專(zhuān)利名稱(chēng)：電子照相感光體和使用該感光體的電子照相成像設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子照相感光體(electrophotographic photoreceptor)和電子照相成像設(shè)備，更具體而言，涉及具有高光敏性和重復(fù)充電后具有良好穩(wěn)定性的電子照相感光體。本發(fā)明還涉及使用該電子照相感光體的成像設(shè)備。
背景技術(shù)：
酞菁化合物對(duì)于可見(jiàn)光到近紅外區(qū)域的光表現(xiàn)出良好的光電導(dǎo)性，因此作為光電材料而廣泛用于電子照相感光體或有機(jī)太陽(yáng)能電池的電荷產(chǎn)生材料。具有與氫分子鍵合的四價(jià)鈦原子作為主要金屬的鈦氧基酞菁化合物主要由于它們的良好光敏性和穩(wěn)定性而得以使用。
如同許多其他酞菁化合物一樣，鈦氧基酞菁化合物在室溫下具有多種晶型。
例如，美國(guó)專(zhuān)利US 4664997公開(kāi)一種在波長(zhǎng)約760nm處具有主吸收峰的鈦氧基酞菁晶體。該晶體類(lèi)型通常已知為β-型，在目前使用的鈦氧基酞菁晶體中具有最高穩(wěn)定性和最低光敏性。
美國(guó)專(zhuān)利US 4728592公開(kāi)一種在波長(zhǎng)約830nm處具有主吸收峰的α-型鈦氧基酞菁晶體。該α-型鈦氧基酞菁晶體的光敏性比β-型鈦氧基酞菁晶體的光敏性大1.5倍，這對(duì)于獲得高效電子照相感光體是有效的。
美國(guó)專(zhuān)利US 4898799公開(kāi)一種在X-射線(xiàn)衍射光譜中在27.3°的布拉格角(2θ)具有主吸收峰的酞菁晶體類(lèi)型。該晶體類(lèi)型通常被稱(chēng)為Y-型或γ-型，并在普通電場(chǎng)強(qiáng)度下具有90％或更高的高量子效率，在實(shí)踐中用于超高光敏性感光體。該Y-型晶體在長(zhǎng)波長(zhǎng)范圍內(nèi)表現(xiàn)出多個(gè)主吸收峰，一般在波長(zhǎng)約800nm和約850nm處具有吸收峰，并且它們的強(qiáng)度比可以根據(jù)制造條件而變化。該晶體類(lèi)型是準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)的，通過(guò)暴露在熱或機(jī)械壓力下或與溶劑接觸可能使其穩(wěn)定化，從而降低光敏性。而且還已知該晶體類(lèi)型在晶體結(jié)構(gòu)中包含水分子，因此其性質(zhì)根據(jù)環(huán)境濕度而改變。
此外，美國(guó)專(zhuān)利US 5252417還公開(kāi)一種從用一氯苯和水處理的無(wú)定形鈦氧基酞菁獲得的鈦氧基酞菁晶體。該鈦氧基酞菁晶體與Y-型鈦氧基酞菁晶體相似，在X-射線(xiàn)衍射光譜中在約27.3°的布拉格角(2θ)具有主吸收峰，但是其表現(xiàn)出不同的可見(jiàn)-紅外吸收光譜，因此在波長(zhǎng)約790nm處具有主吸收峰并在波長(zhǎng)約710nm處具有次吸收峰。
然而，當(dāng)使用這樣高敏感的鈦氧基酞菁電荷產(chǎn)生材料時(shí)，感光體的敏感性會(huì)提高，但這種提高可能不夠，因而應(yīng)適當(dāng)選擇要與鈦氧基酞菁電荷產(chǎn)生材料組合使用的電荷傳輸材料。當(dāng)電荷產(chǎn)生材料和電荷傳輸材料的組合不合適時(shí)，高光敏性的鈦氧基酞菁電荷產(chǎn)生材料不能適當(dāng)?shù)匕l(fā)揮其功能，因此即使當(dāng)使用高光敏性的鈦氧基酞菁電荷產(chǎn)生材料時(shí)，使用該電荷產(chǎn)生材料制造的電子照相感光體的光敏性也不足夠，和/或重復(fù)充電后感光體的穩(wěn)定性會(huì)迅速降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過(guò)恰當(dāng)使用具有新晶型的高光敏性鈦氧基酞菁而提供一種具有良好光敏性和重復(fù)穩(wěn)定性的電子照相感光體。
本發(fā)明還提供一種使用該電子照相感光體的電子照相成像設(shè)備。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，所提供的電子照相感光體包括導(dǎo)電基質(zhì)；和在該導(dǎo)電基質(zhì)上形成的光敏層，其中所述光敏層含有鈦氧基酞菁晶體和以下式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物，所述鈦氧基酞菁晶體在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在波長(zhǎng)780±10nm處具有主吸收峰并且在波長(zhǎng)690±10nm處具有強(qiáng)度為主吸收峰3/4或更低的次吸收峰[式1]
其中苯基和亞苯基的至少一個(gè)氫原子可以被C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所提供的電子照相成像設(shè)備包括電子照相感光體，包括導(dǎo)電基質(zhì)；和在該導(dǎo)電基質(zhì)上形成的光敏層，其中所述光敏層含有鈦氧基酞菁晶體和以下式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物，所述鈦氧基酞菁晶體在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在波長(zhǎng)780±10nm處具有主吸收峰，并且在波長(zhǎng)690±10nm處具有強(qiáng)度為主吸收峰3/4或更低的次吸收峰[式1] 其中苯基和亞苯基的至少一個(gè)氫原子可以被C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代；充電設(shè)備，用來(lái)為該電子照相感光體充電；成影像式(imagewise)光照射裝置，用來(lái)向充電的電子照相感光體照射成影像式光，以在該電子照相感光體上形成靜電潛像；顯影單元，用調(diào)色劑使靜電潛像顯影，以在該電子照相感光體上形成調(diào)色劑圖像；和轉(zhuǎn)印單元，用來(lái)將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到圖像受體上。
