的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。溝槽結(jié)構(gòu)用于金屬線結(jié)構(gòu)的形成。通孔、金屬線和溝槽結(jié)構(gòu)典型地使金屬和合金如Al、Al/Cu、Cu、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、硅或硅化物如鎢、鈦或鈷的硅化物暴露。RIE工藝典型地遺留(復(fù)雜混合物的)殘余物，該殘余物可包括用于平板印刷化地限定通孔、金屬線或溝槽結(jié)構(gòu)的再濺射氧化物材料以及來(lái)自光致抗蝕劑和抗反射涂層材料的可能的有機(jī)材料。
因此希望提供能夠去除殘余物如殘余的光致抗蝕劑和/或加工殘余物如利用等離子體和/或RIE選擇性蝕刻導(dǎo)致的殘余物的選擇性清洗組合物和工藝。此外，還希望提供能夠去除殘余物如光致抗蝕劑和蝕刻殘余物的選擇性清洗組合物和工藝，該清洗組合物和工藝相比金屬、高k介電材料、硅、硅化物、和/或?qū)娱g介電材料對(duì)殘余物具有高度選擇性，其中該層間介電材料包括低k介電材料如也會(huì)暴露于清洗組合物下的沉積氧化物。希望提供與這種敏感低k薄膜如HSQ、MSQ、FOx、黑金剛石和TEOS(四乙基硅酸鹽)相匹配的以及可以一起使用的組合物。

發(fā)明內(nèi)容
在此公開(kāi)的組合物能夠從基底上選擇性地去除殘余物如光致抗蝕劑和加工殘余物而不會(huì)侵蝕也暴露于組合物下的任何不希望被侵蝕的金屬、低k和/或高k介電材料。此外，在此公開(kāi)的組合物可具有某種介電材料如氧化硅的最小蝕刻速率。
在此也公開(kāi)了一種從基底上去除含有光致抗蝕劑和/或蝕刻殘余物的殘余物的方法，該方法包括使基底和在此公開(kāi)的組合物接觸。
本發(fā)明涉及限定圖案的方法，其中包括將光致抗蝕劑涂覆到基底上進(jìn)行處理。
具體實(shí)施例方式
一種組合物和包括該組合物的方法，用于選擇性地去除殘余物如光致抗蝕劑和/或加工殘余物如通過(guò)蝕刻、特別是活性離子蝕刻產(chǎn)生的殘余物。在包括用于微電子器件的基底的清洗方法中，要去除的典型雜質(zhì)可包括例如有機(jī)化合物、無(wú)機(jī)化合物、如有機(jī)金屬殘余物和金屬有機(jī)化合物的含金屬化合物、離子的和中性的、輕的和重的無(wú)機(jī)(金屬)類、水份、和不溶性材料，包括由諸如平面化和蝕刻工藝的工藝產(chǎn)生的粒子；所述有機(jī)化合物為例如曝光的和/或灰化的光致抗蝕劑材料、灰化的光致抗蝕劑殘余物、UV-或X射線硬化的光致抗蝕劑、含C-F的聚合物、低和高分子量聚合物和其它有機(jī)蝕刻殘余物；所述無(wú)機(jī)化合物為例如金屬氧化物、來(lái)自化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)漿料的陶瓷粒子和其它無(wú)機(jī)蝕刻殘余物。在一個(gè)具體實(shí)施方案中，去除的殘余物是加工殘余物如由活性離子蝕刻產(chǎn)生的那些殘余物。
在基底上通常存在的殘余物還包括金屬、硅、硅酸鹽和/或?qū)娱g介電材料如沉積的氧化硅和氧化硅衍生物如HSQ、MSQ、FOX、TEOS和旋涂玻璃、化學(xué)氣相沉積介電材料、和/或高k材料如硅酸鉿、氧化鉿、鈦酸鋇鍶(BST)、TiO2、TaO5，其中殘余物和金屬、硅、硅化物、層間介電材料、低k和/或高k材料都與清洗組合物接觸。在此公開(kāi)的組合物和方法用于選擇性地去除殘余物如光致抗蝕劑、BARC、間隙填充物、和/或加工殘余物，而不會(huì)顯著地侵蝕金屬、硅、二氧化硅、層間介電材料、低k和/或高k材料。在某些實(shí)施方案中，基底可以包括金屬例如但不局限于鋁、鋁銅合金、銅、銅合金、鈦、一氮化鈦、鉭、一氮化鉭、鎢、和/或鈦/鎢合金。在一個(gè)實(shí)施方案中，在此公開(kāi)的組合物適用于含有敏感低k薄膜的基底。
