專利名稱：：使用偏振光的微光刻曝光裝置及具有凹面主鏡和凹面輔鏡的微光刻投射系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種在波長^100nm處操作的沖殳射曝光裝置或i殳備尤其涉及一種用于利用S20nm的波長進行EUV光刻的投射曝光裝置以及一種用于將物體平面中的物體在l象平面中沖殳射成圖像的孩吏光刻投射系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：作為用于<130nm(尤其優(yōu)選地<100nm)投射結(jié)構(gòu)的可能技術(shù)，已經(jīng)討論了利用^100nm波長的光刻技術(shù)，尤其是利用1nm到20nm范圍內(nèi)的波長的EUV光刻才支術(shù)。光刻系統(tǒng)的分辨率以下面的等式描述<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>k,表示光刻工藝的具體參HX表示入射光的波長，而NA表示系統(tǒng)的圖4象側(cè)凄t值孔徑。為了獲得盡可能高的分辨率，必須使系統(tǒng)具有盡可能大的圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA。作為利用小于100nm(尤其是小于20nm)短波長的微光刻技術(shù)的4殳射系統(tǒng)，已經(jīng)討i侖了具有四個4竟、六個4竟、甚至八個4竟和更多鏡的微光刻投射系統(tǒng)。例如從US2003/0147130、US2003/0147149、US6,213,610或US6,302,548中，用于孩i光刻技術(shù)的4鏡投射系統(tǒng)已經(jīng)成為公知的。在US6,353,470、US6,255,661、以及US2003/0147131中公開了用于微光刻技術(shù)的6鏡投射系統(tǒng)。從US6,710,917、US6,556,648、和US6,781,671、以及US2004/0189968中，8鏡投射系統(tǒng)已經(jīng)成為公知的，該8鏡投射系統(tǒng)由于多種光學表面，所以相對于上述4鏡投射系統(tǒng)和6鏡投射系統(tǒng)具有更多4交正可能性，因此為了光刻目的，可以在4交大^t值孔徑上以足夠的4青度一交正波陣面。根據(jù)US2004/0189968的8鏡投射系統(tǒng)具有的不足在于，待從物體平面成j象到<象平面中的場的中心場點(centralfieldpoint)的主射線角度在物體平面中〉10。。如果使用物體平面中的反射EUV掩模，則由于應(yīng)用于掩模進而應(yīng)用于該場上的增大的CD變化的吸收結(jié)構(gòu)，較大的主射線角度造成陰影增大，即，不同方位的線性結(jié)構(gòu)(例如，水平和豎直結(jié)構(gòu))以不同的質(zhì)量成l象，或具有不同的分辨率限制。根據(jù)US2004/0189968，8鏡投射系統(tǒng)中EUV掩模上的這種高主射線角度的原因在于在從物體平面到像平面的光路中的第一鏡的凸面以及在光3各中的才臾射系統(tǒng)的第二4竟的凹面。在從US6,556,648和US6,781,671已知的8鏡投射系統(tǒng)或所謂的8鏡投射物鏡中，光路中的第一鏡是凹面鏡，而光路中的第二鏡是凸面鏡。這種類型的實施例造成光路中的第二鏡上的高入射角度，進而造成像差(即圖像誤差)增大。而且，鏡的反射率降低。根據(jù)US6,781,671和US2004/0189968，84竟才殳射系統(tǒng)的另一不足在于第一鏡的半徑的絕對值相對較大。具有這種類型半徑的4竟只能以高難度制造和測量。例如，需要具有很長空腔的半徑測量裝置來測量這種類型的鏡。測量過程期間的大氣干擾(壓力和溫度變化)可能石皮壞干涉測量(interferometric)表面測試的測量結(jié)果。通常，大氣干擾對較短空腔的影響要小于對較長空腔的影響。
發(fā)明內(nèi)容在具有很大圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA的所有微光刻投射系統(tǒng)中存在的問題是在從物體平面到像平面的光路中的鏡的一些鏡表面上出現(xiàn)下述情況，即，在光路中穿過微光刻投射物鏡從物體平面到達像平面的光束叢(beambundle)中的光束的入射角度非常高。對于圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA>0.3的物4竟，這些入射角度在某些鏡上大于20°。對于如此高的入射角度，用于將物體側(cè)結(jié)構(gòu)投射到圖像側(cè)結(jié)構(gòu)上的光的偏振特性受到影響，原因是對于不同的偏4展狀態(tài)(即s偏振和p偏振)，反射率及反射所造成的相移(phaseshift)兩者都不同。為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，才艮據(jù)本發(fā)明的第一方面，使用波長$100nm(尤其是在使用波長￡20nm的EUV光刻范圍內(nèi))的微光刻投射曝光裝置包括照明系統(tǒng)，該照明系統(tǒng)使用所限定的偏振狀態(tài)的光來照亮物體平面中的場。物體平面中所反射的偏振光到達投射系統(tǒng)，并將物體平面中所照亮的場以及位于物體平面中的物體(例如標線(reticle)或掩模)投射到像平面中。偏振光在光路中穿過投射系統(tǒng)從物體平面到達像平面。該投射系統(tǒng)優(yōu)選地具有圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA^0.3;優(yōu)選地20.35;更優(yōu)選;也20.4;最^尤選地^0.45;更優(yōu)選;也^0.5。優(yōu)選地，以佳j殳射系統(tǒng)的透射性最大化的方式選4奪偏振狀態(tài)。在本發(fā)明的替換實施例中，以將基本上為s偏振的光提供到才殳射系統(tǒng)的具有最大入射角度的主射線(CR)的鏡上的方式來選擇所限定的偏振狀態(tài)，所述主射線起源于物體平面中的場的中心場點并入射到所述鏡上。在本申請中，相對于鏡基本上為s偏振意味著入射到鏡的鏡面上的至少90。/。的光是s偏振的。入射到鏡面上的其余光可以是p偏振或非偏振的。在優(yōu)選實施例中，入射到4竟面上的大約95%或更多的光為s偏振，并且在最優(yōu)選實施例中，入射到4竟面上的大約98%或更多的光為s偏振。在本發(fā)明的替換實施例中，以將基本上為s偏振的光提供到像平面中的方式來選纟奪所限定的偏纟展狀態(tài)。在本申請中，相對于像平面基本上為s偏振意味著入射到像平面上的至少90。/。的光是s偏振的。入射到像平面上的其余光可以是p{扁才展或非<扁沖展的。在優(yōu)選實施例中，入射到i象平面上的大約95%或更多的光為s偏振，并且在最優(yōu)選實施例中，入射到像平面上的大約98%或更多的光為s<扁才展。