根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光體和電子照相成像設(shè)備通過(guò)使用具有新晶型的高光敏性鈦氧基酞菁和與該鈦氧基酞菁相容的電荷傳輸材料的最佳組合可以表現(xiàn)出良好的靜電特性，例如良好的光敏性和重復(fù)充電后的穩(wěn)定性。


本發(fā)明的上述和其他特征和優(yōu)點(diǎn)通過(guò)參考以下附圖詳細(xì)描述其示范性實(shí)施方案將會(huì)更明顯圖1是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案使用電子照相感光體的電子照相成像設(shè)備的示意圖；
圖2表示在制備實(shí)施例1中獲得的鈦氧基酞菁晶體的可見(jiàn)-紅外吸收光譜；圖3表示在制備實(shí)施例1中獲得的鈦氧基酞菁的X-射線(xiàn)衍射光譜；圖4表示在比較實(shí)施例1中所用的Y-型鈦氧基酞菁晶體的可見(jiàn)-紅外吸收光譜；圖5表示在比較實(shí)施例1中所用的Y-型鈦氧基酞菁晶體的X-射線(xiàn)衍射光譜。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考其中顯示了本發(fā)明示范性實(shí)施方案的附圖而更全面地描述本發(fā)明。
根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方案的電子照相感光體包括導(dǎo)電基質(zhì)和在該導(dǎo)電基質(zhì)上形成的光敏層，其中該光敏層包含作為電荷產(chǎn)生材料的鈦氧基酞菁晶體和作為電荷傳輸材料的以下式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物，所述鈦氧基酞菁晶體在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在波長(zhǎng)780±10nm處具有主吸收峰，并且在波長(zhǎng)690±10nm處具有強(qiáng)度為主吸收峰3/4或更低的次吸收峰[式1] 其中苯基和亞苯基的至少一個(gè)氫原子可以被C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代。
換句話(huà)說(shuō)，根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案的電子照相感光體包括在導(dǎo)電基質(zhì)上形成的光敏層，其中該光敏層包括作為電荷產(chǎn)生材料的具有上述特征的鈦氧基酞菁晶體和作為電荷傳輸材料的上述式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物。
本發(fā)明中用作電荷產(chǎn)生材料的鈦氧基酞菁晶體的可見(jiàn)-紅外吸收光譜圖明顯不同于常規(guī)鈦氧基酞菁晶體的光譜圖。就是說(shuō)，除具有低敏感性的β-型鈦氧基酞菁晶體之外的常規(guī)高光敏性鈦氧基酞菁晶體在800nm或更大波長(zhǎng)處具有主吸收峰。然而，用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體在波長(zhǎng)約780±10nm處具有主吸收峰，并且在波長(zhǎng)約690±10nm處具有強(qiáng)度為主吸收峰3/4或更低的次吸收峰。對(duì)次吸收峰強(qiáng)度最低值并沒(méi)有限制，只要其作為單個(gè)峰可以被識(shí)別出即可。而且，本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體在800nm或更大波長(zhǎng)處基本沒(méi)有獨(dú)立的吸收峰。
用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體表現(xiàn)出明顯不同于常規(guī)鈦氧基酞菁晶體的X-射線(xiàn)衍射光譜。就是說(shuō)，用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體在9.2°、14.5°、18.1°、24.1°和27.3°(都包含±0.2°的誤差)的布拉格角(2θ)表現(xiàn)出明顯的峰。這些峰大都還可以在Y-型酞菁晶體中觀(guān)察到。但是，用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體沒(méi)有其他多個(gè)峰，例如在9.6°、11.7°和15.0°(都包含±0.2°的誤差)觀(guān)察到的峰。該區(qū)別說(shuō)明用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體具有與Y-型鈦氧基酞菁晶體相似的晶格常數(shù)，但是具有不同的晶格對(duì)稱(chēng)性。
將美國(guó)專(zhuān)利US 5252417中公開(kāi)的鈦氧基酞菁晶體和用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體進(jìn)行比較，兩者相似處在于，它們?cè)诳梢?jiàn)-紅外吸收光譜中在800nm或更大波長(zhǎng)處都沒(méi)有吸收峰，但不同處在于X-射線(xiàn)衍射峰的位置、可見(jiàn)-紅外吸收光譜峰的位置以及它們的強(qiáng)度分布并不相同。例如，美國(guó)專(zhuān)利US 5252417中公開(kāi)的鈦氧基酞菁晶體的X-射線(xiàn)衍射光譜在9.2°的布拉格角沒(méi)有衍射峰。
如上所述，用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體與上述公開(kāi)文本所公開(kāi)的鈦氧基酞菁晶體在可見(jiàn)-紅外吸收光譜和X-射線(xiàn)衍射光譜的形狀上是顯著不同的。
以下描述用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體的制備方法。