在此公開(kāi)的組合物可包括5至95wt％或10至8wt％的水溶性有機(jī)溶劑。在一個(gè)實(shí)施方案中，該組合物可含有大量一種或多種水溶性有機(jī)溶劑(即50wt％或更多)和少量水(即少于50wt％)。在可替代的實(shí)施方案中，該組合物可含有大量水(即50wt％或更多)和少量一種或多種水溶性有機(jī)溶劑(即少于50wt％)。
水溶性有機(jī)溶劑包括有機(jī)胺、酰胺、亞砜、砜、內(nèi)酰胺、咪唑啉酮、內(nèi)酯、多元醇、二醇醚、二醇等。典型地可與水混溶的有機(jī)溶劑通常用于清除和清洗應(yīng)用的制劑中。有機(jī)胺的實(shí)例包括一乙醇胺(MEA)、N-甲基乙醇胺(NMEA)、1，2-乙二胺、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、二乙醇胺、二丙胺、2-乙氨基乙醇、二甲氨基乙醇、環(huán)己胺、芐胺、吡咯、吡咯烷、吡啶、嗎啉、哌啶、唑等。酰胺的實(shí)例包括N，N-二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺(DMAC)、二乙基乙酰胺等。亞砜的實(shí)例包括二甲基亞砜。砜的實(shí)例包括二甲基砜和二乙基砜。內(nèi)酰胺的實(shí)例包括N-甲基-2-吡咯烷酮和咪唑啉酮。內(nèi)酯的實(shí)例包括丁內(nèi)酯和戊內(nèi)酯。多元醇的實(shí)例包括乙二醇、丙二醇、乙二醇單甲醚乙酸酯、一縮二丙二醇甲基醚和二縮三丙二醇甲基醚。有機(jī)溶劑的其它實(shí)例還包括但不限于N-甲基吡咯烷酮(pyrrolidinone)(NMP)、二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰胺、甲酰胺、二甲基-2-哌啶酮(DMPD)、四氫糠醇或多官能化合物如羥基酰胺或氨基醇。上述列舉的有機(jī)溶劑可以單獨(dú)使用或者兩種或多種溶劑混合使用。
在特定實(shí)施方案中，水溶性有機(jī)溶劑可以是二醇醚。該二醇醚可包括二醇單(C1-C6)烷基醚和二醇二(C1-C6)烷基醚，例如但不限于(C1-C20)鏈烷二醇、(C1-C6)烷基醚和(C1-C20)鏈烷二醇二(C1-C6)烷基醚。二醇醚的實(shí)例為乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二甘醇單甲醚、二甘醇單乙醚、二甘醇單丙醚、二甘醇單異丙醚、二甘醇單丁醚、二甘醇單異丁醚、二甘醇單芐基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、三甘醇單甲醚、三甘醇二甲醚、聚乙二醇單甲醚、二甘醇甲乙醚、三甘醇乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單丙醚、一縮二丙二醇單甲醚、一縮二丙二醇單丙醚、一縮二丙二醇單異丙醚、一縮二丙二醇單丁醚、一縮二丙二醇二異丙醚、二縮三丙二醇單甲醚、1-甲氧基-2-丁醇、2-甲氧基-1-丁醇、2-甲氧基-2-甲基丁醇、1，1-二甲氧基乙烷和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。二醇醚更典型的實(shí)例是丙二醇單甲醚、丙二醇單丙醚、二縮三(丙二醇)單甲醚和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。