為了提高具有較大圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA(尤其是圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA^0.3;優(yōu)選地〉0.35;尤其優(yōu)選地^0.4;尤其優(yōu)選地^0.45;尤其優(yōu)選地^0.5)和/或具有從物體平面到像平面穿過投射系統(tǒng)的光束叢的光束以較高入射角度入射的鏡的投射系統(tǒng)中的投射特性，所限定的偏振狀態(tài)被選擇成例如使得將基本上為s偏振的光提供到像平面中。通過在具有感光基板(諸如晶片)的像平面中提供基本上為s偏振的光，即使以較大角度入射，仍可確保高質(zhì)量投射。s偏振光一皮理解為在特定平面中(例如，<象平面中)-故切向偏振的光。在本發(fā)明的第一實施例中，照明系統(tǒng)具有特定偏4展狀態(tài)的光源，諸如同步光源。s偏振光作為優(yōu)選的偏振而被使用。在替換實施例中，光源的光發(fā)射非偏4展光也是可行的。在這種類型光源的情況下，照明系統(tǒng)中安裝有偏4展光學元件，,人而具有所限定的偏振狀態(tài)的光照亮物體平面中的物體，并通過反射到達投射系統(tǒng)?？梢栽谄耪蛊鞯膸椭耰殳定所限定的偏l展狀態(tài)。例如，在偏才展器的幫助下，可以以入射平面中的光基本上一皮s偏振到鏡上的方式來設(shè)定偏振狀態(tài)，其中該鏡在整個投射系統(tǒng)中具有最大的主射線入射角度。由于在鏡面發(fā)生每次反射時偏振被旋轉(zhuǎn)，所以在不同鏡面上可以存在不同的偏振狀態(tài)。在本申請中，基本上為s偏振意味著入射到鏡面上的至少90%的光為s偏振。入射到鏡面上的其余光可以為p^扁4展或非偏才展。在優(yōu)選實施例中，入射到4竟面上的大約95%或更多的光為s偏振，并且在最優(yōu)選實施例中，入射到鏡面上的大約98%或更多的光為s偏振o關(guān)于提供所限定的偏振狀態(tài)的光，可參照US2004/0184019，其公開內(nèi)容全部結(jié)合于本申請中。在另一優(yōu)選的示例性實施例中，物體平面中的偏振狀態(tài)可以被選擇成使得物鏡或4殳射系統(tǒng)的透射性最大化。這可以在算法的幫助下進行，例如，該算法可改變物體平面中的偏振狀態(tài)，直到才殳射系統(tǒng)的透射性最大化，即，在投射系統(tǒng)的像平面中存在最大的光強度。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種微光刻投射系統(tǒng)，該微光該第二方面通過具有至少優(yōu)選8個4竟的孩i光刻沖更射系統(tǒng)而實現(xiàn)，在微光刻系統(tǒng)中，在從物體平面到像平面的光路中的第一4竟以及在該光路中的第二鏡具有以下表面之一-第一《竟具有凹面，而第二4竟具有平面，或者-第一4竟具有平面，而第二4竟具有凹面，或者-第一鏡和第二鏡兩者都具有凹面。而且，微光刻投射物鏡的所有非平面4竟的鏡半徑的絕對值均小于5000mm。通過將從物體平面到像平面的光路中的第一鏡被實施為凹面4竟，即^f吏在物體側(cè)孔徑NAO=0.125處，物體平面的物體處也可出現(xiàn)很小的主射線角度，該角度優(yōu)選地小于7.5°。在主射線角度小于7.5。的情況下，可以照亮物體平面中的物體而不會有陰影，而且還可以最小化反射物體(尤其是反射式EUV掩模)的陰影效果。由于第二4竟表面為凹面4竟，所以實現(xiàn)了尤其是在第二上的專交小的入射角度。通過第二鏡上的較小的入射角度，使得最有可能由涂層造成的相位和幅值誤差最小化。通過使微光刻投射系統(tǒng)的所有鏡的鏡半徑的絕對值小于5000mm,顯著地簡化了鏡的制造，尤其是對于半徑測量而言。如果在投射系統(tǒng)的從物體平面到像平面的光路中的最先的兩個鏡上的光能均勻地分布，則是特別有利的。光能在這兩個鏡上的分布的測量由鏡半徑之比！給出。當滿足條件-6<!<-丄時，如在本申請中所限定的一樣，優(yōu)選6地將在從物體平面到像平面的光路中的第一鏡與從物體平面到像平面的光路中的第二鏡之間的光能設(shè)置為均勻分布。光路中的第二鏡優(yōu)選地具有比第一鏡更大的半徑。這具有以下的優(yōu)點，即當為了避免暈影(vignetting)效應(yīng)而減少或縮小(st叩down)數(shù)值孔徑時，在本示例性實施例中優(yōu)選地位于第二鏡上或第二鏡附近的孔徑光闌不必非得移動到鏡中。如果微光刻投射物鏡的各個鏡的每個占用區(qū)域(usedarea)均具有占用空間(體積要求，volumeclaim)，則這是特別優(yōu)選的，該占用空間也稱為后部安裝空間，在占用區(qū)域內(nèi)從鏡前方測量，該占用空間具有足夠大的深度，使得鏡具有足夠的厚度進而具有穩(wěn)定性。而且，該占用空間使得容易從物鏡外部接近這些鏡，并且可以容易地將這些鏡安裝在安裝臺上。在本申請中，將鏡的占用區(qū)域理解為鏡表面的區(qū)域，從物體側(cè)到像側(cè)穿過物鏡的光束叢的光束入射到該鏡表面的區(qū)域上。平行于光軸并在該占用區(qū)域內(nèi)從鏡前方測量的占用空間(其還^皮表示為后部安裝空間)的深度優(yōu)選地大于特定纟竟的直徑值的1/3?？商鎿Q地，在優(yōu)選實施例中，該占用空間的深度至少為50mm。在本發(fā)明的另一實施例中，提供了具有至少8個鏡的微光刻投射系統(tǒng)，其中，該投射系統(tǒng)具有不會暈影的清楚的出射光瞳，并且每個鏡均包括占用空間。每個鏡的占用空間不會相互穿過(penetrate),并且所有占用空間可以沿與才殳射光學系統(tǒng)的》于稱軸平行的至少一個方向擴展，而不會與投射光學系統(tǒng)中的光路或投射系統(tǒng)的任何其它鏡的占用空間相交叉。投射光學系統(tǒng)的對稱軸例如是本申請的圖2中示出的物體平面中被照亮的物體場的對稱軸。優(yōu)選地，物體平面中被照亮的物體場的對稱軸平行于場的y方向或掃描方向。如果該對稱軸是如上所述的物體場的對稱軸，則根據(jù)本發(fā)明占用空間可以沿與y方向平行的方向延伸。包括至少8個具有這種占用空間布置的鏡的投射光學系統(tǒng)的優(yōu)點在于，至少從一側(cè)很容易接近這些鏡。通過這種測量，可以很容易安裝每個鏡的占用區(qū)域。而且，例如在污染的情況下，可以很容易更換每個鏡。此外，例如，如果這些鏡必須由冷卻線來冷卻，可以很容易將襯里安裝于每個鏡。由于在具有至少8個鏡的投射光學系統(tǒng)中，通過投射系統(tǒng)的光傳*播的光^各必須不僅在從物體平面朝向<象平面的方向上傳#番，而且前后傳#番，以使j是供具有合理4九跡長度的系統(tǒng)，所以難以且不值得找到這樣的設(shè)計方案，即在該設(shè)計方案中，光路不與鏡的占用空間互相交叉，盡管例如乂人US6，867，913中可以得知6#:系統(tǒng)的i殳計方案。