用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體可以通過(guò)使用醇溶劑，將在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在波長(zhǎng)800nm處具有吸收峰的鈦氧基晶體進(jìn)行捏合而制得。換句話(huà)說(shuō)，用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體是使用可用酸性糊狀物處理的、在800nm波長(zhǎng)處具有吸收峰的準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)鈦氧基酞菁晶體如無(wú)定形型(準(zhǔn)α-型)或Y型(γ-型)鈦氧基酞菁作為原料而制得的。當(dāng)該準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)鈦氧基酞菁與醇溶劑，如果需要還與粘合樹(shù)脂進(jìn)行捏合時(shí)，可以得到具有上述性質(zhì)的、用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體。鈦氧基酞菁晶體在低級(jí)脂肪醇存在下、在足以將無(wú)定形鈦氧基酞菁晶體轉(zhuǎn)化或改性成為本發(fā)明改性晶格結(jié)構(gòu)的剪切應(yīng)力下進(jìn)行捏合。
可以用于晶型轉(zhuǎn)化的醇溶劑的實(shí)例包括C1-C9低級(jí)脂族醇。這些醇中，甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等由于其易于處理而優(yōu)選。低級(jí)醇溶劑可以單獨(dú)使用或至少兩種組合使用。低級(jí)醇溶劑還可以與其他有機(jī)溶劑和/或水在不會(huì)損害本發(fā)明效果的允許量范圍內(nèi)組合使用。例如，醇溶劑和水的混合物可以以醇溶劑/水＝99/1-10/90，優(yōu)選99/1-40/60的混合比例進(jìn)行使用。
所用溶劑的量可以為鈦氧基酞菁重量的1-100倍，優(yōu)選2-10倍。粘合樹(shù)脂的量可以為鈦氧基酞菁重量的0.1-100倍，優(yōu)選0.2-5倍，更優(yōu)選為0.3-5倍。
可以使用在捏合時(shí)能產(chǎn)生高剪切應(yīng)力的設(shè)備進(jìn)行捏合，例如捏合機(jī)、2輥磨機(jī)、3輥磨機(jī)和Banbury混合器等。這樣的設(shè)備可以單獨(dú)使用或至少兩個(gè)組合使用。另一方面，當(dāng)使用砂磨機(jī)、球磨機(jī)或研磨機(jī)等時(shí)，難以為晶體轉(zhuǎn)化提供足夠的剪切應(yīng)力，以獲得用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的高光敏性鈦氧基酞菁晶體，因此，這樣的設(shè)備基本上不能用于本發(fā)明的晶體轉(zhuǎn)化。
而且，在捏合期間加熱到適當(dāng)溫度對(duì)于晶體轉(zhuǎn)化是有效的。例如，考慮到粘合樹(shù)脂的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變溫度，可以在室溫-約200℃，優(yōu)選約50-150℃范圍內(nèi)的溫度下進(jìn)行捏合。當(dāng)組合使用粘合樹(shù)脂時(shí)，通過(guò)精細(xì)粉化捏合的混合物而獲得的固態(tài)分散體可以直接用來(lái)制造形成光敏層的組合物(顏料)，因此可以省略在常規(guī)晶體轉(zhuǎn)化方法中使用的過(guò)濾步驟或使用醇或水的洗滌步驟。
如上所得的鈦氧基酞菁具有與Y-型晶體相似的高光敏性。鈦氧基酞菁顆粒的平均直徑由于捏合而是精細(xì)且均勻的。因此，用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案中的鈦氧基酞菁晶體具有良好的分散穩(wěn)定性，并且由于上述轉(zhuǎn)化處理而處于穩(wěn)定狀態(tài)，因此對(duì)熱和溶劑比Y-型晶體要穩(wěn)定得多。
根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案的電子照相感光體包括通過(guò)式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物作為電荷傳輸材料。聯(lián)苯乙烯化合物公開(kāi)在美國(guó)專(zhuān)利US 3873312中，并預(yù)期其具有良好的空穴傳輸穩(wěn)定性，但是與電荷產(chǎn)生材料(與聯(lián)苯乙烯組合使用)的相容性會(huì)改變聯(lián)苯乙烯化合物的性質(zhì)，因此會(huì)導(dǎo)致剩余電位高或重復(fù)充電后的穩(wěn)定性差。決定聯(lián)苯乙烯化合物與電荷產(chǎn)生材料最佳組合的因素一般可以由這些材料的能級(jí)加以解釋?zhuān)蝗欢?，不能總是得到預(yù)期結(jié)果。因此，聯(lián)苯乙烯化合物與電荷產(chǎn)生材料的最佳組合只能從各種材料的組合試驗(yàn)使用試錯(cuò)法來(lái)獲得。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，作為電荷產(chǎn)生材料的具有上述性質(zhì)的高光敏性鈦氧基酞菁晶體與作為電荷傳輸材料的式1聯(lián)苯乙烯化合物的組合產(chǎn)生高的光敏性和重復(fù)充電后的穩(wěn)定性，使得能夠得到相當(dāng)有用的電子照相感光體，從而完成了本發(fā)明。
同時(shí)，其他已知的電荷產(chǎn)生材料可以在不損害本發(fā)明效果所允許量的范圍內(nèi)與上述鈦氧基酞菁晶體一起使用?？梢耘c本發(fā)明鈦氧基酞菁晶體組合使用的已知電荷產(chǎn)生材料的實(shí)例包括有機(jī)材料，如以上鈦氧基酞菁晶體以外的酞菁顏料、偶氮類(lèi)顏料、醌類(lèi)顏料、二萘嵌苯類(lèi)顏料、靛青類(lèi)顏料、二苯并咪唑類(lèi)顏料、喹吖啶酮類(lèi)顏料、薁鎓(azulenium)類(lèi)顏料、方酸內(nèi)鎓鹽(squarylium)類(lèi)顏料、吡喃鎓類(lèi)顏料、三芳基甲烷類(lèi)顏料、菁類(lèi)顏料等，或無(wú)機(jī)材料，如無(wú)定形硅、無(wú)定形硒、三角(三方)硒、碲、硒-碲合金、硫化鎘、硫化銻、硫化鋅等。
根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案的電子照相感光體包括式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物[式1] 或者其中苯基和亞苯基的至少一個(gè)氫原子可以被C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代的式1化合物。
式1表示的聯(lián)苯乙烯化合物和其合成方法公開(kāi)在日本專(zhuān)利公開(kāi)公報(bào)2000-239236和日本專(zhuān)利公開(kāi)公報(bào)平10-207093中，其公開(kāi)內(nèi)容在此通過(guò)引用全部并入本文。