組合物可含有5-95wt％或10至80wt％的水。它可以附帶地存在其它元素的組分如包含含氟化合物(fluoride containing compound)的水溶液，或者可以單獨(dú)添加它。水的一些非限定實(shí)例包括去離子水、超純水、蒸餾水、二次蒸餾水或具有低金屬含量的去離子水。
在特定實(shí)施方案中，組合物可包括含氟化合物?；诮M合物的總重量該含氟化合物或其混合物的含量為0.1wt％至20wt％、或0.1至10wt％或從大于0.8至10wt％。含氟化合物可包括通式R1R2R3R4NF表示的化合物，其中R1、R2、R3和R4分別單獨(dú)為氫、醇基、烷氧基、烷基及其混合物。這種化合物的實(shí)例包括氟化銨、氟化四甲銨、氟化四乙銨、氟化四丁銨和其混合物。含氟化合物的其它實(shí)例還包括氟硼酸、氫氟酸、氟硼酸鹽、氟硼酸、四丁基銨四氟硼酸鹽、六氟化鋁和膽堿氫氟酸鹽。另外的實(shí)施方案中，可以使用的含氟化合物為脂肪族伯、仲或叔胺的氟化物鹽。在其中含氟化合物是氟化銨的實(shí)施方案中，組合物不包括任何另外的含氟化合物。
在特定實(shí)施方案中，組合物可包括一種或多種季銨化合物。組合物還包括一種或多種通式為[N-R5R6R7R8]+OH-的季銨化合物，其中R5、R6、R7和R8各自單獨(dú)地為1-20個(gè)碳原子的烷基。術(shù)語(yǔ)“烷基”指的是直鏈或支鏈未取代的碳原子數(shù)為1-20、或1-8或者1-4的烴基。適合的烷基實(shí)例包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基和叔丁基。表述“低級(jí)烷基”指的是碳原子數(shù)為1-4的烷基。適合的季銨化合物的實(shí)例包括氫氧化四甲銨(TMAH)、氫氧化四乙銨、氫氧化四丁銨(TBAH)、氫氧化四丙銨、氫氧化三甲基乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三甲基銨、氫氧化(2-羥乙基)三乙基銨、氫氧化(2-羥乙基)三丙基銨、氫氧化(1-羥丙基)三甲基銨、氫氧化乙基三甲基銨、氫氧化二乙基二甲基銨和氫氧化芐基三甲基銨。季銨化合物的含量為約0.1-15wt％或約0.1-10wt％。
在特定實(shí)施方案中，在此描述的組合物還任選地可包含最多約20wt％或者約0.2至約19wt％的腐蝕抑制劑?？梢允褂迷谙嗨茟?yīng)用的領(lǐng)域中公知的任何腐蝕抑制劑，例如在此引入?yún)⒖嫉拿绹?guó)專利5417877公開(kāi)的那些。腐蝕抑制劑可以是例如有機(jī)酸、有機(jī)酸鹽、酚、三唑、羥胺及其酸式鹽。具體腐蝕抑制劑的實(shí)例包括鄰氨基苯甲酸、五倍子酸、苯甲酸、間苯二甲酸、馬來(lái)酸、富馬酸、D，L-羥基丁二酸、丙二酸、鄰苯二甲酸、馬來(lái)酸酐、鄰苯二甲酸酐、苯并三唑(BZT)、羧基苯并三唑、間苯二酚、羧基苯并三唑、二乙基羥胺及其乳酸和檸檬酸鹽等?？梢允褂玫母g抑制劑的其它實(shí)例包括鄰苯二酚、間苯二酚、連苯三酚以及五倍子酸酯?？梢允褂玫木唧w羥胺包括二乙基羥胺及其乳酸和檸檬酸鹽等。適合的腐蝕抑制劑的其它實(shí)例包括果糖、硫代硫酸銨、氨基乙酸、乳酸、四甲基胍、亞氨基二乙酸、二甲基乙酰乙酰胺、三羥基苯、二羥基苯、水楊基羥肟酸(salicyclohydroxamic)和硫代甘油。