而且，在包括至少8個鏡的投射光學系統(tǒng)中，與從US6,867,913中已知的6鏡系統(tǒng)相比，必須在兩個附加鏡之間提供另外兩個光路。必須將兩個附加4竟在4殳射物4竟內(nèi)的位置選4奪成僅_得所述另外兩個光路不會暈影，并且這些光路不會與任何占用空間互相交叉。即使可以從6鏡系統(tǒng)得知設(shè)計方案，但是當為具有至少8個鏡的投射系統(tǒng)尋找設(shè)計方案時，這也是必須克月良的另一個問題。根據(jù)本發(fā)明的微光刻投射系統(tǒng)優(yōu)選地是具有至少8個鏡的微光刻投射系統(tǒng)。優(yōu)選地，這些投射系統(tǒng)具有的圖像側(cè)孔徑NA>0.3，優(yōu)選地NA>0.35,優(yōu)選地NA>0.4。場寬度(即掃描狹縫長度)優(yōu)選i也大于1mm,^尤選;l也大于1.5mm和2mm，并且尤其優(yōu)選i也在圖Y象側(cè)處大于2mm。下面將根據(jù)不限于此的示例性實施例和附圖對本發(fā)明進行一般性地描述。圖i示出了鏡的占用區(qū)域或所謂的有用區(qū)域的定義；圖2示出了才殳射系統(tǒng)的物體平面中的場的形狀；圖3a和圖3b示出為；圖4a.1、圖4a.2和圖4b示出了根據(jù)本發(fā)明的投射系統(tǒng)的第一實施例，該投射系統(tǒng)具有8個占用區(qū)域、圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA^0,4、以及圖〗象側(cè)環(huán)狀場尺寸為2x26mm2。圖5a和圖5b示出了微光刻投射系統(tǒng)的第二實施例，該微光刻投射系統(tǒng)具有的圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA=0.5且圖像側(cè)環(huán)狀場尺寸為1x26mm。圖6a和圖6b示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選用于EUV微光刻的微光刻投射系統(tǒng)的第三實施例，該微光刻投射系統(tǒng)具有的圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA=0.5且圖l象側(cè)環(huán)狀場尺寸為2x26mm2。圖7示出了包括照明系統(tǒng)和微光刻投射系統(tǒng)的投射曝光裝置。該才殳射曝光裝置優(yōu)選地包括發(fā)出偏振光的光源。圖8示出了尤其是才艮據(jù)本發(fā)明的包括照明系統(tǒng)和樣i光刻系統(tǒng)的投射曝光裝置，該投射曝光裝置具有發(fā)出非偏振光的光源及用于設(shè)定偏振狀態(tài)的元件。具體實施例方式圖1示出了在本申請中需要理解的占用區(qū)域和占用區(qū)域的直徑。圖1示出了具有腎形的場，作為在投射物鏡的鏡的鏡表面上的照明區(qū)域1的實例。當根據(jù)本發(fā)明的投射系統(tǒng)用于微光刻投射曝光裝置中時，對于一些占用區(qū)域來說期望這種類型的形狀。包絡(luò)圓2完全包圍該腎形，并在兩點6、8處與腎形的邊緣10重合。包絡(luò)圓總是為包圍占用區(qū)域的最小的圓。于是從包絡(luò)圓2的直徑可得到占用區(qū)域的直徑D。4竟上的照明區(qū)域可以具有除腎形之外的其它形狀，例如圓形，例如在第二鏡上也是可行的。圖2例如示出了EUV投射曝光裝置的在投射物鏡的物體平面中的物體場11，該物體場在4艮據(jù)本發(fā)明的投射系統(tǒng)的幫助下在像平面中成像，感光物體(諸如晶片)位于該像平面中。像場的形狀對應(yīng)于物體場的形狀。對于在微光刻技術(shù)中經(jīng)常使用的孩么縮投射系統(tǒng)，像場與物體場相比被縮小預(yù)定的系數(shù)，例如對于4:1的投射系統(tǒng)，縮小的系數(shù)為4，或者對于5:1的投射系統(tǒng)，縮小的系數(shù)為5。對于EUV光刻系統(tǒng)，物體場11具有一^:環(huán)形場的形狀。該,殳環(huán)形場11具有對稱軸12。在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，可以沿與物體場的乂于稱軸12平4亍的方向^:大每個4竟的占用空間，例3口圖4a.2中所示。而且，圖2中示出了在i爭越物體平面和1象平面的中心場點15中x、y、z坐才示系的x4由,口y4由。人人圖2中可見，環(huán)形場11的，于一爾軸12沿平4于于y軸的方向延伸。同時，y軸與布置成環(huán)形場掃描器的EUV才更射曝光裝置的掃描方向重合。于是y方向與環(huán)形場掃描器的掃描方向重合。X方向是在物體平面內(nèi)與掃描方向垂直的方向。在圖2中，F(xiàn)表示場的寬度，也稱為掃描狹縫寬度，S表示弧長，而R表示場半徑。在形狀上與物體場對應(yīng)的像場在像平面中具有優(yōu)選^1mm(更優(yōu)選^2mm)的場寬度F?；￠LS在像平面中優(yōu)選^10mm,更優(yōu)選^26mm。在圖3a和圖3b中，示出了Mo-Si多層系統(tǒng)的反射率。對于不同的入射角度，這種多層系統(tǒng)用作本投射物鏡的鏡上的反射涂層。參考標號100表示非偏振光的反射率，參考標號110表示s偏振光的反射率，而參考標號120表示p偏振光的反射率?？梢姡缭谀壳坝糜贓UV光刻技術(shù)中的所使用的13.5nm波長處的反射率在反射表面上的10。入射角度處1X稍稍不同。圖3b示出了類似于圖3a的層結(jié)構(gòu)的反射率，但具有最適宜的30。入射角度。非偏振光的反射率以200表示。s偏振光的反射率以210表示，而p偏振光的反射率以220表示。乂人圖3b可見，p偏振光的反射率在所使用的13.5nm波長處僅大約為0.45，而s偏振光的反射率僅略降低，并且即使在入射到反射表面上的光的入射角度為30。時也大約為70%(對應(yīng)于0.7)。由此可見，如果主要〗吏用偏振光(尤其主要4吏用s偏振光)來將處于物體平面中的標線通過投射系統(tǒng)投射到像平面中，則是有利的。例如，照明系統(tǒng)々是供的是具有13.5nm已用或4喿作波長的光。原則上在該照明系統(tǒng)中可以以兩種方式產(chǎn)生主要的s偏4展光。在本發(fā)明的第一實施例中，照明系統(tǒng)包括已經(jīng)發(fā)射s偏振光的光源，諸如同步輻射源。在可替換實施例中，照明系統(tǒng)包括發(fā)射非偏振光的光源。光在該照明系統(tǒng)內(nèi)4昔助于偏凈展器而#皮偏4展，/人而物體平面中的標線例如基本上纟皮s偏振光照亮。在孑妄下來的圖4a.l、4a.2、4b、5a、5b、6a、6b中，示出了才艮據(jù)本發(fā)明的微光刻投射系統(tǒng)的三個示例性實施例。這些實施例包括8個鏡且具有清楚的出射光瞳。在圖4a.1、4a.2、4b、5a、5b、6a、6b所示的實施例中，在從物體平面到像平面的光路中的第一鏡和第二鏡是凹面鏡，并且所有鏡的半徑的絕對值均小于5000mm。