烷基的實(shí)例包括甲基、乙基、異丙基、正丙基、異丁基等，但并不限于此。烷氧基的實(shí)例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基等，但并不限于此。
式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物的實(shí)施包括化合物1-6中的一種，但并不限于此。
化合物1， 化合物2， 化合物3， 化合物4，
化合物5， 化合物6而且，其他已知的空穴傳輸材料和/或電子傳輸材料也可以在不損害本發(fā)明效果所允許量的范圍內(nèi)與式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物一起使用。
在本發(fā)明的各種實(shí)施方案中，式1的聯(lián)苯乙烯化合物可以是未取代的或被一個(gè)或多個(gè)C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代。一般而言，提供取代基，使得式1化合物是對(duì)稱(chēng)的。在此方面，式1化合物上的取代基數(shù)是偶數(shù)。在一個(gè)實(shí)施方案中，式1的化合物被對(duì)稱(chēng)取代，取代基數(shù)可以在2-8范圍內(nèi)，一般在2-6范圍內(nèi)。
可以與式1的聯(lián)苯乙烯化合物組合的已知空穴傳輸材料的實(shí)例包括低分子量化合物，如含氮的環(huán)狀化合物或稠合的多環(huán)化合物，如芘類(lèi)、咔唑類(lèi)、腙類(lèi)、噁唑類(lèi)、吡唑啉類(lèi)、芳胺類(lèi)、芳基甲烷類(lèi)、聯(lián)苯胺類(lèi)、噻唑類(lèi)、芪類(lèi)和丁二烯類(lèi)化合物等。還可以使用在主鏈或側(cè)鏈上具有上述低分子量化合物官能團(tuán)的高分子量化合物或聚硅烷化合物。所述高分子量化合物的實(shí)例包括聚-N-乙烯基咔唑、鹵化的聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯基芘、聚乙烯基蒽、聚乙烯基吖啶、芘甲醛樹(shù)脂、乙基咔唑甲醛樹(shù)脂和三苯基甲烷聚合物等。
電子傳輸材料的實(shí)例包括吸電子的低分子化合物，如苯并醌類(lèi)、四氰基乙烯類(lèi)、四氰基醌二甲烷類(lèi)、芴酮類(lèi)、噸酮類(lèi)、菲醌類(lèi)、酞酐類(lèi)、二苯酚合笨醌類(lèi)、芪醌類(lèi)、萘類(lèi)和噻喃類(lèi)等的化合物。也可以使用具有電子傳輸能力的聚合物化合物或具有電子傳輸能力的顏料。
可以與根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案的電子照相感光體一起使用的空穴傳輸材料或電子傳輸材料并不限于上述實(shí)例。該材料可以單獨(dú)使用或至少兩種組合使用。
導(dǎo)電基質(zhì)可以由任何具有導(dǎo)電性的材料制成，并且可以具有由金屬或?qū)щ娋酆衔镏瞥傻陌鍫?、盤(pán)狀、片狀、帶狀或鼓狀等的形式。金屬的實(shí)例包括鋁、釩、鎳、銅、鋅、鈀、銦、錫、鉑、不銹鋼和鉻。導(dǎo)電聚合物的實(shí)例包括聚酯樹(shù)脂、聚碳酸酯樹(shù)脂、聚酰胺樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂、這些的混合物以及用來(lái)合成具有分散在其中的導(dǎo)電材料如導(dǎo)電性碳、鋅氧化物、銦氧化物等的樹(shù)脂的單體的共聚物。其上沉積或?qū)訅河薪饘俚慕饘倨蛴袡C(jī)聚合物片也可以用作導(dǎo)電基質(zhì)。
光敏層可以是其中分別形成電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層的層壓型，或者是其中一層具有電荷產(chǎn)生功能和電荷傳輸功能的單層型。在層壓型光敏層中，鈦氧基酞菁晶體包含于電荷產(chǎn)生層中，并且聯(lián)苯乙烯化合物包含于電荷傳輸層中。在單層型光敏層中，鈦氧基酞菁晶體和聯(lián)苯乙烯化合物都包含于一個(gè)光敏層中。
在層壓型光敏層中，電荷產(chǎn)生材料與粘合樹(shù)脂一起分散于溶劑中，并通過(guò)浸涂、環(huán)涂、輥涂、噴涂等形成層，從而形成電荷產(chǎn)生層。還可以使用真空沉積、濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)等形成電荷產(chǎn)生層。
電荷產(chǎn)生層的厚度一般可以在約0.1-約1μm的范圍內(nèi)。當(dāng)電荷產(chǎn)生層的厚度低于0.1μm時(shí)，光敏性會(huì)不夠，而當(dāng)其厚度大于1μm時(shí)，充電能力和光敏性會(huì)降低。
在層壓型光敏層中，電荷傳輸層形成于電荷產(chǎn)生層之上。然而，電荷產(chǎn)生層可以反而形成于電荷傳輸層之上。為了形成電荷傳輸層，可以使用空穴傳輸材料和粘合樹(shù)脂溶于溶劑中的溶液來(lái)進(jìn)行涂布。對(duì)于電荷產(chǎn)生層，涂布方法可以是浸涂法、環(huán)涂法、輥涂法或噴涂法等。電荷傳輸層的厚度一般可以是5-50μm。如果厚度低于5μm，則充電能力不好，而如果厚度大于50μm，則響應(yīng)速度和圖像質(zhì)量下降。電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層的總厚度一般在5-50μm的范圍內(nèi)。
粘合樹(shù)脂在電荷產(chǎn)生層中的量可以為約5-350重量份，基于100重量份包括高光敏性鈦氧基酞菁晶體的電荷產(chǎn)生材料計(jì)，優(yōu)選為約10-200重量份。如果該量低于5重量份，則本實(shí)施方案中鈦氧基酞菁晶體的分散度不夠，因此難于獲得均勻的電荷產(chǎn)生層，并且粘著力也會(huì)降低。如果該量大于350重量份，則電荷電位難以維持，并且圖像質(zhì)量由于敏感性下降而降低。
在電荷傳輸層中，包括電荷傳輸材料和/或空穴傳輸材料的電荷傳輸材料的量可以占電荷傳輸層總重量的約10-60wt％。如果電荷傳輸層的量低于10wt％，則電荷傳輸能力不夠，因此剩余電位可能升高。如果該量大于60wt％，則樹(shù)脂在電荷傳輸層中的量降低，并且機(jī)械強(qiáng)度降低。
在單層型光敏層情況下，光敏層可以通過(guò)以下方式得到將包括本發(fā)明鈦氧基酞菁晶體的電荷產(chǎn)生材料和粘合樹(shù)脂與包括式1所示聯(lián)苯乙烯化合物的電荷傳輸材料一起分散于溶劑中，并涂布該分散體。單層型光敏層的厚度一般可以為約5-50μm。
