專利名稱：：再循環(huán)烷烴浸漬液的裝置及使用方法再循環(huán)烷烴浸漬液的裝置及使用方法發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明涉及再循環(huán)液態(tài)烷烴的方法，該液態(tài)烷烴適合在通過(guò)使用紫外線波長(zhǎng)的光刻法制造電子或集成光電路元件時(shí)用作浸漬液。
背景技術(shù)：
：光刻法用于制造電子集成電路已有數(shù)十年，近來(lái)，更用于制造集成光電路元件。能夠制造更高密度集成電路的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)是使用越來(lái)越短波長(zhǎng)的曝露光，越短波長(zhǎng)能夠?qū)崿F(xiàn)越精細(xì)線路的分辨?，F(xiàn)有技術(shù)使用所謂的真空紫外(VUV)波長(zhǎng)，通常低于250納米，尤其低于200納米。近來(lái)已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，由于高折射率材料中光的有效波長(zhǎng)更短，對(duì)于給定的光刻光源，在光掩模與接收表面之間引入高折射率液體代替空氣能夠制造更高分辨率的圖像；參見(jiàn)例如Switkes等人，ProceedingsofSPIE,巻5040,699(2003)。在使用193納米光源的光刻法中，水已知用作"第一代"浸漬液。水的折射率是1.43,因此可以計(jì)算出193納米光源發(fā)射的光的有效波長(zhǎng)為135納米。193納米下的水浸光刻法由此提供了對(duì)使用基于157納米激光源的傳統(tǒng)(即無(wú)浸漬液)光刻系統(tǒng)的切實(shí)替代方案。烴類，尤其是烷烴，已知表現(xiàn)出高于水的折射率。例如，用折射率為1.64的雙環(huán)己烷代替水作為浸漬液可以將193納米光的有效波長(zhǎng)降至118納米。盡管浸漬液的高折射率使它們有吸引力，但實(shí)際應(yīng)用通常需要透明度，即，入射光的最低吸光度。低吸光度的要求基于幾個(gè)因素1)透過(guò)浸漬液層的光越多，越快形成圖像，且激光源的利用越有效。2)光吸收導(dǎo)致液體被加熱，進(jìn)而導(dǎo)致溫度梯度并伴隨著不均勻的折射率，這隨即降低圖像質(zhì)量。3)在浸漬液中傳播較長(zhǎng)距離的光束比傳播較短距離的光束承受更大衰減，可能導(dǎo)致圖像變差。Switkes等人(上文引用)公開(kāi)了合適的浸漬液在實(shí)際應(yīng)用中在193納米下表現(xiàn)出至少95%的光透射。如由式I確定的那樣，這相當(dāng)于0.22厘米"或更4氐的吸光度(absorbance)。A=log10(T0/T)/hI其中A是以厘米"為單位的吸光度。To是入射光強(qiáng)度，T是透射光強(qiáng)度，h是以厘米為單位的液層厚度。根據(jù)Miyamatsu等人，ProceedingsofSPIE,巻5753,10，1毫升厚的浸漬液層要實(shí)際用在193納米光刻法中就應(yīng)透過(guò)至少90%的入射光。這相當(dāng)于0.40厘米"的吸光度。盡管在本領(lǐng)域中已經(jīng)知道某些液態(tài)烷烴以高于水的折射率為特征，但在本領(lǐng)域中并無(wú)吸光度低于0.40厘米"的液態(tài)烷烴的教導(dǎo)。例如，2003Aldrich目錄公開(kāi)了"高純"環(huán)己烷在210納米下的吸光度為1.0厘米";"高純"己烷在195納米下的吸光度為l.O厘米"；"高純，，2-甲基丁烷吸光度為1.0厘米—1。一般而言，觀察到吸光度隨波長(zhǎng)降低而升高。美國(guó)專利申請(qǐng)US2005/0173682A1公開(kāi)了幾種適用于浸漬光刻法的烷烴，包括以1.1440厘米"吸光度為特征的十二烷，吸光度1.5230厘米"的環(huán)己烷和吸光度大于6的十氬化萘和雙環(huán)己烷(bicyclohexyl)。發(fā)明概述本發(fā)明的一個(gè)方面是一種裝置，其包含潔凈的閉環(huán)流體輸送系統(tǒng)(segment),該系統(tǒng)包括吸附劑段、過(guò)濾段、具有入口點(diǎn)的光成像段、為連接各段而設(shè)置的管、為使流體經(jīng)過(guò)管流入和流出各段而設(shè)置的泵、用于將流體輸入和移出光成像段的設(shè)備，以及包含在該裝置中的液態(tài)烷烴，其中在光成像段入口點(diǎn)處，液態(tài)烷烴在193納米處的吸光度<0.40厘米—1。本發(fā)明的另一方面是進(jìn)行液體浸漬光刻的方法，包括提供潔凈的閉環(huán)流體輸送系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括吸附劑段、過(guò)濾段、光成像段、為連接各段而設(shè)置的管、為使流體流經(jīng)各段而設(shè)置的泵、和用于將流體輸入和移出光成像段的設(shè)備以及從流體中吹出吸收的氣體的i殳備，所述方法包括將193納米下吸光度<0.40厘米"的液態(tài)烷烴引入光成像段；4吏液態(tài)烷烴位于光源和#皮光源依圖4象照射(imagewiseillumination)的表面之間；使該液態(tài)烷烴從光成像段經(jīng)管道流向吸附劑段；任選通過(guò)從液態(tài)烷烴中吹出吸收的氧氣來(lái)將液態(tài)烷烴脫氧；使該液態(tài)烷烴與吸附劑接觸，接觸后的液態(tài)烷烴在193納米下的吸光度<0.40厘米"；并使接觸后的液態(tài)烷烴從吸附劑段流向所述光成像段。附圖簡(jiǎn)述圖l是本發(fā)明的裝置的一個(gè)實(shí)施方案的示意圖。圖2是本發(fā)明的裝置的另一實(shí)施方案的示意圖。圖3是顯示本發(fā)明的裝置的光成像段中光學(xué)元件布置的一個(gè)實(shí)施方案的示意圖。圖4是流體輸送設(shè)備的一個(gè)實(shí)施方案的近視(close-up)圖。圖5是根據(jù)實(shí)施例16a取得的光刻圖像，其中浸漬液在曝光過(guò)程中是靜止的。圖6是根據(jù)實(shí)施例16b取得的光刻圖像，其中浸漬液在曝光過(guò)程中是流動(dòng)的。發(fā)明詳述對(duì)本發(fā)明來(lái)說(shuō)，術(shù)語(yǔ)"在193納米下的吸光度"是指在193納米波長(zhǎng)下分光光度法測(cè)定的光譜吸光度。在本發(fā)明中，吸光度以厘米倒數(shù)(厘米—1)為單位表示。本發(fā)明提供了一種潔凈的閉環(huán)流體輸送系統(tǒng)，其包括吸附劑段、光成像段、為連接所述段而設(shè)置的管、為使流體在其中流動(dòng)而設(shè)置的泵、和其中所含的液態(tài)烷烴，其中在進(jìn)入光成像段的入口點(diǎn)處，所述液態(tài)烷經(jīng)的特征在于在193納米下的吸光度為<0.40厘米-1。具有該吸光度的液態(tài)烷烴適合用作浸漬液。該系統(tǒng)優(yōu)選進(jìn)一步包括脫氣段。在一個(gè)實(shí)施方案中，所述脫氣系統(tǒng)包括脫氧器。在另一實(shí)施方案中，用惰性氣體，如氮?dú)饣驓鍤馓畛湓撓到y(tǒng)的內(nèi)部空間。為了實(shí)際的可操作性，用在浸漬光刻法中的液態(tài)烷烴在193納米下的吸光度<0.40厘米"，優(yōu)選<0.22厘米"，更優(yōu)選<0.15厘米"。直到在共同待審的美國(guó)專利申請(qǐng)11/141,285中公開(kāi)的研究(其公開(kāi)內(nèi)容經(jīng)此引用并入本文)之前，還不知道能夠制備具有所需吸光度的烷烴。由市售原料制備烷烴的方法詳細(xì)公開(kāi)在美國(guó)專利申請(qǐng)11/141,285中。其中進(jìn)一步公開(kāi)了制備這些組合物的方法。共同待審的美國(guó)專利申請(qǐng)11/070,918(其公開(kāi)內(nèi)容經(jīng)此引用并入本文)公開(kāi)了通常以<0.22的吸光度為特征的光學(xué)高度透明的烷烴的處理和儲(chǔ)存方法。本發(fā)明人現(xiàn)在已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在光成像過(guò)程中，具有所需吸光度性質(zhì)的液態(tài)烷烴可能會(huì)受到污染，因此其在重新允許進(jìn)入光成像段之前必須再提純。盡管不希望使本發(fā)明受任何特定理論的限制，但再污染被認(rèn)為至少部分來(lái)自光成像段中空氣氣氛中的氧污染，并來(lái)自由暴露在高強(qiáng)度激光輻射下引起的光化學(xué)降解。從經(jīng)濟(jì)角度看，使適用在浸漬光刻法中的低吸光度烷烴再循環(huán)是非常合意的。圖1顯示了本發(fā)明的裝置的一個(gè)實(shí)施方案。含有惰性氣氛的儲(chǔ)槽1裝有液態(tài)烷烴，其特征在于在193納米下的吸光度為O.40厘米"，優(yōu)選<0.22厘米"，更優(yōu)選0.15厘米"。提供泵7，用于^f吏該液態(tài)烷烴在該系統(tǒng)中再循環(huán)。設(shè)置光成像段2以接收來(lái)自儲(chǔ)槽的液態(tài)烷烴。在該光成像段中，設(shè)置窗3以使UV曝露光可以如圖1中所示穿過(guò)該窗，并隨后穿過(guò)液態(tài)烷烴層6到達(dá)包含光敏層的靶表面5。該靶表面可以進(jìn)一步包含厚度約l微米的透明頂涂層(t叩coat)或保護(hù)層(未顯示)。在一個(gè)實(shí)施方案中，在入射的UV曝露光的光程中，在窗3之前設(shè)置光掩沖莫和透鏡系統(tǒng)(未顯示)。在另一實(shí)施方案中，設(shè)置光掩模(未顯示)以使其直接落在靶表面上，在此情況下，光掩模也浸沒(méi)在液態(tài)烷烴中。