圖4a.1至圖6b所示的三個示例性實施例的凄t據(jù)總結(jié)在下面的表l中<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>示例性實施例1表示圖4a.l、4a.2和圖4b中所示的8^:物鎮(zhèn):的實施例，示例性實施例2表示圖5a和圖5b中所示的實施例，而示例性實施例3表示圖6a和圖6b中所示的實施例。表1中列出了像平面中的波長和數(shù)值孔徑、像平面中的場尺寸、像平面中的最大場半徑、波陣面誤差、失真、以及物體(即，中心場點處的標線)處的主射線角度。如圖4a.l、4a.2所示，第一示例性實施例包括物體平面300。物體平面300中的物體在根據(jù)本發(fā)明的投射系統(tǒng)的幫助下成像到像平面400中。從物體出發(fā)，光束經(jīng)過微光刻投射系統(tǒng)從物體平面300到像平面400。物體處的主射線角度用y表示。光^各中的第一鏡以Sl表示，光路中的第二鏡以S2表示，光路中的第三鏡以S3表示，光路中的第四鏡以S4表示，光路中的第五鏡以S5表示，光路中的第六鏡以S6表示，光路中的第七鏡以S7表示，并且光路中的第八4竟以S8表示。在所示的實施例中，中間<象(intermediateimage)Z設(shè)置在第六鏡(S6)與第七鏡(S7)之間的光路中。圖4a.1是由x、y、z坐才示系的y方向禾口z方向S爭越的子午截面(meridionalsection),4又示出了8個4竟S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7和S8的占用區(qū)域、光路10000、光軸HA以及像平面400。圖4a.2也是與圖4a.1相同的子午截面，但還示出了與每個鏡或占用區(qū)i或片目關(guān)的占用空間Bl、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8。從圖4a.1可見，光^各中的第一鏡Sl是凹面鏡，并且光^各中的第二鏡S2也是凹面鏡。光闌(stop)B位于第二鏡S2上或附近。圖像側(cè)數(shù)值孔徑為0.4。圖4a.1中未示出特定鏡的整個鏡面，而是僅示出了其占用區(qū)域，從物體平面經(jīng)過物鏡或沖殳射系統(tǒng)到像平面的光入射在所述占用區(qū)域上。圖4a.1中示出了位于物體平面300中的《寺#皮照明的場的中心場點中的x、y、z坐才示系的y方向和z方向。圖4a.l示出了由y方向和z方向限定的子午平面中的沖殳射系統(tǒng)。該子午平面包括光軸HA。從圖4a.l可清楚地看出，鏡S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8的各個鏡片段或占用區(qū)域在平行于y軸進而投射系統(tǒng)的對稱軸的方向上均可從頂部或底部自由接近。因此，不必為了安裝鏡片段，而與從物體平面300經(jīng)過物鏡到像平面400的光束路徑接合。投射物鏡的光軸由HA表示，各個鏡面圍繞該光軸旋轉(zhuǎn)對稱。而且，各個鏡片段具有足夠的占用空間或后部安裝空間。這在圖4a.2中示出。圖4a.2示出了8個鏡、光路、光軸HA以及像平面。圖4a.2與圖4a.1—樣也是子午截面，但還示出了與每個鏡或占用區(qū)i或相關(guān)的占用空間，占用空間用于特定4竟Sl、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8的且以B1、B2、B3、B4、B5、B6、B7禾口B8才示i口、。根據(jù)本發(fā)明，占用空間的深度T表示占用空間從鏡的占用區(qū)域的中心點沿光軸HA的延伸程度。占用區(qū)域的中心點是與圖2所示的物體平面中的物體場的中心場點相關(guān)的主射線CR入射到特定鏡的占用區(qū)域上的入射點AUF。這在圖4a.2中對于鏡S8、S4和Sl進行了具體示出。而且，乂人本示例性實施例可見，不同《竟的占用空間或安裝空間彼此不穿過。在圖4a.1和圖4a.2所示的實施例中，最大入射角度出現(xiàn)在第三鏡S3和第六鏡S6上。為了確保足夠的投射質(zhì)量，有利地將物體平面300中的物體通過圖4a.1和圖4a.2所示的微光刻投射系統(tǒng)在偏振光(優(yōu)選s偏振光)的幫助下投射為像平面400中的圖像。圖4b示出了用于圖4a.1和圖4a.2所示的示例性實施例1的主射線在場上(沿掃描方向)的失真。由此可見，主射線失真作為場高度的函數(shù)在士0.2nm的范圍內(nèi)。失真曲線具有次數(shù)〉3的多項式的形狀，因此在場上得以^艮好地才交正。鏡半徑:圖像:表2:表2中列出了圖4a.l和圖4a.2(示例性實施例1)所示的《鼓光刻投射系統(tǒng)的編碼V格式(CodeV-format)的光學數(shù)據(jù)。使用了下面的才示iK:物體平面鏡S1光闌52535455565758特定#:面的曲率半徑像平面物體:鏡1:光闌:2:3:4:6:7:8:<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>可以從表2的下部中選取用于特定鏡的圓錐常數(shù)K和非球面系數(shù)A、B、C、D、E、F、G。乂人表2可見，所有4竟的曲率半徑者卩小于1800mm。圖5a和圖5b示出了4艮據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施例。圖5a示出了根據(jù)本發(fā)明的8鏡投射系統(tǒng)另一實施例的各個占用區(qū)域的布置。圖5a是在物體平面中由x、y、z坐才示系的y方向和z方向限定的子午平面的截面。與圖4a.1和圖4a.2中相同的部件被提供以相同的參考標號。圖5a中所示的系統(tǒng)具有為0.5的較高的圖像側(cè)數(shù)值孔徑。在1mm的場高度處，主射線在場上的失真如圖5b所示。如同圖4^1和圖4a,2所示的系統(tǒng)中，在圖5a所示的系統(tǒng)中，8個鏡的每個占用區(qū)域在平行于對稱軸的方向(即，平行于y方向的方向)上至少從頂部或底部可自由接近。圖5a所示系統(tǒng)的編碼V格式的光學數(shù)據(jù)可以從表3中選取。使用了下面的標識物體物體平面鏡l:鏡S1光闌光闌鏡2:鏡S2鏡3:鏡S3鏡4:鏡S4鏡5:鏡S5鏡6:鏡S6鏡7:鏡S7鏡8:鏡S8半徑特定4竟面的曲率半徑圖像像平面表3:表面半徑厚度模式物體無窮大826.995鏡1-3335.738-626.995REFL光闌無窮大0.000鏡21559.277740.156REFL鏡3464.241-350.186REFL鏡41163.457872.948REFL鏡5-918.918-315.086REFL鏡6-618.093370.360REFL鏡7541.748-270.360REFL鏡8358.933310.360REFL圖像無窮大0細27<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>由于圖5a和圖5b所示的示例性實施例中的圖像側(cè)孔徑大于圖4a.l、4a.2和圖4b所示的示例性實施例中的圖像側(cè)孔徑，所以獲得了更高的分辨率。