組合物還包括一種或多種以下的添加劑，條件是這些添加劑既不會(huì)不利地影響組合物的清洗和清除功能也不會(huì)損害下面的基底表面表面活性劑、螯合劑、化學(xué)改性劑、染料、生物殺滅劑和/或其它添加劑，其總含量最高為組合物總重量的5wt％。代表性的添加劑的一些實(shí)例包括炔醇及其衍生物、炔二醇(非離子烷氧基化的和/或可自乳化的炔二醇表面活性劑)及其衍生物、醇、季銨和二胺、酰胺(包括非質(zhì)子溶劑如二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺)、烷基烷醇胺(如二乙醇乙胺)，以及螯合劑如β-二酮、β-酮亞胺、羧酸、羥基丁二酸和酒石酸基酯和二酯及其衍生物、以及叔胺、二胺以及三胺。
在某些實(shí)施方案中，例如當(dāng)組合物包括大于50％的水時(shí)，在此公開(kāi)的組合物的pH值介于約7至約14、或者約9至約13范圍內(nèi)。在選擇性實(shí)施方案中，例如組合物包括小于50％的水時(shí)，在此公開(kāi)的組合物可具有介于約4至約9、或者約5至約7范圍內(nèi)的pH。
在此公開(kāi)的組合物與低k薄膜如HSQ(FOx)、MSQ、SiLK等相容。該配方在低溫下同樣有效地清除光致抗蝕劑和等離子蝕刻殘余物如有機(jī)殘余物、有機(jī)金屬殘余物、無(wú)機(jī)殘余物、金屬氧化物或光致抗蝕劑復(fù)合物，并且極小或不腐蝕含鋁、銅、鈦的基底。此外，該組合物與多種低介電常數(shù)和高介電常數(shù)的材料相容。
在制備工藝中，光致抗蝕劑層涂覆在基底上。利用光刻蝕法工藝，在光致抗蝕劑層上限定圖案。從而該已形成圖案的光致抗蝕劑層經(jīng)受等離子蝕刻，由此將圖案轉(zhuǎn)印到基底上。在蝕刻階段產(chǎn)生蝕刻殘余物。用于本發(fā)明的一些基底進(jìn)行灰化而一些不進(jìn)行灰化。當(dāng)對(duì)基底進(jìn)行灰化時(shí)，要清洗的主要?dú)堄辔锸俏g刻劑殘余物。如果基底沒(méi)有進(jìn)行灰化，則要清洗或者清除的主要?dú)堄辔锸俏g刻殘余物和光致抗蝕劑。
在此描述的方法可通過(guò)使基板和所述組合物接觸而進(jìn)行，該基板具有以薄膜或殘余物形式存在的金屬、有機(jī)或金屬有機(jī)聚合物、無(wú)機(jī)鹽、氧化物、氫氧化物或者其復(fù)合物或組合物。實(shí)際條件如溫度、時(shí)間等依賴于要去除的材料的性質(zhì)和厚度。一般而言，基底在溫度范圍20℃至85℃、或20℃至60℃、或20℃至40℃內(nèi)接觸或者浸入含有該組合物的容器中。基板暴露在組合物下的典型時(shí)間周期可以是例如0.1至60分鐘、或1至30分鐘、或1至15分鐘。在與該組合物接觸后，可以沖洗基板并進(jìn)行干燥。干燥典型地在惰性氣氛下進(jìn)行。在某些實(shí)施方案中，在使基板和在此所述的組合物接觸之前、之中和/或之后可采用去離子水沖洗或含有其它添加劑的去離子水沖洗。然而，該組合物可用于本領(lǐng)域公知的利用清洗流體以去除光致抗蝕劑、灰化或蝕刻殘余物和/或殘余物的任何方法。
實(shí)施例提供以下實(shí)施例以進(jìn)一步闡述在此公開(kāi)的組合物和方法。在表I中列出各種代表性組合物和每種組合物的pH值的實(shí)施例。在表I中，給出的含量都是重量百分比并且總數(shù)為100wt％。通過(guò)在室溫將組分一起混合到容器中并且直到所有固體溶解來(lái)制備在此公開(kāi)的組合物。在以下實(shí)施例中，在環(huán)境溫度下利用5％水溶液測(cè)定pH值。涂覆有正性抗蝕劑的基底在暴露于組合物之前進(jìn)行顯影、蝕刻和灰化。在以下表格中，“n/t”指的是未測(cè)試的而“NC”指的是不相容。