電荷傳輸材料的實(shí)例是空穴傳輸材料和電子傳輸材料，然而，特別是對(duì)于單層型光敏層，空穴傳輸材料和電子傳輸材料優(yōu)選可以組合使用。由于單層型光敏層使用了其中電荷傳輸材料與電荷產(chǎn)生材料和粘合樹(shù)脂一起分散的光敏層，所以電荷在該光敏層內(nèi)部產(chǎn)生。因此，光敏層優(yōu)選能夠傳輸空穴和電子。
粘合樹(shù)脂可以是能夠形成電絕緣薄膜的聚合物。聚合物的實(shí)例非限定性地包括聚碳酸酯、聚酯、甲基丙烯酸(酯)類(lèi)樹(shù)脂、丙烯酸(酯)類(lèi)樹(shù)脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-馬來(lái)酸酐共聚物、硅樹(shù)脂、硅醇酸樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、苯乙烯醇酸樹(shù)脂、聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇縮甲醛、聚砜、酪蛋白、凝膠、聚乙烯醇、乙基纖維素、苯酚樹(shù)脂、聚酰胺、羧甲基纖維素、偏二氯乙烯類(lèi)聚合物膠乳、聚氨酯等。粘合樹(shù)脂可以單獨(dú)使用或者兩種或更多種組合使用。
包括電子傳輸材料和/或空穴傳輸材料的電荷傳輸材料在單層型光敏層中的量可以為約10-60wt％，基于光敏層總重量計(jì)。若該量低于10wt％，則電荷傳輸能力不夠，因此光敏性不夠，并且剩余電位可能升高。若該量大于60wt％，則樹(shù)脂在光敏層中的量降低，因此機(jī)械強(qiáng)度可能降低。
無(wú)論光敏層是層壓型或單層型，電子照相感光體都可以包括如諸增塑劑、表面改性劑、分散體穩(wěn)定劑、抗氧化劑、光穩(wěn)定劑等添加劑，它們與粘合樹(shù)脂一起在光敏層中。
增塑劑的實(shí)例非限定性地包括聯(lián)苯、氯化聯(lián)苯、三聯(lián)苯、酞酸二丁酯、酞酸二甘醇酯、酞酸二辛酯、磷酸三苯酯、甲基萘、二苯甲酮、氯化石蠟、聚丙烯、聚苯乙烯和氟化烴。
表面改性劑的實(shí)例包括硅油、氟樹(shù)脂等，但不限于此。
而且，諸如抗氧化劑或光穩(wěn)定劑的惡化抑制劑可以包含在用于本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案的光敏層中，以提高對(duì)環(huán)境條件的耐受性或?qū)τ泻獾姆€(wěn)定性。惡化抑制劑的實(shí)例非限定性地包括色原烷醇衍生物，如生育酚和其醚化衍生物或酯化衍生物，聚芳基烷烴化合物，和氫醌衍生物和其單醚和二醚化衍生物，二苯甲酮衍生物，苯并三唑衍生物，硫醚化合物，苯二胺衍生物，膦酸酯，亞磷酸酯，酚類(lèi)化合物，位阻酚類(lèi)化合物，直鏈胺化合物，環(huán)胺化合物和位阻胺化合物。
在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的電子照相感光體中，在導(dǎo)電基質(zhì)和光敏層之間還可以插入中間層，以提高粘著力或防止電荷從導(dǎo)電基質(zhì)注入。中間層的實(shí)例非限定性地包括鋁的陽(yáng)極氧化物層(防蝕鋁層)，金屬氧化物粉末(如鈦氧化物、錫氧化物等)的樹(shù)脂分散層，和樹(shù)脂層，如聚乙烯醇、酪蛋白、乙基纖維素、凝膠、酚樹(shù)脂、聚酰胺等。中間層的厚度可以?xún)?yōu)選在約0.05-5μm的范圍內(nèi)。
而且，如果需要的話(huà)，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的電子照相感光體還可以包括表面保護(hù)層。
當(dāng)使用浸涂法形成光敏層時(shí)，上述量的電荷產(chǎn)生材料和/或電荷傳輸材料與粘合樹(shù)脂一起溶解或分散于溶劑中，以作為組合物用于形成光敏層。溶解粘合樹(shù)脂的溶劑可以根據(jù)粘合樹(shù)脂的種類(lèi)而變化。有機(jī)溶劑的實(shí)例包括醇，如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、1-丁醇、2-丁醇、1-甲氧基-2-丙醇等；酮，如丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮、甲基異丙基酮、甲基異丁基酮、4-甲氧基-4-甲基-2-戊酮等；酰胺，如N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺等；醚，如四氫呋喃、二氧雜環(huán)己烷、甲基溶纖劑等；酯，如乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸異丙酯、乙酸叔丁酯等；亞砜，如二甲亞砜等；脂族鹵化烴，如1，2-二氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷、1，1，1-三氯乙烷、三氯乙烯、四氯乙烷、二氯甲烷(dichloromethane)、二氯甲烷(methylene chloride)、氯仿、四氯化碳、三氯乙烷等；芳烴、如苯、甲苯、乙基苯、二甲苯、一氯苯、二氯苯等；和胺，如丁胺、二乙胺、乙二胺、異丙醇胺、三乙醇胺、三亞乙基二胺等。無(wú)論光敏層是層壓型還是單層型，都優(yōu)選選擇不會(huì)影響相鄰層的溶劑。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的電子照相感光體可以集成到電子照相成像設(shè)備上，例如激光打印機(jī)、影印機(jī)、傳真機(jī)、LED打印機(jī)等。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方案，所提供的電子照相成像設(shè)備包括電子照相感光體，其包括導(dǎo)電基質(zhì)；和在該導(dǎo)電基質(zhì)上形成的光敏層，其中，該光敏層在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在波長(zhǎng)780±10nm處具有主吸收峰，并且包括在波長(zhǎng)690±10nm處具有強(qiáng)度為主吸收峰3/4或更低的次吸收峰的鈦氧基酞菁晶體作為電荷產(chǎn)生材料，以及包括下式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物作為電荷傳輸材料；充電單元，為該電子照相感光體充電；成影像式光照射單元，用成影像式光照射充電的電子照相感光體，以在該電子照相感光體上形成靜電潛像；顯影單元，用調(diào)色劑使靜電潛像顯影，以在該電子照相感光體上形成調(diào)色劑圖像；和轉(zhuǎn)印單元，將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到圖像受體上。換句話(huà)說(shuō)，根據(jù)本發(fā)明當(dāng)前實(shí)施方案的電子照相成像設(shè)備包括根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的電子照相感光體。