從表3的下部，可以選取圓錐常數(shù)K和非球面系數(shù)A、B、C、D、E、F、G。圖6a和圖6b示出了本發(fā)明的示例性實施例3。圖6a示出了才殳射系統(tǒng)在包4舌于物體平面中所限定的x、y、z坐標系的y方向和z方向的子午平面中的截面。圖6b示出了主射線在場上沿掃描方向的失真。本示例性實施例基本^f應(yīng)于示例性實施例2，^旦相比于示例性實施例2，示例性實施例3中的掃描狹縫寬度增大了1mm，總計2mm。通過更長的掃描狹縫可以改進劑量控制，即，通過較大的掃描狹縫減少了像平面中的由于光源的脈沖操作而造成的不可避免的劑量波動。圖6a和圖6b中與圖4a.l、4a.2、4b、5a和圖5b中相同的部件被提供以相同的參考標號。下面的表4給出了用于圖6a和圖6b所示系統(tǒng)的編碼V格式的光學數(shù)據(jù)。使用了下面的標識物體物體平面鏡L鏡S1光闌光闌鏡2:鏡S2鏡3:鏡S3鏡4:鏡S4鏡5:鏡S5鏡6:鏡S6鏡7:鏡S7鏡8:鏡S8半徑特定4竟面的曲率半徑圖<象{象平面表4:表面半徑厚度模式物體無窮大831.751鏡1-3325.247-631.751REFL光闌無窮大0.000鏡21559.577741.751REFL鏡3464.776-350.165REFL鏡41163.439880.304REFL鏡5-919.894-314,717REFL鏡6-622.166370.326REFL鏡7537.195-270.326REFL鏡8359.029310.327REFL圖像無窮大0.000<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>表4的下部描述了圓錐常數(shù)K和非球面系數(shù)A、B、C、D、E、F和G。圖7示出了用于具有根據(jù)本發(fā)明的投射物鏡1200的微光刻技術(shù)的才殳射曝光裝置，該沖殳射物4竟具有如圖4a.1和圖4a.2所示的8個占用區(qū)i或或《竟。在圖7所示的實施例中，投射曝光裝置1000包括偏振輻射源1204.1，該偏振輻射源作為光源發(fā)射偏4展光。偏振輻射源1204.1的光在照明系統(tǒng)1202的幫助下被引導(dǎo)到才殳射曝光裝置的投射系統(tǒng)的物鏡平面中，并使用偏振光照亮投射系統(tǒng)的物體平面1203中的場。物體平面1203中的場具有如圖2所示的形狀。照、曰月系纟克1202可^乂^口同侈i^口題為"illuminationsystem,inparticularforEUVlithography(尤其是用于EUV光刻:技術(shù)的照明系統(tǒng))"的WO2005/015314中所描述地那樣實施。才艮據(jù)本發(fā)明，該照明系統(tǒng)優(yōu)選地-使用偏凈展光照亮才更射物鏡或招:射系統(tǒng)的物體平面中的場。收集器1206是切向入射式(grazing-incidence)的收集器，如同從WO02/065482A2所得知的。在光路中的收集器1206之后，定位有柵格濾語器1207,其與位于光源1204.1的中間1象ZL附近的光闌1209—起用于這樣的目的，即，將波長不等于所使用的13.5nm波長的不期望的輻射過濾出去，并例如防止該不期望的輻射進入光闌后面的照明系統(tǒng)中。例如具有122個第一光4冊元件的第一光學光4冊元件1210位于光闌后面。第一光4冊元件在平面1230中提供二次光源。具有第二光片冊元件的第二光學元件1212與光3各中的在第二光4冊元件之后的光學元件1232、1233、和1234—起將場成像到與投射物鏡1200的物體平面1203重合的場平面中。具有第二光4冊元件的第二光學元件位于i殳置有二次光源的平面1230附近或^f立于該平面中。例如，結(jié)構(gòu)掩才莫1205(標線)位于投射系統(tǒng)的物體平面1203中，該結(jié)構(gòu)掩才莫在投射系統(tǒng)1200的幫助下使用偏振光而一皮成4象到投射系統(tǒng)1200的像平面1214中。具有感光層的基板1242位于^象平面1214中。該具有感光層的基板可以依次通過曝光和顯影工藝構(gòu)造，形成微電子器件，例如具有多層電路的晶片。在場平面中示出了原點處于中心場點的x、y、z坐才示系的y方向和z方向。從圖7和圖8很顯然，對于波長<100nm(尤其是波長例如為用于EUV光刻的13.5nm)的光刻，不僅投射系統(tǒng)是反射光學系統(tǒng)，而且照明系統(tǒng)也是反射式光學系統(tǒng)。在反射式光學系統(tǒng)中，反射光學部件(諸如鏡)將例如來自物體平面的光引導(dǎo)到像平面。在反射式照明系統(tǒng)中，照明系統(tǒng)的光學部件是反光的。在這種系統(tǒng)中，光學元件1232、1233、1234為鏡，具有第一光柵元件的第一光學元件1210是具有作為第一光4冊元件的多個第一4竟面(mirrorfacet)的第一光學元件，并且具有第二光柵元件的第二光學元件1212是具有第二4竟面的第二光學元件。微光刻投射系統(tǒng)1200優(yōu)選地是根據(jù)本發(fā)明的投射系統(tǒng)，最優(yōu)選地是具有8個鏡的反射式投射系統(tǒng)，其中在從物體平面到像平面的光路中的第一鏡是凹面鏡，并且第二鏡是凹面鏡。而且，該孩t光刻投射系統(tǒng)優(yōu)選地具有清楚的出射光瞳。因此，圖7中所示的投射系統(tǒng)1200如同圖4a.1至圖4b—樣實施，即，其總共包括8個4竟第一4竟S1、第二《竟S2、第三4竟S3、第四4竟S4、第五鏡S5、第六鏡S6、第七鏡S7和第八鏡S8。在投射系統(tǒng)的從物體平面1203到像平面1214的光路中的第一鏡Sl和第二鏡S2被實施為凹面鏡。對于投射系統(tǒng)和精確的光學數(shù)據(jù)，參照圖4a.1至圖4b。在本發(fā)明的替換實施例中，光源1204.2發(fā)射波長例如在EUV范圍1-20nm內(nèi)的非偏振光。圖8中示出了具有這種類型光源的4殳射曝光裝置2000。照明系統(tǒng)2200包括收集器2206,該收集器在本例中作為法向入射式(normal-incident)收集器而實施。法向入射式收集器2206收集光源1204.2的非偏振光并將其引導(dǎo)到具有第一光柵元件的第一光學元件2210。第一光學元件的第一光一冊元件在平面2230中形成二次光。具有第二光4冊元件的第二光學元件2212位于該平面2230中或該平面附近。與在光^各中位于具有第二光4冊元件的第二光學元件2212之后的4竟2232、2233、2234—起，4殳射物4竟2200的物體平面2203中的場被成像。為了4吏偏振光到達4殳射系統(tǒng)2200，在才殳射系統(tǒng)中/人光源直到第一4竟Sl的光束通^各中i殳置一設(shè)定偏振狀態(tài)的元件。