使用惰性材料，如TeflonPFA、TeflonTFE、TeflonFEP、或不銹鋼的扣環(huán)4以固定該光學(xué)窗口，并經(jīng)通道(未顯示)提供液態(tài)烷烴浸漬層中的流體流動(dòng)。圖1進(jìn)一步顯示吸附劑段8,液態(tài)烷烴在通過(guò)光成像段后導(dǎo)入其中。由該吸附劑段，恢復(fù)至吸光度<0.40厘米-1,優(yōu)選0.22厘米"，更優(yōu)選0.15厘米"的液態(tài)烷烴隨后返回儲(chǔ)槽1。在優(yōu)選實(shí)施方案中，該裝置包括用于監(jiān)測(cè)烷烴吸光度的在線UV分光光度計(jì)(未顯示)。圖1中所示的部件順序是優(yōu)選的。但是，部件也可以以如下順序(未顯示)布置其中借助位于光成像段2下游的泵7使液態(tài)烷烴從儲(chǔ)槽1流向吸附劑段8，從中流向光成像段2。圖2顯示本發(fā)明的裝置的進(jìn)一步實(shí)施方案，包括幾個(gè)附加部件。使容納液態(tài)烷烴的304或314不銹鋼儲(chǔ)槽1保持在惰性氣氛下?？刂崎y9控制液態(tài)烷烴從儲(chǔ)槽流出到光成像段2。如圖2所示，設(shè)置窗3以使UV光可以如圖2中所示穿過(guò)該窗，并隨后穿過(guò)液態(tài)烷烴層6到達(dá)包含光敏層的耙表面5。該扭表面可以進(jìn)一步包含厚度約1微米的透明頂涂層或保護(hù)層(未顯示)。在一個(gè)實(shí)施方案中，在UV曝露光的光程中，在窗3之前設(shè)置光掩模和透鏡系統(tǒng)(未顯示)。在另一實(shí)施方案中，設(shè)置光掩模(未顯示)以使其直接落在粑表面上，在此情況下，光掩模也浸沒(méi)在液態(tài)烷烴中。使用惰性材料，如Teflor^或不銹鋼的扣環(huán)4以固定該光學(xué)窗口，并經(jīng)通道(未顯示)提供液態(tài)烷烴浸漬層中的流體流動(dòng)。磁驅(qū)動(dòng)齒輪泵7將液態(tài)烷烴從光成像段2單元中抽出，并使其循環(huán)通過(guò)該系統(tǒng)的其余部分。圖2中所示的系統(tǒng)進(jìn)一步包含緊隨該泵設(shè)置的脫氣器單元IO。脫氣器用于去除氧氣以及其它氣態(tài)材料的氣泡。在另一實(shí)施方案中，氮?dú)鈬婌F器可用于脫氧。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)在儲(chǔ)槽1的出口處加入氮?dú)鈬婌F器在本發(fā)明的實(shí)踐中是方便的。隨后將液態(tài)烷烴導(dǎo)入在線UV分光計(jì)11。隨后將液態(tài)烷烴導(dǎo)入在兩個(gè)不銹鋼微米級(jí)過(guò)濾器之間的吸附床8，從這里導(dǎo)向納米級(jí)過(guò)濾器12。在返回儲(chǔ)槽前，用另一在線UV分光計(jì)13檢查處理過(guò)的流體的吸光度?？梢员容^兩臺(tái)分光計(jì)的吸光度讀數(shù)以監(jiān)測(cè)吸附床性能。圖3顯示圖1和2中所示系統(tǒng)的光成像段2的實(shí)施方案，其中整個(gè)裝置密封在充滿氮?dú)饣蚱渌栊詺怏w的手套箱20中。流體處理系統(tǒng)21包含圖1中所示的部件。部件3、4、5和6如前所述。來(lái)自安置在外部的光源15的光束，優(yōu)選UV激光，經(jīng)含有窗16的隔壁接頭(bulkheadunion)進(jìn)入。光束被引導(dǎo)通過(guò)擴(kuò)散透鏡17，從這里導(dǎo)向分束器18。光束的一部分導(dǎo)向激光功率計(jì)19。另一部分引導(dǎo)通過(guò)窗3，通過(guò)液態(tài)烷烴層6，并最后引向靶5。圖4更詳細(xì)地顯示了如上所述的窗、扣環(huán)和嵌在其中的流體流動(dòng)通道的一個(gè)實(shí)施方案。通過(guò)Teflor^頭25固定2"xi/4"熔凝硅石窗24，這能夠使窗與晶片之間的空間被液態(tài)烷烴填充。液態(tài)烷烴經(jīng)兩個(gè)緊隨該窗的端口23輸送以填充在扣環(huán)4底部與粑表面(未顯示)之間的空間。在一個(gè)實(shí)施方案中，光成像段對(duì)空氣敞開(kāi)，以使液態(tài)烷烴在此位置暴露在空氣中。在另一實(shí)施方案中，至少包含液態(tài)烷烴層的那部分光成像部分放置在惰性氣氛中。用抽吸環(huán)26控制液態(tài)烷烴的流速。在所示實(shí)施方案中，抽吸環(huán)具有連接到循環(huán)泵抽吸側(cè)上的四個(gè)端口22。適合根據(jù)本發(fā)明使用的是基本由非環(huán)和/或環(huán)烷烴、支鏈和/或直鏈烷烴或其混合物構(gòu)成的液態(tài)烷烴。合適的環(huán)烷烴可以含有一種或多種具有或不具有支鏈的環(huán)丁烷或任意尺寸的更大環(huán)，并可以以任何方式相互連接，包括直鏈、稠合、二環(huán)、多環(huán)和螺環(huán)排列。優(yōu)選的烷烴包括環(huán)戊烷、環(huán)己烷、環(huán)庚烷、環(huán)辛烷、癸烷、十氫化萘外消旋物、順式十氫化萘、反式十氫化萘外消旋物、外式(exo-)四氫雙環(huán)戊二烯、l,l，-雙環(huán)己烷、2-乙基降水片烷、正辛基環(huán)己烷、十二烷、十四烷、十六烷、2-曱基戊烷、3-曱基戊烷、2,2-二曱基丁烷、2,3-二甲基丁烷、八氬化茚(octahydroindane)及其混合物。更優(yōu)選的是2-甲基戊烷、3-曱基戊烷、2,3-二曱基丁烷、2,2-二曱基丁烷、癸烷、十二烷、十四烷、十六烷、環(huán)己烷、環(huán)庚烷、環(huán)辛烷、2-乙基降水片烷、八氫化茚、雙環(huán)己烷(bicyclohexyl)、十氫化萘和外式四氫雙環(huán)戊二烯及其混合物。雙環(huán)己烷、十氫化萘、外式四氫雙環(huán)戊二烯及其混合物是優(yōu)選的。適用在本發(fā)明實(shí)踐中的烷烴的特征在于在193納米下的吸光度<0.40厘米"，優(yōu)選<0.22厘米-1，最優(yōu)選<0.15厘米-1。用于制備具有優(yōu)11/141,285中。該程序包括使液態(tài)烷烴在氧最少化氣氛中與吸附劑接觸，該吸附劑優(yōu)選選自硅膠、碳、分子篩、氧化鋁及其混合物。優(yōu)選在使該液體與吸附劑接觸前，在不含油脂的蒸餾器中對(duì)液態(tài)烷烴施以分餾。當(dāng)系統(tǒng)潔凈時(shí)將烷烴引入該潔凈的閉環(huán)流體輸送系統(tǒng)。對(duì)本發(fā)明而言，如果在與該系統(tǒng)接觸的3分鐘內(nèi)，烷烴在193納米下的吸光度沒(méi)有發(fā)生大于0.04厘米"的變化，則系統(tǒng)、表面或設(shè)備段對(duì)于液態(tài)烷烴來(lái)說(shuō)是"潔凈的"。0.04厘米"代表如下文實(shí)施例中所述的所用分光光度測(cè)量技術(shù)的分辨極限。但是，在一些實(shí)施方案中，當(dāng)此類變化的檢測(cè)在特定分光光度裝置和/或方法的分辨率內(nèi)時(shí)，0.02厘米"或更低的吸光度變化是合意的。制造潔凈系統(tǒng)合意地包括所有部件均在氧最小化系統(tǒng)，優(yōu)為用惰性氣體吹掃的系統(tǒng)中工作。合適的惰性氣體包括但不限于N2、Ar、He或其混合物。對(duì)系統(tǒng)部件的清潔程序首先利用了烷烴容易受到污染的方面，即，它們是極佳的溶劑。例如，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，可以通過(guò)暴露在上文所述的烷烴中來(lái)合適地清潔任何金屬表面?？赡鼙仨毞磸?fù)吹掃以去除所有污染物，但去除通?？梢砸詭状沃貜?fù)內(nèi)完成。用適用在本發(fā)明中的低吸光度烷烴進(jìn)行最后處理。優(yōu)選的金屬包括凈化的不銹鋼(304型或314型)，如凈化的HastelloyC鋼和Incone產(chǎn)鋼。同樣合適但不那么優(yōu)選的是碳鋼。術(shù)語(yǔ)"凈化的"是指已經(jīng)與烷烴接觸直至達(dá)到上文定義的"潔凈"標(biāo)準(zhǔn)。暴露在元素氟下也可用作從金屬表面去除濃度已經(jīng)很低的污染物的方法。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，此類處理產(chǎn)生非常潔凈的金屬表面。本領(lǐng)域技術(shù)人員公認(rèn)的是，使用元素氟時(shí)需要小心；被清潔的金屬表面上過(guò)高濃度的有機(jī)污染物可能導(dǎo)致著火。該裝置及其元件的其它合適的構(gòu)造材料包括專門(mén)清潔過(guò)以處理高純材料的市售玻璃容器，如來(lái)自VWRinc的TraceCleanTM瓶。同樣優(yōu)選的是全氟聚合物材料，如TeflonPTFE、TeflonPFA、TeflonFEP和TeflonAF，均可獲自E.I.DuPontdeNemoursandCompany,Wilmington,DE。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，作為新的原始材料供應(yīng)的全氟聚合物材料的表面完全不需要處理。在本發(fā)明的實(shí)踐中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，所用閥的類型是系統(tǒng)清潔度中的一個(gè)因素。合適的閥包括波紋管閥、隔膜閥和球閥。通常，閥需要在使用前用適用在本發(fā)明中的烷烴清潔。具有由金屬(如不銹鋼(314型或304型)、Hastelloy、鋼和Inconel⑧鋼是優(yōu)選的，或較不優(yōu)選的碳鋼)或全氟聚合物(如TeflonPTFE、TeflonPFA、TeflonFEP或TeflonAF)制成的內(nèi)部支座(internalseats)、填料(packings)和濕潤(rùn)區(qū)域的閥適合使用。