圖1圖示說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方案的電子照相成像設(shè)備。參考圖1，附圖標(biāo)記1是指半導(dǎo)體激光器。根據(jù)圖像信息由控制環(huán)路11對(duì)激光進(jìn)行信號(hào)調(diào)整，在照射后，通過(guò)光學(xué)校正系統(tǒng)2進(jìn)行校準(zhǔn)，并在被多邊形旋轉(zhuǎn)鏡3反射時(shí)進(jìn)行掃描。激光通過(guò)掃描透鏡4聚焦于電子照相感光體5的表面上，并根據(jù)圖像信息對(duì)表面進(jìn)行曝光。因?yàn)殡娮诱障喔泄怏w已經(jīng)被充電設(shè)備6所充電，因此通過(guò)曝光形成了靜電潛像，然后通過(guò)顯影設(shè)備7使其成為可見(jiàn)的。通過(guò)轉(zhuǎn)印設(shè)備8將可見(jiàn)圖像轉(zhuǎn)印到圖像受體12例如紙上，并固定在定影設(shè)備(fixing apparatus)10中，作為打印結(jié)果提供?？梢酝ㄟ^(guò)用清洗設(shè)備9除去殘留在其表面上的著色劑而重復(fù)使用該電子照相感光體。此處電子照相感光體被畫(huà)為鼓狀；然而，如上所示，其還可以是片狀或帶狀。
下文中參考以下實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。然而，這些實(shí)施例僅是用于說(shuō)明本發(fā)明的目的，而不是意圖限制對(duì)本發(fā)明的范圍。本發(fā)明中所述的“份”是指“重量份”。
制造實(shí)施例1將2份根據(jù)美國(guó)專(zhuān)利US 4898799公開(kāi)的方法合成的Y-型鈦氧基酞菁和1份聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂(“S-LECBM-1”，從Sekisui Chemical Co.，Ltd購(gòu)得)與5份異丙醇進(jìn)行混合，并使用兩輥研磨機(jī)(R2-型，從Kodaira SeisakushoCo.，Ltd購(gòu)得)進(jìn)行捏合。所得分散體在100℃爐中干燥1小時(shí)，并壓碎得到碎片狀的固態(tài)分散體。
圖2和3分別表示該樣品的可見(jiàn)-紅外吸收光譜和X-射線(xiàn)衍射光譜(使用Cu Kα線(xiàn))。圖2的吸收光譜是使用其中固態(tài)分散體分散于乙醇中的稀分散體樣品而獲得的，圖3的X-射線(xiàn)光譜是通過(guò)用Cu Kα線(xiàn)照射固態(tài)分散體樣品而獲得的。
參考圖2，鈦氧基酞菁晶體在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在波長(zhǎng)約780nm處具有主吸收峰，在約700nm處具有強(qiáng)度約為主吸收峰強(qiáng)度70％的次吸收峰。而且，鈦氧基酞菁晶體在800nm或更大波長(zhǎng)處沒(méi)有吸收峰。
參考圖3的X-射線(xiàn)衍射光譜，鈦氧基酞菁晶體在約9.2°、約14.5°、約18.1°、約24.1°和約27.3°的布拉格角(2θ)表現(xiàn)出不同的衍射峰。
實(shí)施例1使用環(huán)涂法，將通過(guò)用96份乙醇溶解4份從制造實(shí)施例1所得固態(tài)分散體而獲得的涂料組合物涂布于直徑為30mm的陽(yáng)極化鋁鼓上，并干燥形成厚度約為0.4μm的電荷產(chǎn)生層。然后將其中60份聚碳酸酯樹(shù)脂Z(“l(fā)upilonZ-200”，從Mitsubishi Gas Chemical購(gòu)得)和40份下述聯(lián)苯乙烯化合物1溶解于300份氯仿中的溶液涂布在該電荷產(chǎn)生層上，并在100℃下干燥1小時(shí)，形成厚度約為20μm的電荷傳輸層，從而得到層壓型電子照相感光體。
化合物1實(shí)施例2按照與實(shí)施例1相同的方法制備層壓型電子照相感光體，不同之處在于使用以下聯(lián)苯乙烯化合物2代替聯(lián)苯乙烯化合物1。
化合物2實(shí)施例3按照與實(shí)施例1相同的方法制備層壓型電子照相感光體，不同之處在于用以下聯(lián)苯乙烯化合物3代替聯(lián)苯乙烯化合物1。
化合物3比較實(shí)施例1使用砂磨機(jī)，用17份乙醇分散2份Y-型鈦氧基酞菁和1份聚乙烯醇縮丁醛樹(shù)脂(“LEC BM-1”，從Sekisui Chemical Co.，Ltd購(gòu)得)達(dá)1小時(shí)。將所得分散體溶液攪拌，同時(shí)滴加乙醇，得到具有4％固體含量的涂布組合物。如實(shí)施方案1，使用環(huán)涂法將該組合物涂布到陽(yáng)極化鋁鼓上，并干燥，從而形成厚度約0.4μm的電荷產(chǎn)生層。
用與實(shí)施例1相同的方法在該電荷產(chǎn)生層上形成電荷傳輸層，得到層壓型電子照相感光體。該電子照相感光體與日本專(zhuān)利公開(kāi)公報(bào)2000-239236中公開(kāi)的電子照相感光體基本相同。
圖4和5分別表示比較實(shí)施例1中所用Y-型鈦氧基酞菁的可見(jiàn)-紅外吸收光譜和X-射線(xiàn)衍射光譜(使用Cu Kα線(xiàn))。
將圖4和5的光譜與圖2和3的光譜進(jìn)行比較，可以看出可見(jiàn)-紅外吸收?qǐng)D案和X-射線(xiàn)衍射圖案有明顯區(qū)別。換句話(huà)說(shuō)，如比較實(shí)施例1那樣，當(dāng)用于電荷產(chǎn)生層的分散體組合物是使用球磨機(jī)以常規(guī)方法進(jìn)行制備，而沒(méi)有在足夠壓力下進(jìn)行晶體轉(zhuǎn)化時(shí)，由于壓力不夠，因此認(rèn)為Y-型鈦氧基酞菁的晶型得以保持。
比較實(shí)施例2用與實(shí)施例1相同的方法獲得層壓型電子照相感光體，區(qū)別在于使用以下芪化合物7以代替聯(lián)苯乙烯化合物1。