在照明系統(tǒng)中設(shè)定偏振狀態(tài)的該元件優(yōu)選地仍舊位于照明系統(tǒng)中。通過使用在照明系統(tǒng)2202中"i殳定偏4展狀態(tài)的元件，不^f義可以4吏用不產(chǎn)生偏4展光的光源(例如，；敫光等離子源或》文電源)，而且還可以通過這種元件使偏振狀態(tài)適于光刻需求。如圖7,照明系統(tǒng)是包括反射光學元件(諸如鏡)的反射照明系統(tǒng)。切向入射式4免2234在圖8所示的才殳射曝光裝置的示例性實施例中提供對偏振狀態(tài)的設(shè)定。因此，切向入射式鏡2234也稱為偏振器或偏振元件?？商鎿Q地，取代切向入射式鏡2234，線柵(未示出)可以用作i殳定偏才展狀態(tài)的元件。在線4冊作為i殳定偏振狀態(tài)的元件的情況下，s偏4展光沿其中定^立有掩才莫的標線2205的物體平面2203的方向而,皮反射到元件上，并且p偏4展光穿過該元件。^人標線2205反射的偏振光利用根據(jù)本發(fā)明的投射系統(tǒng)2200而被成像到投射系統(tǒng)的像平面2214中，該投射系統(tǒng)中定位有包括感光層的基板。投射物鏡是圖4a.1至圖4b中所示的投射物鏡。所有的光學數(shù)據(jù)可以從圖4a.1至圖4b的描述中選取。而且，參考標號與圖4a.l至圖4b中的標號相同。當然，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不背離本發(fā)明宗旨的前提下，可以根據(jù)圖4a.1至圖4b更換特定的投射物鏡，如圖7和圖8所示，即，使用用于光刻技術(shù)的沖殳射曝光裝置中的、波長在EUV范圍內(nèi)的偏振光。具體地，還可以使用才艮據(jù)本申請的圖5a和圖6a的才殳射系統(tǒng)。對于波長在EUV范圍內(nèi)的偏才展光的光刻l支術(shù)，其它4殳射系統(tǒng)也是可行的，諸如US6,710,917中所7>開的8鎮(zhèn):4殳射系統(tǒng)、US6，660，552中所公開的6鏡投射系統(tǒng)、US6,577,443中所公開的4鏡投射系統(tǒng)。上述美國專利的公開內(nèi)容整體結(jié)合在本申請中。本發(fā)明第一次4是出了其中各個鏡的半徑的絕對值小于5000mm的微光刻投射系統(tǒng)。而且，根據(jù)本發(fā)明的微光刻投射系統(tǒng)的區(qū)別在于，光學能量均勻分布在從物體平面到像平面的光路中的最先的兩個凹面4竟上。而且，本發(fā)明第一次才是出了波長在EUV范圍內(nèi)(即，具體地在1nm到20nm之間)的樣i光刻才殳射曝光裝置，與現(xiàn)有技術(shù)7>知的投射曝光裝置相比，該微光刻投射曝光裝置的區(qū)別在于，在較大孔徑的投射物鏡處具有非常小的圖像誤差。由于這樣的事實，即所限定的偏4展狀態(tài)的偏4展光第一次由EUV波長范圍內(nèi)的照明系統(tǒng)沖是供，所以這是格外重要的。另外，提出了使用投射曝光裝置制造微電子器件的方法。在該方法中，結(jié)構(gòu)掩模(標線)位于投射曝光裝置的物體平面中，并在投射系統(tǒng)的幫助下成像到位于投射系統(tǒng)的像平面中的感光層上。曝光后的感光層被顯影，形成微電子器件的一部分或微電子器件本的。權(quán)利要求1.一種微光刻投射曝光裝置，使用的波長≤100nm，尤其是用于EUV光刻的波長＜50nm，優(yōu)選地波長＜20nm，所述微光刻投射曝光裝置包括照明系統(tǒng)，所述照明系統(tǒng)使用限定的偏振狀態(tài)的光來照亮物體平面中的場；以及投射系統(tǒng)，至少具有第一鏡(S1)、第二鏡(S2)、第三鏡(S3)、和第四鏡，其中，所述投射系統(tǒng)將所述物體平面中的場投射成像平面中的圖像，并且其中，所述偏振光從所述物體平面穿過所述系統(tǒng)到達所述像平面，并且所述投射系統(tǒng)具有的圖像側(cè)數(shù)值孔徑NA至少為0.3，優(yōu)選地至少為0.35，更優(yōu)選地至少為0.4，更優(yōu)選地至少為0.45，最優(yōu)選地至少為0.5。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投射曝光裝置，其中，以使得所述投射系統(tǒng)的透射性最大的方式來選才,所述限定的偏振狀態(tài)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投射曝光裝置，其中，以將基本上為s偏振的光提供到所述投射系統(tǒng)的具有最大入射角度的主射線(CR)的4竟上的方式來選一奪所述限定的偏^M犬態(tài)，所述主射線起源于所述物體平面中的場的中心場點并入射到所述4免上。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的投射曝光裝置，其中，以將基本上為s偏振的光才是供到像平面中的方式來選4奪所述限定的偏振狀態(tài)。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的投射曝光裝置，其中，所述照明系統(tǒng)具有發(fā)射偏振光的光源。6.根據(jù)斥又利要求1至4中任一項所述的投射曝光裝置，其中，所述照明系統(tǒng)具有發(fā)射非偏振光的光源。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的投射曝光裝置，其中，所述照明系統(tǒng)包括用于提供所述限定的偏振狀態(tài)的元件。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的投射曝光裝置，其中，所述物體平面中待照亮的所述場的中心場點的主射線角度為<10o。9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的投射曝光裝置，其中，光束叢包括所述物體平面中待照亮的所述場的中心場點的主射線，并且其中，所述主射線以大于20。的角度入射到所述沖殳射系纟充的至少一個4竟上。10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的投射曝光裝置，其中，所述才殳射系統(tǒng)在/人所述物體平面到所述^象平面的光^各中至少包括第一鏡(S1)、第二鏡(S2)、第三鏡(S3)、第四鏡(S4)、第五鏡(S5)、和第六鏡(S6)。11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的投射曝光裝置，其中，所述才史射系統(tǒng)在/人所述物體平面到所述^象平面的光^各中至少包括第一鏡(Sl)和第二鏡(S2),其中所述第一鏡(Sl)為凹面4竟，或者所述第二4竟(S2)為凹面4竟，或者所述第一4竟(Sl)和所述第二4竟(S2)都為凹面4免。