合適的閥可購(gòu)得，包括SwagelokSS-4H-SC11波紋管閥和Hoke7122G4Y/HPS-18球閥，該閥優(yōu)選由制造商專門(mén)處理過(guò)以用于氧環(huán)境(oxygenservice)。不含可溶性密封材料的泵是合適的。優(yōu)選的是具有非密封的濕潤(rùn)頭(seal-lesswettedhead)的泵。在此類泵中，不存在會(huì)導(dǎo)致空氣泄漏或流體污染的耐磨軸封。例如，可以使用磁驅(qū)動(dòng)齒輪泵。吸附劑段8含有吸附劑，其可以是例如3A分子篩、4A分子篩、5A分子篩、13X分子篩、二氧化硅、中性氧化鋁、堿性氧化鋁、酸性氧化鋁或如Norit⑧活性炭的活性炭及其組合。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，對(duì)于特定液態(tài)烷烴，一些吸附劑更優(yōu)選。因此，例如，對(duì)于十氬化萘和雙環(huán)己烷，二氧化硅是優(yōu)選的，而對(duì)于外式四氫雙環(huán)戊二烯，與中性氧化鋁結(jié)合的13X分子篩是優(yōu)選的。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以選擇適當(dāng)?shù)奈絼８弑砻娣e、色譜級(jí)吸附劑是優(yōu)選的。無(wú)機(jī)吸附劑在剛要使用之前活化。在整個(gè)床上鼓入氮?dú)饣蚩諝?，同時(shí)將床加熱至100至50CTC,由此將其活化。最佳加熱時(shí)間取決于吸附劑以及床的體積，并可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地確定的。對(duì)許多用途而言，2小時(shí)是優(yōu)選的?；罨奈絼┰诘?dú)庀吕鋮s。通過(guò)在200。C下在整個(gè)床上鼓入氮?dú)?小時(shí)并隨后在氮?dú)庀吕鋮s來(lái)活化碳。該吸附劑可以在位于床外部的管內(nèi)活化，隨后在如氮?dú)獾亩栊詺怏w下裝載到床中，或者如果為該床提供加熱元件，可以在適當(dāng)位置進(jìn)行加熱，同時(shí)將吹掃氣流排放到設(shè)備外部。烷烴所流經(jīng)的吸附劑可以包含在吸附劑床、流化床和/或柱中。優(yōu)選的是色譜柱。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在本發(fā)明的實(shí)踐中使用長(zhǎng)徑比為至少10且液態(tài)烷烴停留時(shí)間為大約5至20分鐘的柱是令人滿意的。每體積吸附劑大約5至IO體積液態(tài)烷烴的比率已經(jīng)發(fā)現(xiàn)是令人滿意的。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方案中，在吸附劑段下游使用亞微米過(guò)濾器以捕捉液態(tài)烷烴的微粒污染物。由于在通過(guò)光成像段過(guò)程中高度透明的液態(tài)烷烴暴露在氧氣中，脫氧段是合意的。在本領(lǐng)域中已經(jīng)知道許多將液體脫氧的方法。在一種方法中，由于氧氣擴(kuò)散到表面，如氮?dú)獾亩栊詺怏w從液態(tài)烷烴上方的頂空中掃除氧氣。在膜式(membrane)除氣器中，氣體和液相被膜分離，吹掃氣不直接接觸液體，使吹掃氣體盡可能少地溶解到液態(tài)烷烴中。盡管在光譜學(xué)中是非吸收的，但吹掃氣的溶解可能導(dǎo)致在光成像過(guò)程中不合意的氣泡形成。從液態(tài)烷烴中除氧的非常有效的方法是通過(guò)氮?dú)夤呐?，但這種方法會(huì)導(dǎo)致過(guò)高的氮?dú)馊芙?。但是，只要系統(tǒng)中不存在可見(jiàn)的氣泡，光成像就可以繼續(xù)進(jìn)行。另一除氧方法是所謂的降膜法，由此液態(tài)烷烴沿填充塔下降同時(shí)氮?dú)庀蛏狭鲃?dòng)。吸附劑段也可用于從液態(tài)烷烴中清除氧氣。但是，此類用途縮短了吸附劑的壽命?？梢允褂媚な矫摎馄鲗?shí)現(xiàn)氮?dú)獾娜コ驗(yàn)閴翰钇仁箽庀嘟?jīng)過(guò)該膜離開(kāi)液相。也可以用沉降槽除氮，該沉降槽正好使惰性氣泡上升離開(kāi)流體。膜式脫氣器的優(yōu)點(diǎn)在于可以在同一單元操作中除去氧氣和惰性氣泡。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，使用膜式脫氣器。潔凈的閉環(huán)流體輸送系統(tǒng)的光成像段無(wú)需遵照任何特定構(gòu)造，條件是液態(tài)烷烴在流經(jīng)光成像段的同時(shí)經(jīng)受VUV輻射。合適的高強(qiáng)度VUV輻射優(yōu)選為如來(lái)自ArF激基締合物(excimer)激光器的193納米輻射。其它合適的光源包括但不限于燈，如氘、氙或卣素的氣體放電燈、激光等離子體光源和移頻激光，如倍頻或三倍頻激光源。在一個(gè)實(shí)施方案中，光成像段包含發(fā)射在波長(zhǎng)為大約170至大約260納米、優(yōu)選193納米和248納米的UV輻射路徑中傳播的光線的光源；設(shè)置成被光源照射的可成像的靶表面；和位于光源與耙表面之間的至少一部分光程內(nèi)的液態(tài)烷烴。該可成像的粑表面優(yōu)選是光致抗蝕劑表面。該光致抗蝕劑表面更優(yōu)選存在于硅片上。該光致抗蝕劑表面最優(yōu)選完全浸在液態(tài)烷烴中。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，對(duì)于許多有機(jī)物類，液態(tài)烷烴通常^皮^L為一種"良好的溶劑"。在一些情況下，抗蝕劑可能部分或完全溶解在液態(tài)烷烴中，或被液態(tài)烷烴溶脹或以其它方式凈皮破壞，并降低液態(tài)烷烴的透明度，這高度取決于光致抗蝕劑或其它表面材料的具體選擇。在此情況下，可以在抗蝕劑上涂施保護(hù)性頂涂層。該保護(hù)性頂涂層優(yōu)選是光學(xué)均勻的，對(duì)193和248納米光是透明的，附著到抗蝕劑上，不溶于液態(tài)烷烴，并易于沉積，且在成像已發(fā)生后容易移除。合適的頂涂層包括可溶于高度氟化溶劑的高度氟化的聚合物。高度氟化溶劑是制備頂涂層方法中的重要要素，因?yàn)樗鼈儾粫?huì)干擾大多數(shù)光致抗蝕劑組合物。合適的頂涂層聚合物包括全氟丁烯基乙烯基醚{1,1,2,3，3,4,4-七氟-4-[(三氟乙烯基)氧基]-1-丁烯}的均聚物或兩種或更多種單體的無(wú)定形可溶共聚物，所述單體例如四氟乙烯(TFE)、六氟丙烯(HFP)、全氟二甲基間二氧雜環(huán)戊烯[4，5-二氟-2,2-雙(三氟甲基)-1,3-間二氧雜環(huán)戊烯(dioxlole)]和全氟烷基乙烯基醚(例如全氟曱基乙烯基醚和全氟丙基乙烯基醚)。所述共聚物還可以包括少量三元共聚單體(termonomer),包4舌偏二氟乙烯、氟乙烯、三氟乙烯、3,3,3-三氟丙烯、3,3,3,2-四氟丙烯和六氟異丁烯[3,3,3-三氟-2-(三氟甲基)丙烯],但此類單體不要多到使該聚合物不再可溶于所需高度氟化溶劑中。優(yōu)選的氟化溶劑包括FluorinertFC國(guó)75、FluorinertFC-40、PerformanceFluidPF-5080、全氟丁基四氫呋喃、全氟三丁基胺、全氟辛烷、全氟烷烴和全氟十氫化萘。優(yōu)選的頂涂層聚合物是可獲自E.I.DuPontdeNemoursandCompany,WilmingtonDelaware的TeflonAF,Cytop和40-60:60:40聚(六氟丙烯:四氟乙蜂)(一種六氟丙烯:四氟乙烯共聚物，其中兩種單體的比率為40:60HFP:TFE至60:40HFP:TFE不等)。在一個(gè)實(shí)施方案中，本發(fā)明提供了進(jìn)行液體浸漬光刻法的方法，包括將以193納米下的吸光度O.40厘米"為特征的液態(tài)烷烴引入潔凈的閉環(huán)流體輸送系統(tǒng)的光成像段，該系統(tǒng)包括吸附劑段、光成像段、脫氧段、為連接各段而設(shè)置的管、為使流體在其中流動(dòng)而設(shè)置的泵；并且其中吸附劑段和脫氧段含有惰性氣體氣氛；使液態(tài)烷烴位于光源和被光源依圖像照射的表面之間；使該液態(tài)烷烴從光成像段經(jīng)管道流向脫氧段和吸附劑段，對(duì)液態(tài)烷烴施以脫氧，使脫氧的液態(tài)烷烴與吸附劑接觸，由此接觸后的液態(tài)烷烴的特征在于在193納米下的吸光度O.40厘米"；并使接觸后的液態(tài)烷烴從吸附劑^:流向光成像段。該方法適合于本發(fā)明的裝置的任何實(shí)施方案。根據(jù)該方法，首先確定該裝置是如上定義的潔凈的。這可以通過(guò)各種方式實(shí)現(xiàn)。在一個(gè)優(yōu)選程序中，首先分別清潔該裝置的每一部件，隨后組裝該裝置。將高度純化但不必是適合本發(fā)明的實(shí)踐的液態(tài)烷烴的液態(tài)烷烴引入儲(chǔ)槽，并使烷經(jīng)循環(huán)通過(guò)該系統(tǒng)。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中，該裝置配有在線UV分光光度計(jì)，其可用于測(cè)定系統(tǒng)是否向循環(huán)烷烴內(nèi)加入污染物。一旦表明沒(méi)有加入污染物，將循環(huán)的烷烴抽出，并換成適合本發(fā)明的實(shí)踐的液態(tài)烷烴等分試樣。該液態(tài)烷烴等分試樣用于最終洗滌。如果UV分光光度計(jì)證明在循環(huán)3分鐘后，適合本發(fā)明的實(shí)踐的液態(tài)烷烴的吸光度沒(méi)有增加超過(guò)0.04厘米—1,該系統(tǒng)被認(rèn)為是潔凈的。如果觀察到吸光度增加量大于0.04厘米"，使用適合本發(fā)明的實(shí)踐的液態(tài)烷烴的追加的等分試樣，直到達(dá)到目標(biāo)清潔狀態(tài)。一旦達(dá)到目標(biāo)清潔狀態(tài)，就可以開(kāi)始光刻成像過(guò)程。