化合物7比較實(shí)施例3用與比較實(shí)施例1相同的方法獲得層壓型電子照相感光體，區(qū)別在于使用芪化合物7以代替聯(lián)苯乙烯化合物1。
電子照相性能的測(cè)量使用鼓型感光體評(píng)價(jià)設(shè)備(從QEA購(gòu)得，“PDT-2000”)，在23℃和50％的濕度下，如下測(cè)量在實(shí)施例1-3和比較實(shí)施例1-3中所得的各感光體的電子照相性能。
在-7.5kV的電暈電壓下和充電單元與感光體的相對(duì)速率為100mm/sec時(shí)對(duì)各感光體進(jìn)行充電，然后立刻用780nm波長(zhǎng)的單色光在0-5mJ/m2的曝光能量范圍內(nèi)對(duì)感光體進(jìn)行照射。記錄曝光后感光體的表面電位，以測(cè)量能量和表面電位之間的關(guān)系。這里，沒(méi)有光照射情況下的表面電位被計(jì)為V0[V]，5mJ/m2曝光后的電位被計(jì)為Vi[V]。而且，V0衰減一半所需的曝光能量被計(jì)為E1/2[mJ/m2]。
并且，在各感光體在上述相同條件下重復(fù)200次充電和曝光組成的循環(huán)后，然后用曝光能量為50mJ/m2且波長(zhǎng)為660nm的擦除光進(jìn)行照射，如上所述記錄感光體的電學(xué)性能，并檢驗(yàn)與初始狀態(tài)的變化，從而評(píng)價(jià)其重復(fù)穩(wěn)定性。測(cè)量結(jié)果如表1所示。



從表1明顯可見(jiàn)，實(shí)施例1-3的感光體比比較實(shí)施例1-3的感光體具有更小的剩余電位Vi和更好的E1/2光敏性。而且，重復(fù)200次循環(huán)后，與比較實(shí)施例1-3的感光體相比，實(shí)施例1-3感光體的剩余電位Vi略有升高，并且E1/2光敏性也略有升高。因此證明，使用具有新晶型的高光敏性鈦氧基酞菁晶體作為電荷產(chǎn)生材料和聯(lián)苯乙烯化合物作為電荷傳輸材料的組合的實(shí)施例1-3的感光體比比較實(shí)施例1-3的感光體具有更好的光敏性和重復(fù)穩(wěn)定性。特別地，根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光體比根據(jù)日本專(zhuān)利公開(kāi)公報(bào)2000-239236的比較實(shí)施例1的電子照相感光體的E1/2光敏性稍好些；然而，由于重復(fù)200次循環(huán)后的充電電位Vi只升高少量，因此本發(fā)明的感光體重復(fù)充電后的穩(wěn)定性明顯更好。
從上述結(jié)果明顯可見(jiàn)，根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光體和電子照相成像設(shè)備具有良好的光敏性、充電性能和良好的重復(fù)穩(wěn)定性，這是通過(guò)使用新晶型高光敏性鈦氧基酞菁和與該鈦氧基酞菁具有良好相容性的聯(lián)苯乙烯類(lèi)電荷傳輸材料的最佳組合而獲得的。因此，包括本發(fā)明電子照相感光體的電子照相成像設(shè)備可以穩(wěn)定地產(chǎn)生高質(zhì)量圖像。
雖然通過(guò)參考其示范性實(shí)施方案特別表示并描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不偏離權(quán)利要求書(shū)和其等價(jià)方案所限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.電子照相感光體，包括導(dǎo)電基質(zhì)；和在該導(dǎo)電基質(zhì)上形成的光敏層，其中所述光敏層包括鈦氧基酞菁晶體和下式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物，所述鈦氧基酞菁晶體在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在波長(zhǎng)780±10nm處具有主吸收峰并且在波長(zhǎng)690±10nm處具有強(qiáng)度為主吸收峰3/4或更低的次吸收峰[式1] 其中苯基和亞苯基的至少一個(gè)氫原子可以被C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代。
2.權(quán)利要求1的電子照相感光體，其中所述光敏層是同時(shí)具有電荷產(chǎn)生功能和電荷傳輸功能的單層型光敏層。
3.權(quán)利要求1的電子照相感光體，其中所述光敏層是包含有電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層的層壓型光敏層，并且鈦氧基酞菁晶體包含于電荷產(chǎn)生層中，聯(lián)苯乙烯化合物包含于電荷傳輸層中。
4.權(quán)利要求1的電子照相感光體，其中鈦氧基酞菁晶體在800nm或更大的波長(zhǎng)處沒(méi)有吸收峰。
5.權(quán)利要求1的電子照相感光體，其中鈦氧基酞菁晶體在X-射線(xiàn)衍射光譜中在9.2°、14.5°、18.1°、24.1°和27.3°(都可以有±0.2°的誤差)的布拉格角(2θ)處具有明顯的峰。
6.權(quán)利要求1的電子照相感光體，其中鈦氧基酞菁晶體通過(guò)使用醇溶劑將在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在800nm波長(zhǎng)處具有吸收峰的鈦氧基酞菁晶體進(jìn)行捏合而獲得。
7.權(quán)利要求1的電子照相感光體，其中式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物選自 化合物1， 化合物2， 化合物3， 化合物4， 化合物5和 化合物6，