表II中示出了具有各種金屬層的每種代表性組合物的金屬蝕刻速率(“ER”)的匯總。在所有下述蝕刻速率中，在表II示出的溫度下在暴露時(shí)間為5、10、20、40和60分鐘時(shí)進(jìn)行測(cè)量。在每個(gè)時(shí)間間隔進(jìn)行厚度測(cè)量并根據(jù)每個(gè)代表性組合物的結(jié)果利用“最小平方擬合”線性回歸模型做圖。每個(gè)組合物“最小平方擬合”模型計(jì)算的斜率為以埃/分鐘(/min)表示的蝕刻速率結(jié)果。在測(cè)定金屬蝕刻速率中，晶片具有以公知厚度的沉積在其上的特定金屬或者金屬合金涂覆層。利用CDE ResMap273四點(diǎn)探針測(cè)定晶片的初始厚度。在測(cè)定初始厚度后，將測(cè)試晶片浸入代表性組合物中。在每個(gè)時(shí)間間隔后，將測(cè)試晶片從代表性組合物中取出、用去離子水沖洗三分鐘并在氮?dú)庀聫氐赘稍?。測(cè)量每個(gè)晶片的厚度，并且如果必要，在下一個(gè)時(shí)間間隔重復(fù)上述步驟。如果要測(cè)試的金屬是鈦，那么需要在磷酸中進(jìn)行初始浸漬。
表III中示出了具有各種氧化物層的每種代表性組合物的氧化物蝕刻速率(“ER”)的匯總。利用Nanospec AFT181或者SENTECH SE-800分光橢率計(jì)測(cè)定氧化物蝕刻速率。將定量200ml的代表性組合物放置在250ml燒杯中進(jìn)行攪拌和加熱，如果需要加熱到特定溫度。對(duì)于在Nanospec AFT181上進(jìn)行的這些測(cè)試，在要測(cè)試的每個(gè)晶片上劃三個(gè)圓。每個(gè)晶片上的標(biāo)記區(qū)域?yàn)橐M(jìn)行測(cè)量的區(qū)域。初始測(cè)量每個(gè)晶片。在初始測(cè)量后，將晶片浸漬在代表性組合物中5分鐘。如果僅有一個(gè)晶片放置在盛有溶液的燒杯中，那么在燒杯中要放置模擬晶片。5分鐘后，用去離子水沖洗測(cè)試晶片3分鐘并在氮?dú)庀赂稍铩y(cè)量每個(gè)晶片的標(biāo)記區(qū)域并且如果必要在下一個(gè)時(shí)間間隔內(nèi)重復(fù)該步驟。
表IV中示出了具有各種低k層的每種代表性組合物典型的低電介質(zhì)速率(“ER”)的匯總。采用具有沉積其上的各種低k有機(jī)硅酸鹽薄膜的硅晶片進(jìn)行低k電介質(zhì)蝕刻速率。在橢率計(jì)上獲得低k蝕刻速率，該橢率計(jì)的操作方法與為獲得氧化物蝕刻速率所述的Nanospec AFT或者SENTECH的操作方法相同。
各種測(cè)試晶片暴露于代表性組合物3和4下并采用掃描電子顯微鏡(SEM)在各個(gè)位置評(píng)估以測(cè)定蝕刻和灰化去除的程度以及對(duì)下面的基底的影響。切開(kāi)晶片以提供邊緣，然后采用SEM在晶片的各個(gè)預(yù)定位置上進(jìn)行檢測(cè)，并將結(jié)果可視化示出并且以下述方式標(biāo)記“+++”表示優(yōu)秀；“++”表示良好；“+”表示一般；以及“-”表示差。在暴露于代表性組合物3或者4后，晶片采用去離子水清洗并在氮?dú)庀赂稍?。結(jié)果示于表V中。表V中的所有結(jié)果表明代表性組合物3和4去除了蝕刻和灰化殘余物而基本上沒(méi)有侵蝕底層。