理想地連續(xù)監(jiān)測(cè)進(jìn)入該裝置的光成像段的液態(tài)烷烴的吸光度。這可以通過(guò)例如提取循環(huán)流體的少量等分試樣，并在離線分光光度計(jì)上測(cè)定吸光度來(lái)實(shí)現(xiàn)。但是，高度優(yōu)選的是使用在線分光光度計(jì)，以便在光成像段運(yùn)行過(guò)程中連續(xù)監(jiān)測(cè)循環(huán)液態(tài)烷烴的吸光度。盡管引入光成像段中的液態(tài)烷烴在193納米下的吸光度<0.40厘米"，優(yōu)選<0.22厘米-1,最優(yōu)選<0.15厘米"對(duì)于該方法的可操作性來(lái)說(shuō)是基本的，但在集成電子部件和光學(xué)部件的光刻制造中對(duì)工藝再現(xiàn)性的要求可能需要在任何吸光度實(shí)際起始值附近的相當(dāng)嚴(yán)格的公差(tolerance)。因此，例如，當(dāng)吸光度監(jiān)測(cè)表明在光成像段引入點(diǎn)處的液態(tài)烷烴已經(jīng)超出可接受公差時(shí)，優(yōu)選將系統(tǒng)停機(jī)，并更換液態(tài)烷烴。即使該公差保持低于0.40厘米'1,更換烷烴也是合意的。在下列實(shí)施例中進(jìn)一步闡述本發(fā)明。實(shí)施例通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)方法在193納米下分光光度法測(cè)量吸光度。精確度估計(jì)為+/-0.03至0.04單位。對(duì)于環(huán)己烷，通過(guò)相對(duì)透射法測(cè)量吸光度。此工作中所用的純?nèi)軇┑膩?lái)源如下VertrelXF2,3-二氬全氟戊烷，Miller-Stephenson,Danbury,Connecticut,原樣在193納米下的吸光度=0.10且折射率低于水，使用其作為洗滌溶劑。吸光度測(cè)定使用VarianCary5UV/Vis/NIR分光計(jì)或J.A.WoollamCo.,Inc.,Lincoln,NE制造的兩種可變角度的光譜橢偏儀之一(用于測(cè)量從近紅外到145納米的￥17^-￥&36@型號(hào)VU-302或用于測(cè)量從近紅外到187納米的DUV-Vase⑧型號(hào)V-)，測(cè)量吸光度。除非另行指明，下列實(shí)施例中的所有吸光度測(cè)定在193納米下進(jìn)行并以厘米"為單位。對(duì)比例1蒸汽清潔新的2.25升Hoke⑧不銹鋼筒并通過(guò)吹入N2來(lái)干燥。在裝配之前，將處理過(guò)的筒體和針閥用甲醇、丙酮洗滌，然后用N2吹干。在裝配好的不銹鋼筒中裝入60毫升2,3-二氫全氟戊烷(原樣吸光度為0.10厘米")。在大約20分鐘后，從該筒中提取2，3-二氫全氟戊烷，并測(cè)得其在193納米下的吸光度為0.24厘米"。對(duì)比例2在氮?dú)獯祾哌^(guò)的干燥箱中，評(píng)測(cè)三個(gè)鋼筒。(l)原樣，新不銹鋼Hoke筒(零件號(hào)8HD100),(2)用丙酮和甲醇洗過(guò)然后用氮?dú)獯蹈傻牡诙€(gè)新的Hoke筒，和(3)由其制造商預(yù)清潔以用于氧環(huán)境(oxygenservice)的Swagelok⑧筒(零件號(hào)304L國(guó)HDF8-1000國(guó)SC11)。在各個(gè)筒中裝入大約20毫升2,3-二氫全氟戊烷。將各個(gè)筒水平翻滾3分鐘。然后將2,3-二氫全氟戊烷從各個(gè)筒中倒入三個(gè)獨(dú)立的TraceClean⑧瓶。來(lái)自各個(gè)筒的用過(guò)的2,3-二氫全氟戊烷的吸光度在193納米下測(cè)量且結(jié)果顯示在下表l中。表1.<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>只于比例3SiloniteTM涂布的不銹鋼筒和閥獲自EntechInstruments,Inc.,SimiValley,California。將原樣SiloniteTM涂布的1升不銹鋼筒(零件糾l-29-61000L)和兩個(gè)SiloniteTM涂布的不銹鋼閥(零件#01-29-66200L)拆封，放入氮?dú)飧稍锵淝笆抑?，將手套箱的前室用氮?dú)獯祾呷巍iloniteTM不銹鋼零件和筒轉(zhuǎn)移到干燥箱中，在此將閥螺紋用Teflon⑧帶包裹并擰到Silonite不銹鋼筒的每一端中。通過(guò)閥之一加入大約20毫升在193納米下具有0.10吸光度的純化雙環(huán)己烷(BCH)。如下漂洗閥。在兩個(gè)閥均關(guān)閉的情況下，將SiloniteTM涂布筒內(nèi)的純化BCH搖振，水平并垂直翻滾3分鐘。然后從筒中提取純化BCH并測(cè)量其吸光度。以相同方式使用另外兩次20毫升純化BCH漂洗。結(jié)果顯示在下表2中。表2.<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>在此對(duì)比例中，評(píng)測(cè)Hoke⑧樣品筒和零件對(duì)最初潔凈的流體的吸光度的影響。需要8次漂洗來(lái)使這些筒足夠潔凈。當(dāng)離開(kāi)該筒的流體在193納米下的光學(xué)吸光度與送入該筒之前的初始純化流體相同時(shí)，該筒被確定為"足夠潔凈"。將新的1升Hoke⑧不銹鋼筒，HD022,兩個(gè)Hoke㊣不銹鋼球閥7122G4Y/HPS-18,和兩個(gè)不銹鋼'/2，，mnptx%"管接頭，4AM8316/HPS-18拆封，然后放入氮?dú)飧稍锵淝笆抑?。由制造商將零件清潔以用于氧環(huán)境(oxygenservice)。在排空室內(nèi)空氣然后用氮?dú)獯祾咔笆?次后，將零件轉(zhuǎn)移到干燥箱中。將接頭用TeflonPTFE帶包裹，然后擰到該筒的每一端中。將不銹鋼球閥上的W，壓接頭連接到該筒中各接頭的W，管端上。然后在裝配好的筒中裝入大約20毫升原樣VertrelXF2,3-二氬全氟戊烷。在兩個(gè)閥均關(guān)閉的情況下，將筒內(nèi)的2，3-二氫全氟戊烷搖振，水平并垂直翻滾3分鐘。然后從筒中提取2,3-二氫全氟戊烷。以相同方式使用另外兩個(gè)2,3-二氫全氟戊烷等分試樣。然后將大約20毫升純化雙環(huán)己烷(BCH)倒入該筒，搖振并翻滾3分鐘。然后從筒中提取BCH并測(cè)量其吸光度。8次連續(xù)雙環(huán)己烷漂洗的吸光度結(jié)果顯示在下表3中。表3.BCH純化的吸光度對(duì)照0.09第一次漂洗0.29第二次漂洗0.20笫三次漂洗0,14第四次漂洗0.19第五次漂洗0.14第六次漂洗0.11第七次漂洗0.10第八次漂洗0.10實(shí)施例11A.含氟聚合物袋子使用最初用VertrelXF漂洗然后用KimwipesEX-L紙巾擦干的新的刀片將2密耳厚TeflonPFA和1密耳厚TeflonFEP薄膜的小樣品原樣切成三角形或正方形。在將樣品》文入20毫升TmceClean⑧并瓦之前還使用紙巾擦拭薄膜樣品。然后在瓶中加入吸光度為0.1073的雙環(huán)己烷，使TeflonPFA和FEP樣品被完全浸沒(méi)。第二天早晨，從瓶中回收雙環(huán)己烷并測(cè)量吸光度，結(jié)果顯示在下表4中。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>如上述實(shí)施例1A中那樣測(cè)試來(lái)自DuPontFluoroproducts(E.I.DuPontdeNemoursandCompany,WilmingtonDE,USA)的TeflonPFA袋子，結(jié)果顯示在下表5中。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage19</column></row><table>實(shí)施例2蒸汽清潔新的2.25升Hoke不銹鋼筒體并通過(guò)吹入N2來(lái)干燥。在裝配之前，將處理過(guò)的筒體和針閥用曱醇、丙酮洗滌，然后用N2吹干。然后用VertrelXF2,3-二氫全氟戊烷的三個(gè)60毫升等分試樣和吸光度為0.12的純化環(huán)己烷的兩個(gè)60毫升等分試樣(根據(jù)美國(guó)專利申請(qǐng)11/141,285中公開(kāi)的方法提純)，然后用純化雙環(huán)己烷(吸光度=0.073)的六個(gè)20毫升等分試樣漂洗裝配好的不銹鋼筒。沖洗流體的吸光度顯示在表6中。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>實(shí)施例3制造商預(yù)清潔的SC-llSwagelock筒用VertrelXF按照對(duì)比例3中的方式漂洗三次。結(jié)果顯示在表7中。表7.<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table>實(shí)施例4將四個(gè)新的l升Swagelok⑧不銹鋼筒，SS-HDF8-1000-SC11與各兩個(gè)Swagelok不銹鋼波紋管閥SS-4H-SC11和兩個(gè)不銹鋼'/2"m叩tx%"管接頭SS-4-1-8-SC11(均由制造商保證用于氧環(huán)境(oxygenservice))如前述實(shí)施例中那樣放入氮?dú)飧稍锵淝笆抑?。將接頭用Teflon⑧帶包裹，然后檸到Swagelok⑧筒的每一端中。將波紋管閥上的％"壓接頭連接到該筒中各接頭的％"管端上。在裝配好的筒中裝入大約20毫升吸光度為0.10的2,3-二氫全氟戊烷。在兩個(gè)閥均關(guān)閉的情況下，將筒內(nèi)的2,3-二氫全氟戊烷搖振，水平并垂直翻滾3分鐘。然后從筒中提取2,3-二氫全氟戊烷。在完成三次2,3-二氫全氟戊烷漂洗后，使該筒在干燥箱中干燥。然后向筒中倒入大約20毫升純化的外式四氳雙環(huán)戊二烯，搖振并翻滾3分鐘。從筒中提取外式四氫雙環(huán)戊二烯并測(cè)量其吸光度，結(jié)果概括在下表9、10、11和12中。