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的投射曝光裝置，其中，所述第一鏡(SI)具有第一半徑(R1)，而所述第二鏡(S2)具有第二半徑(R2)，并且所述第一半徑(Rl)與所述第二半徑(R2)的比值在一6<!<_1的范圍內(nèi)。i2613.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項所述的投射曝光裝置，其中，所述才殳射系統(tǒng)在^v所述物體平面到所述<象平面的光-各中至少包4舌第一4竟(S1)、第二4竟(S2)、第三鏡(S3)、第四4竟(S4)、第五鏡(S5)、第六鏡(S6)、第七鏡(S7)、和第八鏡(S8)。14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的投射曝光裝置，其中，在從所述物體平面到所述像平面的光^各中，所述投射系統(tǒng)的至少第一鏡(S1)、第二鏡(S2)、第三鏡(S3)、第四鏡(S4)、第五鏡(S5)、和第六鏡(S6)位于以光軸(HA)為中心的布置中；這些4竟(Sl、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個均具有占用區(qū)域，從所述物體平面到所述像平面被引導(dǎo)得穿過所述投射系統(tǒng)的光束入射到所述占用區(qū)域上；并且其中，所述第一鏡、所述第二鏡、所述第三鏡、所述第四鏡、所述第五4竟、和所述第六4竟(S1、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個都具有占用空間(Bl、B2、B3、B4、B5、B6),/人相應(yīng)4竟的所述占用區(qū)域的中心點(AUF)開始平行于所述光軸來測量，所述占用空間具有深度(T),其中所述深度(T)大于所述鏡的直徑值的1/3。15.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的投射曝光裝置，其中，在從所述物體平面到所述l象平面的光^各中，所述投射系統(tǒng)的至少第一鏡(S1)、第二鏡(S2)、第三鏡(S3)、第四鏡(S4)、第五鏡(S5)、和第六鏡(S6)位于以光軸(HA)為中心的布置中；這些鏡(Sl、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個均具有占用區(qū)域，從所述物體平面到所述像平面被引導(dǎo)得穿過所述投射系統(tǒng)的光束入射到所述占用區(qū)域上；并且其中，所述第一鏡、所述第二鏡、所述第三鏡、所述第四4竟、所述第五4竟、和所述第六4竟(S1、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個都具有占用空間(Bl、B2、B3、B4、B5、B6)，從相應(yīng)鏡的占用區(qū)域的中心點(AUF)開始平行于所述光軸(HA)來測量，所述占用空間具有深度(T)，每個占用空間的所述;罙度大于50mm。16.根據(jù)權(quán)利要求14至15中任一項所述的投射曝光裝置，其中，不同4竟的所述占用空間4皮此不穿過。17.根據(jù)權(quán)利要求14至16中任一項所述的投射曝光裝置，其中，所有占用空間(Bl、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8)在與所述投射系統(tǒng)的對稱軸(12)平行的方向上可延伸，而不會與在所述沖更射系統(tǒng)中/人所述物體平面到所述^象平面?zhèn)?番的光的光3各互相交叉。18.根據(jù)權(quán)利要求14至17中任一項所述的投射曝光裝置，其中，所有占用空間(Bl、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8)在與所述沖更射系統(tǒng)的對稱軸(12)平行的方向上可延伸，而不會與所述投射系統(tǒng)的其它鏡的任何占用空間互相交叉。19.根據(jù)權(quán)利要求1至18中任一項所述的投射曝光裝置，其中，所述沖更射系統(tǒng)是反射式系統(tǒng)。20.根據(jù)權(quán)利要求1至19中任一項所述的投射曝光裝置，其中，所述照明系統(tǒng)至少具有光學元4牛，并且其中，所述照明系統(tǒng)的所有光學元件是反射光學元件。21.—種樣i光刻投射系統(tǒng)，用于將物體平面中的物體投射成像平面中的圖像，所述微光刻投射系統(tǒng)包括第一4竟(S1)、第二4竟(S2)、第三4竟(S3)、第四4竟(S4)、第五鏡(S5)、第六鏡(S6)、第七鏡(S7)、和第八鏡(S8)，這些4竟位于乂人所述物體平面到所述l象平面的光^各中，其中，所述投射系統(tǒng)具有清楚的出射光瞳，并且其中，所述第一鏡、所述第二鏡、所述第三鏡、所述第四鏡、所述第五鏡、所述第六鏡、所述第七鏡、和所述第八4竟(S1、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8)中的每一個都具有占用空間(Bl、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8)，并且其中，所有占用空間在與所述才殳射系統(tǒng)的對稱軸(12HM亍的方向上可延伸，而不會與在所述沖殳射系統(tǒng)中/人所述物體平面到所述^象平面?zhèn)鱚番的光的光^各(10000)互沖目交叉。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所有占用空間(Bl、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8)在與所述沖殳射系統(tǒng)的對稱軸(12)平行的方向上可延伸，而不會與所述才殳射系統(tǒng)的其它4竟的《壬^f可占用空間互相交叉。23.—種微光刻才殳射系統(tǒng)，用于將物體平面中的物體投射成像平面中的圖像，所述微光刻投射系統(tǒng)包括第一鏡(S1)、第二鏡(S2)、第三鏡(S3)、第四鏡(S4)、第五鏡(S5)、第六鏡(S6)、第七鏡(S7)和第八鏡(S8),這些4竟位于乂人所述物體平面到所述^f象平面的光^各中，其中，所述投射系統(tǒng)具有清楚的出射光瞳，并且其中，所述第一鏡、所述第二鏡、所述第三鏡、所述第四4竟、所述第五4竟、所述第六4竟、所述第七4竟、和所述第八4竟(Sl、S2、S3、S4、S5、S6、S7、S8)中的每一個者l^具有占用空間(Bl、B2、B3、B4、B5、B6、B7、B8),并且其中，所有占用空間在與所述4更射系統(tǒng)的對稱軸(12)平^f亍的方向上可延伸，而不會與所述投射系統(tǒng)的其它鏡的任何占用空間互相交叉。24.