8.電子照相成像設(shè)備，包括電子照相感光體，其包括導(dǎo)電基質(zhì)；和在該導(dǎo)電基質(zhì)上形成的光敏層，其中所述光敏層含有鈦氧基酞菁晶體和以下式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物，所述鈦氧基酞菁晶體在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在波長(zhǎng)780±10nm處具有主吸收峰并且在波長(zhǎng)690±10nm處具有強(qiáng)度為主吸收峰3/4或更低的次吸收峰[式1] 其中苯基和亞苯基的至少一個(gè)氫原子可以被C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代；充電設(shè)備，用來(lái)為該電子照相感光體充電；成影像式光照射裝置，用來(lái)向充電的電子照相感光體照射成影像式光，以在該電子照相感光體上形成靜電潛像；顯影單元，用調(diào)色劑使靜電潛像顯影，以在該電子照相感光體上形成調(diào)色劑圖像；和轉(zhuǎn)印單元，用來(lái)將調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到圖像受體上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的電子照相成像設(shè)備，其中所述光敏層是同時(shí)具有電荷產(chǎn)生功能和電荷傳輸功能的單層型光敏層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的電子照相成像設(shè)備，其中所述光敏層是包含有電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層的層壓型光敏層，并且鈦氧基酞菁晶體包含于電荷產(chǎn)生層中，聯(lián)苯乙烯化合物包含于電荷傳輸層中。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的電子照相成像設(shè)備，其中鈦氧基酞菁晶體在800nm或更大的波長(zhǎng)處沒(méi)有吸收峰。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的電子照相成像設(shè)備，其中鈦氧基酞菁晶體在X-射線(xiàn)衍射光譜中在9.2°、14.5°、18.1°、24.1°和27.3°(都可以有±0.2°的誤差)的布拉格角(2θ)處具有明顯的峰。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的電子照相成像設(shè)備，其中鈦氧基酞菁晶體通過(guò)使用醇溶劑將在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在800nm波長(zhǎng)處具有吸收峰的鈦氧基酞菁晶體進(jìn)行捏合而獲得。
14.根據(jù)權(quán)利要求8的電子照相成像設(shè)備，其中式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物選自 化合物1， 化合物2， 化合物3， 化合物4， 化合物5和 化合物6.
15.電子照相感光體，包括導(dǎo)電基質(zhì)；和在該導(dǎo)電基質(zhì)上形成的光敏層，其中所述光敏層包括鈦氧基酞菁晶體和下式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物[式1] 其中苯基和亞苯基的至少一個(gè)氫原子可以被C1-C6烷基或C1-C6烷氧基所取代；其中所述鈦氧基酞菁晶體是通過(guò)將無(wú)定形鈦氧基酞菁晶體和醇的混合物在足以獲得具有改性晶格對(duì)稱(chēng)性的所述鈦氧基酞菁的剪切應(yīng)力下進(jìn)行捏合而獲得的。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的電子照相感光體，其中所述鈦氧基酞菁晶體在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在780±10nm波長(zhǎng)處具有主吸收峰。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的電子照相感光體，其中所述鈦氧基酞菁晶體在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在690±10nm波長(zhǎng)處具有次吸收峰。
18.根據(jù)權(quán)利要求17的電子照相感光體，其中所述次吸收峰的強(qiáng)度為主吸收峰強(qiáng)度的3/4或更低。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的電子照相感光體，其中所述混合物包括聚合的粘合樹(shù)脂。
20.根據(jù)權(quán)利要求15的電子照相感光體，其中光敏層是同時(shí)具有電荷產(chǎn)生功能和電荷傳輸功能的單層型光敏層。
21.根據(jù)權(quán)利要求15的電子照相感光體，其中光敏層是包含有電荷產(chǎn)生層和電荷傳輸層的層壓型光敏層，并且鈦氧基酞菁晶體包含于電荷產(chǎn)生層中，聯(lián)苯乙烯化合物包含于電荷傳輸層中。
22.根據(jù)權(quán)利要求15的電子照相感光體，其中鈦氧基酞菁晶體在800nm或更大的波長(zhǎng)處沒(méi)有吸收峰。
23.根據(jù)權(quán)利要求15的電子照相感光體，其中鈦氧基酞菁晶體在X-射線(xiàn)衍射光譜中在9.2°、14.5°、18.1°、24.1°和27.3°(都可以有±0.2°的誤差)的布拉格角(2θ)處具有明顯的峰。
24.根據(jù)權(quán)利要求15的電子照相感光體，其中鈦氧基酞菁晶體通過(guò)使用醇溶劑將在可見(jiàn)-紅外吸收光譜中在800nm波長(zhǎng)處具有吸收峰的鈦氧基酞菁晶體進(jìn)行捏合而獲得。
25.根據(jù)權(quán)利要求15的電子照相感光體，其中式1所示的聯(lián)苯乙烯化合物選自 化合物1， 化合物2， 化合物3， 化合物4， 化合物5和 化合物6。
全文摘要
一種包括光敏層的電子照相感光體，所述光敏層含有鈦氧基酞菁晶體和具有預(yù)定結(jié)構(gòu)的聯(lián)苯乙烯化合物，所述鈦氧基酞菁晶體在可見(jiàn)－紅外吸收光譜中在波長(zhǎng)780±10nm處具有主吸收峰并且在波長(zhǎng)690±10nm處具有強(qiáng)度為主吸收峰3/4或更低的次吸收峰。還提供一種使用該電子照相感光體的電子照相成像設(shè)備。所述電子照相感光體和電子照相成像設(shè)備通過(guò)使用新晶型的高光敏性鈦氧基酞菁和作為與該鈦氧基酞菁相容的電荷傳輸材料的聯(lián)苯乙烯化合物的最佳組合而具有良好的光敏性和充電性能以及重復(fù)充電后的良好穩(wěn)定性。
文檔編號(hào)G03G5/043GK101021695SQ20071000200
公開(kāi)日2007年8月22日 申請(qǐng)日期2007年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月16日
發(fā)明者橫田三郎, 金承柱 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社