進(jìn)行新鮮外式四氫雙環(huán)戊二烯漂洗和吸光度測(cè)量直至漂洗物的吸光度的值在試驗(yàn)誤差內(nèi)與對(duì)照物相同。<table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table>表11<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>實(shí)施例5在氮?dú)獯祾咄鈿ぶ械牧鲃?dòng)槽系統(tǒng)中，用193納米激光照射樣品。在液體通過(guò)光電池多次時(shí)，用193納米ArF激基締合物激光器照射樣品。按需要對(duì)流體施加氮?dú)鈮阂詫?shí)現(xiàn)25至33毫升/秒的流速。激光在400Hz(每秒400激光脈沖，脈沖持續(xù)時(shí)間為20納秒)下工作并具有0.6mJ/cm2至0.9mJ/cn^的能量密度和10毫米的激光點(diǎn)大小。光電池具有熔凝硅石窗并與HarrickScientificCorp.DemountableLiquidCell型號(hào)DLC-M13(HarrickScientificCorporation88BroadwayOssining,NY)相當(dāng)。窗口相距1毫米并具有10毫米的開(kāi)孔以匹配激光束尺寸。照射下的流體為1毫米厚。實(shí)施例5A十氫化萘吸光度為0.32cm"的十氫化萘樣品(根據(jù)美國(guó)專利申請(qǐng)11/141,285中公開(kāi)的方法提純)以25至33毫升/秒通過(guò)該電池5次。使用0.6mJ/cm2的激光能量密度，對(duì)于這五次連續(xù)通過(guò)，每次賦予流體240焦耳/平方厘米的劑量。這在100分鐘實(shí)驗(yàn)持續(xù)期間產(chǎn)生1200焦耳/平方厘米的總劑量。在照射后回收十氳化萘樣品并發(fā)現(xiàn)具有0.66的吸光度。使該流體通過(guò)硅力交柱，該柱剛通過(guò)在500。C下加熱2小時(shí)來(lái)活化，這將吸光度降至在193納米下0.31。這些結(jié)果概括在下表12中。<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>實(shí)施例5B雙環(huán)己烷吸光度為0.09/cm的雙環(huán)己烷樣品以33平方厘米/秒通過(guò)該電池5次。使用0.9mJ/cn^的激光能量密度，對(duì)于這五次連續(xù)通過(guò)，每次產(chǎn)生830焦耳/平方厘米的劑量。這在190分鐘實(shí)驗(yàn)持續(xù)期間產(chǎn)生4100焦耳/平方厘米的總劑量。在照射后回收雙環(huán)己烷樣品并發(fā)現(xiàn)在193納米下具有0.27的吸光度。使雙環(huán)己烷通過(guò)硅膠柱，該柱剛通過(guò)在500。C下加熱2小時(shí)來(lái)活化。這將吸光度降至0.09。這些結(jié)果概括在下表13中。表13<table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>實(shí)施例6A.外式四氫雙環(huán)戊二烯的制備通過(guò)將40毫升中性氧化鋁(MPBiomedicals目錄02084)和40毫升13X分子篩(Aldrich目錄208647)在管中在500。C下在空氣流下加熱2小時(shí)來(lái)制備剛活化的吸附劑。停止空氣流，將空氣換成氮?dú)?，并將該管密封和冷卻。在氮?dú)馐痔状械牟ＡV柱中，加載氧化鋁作為底層并加載13X篩作為上層。外式四氫雙環(huán)戊二烯的鼓(drum)獲自DixieChemicals。使用輕微真空將鼓狀外式四氳雙環(huán)戊二烯吸入色譜柱底部，在柱中液面與13X篩填料頂部大致水平時(shí)停止。然后使該柱在氮?dú)馐痔状斜３譂駶?rùn)過(guò)夜。第二天早晨，從柱頂加入新鮮的鼓狀外式四氫雙環(huán)戊二烯直至收集下表14中所示的六個(gè)級(jí)分。表14.<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>B.通過(guò)在空氣中加熱至500。C來(lái)清潔不銹鋼將新的1升不銹鋼Hoke⑧筒(零件號(hào)8HD1000)和兩個(gè)不銹鋼塞在500。C空氣爐中加熱15小時(shí)。切斷該爐，并將該筒和塞子冷卻至大約200。C。將熱的筒和塞子從爐中取出并使其進(jìn)一步冷卻。一旦該筒降回大約100°C,將兩個(gè)不銹鋼塞用指壓擰到該筒的兩端中。一回到室溫，就將該筒轉(zhuǎn)移到氮?dú)馐痔状胁⒁瞥讳P鋼塞之一。排空手套袋并用氮?dú)馓畛渌拇?。?0毫升外式四氫雙環(huán)戊二烯樣品(上述實(shí)施例6A,級(jí)分#2,吸光度=0.157)倒入該筒的開(kāi)口端。將側(cè)靠在手套袋內(nèi)的該筒360°旋轉(zhuǎn)兩次，然后放置10分鐘。將該筒再旋轉(zhuǎn)360。，然后從該筒開(kāi)口端中倒出20毫升外式四氫雙環(huán)戊二烯到VWRTraceClean⑧管瓶中。管瓶中流體的吸光度為0.113。在氮?dú)馐痔状欣^續(xù)工作，然后在該筒的開(kāi)口端上裝配含氟聚合物閥首先連接Teflon陽(yáng)過(guò)渡襯套(零件號(hào)T-400-1-8,PennFluidSystemsTechnologies)，其將該筒上的1/2，，管開(kāi)口與％"管材相連，然后連接數(shù)英寸長(zhǎng)的1/4，，ODX3/16"ID新(virgin)Teflon⑧管(MSCIndustrialSupply),最后在Teflon⑧管的另一端連接TeflonPFA球閥(零件號(hào)，PFA-4354BallValve9909H,PennFluidSystemsTechnologies)。將該筒以10分鐘為間隔再翻滾360。三次，然后放置過(guò)夜。第二天早晨，經(jīng)由含氟聚合物閥從該Hoke⑧筒中提取第二個(gè)20毫升外式四氬雙環(huán)戊二烯樣品。吸光度為0.173。實(shí)施例7將帶有開(kāi)放的W陰管螺紋末端的新的不銹鋼Hoke⑧筒(零件號(hào)8HD1000)和兩個(gè)不銹鋼塞在350。C空氣爐中加熱IO小時(shí)。在該爐及其內(nèi)容物冷卻至室溫后，將兩個(gè)塞子用指壓擰到該筒的末端中。將該筒轉(zhuǎn)移到氮?dú)馐痔状胁⒁瞥┒巳?。排空手套袋并用氮?dú)馓畛渌拇?。將一端的塞子擰回該筒中，然后將60毫升外式四氳雙環(huán)戊二烯(吸光度=0.213)倒入開(kāi)口端。將該筒一側(cè)平放在手套袋內(nèi)，360°旋轉(zhuǎn)，放置10分鐘，再旋轉(zhuǎn)360°,再放置10分鐘，最后旋轉(zhuǎn)360。。通過(guò)沒(méi)有塞子的一端從該筒中倒出大約20毫升外式四氫雙環(huán)戊二烯。該外式四氫雙環(huán)戊二烯現(xiàn)在具有0.170的吸光度。將第二個(gè)塞子擰到該筒中，并在接下來(lái)的5天內(nèi)使該筒側(cè)放在手套袋內(nèi)。在此期間最后，從該筒末端移除塞子并取出另外20毫升外式四氫雙環(huán)戊二烯樣品。該外式四氬雙環(huán)戊二烯現(xiàn)在具有0.123的吸光度。實(shí)施例8外式四氪雙環(huán)戊二烯的制備通過(guò)將40毫升中性氧化鋁(MPBiomedicals目錄02084)和40毫升13X分子篩(Aldrich目錄208647)在管中在500。C下在空氣流下加熱2小時(shí)來(lái)制備剛活化的吸附劑。停止空氣流，將空氣換成氮?dú)猓⒃摴苊芊夂屠鋮s。在氮?dú)馐痔状械牟ＡV柱中，加載氧化鋁作為底層并加載13X篩作為上層。使用輕微真空將外式四氫雙環(huán)戊二烯(實(shí)施例5A,級(jí)分#3,在193納米下的吸光度=0.186)吸入色譜柱底部，在柱中液面與13X篩填料的頂部大致水平時(shí)停止。然后使該柱在氮?dú)馐痔状斜３譂駶?rùn)過(guò)夜。第二天早晨，在該柱中首先裝入來(lái)自上述實(shí)施例5A的級(jí)分#4,然后級(jí)分#5，級(jí)分#6,最后按需要裝入新鮮的鼓狀外式四氫雙環(huán)戊二烯以如下表15中所示收集級(jí)分#7至#12。表15<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>清潔方法將新的Hoke⑧球閥(#7115F4Y)和針閥(#3732M41)拆卸，用丙酮漂洗，干燥并重新裝配。新的Hoke⑧不銹鋼筒(部件弁8HD1000)在一端裝配球閥并在另一端裝配針岡，在擰進(jìn)閥時(shí)使用TeflonTM帶。將該筒排空并填充40psig在氮?dú)庵械?5%氟，然后再排空至大約5spig在氮?dú)庵械?5%氟。在5psigF2/N2下在環(huán)境溫度下放置24小時(shí)后，將該筒用氮?dú)獯祾咭粋€(gè)半小時(shí)的時(shí)間，并在氮?dú)庀旅芊?。將該筒轉(zhuǎn)移到氮?dú)馐痔状?。擰開(kāi)針閥，并在該筒的開(kāi)口端中倒入60毫升外式四氫雙環(huán)戊二烯。該初始外式四氫雙環(huán)戊二烯的吸光度=0.114。重新加上針閥，并將該筒側(cè)放在手套袋中。使該筒旋轉(zhuǎn)360。，放置10分鐘，再旋轉(zhuǎn)360°,再放置10分鐘。然后經(jīng)由針閥提取出大約10毫升外式四氬雙環(huán)戊二烯，并發(fā)現(xiàn)具有0.131的吸光度，這在初始樣品的實(shí)驗(yàn)誤差內(nèi)。將該筒從手套袋中取出并在實(shí)驗(yàn)室臺(tái)上再平放18天。使該筒旋轉(zhuǎn)360°,放回氮?dú)馐痔状瑥脑撏仓腥〕鰯?shù)毫升外式四氬雙環(huán)戊二烯并棄置，然后通過(guò)針閥取出20毫升樣品。該樣品具有0.130的吸光度。