—種微光刻投射系統(tǒng)，用于將物體平面中的物體投射成像平面中的圖像，所述樣i光刻投射系統(tǒng)至少包括第一鏡(S1)、第二鏡(S2)、第三鏡(S3)、第四鏡(S4)、第五鏡(S5)、第六鏡(S6)、第七鏡(S7)、和第八鏡(S8),這些鏡位于從所述物體平面到所述^象平面的光^各中，其中，從所述物體平面到所述像平面的所述光路中的至少所述第一4竟(Sl)為凹面4竟，或者,人所述物體平面到所述J象平面的所述光^各中的至少所述第二4免(S2)為凹面《竟，或者所述第一鏡(Sl)和所述第二鏡(S2)都為凹面4免，并且所述投射系統(tǒng)的每個鏡被指定一半徑，并且所述投射系統(tǒng)的所有非平面4免的半徑的絕對值都小于5000mm。25.根據(jù)權(quán)利要求21至24中任一項所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，至少所述第一4竟或至少所述第二4竟為平面4竟。26.根據(jù)權(quán)利要求21至24中任一項所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，至少所述第一鏡(Sl)為凹面鏡，并且所述第二鏡(S2)為平面鏡，或者所述第一鏡(Sl)為平面鏡，并且至少所述第二4竟(S2)為凹面4竟。27.根據(jù)權(quán)利要求21至24中任一項所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，從所述物體平面到所述像平面的所述光3各中的所述第一鎮(zhèn):(Sl)具有第一半徑(Rl)，并且/人所述物體平面到所述<象平面的所述光路中的所述第二鏡(S2)具有第二半徑(R2),并且所述第一半徑與所述第二半徑的比值在-6<!<-丄的范圍/26內(nèi)。28.根據(jù)權(quán)利要求21至27中任一項所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述圖^f象側(cè)孔徑NA》0.3，優(yōu)選;也>0.35，更^尤選地>0.4，更優(yōu)選地>0.45,更優(yōu)選地>0.5。29.根據(jù)權(quán)利要求21至28中任一項所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述才殳射系統(tǒng)的至少所述第一4竟(Sl)、所述第二4竟(S2)、所述第三鏡(S3)、所述第四鏡(S4)、所述第五鏡(S5)、和所述第六鏡(S6)位于以光軸(HA)為中心的布置中；這些鏡(Sl、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個均具有占用區(qū)域，在光路(10000)中被引導(dǎo)得穿過所述投射系統(tǒng)的光束入射到所述占用區(qū)域上；并且所述第一鏡、所述第二鏡、所述第三鏡、所述第四鏡、所述第五鏡、和所述第六鏡(S1、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個都具有占用空間(Bl、B2、B3、B4、B5、B6)，從相應(yīng)鏡的占用區(qū)域中的中心點(AUF)開始平行于所述光軸(HA)來測量，所述占用空間(Bl、B2、B3、B4、B5、B6)具有深度(T),該深度大于所述4竟的直徑值的1/3，并且不同4免的所述占用空間4皮此不穿過。30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述第七鏡(S7)以所述光軸(HA)為中心定位，并且所述第七鏡(S7)具有占用空間(B7),從所述相應(yīng)鏡的占用區(qū)域中的中心點(AUF)開始平行于所述光軸來測量，所述占用空間(B7)具有深度(T)，該深度大于所述第七鏡(S7)的直徑值的1/3。31.根據(jù)權(quán)利要求29至30中任一項所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述第八4竟(S8)以所述光軸(HA)為中心定位，并且所述第八鏡(S8)具有占用空間(B8),從所述相應(yīng)鏡的占用區(qū)域中的中心點(AUF)開始平行于所述光軸來測量，所述占用空間(B8)具有深度(T),該深度大于所述第八鏡(S8)的直徑i"直的1/3。32.根據(jù)權(quán)利要求21至28中任一項所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述才更射系統(tǒng)的至少所述第一《竟(Sl)、所述第二4竟(S2)、所述第三4竟(S3)、所述第四4竟(S4)、所述第五4竟(S5)、和所述第六4竟(S6)位于以光軸(HA)為中心的布置中；這些鏡(Sl、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個均具有占用區(qū)域，在光路(10000)中被引導(dǎo)得穿過所述投射系統(tǒng)的光束入射到所述占用區(qū)域上；并且所述第一鏡、所述第二鏡、所述第三鏡、所述第四鏡、所述第五鏡、和所述第六鏡(S1、S2、S3、S4、S5、S6)中的每一個者卩具有占用空間(Bl、B2、B3、B4、B5、B6),從所述相應(yīng)鏡的占用區(qū)域中的中心點(AUF)開始平行于所述光軸(HA)來測量，所述占用空間(Bl、B2、B3、B4、B5、B6)具有深度(T)，所述深度大于50mm。33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述第七鏡(S7)以所述光軸(HA)為中心定位，并且所述第七鏡(S7)具有占用空間(B7),乂人占用區(qū)i或中的中心點(AUF)開始平行于所述光軸來測量，所述占用空間(B7)具有深度(T)，所述;罙度大于50mm。34.根據(jù)權(quán)利要求32至33中任一項所述的微光刻投射系統(tǒng)，其中，所述第八4免(S8)以所述光軸(HA)為中心定位，并且所述第八鏡(S8)具有占用空間(B8)，從占用區(qū)域中的中心點(AUF)開始平行于所述光軸來測量，所述占用空間(B8)具有深度(T)，所述深度大于50mm。35.—種使用才艮據(jù)權(quán)利要求1至20中任一項的一殳射曝光裝置來制造微光刻部件的方法，其中，將所述物體平面中的結(jié)構(gòu)掩模投射到所述像平面中的感光層上，在所述感光層曝光之后，將所述感光層顯影，從而制成微光刻部件或微光刻部件的一部分。全文摘要本發(fā)明涉及一種微光刻投射曝光裝置，其使用的波長≤100nm，尤其是用于EUV光刻的波長＜50nm，優(yōu)選地＜20nm，該微光刻投射曝光裝置具有照明系統(tǒng)，該照明系統(tǒng)使用限定的偏振狀態(tài)的光來照亮物體平面中的場；以及物鏡，其將物體平面中的場投射到像平面中，所述偏振光從物體平面穿過所述物鏡到達像平面。文檔編號G03F7/20GK101171547SQ200680015147公開日2008年4月30日申請日期2006年4月27日優(yōu)先權(quán)日2005年5月3日發(fā)明者漢斯-于爾根·曼申請人:卡爾·蔡司Smt股份公司