表I

d-PGME 一縮二丙二醇甲醚t-PGME 二縮三丙二醇甲醚PG 丙二醇BZT苯并三唑TMAF 氟化四甲銨TMAH 氫氧化四甲銨AF 氟化銨GE 乙二醇醚表II以埃每分鐘(/min)表示的在典型金屬上的蝕刻速率

表III以埃每分鐘(/min)表示的在典型氧化物上的蝕刻速率

(1)氟硅酸鹽玻璃(FSG)(2)磷摻雜未硬化的TEOS(原硅酸四乙酯)(3)未摻雜的硬化的TEOS(4)熱氧化物表IV以埃每分鐘(/min)表示的典型低k電介質(zhì)的蝕刻速率

DEMS低k電介質(zhì)是Air Products and Chemicals Inc.的注冊(cè)商標(biāo)；BLACK DIAMOND低k電介質(zhì)是Applied Materials Inc.的注冊(cè)商標(biāo)；CORAL低k電介質(zhì)是Green，Tweed的注冊(cè)商標(biāo)；ORION低k電介質(zhì)是Trikon Technologies的注冊(cè)商標(biāo)；Silk半導(dǎo)體電介質(zhì)樹(shù)脂是Dow Chemical Company的注冊(cè)商標(biāo)；
表V

權(quán)利要求
1.一種限定圖案的方法，其中包括將光致抗蝕劑涂覆到基底上，將圖案平板印刷到光致抗蝕劑上；將圖案轉(zhuǎn)印到基底上；通過(guò)使基底與組合物接觸以從基底上去除光致抗蝕劑或蝕刻殘余物或以上兩者，所述組合物包括50wt％或更多的含有二醇醚的至少一種水溶性有機(jī)溶劑；小于50wt％的水；最多為20wt％的含氟化合物，條件是如果含氟化合物為氟化銨則沒(méi)有其它的含氟化合物添加到該組合物中；以及最多為20wt％的腐蝕抑制劑，其選自如下成分組成的組二乙基羥胺，二乙基羥胺乳酸鹽和二乙基羥胺檸檬酸鹽；和任選的季銨化合物。
2.權(quán)利要求1的方法，其中光致抗蝕劑是正性光致抗蝕劑。
3.權(quán)利要求1的方法，其中光致抗蝕劑是負(fù)性光致抗蝕劑。
4.一種限定圖案的方法，其中包括將光致抗蝕劑涂覆到基底上，將圖案平板印刷到光致抗蝕劑上；將圖案轉(zhuǎn)印到基底上；通過(guò)使基底與組合物接觸以從基底上去除光致抗蝕劑或蝕刻殘余物或以上兩者，所述組合物包括50wt％或更多的水；小于50wt％的含有二醇醚的至少一種水溶性有機(jī)溶劑；最多為20wt％的含氟化合物，條件是如果含氟化合物為氟化銨則沒(méi)有其它的含氟化合物添加到該組合物中；以及最多為20wt％的腐蝕抑制劑；其選自如下成分組成的組二乙基羥胺，二乙基羥胺乳酸鹽和二乙基羥胺檸檬酸鹽；和任選的季銨化合物。
5.權(quán)利要求4的方法，其中光致抗蝕劑是正性光致抗蝕劑。
6.權(quán)利要求4的方法，其中光致抗蝕劑是負(fù)性光致抗蝕劑。
全文摘要
本發(fā)明涉及限定圖案的方法，其中包括將光致抗蝕劑涂覆到基底上，將圖案平板印刷到光致抗蝕劑上；將圖案轉(zhuǎn)印到基底上；通過(guò)使基底與特定組合物接觸以從基底上去除光致抗蝕劑或蝕刻殘余物或以上兩者。
文檔編號(hào)G03F7/039GK1963678SQ20061016048
公開(kāi)日2007年5月16日 申請(qǐng)日期2005年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月1日
發(fā)明者M·I·埃格貝, M·勒根扎, T·維伊德, J·M·里克 申請(qǐng)人:氣體產(chǎn)品與化學(xué)公司