相對(duì)于初始外式四氫雙環(huán)戊二烯，吸光度的提高沒(méi)有超出實(shí)驗(yàn)誤差。實(shí)施例9將大約80毫升不銹鋼蒸餾柱填料(Helipak3013,PodbielnakInc,Chicago,III.)在350。C下在空氣流下加熱8小時(shí)。將空氣流:換成氮?dú)獠⑻盍侠鋮s。一經(jīng)冷卻，將填料裝載到氮?dú)馐痔状械牟ＡV柱中。從柱頂加入80毫升外式四氫雙環(huán)戊二烯(吸光度=0.094),并使其流過(guò)直至液體剛開(kāi)始從底部流出。停止流動(dòng)并使該柱放置過(guò)夜。第二天早晨，在收集A/cm值為0.113至0.103的七個(gè)30毫升級(jí)分時(shí)，恢復(fù)流動(dòng)。在從柱底收集這七個(gè)30毫升級(jí)分(顯示在下表的第二欄中，例如"1/30毫升"是指收集的第一個(gè)30毫升級(jí)分")時(shí)，按需要從柱頂另外加載三個(gè)80毫升外式四氫雙環(huán)戊二烯樣品，具有O.ll、0.147和0.148的A/cm值，以保持流動(dòng)。結(jié)果概括在下表17中。從該表中可以看出，通過(guò)不銹鋼填料的外式四氫雙環(huán)戊二烯沒(méi)有表現(xiàn)出任何A/cm升高。在空氣中在350。C下烘焙不銹鋼8小時(shí)，由此提供沒(méi)有用193納米發(fā)色團(tuán)(chromophore)污染外式四氫雙環(huán)戊二烯的不銹鋼表面。表17<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>實(shí)施例10工藝設(shè)備清潔和流體泵送在如實(shí)施例11至15中所述裝配流體處理系統(tǒng)后，在與浸漬液一起使用之前清潔管道、閥和接頭。泵是帶有316不銹鋼和Teflon潤(rùn)濕部件的磁驅(qū)動(dòng)齒輪泵。通過(guò)泵從潔凈的玻璃燒杯中提取溶劑并加入該系統(tǒng)。通過(guò)系統(tǒng)閥收集流體以確保用每一溶劑洗滌所有區(qū)域。溶劑隨后離開(kāi)該系統(tǒng)并回到燒杯。該系統(tǒng)外部的所有臨時(shí)管道由Teflon⑧聚合物管材構(gòu)成。第一溶劑是來(lái)自安全罐的標(biāo)準(zhǔn)丙酮。去除的金屬粉塵在管中從系統(tǒng)構(gòu)造中離開(kāi)。接著，使用試劑級(jí)庚烷去除留在閥上的任何油脂/潤(rùn)滑劑。在這種清洗過(guò)程中，各個(gè)閥循環(huán)許多次以確保沒(méi)有油脂截留在旋轉(zhuǎn)組裝件中。在庚烷后，使試劑級(jí)丙酮循環(huán)以去除任何殘留庚烷和油脂。此后是甲醇，最后是2,3-二氬全氟戊烷。由500-600毫升溶劑構(gòu)成的各個(gè)沖洗液(flush)在大約1升最大容積系統(tǒng)中循環(huán)20-30分鐘。在2,3-二氬全氟戊烷洗滌后，但不在每一溶劑之間，使用氮?dú)鈱⒃撓到y(tǒng)干燥。作為該系統(tǒng)的最終漂洗和試-瞼，將規(guī)范外(offspec)浸漬液僅泵送通過(guò)該系統(tǒng)的通常潤(rùn)濕部件(所有其它溶劑沖過(guò)氮?dú)夤艿篮屯ǔ?rùn)濕部件)。將吸光度0.8/cm的Trace-Clean⑧流體瓶連接到齒輪泵的抽吸側(cè)上并保持在氮?dú)鈱酉?。使用泵將流體抽出供應(yīng)瓶并通過(guò)該系統(tǒng)的通常潤(rùn)濕部件推到250毫升Trace-Clean瓶中。在每個(gè)瓶中裝入50-75毫升流體，且各自恢復(fù)到0.78-0.79/cm的吸光度。實(shí)施例11活性再循環(huán)成套構(gòu)造和在線吸光度分析通過(guò)下列方法創(chuàng)建活性再循環(huán)套件(ARP)。將活化二氧化硅(28-200目，40A孑L隙)裝入使用"ProcessEquipmentCleaningandFluidPumping"中所述的方法清潔的150毫升304SSHoke⑧筒。在各筒的末端連接15微米孔徑大小的在線不銹鋼過(guò)濾器SwagelokModelSS-F4W5-15以保持二氧化硅包含在其中。在每一過(guò)濾器上連接無(wú)潤(rùn)滑劑的1/4，，Hoke⑧球閥，型號(hào)7122G4YU以便在從循環(huán)系統(tǒng)中移除的同時(shí)隔離活化床和防止接觸空氣。將二氧化硅在管式爐中在500-515。C的床溫下活化。爐溫通常根據(jù)氣體流速再高100-150°C。在焙燒程序的前2小時(shí)，所用氣體是壓縮空氣。在2小時(shí)最后，將吹掃氣體換成氮?dú)?。在切斷該爐并開(kāi)始冷卻之前，氮?dú)庠诖藴囟认铝鲃?dòng)10-15分鐘。一旦該系統(tǒng)^f氐于IO(TC,小心地用閥將該管隔離以防止活化二氧化硅的空氣暴露。然后將其移到氮?dú)飧稍锵渲校诖丝梢詫⒍趸曓D(zhuǎn)移到ARP中。一旦填充和密封，將該筒從干燥箱中取出并裝配到泵送系統(tǒng)中以實(shí)現(xiàn)浸漬液暴露。通過(guò)不銹鋼和Teflon磁驅(qū)動(dòng)齒輪泵從氮?dú)獯祾叩暮圹E潔凈(traceclean)瓶中抽出abs/cm為1.45的浸漬液供應(yīng)品。泵Tuthill型號(hào)BMM9862MCX隨后將流體向上推過(guò)垂直安裝的ARP。來(lái)自ARP的流體流過(guò)來(lái)自O(shè)ceanOptics的在線UV分光計(jì)流量計(jì)。附接的分光計(jì)是型號(hào)USB2000,光源是Mini-D2T,兩者均來(lái)自O(shè)ceanOptics。該流體隨后進(jìn)入一組氮?dú)獯祾叩暮圹E潔凈瓶。這些瓶子用于提取流出物級(jí)分進(jìn)行分析。表18顯示了每一級(jí)分的193.4納米吸光度分析結(jié)果。第一樣品是供應(yīng)流體。樣品2是流經(jīng)沒(méi)有安裝ARP的系統(tǒng)的流體。樣品3至6是流經(jīng)ARP的流出物的級(jí)分。數(shù)據(jù)表明，浸漬液未優(yōu)化地初次通過(guò)活化二氧化硅填充床將從該系統(tǒng)中去除吸收的雜質(zhì)。床的效力隨著流體通過(guò)該床的次數(shù)而降^[氐，但在流體通過(guò)該床4次后，該系統(tǒng)仍然有效地潔凈。在線分光計(jì)產(chǎn)生的數(shù)據(jù)與每一級(jí)分的離地(ex-situ)測(cè)量相符并驗(yàn)證了監(jiān)測(cè)ARP性能的方法。表18<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>實(shí)施例12帶有泵和氮?dú)鈬婌F器的供應(yīng)和返回系統(tǒng)開(kāi)發(fā)出使與曝光單元一起使用的浸漬液再循環(huán)的供應(yīng)和返回系統(tǒng)。所述曝光單元可以對(duì)周圍氣氛封閉或開(kāi)放。該供應(yīng)和返回系統(tǒng)利用氮?dú)饧訅旱臉悠吠惨员銓⒘黧w分配到曝光單元中并利用磁驅(qū)動(dòng)齒輪泵以便將流體送回該筒。對(duì)于該系統(tǒng)的工藝流程圖，參見(jiàn)圖1。齒輪泵、構(gòu)造材料和閥類型與實(shí)施例11中的那些具有類似的設(shè)計(jì)。除了圖1中所示的元件外，還在儲(chǔ)存筒上增加氮?dú)鈬婌F單元以去除溶解的氧氣。儲(chǔ)存筒隨后充當(dāng)沉降槽以使流體脫氣。在新構(gòu)成的系統(tǒng)中加入吸光度為0.146cm-1的雙環(huán)己烷并在不存在活性再循環(huán)套件的情況下循環(huán)。在該系統(tǒng)中循環(huán)后，流體吸光度升至0.172cm人然后在如實(shí)施例11中所述構(gòu)成的活性再循環(huán)套件中安裝閥門(mén)以清潔該系統(tǒng)。所得流體的吸光度為0.105cm-1。在循環(huán)和活性再循環(huán)使用期間，運(yùn)行噴霧器以從流體中去除任何殘留氧，這有助于該活性再循環(huán)套件降低流體吸光度。實(shí)施例13浸漬液精制(finishing)和筒清潔系統(tǒng)開(kāi)發(fā)出流體處理系統(tǒng)以使浸漬液再循環(huán)通過(guò)更大的活性再循環(huán)套件，由此能夠在雙環(huán)己烷中容易地實(shí)現(xiàn)低于O.IO厘米"的吸光度。該系統(tǒng)包括如實(shí)施例11和14中的用于儲(chǔ)存凈化的流體并可以裝配到曝光裝置中的可替換樣品筒。該系統(tǒng)如圖l中所示構(gòu)造，其中將曝光單元換成可互換的樣品筒。新的或用過(guò)的筒將污染物引入浸漬液，通過(guò)兩個(gè)活性再循環(huán)套件之一去除污染物直至流體達(dá)到所需吸光度性能。兩個(gè)再循環(huán)套件并聯(lián)安裝以便在不使系統(tǒng)停工的情況下從用過(guò)的床切換到新的床。各活性再循環(huán)套件如實(shí)施例11中所述構(gòu)造，只是筒尺寸增至2.25升以適應(yīng)更長(zhǎng)的床壽命。已經(jīng)將初始吸光度高達(dá)9.2厘米"的雙環(huán)己烷裝載到該系統(tǒng)中并凈化至低于0.10厘米"的平均吸光度。在安裝新的活性再循環(huán)套件之后典型的流體吸光度小于0.60厘米"并低至0.041厘米"。^t比例A使用與圖1中所示類似的系統(tǒng)(在1升304SS儲(chǔ)存筒儲(chǔ)器的出口處增加了氮?dú)鈬婌F器)使雙環(huán)己烷在空氣中暴露在193納米紫外光中。儲(chǔ)器用氮?dú)鉀_洗。如上所述凈化該系統(tǒng)。在該系統(tǒng)中裝入500毫升abs/cm為0.109的雙環(huán)己烷。在2"x熔凝硅石窗和聚四氟乙烯頂涂層覆蓋的硅片之間存在2毫米間隙。硅片上不存在光致抗蝕劑。雙環(huán)己烷從儲(chǔ)器筒經(jīng)管道流入該間隙，然后經(jīng)由連接到循環(huán)泵的抽吸側(cè)上的真空環(huán)從該間隙中返回。流體輸送法的詳情如圖4中所示。為了控制流體壓頭下方的彎月面，抽吸速率是流體供應(yīng)速率的大約5倍快，這導(dǎo)致空氣與循環(huán)的雙環(huán)己烷一起返回。Tuthill型號(hào)DGS.llEEETlNNOVOOO泵將空氣/雙環(huán)己烷混合物推送回儲(chǔ)存筒，在此噴霧裝置用氮?dú)鈱⒖諝鈴耐渤隹谥脫Q出來(lái)。該系統(tǒng)的總流體流速為大約60毫升/分鐘。使用CoherentOptexPro193nm激基締合物激光器制造在100Hz下的0.40mJ/cm2uV光。引導(dǎo)該光穿過(guò)1平方厘米光圏，充當(dāng)窗的熔凝硅石透鏡、流動(dòng)的雙環(huán)己烷層，直至頂涂層覆蓋的硅片上。該裝置的光成像段如圖3中所示。流體總共曝光2小時(shí)。經(jīng)過(guò)該時(shí)間，雙環(huán)己烷在193納米下的吸光度從0.109厘米"升至0.155厘米"r。總曝光劑量為306J。從光成像段的間隙中提取雙環(huán)己烷樣品，并使用上述VUV-VASE分光計(jì)測(cè)定吸光度。對(duì)比例A表明，借助流體處理系統(tǒng)(其中流體暴露在激光輻射下，但不使用ARP),光學(xué)吸光度的升高速率高于本發(fā)明的方法，在本發(fā)明的方法中，觀察到光學(xué)吸光度的降低的升高速率。實(shí)施例14在完成對(duì)比例A中的306J曝光后，調(diào)節(jié)閥以將流體從泵引向圖2中所示的吸附劑床和過(guò)濾器(ARP),其中流動(dòng)和激光曝光均不中斷。但是，沒(méi)有安裝在線分光光度計(jì)。將二氧化硅(28-200目，40A孔隙)在管式爐中在350。C下在空氣中活化2小時(shí)，此后引入氮?dú)獯祾邭怏w。在切斷該爐并使?fàn)t中的二氧化硅冷卻之前，氮?dú)庠诖藴囟认铝鲃?dòng)10-15分鐘。當(dāng)管冷卻至低于IO(TC時(shí)，將其用預(yù)清潔的閥隔離以防止由此活化的二氧化硅的空氣暴露。然后將其移到干燥箱中以載入圖2的系統(tǒng)中。在干燥箱中，將活化二氧化硅填入之前如實(shí)施例11中所述的150毫升304SSHoke筒。在筒的每一端設(shè)置15微米在線不銹鋼過(guò)濾器(Swagelok型號(hào)SS-F4W5-15)。在每一過(guò)濾器上連接無(wú)潤(rùn)滑劑的WHoke球閥，型號(hào)7122G4YU。使雙環(huán)己烷在激光脈沖下再曝光2小時(shí)。如對(duì)比例A中所示，切換到吸附劑和過(guò)濾器上時(shí)，雙環(huán)己烷表現(xiàn)出0.155厘米"的吸光度。在切換的20分鐘內(nèi)，吸光度降至0.092厘米"，并在40分鐘時(shí)降至0.090厘米—1。在40分鐘后，觀察到吸光度以0.012厘米"小時(shí)"的平均速率升高。追加287J輻射后的吸光度為0.106厘米"。在空氣中在193納米光下的593J總曝光之前，流體吸光度恢復(fù)并保持。實(shí)施例15使用圖3中所示的裝置進(jìn)行接觸光刻法，其包含193納米OptexProArF激基締合物激光器(CoherentInc.,SantaClara,CA)、型號(hào)D200Scientech(Boulder，Colorado)光功率計(jì)、圖2中所示的流體供給和返回系統(tǒng)，包括圖4中所示的環(huán)形流體供應(yīng)裝置，其包括安裝在24"(61厘米)x18"(46厘米)光學(xué)平臺(tái)(NewportCorp.,IrvineCA)上的50毫米直徑x10毫米厚uv-級(jí)熔凝硅石透鏡。將該光學(xué)裝置放置在氮?dú)獯祾哌^(guò)的配有痕量氧分析器和濕度探針(VACIndustries)的Nexus氮?dú)飧稍锵?VACIndustries,HawthorneCA)中。浸漬液是如上所述制成的雙環(huán)己烷。試樣浸在雙環(huán)己烷中2毫米深。Tefloi^供給和返回管道從干燥箱內(nèi)的光成像段(圖2)通向干燥箱外部的再循環(huán)系統(tǒng)(圖2中的系統(tǒng)的其余部分)。使用50毫米直徑x10毫米厚f-二氧化硅分束器以45。角將激光如圖3中所示引向耙表面，使激光束在垂直向下引導(dǎo)之前橫穿大約12"的距離。輩巴表面是安裝在鋁支架上的IOO毫米直徑x0.5毫米厚硅片。支架安裝在軌道上以使樣品組裝件可以水平移動(dòng)。如所示在光束路徑中安置手動(dòng)控制的快門(mén)以控制激光曝光時(shí)間。將在中心帶有0.5x0.5厘米機(jī)械加工開(kāi)孔的鋁光圈擋板9厘米x9厘米x0.3厘米放在光束路徑中以選擇用于光刻加工的光束的最均勻截面0.25平方厘米。如所示，使用Scientech功率計(jì)測(cè)量每單位面積的總曝光能量。監(jiān)測(cè)通常0.1毫焦耳/平方厘米的一致能量后，將樣品支架滑動(dòng)就位。樣品制備在YES-3Vapor國(guó)PrimeOven(YieldEngineeringCompany,SanJoseCA)中在單晶硅片(Wafernet,Inc.,SanJoseCA,100毫米直徑x0.5毫米厚，在一側(cè)上拋光并具有大約2毫米厚的天然氧化物層)上涂布用作光致抗蝕劑的增粘層的六曱基二硅氮烷(HMDS)(ArchChem.Ind,No酒lk,CT)層。使用CEE型號(hào)100CBSpinner/Hotplate(BrewerScienceInc.,DerbyEngland)在晶片上旋涂光致抗蝕劑聚合物。光致抗蝕劑是1)四氟乙烯(TFE)，2)降水片烯氟代醇(NBFOH),和3)下列結(jié)構(gòu)所示的丙烯酸叔丁酯(t-BAc)的三元共聚物<image>imageseeoriginaldocumentpage33</image>該聚合物如A.E.Feiring等人，"DesignofVeryTransparentFluoropolymerResistsforSemiconductorManufactureat157nm"JournalofFluorineChemistry,122,11-16,(2003)中所述通過(guò)4吏用過(guò)氧化二碳酸酯引發(fā)劑和氬氟烴溶劑的自由基溶液聚合法制備。光致抗蝕劑聚合物組成是33%四氟乙烯、43%NBFOH和24%t-BA。制成的光致抗蝕劑的旋涂溶液由溶解在2-庚酮溶劑中的15重量％光致抗蝕劑聚合物構(gòu)成，其中另外存在2重量％充當(dāng)光酸生成劑(PAG)的全氟丁基磺酸三苯基锍(TPS-Nf)和0.2重量％充當(dāng)對(duì)比度增強(qiáng)基礎(chǔ)添加劑的乳酸四丁基銨(TBALac)。重量百分比是按包括旋涂溶劑重量的總重量計(jì)。抗蝕劑配制和加工的詳情公開(kāi)在如前所述的M.K.Crawford等人，"SingleLayerFluoropolymerResistsfor157nmPhotolithographyat157nmexposurewavelength",AdvancesinResistTechnologyandProcessingXVIII，SPIEVol.5039,(2003)以及A.E.Feiring等人中。通過(guò)0.2微米聚四氟乙烯注射器將大約1毫升如此制成的光致抗蝕劑溶液分配到HMDS蒸氣預(yù)涂的晶片上，并將該晶片以2500rpm在空氣中旋涂60秒，然后在150。C下進(jìn)行抗蝕劑的涂施后焙燒(PAB)60秒。目測(cè)光致抗蝕劑薄膜并使用Filmetrics薄膜厚度儀(FilmetricsInc.,SanDiegoCA)測(cè)量各個(gè)薄膜的厚度。將1毫升TeflonAF1601液體聚合物(E.I.DuPontdeNemoursandCompany,WilmingtonDE)分配到光致抗蝕劑涂布的晶片上并將該晶片以2500rpm旋轉(zhuǎn)1分鐘。然后將樣品轉(zhuǎn)移到VAC干燥箱中并置于樣品支架中。使用SPI銅TEM格柵(SPIInc.WestChesterPA.),3毫米直徑x50目，具有500微米的側(cè)向周期性和100微米的線寬，通過(guò)將格柵端對(duì)端地放置在光束曝光路徑中的整個(gè)晶片上，形成接觸掩模。通過(guò)位于制成的硅片上的圖4的環(huán)形裝置分配雙環(huán)己烷，將涂有光致抗蝕劑的晶片浸入大約2毫米的流體深度。雙環(huán)己烷填充透鏡和硅片之間的間隙，形成通過(guò)表面張力將液體保持就位的開(kāi)放彎月面。通過(guò)沿著安裝在光學(xué)平臺(tái)上的滑軌移動(dòng)'/2厘米增量，將晶片物理轉(zhuǎn)移到曝光區(qū)域中以實(shí)施連續(xù)曝光，由此提供一系列劑量遞增的V^厘米條帶。在曝光后，將雙環(huán)己烷通過(guò)流體返回面泵送回儲(chǔ)槽，然后移除接觸掩模。然后將曝光過(guò)的晶片從VAC干燥箱中移出并在CEE型號(hào)100CBHotplate上在空氣中在135。C下曝光后焙燒60秒。然后在CEE型號(hào)100CB旋轉(zhuǎn)器上通過(guò)在晶片上表面上分配大約1毫升FC-75溶劑，然后將晶片在空氣中以2500rpm旋轉(zhuǎn)60秒來(lái)旋轉(zhuǎn)清潔晶片，由此去除頂涂層。然后使用ShipleyLDD畫(huà)26WDeveloper(ShipleyCompany,L丄.C.,MarlboroughMA),通過(guò)在顯影劑中在室溫下在空氣中浸漬60秒，使曝光的光致抗蝕劑顯影。接著，將樣品在去離子(D丄)水中浸漬10至15秒，從水浴中移出，用D丄水噴霧漂洗，并用氮?dú)獯蹈?。目測(cè)和顯微鏡觀測(cè)干燥的樣品以測(cè)定接觸印刷劑量，ElDry,其是指在不存在浸漬液的情況下形成圖像所需的最小曝光能量，和接觸印刷劑量ElWet,其是指在存在給定浸漬液的情況下形成圖像所需的最小曝光能量。實(shí)施例15A如上所述制成的光致抗蝕劑層為260納米厚。如上所述在該光致抗蝕劑層上涂布頂涂層。頂涂層溶液通過(guò)將4.1重量％TeflonAF1601合并在FLUORINERTFC-75中來(lái)制備。頂涂層為200納米厚。然后如上所述在該晶片上覆蓋2毫米厚的雙環(huán)己烷層并暴露在193納米激光下。在這種情況下，雙環(huán)己烷在曝光過(guò)程中不流動(dòng)。將TEM銅格柵圖4象清楚地轉(zhuǎn)移到光致抗蝕劑上所需的Elwet-靜態(tài)曝光劑量據(jù)發(fā)現(xiàn)為3.2mJ/cm2。該圖像顯示在圖5中。實(shí)施例15B在此實(shí)施例中重復(fù)實(shí)施例15A的晶片制備和程序，只是浸漬液在曝光過(guò)程中以30毫升/分鐘流過(guò)噴頭組裝件。將TEM銅格柵圖像清楚地轉(zhuǎn)移到光致抗蝕劑上所需的ElWet-流動(dòng)曝光劑量據(jù)發(fā)現(xiàn)為3.6mJ/cn^。該圖像顯示在圖6中。權(quán)利要求1.一種裝置，其包括包含吸附劑段的潔凈的閉環(huán)流體輸送系統(tǒng)；過(guò)濾段；具有入口點(diǎn)的光成像段；為連接所述段而設(shè)置的管；為使流體經(jīng)過(guò)所述管流入和流出所述段而設(shè)置的泵；用于將流體輸入和移出所述光成像段的設(shè)備；和包含在該裝置中的液態(tài)烷烴，其中在其光成像段入口點(diǎn)處，所述液態(tài)烷烴在193納米處的吸光度小于0.40厘米"。2.權(quán)利要求l的裝置，進(jìn)一步包括脫氧段。3.權(quán)利要求l的裝置，進(jìn)一步包括脫氣段。4.權(quán)利要求l的裝置，其中所述過(guò)濾段位于所述吸附劑段下游。5.權(quán)利要求l的裝置，進(jìn)一步包括在線紫外分光光度計(jì)。6.權(quán)利要求1的裝置，其中液態(tài)烷烴選自環(huán)戊烷、環(huán)己烷、環(huán)庚烷、環(huán)辛烷、癸烷、十氫化萘外消旋物、順式十氳化萘、反式十氬化萘外消;旋物、外式四氫雙環(huán)戊二烯、l,l，-雙環(huán)己烷、2-乙基降水片烷、正辛基環(huán)己烷、十二烷、十四烷、十六烷、2-曱基戊烷、3-曱基戊烷、2,2-二甲基丁烷、2,3-二甲基丁烷、八氫化茚及其混合物。7.權(quán)利要求6的裝置，其中液態(tài)烷烴選自2-曱基戊烷、3-曱基戊烷、2,3-二甲基丁烷、2,2-二甲基丁烷、癸烷、十二烷、十四烷、十六烷、環(huán)己烷、環(huán)庚烷、環(huán)辛烷、2-乙基降水片烷、八氫化茚、雙環(huán)己烷、十氪化萘、外式四氫雙環(huán)戊二烯及其混合物。8.權(quán)利要求7的裝置，其中液態(tài)烷烴選自雙環(huán)己烷、十氫化萘、外式四氫雙環(huán)戊二烯及其混合物。9.權(quán)利要求1的裝置，其中所述液態(tài)烷烴在193納米下的吸光度為0.22厘米'1。10.權(quán)利要求l的裝置，其中所述液態(tài)烷烴在193納米下的吸光度為<0.15厘米人11.權(quán)利要求l的裝置，其中吸附劑選自3A分子篩、4A分子篩、5A分子篩、13X分子篩、二氧化硅、中性氧化鋁、堿性氧化鋁、酸性氧化鋁、活性炭及其組合。12.權(quán)利要求ll的裝置，其中吸附劑是活化的。13.權(quán)利要求l的裝置，其中吸附劑段是色譜柱。14.權(quán)利要求2的裝置，其中脫氧段是膜式脫氣器。15.權(quán)利要求l的裝置，其中光成像段是光刻系統(tǒng)。16.權(quán)利要求15的裝置，其中光刻系統(tǒng)包括包含光學(xué)元件的光學(xué)照明系統(tǒng)，設(shè)置成被所述光學(xué)照明系統(tǒng)依圖像照射的光阻表面，在光學(xué)元件和光阻表面之間的間隙，和填充光學(xué)元件與所述光阻表面之間的間隙的所述液態(tài)烷烴。17.權(quán)利要求16的裝置，其中光學(xué)照明系統(tǒng)包括193納米光源。18.權(quán)利要求16的裝置，其中光學(xué)照明系統(tǒng)包括多個(gè)光學(xué)元件。19.權(quán)利要求l的裝置，其中光成像段包括光學(xué)步進(jìn)器。20.進(jìn)行液體浸漬光刻的方法，包括提供潔凈的閉環(huán)流體輸送系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括吸附劑段、過(guò)濾段、光成像段、為連接所述段而設(shè)置的管、為使流體在該系統(tǒng)內(nèi)流動(dòng)而設(shè)置的泵、用于將流體輸入和移出光成像段的設(shè)備；和從流體中吹出吸收的氣體的設(shè)備；將193納米下吸光度O.40厘米"的液態(tài)烷烴引入光成像段；將液態(tài)烷烴設(shè)置于光源和被光源依圖像照射的表面之間；使該液態(tài)烷烴從光成像段經(jīng)管道流向吸附劑段；任選通過(guò)從液態(tài)烷烴中吹出吸收的氧氣來(lái)將液態(tài)烷烴脫氧；使該液態(tài)烷烴與吸附劑接觸，接觸后的液態(tài)烷烴在所述接觸后在193納米下的吸光度O.40厘米"；并使接觸后的液態(tài)烷烴從吸附劑段流向所述光成像段。21.權(quán)利要求20的方法，其中所述的用于吹洗吸收的氣體的設(shè)備包括膜式脫氣器。22.權(quán)利要求20的方法，其中所述脫氧包括由惰性氣體噴射所述烷烴。23.權(quán)利要求20的方法，其中所述過(guò)濾段位于所述吸附劑段下游。24.權(quán)利要求20的方法，其中所述流體輸送系統(tǒng)進(jìn)一步包括在線紫外分光光度計(jì)。25.權(quán)利要求20的方法，其中在所述流體輸送系統(tǒng)中，所述液態(tài)烷烴選自環(huán)戊烷、環(huán)己烷、環(huán)庚烷、環(huán)辛烷、癸烷、十氫化萘外消旋物、順式十氫化萘、反式十氳化萘外消旋物、外式四氫雙環(huán)戊二烯、l,l，-雙環(huán)己烷、2-乙基降水片烷、正辛基環(huán)己烷、十二烷、十四烷、十六烷、2-甲基戊烷、3-甲基戊烷、2,2-二甲基丁烷、2,3-二曱基丁烷、八氬化茚及其混合物。26.權(quán)利要求25的方法，其中在所述流體輸送系統(tǒng)中，所述液態(tài)烷烴選自2-曱基戊烷、3-曱基戊烷、2,3-二甲基丁烷、2,2-二甲基丁烷、癸烷、十二烷、十四烷、十六烷、環(huán)己烷、環(huán)庚烷、環(huán)辛烷、2-乙基降水片烷、八氫化茚、雙環(huán)己烷、十氫化萘、外式四氫雙環(huán)戊二烯及其混合物。27.權(quán)利要求26的方法，其中在所述流體輸送系統(tǒng)中，所述液態(tài)烷烴選自雙環(huán)己烷、十氫化萘、外式四氫雙環(huán)戊二烯及其混合物。28.權(quán)利要求20的方法，其中所述液態(tài)烷烴在193納米下的吸光度為<0.22厘米—、29.權(quán)利要求20的方法，其中所述液態(tài)烷烴在193納米下的吸光度為<0.15厘米人30.權(quán)利要求20的方法，其中在所述流體輸送系統(tǒng)中，吸附劑選自3A分子篩、4A分子篩、5A分子篩、13X分子篩、二氧化硅、中性氧化鋁、堿性氧化鋁、酸性氧化鋁、活性炭及其組合。31.權(quán)利要求20的方法，其中在所述流體輸送系統(tǒng)中，吸附劑是活化的。32.權(quán)利要求20的方法，其中在所述流體輸送系統(tǒng)中，吸附劑段為色譜柱的形式。33.權(quán)利要求21的方法，其中在所述流體輸送系統(tǒng)中，脫氧段為膜式脫氣器的形式。34.權(quán)利要求20的方法，其中在所述流體輸送系統(tǒng)中，光成像段是用于制造集成電子元件和光電路元件的光刻系統(tǒng)。35.權(quán)利要求34的方法，其中在所述流體輸送系統(tǒng)中，光刻系統(tǒng)包括包含光學(xué)元件的光學(xué)照明系統(tǒng)，設(shè)置成被所述光學(xué)照明系統(tǒng)依圖像照射的光阻表面，在所述光學(xué)元件和所述光阻表面之間的間隙，和填充36.權(quán)利要求35的方法，其中在所述流體輸送系統(tǒng)中，光學(xué)照明系統(tǒng)進(jìn)一步包括193納米光源。37.權(quán)利要求35的方法，其中在所述流體輸送系統(tǒng)中，光學(xué)照明系統(tǒng)進(jìn)一步包括多個(gè)光學(xué)元件。38.權(quán)利要求20的方法，其中光成像段包括光學(xué)步進(jìn)器。39.清潔金屬表面的方法，包括使金屬表面與元素氟氣接觸1至48小時(shí)，以致浸漬液與清潔過(guò)的金屬表面的隨后接觸使所述液體的A/cm提高小于0.02厘米"。40.權(quán)利要求39的方法，其中金屬是不銹鋼。41.權(quán)利要求39的方法，其中以氮?dú)庵?至50。/oF2使用氟氣。42.權(quán)利要求39的方法，其中接觸進(jìn)行大約12小時(shí)。43.權(quán)利要求39的方法，其中以氮?dú)庵?5。/。F2使用氟氣。44.清潔金屬表面的方法，包括在空氣中將該金屬表面加熱至350-500。C下4至24小時(shí)的時(shí)間段，以致浸漬液與該表面的隨后接觸使所述流體的A/cm提高小于0.02厘米人45.權(quán)利要求39的方法，其中金屬是不銹鋼。全文摘要本發(fā)明提供了潔凈的閉環(huán)流體輸送系統(tǒng)和再循環(huán)低吸光度液態(tài)烷烴的方法。該烷烴可有利地用作通過(guò)使用紫外線波長(zhǎng)的光刻法制造電子或集成光電路元件時(shí)的浸漬液。文檔編號(hào)G03F7/20GK101313251SQ200680043916公開(kāi)日2008年11月26日申請(qǐng)日期2006年9月8日優(yōu)先權(quán)日2005年11月23日發(fā)明者A·L·舍,D·J·阿德?tīng)柭?M·F·萊蒙,R·C·惠蘭,R·H·弗倫奇,晟彭申請(qǐng)人:納幕爾杜邦公司